JPH0223674A - 配線の接続方法 - Google Patents
配線の接続方法Info
- Publication number
- JPH0223674A JPH0223674A JP63173311A JP17331188A JPH0223674A JP H0223674 A JPH0223674 A JP H0223674A JP 63173311 A JP63173311 A JP 63173311A JP 17331188 A JP17331188 A JP 17331188A JP H0223674 A JPH0223674 A JP H0223674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- connection
- connection portion
- thin film
- superconducting material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は基板上に形成された超電導材料による配線と、
他の配線との接続方法に関するものであり、具体的には
超電導材料を配線や素子(例えばジョセフソン素子)に
使った集積回路やセンサーの接続方法に関するものであ
る。
他の配線との接続方法に関するものであり、具体的には
超電導材料を配線や素子(例えばジョセフソン素子)に
使った集積回路やセンサーの接続方法に関するものであ
る。
従来の技術
第4図(a)は従来の代表的な配線の接続を示した平面
図であり、第4図(b)は第4図(a)のAB線におけ
る断面図である。基板4上において第1の配線1と第2
の配線2が層間絶縁層3の開口部7で接続されている。
図であり、第4図(b)は第4図(a)のAB線におけ
る断面図である。基板4上において第1の配線1と第2
の配線2が層間絶縁層3の開口部7で接続されている。
第4図において第1の配線lが超電導材料による配線で
ある。
ある。
発明が解決しようとする課題
超電導材料を用いた第1の配線と第2の配線(第2の配
線については超電導材料に限定しない)を接続する場合
、しばしは配線間の接続性能が問題となる。配線間の接
続部では抵抗が生したり、あるいは流すことのできる電
流値が制限されたりする(超電導体配線どうしの接続で
あってもジョセフソンジャンクションを作りやすく抵抗
成分が生じたり電流値の制限が起こる)。とりわけ第1
の配線自体は超電導材料であり零抵抗あるいは大きな臨
界電流をもつという優れた性質があるにも関わらず、実
際には配線の能力が接続部の特性で律速されてしまうこ
とが多い。
線については超電導材料に限定しない)を接続する場合
、しばしは配線間の接続性能が問題となる。配線間の接
続部では抵抗が生したり、あるいは流すことのできる電
流値が制限されたりする(超電導体配線どうしの接続で
あってもジョセフソンジャンクションを作りやすく抵抗
成分が生じたり電流値の制限が起こる)。とりわけ第1
の配線自体は超電導材料であり零抵抗あるいは大きな臨
界電流をもつという優れた性質があるにも関わらず、実
際には配線の能力が接続部の特性で律速されてしまうこ
とが多い。
原理的には接続部の面積を大きくすれば、接続部の抵抗
は減少し、流せる電流値も増大する。しかしながら単純
に面積を大きくする事は集積回路やセンサーの面積が大
きくなり実用的でなく、小面積で効率よく配線の接続を
行なうことが重要である。
は減少し、流せる電流値も増大する。しかしながら単純
に面積を大きくする事は集積回路やセンサーの面積が大
きくなり実用的でなく、小面積で効率よく配線の接続を
行なうことが重要である。
本発明は、そのような要望を満足する配線の接続方法を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、 基板上に形成された超電導材料による第1
の配線に、複数の小孔もしくは凹凸を形成した接続部を
作り、前記接続部に第2の配線の一部を重ねるように形
成し、前記第1の配線と前記第2の配線を電気的に接続
するものである。
の配線に、複数の小孔もしくは凹凸を形成した接続部を
作り、前記接続部に第2の配線の一部を重ねるように形
成し、前記第1の配線と前記第2の配線を電気的に接続
するものである。
作用
上記手段により回路レイアウトとして配線どうしの重な
り部は同程度でも、配線間の接続面積が増大し、接続部
の抵抗が減少し、流せる電流値(許容電流)が増大する
。
り部は同程度でも、配線間の接続面積が増大し、接続部
の抵抗が減少し、流せる電流値(許容電流)が増大する
。
実施例
以下、本発明の実施例を図面をもとに説明する。
第1図(a)、 (b)は本発明の第1の実施例の配線
の接続部を示したものである(従来の第4図と同一構成
要素には同一符号を記している)。本実施例では超電導
材料として導電性に異方性を有するYBa2Cu3Ox
単結晶からなる第1の配線1′と第2の配線2の接続を
行なっている。眉間絶縁層30開口部7における第1の
配線1′に凹凸をつけ、その上に第2の配線2の形成を
行い接続を行なった。この接続方法を行なうことにより
、開口部7の面積が従来と同一であっても接続抵抗が半
分以下となり、許容電流が増加した。
の接続部を示したものである(従来の第4図と同一構成
要素には同一符号を記している)。本実施例では超電導
材料として導電性に異方性を有するYBa2Cu3Ox
単結晶からなる第1の配線1′と第2の配線2の接続を
行なっている。眉間絶縁層30開口部7における第1の
配線1′に凹凸をつけ、その上に第2の配線2の形成を
行い接続を行なった。この接続方法を行なうことにより
、開口部7の面積が従来と同一であっても接続抵抗が半
分以下となり、許容電流が増加した。
第2図(a)、 (b)は第1図の接続を行なう際の、
第1の配線の凹凸の形成方法を示したものである。第2
図(a)は、基板4上に第1の配線1′を形成した後に
眉間絶縁層3を形成し、開口部7を開けた状態に薄膜8
を被着した状態を示している。この場合 薄膜8はスパ
ッタ法によるものでありamな穴9が多数開いている(
薄膜8の材質、膜厚、作成条件を調整することにより穴
9の数を調整できる)。この状態で超電導材料の一部を
エツチングすると第2図(b)のように、開口部70部
分に凹部6が多数生じる。この後、薄膜8を除去し第2
の配線2を形成して第1図の状態となる。
第1の配線の凹凸の形成方法を示したものである。第2
図(a)は、基板4上に第1の配線1′を形成した後に
眉間絶縁層3を形成し、開口部7を開けた状態に薄膜8
を被着した状態を示している。この場合 薄膜8はスパ
ッタ法によるものでありamな穴9が多数開いている(
薄膜8の材質、膜厚、作成条件を調整することにより穴
9の数を調整できる)。この状態で超電導材料の一部を
エツチングすると第2図(b)のように、開口部70部
分に凹部6が多数生じる。この後、薄膜8を除去し第2
の配線2を形成して第1図の状態となる。
第3図(a)、(b)は本発明の第2の実施例の配線の
接続部を示したものである(従来の第4図と同一構成要
素には同一符号を記している)。超電導材料として導電
性に異方性を有するYBa2Cu3Ox単結晶からなる
第1の配線1目と第2の配線2の接続を行なっている。
接続部を示したものである(従来の第4図と同一構成要
素には同一符号を記している)。超電導材料として導電
性に異方性を有するYBa2Cu3Ox単結晶からなる
第1の配線1目と第2の配線2の接続を行なっている。
本実施例では開口部70部分に第1の配線の膜厚と同程
度の幅の溝10を多数形成した。溝10を作るのに半導
体素子を作るのに通常用いられるフォトリソグラフィの
技術を用いた。この接続方法を行なうことにより、開口
部7の面積が従来と同一であっても接続抵抗が半分以下
となり、許容電流が増加した。
度の幅の溝10を多数形成した。溝10を作るのに半導
体素子を作るのに通常用いられるフォトリソグラフィの
技術を用いた。この接続方法を行なうことにより、開口
部7の面積が従来と同一であっても接続抵抗が半分以下
となり、許容電流が増加した。
また本発明による接続の改良は、YBa2Cu3Oxの
ような導電性に異方性を有する超電導材料を使う場合に
特に大きかった。これは、通常YBa2Cu3Oxのよ
うな層状酸化物超電導体単結晶を形成する場合、臨界電
流の小さいC軸を基板面に垂直に成長させる、このとき
の結晶の向きが関係しているためと推定される。従来の
第4図のような基板に平行な面のみでの接続では、接触
面を流れる電流の向きは臨界電流の小さい方向に限定さ
れていたのに対し、本発明を施した接続では臨界電流の
大きな方向の接続が含まれており、そのため効果が大き
くなったと考えられる。
ような導電性に異方性を有する超電導材料を使う場合に
特に大きかった。これは、通常YBa2Cu3Oxのよ
うな層状酸化物超電導体単結晶を形成する場合、臨界電
流の小さいC軸を基板面に垂直に成長させる、このとき
の結晶の向きが関係しているためと推定される。従来の
第4図のような基板に平行な面のみでの接続では、接触
面を流れる電流の向きは臨界電流の小さい方向に限定さ
れていたのに対し、本発明を施した接続では臨界電流の
大きな方向の接続が含まれており、そのため効果が大き
くなったと考えられる。
発明の効果
以上述べたように本発明は、回路レイアウトと従来に比
へ配線の能力向上による設計マージンが向上したり、逆
に接続部の回路レイアウトを小さくして集積回路やセン
サーを小型化することができるようになった。
へ配線の能力向上による設計マージンが向上したり、逆
に接続部の回路レイアウトを小さくして集積回路やセン
サーを小型化することができるようになった。
第1図(a)、 (b)は本発明の第1の実施例を施
した配線の接続部の平面図と断面図、第2図(a)、
(b)は第1の実施例の配線の接続方法を示す工程断
面図、第3図(a)、 (b)は本発明の第2の実施
例を施した配線の接続部を示す平面図と断面図、第4図
(a)、 (b)は従来の配線の接続部を示す平面図
と断面図である。 1、l’l”・・・第1の配線、2・・・第2の配線、
3・・・層間絶縁層、4・・・基板、6・・・凹部、
10・・・溝。
した配線の接続部の平面図と断面図、第2図(a)、
(b)は第1の実施例の配線の接続方法を示す工程断
面図、第3図(a)、 (b)は本発明の第2の実施
例を施した配線の接続部を示す平面図と断面図、第4図
(a)、 (b)は従来の配線の接続部を示す平面図
と断面図である。 1、l’l”・・・第1の配線、2・・・第2の配線、
3・・・層間絶縁層、4・・・基板、6・・・凹部、
10・・・溝。
Claims (3)
- (1)基板上に形成された超電導材料による第1の配線
に、複数の小孔もしくは凹凸を形成した接続部を作り、
前記接続部に第2の配線の一部を重ねるように形成し、
前記第1の配線と前記第2の配線を電気的に接続する配
線の接続方法。 - (2)第1の配線上に小孔を有する薄膜を形成し、前記
薄膜をマスクに超電導材料をエッチングし、前記第1の
配線に小孔もしくは凹凸を形成することを特徴とする請
求項1記載の配線の接続方法。 - (3)基板面に垂直方向の臨界電流が基板面に平行方向
の臨界電流より小さい超電導材料による第1の配線を用
いることを特徴とする請求項1記載の配線の接続方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63173311A JPH0223674A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 配線の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63173311A JPH0223674A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 配線の接続方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0223674A true JPH0223674A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15958094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63173311A Pending JPH0223674A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 配線の接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0223674A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5672569A (en) * | 1990-10-31 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for fabricating a superconducting circuit |
DE112011102024T5 (de) | 2010-06-15 | 2013-06-06 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Abdeckband |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63173311A patent/JPH0223674A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5672569A (en) * | 1990-10-31 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for fabricating a superconducting circuit |
DE112011102024T5 (de) | 2010-06-15 | 2013-06-06 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Abdeckband |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH036675B2 (ja) | ||
JPS6343895B2 (ja) | ||
KR960001595B1 (ko) | 전도층 연결을 위한 단차 영역에서의 제조방법 | |
JPH0223674A (ja) | 配線の接続方法 | |
JP2504498B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH04346277A (ja) | 層状超伝導体回路とその製造方法 | |
JPH05102547A (ja) | ジヨセフソン集積回路装置の製造方法 | |
JPH02271685A (ja) | 超伝導三端子素子およびその製造方法 | |
JPH02183536A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0786329A (ja) | 半導体装置 | |
JP2768276B2 (ja) | 酸化物超電導接合素子 | |
JPS6279682A (ja) | マイクロシヨ−トを設けてなるジヨゼフソンブリツジ素子 | |
JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH0267730A (ja) | 半導体装置 | |
JP2790079B2 (ja) | 酸化物超電導回路 | |
JPH0556874B2 (ja) | ||
JPS62136857A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06125012A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
JPH02113566A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH01143369A (ja) | 超伝導接続体装置およびその製造方法 | |
JPS60113484A (ja) | ジョセフソン集積回路装置の製造方法 | |
JPH01274453A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS58125880A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
JPH0258227A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05243626A (ja) | ジョセフソン素子及びその製造方法 |