JPH02266978A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH02266978A JPH02266978A JP1090363A JP9036389A JPH02266978A JP H02266978 A JPH02266978 A JP H02266978A JP 1090363 A JP1090363 A JP 1090363A JP 9036389 A JP9036389 A JP 9036389A JP H02266978 A JPH02266978 A JP H02266978A
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- ZSIZJCNPPZMOQY-UHFFFAOYSA-N antimony triselenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[SbH3+3].[SbH3+3] ZSIZJCNPPZMOQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ビームを用いて情報が記録再生される光情報
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
光情報記録媒体の一つである光ディスクは、再生専用型
光ディスクと記録可能型光ディスクに分けることができ
る。
光ディスクと記録可能型光ディスクに分けることができ
る。
再生専用型光ディスクは、透明な基板上に金型としての
金属原盤を用い、射出成形等の方法により微細な凹凸を
形成し、反射膜を被着したものである。
金属原盤を用い、射出成形等の方法により微細な凹凸を
形成し、反射膜を被着したものである。
この方法は、ガラス盤への感光剤塗布、レーザビームに
よる情報記録、現像、電気メツキ、金属原盤作製、射出
成形9反射膜形成、保護膜塗布の工程を必要とし、金属
原盤を作製するには多大な費用が必要であるため、少品
種大量生産に適した方法である。しかし、少規模な光デ
ィスクの生産には不適切であり、この場合−枚の光ディ
スクは高価になってしまう。
よる情報記録、現像、電気メツキ、金属原盤作製、射出
成形9反射膜形成、保護膜塗布の工程を必要とし、金属
原盤を作製するには多大な費用が必要であるため、少品
種大量生産に適した方法である。しかし、少規模な光デ
ィスクの生産には不適切であり、この場合−枚の光ディ
スクは高価になってしまう。
小規模生産に適した方法として記録可能型光ディスクを
用いることが考えられる。これは従来公知のように、透
明基板上に設けられた光記録膜に半導体レーザ光を照射
して孔をあけるか、あるいは結晶相転移を生起せしめて
情報を記録したもので、反射光にて情報を再生すること
が出来る。この様に記録可能型光ディスクを用いると金
属原盤を作製する必要もなく安価に再生専用型光ディス
クを製造することができる。
用いることが考えられる。これは従来公知のように、透
明基板上に設けられた光記録膜に半導体レーザ光を照射
して孔をあけるか、あるいは結晶相転移を生起せしめて
情報を記録したもので、反射光にて情報を再生すること
が出来る。この様に記録可能型光ディスクを用いると金
属原盤を作製する必要もなく安価に再生専用型光ディス
クを製造することができる。
しかし、この方法で作られた再生専用型光ディスクの反
射率は50%以下であり、反射率709A以上を要求さ
れる一般の再生専用型光ディスクの規格を満足すること
ができず、市販のLDプレーヤやCDプレーヤ等の再生
専用型光デイスク再生装置では再生することができない
。
射率は50%以下であり、反射率709A以上を要求さ
れる一般の再生専用型光ディスクの規格を満足すること
ができず、市販のLDプレーヤやCDプレーヤ等の再生
専用型光デイスク再生装置では再生することができない
。
かかる問題を解決し、市販の再生専用型光ディスクと同
等性能のものを安価に小規模生産し、市販の再生専用型
光デイスク再生機にて再生可能な光ディスクを製造する
方法として特開昭62−119755が示されている。
等性能のものを安価に小規模生産し、市販の再生専用型
光デイスク再生機にて再生可能な光ディスクを製造する
方法として特開昭62−119755が示されている。
これは、透明基体上に記録光ビーム吸収性を機色素記i
!膜を形成し、光ビームを照射し、該記録膜にビットと
呼ばれる孔をあけて情報を記録し、その後記録膜を光ビ
ームに対して透明とする操作を加え、更に反射膜を被覆
する方法で、充分な反射率をもった記録媒体を得ること
ができる。
!膜を形成し、光ビームを照射し、該記録膜にビットと
呼ばれる孔をあけて情報を記録し、その後記録膜を光ビ
ームに対して透明とする操作を加え、更に反射膜を被覆
する方法で、充分な反射率をもった記録媒体を得ること
ができる。
しかしながらこの様に、情報を記録した後光記録膜を透
明化させ、さらに反射膜を被覆させる操作を行うには、
特別な装置が必要となり、製造工程が複雑化する欠点が
あった。従って又、かかる設備を保有していない一般ユ
ーザでは、記録後直ちに再生することができない等の問
題点があった。
明化させ、さらに反射膜を被覆させる操作を行うには、
特別な装置が必要となり、製造工程が複雑化する欠点が
あった。従って又、かかる設備を保有していない一般ユ
ーザでは、記録後直ちに再生することができない等の問
題点があった。
本発明は上記欠点を解消し、光ビームにより情報を記録
した後、大がかりな装置による特別な操作を必要とせず
に情報を再生することができ、しかも反射率の高い光情
報記録媒体を堤供することを目的としてなされたもので
ある。
した後、大がかりな装置による特別な操作を必要とせず
に情報を再生することができ、しかも反射率の高い光情
報記録媒体を堤供することを目的としてなされたもので
ある。
本発明による光情報記録媒体は、透明基体1光記録膜及
び反射膜を備え、上記光記録膜として三セレン化アンチ
モン(s b、 s 63 )を用い、この膜厚を55
n−〜1021−としたことを特徴とするものである。
び反射膜を備え、上記光記録膜として三セレン化アンチ
モン(s b、 s 63 )を用い、この膜厚を55
n−〜1021−としたことを特徴とするものである。
5bzSesfI膜は、成膜後の無処理状態での複素屈
折率n、が、波長780rvにおいて3.8−0.15
iであり、170℃〜200℃の熱処理後の複素屈折率
n、は、4.7−0.7iに変化する。
折率n、が、波長780rvにおいて3.8−0.15
iであり、170℃〜200℃の熱処理後の複素屈折率
n、は、4.7−0.7iに変化する。
従って、透明基体上に5blSe3記録膜及び反射膜を
積層した光情報記録媒体は、その基体側から入射する波
長780n@の光ビームに対する未記録部反射率及び記
録部反射率が、第2図に示す特性曲線11のごとく変化
し、sbよ5e311の膜厚を適切に選択することによ
り、記録前が70%以上、記録後が28%以下という一
般の再生専用型光ディスクとして充分満足出来る性能を
有した光情報記録媒体を得ることができる。
積層した光情報記録媒体は、その基体側から入射する波
長780n@の光ビームに対する未記録部反射率及び記
録部反射率が、第2図に示す特性曲線11のごとく変化
し、sbよ5e311の膜厚を適切に選択することによ
り、記録前が70%以上、記録後が28%以下という一
般の再生専用型光ディスクとして充分満足出来る性能を
有した光情報記録媒体を得ることができる。
第1図に、本発明による記録媒体の一実施例を示す。
図において透明基体16として、外径120u。
内径5fl、厚さ1.2鶴であって、表面片側にピッチ
1゜6μm、幅0.7μm、深さ0.07μ餉のスパイ
ラル状トラッキング溝をもったポリカーボネート基板を
用い、この上に記録膜として、公知の技術であるスパッ
タリング法を用いて5blSe3Jfl117を9On
−の厚さに成膜し、続いてAu反射膜18を77.5n
−の膜厚に成膜した。
1゜6μm、幅0.7μm、深さ0.07μ餉のスパイ
ラル状トラッキング溝をもったポリカーボネート基板を
用い、この上に記録膜として、公知の技術であるスパッ
タリング法を用いて5blSe3Jfl117を9On
−の厚さに成膜し、続いてAu反射膜18を77.5n
−の膜厚に成膜した。
このようにして作製した光記録媒体の反射率は、波長λ
−780nmの光ビームに対して78%であった。この
ディスクに波長λ−83on−の半4体レーザビームを
照射し情報を記録した後、情報記録部の波長780nm
における反射率を測定したところ27%であり、記録前
及び後の各反射率は再生専用型光ディスクの規格に合致
していた。
−780nmの光ビームに対して78%であった。この
ディスクに波長λ−83on−の半4体レーザビームを
照射し情報を記録した後、情報記録部の波長780nm
における反射率を測定したところ27%であり、記録前
及び後の各反射率は再生専用型光ディスクの規格に合致
していた。
なお、反射率が記録前において70%以上、記録後にお
いて28%以下となるSb2 Se3記録膜の膜厚は、
第2図斜線命妬如く90n−〜102n−の範囲であっ
た。
いて28%以下となるSb2 Se3記録膜の膜厚は、
第2図斜線命妬如く90n−〜102n−の範囲であっ
た。
本実施例においては、反射膜をAuとしたが、これは波
長λ−78on−における反射率が最も高いことによる
。Auの他A g * Cu 、A Iを用いても反
射率が記録前で70%以上、記録後で28%以下の光情
報記録媒体を得ることができるが、反射膜のλ−780
nmにおける反射率が低くなるにしたがって5blSe
3の適切な膜厚範囲は小さくなる。
長λ−78on−における反射率が最も高いことによる
。Auの他A g * Cu 、A Iを用いても反
射率が記録前で70%以上、記録後で28%以下の光情
報記録媒体を得ることができるが、反射膜のλ−780
nmにおける反射率が低くなるにしたがって5blSe
3の適切な膜厚範囲は小さくなる。
本発明の他の実施例として、5JSel記録膜と反射膜
の間に透明誘電体膜を配置した例について述べる。
の間に透明誘電体膜を配置した例について述べる。
前記実施例と同様にして、ポリカーボネート基板上にS
b零Se3膜を膜厚80ns+に成膜し、さらにZnS
誘電体膜を膜厚50n−に成膜、さらにA1反射膜を7
0ローに成膜した。
b零Se3膜を膜厚80ns+に成膜し、さらにZnS
誘電体膜を膜厚50n−に成膜、さらにA1反射膜を7
0ローに成膜した。
こうして作製した光情報記録媒体の、波長λ−78On
−における記録前及び後の反射率は、それぞれ73%及
び22%であり再生専用型光ディスクの反射率の規格に
合致していた。
−における記録前及び後の反射率は、それぞれ73%及
び22%であり再生専用型光ディスクの反射率の規格に
合致していた。
本実施例において記録前の反射率が70%以上であり、
かつ記録後の反射率が28%以下となる5blSe1記
録膜の膜厚範囲は76n−〜82n−であった。
かつ記録後の反射率が28%以下となる5blSe1記
録膜の膜厚範囲は76n−〜82n−であった。
また本実施例において、A1反射膜をAu反射膜におき
かえ、SbmSe2膜の膜厚を種々変化させて反射率を
測定したところ、前述の様な一般の再生専用型光ディス
クの反射率規格を満足するであり、A1反射膜を用いた
場合に比較して、5bases記録膜の適切な膜厚範囲
を広くすることができる。
かえ、SbmSe2膜の膜厚を種々変化させて反射率を
測定したところ、前述の様な一般の再生専用型光ディス
クの反射率規格を満足するであり、A1反射膜を用いた
場合に比較して、5bases記録膜の適切な膜厚範囲
を広くすることができる。
第3図は、前述のごとく、透明基体16上のSb、se
、記111117とAu反射119I(膜厚80rim
以上)との間に、透明誘電体膜を積層した光情報記録媒
体に、透明基体側より波長λ−780n■の光ビームを
入射させたとき、情報未記録分の反射率が70%以上で
、情報記録部の反射率が28%以下となる様にする為の
、5JSe13記録膜のおいては、再生専用型光ディス
クの反射率を満足する光情報記録媒体を得ることができ
る。
、記111117とAu反射119I(膜厚80rim
以上)との間に、透明誘電体膜を積層した光情報記録媒
体に、透明基体側より波長λ−780n■の光ビームを
入射させたとき、情報未記録分の反射率が70%以上で
、情報記録部の反射率が28%以下となる様にする為の
、5JSe13記録膜のおいては、再生専用型光ディス
クの反射率を満足する光情報記録媒体を得ることができ
る。
上記実施例においては、誘電体膜としてZn5(I!!
折率n=2.3)を用いたが、本発明ではこれに限らず
、S % 0.S i Os 、Tag Os等の酸化
物、A I N、 S 1 s Na等の窒化物、sb
寞S、、G・S等のカルコゲン化物、MgFt、CaF
*等のフッ化物等の様に、再生光ビームの波長において
透明であれば使用することができる。
折率n=2.3)を用いたが、本発明ではこれに限らず
、S % 0.S i Os 、Tag Os等の酸化
物、A I N、 S 1 s Na等の窒化物、sb
寞S、、G・S等のカルコゲン化物、MgFt、CaF
*等のフッ化物等の様に、再生光ビームの波長において
透明であれば使用することができる。
本実施例の如く、sb茸Se、記録WA17と反射W4
18の間に誘電体膜を配置すると、5blSe、記録膜
が記録光ビームを吸収し、発生した熱が熱良導性膜であ
る反射膜への拡散するのを防止し、小さい記録光ビーム
エネルギにて情報を記録することができる。また、この
誘電体膜の光学厚さを例えば70〜100nsの範囲に
選択することにより、誘電体の無い場合に比べて5bs
Sl113記録膜の膜厚範囲を広くすることができる。
18の間に誘電体膜を配置すると、5blSe、記録膜
が記録光ビームを吸収し、発生した熱が熱良導性膜であ
る反射膜への拡散するのを防止し、小さい記録光ビーム
エネルギにて情報を記録することができる。また、この
誘電体膜の光学厚さを例えば70〜100nsの範囲に
選択することにより、誘電体の無い場合に比べて5bs
Sl113記録膜の膜厚範囲を広くすることができる。
本発明においては光記録膜として3blSesを用いて
その膜厚155n−〜102asとしたので、未記録部
の反射率が70%以上かつ記録部の反射率28%以下と
することが出来、また、情報を光学記録した後は特別大
がかりな設備を必要とすることなく、直ちに情報を再生
することができる。
その膜厚155n−〜102asとしたので、未記録部
の反射率が70%以上かつ記録部の反射率28%以下と
することが出来、また、情報を光学記録した後は特別大
がかりな設備を必要とすることなく、直ちに情報を再生
することができる。
第1図は本発明による光ディスクの一実施例を示す断面
図と、第2図はそのSb、Se、記録膜膜厚と反射率の
関係を示す図、第3図は本発明による光ディスクの他の
実施例を示す誘電体膜の光学厚さと、5blSel記録
膜膜厚の関係を示す図である。 16−・・透明基板 17−3b、S・、膜 18−Au反射膜 g。 /DQ rO sb、sa、頗厚 C?L鳴)
図と、第2図はそのSb、Se、記録膜膜厚と反射率の
関係を示す図、第3図は本発明による光ディスクの他の
実施例を示す誘電体膜の光学厚さと、5blSel記録
膜膜厚の関係を示す図である。 16−・・透明基板 17−3b、S・、膜 18−Au反射膜 g。 /DQ rO sb、sa、頗厚 C?L鳴)
Claims (2)
- (1)透明基体、光記録膜及び反射膜を備え、上記光記
録膜として三セレン化アンチモン(Sb_2Se_3)
を用い、この膜厚を55nm〜102nmとしたことを
特徴とする光情報記録媒体。 - (2)上記光記録膜と反射膜の間に透明誘電体膜を配置
し、該誘電体膜の光学厚さを270nm以下としたこと
を特徴とする請求項1記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1090363A JPH02266978A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1090363A JPH02266978A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02266978A true JPH02266978A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13996457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1090363A Pending JPH02266978A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02266978A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04228126A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-08-18 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
EP2199094A1 (de) | 2008-12-22 | 2010-06-23 | Mondi Uncoated Fine & Kraft Paper GmbH | Verfahren zur farbgebenden Beschriftung von Oberflächen |
CN109167009A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-08 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种锂电池隔膜材料及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5724039A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Sony Corp | Information recording medium |
JPS57205193A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
JPS62154341A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
JPS63300441A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
JPH02217289A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光記録媒体 |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP1090363A patent/JPH02266978A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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CN109167009A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-08 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种锂电池隔膜材料及其制备方法 |
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