JPH097927A

JPH097927A - 照明装置及び露光装置

Info

Publication number: JPH097927A
Application number: JP7159426A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kurosawa; 博史黒沢; Takayasu Hasegawa; 敬恭長谷川; Keiji Yoshimura; 圭司吉村; Kunitaka Ozawa; 邦貴小澤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-06-26
Filing date: 1995-06-26
Publication date: 1997-01-10

Abstract

(57)【要約】【目的】発光強度を正確に制御でき、露光むらを低減
することが可能な照明装置及び露光装置を提供する。【構成】レーザ制御系１０３がパルスレーザ光源の発
光時刻を制御する発光時刻制御手段と、発光強度を予測
する発光強度予測手段を有しており、発光強度の予測値
を発光時刻にフィードフォワードする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は照明装置に関し、特にＩ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ
等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する
際に用いるエキシマレーザを光源とした走査型露光装置
に使用される照明装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】昨今、ＩＣパターンの大規模化、微細化
がますます求められてきている。前者の大規模化に応え
るために、スリット状の照明領域に対して、マスク及び
ウエハを同期して走査することによって広い面積を露光
する方式、所謂スリットスキャン方式を採用した走査型
露光装置が知られている。後者の微細化は、露光光の短
波長化によってなされ、従来の水銀ランプから遠紫外領
域の光を発するエキシマレーザが光源として用いられよ
うとしている。

【０００３】エキシマレーザは、上限値で約２．５ｍｓ
ｅｃの発光間隔に対して実際に発光している時間は数１
０ｎｓｅｃというパルス的な発光を行う光源である。ま
た、外部から与えられる制御量に対して、各発光パルス
毎における発光強度のばらつきが大きいという特徴を持
っている。

【０００４】更に、ＩＣパターンの大規模化、微細化に
伴ってパターン線幅管理精度が厳しくなり、ウエハの露
光むらにも厳しい精度が要求されている。例えば、２５
６ＭＤＲＡＭでは０．２５μｍの線幅加工精度が必要と
され、この場合許容されうる露光むらは１％前後と見積
もられている。

【０００５】エキシマレーザを光源とする走査型露光装
置において、露光むらを許容範囲に納めるために、エキ
シマレーザの充電電圧を変化させ発光強度を制御しなが
ら露光する方法が知られている。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】エキシマレーザの
発光強度は発光停止状態から発光させた場合、図１１に
示すように、与える制御量（発光間隔、充電電圧等）が
同じであっても過渡的に発光強度がスパイク状に変化す
る現象（以後、スパイク現象と呼ぶ）が存在する。スパ
イク現象の生じている領域ではウエハの露光を行わない
方法や、スパイク現象を生じさせないためエキシマレー
ザを連続的にパルス発光させ続ける方法も考えられる。
しかし、エキシマレーザのチューブは比較的短寿命であ
り、発光された光は有効に使用すべきであり、また、露
光ショット間の移動を行っている時間やマスクとのアラ
イメントを行っている時間は、エキシマレーザの発光を
停止させていた方が望ましい。そのため、各露光ショッ
ト間の発光を停止させた場合、過渡的な強度変化を考慮
した発光強度の制御方法が必要になる。

【０００７】なお、本明細書において連続発光とは、短
い周期のパルス発光を繰り返し行うという意味で用いて
いる。

【０００８】しかしながら、前述のエキシマレーザの充
電電圧を変化させて発光強度を制御するという方法で
は、充電電圧を加減できる範囲が充電電圧の７〜８％と
いう狭い範囲に過ぎない。更に、充電電圧と発光強度ば
らつきの関係は図１２に示すように充電電圧が低くなる
につれて発光強度ばらつきが大きくなるため、スパイク
現象を完全に除去することは困難であった。

【０００９】本発明は、上述のような従来の技術の問題
点に鑑みて、レーザの発光当初から正確な露光量制御を
可能にする走査型露光装置を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願第１発明は、パルス光源から発した複数のパル
ス光により物体を照明する照明装置において、前記パル
ス光の発光強度を予測する発光強度予測手段と、該発光
強度予測手段の予測値に応じて、前記パルス光の発光時
刻を制御する発光時刻制御手段とを有することを特徴と
する照明装置である。

【００１１】本願第１発明の照明装置により、物体をむ
らなく均一に照明することができる。

【００１２】本願第２発明は、本願第１発明の照明装置
を用いて露光を行うことを特徴とする露光装置である。

【００１３】本願第３発明は、本願第２発明の露光装置
を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス
の製造方法である。

【００１４】本願第２発明の露光装置及び本願第３発明
のデバイス製造方法により、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デ
バイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気
ヘッド等のデバイスを正確に製造することができる。

【００１５】本願第４発明は、本願第１発明の照明装置
を用いて加工を行うことを特徴とする加工装置である。

【００１６】本願第４発明の加工装置により、被加工物
を正確に加工することができる。

【００１７】

【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す概略図であ
り、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、
ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製
造する際に用いる露光装置を示す。

【００１８】エキシマレーザ等のパルス光を放射するパ
ルスレーザ光源１からの光束は、ビーム整形光学系２に
より所望の形状に整形され、ハエノ目レンズ等のオプテ
ィカルインテグレータ３の光入射面に指向される。ハエ
ノ目レンズは複数の微小なレンズの集まりからなるもの
であり、その光射出面近傍に複数の２次光源が形成され
る。コンデンサレンズ４は、オプティカルインテグレー
タ３の２次光源からの光束でマスキングブレード６をケ
ーラー照明している。ハーフミラー５より分割されたパ
ルス光の一部は、第１露光量検出器１４に指向される。
マスキングブレード６とレチクル９は、結像レンズ７と
ミラー８により共役な関係に配置されており、マスキン
グブレード６の開口の形状によりレチクル９における照
明領域の形と寸法が規定される。本実施例において、レ
チクル９における照明領域は、レチクル９の走査方向に
短手方向を設定した長方形のスリット形状である。１１
は投影レンズであり、レチクル９に描かれた回路パター
ンをウエハ１２に縮小投影している。ウエハステージ１
３上には第２露光量検出器１５が配置されており、この
第２露光量検出器１５により光学系を介した際のレーザ
の露光量をモニタする事ができる。１６は高速シャッタ
である。

【００１９】１０１は、レチクルステージ１０とウエハ
ステージ１３を投影レンズ１０の倍率と同じ比率で正確
に一定速度で移動させるように制御するためのステージ
駆動制御系である。１０２は露光量演算器であり、第１
露光量検出器１４及び第２露光量検出器１５によって光
電変換された電気信号を論理値に変換して主制御系１０
４に送っている。レーザ制御系１０３は、所望の露光量
に応じてトリガ信号２０１、放電電圧信号２０２をエキ
シマレーザ１に対して出力し、レーザ出力、及び発光間
隔を制御する。トリガ信号２０１、放電電圧信号２０２
は、露光量演算器１０２からの照度モニタ信号２０３
や、ステージ駆動制御系からのステージの現在位置信号
２０４、主制御系１０４からの履歴情報などのパラメー
タに基づいて発信される。１０４はステージ駆動制御系
１０１、露光量演算器１０２、レーザ制御系１０３を統
括制御する主制御系である。主制御系１０４により強度
指令値信号２０５が発光強度の目標値としてレーザ制御
系１０３に与えられる。所望の露光量は、入力装置１０
５に装置使用者が手動で、あるいは自動的に入力する。
そして、第１露光量検出器１４、第２露光量検出器１５
の検出結果は、表示部１０６に表示することが可能であ
る。

【００２０】図２に、本実施例のレーザ制御系１０３の
構成概念図を示す。

【００２１】ウエハステージ１３の現在位置もしくは目
標値を反映する現在位置信号２０４は速度検出部２１に
入力され、速度信号に変換される。速度検出部２１から
出力された速度信号は、所定のステージの走査位置にお
いてパルスレーザ光源１が発光するように所定のゲイン
Ｇｓｃ２２を乗算されることにより、パルスレーザ光源
１の基本的な発光間隔を決定する基準値となり、概念上
の加算器Ａ２３に入力される。加算器Ａ２３の出力はト
リガ生成器２４に入力され、発光間隔値が実際のパルス
間隔に反映されたトリガ信号２０１となって出力され
る。

【００２２】なお、概念上の加算器とは加算器としての
機能があればよいということであり、ハードウエアある
いはソフトウエアいずれかでその機能が実現できればよ
いということである。

【００２３】露光量演算器１０２から出力された照度モ
ニタ信号２０３は、サンプルホールド回路２５によって
ラッチされ、キャッシュメモリ２６に発光強度が記録さ
れる。キャッシュメモリ２６には走査露光による１ショ
ットを露光する間のすべての発光強度の計測値が記録さ
れる。キャッシュメモリ２６にストアされたデータは、
１ショット間強度計測テーブル２７として主制御系１０
４に転送される。２８はテーブル読み出し同期信号であ
り、フィードフォワード（以下、ＦＦと略す）テーブル
２９内のカウンタ（不図示）によりパルス数がカウント
される。

【００２４】３０、３１はスイッチであり、レーザ光源
非制御時のスパイク波形を計測するときにオフにする。
すなわち、一定の発光間隔、一定の指令充電電圧でパル
スレーザ光源１を発光させた場合の発光強度の計測値を
得る場合にオフにする。この時に計測された照度モニタ
の信号群はキャッシュメモリ２６に一旦蓄積されて、主
制御系１０４に転送される。主制御系１０４では、同一
条件下で複数回のレーザ光源非制御時のスパイク波形を
平均化し、平均化されたスパイク波形を補正するような
（詳細は後述）ＦＦソーステーブル３２を作成し、ＦＦ
ソーステーブルメモリ３３に転送する。３４はテーブル
補正パラメータであり、ＦＦソーステーブル３２を伸縮
してスパイク補正テーブル３５を作成する。

【００２５】スパイク補正テーブル３５は、図１１に示
したような非制御時における過渡特性から、こうした過
渡的変化を補正するように設定された時間毎（パルス
毎）の補正データであり、ＦＦテーブル２９にセットさ
れる。ＦＦテーブル２９から発光毎にパルス数に対応し
たデータが読み出され、概念上の乗算器２３に入力され
る。

【００２６】このＦＦ機構によって、走査露光中にパル
スレーザ光源１の発光間隔が調整され、スパイク現象に
よる積算露光量のむらを低減することができる。

【００２７】サンプルホールド回路２５からの出力は、
補償要素を持ったゲインＧｗ３６によって乗算され、ス
イッチ３１を経由して加算器Ｂ３７にフィードバック
（以下、ＦＢと略す）される。

【００２８】本実施例では、今回の発光強度の目標値か
らの偏差を、次回の発光強度指令値に反転して上乗せす
ることによって補償しているが、複数パルス前までの積
算露光量の目標値に対する偏差を、次回の１パルスで補
償するという方法も可能である。具体的にはウエハ１２
上のある位置において５０発のパルス光で露光を行うと
する時、最後の５０発目によって積算露光量が目標値に
なるべく制御するという方法である。

【００２９】強度指令値２０５は、主制御系１０４から
１パルス当りの発光強度の目標値として与えられ、加算
器３７に入力される。加算器３７の出力はゲインＧｃｖ
３８を乗算されて、パルスレーザー光源１に対する充電
電圧信号２０２となる。

【００３０】次に、スパイク現象を補正するためのＦＦ
テーブル作成のアルゴリズムについて説明する。

【００３１】図３及び図４は、本実施例のパルスレーザ
光源１（具体的にはエキシマレーザ）の発光開始からの
パルス数と発光強度の関係を示した図である。レーザ制
御量（発光間隔、充電電圧等）及び今回の連続発光開始
から次回の連続発光開始までの時間（Ｔｗ）は、それぞ
れの図において等しく且つ一定であるが、各連続発光間
の発光停止時間を図３においてはＴａ、図４においては
Ｔｂと異ならせたものである。発明者らが行った実験に
より、発光停止時間が長くなるとスパイクの高さが高く
なることが分かっている。すなわちＴａ＞Ｔｂの時、Ｅ
ｍａｘ１＞Ｅｍａｘ２である。ｌｉｎｅ１、ｌｉｎｅ２
は複数のスパイク強度特性を平均化した、スパイク形状
を代表する曲線である。

【００３２】このようにスパイク形状は発光停止時間に
応じて変化するため、レーザ光源非制御時のスパイク波
形から導いたＦＦソーステーブルを発光停止時間に応じ
て補正し、ＦＦテーブルを作成する必要がある。その他
に、レーザ管球の温度、レーザの累積発光パルス数、１
回の連続発光時間、発光周波数、充電電圧等がＦＦテー
ブルに対して影響を与えるパラメータとして考えられ
る。

【００３３】ここで、テーブル補正パラメータ群として
連続発光時間とレーザの累積発光パルス数を考慮した場
合のＦＦソーステーブルの補正式を示す。

【００３４】レーザ光源非制御時のｋ番目に発光された
パルス光の発光強度計測値をｍ（ｋ）、レーザ光源非制
御時の発光強度の指令値をＩ０、レーザ光源非制御時の
発光停止時間をＴ０、実際に露光する際の発光停止時間
をＴｘ、レーザの累積発光パルス数をＮ、補正パラメー
タ計測時の累積発光パルス数をＮｍとすれば、ｋ番目の
ＦＦテーブルのデータは以下のようになる。（式１）Ｃ（ｋ）＝（Ｉ０／ｍ（ｋ））×（α（Ｔ０／Ｔ
ｘ））× ｅｘｐ（−（Ｎ−Ｎｍ）／τ）ここで、αは発光停止時間とスパイクの高さの相関を比
例関係とみた時の比例定数、τはレーザ光源の強度減衰
の時定数である。

【００３５】また、パルス光による照明領域の走査方向
の光強度分布のプロファイルが図５のようになっている
時、マスキングブレード６によって形成されるスリット
の幅をｗ、両端部において半影になっている部分の幅を
ｒ、最も高い光強度の値をｉ０とする。この照明領域の
強度と位置の関係を表現すると次のようになる。（式２）ｘ≦０，ｘ≧ｒ＋ｗの時、Ｉ（ｘ）＝００＜ｘ＜ｒの時、Ｉ（ｘ）＝ｘ×ｉ０／ｒｒ≦ｘ≦ｗの時、Ｉ（ｘ）＝ｉ０ｗ＜ｘ＜ｒ＋ｗの時、Ｉ（ｘ）＝｛ｘ−（ｒ＋ｗ）｝×
（−（ｉ０）／ｒ）

【００３６】さらに、図５のプロファイルで走査露光し
たウエハの積算露光量を見積もるための概念図を図６に
示す。

【００３７】Ｉｋはｋ番目に発光されたパルス光によっ
て露光された領域のｘ軸方向の位置を反映する。δｋは
各パルス光のタイミング制御によって発光時間が補正さ
れた結果、照明領域が移動した移動距離である。ｄは基
準の発光タイミングで光源を発光させた場合に発光毎に
照明領域が移動する距離である。ここで、任意の位置ｘ
ｊにおける積算露光量は、図中の点線がパルス光のプロ
ファイルを表す台形を横切る長さに相当する。そこで各
発光について、マスキングブレード６の開口部の直下に
相当するｋ番目のパルス光によって露光した時の代表点
の積算露光量Ｓ（ｋ）を求めると次のようになる。

【００３８】

【外１】ここで、ｆ０は基準発光周波数、ｖはウエハ１２の走査
速度、Δｔ（ｋ）はｋ番目の発光タイミングの補正値で
ある。

【００３９】次回の発光の際は、前回の発光の代表点か
ら基準となる距離ｄだけ進んだ点において所望の積算露
光量Ｓｔｇｔになるように光源の発光タイミングを設定
する。

【００４０】

【外２】ここで、＾Ｓ（ｋ＋１）は前回の発光タイミング補正計
算を行った時点で既知の値であり、以下の式で与えられ
る。

【００４１】

【外３】すなわち、＾Ｓ（ｋ＋１）は、前回の発光の代表点から
基準となる距離ｄだけ進んだ点における、次回照射する
パルスを除外した積算露光量である。

【００４２】式４よりΔｔ（ｋ＋１）を逆算することに
よって次回の発光タイミングの補正値を求めることがで
きる。

【００４３】図７にスパイク現象を補正するための、Ｆ
Ｆテーブルを作成するフローチャートを示す。

【００４４】ステップ７０１〜７０４は、レーザ光源非
制御時のスパイク波形を計測する手順である。ステップ
７０１では、スイッチ３０、３１をオフにすることによ
り、照度モニタ信号２０３から生成されるＦＢ信号とＦ
Ｆテーブル２９から送られるＦＦ信号を切断し、パルス
レーザ光源１が一定の充電電圧、一定の発光間隔で発光
を行うようにする。ステップ７０２において発光を開始
し、発光強度を各パルス光において第１露光量検出器１
４もしくは第２露光量検出器１５で計測する。ステップ
７０３では、計測された発光強度を逐次キャッシュメモ
リー２６に格納する。パルスレーザ光源１の発光は走査
露光１ショット分に必要なパルス数だけ行われ、図３、
４のように複数回行われる。所望の精度が得られる程度
に計測を行ったら、ステップ７０４において非制御時の
発光を終了する。

【００４５】ステップ７０５において、レチクル９及び
ウエハ１２を走査露光開始位置まで移動し、ウエハ１２
の露光プロセスに入る。ステップ７０６では、切断され
ていたスイッチ３０、３１を接続し、再びＦＦ制御、Ｆ
Ｂ制御が行える状態になる。ステップ７０７では、ＦＦ
テーブル２９に格納するためのデータＣ（ｋ）を式１に
基づいて計算する。Ｔ０にはレーザ光源非制御時のスパ
イク波形を計測する際の発光停止時間（例えば、図３に
おけるＴａ）が、パラメータＴｘにはステップ７０４が
終了してから露光を開始するステップ７０８直前までの
予測される時間ｔ１が代入される。

【００４６】第１ショット以降は、ステップ７０９にお
いて次の露光ショットが走査露光開始できる位置までレ
チクル９及びウエハ１２を移動させる。ステップ７１０
において、次の露光ショットが開始されるまで発光が停
止する時間ｔｍを予測し、式１ののパラメータＴｘに代
入する。ｔｍは、各露光ショットのウエハ１２上の位置
に対応して時間が異なる。ステップ７１１では最後のシ
ョットが終了したかどうかを判断し、最後でなければ７
０８に戻る。

【００４７】図８にスパイク現象を補正するための、Ｆ
Ｆテーブルを作成するフローチャートのその他の例を示
す。

【００４８】ステップ８０１〜８０４は、レーザ光源非
制御時のスパイク波形を計測する手順であり図７におけ
るステップ７０１〜７０４とほぼ同様である。異なる点
は、ステップ８０１でスイッチ３０、３１をオフにする
と同時に高速シャッタ１６を閉じている。このため、発
光強度の計測は第１露光量検出器１４によって行われ
る。ステップ８０５からはウエハステージ１４とレチク
ルステージ１３が走査露光開始位置まで移動し、ウエハ
の露光プロセスに入る。

【００４９】ステップ８０６において高速シャッタ１６
が閉じていてかつ、制御がかけられていない状態でレー
ザ発光が行われ、所定の数すなわちテーブル補正倍率を
十分な精度で計算できる数のパルスが発光され、発光強
度を第１露光量検出器１４で計測する。ステップ８０７
において、露光が開始する直前までにステップ８０６に
おいて計測した発光強度計測データを代表する近似曲線
を求め、この近似曲線におおよそ合致するようにＦＦソ
ーステーブル３２を伸縮するテーブル補正倍率を計算
し、補正されたＦＦテーブル２９を作成する。更にステ
ップ７０７とプロセスを並行してステップ８０８におい
て、スイッチ３０、３１をオンにすると同時に高速シャ
ッタ１６を開く。ステップ８０９でＦＦテーブル２９か
ら読み出した値に基づいて走査露光を行う。露光が終わ
るとステップ８１０において次の露光ショットが走査露
光開始できる位置までレチクル９及びウエハ１２を移動
させる。ステップ８１１で、最後のショットが終了した
かどうかを判断し、最後でなければステップ８１２にお
いて高速シャッタ１６を閉じ、ステップ８０６からの過
程を再び繰り返す。

【００５０】このようにして、スパイク補正のためのＦ
Ｆデータは常に更新されていくので、レーザ光源のチュ
ーブの経時変化等が起こってスパイクの形状が変化して
も、スパイク補正テーブルはその変化に自動的に追従す
るようになる。

【００５１】次に、本発明の露光装置を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。

【００５２】図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスク（レチクル９）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハ１２）を製造する。ステッ
プ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たマスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。

【００５３】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ１
２）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上
記露光装置によってマスク（レチクル９）の回路パター
ンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では
露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステ
ップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返
し行うことによりウエハ上に回路パターンが形成され
る。

【００５４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、発光強度を正確に制御
でき、露光むらを低減することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の走査型露光装置の概略図である。

【図２】レーザ制御系１０３の構成概念図である。

【図３】連続発光を繰り返すレーザ光源の過渡的な発光
強度の変化と減衰曲線（ライン１）を示した図である。

【図４】連続発光を繰り返すレーザ光源の過渡的な発光
強度の変化と減衰曲線（ライン２）を示した図である。

【図５】パルス光の走査方向の強度分布を示した図であ
る。

【図６】ウエハ上の積算露光量を見積もるための概念図
である。

【図７】スパイク補正テーブル作成のフローチャートで
ある。

【図８】スパイク補正テーブル作成のフローチャートで
ある。

【図９】半導体デバイスの製造工程を示す図である。

【図１０】図１０の工程中のウエハプロセスの詳細を示
す図である。

【図１１】パルス数と発光強度の関係を示した図であ
る。

【図１２】充電電圧と発光強度ばらつきの関係を示した
図である。

【符号の説明】

１パルスレーザ光源２ビーム整形光学系３オプティカルインテグレータ４コンデンサレンズ５ハーフミラー６マスキングブレード７結像レンズ８ミラー９レチクル１０レチクルステージ１１投影レンズ１２ウエハ１３ウエハステージ１４第１露光量検出器１５第２露光量検出器１６高速シャッタ１０１ステージ駆動制御系１０２露光量演算器１０３レーザ制御系１０４主制御系１０５入力装置１０６表示部２０１トリガ信号２０２充電電圧信号２０３照度モニタ信号２０４現在位置信号２０５強度指令値

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小澤邦貴神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤノン株式会社小杉事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パルス光源から発した複数のパルス光に
より物体を照明する照明装置において、前記パルス光の
発光強度を予測する発光強度予測手段と、該発光強度予
測手段の予測値に応じて、前記パルス光の発光時刻を制
御する発光時刻制御手段とを有することを特徴とする照
明装置。
【請求項２】前記パルス光の発光強度を検出する発光
強度検出手段を有し、該発光強度検出手段の検出結果に
応じて、前記発光強度予測手段の予測値を更新すること
を特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項３】前記パルス光源はエキシマレーザである
ことを特徴とする請求項１、２記載の照明装置。
【請求項４】請求項１乃至３記載の照明装置を用いて
露光を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項５】前記パルス光源より発した複数のパルス
光が順次形成する照明領域をマスク及びウエハに対して
相対的に走査する走査手段を有し、前記照明領域を前記
マスク及びウエハ上で変位させながら重ね合わせ、前記
照明領域よりも広い領域を照明し、前記マスクに形成さ
れた転写パターンを前記ウエハに露光転写することを特
徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】請求項４、５記載の露光装置を用いてデ
バイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方
法。
【請求項７】請求項１乃至３記載の照明装置を用いて
加工を行うことを特徴とする加工装置。