JPH02129950A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents
Resin-sealed semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、複合形半導体装置に係り、特には樹脂封止型
の半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a composite semiconductor device, and particularly to a resin-sealed semiconductor device.
(従来の技術) 第2図は従来例の半導体装置の断面図である。(Conventional technology) FIG. 2 is a sectional view of a conventional semiconductor device.
第2図に示される従来例の半導体装置において、銅で作
られた基板11の上にケース12が取り付けられる。そ
の基板11とケース12とで囲まれた内部における基板
11面上に絶縁基板13か設けられる。絶縁基板13の
上面の両側のそれぞれには、L形の端子14.14の一
端が固定される。In the conventional semiconductor device shown in FIG. 2, a case 12 is mounted on a substrate 11 made of copper. An insulating substrate 13 is provided on the surface of the substrate 11 inside the substrate 11 and the case 12. One end of an L-shaped terminal 14.14 is fixed to each of both sides of the upper surface of the insulating substrate 13.
端子14.14の他端は上方に延びている。絶縁基板1
3の上面の中央には、ターミナル15か固定される。図
で左側の端子14の一端側と、ターミナル15との上に
は、それぞれ半導体チップ16.16がグイボンドされ
る。図で左側の半導体チップ16とターミナル15とは
アルミニウムで作られたワイヤ17で接続されている。The other end of terminal 14.14 extends upwardly. Insulating substrate 1
A terminal 15 is fixed at the center of the upper surface of 3. Semiconductor chips 16 and 16 are bonded to one end of the terminal 14 on the left side in the figure and to the top of the terminal 15, respectively. The semiconductor chip 16 on the left side in the figure and the terminal 15 are connected by a wire 17 made of aluminum.
図で右側の端子14の一端とターミナル15上の半導体
チップ16とは同じくアルミニウムで作られたワイヤ1
7で接続されている。One end of the terminal 14 on the right side in the figure and the semiconductor chip 16 on the terminal 15 are wires 1 made of aluminum as well.
7 is connected.
このようにして、基板11とケース12との内部に上記
各部品を組み立てたのちに、そのケース12内部にシリ
コンゲルのような柔軟性樹脂18が充填される。これに
より、半導体チップ16は柔軟性樹脂18で囲まれた状
態になる。さらに、このケース12の内部にはエポキシ
樹脂のような熱硬化性樹脂19が充填される。これによ
り、柔軟性樹脂18の表面は熱硬化性樹脂19で覆われ
る。After the above-mentioned parts are assembled inside the substrate 11 and the case 12 in this way, the inside of the case 12 is filled with a flexible resin 18 such as silicone gel. As a result, the semiconductor chip 16 is surrounded by the flexible resin 18. Furthermore, the inside of this case 12 is filled with a thermosetting resin 19 such as epoxy resin. As a result, the surface of the flexible resin 18 is covered with the thermosetting resin 19.
(発明が解決しようとする課題)
上記構造を有する従来例の半導体装置にあっては、熱硬
化性樹脂19で直接、半導体チップ16とかワイヤ17
などを樹脂封止したのでは、それらの損傷を招くおそれ
があるので、それらを、柔軟性樹脂18で囲むことによ
り保護できるようにしている。(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional semiconductor device having the above structure, the thermosetting resin 19 is directly attached to the semiconductor chip 16 or the wire 17.
If the components are sealed with resin, they may be damaged, so they are protected by being surrounded by flexible resin 18.
ところで、シリコンゲルのような柔軟性樹脂18では柔
軟性を有しているので半導体チップ16等の保護には適
しているものの、その熱膨張率がエポキシ樹脂のような
熱硬化性樹脂19のそれよりもはるかに大きいために、
次の問題が指摘されている。By the way, although the flexible resin 18 such as silicone gel has flexibility and is suitable for protecting the semiconductor chip 16 etc., its coefficient of thermal expansion is lower than that of the thermosetting resin 19 such as epoxy resin. Because it is much larger than
The following problems have been pointed out.
すなわち、端子14.14を介して半導体チップ16.
16に通電してそれらを作動させると、半導体チップ1
6.16が温度上昇して、ケース12内部全体もそれに
伴って温度上昇し、その結果、その周囲を囲む柔軟性樹
脂18のみならず、その柔軟性樹脂18表面を覆う熱硬
化性樹脂19も熱膨張することになる。そして、この熱
膨張においては、柔軟性樹脂18の方が熱硬化性樹脂1
9よりも熱膨張率が大きいために、柔軟性樹脂18の方
か熱硬化性樹脂19よりも大きく熱膨張する。そのため
に、熱硬化性樹脂19には柔軟性樹脂18から大きな内
圧が加えられることになる結果、端子14.14にはそ
れを上方へ持ち上げる力が作用することになる。That is, the semiconductor chip 16.14 is connected via the terminals 14.14.
When power is applied to 16 to activate them, the semiconductor chip 1
6.16 rises in temperature, the temperature of the entire inside of the case 12 rises accordingly, and as a result, not only the flexible resin 18 surrounding it, but also the thermosetting resin 19 covering the surface of the flexible resin 18. It will thermally expand. In this thermal expansion, the flexible resin 18 is better than the thermosetting resin 1.
9, the flexible resin 18 thermally expands more than the thermosetting resin 19. Therefore, a large internal pressure is applied to the thermosetting resin 19 from the flexible resin 18, and as a result, a force is applied to the terminal 14, 14 to lift it upward.
このような力が半導体チップ16.16への通電の繰り
返しにより端子14.14に作用すると、結局、半導体
チップ16.16とか、ワイヤ17などを端子14.1
4に接続固定している半田が疲労してしまって、それら
が接続不良を来してしまうという問題かある。When such a force acts on the terminal 14.14 due to repeated energization of the semiconductor chip 16.16, the semiconductor chip 16.16, the wire 17, etc. are eventually connected to the terminal 14.1.
There is a problem in that the solder that connects and fixes the connection to 4 becomes fatigued, resulting in a poor connection.
第3図は上記問題を解決するためになされた従来例の半
導体装置の断面図である。第3図において、第2図と同
一ないしは相当する部分、部品には同一の符号を付すと
ともに、その同一の符号に係る部分、部品についての説
明は重複説明を避けるために省略する。FIG. 3 is a sectional view of a conventional semiconductor device designed to solve the above problem. In FIG. 3, parts and components that are the same or correspond to those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and descriptions of the parts and parts with the same reference numerals will be omitted to avoid redundant explanation.
第3図に示される従来例の半導体装置では、ケース12
.12それぞれの内壁に基板11方向にI7形に突出し
た突出部20.20を形成することにより、ケース12
.12の内壁とその突出部20.20の内側との間に空
隙21.21を形成している。In the conventional semiconductor device shown in FIG.
.. Case 12
.. A gap 21.21 is formed between the inner wall of 12 and the inside of its protrusion 20.20.
第3図の半導体装置では、柔軟性樹脂18が熱膨張して
も、その空隙21.21でもってその熱膨張を吸収する
ことにより、柔軟性樹脂18の熱膨張により熱硬化性樹
脂19に内圧がかからないようにしている。In the semiconductor device shown in FIG. 3, even if the flexible resin 18 thermally expands, the voids 21 and 21 absorb the thermal expansion, so that the internal pressure is applied to the thermosetting resin 19 due to the thermal expansion of the flexible resin 18. I'm trying not to get it on.
しかしながら、第3図の半導体装置では、その空隙21
.21の位置がケース12.12内壁側の周辺部になら
ざるを得ない構造であるから、柔軟性樹脂18の熱膨張
吸収の効果に劣る上、第3図のような構造の突出部20
.20を有する「−ス12.12を射出加工する金型の
コストが高くつくという問題がある。However, in the semiconductor device shown in FIG.
.. Since the position of the protrusion 21 has to be on the periphery of the inner wall of the case 12.12, the effect of absorbing thermal expansion of the flexible resin 18 is inferior, and the protrusion 20 of the structure as shown in FIG.
.. There is a problem in that the cost of the mold for injection processing of 12.12 mm having 20 mm is high.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたちのであって、ケ
ースに余分な加工を施す必要なく、柔軟性樹脂の熱膨張
を十分に効果的に吸収できるようにすることを目的とし
ている。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to make it possible to absorb the thermal expansion of a flexible resin sufficiently and effectively without the need for extra processing on the case.
(課題を解決するための手段)
このような目的を達成するために、本発明の半導体装置
においては、半導体チップの周囲を柔軟性樹脂で囲み、
その柔軟性樹脂の表面を熱硬化性樹脂で覆ってなるもの
において、開口された容器を、その開口側を前記柔軟性
樹脂側に向けかつその内部に空隙が存した状態で当該柔
軟性樹脂表面に載置したことを特徴としている。(Means for Solving the Problem) In order to achieve such an object, in the semiconductor device of the present invention, a semiconductor chip is surrounded by a flexible resin,
In the case where the surface of the flexible resin is covered with a thermosetting resin, the opened container is placed on the flexible resin surface with the open side facing the flexible resin side and with a void inside. It is characterized by being placed on.
(作用)
柔軟性樹脂表面にその開口側を向けた状態で容器を載置
したことから、柔軟性樹脂が熱膨張してもその容器の内
部空隙でその熱膨張が吸収される。(Function) Since the container is placed with its opening side facing the surface of the flexible resin, even if the flexible resin thermally expands, the thermal expansion is absorbed by the internal voids of the container.
この場合、容器はその柔軟性樹脂の熱膨張の吸収にもっ
とら効果的な位置に配置することが可能であるので、そ
の熱膨張吸収を効率的に行わせることができることにな
る。In this case, the container can be placed in a position that is more effective in absorbing the thermal expansion of the flexible resin, so that the thermal expansion can be absorbed more efficiently.
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第1図は本発明の実施例に係る半導体装置の断面図で
あり、第2図および第3図に係る従来例と同一ないしは
相当する部分、部品には同一の符号を付すとともに、そ
の同一の符号に係る部分、部品についての説明は重複説
明を避けるために省略する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Portions and parts that are the same as or corresponding to those of the conventional example shown in FIGS. 2 and 3 are given the same reference numerals, and the same Descriptions of portions and parts related to reference numerals will be omitted to avoid redundant explanations.
本実施例の半導体装置において、従来例と異なる構成は
次の通りである。The structure of the semiconductor device of this embodiment differs from that of the conventional example as follows.
すなわち、本実施例の半導体装置にあっては、開口され
た容器22を備える。そして、その容器22は、その開
口側を柔軟性樹脂18側に向けられており、かつその当
該容器22の内部に空隙23が存した状態で柔軟性樹脂
18の表面に載置されている。That is, the semiconductor device of this embodiment includes an open container 22. The container 22 has its opening side facing the flexible resin 18 side, and is placed on the surface of the flexible resin 18 with a gap 23 existing inside the container 22.
この容器22の材質はケース12.12と同じ材質であ
っても他の材質であってもよく、また、容器22の載置
個数は本実施例では1個であったが、必ずしも1個でな
くてもよく、複数個であっでらよいことは勿論である。The material of this container 22 may be the same as that of the case 12.12 or another material, and the number of containers 22 placed is one in this embodiment, but it is not necessarily one. Of course, there is no need for it, and it is also possible to have more than one.
また、容器22に熱硬化性樹脂19が流れ込まない程度
の小孔24を形成しておくことで柔軟性樹脂側8の硬化
時とか、熱硬化性樹脂19の硬化時などにおける空隙2
3内の圧力増大を回避可能にしてもよい。In addition, by forming small holes 24 to the extent that the thermosetting resin 19 does not flow into the container 22, the voids 24 are formed when the flexible resin side 8 is cured or when the thermosetting resin 19 is cured.
3 may be made avoidable.
その他の構成は従来例と同様であるからその説明は省略
する。Since the other configurations are the same as those of the conventional example, the explanation thereof will be omitted.
つぎに、作用を説明すると、容器22は柔軟性樹脂18
の表面にその開口側を向けた状態で載置されていること
から、柔軟性樹脂■8が熱膨張してもその容器22の内
部空隙23でその熱膨張が吸収される。この場合、容器
22をその柔軟性樹脂18の熱膨張の吸収にもっとも効
果的な位置、例えば第1図の位置、に配置することか可
能であるので、その熱膨張吸収を効率的に行わせること
ができることになる。Next, to explain the function, the container 22 is made of flexible resin 18.
Since it is placed on the surface of the container 22 with its open side facing, even if the flexible resin 8 thermally expands, the thermal expansion is absorbed by the internal void 23 of the container 22. In this case, it is possible to place the container 22 in the most effective position for absorbing the thermal expansion of the flexible resin 18, for example, the position shown in FIG. 1, so that the thermal expansion can be absorbed efficiently. You will be able to do that.
(発明の効果)
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
その開口側を柔軟性樹脂側に向けかつその内部に空隙が
存した状態で容器を柔軟性樹脂表面に載置したことから
、柔軟性樹脂が熱膨張したときは、その容器の内部空隙
でその熱膨張を吸収させることができる。そして、この
場合、その容器を柔軟性樹脂の熱膨張の吸収にもっとも
効果的な位置に配置することが可能であるので、その熱
膨張吸収を効率的に行わせることかできることになる。(Effects of the Invention) As is clear from the above explanation, according to the present invention,
Since the container was placed on the surface of the flexible resin with its opening side facing the flexible resin side and a void inside, when the flexible resin thermally expanded, the container's internal void would It can absorb thermal expansion. In this case, since the container can be placed at the most effective position for absorbing the thermal expansion of the flexible resin, the thermal expansion can be absorbed efficiently.
し、たがって、本発明によれば、従来例のようにケース
に余分な加工を施す必要なく、つまり、その加工のため
の金型のコストを高くつかせることなく、柔軟性樹脂の
熱膨張を十分に効果的に吸収できる構造を提供すること
かできる。その結果、柔軟性樹脂が熱膨張してもそれに
囲まれた半導体チップなどが、柔軟性樹脂と熱硬化性樹
脂との熱膨張の相違により端子等と接続不良を来してし
まうといったことが解消される。Therefore, according to the present invention, the thermal expansion of the flexible resin can be achieved without the need for extra processing on the case as in the conventional case, that is, without increasing the cost of the mold for the processing. It is possible to provide a structure that can absorb the substances effectively enough. As a result, even if the flexible resin thermally expands, the semiconductor chips surrounded by it will no longer cause poor connections with terminals, etc. due to the difference in thermal expansion between the flexible resin and the thermosetting resin. be done.
第1図は本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であ
る。
第2図は従来例に係る半導体装置の断面図、第3図は他
の従来例に係る半導体装置の断面図である。
14・・・端子、15・・・ターミナル、16・・半導
体チップ、17・・・ワイヤ、18・・・柔軟性樹脂、
19・・・熱硬化性樹脂、22・・・容器、23・・・
空隙、24・・小孔。
図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示ず。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a conventional example, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to another conventional example. 14...Terminal, 15...Terminal, 16...Semiconductor chip, 17...Wire, 18...Flexible resin,
19... Thermosetting resin, 22... Container, 23...
Voids, 24... small holes. In the drawings, the same reference numerals do not indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
軟性樹脂の表面を熱硬化性樹脂で覆ってなる樹脂封止型
半導体装置において、 開口された容器を、その開口側を前記柔軟性樹脂側に向
けかつその内部に空隙が存した状態で当該柔軟性樹脂表
面に載置したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。(1) In a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip is surrounded by a flexible resin, and the surface of the flexible resin is covered with a thermosetting resin, an opened container is placed so that its opening side is covered with the flexible resin. 1. A resin-sealed semiconductor device, characterized in that the device is placed on the surface of a flexible resin with voids existing inside and facing the resin side.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28444788A JPH02129950A (en) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28444788A JPH02129950A (en) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Resin-sealed semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02129950A true JPH02129950A (en) | 1990-05-18 |
Family
ID=17678662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28444788A Pending JPH02129950A (en) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02129950A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019204819A (en) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 株式会社デンソー | Electronic device |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP28444788A patent/JPH02129950A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019204819A (en) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 株式会社デンソー | Electronic device |
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