JPH02103518A - 非線形抵抗素子 - Google Patents
非線形抵抗素子Info
- Publication number
- JPH02103518A JPH02103518A JP63257567A JP25756788A JPH02103518A JP H02103518 A JPH02103518 A JP H02103518A JP 63257567 A JP63257567 A JP 63257567A JP 25756788 A JP25756788 A JP 25756788A JP H02103518 A JPH02103518 A JP H02103518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- type semiconductor
- voltage
- resistance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は表示デバイス用の非線形抵抗素子に関する。
従来の技術
液晶、エレクトロルミネセンス等の表示デバイスにおい
て、高精細度な画面を得るためには、走査線数を増やし
た高密度なマトリクス構成が必要である。このようなマ
トリクスを有効的に駆動させるため、各表示素子にスイ
ッチング素子を取り付けたアクティブマトリクス駆動方
式が注目されている。このアクティブマトリクス駆動に
使用されるスイッチング素子として、通常、薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ）を代表とした３端子型素子と、ＭＩＭ
や薄膜ダイオードを代表とした２端子型素子が一般的で
ある。２端子型素子は３端子型素子に比べて構造が簡単
で、製造歩留まりが高いため、大画面用として注目され
ており、特にＰＩＮ型半導体層を並列かつ逆方向に接続
させたリングダイオード（ＲＤ）はバラツキの少ない均
一なしきい値電圧を持つ非線形抵抗素子である。
て、高精細度な画面を得るためには、走査線数を増やし
た高密度なマトリクス構成が必要である。このようなマ
トリクスを有効的に駆動させるため、各表示素子にスイ
ッチング素子を取り付けたアクティブマトリクス駆動方
式が注目されている。このアクティブマトリクス駆動に
使用されるスイッチング素子として、通常、薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ）を代表とした３端子型素子と、ＭＩＭ
や薄膜ダイオードを代表とした２端子型素子が一般的で
ある。２端子型素子は３端子型素子に比べて構造が簡単
で、製造歩留まりが高いため、大画面用として注目され
ており、特にＰＩＮ型半導体層を並列かつ逆方向に接続
させたリングダイオード（ＲＤ）はバラツキの少ない均
一なしきい値電圧を持つ非線形抵抗素子である。
第４図（ａ）にＲＤ素子の断面構成の一例を示す。ガラ
ス基板１上にＩＴＯより成る透明電極層２を形成し、続
いてＣｒバッファ層３を積層し、透明電極層２と合わせ
て下部電極層４とする。この上にＰ型アモルファスＳｌ
：Ｈ（以後、ａ−Ｓｌ：Ｈと記述する）より成るＰ型半
導体層５、ノンドープＩ型ａ−５ｌ：Ｈより成るＩ型半
導体層６、Ｎ型ａ−Ｓｌ：Ｈより成るＮ型半導体ｍ８を
順次積層したのち、コンタクトホールｌＯを有する層間
絶縁層９を形成し、Ｃｒより成る上部電極層ｌ！を設け
て素子を構成する。
ス基板１上にＩＴＯより成る透明電極層２を形成し、続
いてＣｒバッファ層３を積層し、透明電極層２と合わせ
て下部電極層４とする。この上にＰ型アモルファスＳｌ
：Ｈ（以後、ａ−Ｓｌ：Ｈと記述する）より成るＰ型半
導体層５、ノンドープＩ型ａ−５ｌ：Ｈより成るＩ型半
導体層６、Ｎ型ａ−Ｓｌ：Ｈより成るＮ型半導体ｍ８を
順次積層したのち、コンタクトホールｌＯを有する層間
絶縁層９を形成し、Ｃｒより成る上部電極層ｌ！を設け
て素子を構成する。
この素子六回じ構造の素子を隣接して設け、透明電極層
と上部電極層を相互配線することにより、第４図（１）
）に示すようなダイオードを並列、逆方向接続の形にし
たリング構成にする。
と上部電極層を相互配線することにより、第４図（１）
）に示すようなダイオードを並列、逆方向接続の形にし
たリング構成にする。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、この素子の最大の課題は、しきい値電圧
が０．７Ｖと低い点にある。通常、しきい値？ｌｆｆ圧
は液晶駆動電圧の１．５倍以上が必要とされており、３
Ｖで動作する液晶材料を用いた場合、４．５Ｖのしきい
値電圧が要求される。このしきい値電圧を得るためには
、しきい値電圧が０．７ＶのＰＩＮ型半導体届を６．７
段積層しなければならず、構造的に複雑になる。
が０．７Ｖと低い点にある。通常、しきい値？ｌｆｆ圧
は液晶駆動電圧の１．５倍以上が必要とされており、３
Ｖで動作する液晶材料を用いた場合、４．５Ｖのしきい
値電圧が要求される。このしきい値電圧を得るためには
、しきい値電圧が０．７ＶのＰＩＮ型半導体届を６．７
段積層しなければならず、構造的に複雑になる。
本発明は上述のような従来の課題に鑑み成されたもので
あり、簡単な構造でしきい値電圧の大きい非線形抵抗素
子を提供するものである。
あり、簡単な構造でしきい値電圧の大きい非線形抵抗素
子を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、２個の電極層間に形成された半導体層に、半
導体層を構成する成分と化学当量的に絶縁体を形成する
特性を有する成分を含ませた複合層が挿入された構成と
なっている。
導体層を構成する成分と化学当量的に絶縁体を形成する
特性を有する成分を含ませた複合層が挿入された構成と
なっている。
作用
本発明は、上記した構成により、半導体層、特にＰ型、
■型、Ｎ型を積層した半導体層に、半導体層を構成す
る成分と化学当量的に絶縁体を構成する特性を有する成
分、例えばＳｉ半導体であれば酸素Ｏ１窒素Ｎ、炭素Ｃ
から選ばれた成分を一種、あるいは複数種、Ｓｉに含ま
せたものを複合層として挿入することにより、この複合
層に電圧が印加された場合に流れる電流は非線形性を示
し、素子全体としてのしきい値電圧を大きくする。この
電圧は半導体に含ませる成分の含有量が増大するに従い
、大きくなり、また複合層の膜厚が厚くなるに従い、大
きくなる特性を有する。
■型、Ｎ型を積層した半導体層に、半導体層を構成す
る成分と化学当量的に絶縁体を構成する特性を有する成
分、例えばＳｉ半導体であれば酸素Ｏ１窒素Ｎ、炭素Ｃ
から選ばれた成分を一種、あるいは複数種、Ｓｉに含ま
せたものを複合層として挿入することにより、この複合
層に電圧が印加された場合に流れる電流は非線形性を示
し、素子全体としてのしきい値電圧を大きくする。この
電圧は半導体に含ませる成分の含有量が増大するに従い
、大きくなり、また複合層の膜厚が厚くなるに従い、大
きくなる特性を有する。
従って複合層として半導体に含ませる成分の含有量およ
び複合層の膜厚によってしきい値電圧を制御することが
でき、従来の低いしきい値電圧を適切な電圧値まで高め
ることができる。
び複合層の膜厚によってしきい値電圧を制御することが
でき、従来の低いしきい値電圧を適切な電圧値まで高め
ることができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面もとに説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例１の非線形抵抗素子の断面構
成図を示している。図中、ガラス基板１上にスパッタ法
によりＩＴＯより成る透明電極層２をＩ００ｎｍ形成し
、その上にＣｒより成るバッファ層３をｌ００ｎｒａ積
層し、下部電極層４を構成する。
成図を示している。図中、ガラス基板１上にスパッタ法
によりＩＴＯより成る透明電極層２をＩ００ｎｍ形成し
、その上にＣｒより成るバッファ層３をｌ００ｎｒａ積
層し、下部電極層４を構成する。
この下部電極層４上にジボランＢ２ Ｈａを添加したシ
ラン５１１４を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で膜厚
１１００ｎでＰ型ａ−Ｓｌ：Ｈより成るＰ型半導体層５
を形成する。さらにこの上に複合層７を挿入したＩ型半
導体層６を形成するが、■型半導体層６はシラン５ＩＨ
ａのみを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で作製したノ
ンドープのＩ型ａ−Ｓｔ：Ｈより構成し、複合層７は酸
素Ｏを添加したシラン５ＩＨ４を原料ガスとしたプラズ
マＣＶＤ法で作製した５ＩＯＸ （Ｘ）０）より構成す
る。複合層７は■型半導体層６の中央部に位置させ、膜
厚構成は■型半導体層６の合計を２００ｎｍ ＋複合層
７を２０ｎｍとしている。■型半導体層６上にホスフィ
ンＰＨｓを添加したシラン５ＩＨａを原料ガスとしたプ
ラズマＣＶＤ法で膜厚１００ｏｎ＋のＮ型ａ−Ｓｉ：Ｈ
より成るＮ型半導体層８を形成し、複合層７を挿入した
ＰＩＮ型半導体層を構成する。
ラン５１１４を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で膜厚
１１００ｎでＰ型ａ−Ｓｌ：Ｈより成るＰ型半導体層５
を形成する。さらにこの上に複合層７を挿入したＩ型半
導体層６を形成するが、■型半導体層６はシラン５ＩＨ
ａのみを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で作製したノ
ンドープのＩ型ａ−Ｓｔ：Ｈより構成し、複合層７は酸
素Ｏを添加したシラン５ＩＨ４を原料ガスとしたプラズ
マＣＶＤ法で作製した５ＩＯＸ （Ｘ）０）より構成す
る。複合層７は■型半導体層６の中央部に位置させ、膜
厚構成は■型半導体層６の合計を２００ｎｍ ＋複合層
７を２０ｎｍとしている。■型半導体層６上にホスフィ
ンＰＨｓを添加したシラン５ＩＨａを原料ガスとしたプ
ラズマＣＶＤ法で膜厚１００ｏｎ＋のＮ型ａ−Ｓｉ：Ｈ
より成るＮ型半導体層８を形成し、複合層７を挿入した
ＰＩＮ型半導体層を構成する。
さらにコンタクトホール１Ｇを有する５１０２より成る
層間絶縁層９を２００ｎｍ形成し、Ｃｒより成る上部電
極層ＩＩを１０Ｏｎ１１設ける。この素子と同じ構成の
素子を隣接して設け、透明電極層と上部電極層を相互配
線してリング構成とし、ダイオードを並列、逆方向接続
の形にする。
層間絶縁層９を２００ｎｍ形成し、Ｃｒより成る上部電
極層ＩＩを１０Ｏｎ１１設ける。この素子と同じ構成の
素子を隣接して設け、透明電極層と上部電極層を相互配
線してリング構成とし、ダイオードを並列、逆方向接続
の形にする。
第２図は複合層７の膜厚を２０ｎｍに固定し、複合層７
形成における原料ガス中の酸素含有量を変化させて５Ｉ
ＯＸのＸ値を変えたときの素子の電圧−電流特性（Ｖ−
Ｉ特性）を示している。破線は参考のため複合層を挿入
しない場合の特性を示しており、抵抗が急に低下し、電
流値が増大するしきい値電圧は約０．７ｖである。これ
に対し、本実施例では、複合層７を挿入することにより
、しきい値電圧を大きくすることができ、この値もＸ値
を太き（するに従って高めることができる。
形成における原料ガス中の酸素含有量を変化させて５Ｉ
ＯＸのＸ値を変えたときの素子の電圧−電流特性（Ｖ−
Ｉ特性）を示している。破線は参考のため複合層を挿入
しない場合の特性を示しており、抵抗が急に低下し、電
流値が増大するしきい値電圧は約０．７ｖである。これ
に対し、本実施例では、複合層７を挿入することにより
、しきい値電圧を大きくすることができ、この値もＸ値
を太き（するに従って高めることができる。
このように本実施例によれば、非線形抵抗素子のしきい
値電圧を大きくできるとともに、複合層７に含ませる酸
素の瓜によってその値を適切な値に制御することができ
る。また、複合層７のＸ値を固定してその膜厚を変える
ことのよってもしきい値電圧を制御することができる。
値電圧を大きくできるとともに、複合層７に含ませる酸
素の瓜によってその値を適切な値に制御することができ
る。また、複合層７のＸ値を固定してその膜厚を変える
ことのよってもしきい値電圧を制御することができる。
すなわち、複合層７の膜厚を厚くすることによってしき
い値電圧を大きくすることができ、しきい値電圧の広範
囲にわたっての制御が可能である。
い値電圧を大きくすることができ、しきい値電圧の広範
囲にわたっての制御が可能である。
なお、本実施例において、複合層をプラズマＣＶＤ法で
形成したが、スパッタ法を用いてもイオン注入法を用い
ても良い。イオン注入法の場合、Ｓｉ半導体層に酸素イ
オンを加速して注入するので化学当量であるＳ １０２
よりも酸素濃度を高めることも可能であり、半導体に含
ませる成分の含ＴＴ Ｗｋを幅広（制御することができ
る。
形成したが、スパッタ法を用いてもイオン注入法を用い
ても良い。イオン注入法の場合、Ｓｉ半導体層に酸素イ
オンを加速して注入するので化学当量であるＳ １０２
よりも酸素濃度を高めることも可能であり、半導体に含
ませる成分の含ＴＴ Ｗｋを幅広（制御することができ
る。
（実施例２）
第３図に本発明の実施例２に基づく非線形抵抗素子の断
面構成図を示す。複合層をＮ型半導体層に挿入し、Ｓｌ
半導体に窒素Ｎを含ませた複合層を用いる場合である。
面構成図を示す。複合層をＮ型半導体層に挿入し、Ｓｌ
半導体に窒素Ｎを含ませた複合層を用いる場合である。
実施例１と同様にしてガラス基板１上に透明電極層２、
バッファ層３、Ｐ型半導体層５を順次積層した後、■型
半導体層６を膜厚２００ｎｍとして形成する。この上に
複合層７を挟む形でＮ型半導体層８を形成するが、Ｎ型
半導体層８見ホスフインＰＨ３を添加したシラン５Ｉ８
４を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で形成し、複合層
７はさらに窒素Ｎを添加した原料ガスを用いたプラズマ
ＣＶ Ｄ ７１で形成する。この場合、原料ガスにホス
フィンＰＨ３を添加していないが、添加していても若干
しきい値電圧に差が生じるものの、しきい値電圧を高め
る上で支障はない。膜厚構成はＮ型半導体層８の合計を
＋００ｎｍ１ 複合層７を２０ｎｍとしている。さら
に実施例１と同様に層間絶鼻層９、上部電極層１１を形
成し、非線形抵抗素子を構成する。ここで構成された素
子は実施例１と同様にしきい値電圧を大きくできるとと
もに、その値を複合層７における窒素の含有量およびそ
の膜厚で制御することができる。
バッファ層３、Ｐ型半導体層５を順次積層した後、■型
半導体層６を膜厚２００ｎｍとして形成する。この上に
複合層７を挟む形でＮ型半導体層８を形成するが、Ｎ型
半導体層８見ホスフインＰＨ３を添加したシラン５Ｉ８
４を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法で形成し、複合層
７はさらに窒素Ｎを添加した原料ガスを用いたプラズマ
ＣＶ Ｄ ７１で形成する。この場合、原料ガスにホス
フィンＰＨ３を添加していないが、添加していても若干
しきい値電圧に差が生じるものの、しきい値電圧を高め
る上で支障はない。膜厚構成はＮ型半導体層８の合計を
＋００ｎｍ１ 複合層７を２０ｎｍとしている。さら
に実施例１と同様に層間絶鼻層９、上部電極層１１を形
成し、非線形抵抗素子を構成する。ここで構成された素
子は実施例１と同様にしきい値電圧を大きくできるとと
もに、その値を複合層７における窒素の含有量およびそ
の膜厚で制御することができる。
ここでは複合層７をＮ型半導体層８に挿入しているが、
Ｐ型半導体層５に挿入しても良い。また複合層７の挿入
場所を半導体層の中央部ということで説明しているが、
これに限ることはなり、Ｐ型半導体層５と■型半導体層
６の接合面あるいはＩ型半導体層６とＮ型半導体層８の
接合面に設けても良い。さらに、半導体層の端部、例え
ばＰ型半導体層５と透明電極層２、あるいはＮ型半導体
層８と上部電極層１１との接合面に複合層を設けても良
い。また実施例では複合層７を一層として説明している
が、場合によっては二層以上、設置しても良い。
Ｐ型半導体層５に挿入しても良い。また複合層７の挿入
場所を半導体層の中央部ということで説明しているが、
これに限ることはなり、Ｐ型半導体層５と■型半導体層
６の接合面あるいはＩ型半導体層６とＮ型半導体層８の
接合面に設けても良い。さらに、半導体層の端部、例え
ばＰ型半導体層５と透明電極層２、あるいはＮ型半導体
層８と上部電極層１１との接合面に複合層を設けても良
い。また実施例では複合層７を一層として説明している
が、場合によっては二層以上、設置しても良い。
なお、半導体層を多結晶Ｓｉで構成しても同様の効果が
得られる。
得られる。
発明の効果
本発明によれば、非線形抵抗素子として半導体層を構成
する成分と化学当量的に絶縁体を形成する特性を有する
成分を含ませた複合層が、２個の電極層間に形成された
半導体層に挿入された構成を採ることにより、簡単な構
造で素子のしきい値電圧を適切な値まで高めることがで
き、その工業的価値は非常に高い。
する成分と化学当量的に絶縁体を形成する特性を有する
成分を含ませた複合層が、２個の電極層間に形成された
半導体層に挿入された構成を採ることにより、簡単な構
造で素子のしきい値電圧を適切な値まで高めることがで
き、その工業的価値は非常に高い。
第１図は本発明の非線形抵抗素子の第１の実施例におけ
る断面構成図、第２図は同非線形抵抗素子の特性図、第
３図は本発明の第２の実施例における断面構成図、第４
図は従来の非線形抵抗素子の断面構成図である。 １−ｍ−ガラス基板、４−一一下部電極層、５−−−Ｐ
型半導体層、ｅ −−−ｒ型半導体層、７一−−複合層
、８−−−Ｎ型半導体層、１ｌ−−一上部電極層。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名費 壇
る断面構成図、第２図は同非線形抵抗素子の特性図、第
３図は本発明の第２の実施例における断面構成図、第４
図は従来の非線形抵抗素子の断面構成図である。 １−ｍ−ガラス基板、４−一一下部電極層、５−−−Ｐ
型半導体層、ｅ −−−ｒ型半導体層、７一−−複合層
、８−−−Ｎ型半導体層、１ｌ−−一上部電極層。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名費 壇
Claims (3)
- （１）２個の電極層間に形成された半導体層に、前記半
導体層を構成する成分と化学等量的に絶縁体を形成する
特性を有する成分を含ませた複合層が挿入されたことを
特徴とする非線形抵抗素子。 - （２）半導体層は、Ｓｉを主成分とする、Ｐ型半導体層
、Ｉ型半導体層、Ｎ型半導体層、あるいはＮ型半導体層
、Ｉ型半導体層、Ｐ型半導体層を順次積層して成る請求
項１記載の非線形抵抗素子。 - （３）複合層は、主成分がＳｉに酸素Ｏを含ませたＳ１
Ｏ＿ｘ（ｘ＞０）、Ｓｉに窒素Ｎを含ませたＳｉＮ＿ｙ
（ｙ＞０）、Ｓｉに炭素Ｃを含ませたＳｉＣ＿ｚ（ｚ＞
０）のうちいずれか一種、あるいは複数種の混成体より
構成される請求項１または２記載の非線形抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257567A JPH02103518A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 非線形抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257567A JPH02103518A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 非線形抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103518A true JPH02103518A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=17308065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257567A Pending JPH02103518A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 非線形抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103518A (ja) |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257567A patent/JPH02103518A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6188578A (ja) | 非線形素子 | |
| US6600524B1 (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus with silicon oxide at different portions | |
| JPS62219665A (ja) | 超格子薄膜トランジスタ | |
| JPH01291467A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| US5122889A (en) | Active matrix liquid crystal display using mim diodes having symmetrical voltage-current characteristics as switching elements | |
| JPS6281057A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH0620140B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR920015626A (ko) | 반전 misfet 구조를 지닌 초전도성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH02103518A (ja) | 非線形抵抗素子 | |
| CN109073943A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示设备、像素驱动电路、显示设备中驱动图像显示的方法 | |
| JPS61217087A (ja) | 液晶表示装置用非線形抵抗素子 | |
| JP3141456B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP3079566B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| EP0451377A1 (en) | Non-linear resistance element | |
| JPH04116531A (ja) | 非線形抵抗素子 | |
| CA2014315A1 (en) | Non-linear resistance element | |
| JP2737975B2 (ja) | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| JPH0230020B2 (ja) | ||
| JP3412171B2 (ja) | 薄膜スイッチング素子 | |
| JPH06148689A (ja) | 薄膜スイッチング素子 | |
| JPS61144073A (ja) | 非線形素子 | |
| JPH01162375A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH02154230A (ja) | 非線形抵抗素子 | |
| JPS62156880A (ja) | 薄膜ダイオ−ド | |
| JPH0519295A (ja) | 非線形抵抗素子 |