JPH02107551A - 電子デバイス用誘電体磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、電子デバイス用誘電体磁器組成物、特に、
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、温度補償用コン
デンサを初め、ＳＨＦ帯で低損失なることを利用する衛
星放送直接受信用、ダ・クンコンバーター用等の誘電体
共振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられ
る誘電体磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含
有させることにより、組成中のＺｎを所要値に制御して
内質的に均一で特性のすぐれた磁器となした電子デバイ
ス用誘電体磁器組成物に関する。

背景技術 ・般に、ＳＨＦ帯用８して用いられる誘電体磁器組成物
としては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂ４−Ａ暑）０３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、　Ｃｏ、　Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。

すなわら、 （１）Ｂａ（Ｚｎ４−Ｔａｊ）０３系材（２）Ｂａ（Ｚ
ｎ４−Ｎｂ２／３）Ｏ３系材等である。

このＳＨＦ帯に利用される誘電体磁器組成物に要求され
る高εｒ、高Ｑ、　ｚｆ＝ｏ、等の特性は厳しく、かか
る特性に合致させるためには、組成制御が重要である。

従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、前記組成
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡欣、凝集して所謂“皮゛′を形成し易く、内質の均
一なセラミックスを安定して得ることが困難であり、特
性の安定したセラミックスを得ることが困難であった。

（参考文献Ｊ、Ａｍ。

Ｃｅｒａｍ　Ｓｏｃ、　６８　［１０］　５４６−５１
（１９８５））発、明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、　Ｉｆ、　ｅｒ特性を有し、磁器組成物中
に含有のＺｎの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、
かつ内質均一のセラミックスを安定的に得ることができ
る電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的として
いる。

発明の概要 この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物の欠点を
解消し、誘電体磁器組成物におけるＺｎの制御を目的に
、前記Ｂａ（Ｚｎ４．Ａ２／３）Ｏ３組成ついて種々検
ｄ・１シた結果、特定の３価金属イオンを含有させるこ
とにより、組成中のＺｎを所要値に制御して内質的に均
一で特性のすぐれた磁器が得られることを知見し、完成
したものである。

この発明は、基本組成を、 ＸＢａ（Ｚｎ４・Ａ２／３）Ｏ３−ＹＳｒ（Ｂ４・Ａ＋
）０３と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値を満
足する組成からなることを特徴とする電子デバイス用誘
電体磁器組成物である。

０．８５≦Ｘ＜１．０ ０＜Ｙ≦０．１５ 但し　Ａ：Ｔａ、　Ｎｂ Ｂ；Ｓｍ、　Ｙｂ 発明の構成 この発明において、好ましい誘電体磁器組成物は、 （１）Ｂａ（Ｚｎ４・Ｔａ２／３）Ｏ３−８ｒ（Ｓｍ４
−Ｔａ））０３系（２）Ｂａ（Ｚｎ４・Ｎｂｉ）０３−
８ｒ（Ｓｍ４・’１”ａ２／３）Ｏ３系この発明におい
て、０．８５≦Ｘ＜１．０．０＜Ｙ≦０．１５に限定し
た理由は、Ｘ値が０．８５未満、Ｙ値が０．１５を越え
ると、得られる誘電体磁器組成物はＱ値の劣化が著しく
、また温度係数の劣化も大きくなり、また、Ｘ値が１．
０以上、Ｙ値が０では、Ｑ値の改善効果が見られないた
め、０．８５≦Ｘ＜１．０．０＜Ｙ≦０．１５の範囲と
する。

発明の効果 この発明の誘電体磁器組成物は、９ＧＨｚにおけるＱは
５０００〜９０００．　ｔｒ≦５０ｐｐｍ／”Ｃ１ｅｒ
３１〜４２となり、従来の誘電体磁器組成物と同等また
はそれ以上の特性のものが得られ、焼成時においても、
磁器組成物中に含まれるＺｎの蒸発がある程度抑制され
るため、組成の制御がより容易となり、また、セラミッ
クス内のＺｎの偏析も防止し易く、内質均なセラミック
スを安定的に得ることができる。

なお、この発明においては、ＺｎをＮｉ”Ｃｏｚ＋、Ｍ
ｎ２＋などの２価金属イオンやＣａ２＋、Ｍｇ２＋”Ｊ
のアルカリ土類イオンで約２０ｍｏｌ／％まで置換して
もほぼ同等の効果が得られる。

実施例 原料を第１表に示した組成になるように秤量し、ボール
ミルにて混式混合し、１３００℃に２時間仮焼した後、
再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。

この粉砕粉を加圧成形し、１５００℃〜１６５０”Ｃに
焼成して、寸法１０ｍｍΦｘ２０ｍｍの焼結体を得た。

得られた焼結体について、２５℃、９ＧＨｚにおける比
誘電率εｒ、　Ｑ、共振周波数の温度係数Ｔ　ｆ（ｐｐ
ｍ／”Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。

なお、第１表における比誘電率とＱは、Ｈａｋｋｉａｎ
ｄ　Ｃｅｌｅｍａｎらによる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数ｄ、誘電率、誘電率
の温度係数１８とは、磁器の線熱膨張係数αとの間に下
記式の如き関係がある。

工ｆ＝−１／２ｔε−０ 第１表の結果より明らかなように、この発明による誘電
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
＋５０ｐｐｍ／”Ｃ付近まで広く、低損失、高誘電率利
料であることが分る。

以下余白

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基本組成を ＸＢａ（Ｚｎ１／３・Ａ２／３）Ｏ＿３−ＹＳｒ（Ｂ１
   ／２・Ａ１／２）Ｏ＿３と表し、組成範囲を限定するＸ
   ，Ｙが下記値を満足する組成からなることを特徴とする
   電子デバイス用誘電体磁器組成物。 ０．８５≦Ｘ＜１．０ ０＜Ｙ≦０．１５ 但しＡ：Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；Ｓｍ、Ｙｂ