JPH0950769A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0950769A JPH0950769A JP8072069A JP7206996A JPH0950769A JP H0950769 A JPH0950769 A JP H0950769A JP 8072069 A JP8072069 A JP 8072069A JP 7206996 A JP7206996 A JP 7206996A JP H0950769 A JPH0950769 A JP H0950769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent conductive
- conductive film
- plasma display
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】表示電極を構成する透明導電膜の劣化を防止
し、表示の信頼性を高めることを目的とする。 【構成】透明導電膜４１又は透明導電膜４１とそれより
幅の狭い金属膜４２との多層膜からなる複数の表示電極
Ｘ，Ｙと、表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０に対して被覆
する誘電体層１７Ａとを有したＡＣ型のプラズマディス
プレイパネルにおいて、誘電体層１７Ａを実質的に鉛を
含まないＺｎＯ系ガラス材料を用いて形成する。
し、表示の信頼性を高めることを目的とする。 【構成】透明導電膜４１又は透明導電膜４１とそれより
幅の狭い金属膜４２との多層膜からなる複数の表示電極
Ｘ，Ｙと、表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０に対して被覆
する誘電体層１７Ａとを有したＡＣ型のプラズマディス
プレイパネルにおいて、誘電体層１７Ａを実質的に鉛を
含まないＺｎＯ系ガラス材料を用いて形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関す
る。
ディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関す
る。
【０００２】ＰＤＰは、表示輝度の上で有利な自己発光
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。特に蛍光体によるカラー表示に適し
た面放電型ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビジョン
映像の分野にその用途が拡大されつつある。
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。特に蛍光体によるカラー表示に適し
た面放電型ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビジョン
映像の分野にその用途が拡大されつつある。
【０００３】
【従来の技術】図４は一般的な面放電型ＰＤＰの分解斜
視図であり、１つの画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示している。
視図であり、１つの画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示している。
【０００４】図４に例示したＰＤＰ１０は、蛍光体の配
置形態による分類の上で反射型と呼称される３電極構造
のＰＤＰであり、一対のガラス基板１１，２１、横方向
に互いに平行に隣接して延びた一対の表示電極Ｘ，Ｙ、
放電に壁電荷を利用するＡＣ駆動のための誘電体層１
７、ＭｇＯからなる保護膜１８、表示電極Ｘ，Ｙと直交
するアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａと平行な平面視直
線状の隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光体層
２８などから構成されている。
置形態による分類の上で反射型と呼称される３電極構造
のＰＤＰであり、一対のガラス基板１１，２１、横方向
に互いに平行に隣接して延びた一対の表示電極Ｘ，Ｙ、
放電に壁電荷を利用するＡＣ駆動のための誘電体層１
７、ＭｇＯからなる保護膜１８、表示電極Ｘ，Ｙと直交
するアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａと平行な平面視直
線状の隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光体層
２８などから構成されている。
【０００５】内部の放電空間３０は、隔壁２９によって
表示電極Ｘ，Ｙの延長方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画
され、且つその間隙寸法が規定されている。蛍光体層２
８は、面放電によるイオン衝撃を避けるために、表示電
極Ｘ，Ｙと反対側のガラス基板２１上の各隔壁２９の間
に設けられており、面放電で生じる紫外線によって励起
されて発光する。蛍光体層２８の表層面（放電空間と接
する面）で発光した光は、誘電体層１７及びガラス基板
１１などを透過して外部へ射出する。
表示電極Ｘ，Ｙの延長方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画
され、且つその間隙寸法が規定されている。蛍光体層２
８は、面放電によるイオン衝撃を避けるために、表示電
極Ｘ，Ｙと反対側のガラス基板２１上の各隔壁２９の間
に設けられており、面放電で生じる紫外線によって励起
されて発光する。蛍光体層２８の表層面（放電空間と接
する面）で発光した光は、誘電体層１７及びガラス基板
１１などを透過して外部へ射出する。
【０００６】表示電極Ｘ，Ｙは、蛍光体層２８に対して
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とし
且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導
電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）４２とから構成されている。透明導電膜４１
は、ＩＴＯ（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）などの
酸化金属からなる。
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とし
且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導
電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）４２とから構成されている。透明導電膜４１
は、ＩＴＯ（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）などの
酸化金属からなる。
【０００７】このような構造のＰＤＰにおいて、誘電体
層１７の表層面は、放電特性の均一化及び透明性の確保
の上で、より平滑であることが望ましい。一般に、誘電
体層１７は単層構造のガラス層とされ、例えば軟化点が
４７０℃程度の低融点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が７５
％程度）を、軟化点より十分に高い６００℃程度の温度
で焼成することによって形成されていた。軟化点より十
分に高い温度で焼成すれば、焼成に際してガラス材料が
流動することから、表層面の平坦なガラス層を得ること
ができる。
層１７の表層面は、放電特性の均一化及び透明性の確保
の上で、より平滑であることが望ましい。一般に、誘電
体層１７は単層構造のガラス層とされ、例えば軟化点が
４７０℃程度の低融点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が７５
％程度）を、軟化点より十分に高い６００℃程度の温度
で焼成することによって形成されていた。軟化点より十
分に高い温度で焼成すれば、焼成に際してガラス材料が
流動することから、表層面の平坦なガラス層を得ること
ができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、一対
の表示電極Ｘ，Ｙに対して印加する駆動パルスのパルス
幅に微妙な偏りがあったり、定常的に一方の表示電極に
対する印加パルス数が他方に比べて多い駆動シーケンス
を適用したりしたときに、表示電極Ｘ，Ｙ間の電位状態
の均等性が損なわれる。つまり、表示電極Ｘ，Ｙ間に同
一極性のＤＣ電圧が繰り返し加わることになる。
の表示電極Ｘ，Ｙに対して印加する駆動パルスのパルス
幅に微妙な偏りがあったり、定常的に一方の表示電極に
対する印加パルス数が他方に比べて多い駆動シーケンス
を適用したりしたときに、表示電極Ｘ，Ｙ間の電位状態
の均等性が損なわれる。つまり、表示電極Ｘ，Ｙ間に同
一極性のＤＣ電圧が繰り返し加わることになる。
【０００９】このような条件で長期にわたって使用する
と、表示電極Ｘ，Ｙのエレクトロマイグレーションが進
行し、誘電体層１７の内部で一方の表示電極の透明導電
膜４１から他方の表示電極の透明導電膜４１に向かって
樹枝状の突起が成長する。このため、部分的に絶縁抵抗
が低下し、非表示の単位発光領域ＥＵが発光する誤点灯
が生じてしまうという問題があった。なお、エレクトロ
マイグレーションの誘因である印加電圧の偏りを完全に
無くすことは不可能である。
と、表示電極Ｘ，Ｙのエレクトロマイグレーションが進
行し、誘電体層１７の内部で一方の表示電極の透明導電
膜４１から他方の表示電極の透明導電膜４１に向かって
樹枝状の突起が成長する。このため、部分的に絶縁抵抗
が低下し、非表示の単位発光領域ＥＵが発光する誤点灯
が生じてしまうという問題があった。なお、エレクトロ
マイグレーションの誘因である印加電圧の偏りを完全に
無くすことは不可能である。
【００１０】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、表示電極Ｘ，Ｙを構成する透明導電膜の劣化
を防止し、表示の信頼性を高めることを目的としてい
る。
たもので、表示電極Ｘ，Ｙを構成する透明導電膜の劣化
を防止し、表示の信頼性を高めることを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】透明導電膜の被覆に適す
る誘電体材料を探究した。その結果、ＺｎＯ系ガラス材
料を用いることにより、透明導電膜の劣化を大幅に低減
できることを見い出した。
る誘電体材料を探究した。その結果、ＺｎＯ系ガラス材
料を用いることにより、透明導電膜の劣化を大幅に低減
できることを見い出した。
【００１２】請求項１の発明に係るＰＤＰは、放電空間
を形成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上
に、透明導電膜又は透明導電膜とそれより幅の狭い金属
膜との多層膜からなる複数の表示電極と、前記表示電極
を放電空間に対して被覆する誘電体層とを有したＡＣ型
のプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層
が実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料からなるも
のである。
を形成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上
に、透明導電膜又は透明導電膜とそれより幅の狭い金属
膜との多層膜からなる複数の表示電極と、前記表示電極
を放電空間に対して被覆する誘電体層とを有したＡＣ型
のプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層
が実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料からなるも
のである。
【００１３】請求項２の発明に係るＰＤＰでは、前記誘
電体層がアルカリ系金属酸化物を添加したＺｎＯ系ガラ
ス材料からなる。請求項３の発明に係る製造方法は、前
記基板上に前記表示電極を形成する工程と、前記表示電
極を全長にわたって被覆するように前記誘電体層を形成
する工程と、前記基板と別の基板とを、これらのうちの
少なくとも一方に前記放電空間を封止するための封止材
を設けた後に、対向配置した状態で前記封止材を加熱融
着させて接合する工程と、前記誘電体層の基板接合領域
よりパネル外側に張り出した部分を除去して前記表示電
極の端部を露出させる工程とを含むものである。
電体層がアルカリ系金属酸化物を添加したＺｎＯ系ガラ
ス材料からなる。請求項３の発明に係る製造方法は、前
記基板上に前記表示電極を形成する工程と、前記表示電
極を全長にわたって被覆するように前記誘電体層を形成
する工程と、前記基板と別の基板とを、これらのうちの
少なくとも一方に前記放電空間を封止するための封止材
を設けた後に、対向配置した状態で前記封止材を加熱融
着させて接合する工程と、前記誘電体層の基板接合領域
よりパネル外側に張り出した部分を除去して前記表示電
極の端部を露出させる工程とを含むものである。
【００１４】請求項４の発明に係るＰＤＰでは、前記誘
電体層が、前記表示電極と接する下層と、前記表示電極
と接しない上層とを有した複層構造のガラス層であり、
前記下層が実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料か
らなり、前記上層が前記下層よりも軟化点の低いＰｂＯ
系ガラス材料からなる。
電体層が、前記表示電極と接する下層と、前記表示電極
と接しない上層とを有した複層構造のガラス層であり、
前記下層が実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料か
らなり、前記上層が前記下層よりも軟化点の低いＰｂＯ
系ガラス材料からなる。
【００１５】請求項５の発明に係るＰＤＰでは、前記下
層の材料の軟化点が５５０乃至６００℃であり、且つ前
記上層の材料の軟化点が４５０乃至５００℃である。請
求項６の発明に係る製造方法は、前記基板上に前記表示
電極を形成する工程と、前記表示電極を全長にわたって
被覆するように前記下層を形成する工程と、前記下層に
重ねて前記上層を形成する工程と、前記基板と別の基板
とを、これらのうちの少なくとも一方に前記放電空間を
封止するための封止材を設けた後に、対向配置した状態
で前記封止材を加熱融着させて接合する工程と、前記下
層の基板接合領域よりパネル外側に張り出した部分を除
去して前記表示電極の端部を露出させる工程と、を含む
ものである。
層の材料の軟化点が５５０乃至６００℃であり、且つ前
記上層の材料の軟化点が４５０乃至５００℃である。請
求項６の発明に係る製造方法は、前記基板上に前記表示
電極を形成する工程と、前記表示電極を全長にわたって
被覆するように前記下層を形成する工程と、前記下層に
重ねて前記上層を形成する工程と、前記基板と別の基板
とを、これらのうちの少なくとも一方に前記放電空間を
封止するための封止材を設けた後に、対向配置した状態
で前記封止材を加熱融着させて接合する工程と、前記下
層の基板接合領域よりパネル外側に張り出した部分を除
去して前記表示電極の端部を露出させる工程と、を含む
ものである。
【００１６】請求項７の発明に係る製造方法は、前記Ｚ
ｎＯ系ガラス材料をその軟化点より低い温度で焼成して
前記下層を形成した後に、前記ＰｂＯ系ガラス材料を前
記下層の焼成温度より低い温度で焼成して前記上層を形
成するものである。
ｎＯ系ガラス材料をその軟化点より低い温度で焼成して
前記下層を形成した後に、前記ＰｂＯ系ガラス材料を前
記下層の焼成温度より低い温度で焼成して前記上層を形
成するものである。
【００１７】請求項８の発明に係る電極基板は、透明導
電膜又は透明導電膜とそれより幅の狭い金属膜との多層
膜からなる複数の表示電極と、前記表示電極を全長にわ
たって被覆し、少なくとも前記透明導電膜と接する部分
が実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料からなる絶
縁層と、が設けられた構造体である。
電膜又は透明導電膜とそれより幅の狭い金属膜との多層
膜からなる複数の表示電極と、前記表示電極を全長にわ
たって被覆し、少なくとも前記透明導電膜と接する部分
が実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料からなる絶
縁層と、が設けられた構造体である。
【００１８】透明導電膜と接する誘電体がＺｎＯ系ガラ
ス材料からなる場合には、ＰＤＰを長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極間
の絶縁性の低下がほとんど起こらない。また、ＺｎＯ系
ガラス材料は化学エッチングが容易であるので、表示電
極の外部回路接続用端子となる電極端部を製造途中にお
いて保護（酸化防止）する被覆層（電極端子保護層）と
して利用することができる。すなわち、ＺｎＯ系ガラス
材料を用いることによって誘電体層と電極端子保護層と
の一括形成が可能になり、製造工数の低減を図ることが
できる。
ス材料からなる場合には、ＰＤＰを長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極間
の絶縁性の低下がほとんど起こらない。また、ＺｎＯ系
ガラス材料は化学エッチングが容易であるので、表示電
極の外部回路接続用端子となる電極端部を製造途中にお
いて保護（酸化防止）する被覆層（電極端子保護層）と
して利用することができる。すなわち、ＺｎＯ系ガラス
材料を用いることによって誘電体層と電極端子保護層と
の一括形成が可能になり、製造工数の低減を図ることが
できる。
【００１９】誘電体層を複層構造として上層の軟化点を
下層よりも低くすれば、誘電体層の形成に際して上層の
みについて流動性を高めることができ、表示電極との化
学反応が抑制されるので、大きな気泡が無く且つ表層面
が平坦で透明性の良好な誘電体層を得ることができる。
下層よりも低くすれば、誘電体層の形成に際して上層の
みについて流動性を高めることができ、表示電極との化
学反応が抑制されるので、大きな気泡が無く且つ表層面
が平坦で透明性の良好な誘電体層を得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るＰＤＰ１の要
部の構成を示す断面図である。ＰＤＰ１は、マトリクス
表示の単位発光領域に一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス
電極Ａとが対応する３電極構造の面放電型ＰＤＰであ
る。
部の構成を示す断面図である。ＰＤＰ１は、マトリクス
表示の単位発光領域に一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス
電極Ａとが対応する３電極構造の面放電型ＰＤＰであ
る。
【００２１】面放電のための表示電極Ｘ，Ｙは、前面側
のガラス基板１１上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電体層
１７によって放電空間３０に対して被覆されている。誘
電体層１７の厚さは２０〜３０μｍ程度である。誘電体
層１７の表面には、保護膜として数千Å程度の厚さのＭ
ｇＯ膜１８が設けられている。
のガラス基板１１上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電体層
１７によって放電空間３０に対して被覆されている。誘
電体層１７の厚さは２０〜３０μｍ程度である。誘電体
層１７の表面には、保護膜として数千Å程度の厚さのＭ
ｇＯ膜１８が設けられている。
【００２２】表示電極Ｘ，Ｙは、広い帯状の透明導電膜
４１と、その導電性を補うために外端側に重ねられた幅
の狭いバス金属膜４２とから構成されている。透明導電
膜４１は数千Å〜１μｍ程度の厚さのＩＴＯ膜（酸化イ
ンジウム膜）からなり、バス金属膜４２は例えばＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の薄膜からなる。
４１と、その導電性を補うために外端側に重ねられた幅
の狭いバス金属膜４２とから構成されている。透明導電
膜４１は数千Å〜１μｍ程度の厚さのＩＴＯ膜（酸化イ
ンジウム膜）からなり、バス金属膜４２は例えばＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の薄膜からなる。
【００２３】背面側のガラス基板２１には、単位発光領
域を選択的に発光させるためのアドレス電極Ａが、表示
電極Ｘ，Ｙと直交するように配列されている。アドレス
電極Ａの上面を含めて背面側の内面を被覆するように、
所定発光色の蛍光体２８が設けられている。
域を選択的に発光させるためのアドレス電極Ａが、表示
電極Ｘ，Ｙと直交するように配列されている。アドレス
電極Ａの上面を含めて背面側の内面を被覆するように、
所定発光色の蛍光体２８が設けられている。
【００２４】ＰＤＰ１では、図４のＰＤＰ１０との比較
の上で、誘電体層１７の層構造及び材質に特徴がある。
すなわち、誘電体層１７は、透明導電膜４１及びバス金
属膜４２と接する下層１７Ａと、下層１７Ａの上に積層
された上層１７Ｂとから構成されている。そして、下層
１７Ａは軟化点が５５０〜６００℃のＺｎＯ系ガラス材
料からなり、上層１７Ｂは軟化点が下層１７Ａより低い
４５０〜５００℃のＰｂＯ系ガラス材料からなる。下層
１７Ａ及び上層１７Ｂの厚さは同程度である。なお、軟
化点とは、ガラス材料の粘度が４．５×１０7 程度にな
る温度である。
の上で、誘電体層１７の層構造及び材質に特徴がある。
すなわち、誘電体層１７は、透明導電膜４１及びバス金
属膜４２と接する下層１７Ａと、下層１７Ａの上に積層
された上層１７Ｂとから構成されている。そして、下層
１７Ａは軟化点が５５０〜６００℃のＺｎＯ系ガラス材
料からなり、上層１７Ｂは軟化点が下層１７Ａより低い
４５０〜５００℃のＰｂＯ系ガラス材料からなる。下層
１７Ａ及び上層１７Ｂの厚さは同程度である。なお、軟
化点とは、ガラス材料の粘度が４．５×１０7 程度にな
る温度である。
【００２５】以下、誘電体層１７の形成工程を中心にＰ
ＤＰ１の製造方法を説明する。図２は製造段階のＰＤＰ
の模式図である。ＰＤＰ１は、各ガラス基板１１，２１
について別個に所定の構成要素を設けて前面側の電極基
板（片面パネル）１０及び背面側の電極基板２０を作製
し、その後に電極基板１０，２０を重ね合わせて封止を
行い、内部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程
によって製造される。
ＤＰ１の製造方法を説明する。図２は製造段階のＰＤＰ
の模式図である。ＰＤＰ１は、各ガラス基板１１，２１
について別個に所定の構成要素を設けて前面側の電極基
板（片面パネル）１０及び背面側の電極基板２０を作製
し、その後に電極基板１０，２０を重ね合わせて封止を
行い、内部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程
によって製造される。
【００２６】ガラス基板１１側の製造に際しては、ま
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。なお、ガラス基板１１は、表
面に二酸化珪素膜を設けた３ｍｍ程度の厚さのソーダ石
灰ガラス板からなる。次に、ガラス基板１１の表面に表
示電極Ｘ，Ｙをそれらの全長にわたって被覆するよう
に、表１の組成のガラス材料（軟化点は５８５℃）又は
表２の組成のガラス材料（軟化点は５８０℃）、すなわ
ち実質的にＰｂを含まないＺｎＯ系ガラス材料を主成分
とするガラスペーストをスクリーン印刷によって一様に
塗布する。
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。なお、ガラス基板１１は、表
面に二酸化珪素膜を設けた３ｍｍ程度の厚さのソーダ石
灰ガラス板からなる。次に、ガラス基板１１の表面に表
示電極Ｘ，Ｙをそれらの全長にわたって被覆するよう
に、表１の組成のガラス材料（軟化点は５８５℃）又は
表２の組成のガラス材料（軟化点は５８０℃）、すなわ
ち実質的にＰｂを含まないＺｎＯ系ガラス材料を主成分
とするガラスペーストをスクリーン印刷によって一様に
塗布する。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】そして、乾燥させたペースト層を、軟化点
よりも低くガラス材料が若干軟化する程度の温度（例え
ば５５０〜５６０℃）で焼成し、下層１７Ａ及び電極端
子保護層１７ａを形成する。具体的には焼成で得られた
ＺｎＯ系ガラス層１７１における放電空間と対向する部
分が下層１７Ａであり、表示電極の端部に対応する部分
が電極端子保護層１７ａである。電極端子保護層１７ａ
は、以降の熱処理における湿気との反応による表示電極
Ｘ，Ｙの酸化を防止する役割をもつ。下層１７Ａの焼成
温度が軟化点より低い場合には、焼成中におけるガラス
材料の流動が緩慢になる。そのため、ガラス材料とバス
金属膜４２のＣｕとの接触によって発泡を伴う化学反応
が生じたとしても、その反応が長くは続かないので、絶
縁破壊の原因となる大きな気泡は生じない。ただし、下
層１７Ａの表層面（上面）は、ガラス粒界の大きさを反
映した凹凸面（表面粗さが５〜６μｍの粗い面）にな
る。凹凸面は光の散乱による透明性の低下を招く。
よりも低くガラス材料が若干軟化する程度の温度（例え
ば５５０〜５６０℃）で焼成し、下層１７Ａ及び電極端
子保護層１７ａを形成する。具体的には焼成で得られた
ＺｎＯ系ガラス層１７１における放電空間と対向する部
分が下層１７Ａであり、表示電極の端部に対応する部分
が電極端子保護層１７ａである。電極端子保護層１７ａ
は、以降の熱処理における湿気との反応による表示電極
Ｘ，Ｙの酸化を防止する役割をもつ。下層１７Ａの焼成
温度が軟化点より低い場合には、焼成中におけるガラス
材料の流動が緩慢になる。そのため、ガラス材料とバス
金属膜４２のＣｕとの接触によって発泡を伴う化学反応
が生じたとしても、その反応が長くは続かないので、絶
縁破壊の原因となる大きな気泡は生じない。ただし、下
層１７Ａの表層面（上面）は、ガラス粒界の大きさを反
映した凹凸面（表面粗さが５〜６μｍの粗い面）にな
る。凹凸面は光の散乱による透明性の低下を招く。
【００３０】そこで、下層１７Ａの上に、誘電体層１７
を平坦化するための上層１７Ｂを形成する。上層１７Ｂ
の形成に際しては、上述のように軟化点が下層１７Ａの
材料より低い表３の組成のＰｂＯ系ガラス材料（軟化点
は４７５℃）を主成分とするペーストを塗布する。この
とき、塗布の範囲を表示電極Ｘ，Ｙの端部（端子となる
部分）の上部を除く範囲とする。これは、製造の最終段
階での表示電極Ｘ，Ｙの端部を露出させる処理を容易に
するための配慮である。
を平坦化するための上層１７Ｂを形成する。上層１７Ｂ
の形成に際しては、上述のように軟化点が下層１７Ａの
材料より低い表３の組成のＰｂＯ系ガラス材料（軟化点
は４７５℃）を主成分とするペーストを塗布する。この
とき、塗布の範囲を表示電極Ｘ，Ｙの端部（端子となる
部分）の上部を除く範囲とする。これは、製造の最終段
階での表示電極Ｘ，Ｙの端部を露出させる処理を容易に
するための配慮である。
【００３１】
【表３】
【００３２】そして、乾燥させたペースト層を、ＰｂＯ
系ガラス材料の軟化点より高く且つ下層１７Ａの焼成温
度より低い温度（例えば５３０℃）で焼成し、上層１７
Ｂを形成する〔図２（Ａ）〕。焼成温度を軟化点より高
く設定することにより、焼成中にガラス材料が流動する
ことから、表面粗さが１〜２μｍ程度の平坦な上層１７
Ｂ（すなわち誘電体層１７）を得ることができる。ま
た、上層１７Ｂの焼成温度を下層１７Ａの焼成温度より
低く設定することにより、下層１７Ａの変質を防ぐこと
ができる。こうして作製された電極基板１０は、上述の
ように誘電体層１７と電極端子保護層１７ａとが一括に
形成されることから層構造が簡単で歩留りの点で優れ、
しかも電極端子の露出させる加工が容易であることから
ＰＤＰ１の製造に好適な組み立て部品である。
系ガラス材料の軟化点より高く且つ下層１７Ａの焼成温
度より低い温度（例えば５３０℃）で焼成し、上層１７
Ｂを形成する〔図２（Ａ）〕。焼成温度を軟化点より高
く設定することにより、焼成中にガラス材料が流動する
ことから、表面粗さが１〜２μｍ程度の平坦な上層１７
Ｂ（すなわち誘電体層１７）を得ることができる。ま
た、上層１７Ｂの焼成温度を下層１７Ａの焼成温度より
低く設定することにより、下層１７Ａの変質を防ぐこと
ができる。こうして作製された電極基板１０は、上述の
ように誘電体層１７と電極端子保護層１７ａとが一括に
形成されることから層構造が簡単で歩留りの点で優れ、
しかも電極端子の露出させる加工が容易であることから
ＰＤＰ１の製造に好適な組み立て部品である。
【００３３】なお、上層１７Ｂを下層１７Ａと同様にＺ
ｎＯ系ガラス材料によって形成することが可能である。
ただし、ガラス基板１１の変形を防ぐ上で焼成温度とし
ては５９０℃以下が望ましいので、上層１７Ｂの軟化点
を５９０℃より十分に低く設定する必要がある。ＺｎＯ
系ガラス材料では、ＰｂＯ系と比べると軟化点を低くす
ることが難しいが、Ｎａ2 Ｏに代表されるアルカリ系金
属酸化物を添加することにより、軟化点を低くすること
ができる。表４の組成のＺｎＯ系ガラス材料の軟化点は
５５０℃である。
ｎＯ系ガラス材料によって形成することが可能である。
ただし、ガラス基板１１の変形を防ぐ上で焼成温度とし
ては５９０℃以下が望ましいので、上層１７Ｂの軟化点
を５９０℃より十分に低く設定する必要がある。ＺｎＯ
系ガラス材料では、ＰｂＯ系と比べると軟化点を低くす
ることが難しいが、Ｎａ2 Ｏに代表されるアルカリ系金
属酸化物を添加することにより、軟化点を低くすること
ができる。表４の組成のＺｎＯ系ガラス材料の軟化点は
５５０℃である。
【００３４】
【表４】
【００３５】以上のようにして下層１７Ａと上層１７Ｂ
とを順に形成して誘電体層１７を設けた後、電子ビーム
蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設けてガラス基板１１
側の製造を終える。
とを順に形成して誘電体層１７を設けた後、電子ビーム
蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設けてガラス基板１１
側の製造を終える。
【００３６】次に、別途に作製された背面側の電極基板
２０と、電極基板１０とを重ね合わせ、接着材料を兼ね
る封止ガラス３１の融着によって両者を接合する〔図２
（Ｂ）〕。具体的には、封止ガラス３１は、２枚の基板
を重ね合わせる前に、片方又は両方の電極基板上にスク
リーン印刷によってに枠状に設けておき、基板重ね合わ
せ後に加熱されて融着する。このとき、融着温度は隔壁
２９が変形しない温度に設定される。この封止ガラス３
１の融着時においても電極端子保護層１７ａは表示電極
の端部の酸化を防止する。
２０と、電極基板１０とを重ね合わせ、接着材料を兼ね
る封止ガラス３１の融着によって両者を接合する〔図２
（Ｂ）〕。具体的には、封止ガラス３１は、２枚の基板
を重ね合わせる前に、片方又は両方の電極基板上にスク
リーン印刷によってに枠状に設けておき、基板重ね合わ
せ後に加熱されて融着する。このとき、融着温度は隔壁
２９が変形しない温度に設定される。この封止ガラス３
１の融着時においても電極端子保護層１７ａは表示電極
の端部の酸化を防止する。
【００３７】その後、パネル外に露出している電極端子
保護層１７ａを化学エッチングによって除去し、表示電
極Ｘ，Ｙの端部４１ａを露出させる〔図２（Ｃ）〕。エ
ッチャントは例えば硝酸溶液である。なお、表示電極
Ｘ，Ｙの端部は、金属膜４２のみの単層構造であり、こ
の部分が異方性導電フィルムとフレキシブルケーブルを
介して外部の駆動回路に接続される。電極端子保護層１
７ａのエッチングは、パネル内部を排気する工程で放電
を生じさせる場合には排気工程の前に行われる。
保護層１７ａを化学エッチングによって除去し、表示電
極Ｘ，Ｙの端部４１ａを露出させる〔図２（Ｃ）〕。エ
ッチャントは例えば硝酸溶液である。なお、表示電極
Ｘ，Ｙの端部は、金属膜４２のみの単層構造であり、こ
の部分が異方性導電フィルムとフレキシブルケーブルを
介して外部の駆動回路に接続される。電極端子保護層１
７ａのエッチングは、パネル内部を排気する工程で放電
を生じさせる場合には排気工程の前に行われる。
【００３８】このようにして製造されたＰＤＰ１におい
ては、透明導電膜（ＩＴＯ）４１と接する下層１７Ａが
ＺｎＯ系ガラス材料からなるので、長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極
Ｘ，Ｙ間の絶縁性の低下がほとんど起こらない。
ては、透明導電膜（ＩＴＯ）４１と接する下層１７Ａが
ＺｎＯ系ガラス材料からなるので、長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極
Ｘ，Ｙ間の絶縁性の低下がほとんど起こらない。
【００３９】図３はＩＴＯ膜の劣化と誘電体材料との関
係を表すグラフである。すなわち、表示電極Ｘ，Ｙを表
１の組成のＺｎＯ系ガラス材料で被覆した試料と、表５
の組成のＰｂＯ系ガラス材料で被覆した試料とを作製
し、それら試料に対して駆動パルス電圧の加速係数倍の
ＤＣ電圧を一定時間（例えば１００時間）にわたって印
加する加速試験を行い、樹枝状突起の長さ顕微鏡観察に
より測定した。その結果を図３が示している。なお、縦
軸の樹枝状突起の長さは、ＰｂＯ系ガラス材料における
３倍加速の場合の長さを基準に規格化されている。ま
た、ＰｂＯ系ガラス材料の軟化点はＺｎＯ系ガラス材料
と同程度に選定されている。
係を表すグラフである。すなわち、表示電極Ｘ，Ｙを表
１の組成のＺｎＯ系ガラス材料で被覆した試料と、表５
の組成のＰｂＯ系ガラス材料で被覆した試料とを作製
し、それら試料に対して駆動パルス電圧の加速係数倍の
ＤＣ電圧を一定時間（例えば１００時間）にわたって印
加する加速試験を行い、樹枝状突起の長さ顕微鏡観察に
より測定した。その結果を図３が示している。なお、縦
軸の樹枝状突起の長さは、ＰｂＯ系ガラス材料における
３倍加速の場合の長さを基準に規格化されている。ま
た、ＰｂＯ系ガラス材料の軟化点はＺｎＯ系ガラス材料
と同程度に選定されている。
【００４０】
【表５】
【００４１】図３から明らかなように、ＩＴＯ膜（透明
導電膜）と接する誘電体がＺｎＯ系ガラス材料からなる
場合には、１．５〜２倍の加速試験において樹枝状の突
起が認められず、２．５〜３倍の加速試験において突起
が生じたものの、ＰｂＯ系ガラス材料からなる場合に比
べて突起の長さは極めて短い。
導電膜）と接する誘電体がＺｎＯ系ガラス材料からなる
場合には、１．５〜２倍の加速試験において樹枝状の突
起が認められず、２．５〜３倍の加速試験において突起
が生じたものの、ＰｂＯ系ガラス材料からなる場合に比
べて突起の長さは極めて短い。
【００４２】ＩＴＯ膜に代えてネサ（ＮＥＳＡ）膜で表
示電極Ｘ，Ｙを形成した場合にも、図３と同様の結果が
得られた。つまり、ネサ膜からなる表示電極Ｘ，Ｙを有
したＰＤＰにおいてもＺｎＯ系ガラス材料が誘電体材料
として好適であることを確認できた。
示電極Ｘ，Ｙを形成した場合にも、図３と同様の結果が
得られた。つまり、ネサ膜からなる表示電極Ｘ，Ｙを有
したＰＤＰにおいてもＺｎＯ系ガラス材料が誘電体材料
として好適であることを確認できた。
【００４３】上述の実施形態によれば、上層１７Ｂの材
料として、軟化点が下層１７Ａの軟化点よりも低いガラ
ス材料を用いたので、上層１７Ｂの焼成時に下層１７Ａ
内でガスが発生したとしても、そのガスが上層１７Ｂを
通って外部へ発散し、上層１７Ｂによるガスの封じ込め
が起こらない。なお、上層１７Ｂの材料として、軟化速
度が下層１７Ａよりも大きいガラス材料を用いた場合に
も、上層１７Ｂの焼成に際して、上層１７Ｂを下層１７
Ａに比べて柔らかい状態とすることができるので、同様
に上層１７Ｂによるガスの封じ込めを防止できる。
料として、軟化点が下層１７Ａの軟化点よりも低いガラ
ス材料を用いたので、上層１７Ｂの焼成時に下層１７Ａ
内でガスが発生したとしても、そのガスが上層１７Ｂを
通って外部へ発散し、上層１７Ｂによるガスの封じ込め
が起こらない。なお、上層１７Ｂの材料として、軟化速
度が下層１７Ａよりも大きいガラス材料を用いた場合に
も、上層１７Ｂの焼成に際して、上層１７Ｂを下層１７
Ａに比べて柔らかい状態とすることができるので、同様
に上層１７Ｂによるガスの封じ込めを防止できる。
【００４４】上述の実施形態において、各ガラス層１７
Ａ，１７Ｂの材料、互いの厚さの比率、及び焼成条件
（温度プロファイル）などは、ガラス基板材料、基板表
面コート材料、透明導電膜４１の材料、バス金属膜の材
料に応じて、均質且つ上面の平坦な誘電体層１７が得ら
れるように適宜変更することができる。
Ａ，１７Ｂの材料、互いの厚さの比率、及び焼成条件
（温度プロファイル）などは、ガラス基板材料、基板表
面コート材料、透明導電膜４１の材料、バス金属膜の材
料に応じて、均質且つ上面の平坦な誘電体層１７が得ら
れるように適宜変更することができる。
【００４５】上述の実施形態においては、２層構造の誘
電体層１７を例示したが、必ずしも複層構造である必要
はない。すなわち誘電体層１７としてＺｎＯ系ガラス材
料からなる単層のガラス層を設けてもよい。粒径の小さ
いガラス粉末を選択的に用いて表面の平坦性を高めるこ
とができる。
電体層１７を例示したが、必ずしも複層構造である必要
はない。すなわち誘電体層１７としてＺｎＯ系ガラス材
料からなる単層のガラス層を設けてもよい。粒径の小さ
いガラス粉末を選択的に用いて表面の平坦性を高めるこ
とができる。
【００４６】
【発明の効果】請求項１、請求項２、請求項４、請求項
５、及び請求項８の発明によれば、表示電極を構成する
透明導電膜の劣化を防止し、表示の信頼性を高めること
ができる。
５、及び請求項８の発明によれば、表示電極を構成する
透明導電膜の劣化を防止し、表示の信頼性を高めること
ができる。
【００４７】請求項３及び請求項６の発明によれば、表
示電極の内で外部との接続に際して端子となる端部を製
造途中において保護するための特別の工程を省略するこ
とができる。
示電極の内で外部との接続に際して端子となる端部を製
造途中において保護するための特別の工程を省略するこ
とができる。
【００４８】請求項４の発明によれば、容易に誘電体層
の透明性を確保することができる。請求項５の発明によ
れば、表示電極及び誘電体層の支持体がガラス板である
場合に、容易に誘電体層の透明性を確保することができ
る。
の透明性を確保することができる。請求項５の発明によ
れば、表示電極及び誘電体層の支持体がガラス板である
場合に、容易に誘電体層の透明性を確保することができ
る。
【００４９】請求項７の発明によれば、上層形成時にお
ける下層の変質を防止することができる。
ける下層の変質を防止することができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの要部の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】製造段階のＰＤＰの模式図である。
【図３】ＩＴＯ膜の劣化と誘電体材料との関係を表すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】一般的な面放電型ＰＤＰの分解斜視図である。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １０ 電極基板 １１ ガラス基板（基板） １７ 誘電体層 １７Ａ 下層 １７ａ 電極端子保護層 １７Ｂ 上層 ２１ ガラス基板（別の基板） ３０ 放電空間 ４１ 透明導電膜 ４１ａ 端部（表示電極の端部） ４２ 金属膜 １７１ ＺｎＯ系ガラス層（絶縁層） Ｘ，Ｙ 表示電極
フロントページの続き (72)発明者 佐坂 正明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 淡路 則之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 蛯原 一美 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】放電空間を形成する一対の基板のうちの少
なくとも一方の基板上に、透明導電膜又は透明導電膜と
それより幅の狭い金属膜との多層膜からなる複数の表示
電極と、前記表示電極を放電空間に対して被覆する誘電
体層とを有したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルで
あって、 前記誘電体層が、実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス
材料からなることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】前記誘電体層が、アルカリ系金属酸化物を
添加したＺｎＯ系ガラス材料からなる請求項１記載のプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法であって、 前記基板上に前記表示電極を形成する工程と、 前記表示電極を全長にわたって被覆するように前記誘電
体層を形成する工程と、 前記基板と別の基板とを、これらのうちの少なくとも一
方に前記放電空間を封止するための封止材を設けた後
に、対向配置した状態で前記封止材を加熱融着させて接
合する工程と、 前記誘電体層の基板接合領域よりパネル外側に張り出し
た部分を除去して前記表示電極の端部を露出させる工程
と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項４】放電空間を形成する一対の基板のうちの少
なくとも一方の基板上に、透明導電膜又は透明導電膜と
それより幅の狭い金属膜との多層膜からなる複数の表示
電極と、前記表示電極を放電空間に対して被覆する誘電
体層とを有したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルで
あって、 前記誘電体層が、前記表示電極と接する下層と、前記表
示電極と接しない上層とを有した複層構造のガラス層で
あり、 前記下層が、実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料
からなり、 前記上層が、前記下層よりも軟化点の低いＰｂＯ系ガラ
ス材料からなることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項５】前記下層の材料の軟化点が５５０乃至６０
０℃であり、且つ前記上層の材料の軟化点が４５０乃至
５００℃である請求項４記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項６】請求項４又は請求項５記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法であって、 前記基板上に前記表示電極を形成する工程と、 前記表示電極を全長にわたって被覆するように前記下層
を形成する工程と、 前記下層に重ねて前記上層を形成する工程と、 前記基板と別の基板とを、これらのうちの少なくとも一
方に前記放電空間を封止するための封止材を設けた後
に、対向配置した状態で前記封止材を加熱融着させて接
合する工程と、 前記下層の基板接合領域よりパネル外側に張り出した部
分を除去して前記表示電極の端部を露出させる工程と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項７】請求項４又は請求項５記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法であって、 前記ＺｎＯ系ガラス材料をその軟化点より低い温度で焼
成して前記下層を形成した後に、前記ＰｂＯ系ガラス材
料を前記下層の焼成温度より低い温度で焼成して前記上
層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。 - 【請求項８】透明導電膜又は透明導電膜とそれより幅の
狭い金属膜との多層膜からなる複数の表示電極と、 前記表示電極を全長にわたって被覆し、少なくとも前記
透明導電膜と接する部分が実質的に鉛を含まないＺｎＯ
系ガラス材料からなる絶縁層と、が設けられたことを特
徴とするＡＣ型プラズマディスプレイパネル用の電極基
板。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07206996A JP3778223B2 (ja) | 1995-05-26 | 1996-03-27 | プラズマディスプレイパネル |
| EP96914420A EP0788131B1 (en) | 1995-05-26 | 1996-05-24 | Plasma display panel and its manufacture |
| PCT/JP1996/001379 WO1996037904A1 (fr) | 1995-05-26 | 1996-05-24 | Ecran a plasma et fabrication de ce type d'ecran |
| US08/750,796 US5977708A (en) | 1995-05-26 | 1996-05-24 | Glass material used in, and fabrication method of, a plasma display panel |
| DE69624905T DE69624905T2 (de) | 1995-05-26 | 1996-05-24 | Plasmaanzeigetafel und herstellungsverfahren derselben |
| KR1019970700441A KR100254479B1 (ko) | 1995-05-26 | 1996-05-24 | 플라즈마 디스플레이판넬 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-128150 | 1995-05-26 | ||
| JP12815095 | 1995-05-26 | ||
| JP07206996A JP3778223B2 (ja) | 1995-05-26 | 1996-03-27 | プラズマディスプレイパネル |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002382160A Division JP3532557B2 (ja) | 1995-05-26 | 2002-12-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2006015644A Division JP3846636B2 (ja) | 1995-05-26 | 2006-01-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950769A true JPH0950769A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3778223B2 JP3778223B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=26413202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07206996A Expired - Fee Related JP3778223B2 (ja) | 1995-05-26 | 1996-03-27 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5977708A (ja) |
| EP (1) | EP0788131B1 (ja) |
| JP (1) | JP3778223B2 (ja) |
| KR (1) | KR100254479B1 (ja) |
| DE (1) | DE69624905T2 (ja) |
| WO (1) | WO1996037904A1 (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948537A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Substrate for a plasma display panel and low melting point glass composition |
| KR20000056503A (ko) * | 1999-02-23 | 2000-09-15 | 구자홍 | 플라즈마 표시패널의 제조방법 |
| KR20010038774A (ko) * | 1999-10-27 | 2001-05-15 | 김순택 | 형광체의 열화방지 및 청색 순도 향상을 위한 플라즈마 표시장치 |
| KR100438915B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 하판 제조방법 |
| WO2004066341A1 (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| US6897610B1 (en) | 1999-04-28 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| WO2007040120A1 (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| WO2007069334A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | フラットパネルディスプレイの製造方法 |
| KR100749499B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| WO2007094239A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| WO2007094202A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| USRE40104E1 (en) | 1997-03-31 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma display panel with bus electrodes having black electroconductive material |
| WO2008129822A1 (ja) | 2007-04-18 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| WO2008129823A1 (ja) | 2007-04-18 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2008146435A1 (ja) | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| WO2009019853A1 (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| WO2009066449A1 (ja) | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| US7718281B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-05-18 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| WO2010058445A1 (ja) * | 2008-11-20 | 2010-05-27 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US7736762B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP2010135084A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US7759866B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| WO2010103836A1 (ja) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US7878875B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-02-01 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with display electrodes containing glass frit and a method of manufacturing the same |
| US7931948B2 (en) | 2005-10-03 | 2011-04-26 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US7990065B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-08-02 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with improved luminance |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3608903B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2005-01-12 | パイオニア株式会社 | 面放電型プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| JP3247632B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-01-21 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置 |
| JP3687715B2 (ja) * | 1997-08-13 | 2005-08-24 | 富士通株式会社 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
| KR19990043634A (ko) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층 |
| US6429586B1 (en) | 1998-02-13 | 2002-08-06 | Hitachi, Ltd. | Gas discharge display panel and gas discharge display device having electrodes formed by laser processing |
| JP3661398B2 (ja) * | 1998-03-24 | 2005-06-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP3688114B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2005-08-24 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JPH11306994A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Pioneer Electron Corp | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP4129824B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2008-08-06 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| KR20000007610A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 구자홍 | 분리형 유전층 및 보호층을 가지는 플라즈마 표시장치와 그 제조방법 |
| DE19843419A1 (de) * | 1998-09-22 | 2000-03-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
| JP3327858B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US6603265B2 (en) * | 2000-01-25 | 2003-08-05 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel having trigger electrodes |
| FR2805393A1 (fr) * | 2000-02-23 | 2001-08-24 | Thomson Plasma | Procede de realisation d'une couche dielectrique sur un substrat en verre recouvert d'electrodes conductrices |
| TW525118B (en) * | 2000-05-12 | 2003-03-21 | Acer Display Tech Inc | Plasma display having driving circuit mounted on single face and its manufacturing method |
| JP4527862B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2010-08-18 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2003002692A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Asahi Glass Co Ltd | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
| KR100538323B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2005-12-22 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2003288847A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| US7489079B2 (en) | 2002-03-06 | 2009-02-10 | Panasonic Corporation | Plasma display having a recessed part in a discharge cell |
| JP2003331743A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2004095349A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR100533723B1 (ko) | 2003-04-25 | 2005-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| EP1478034A2 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| CN2658243Y (zh) * | 2003-07-28 | 2004-11-24 | 吴伟淡 | 一种插接式快装凉棚 |
| KR100589406B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100649563B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-11-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| KR100615317B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 단자부 연결 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100670347B1 (ko) * | 2005-06-16 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 단자부 연결 구조 및이를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4321544B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2009-08-26 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2007305528A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100813845B1 (ko) * | 2006-10-10 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4252082B2 (ja) * | 2006-10-23 | 2009-04-08 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100830325B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2008-05-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| CN110115115A (zh) * | 2017-01-17 | 2019-08-09 | 株式会社藤仓 | 布线体和布线体组件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3837724A (en) * | 1971-12-30 | 1974-09-24 | Ibm | Gas panel fabrication |
| US4207488A (en) * | 1977-06-30 | 1980-06-10 | International Business Machines Corporation | Dielectric overcoat for gas discharge panel |
| US4578619A (en) * | 1983-06-22 | 1986-03-25 | Burroughs Corporation | Glass composition and gas-filled display panel incorporating the glass |
| US4591758A (en) * | 1983-06-22 | 1986-05-27 | Burroughs Corporation | Gas plasma display panel containing an improved low-temperature dielectric |
| JP2503072B2 (ja) * | 1989-04-12 | 1996-06-05 | 富士通株式会社 | ガス放電表示パネル |
| JPH06243788A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Hokuriku Toryo Kk | 放電表示管 |
| JP3547461B2 (ja) * | 1993-08-24 | 2004-07-28 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP3442876B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2003-09-02 | パイオニア株式会社 | 交流型プラズマディスプレイ装置 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP07206996A patent/JP3778223B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-24 US US08/750,796 patent/US5977708A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-24 KR KR1019970700441A patent/KR100254479B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-05-24 WO PCT/JP1996/001379 patent/WO1996037904A1/ja active IP Right Grant
- 1996-05-24 EP EP96914420A patent/EP0788131B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-24 DE DE69624905T patent/DE69624905T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948537A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Substrate for a plasma display panel and low melting point glass composition |
| USRE40104E1 (en) | 1997-03-31 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma display panel with bus electrodes having black electroconductive material |
| KR20000056503A (ko) * | 1999-02-23 | 2000-09-15 | 구자홍 | 플라즈마 표시패널의 제조방법 |
| US6897610B1 (en) | 1999-04-28 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| KR20010038774A (ko) * | 1999-10-27 | 2001-05-15 | 김순택 | 형광체의 열화방지 및 청색 순도 향상을 위한 플라즈마 표시장치 |
| KR100438915B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 하판 제조방법 |
| WO2004066341A1 (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| US7057344B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| US7102288B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| US7944147B2 (en) | 2005-10-03 | 2011-05-17 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| WO2007040120A1 (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| US7759866B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US7718281B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-05-18 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US7902757B2 (en) | 2005-10-03 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US7931948B2 (en) | 2005-10-03 | 2011-04-26 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US7736762B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| KR100749499B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| WO2007069334A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | フラットパネルディスプレイの製造方法 |
| US8072142B2 (en) | 2006-02-14 | 2011-12-06 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with improved light transmittance |
| US7932675B2 (en) | 2006-02-14 | 2011-04-26 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| EP2077572A2 (en) | 2006-02-14 | 2009-07-08 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| WO2007094202A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| WO2007094239A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| US7878875B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-02-01 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with display electrodes containing glass frit and a method of manufacturing the same |
| US7990065B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-08-02 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with improved luminance |
| WO2008129822A1 (ja) | 2007-04-18 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| WO2008129823A1 (ja) | 2007-04-18 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2008146435A1 (ja) | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| US7956541B2 (en) | 2007-08-06 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having front panel with bismuth trioxide-containing dielectric layer |
| WO2009019853A1 (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| WO2009019851A1 (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| US7965041B2 (en) | 2007-08-06 | 2011-06-21 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US8179043B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Plasma display panel free from yellowing |
| WO2009066449A1 (ja) | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
| US8013531B2 (en) | 2007-11-21 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having a plurality of layers containing calcium oxide and barium oxide |
| WO2010058445A1 (ja) * | 2008-11-20 | 2010-05-27 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4663776B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2011-04-06 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2010135084A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| WO2010103836A1 (ja) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0788131A1 (en) | 1997-08-06 |
| US5977708A (en) | 1999-11-02 |
| EP0788131A4 (en) | 1999-08-18 |
| DE69624905D1 (de) | 2003-01-02 |
| DE69624905T2 (de) | 2003-03-27 |
| EP0788131B1 (en) | 2002-11-20 |
| KR100254479B1 (ko) | 2000-05-01 |
| WO1996037904A1 (fr) | 1996-11-28 |
| KR970705163A (ko) | 1997-09-06 |
| JP3778223B2 (ja) | 2006-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3778223B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP4479144B2 (ja) | プラズマ表示装置およびその製造方法 | |
| US6812641B2 (en) | Plasma display device | |
| US6159066A (en) | Glass material used in, and fabrication method of, a plasma display panel | |
| JP2005322507A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| US20070046210A1 (en) | Electrode terminal structure and plasma display panel employing the same | |
| JP3476224B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| EP1391907A1 (en) | Plasma display | |
| JP3532557B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3946241B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP3846636B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP4162692B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP4197190B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPH0773809A (ja) | 表示素子 | |
| JPH0765729A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP3152628B2 (ja) | 導体膜上への透明厚膜誘電体の形成方法 | |
| JP3444875B2 (ja) | 電極付きプレートとその製造方法、並びにこれらを用いたガス放電パネルとその製造方法 | |
| KR100692827B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 | |
| JP2000011892A (ja) | ガス放電型表示パネルおよびそれを用いた表示装置 | |
| JP2006024490A (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP2005044705A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 | |
| KR100705288B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 | |
| JP2006164526A (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP2008103217A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPH10326563A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050720 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050720 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051206 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310 Year of fee payment: 8 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
| SZ03 | Written request for cancellation of trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |