JPH02173769A - レーザ光学系 - Google Patents
レーザ光学系Info
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- JPH02173769A JPH02173769A JP63329920A JP32992088A JPH02173769A JP H02173769 A JPH02173769 A JP H02173769A JP 63329920 A JP63329920 A JP 63329920A JP 32992088 A JP32992088 A JP 32992088A JP H02173769 A JPH02173769 A JP H02173769A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザスキャナやレーザプリンタのレーザ光学
系におけるレーザビーム強度およびレーザ発光素子駆動
電流制御の改良に関する。
系におけるレーザビーム強度およびレーザ発光素子駆動
電流制御の改良に関する。
(発明の背景)
第3図は従来装置におけるレーザ光学系を示す図である
。
。
1はレーザダイオード(LD)素子でLDチップ2と発
光強度を検知するフォトセンサ3とからなっている。L
Dチップ2で発光されたレーザ光は拡散光であるのでコ
リメート光学系4によって平行光にされる0次いでビー
ム整形用のアパーチャ5によって所定径のビームにされ
る。
光強度を検知するフォトセンサ3とからなっている。L
Dチップ2で発光されたレーザ光は拡散光であるのでコ
リメート光学系4によって平行光にされる0次いでビー
ム整形用のアパーチャ5によって所定径のビームにされ
る。
フォトセンサ3はLDチップ2の発光の一部を受けてそ
の強度を検知し、検知信号を駆動電流制御回路8′へ送
る。該制御回路8′は検知信号に基づいてLDチップ2
の発光強度が一定の強度を維持するようにLDチップ2
の駆動電流を制御している。
の強度を検知し、検知信号を駆動電流制御回路8′へ送
る。該制御回路8′は検知信号に基づいてLDチップ2
の発光強度が一定の強度を維持するようにLDチップ2
の駆動電流を制御している。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、コリメート光学系4によって平行光にさ
れたレーザビームも、そのビーム断面の各部位について
の強度は一様ではなく中心部分が最も強く周辺に行くに
つれて弱くなる。これを、横軸にビーム中心からの距離
をとり、縦軸に強度をとった座標に表せば第4図(a)
の曲線12の如きガウシアン分布となる。
れたレーザビームも、そのビーム断面の各部位について
の強度は一様ではなく中心部分が最も強く周辺に行くに
つれて弱くなる。これを、横軸にビーム中心からの距離
をとり、縦軸に強度をとった座標に表せば第4図(a)
の曲線12の如きガウシアン分布となる。
このような強度分布を有するレーザビームの周辺部分を
アパーチャ5によってカットすると図(a)に斜線を施
した部分の強度を有するビームがアパーチャ5から出て
行くことになる。
アパーチャ5によってカットすると図(a)に斜線を施
した部分の強度を有するビームがアパーチャ5から出て
行くことになる。
ここで、ビームとアパーチャ5の相対位置が変化しなけ
ればビーム強度の時間的変化はない。
ればビーム強度の時間的変化はない。
ところが実際には機械的な振動や、温度上昇による熱膨
張等でビームとアパーチャ5との相対位置はわずかに動
いてしまう、この場合第4図(b)に示すごとくアパー
チャ5を通るビームの有効パワーが減ることになってし
まう。
張等でビームとアパーチャ5との相対位置はわずかに動
いてしまう、この場合第4図(b)に示すごとくアパー
チャ5を通るビームの有効パワーが減ることになってし
まう。
このような光パワー変動は、スキャナ等の場合は読取信
号の誤差になり、プリンタの場合は記録画像の濃度むら
となって表れるので好ましくない。
号の誤差になり、プリンタの場合は記録画像の濃度むら
となって表れるので好ましくない。
このようにビームの一部が光学要素によってさえぎられ
ることは、LDの場合放射角が大きいのでコリメータレ
ンズでも起こる。
ることは、LDの場合放射角が大きいのでコリメータレ
ンズでも起こる。
本発明の目的は、上記従来技術の間組点に鑑みて、アパ
ーチャ通過後のビーム強度を検知し、この検知信号に基
づいてLDチップの駆動電流を制御することにより、成
る程度ビームとアパーチャの相対位置が変化してもアパ
ーチャを通過したビームの強度が一定の値を維持するこ
とができるとともに相対位置が大幅に変化した場合に過
大な駆動電流が流れることを防止することのできるレー
ザ光学系を提供することにある。
ーチャ通過後のビーム強度を検知し、この検知信号に基
づいてLDチップの駆動電流を制御することにより、成
る程度ビームとアパーチャの相対位置が変化してもアパ
ーチャを通過したビームの強度が一定の値を維持するこ
とができるとともに相対位置が大幅に変化した場合に過
大な駆動電流が流れることを防止することのできるレー
ザ光学系を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の目的を達成するために次の手段構成を有
する。
する。
即ち、本発明のレーザ光学系は、レーザ発光素子と、該
発光素子の発光強度を検知する発光検知用フォトセンサ
と、レーザ発光素子からのレーザ光を平行ビームにする
コリメート光学系と、コリメート光学系からのレーザビ
ームのビーム断面形状を整形するアパーチャとを有する
レーザ光学系において、アパーチャを通過したレーザ光
を主光軸から一部とり出すためのビームスプリッタと、
ビームスプリッタからのビームの強度を検知するビーム
フォトセンサと、ビームフォトセンサからの信号を受け
て該信号がビーム強度が強くなることを示すときはレー
ザ発光素子駆動電流を少なくし、ビーム強度が弱くなる
ことを示すときは前記駆動電流を多くするように制御す
る駆動電流制御回路と、駆動電流が規定値を越えると駆
動電流を遮断する第1の遮断回路と、発光検知用フォト
センサからの信号を受けて発光強度が規定値を越えると
駆動電流を遮断する第2の遮断回路とを具備することを
特徴とするレーザ光学系である。
発光素子の発光強度を検知する発光検知用フォトセンサ
と、レーザ発光素子からのレーザ光を平行ビームにする
コリメート光学系と、コリメート光学系からのレーザビ
ームのビーム断面形状を整形するアパーチャとを有する
レーザ光学系において、アパーチャを通過したレーザ光
を主光軸から一部とり出すためのビームスプリッタと、
ビームスプリッタからのビームの強度を検知するビーム
フォトセンサと、ビームフォトセンサからの信号を受け
て該信号がビーム強度が強くなることを示すときはレー
ザ発光素子駆動電流を少なくし、ビーム強度が弱くなる
ことを示すときは前記駆動電流を多くするように制御す
る駆動電流制御回路と、駆動電流が規定値を越えると駆
動電流を遮断する第1の遮断回路と、発光検知用フォト
センサからの信号を受けて発光強度が規定値を越えると
駆動電流を遮断する第2の遮断回路とを具備することを
特徴とするレーザ光学系である。
また、上記の構成に、第1の遮断回路が遮断状態にある
ときそれを示す第1の表示手段と、第2の遮断回路が遮
断状態にあるときそれを示す第2の表示手段を付加した
構成とすることにより次に述べるように保守性の向上を
図ることができる。
ときそれを示す第1の表示手段と、第2の遮断回路が遮
断状態にあるときそれを示す第2の表示手段を付加した
構成とすることにより次に述べるように保守性の向上を
図ることができる。
(作 用)
以下、上記手段構成を有する本発明のレーザ光学系の作
用を説明する。
用を説明する。
本発明においては、ビームフォトセンサは、アパーチャ
を通過したビームをスプリットして取り出したビームを
検知し、その検知信号は駆動電流制御回路へ加えられ、
該制御回路はビーム強度が強い方へ変化するとレーザ発
光素子の駆動電流を少なくして発光強度を弱める方向に
働き、逆にビーム強度が弱い方へ変化すると前記駆動電
流を多くして発光強度を強めるように働くので結局アバ
−チャを通過した後のビームの強度は一定に保たれるよ
うになる。
を通過したビームをスプリットして取り出したビームを
検知し、その検知信号は駆動電流制御回路へ加えられ、
該制御回路はビーム強度が強い方へ変化するとレーザ発
光素子の駆動電流を少なくして発光強度を弱める方向に
働き、逆にビーム強度が弱い方へ変化すると前記駆動電
流を多くして発光強度を強めるように働くので結局アバ
−チャを通過した後のビームの強度は一定に保たれるよ
うになる。
制御回路は以上のような動作をするので、ビームとアパ
ーチャの相対位置が大幅にずれてアパーチャを通過した
ビームの強度が大幅に弱くなってしまうような場合にに
れを弱めまいとして駆動電流を増加させる方向に働くが
この駆動電流が規定値を越えた場合には第1の遮断回路
が駆動電流を遮断して過駆動を防止しレーザ発光素子を
保護する。これと併行して発光検知用フォトセンサがレ
ーザ発光素子の発光強度を直接検知しておりこの検知信
号を受けている第2の遮断回路が発光強度が規定値を越
えた場合にはやはり駆動電流を遮断して過度の発光を防
止しレーザ発光素子を保護する。従って、レーザ発光素
子が正常に動作している場合で、ビームとアパーチャの
相対位置が大幅にずれた場合には駆動電流が規定値を越
えることにより素子の発光強度も規定値を越えることに
なるので第1の遮断回路と第2の遮断回路の両方が遮断
状態になる。これに対して、レーザ発光素子が劣化して
発光効率が低下している場合には、駆動電流が規定値を
越えていても発光強度が規定値に達しないということに
なる。その結果、第1の遮断回路は遮断状態となり、第
2の遮断回路は非遮断状態となる。
ーチャの相対位置が大幅にずれてアパーチャを通過した
ビームの強度が大幅に弱くなってしまうような場合にに
れを弱めまいとして駆動電流を増加させる方向に働くが
この駆動電流が規定値を越えた場合には第1の遮断回路
が駆動電流を遮断して過駆動を防止しレーザ発光素子を
保護する。これと併行して発光検知用フォトセンサがレ
ーザ発光素子の発光強度を直接検知しておりこの検知信
号を受けている第2の遮断回路が発光強度が規定値を越
えた場合にはやはり駆動電流を遮断して過度の発光を防
止しレーザ発光素子を保護する。従って、レーザ発光素
子が正常に動作している場合で、ビームとアパーチャの
相対位置が大幅にずれた場合には駆動電流が規定値を越
えることにより素子の発光強度も規定値を越えることに
なるので第1の遮断回路と第2の遮断回路の両方が遮断
状態になる。これに対して、レーザ発光素子が劣化して
発光効率が低下している場合には、駆動電流が規定値を
越えていても発光強度が規定値に達しないということに
なる。その結果、第1の遮断回路は遮断状態となり、第
2の遮断回路は非遮断状態となる。
従って、遮断回路が両方とも非遮断状態のときは正常動
作をしていることを示し、両方とも遮断状態のときはビ
ームとアパーチャの相対位置が大幅にずれていることを
示し、第1の遮断回路が遮断状態で、第2の遮断回路が
非遮断状態である場合にはレーザ発光素子の劣化を示す
ということになる。
作をしていることを示し、両方とも遮断状態のときはビ
ームとアパーチャの相対位置が大幅にずれていることを
示し、第1の遮断回路が遮断状態で、第2の遮断回路が
非遮断状態である場合にはレーザ発光素子の劣化を示す
ということになる。
第1の遮断回路の状態を示す第1の表示手段および第2
の遮断回路の状態を示す第2の表示手段が設けられてい
る構成においては前述の各状況が容易に認識できる利点
がある。
の遮断回路の状態を示す第2の表示手段が設けられてい
る構成においては前述の各状況が容易に認識できる利点
がある。
(実 施 例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明のレーザ光学系の実施例の構成を示す図
である。
である。
第3図の構成と同一のものには同一符号同一名称を付し
である。異なる点は、アパーチャ5の後方にビームスプ
リッタであるハーフミラ−6が設けられ反射ビームをフ
ォトセンサ7で検知している点、および第3図の駆動電
流制御回路8′に代えて、フォトセンサ7の検知信号を
入力とする駆動電流制御回路8、駆動電流検知手段9′
、該検知手段9′の検知信号を入力とする第1の遮断回
路9、フォトセンサ3の検知信号を入力とする第2の遮
断回路等が設けられている。
である。異なる点は、アパーチャ5の後方にビームスプ
リッタであるハーフミラ−6が設けられ反射ビームをフ
ォトセンサ7で検知している点、および第3図の駆動電
流制御回路8′に代えて、フォトセンサ7の検知信号を
入力とする駆動電流制御回路8、駆動電流検知手段9′
、該検知手段9′の検知信号を入力とする第1の遮断回
路9、フォトセンサ3の検知信号を入力とする第2の遮
断回路等が設けられている。
駆動電流制御回路8はフォトセンサ7からの検知信号を
受けて、アパーチャらを通過後のビーム強度が一定にな
るようにレーザ発光素子であるLDチップ2の駆動電流
を制御する。これによってアパーチャ5への入射ビーム
とアパーチャ5の相対位置が機械的振動や温度変化によ
って多少ずれてもアパーチャ5を通過するビームの強度
は一定に保たれる。
受けて、アパーチャらを通過後のビーム強度が一定にな
るようにレーザ発光素子であるLDチップ2の駆動電流
を制御する。これによってアパーチャ5への入射ビーム
とアパーチャ5の相対位置が機械的振動や温度変化によ
って多少ずれてもアパーチャ5を通過するビームの強度
は一定に保たれる。
相対位置が大きくずれてアパーチャ5通過後のビームが
大幅に弱くなった場合、駆動電流制御回路は更に駆動電
流を増大する方向に働くが、規定値を越えると第1の遮
断回路9の働きにより駆動電流は遮断される。またLD
チップ2の発光強度が規定を越えてもフォトセンサ3お
よび第2の遮断回路11の働きにより駆動電流が遮断さ
れる。
大幅に弱くなった場合、駆動電流制御回路は更に駆動電
流を増大する方向に働くが、規定値を越えると第1の遮
断回路9の働きにより駆動電流は遮断される。またLD
チップ2の発光強度が規定を越えてもフォトセンサ3お
よび第2の遮断回路11の働きにより駆動電流が遮断さ
れる。
従ってLDチップ2が正常である場合にはビームとアパ
ーチャ5の相対位置が大きくずれると第1の遮断回路9
も第2の遮断回路11もともに遮断状態になる。LDチ
ップ2の発光効率が低下している場合には、駆動電流が
規定値に達しても発光強度は規定値に達しないため第2
の遮断回路11は遮断状態にはならない。
ーチャ5の相対位置が大きくずれると第1の遮断回路9
も第2の遮断回路11もともに遮断状態になる。LDチ
ップ2の発光効率が低下している場合には、駆動電流が
規定値に達しても発光強度は規定値に達しないため第2
の遮断回路11は遮断状態にはならない。
本実施例では、第1の遮断回路9には第1の表示手段が
、また、第2の遮断回路11には第2の表示手段が設け
られている0表示手段としては例えばLEDのような発
光素子を用いる。
、また、第2の遮断回路11には第2の表示手段が設け
られている0表示手段としては例えばLEDのような発
光素子を用いる。
従って、−目で、正常動作状態か、アパーチャがずれて
いるか、レーザ発光素子が劣化しているか否かが分かる
。
いるか、レーザ発光素子が劣化しているか否かが分かる
。
第2図は、フォトセンサ7、駆動電流制御回路8、駆動
電流検知手段9′、第1の遮断回路9、第2の遮断回路
11、フォトセンサ3、LDチツプ2、第1の表示手段
10、第2の表示手段12を含む接続図の一例である。
電流検知手段9′、第1の遮断回路9、第2の遮断回路
11、フォトセンサ3、LDチツプ2、第1の表示手段
10、第2の表示手段12を含む接続図の一例である。
今、フォトセンサ7へのビームが強くなるとフォトセン
サ7の電流が増加して電位■Pが上昇する。を位VPが
上昇すると増幅器Ql、Q2.Q3の各出力電位が下降
してトランジスタQ8のベース電位が下降する。その結
果、駆動電流■が減少してLDチツプ2の発光強度を下
げる0以上とは逆に、フォトセンサ7へのビームが弱く
なるとフォトセンサ7の電流が減少して電位vPが下降
する。
サ7の電流が増加して電位■Pが上昇する。を位VPが
上昇すると増幅器Ql、Q2.Q3の各出力電位が下降
してトランジスタQ8のベース電位が下降する。その結
果、駆動電流■が減少してLDチツプ2の発光強度を下
げる0以上とは逆に、フォトセンサ7へのビームが弱く
なるとフォトセンサ7の電流が減少して電位vPが下降
する。
電位VPが下降すると増幅器Q I、 Q x 、 Q
sの各出力電位が上昇してトランジスタQ8のベース
電位が上昇する。その結果、駆動電流Iが増大してLD
チツプ2の発光強度を上げるようにする。
sの各出力電位が上昇してトランジスタQ8のベース
電位が上昇する。その結果、駆動電流Iが増大してLD
チツプ2の発光強度を上げるようにする。
以上のような動作の結果アパーチャ通過後のビームの強
さが一定に維持される。
さが一定に維持される。
駆動電流検知手段9′は抵抗器Rsの両端C電位差を検
知することにより駆動電流を検知している。増幅器Q4
の出力には前記電位差に比例する電位が現れこれは第1
の遮断回路9中のコンパレータQ5の子端子に加えられ
ている。この電位が、コンパレータQ5の一端子に印加
されている電位V ratを越えるとコンパレータQ5
の出力は正側へ反転する。この電位はインバータQ9で
反転されてD−F/Fの■端子に加えられているのでて
端子が正側に反転する。この出力はインバータQ+oと
駆動電流制御回路8中のORゲートQ+3に加えられて
いる。従ってトランジスタQ7のベース電位が上がりそ
の結果大きなコレクタ電流が流れてコレクタ電位が大き
く下がり、それにつれて増幅器Q3の出力点すなわちト
ランジスタQ8のベース電位が大きく下がって駆動電流
工を遮断する。
知することにより駆動電流を検知している。増幅器Q4
の出力には前記電位差に比例する電位が現れこれは第1
の遮断回路9中のコンパレータQ5の子端子に加えられ
ている。この電位が、コンパレータQ5の一端子に印加
されている電位V ratを越えるとコンパレータQ5
の出力は正側へ反転する。この電位はインバータQ9で
反転されてD−F/Fの■端子に加えられているのでて
端子が正側に反転する。この出力はインバータQ+oと
駆動電流制御回路8中のORゲートQ+3に加えられて
いる。従ってトランジスタQ7のベース電位が上がりそ
の結果大きなコレクタ電流が流れてコレクタ電位が大き
く下がり、それにつれて増幅器Q3の出力点すなわちト
ランジスタQ8のベース電位が大きく下がって駆動電流
工を遮断する。
一方、第1の遮断回路中のインバータQ1oで反転され
た電圧は第1の表示手段であるLED 10に印加され
ているのでLEDIOが点灯する。
た電圧は第1の表示手段であるLED 10に印加され
ているのでLEDIOが点灯する。
以上のように、コンパレータQ5の子端子の電位が一端
子の電位V、。rを越えるような駆動電流■が流れると
駆動電流は遮断されLED 10が点灯する。従って、
ビームとアパーチャ5の相対位置が大幅にずれたことに
よるフォトセンサ7へのビーム強度の低下を補おうとし
て駆動電流が増加しても電位V r e rによって定
まる基準値を越えたときには駆動電流は遮断され、LE
D 10が点灯する。
子の電位V、。rを越えるような駆動電流■が流れると
駆動電流は遮断されLED 10が点灯する。従って、
ビームとアパーチャ5の相対位置が大幅にずれたことに
よるフォトセンサ7へのビーム強度の低下を補おうとし
て駆動電流が増加しても電位V r e rによって定
まる基準値を越えたときには駆動電流は遮断され、LE
D 10が点灯する。
また、LDチップが正常であれば駆動電流が規定値を越
えるときは発光強度も規定値を越える゛ことになるので
、このときには第2の遮断回路11が第1の遮断回路と
同様に動作するようにコンパレータQ6の一端子の電位
■、。rが定められている。
えるときは発光強度も規定値を越える゛ことになるので
、このときには第2の遮断回路11が第1の遮断回路と
同様に動作するようにコンパレータQ6の一端子の電位
■、。rが定められている。
従って、LEDl 0、LED 12が共に点灯すると
きはビームとアパーチャ5の相対位置が大きくずれてい
るためにアパーチャ5を通過するビームが弱くなってい
ることを示し、LEDIOのみが点灯しているときは、
駆動電流は規定値を越える程多いにもかかわらずLDチ
ツプ2の発光強度が規定値績で達しないことを示してお
りこれはLDチツプ2の発光効率が低下したことを意味
することになる。いずれも点灯していないときは正常な
動作状態にあることを示す。
きはビームとアパーチャ5の相対位置が大きくずれてい
るためにアパーチャ5を通過するビームが弱くなってい
ることを示し、LEDIOのみが点灯しているときは、
駆動電流は規定値を越える程多いにもかかわらずLDチ
ツプ2の発光強度が規定値績で達しないことを示してお
りこれはLDチツプ2の発光効率が低下したことを意味
することになる。いずれも点灯していないときは正常な
動作状態にあることを示す。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明のレーザ光学系は、アパー
チャ通過後のビームの強度を検出し、その検出信号に基
づいてレーザ発光素子の駆動電流を制御しているので、
機械的振動や温度変化により、コリメータを出た後のビ
ームとアパーチャの相対位置が多少ずれてもアパーチャ
通過後のビームの強度を一定に維持することができると
いう利点がある。
チャ通過後のビームの強度を検出し、その検出信号に基
づいてレーザ発光素子の駆動電流を制御しているので、
機械的振動や温度変化により、コリメータを出た後のビ
ームとアパーチャの相対位置が多少ずれてもアパーチャ
通過後のビームの強度を一定に維持することができると
いう利点がある。
また、第1の電流遮断回路が設けられているので、前記
相対位置が大きくずれたことによってレーザ発光素子が
過駆動されるということが防止されるとともに、レーザ
発光素子の発光強度を直接検知する発光検知用フォトセ
ンサと第2の遮断回路が設けられているので発光素子の
過度の発光が防止され、また、両道断回路の状態によっ
てレーザ光学系の動作状態を判断することができ、再遮
断回路に表示手段が設けられている場合には、目で動作
状態を知ることができ保守性の向上に寄与するという利
点がある。
相対位置が大きくずれたことによってレーザ発光素子が
過駆動されるということが防止されるとともに、レーザ
発光素子の発光強度を直接検知する発光検知用フォトセ
ンサと第2の遮断回路が設けられているので発光素子の
過度の発光が防止され、また、両道断回路の状態によっ
てレーザ光学系の動作状態を判断することができ、再遮
断回路に表示手段が設けられている場合には、目で動作
状態を知ることができ保守性の向上に寄与するという利
点がある。
第1図は本発明のレーザ光学系の実施例の構成図、第2
図は駆動電流制御系の接続図、第3図は従来のレーザ光
学系の構成図、第4図はビームとアパーチャの相対位置
関係図である。 1・・・・・・LD素子、 2・・・・・・LDチップ
、 3・・・・・・フォトセンサ、 4・・・・・・コ
リメート光学系、5・・・・・・アパーチャ、 6・・
・・・・ハーフミラ−7・・・・・・フォトセンサ、
8,8′・・・・・・駆動電流制御回路、 9・・・・
・・第1の遮断回路、 9′・・・・・・駆動電流検知
手段、 10・・・・・・第1の表示手段(LED)、
11・・・・・・第2の遮断回路、 12・・・・・
・第2の表示手段(LED)、 Q l 、 Q 2
、 Q 3. Q 4・・・・・・増幅器、 Q 5
、 Q 6・・・・・・コンパレータ、Q7.Qs −
−トランジスタ、 Q9.QIO,Qll。 Q12・・・・・・インバータ、 QCs・・・・・
・ORゲート。
図は駆動電流制御系の接続図、第3図は従来のレーザ光
学系の構成図、第4図はビームとアパーチャの相対位置
関係図である。 1・・・・・・LD素子、 2・・・・・・LDチップ
、 3・・・・・・フォトセンサ、 4・・・・・・コ
リメート光学系、5・・・・・・アパーチャ、 6・・
・・・・ハーフミラ−7・・・・・・フォトセンサ、
8,8′・・・・・・駆動電流制御回路、 9・・・・
・・第1の遮断回路、 9′・・・・・・駆動電流検知
手段、 10・・・・・・第1の表示手段(LED)、
11・・・・・・第2の遮断回路、 12・・・・・
・第2の表示手段(LED)、 Q l 、 Q 2
、 Q 3. Q 4・・・・・・増幅器、 Q 5
、 Q 6・・・・・・コンパレータ、Q7.Qs −
−トランジスタ、 Q9.QIO,Qll。 Q12・・・・・・インバータ、 QCs・・・・・
・ORゲート。
Claims (2)
- (1)レーザ発光素子と、該発光素子の発光強度を検知
する発光検知用フォトセンサと、レーザ発光素子からの
レーザ光を平行ビームにするコリメート光学系と、コリ
メート光学系からのレーザビームのビーム断面形状を整
形するアパーチャとを有するレーザ光学系において、ア
パーチャを通過したレーザ光を主光軸から一部とり出す
ためのビームスプリッタと、ビームスプリッタからのビ
ームの強度を検知するビームフォトセンサと、ビームフ
ォトセンサからの信号を受けて該信号がビーム強度が強
くなることを示すときはレーザ発光素子駆動電流を少な
くし、ビーム強度が弱くなることを示すときは前記駆動
電流を多くするように制御する駆動電流制御回路と、駆
動電流が規定値を越えると駆動電流を遮断する第1の遮
断回路と、発光検知用フォトセンサからの信号を受けて
発光強度が規定値を越えると駆動電流を遮断する第2の
遮断回路とを具備することを特徴とするレーザ光学系。 - (2)第1の遮断回路が遮断状態にあるときそれを示す
第1の表示手段と、第2の遮断回路が遮断状態にあると
きそれを示す第2の表示手段とを具備することを特徴と
する請求項(1)記載のレーザ光学系。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63329920A JPH02173769A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | レーザ光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63329920A JPH02173769A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | レーザ光学系 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02173769A true JPH02173769A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18226747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63329920A Pending JPH02173769A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | レーザ光学系 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02173769A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259544A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
JP2001284703A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置、画像形成装置及び光ディスク装置 |
JP2007147538A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 発光素子駆動電流検出装置及び画像形成装置 |
JP2009071118A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ駆動装置、画像形成装置、およびプログラム |
JP2009086573A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63329920A patent/JPH02173769A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259544A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
JP2001284703A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置、画像形成装置及び光ディスク装置 |
JP2007147538A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 発光素子駆動電流検出装置及び画像形成装置 |
JP2009071118A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ駆動装置、画像形成装置、およびプログラム |
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