JPH0191419A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0191419A JPH0191419A JP62249497A JP24949787A JPH0191419A JP H0191419 A JPH0191419 A JP H0191419A JP 62249497 A JP62249497 A JP 62249497A JP 24949787 A JP24949787 A JP 24949787A JP H0191419 A JPH0191419 A JP H0191419A
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- Japan
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- mask
- masking
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- exposure
- light source
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する分野の説明コ
本発明は被露光体に原板上のパターン像、例えば半導体
回路を露光転写する露光装置に関する。
回路を露光転写する露光装置に関する。
[従来の技術の説明]
半導体露光装置てはマスク上の不要な部分を焼き付けな
いようマスキング機構をそなえているものかある。
いようマスキング機構をそなえているものかある。
この種のマスキング機構は、ステップアンドリピート露
光を行なう縮小投影露光装置、いわゆるステッパには、
備えられている場合か多い。第6図は、一般的なステッ
パの構成を示すものて、Aは露光光を照射する為の照明
光学系、Bはマスク(レチクル)のパターンをウェハに
結像させる為の縮小投影レンズ、Cはウェハをステップ
する為のXYステージを示す。また、図中a、bは、そ
れぞれマスク及びウェハの焦点面を示している。
光を行なう縮小投影露光装置、いわゆるステッパには、
備えられている場合か多い。第6図は、一般的なステッ
パの構成を示すものて、Aは露光光を照射する為の照明
光学系、Bはマスク(レチクル)のパターンをウェハに
結像させる為の縮小投影レンズ、Cはウェハをステップ
する為のXYステージを示す。また、図中a、bは、そ
れぞれマスク及びウェハの焦点面を示している。
ステッパの場合、図の様な構成において、照明光学系の
中にマスクの焦点面aと光学的に共役な面を設け、この
位置にマスキンク41!!41を備えている。図中Cか
マスク面aと共役となる面で、1かマスキング機構を示
す。このようにマスク面と共役な而て、遮光板を駆動す
ることにより、露光光の照射サイズを任意に選択し、露
光範囲を制限することか可能となる。
中にマスクの焦点面aと光学的に共役な面を設け、この
位置にマスキンク41!!41を備えている。図中Cか
マスク面aと共役となる面で、1かマスキング機構を示
す。このようにマスク面と共役な而て、遮光板を駆動す
ることにより、露光光の照射サイズを任意に選択し、露
光範囲を制限することか可能となる。
[発明が解決しようとしている問題点コしかし、この方
式は光学系の光路に対し、マスクが固定であるという前
提か無ければマスク上のマスキングされる部分か移動に
伴って変化するのて不都合である。第5図にミラープロ
ジェクション方式の露光装置の構成を示す。図中りは照
明光学系、Eは投影ミラー、Fはキャリジと呼ばれ、マ
スク2と被露光体3を一体て拘束しているものである。
式は光学系の光路に対し、マスクが固定であるという前
提か無ければマスク上のマスキングされる部分か移動に
伴って変化するのて不都合である。第5図にミラープロ
ジェクション方式の露光装置の構成を示す。図中りは照
明光学系、Eは投影ミラー、Fはキャリジと呼ばれ、マ
スク2と被露光体3を一体て拘束しているものである。
GはキャリジFを走査方向に駆動するキャリジドライバ
である。このような反射型光学系を用いた露光装置ては
、光束は幅2〜6mm程度の円孤状となり、マスク全面
を同時に照射することはできない。そこで、キャリジド
ライバGによりマスク2と被露光体3を一体として図中
矢印の方向に走査(スキャン)することで、マスクの全
面照射を行なう。
である。このような反射型光学系を用いた露光装置ては
、光束は幅2〜6mm程度の円孤状となり、マスク全面
を同時に照射することはできない。そこで、キャリジド
ライバGによりマスク2と被露光体3を一体として図中
矢印の方向に走査(スキャン)することで、マスクの全
面照射を行なう。
従って、ミラープロジェクション方式の露光装置におい
ては、ステッパて用いられているように、照明光学系の
中の光学的に共役な面に、遮光板を設けて、選択的に露
光範囲を限定するという方式は使用てきなかった。最近
てはウェハを複数箇所に分割し、別々に焼き付けを行な
う方式(ステップアンドスキャン方式)も行なわれてき
ており、この時分割を正確に行なうためマスキングの必
要性が生じてきた。またさらに、従来のマスキング方式
は遮光板(いわゆるマスキングツレード)という板か駆
動されて露光光を遮光するものである為、当然マスク全
面の任意の領域をマスキングしようとすれば、−枚の遮
光板はマスク以上大きな面積か必要てあり、マスキング
機構を備える為には非常に大きなスペースが必要であっ
た。
ては、ステッパて用いられているように、照明光学系の
中の光学的に共役な面に、遮光板を設けて、選択的に露
光範囲を限定するという方式は使用てきなかった。最近
てはウェハを複数箇所に分割し、別々に焼き付けを行な
う方式(ステップアンドスキャン方式)も行なわれてき
ており、この時分割を正確に行なうためマスキングの必
要性が生じてきた。またさらに、従来のマスキング方式
は遮光板(いわゆるマスキングツレード)という板か駆
動されて露光光を遮光するものである為、当然マスク全
面の任意の領域をマスキングしようとすれば、−枚の遮
光板はマスク以上大きな面積か必要てあり、マスキング
機構を備える為には非常に大きなスペースが必要であっ
た。
本発明は、上記問題に対応し、マスクか光学系に対し固
定されていない露光装置においても、露光範囲を選択的
に限定てきるようになる機能を達成することを目的とし
ている。
定されていない露光装置においても、露光範囲を選択的
に限定てきるようになる機能を達成することを目的とし
ている。
を保持する手段と、前記光源と保持手段とを相対変位さ
せる手段と、を有し、前記相対変位手段で前記光源と保
持手段とを相対変位させて、前記光源からの光て前記第
一の物体に形成されたパターンを前記第二の物体に露光
転写する装置に於て、前記光源から前記第一物体を経て
前記第二物体に達する光の一部を遮光して前記第二物体
上の露光範囲を制限する手段を、前記相対変位時に前記
光源に対し前記保持手段と一緒に変位する様に設けて上
記目的を達成している。
せる手段と、を有し、前記相対変位手段で前記光源と保
持手段とを相対変位させて、前記光源からの光て前記第
一の物体に形成されたパターンを前記第二の物体に露光
転写する装置に於て、前記光源から前記第一物体を経て
前記第二物体に達する光の一部を遮光して前記第二物体
上の露光範囲を制限する手段を、前記相対変位時に前記
光源に対し前記保持手段と一緒に変位する様に設けて上
記目的を達成している。
[実施例]
本発明の一実施例を具体的に説明する。第1図はマスキ
ング機構全体の斜視図である。この機構は第5図のマス
ク2の下である4の位置に、キャリジFに固定して備え
られている。
ング機構全体の斜視図である。この機構は第5図のマス
ク2の下である4の位置に、キャリジFに固定して備え
られている。
10a〜10dの4枚の遮光フィルムか、それぞれパル
スモータlla〜lidにより独立に駆動され、このフ
ィルムによってマスクを透過する光か選択的に遮光され
、結果的に斜線部12の領域のみ露光か行なわれること
になる。
スモータlla〜lidにより独立に駆動され、このフ
ィルムによってマスクを透過する光か選択的に遮光され
、結果的に斜線部12の領域のみ露光か行なわれること
になる。
ここで13はパルスモータlla〜lidは不図示の制
御機構によって、所望の遮光域か形成される様駆動制御
される。ミラープロジェクション方式の露光光束て幅2
〜6mlの円弧状を成している。このマスキンク機構を
もう少しわかり易く説明する為、第2図から第4図に4
個のうち1個の遮光ユニットを取り出しである。第2図
において、遮光フィルム10aはその一端かフィルム固
定金具102に接着固定され、他端は巻き取りローラー
101に末端を接着された上1巻き取られている。この
フィルム10aの全長はマスク2の全面をおおうのに充
分な長さをもっている。フィルム固定金具102の両端
にはリボン103a、103bの一端か接着固定され、
リボン103a、103bの他端は巻き取りローラー1
05a、105bに末端を接着された上、巻き取られて
いる。ローラー104a、104bはたんなるアイドラ
ーである。このような構成において、パルスモータ11
aにより巻き取りローラー105a。
御機構によって、所望の遮光域か形成される様駆動制御
される。ミラープロジェクション方式の露光光束て幅2
〜6mlの円弧状を成している。このマスキンク機構を
もう少しわかり易く説明する為、第2図から第4図に4
個のうち1個の遮光ユニットを取り出しである。第2図
において、遮光フィルム10aはその一端かフィルム固
定金具102に接着固定され、他端は巻き取りローラー
101に末端を接着された上1巻き取られている。この
フィルム10aの全長はマスク2の全面をおおうのに充
分な長さをもっている。フィルム固定金具102の両端
にはリボン103a、103bの一端か接着固定され、
リボン103a、103bの他端は巻き取りローラー1
05a、105bに末端を接着された上、巻き取られて
いる。ローラー104a、104bはたんなるアイドラ
ーである。このような構成において、パルスモータ11
aにより巻き取りローラー105a。
105bを矢印の方向に駆動すると、リボン103a、
103bは巻き取りローラー105a、105bに巻き
取られ、これにともない遮光フィルム10aは(−)Y
方向に駆動される。また逆に回転すると、リボン 103a、103bは巻き取りローラー105a、10
5bから送り出される。すると遮光フィルム10aは巻
き取りローラー101に巻き取られ(+)Y方向に進ん
でゆく。
103bは巻き取りローラー105a、105bに巻き
取られ、これにともない遮光フィルム10aは(−)Y
方向に駆動される。また逆に回転すると、リボン 103a、103bは巻き取りローラー105a、10
5bから送り出される。すると遮光フィルム10aは巻
き取りローラー101に巻き取られ(+)Y方向に進ん
でゆく。
巻き取りローラーの断面図を第4図に示す。
巻き取りローラー101はエンドキャップ107a、1
07bに支持され、エンドキャップ107a、107b
は軸受108a。
07bに支持され、エンドキャップ107a、107b
は軸受108a。
108bにより固定軸110を中心に回転する。またロ
ーラー内部にはコイルへネ11Oがあり、その一端は軸
109に、他端はエンドキャップ107aに固定されて
いる。このコイルへネ110により巻き取りローラーl
otは常に遮光フィルムloaを巻き取る方向に回転力
か加えられている。尚、本実施例ては遮光フィルムの材
質は厚さ20JLmのスポンジチタンてあり、リボン1
03の材質は布を用いている。
ーラー内部にはコイルへネ11Oがあり、その一端は軸
109に、他端はエンドキャップ107aに固定されて
いる。このコイルへネ110により巻き取りローラーl
otは常に遮光フィルムloaを巻き取る方向に回転力
か加えられている。尚、本実施例ては遮光フィルムの材
質は厚さ20JLmのスポンジチタンてあり、リボン1
03の材質は布を用いている。
またここてはアイドラー104を介してリボン103を
巻き取っているか、これは端に本実施例に於てスペース
の制約を受けたたけてスペースさえ許されるならこのア
イドラー104の場所に巻き取りローラー105を配置
しても同等問題は無い。
巻き取っているか、これは端に本実施例に於てスペース
の制約を受けたたけてスペースさえ許されるならこのア
イドラー104の場所に巻き取りローラー105を配置
しても同等問題は無い。
以上の機構を第1図に示すとうり4個備え、これらを独
立に駆動してやることにより、マスク2の全面に関し任
意のポジションのマスキングが可能となる。
立に駆動してやることにより、マスク2の全面に関し任
意のポジションのマスキングが可能となる。
前記実施例ては、このマスキング機構をマスク2の真下
である4の位置に置いたか、被露光基板3の真上にこの
機構を置いても全く同し効果か得られる。
である4の位置に置いたか、被露光基板3の真上にこの
機構を置いても全く同し効果か得られる。
また、マスク2と基板3の間には第1図の遮光フィルム
10aとlOcたけをほき、10bと10dは、照明光
学系りの中に置いても同様の効果か得られる。
10aとlOcたけをほき、10bと10dは、照明光
学系りの中に置いても同様の効果か得られる。
[効果の説明]
学系の中にマスキング機構を置にことては不可能てあっ
た反射型投影露光装置に於けるマスキングが可能となっ
た。
た反射型投影露光装置に於けるマスキングが可能となっ
た。
また従来、マスキンクツレード自体か非常に大きく、そ
のスペースの確保かなかなか困難であったか、これをフ
レキシブルなフィルムに替え、これを巻き取るという手
法を用いたことにより非常にコンパクトな機構とするこ
とが可能となった。
のスペースの確保かなかなか困難であったか、これをフ
レキシブルなフィルムに替え、これを巻き取るという手
法を用いたことにより非常にコンパクトな機構とするこ
とが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるところのマスキング機構全体の側
視図、 第2図は第1図の一部の側視図、 第3図は第2図の断面図、 第4図は第3図の断面図、 第5図は反射投影露光装置の構成の概略図、第6図は縮
小投影露光装置、いわゆるステッパの構成の概略図であ
る。 図中Aはステッパの照明光学系、Bは投影レンズ、Cは
XY反テーシ、Dは反射投影露光装置の照明光学系、E
は投影ミラー、Fはキャリジ、2はマスク、3は被露光
基板、4はマスキング機構取付位置、10a〜10dは
遮光フィルム、12は露光領域、13は露光光束、10
1は巻取ローラー、103はリボン、105は巻取ロー
ラーである。
視図、 第2図は第1図の一部の側視図、 第3図は第2図の断面図、 第4図は第3図の断面図、 第5図は反射投影露光装置の構成の概略図、第6図は縮
小投影露光装置、いわゆるステッパの構成の概略図であ
る。 図中Aはステッパの照明光学系、Bは投影レンズ、Cは
XY反テーシ、Dは反射投影露光装置の照明光学系、E
は投影ミラー、Fはキャリジ、2はマスク、3は被露光
基板、4はマスキング機構取付位置、10a〜10dは
遮光フィルム、12は露光領域、13は露光光束、10
1は巻取ローラー、103はリボン、105は巻取ロー
ラーである。
Claims (2)
- (1)露光用の光源と、第一の物体と第二の物体とを保
持する手段と、前記光源と保持手段とを相対変位させる
手段と、を有し、前記相対変位手段で前記光源と保持手
段とを相対変位させて、前記光源からの光で前記第一の
物体に形成されたパターンを前記第二の物体に露光転写
する装置に於て、前記光源から前記第一物体を経て前記
第二物体に達する光の一部を遮光して前記第二物体上の
露光範囲を制限する手段を、前記相対変位時に前記光源
に対し前記保持手段と一緒に変位する様に設けた事を特
徴とする露光装置。 - (2)前記制限手段は、前記光源からの光を遮断するた
めのシート部材と、前記シート部材を巻き取るためのロ
ーラー手段と、前記ローラー手段を露光範囲に応じて回
転させる為の回転駆動手段とを有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62249497A JPH0191419A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62249497A JPH0191419A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0191419A true JPH0191419A (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=17193847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62249497A Pending JPH0191419A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0191419A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6411364B1 (en) | 1993-02-01 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US6462807B1 (en) | 1993-05-28 | 2002-10-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JP2004356633A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP62249497A patent/JPH0191419A/ja active Pending
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004356633A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
US7423730B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7612867B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9429851B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-08-30 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9310696B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-04-12 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9360763B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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