JPH0940922A - Adhesive polyimide sheet and multilayered thin-film circuit board - Google Patents
Adhesive polyimide sheet and multilayered thin-film circuit boardInfo
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- JPH0940922A JPH0940922A JP19475895A JP19475895A JPH0940922A JP H0940922 A JPH0940922 A JP H0940922A JP 19475895 A JP19475895 A JP 19475895A JP 19475895 A JP19475895 A JP 19475895A JP H0940922 A JPH0940922 A JP H0940922A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はポリイミド接着シートお
よびこれを層間絶縁膜とした薄膜多層配線基板に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyimide adhesive sheet and a thin film multilayer wiring board using the same as an interlayer insulating film.
【0002】[0002]
【従来の技術】高度情報化社会の発展に伴って大型計算
機には益々高密度実装が必要になっている。2. Description of the Related Art With the development of a highly information-oriented society, large-scale computers are required to have higher density mounting.
【0003】上記の高密度実装方式の1つとして、薄膜
多層配線基板が盛んに研究、開発されている。この薄膜
多層配線基板の製造法の1つとして、配線の層間絶縁膜
を接着剤付きポリイミド接着シートにより形成する方法
が提案(特開平4−206595号公報)されている。As one of the above high-density mounting methods, thin-film multilayer wiring boards have been actively researched and developed. As one of the methods for manufacturing this thin-film multilayer wiring board, a method of forming an interlayer insulating film of wiring with a polyimide adhesive sheet with an adhesive has been proposed (JP-A-4-206595).
【0004】一般に、薄膜配線層は、セラミックスと導
電ペーストで形成されたいわゆる厚膜基板上に、信号の
伝送速度を向上するために配線密度を高めて設けられ
る。Generally, the thin film wiring layer is provided on a so-called thick film substrate made of ceramics and a conductive paste with a high wiring density in order to improve a signal transmission speed.
【0005】大型計算機の実装においては、1つのモジ
ュール基板内に多くの配線層および端子ピンの接続が必
要であり、モジュールを形成するのに半田接続の階層を
設定しなければならない。そのため、直接演算素子を接
続する最上部の配線層には最も高い耐熱性が要求され
る。従って、ポリイミド接着シートの適用には、その接
着剤にも耐熱性が要求される。In mounting a large-scale computer, many wiring layers and terminal pins need to be connected within one module substrate, and a solder connection layer must be set to form a module. Therefore, the highest heat resistance is required for the uppermost wiring layer that directly connects the arithmetic elements. Therefore, when the polyimide adhesive sheet is applied, the adhesive is also required to have heat resistance.
【0006】接着シートとしては、特開平1−1478
95号、特開平2−138788号、特開平3−821
89号公報等に接着シート材の成分組成、製法、積層基
板の製造工程に関する記載があるが、これらのものはい
ずれも耐熱性が十分ではない。As an adhesive sheet, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-1478 is used.
95, JP-A-2-138788, JP-A-3-821.
No. 89 and the like describe the composition of the adhesive sheet material, the manufacturing method, and the manufacturing process of the laminated substrate, but none of them have sufficient heat resistance.
【0007】また、耐熱性ポリイミドをマトリクス材と
する接着剤の成分を調整して耐熱性を高めようとする
と、接着成形時の流動性が低下し、大型計算機等の実装
で要求される多様な配線形状の全てに対して、良好な配
線の段差被覆性が得られなくなる。Further, if the heat resistance is increased by adjusting the components of the adhesive containing heat-resistant polyimide as a matrix material, the fluidity at the time of adhesive molding is lowered, and various kinds of components required for mounting on a large-scale computer are required. Good wiring step coverage cannot be obtained for all wiring shapes.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】大型計算機用の高密度
薄膜多層配線基板を実現するには、各薄膜配線層に異な
る信号を分担させる方が効果的であり、実際にセラミッ
クス等を用いた厚膜多層配線基板においても、同様の配
線規則で設計されている。このため、薄膜多層配線基板
における各層の配線形状は多様なものになる。In order to realize a high-density thin-film multilayer wiring board for a large-scale computer, it is more effective to share different signals in each thin-film wiring layer. The multilayer wiring board is designed with the same wiring rule. For this reason, the wiring shape of each layer in the thin film multilayer wiring board becomes various.
【0009】例えば、薄膜配線を厚膜基板上に積層する
接続層では、設計や製造工程での公差を考慮して面積が
広く、かつ、配線間の間隔が狭い上下配線接続用のラン
ドを設けるのが効果的である。信号配線層では信号伝達
速度を向上するために可能な限り高密度な配線にするこ
とが必要であり、また、電源遮蔽層では配線を形成せず
に、上下層導通用のできるだけ小さいビア穴のみを設け
るのが効果的である。この様な多種多様な配線形状を良
好に被覆するには、シート接着剤に接着成形時の高い流
動性が必要になる。For example, in a connection layer in which thin film wiring is laminated on a thick film substrate, lands for connecting upper and lower wirings having a large area and a narrow space between the wirings are provided in consideration of tolerances in design and manufacturing processes. Is effective. In the signal wiring layer, it is necessary to make the wiring as dense as possible in order to improve the signal transmission speed, and in the power shielding layer, do not form wiring, but only the smallest via holes for upper and lower layer conduction. It is effective to provide. In order to satisfactorily cover such a wide variety of wiring shapes, the sheet adhesive needs to have high fluidity at the time of adhesive molding.
【0010】ところが、従来のポリイミド接着シートの
主成分はポリイミドであり、一般の接着剤の様に、融解
による液状の流動を示さない。つまり、接着シートの配
線段差被覆性は、接着時の温度,圧力等の成形条件の他
に、配線の形状にも依存する。However, the main component of the conventional polyimide adhesive sheet is polyimide, and does not show liquid flow due to melting unlike general adhesives. That is, the wiring step coverage of the adhesive sheet depends on the shape of the wiring as well as the molding conditions such as temperature and pressure at the time of bonding.
【0011】このため、一定の接着成形条件でポリイミ
ド接着シートを積層して行くと、配線段差がよく埋まら
ない層ができてしまう。特に、下層基板である厚膜基板
への負荷を考慮して、低い圧力で接着成形しようとする
場合、この問題が顕著になる。この様な配線被覆不良
(以下ボイドと云う)が生じると、配線間の絶縁性が低
下したり、上下導通用のビア穴加工時にクラックが生じ
たり、ビア穴をめっきする際のめっき液による浸食が生
じると云う問題がある。即ち、接着剤の流動性が低いと
接着層にボイドが生じ、製造工程や製品の信頼性に大き
な問題が生ずる。Therefore, when the polyimide adhesive sheets are laminated under a constant adhesive molding condition, a layer in which the wiring steps are not filled well is formed. In particular, this problem becomes remarkable when the adhesive molding is performed at a low pressure in consideration of the load on the thick film substrate which is the lower layer substrate. When such a wiring coating failure (hereinafter referred to as a void) occurs, the insulation between wirings deteriorates, cracks occur during the processing of via holes for vertical conduction, and erosion by the plating solution when plating via holes. There is a problem that occurs. That is, when the fluidity of the adhesive is low, voids occur in the adhesive layer, which causes a serious problem in the manufacturing process and the reliability of the product.
【0012】また、耐熱性が低いと演算素子搭載時の半
田処理により、接着層に気泡や剥離が生じ、基板の信頼
性に問題が生じる。Further, if the heat resistance is low, air bubbles or peeling will occur in the adhesive layer due to the soldering process when the arithmetic element is mounted, which causes a problem in the reliability of the substrate.
【0013】上記ポリイミド接着シートの配線段差被覆
性は成形条件にも依存するので、配線構造により成形条
件を変えることも考えられるが、それでは配線構造が変
わるたびに条件設定が必要となり、製造工程が複雑にな
る。Since the wiring step coverage of the above-mentioned polyimide adhesive sheet also depends on the molding conditions, it may be possible to change the molding conditions depending on the wiring structure. However, in this case, it is necessary to set the conditions every time the wiring structure changes, and the manufacturing process It gets complicated.
【0014】また、前記ボイドが生じないよう各層の配
線を設計上工夫することも考えられるが、配線設計の自
由度が失われる。Although it is conceivable to devise the wiring of each layer so that the voids do not occur, the degree of freedom in wiring design is lost.
【0015】そこで、ポリイミド接着シートを用いた薄
膜多層配線基板の実現には、十分な耐熱性を備え、か
つ、流動性の優れたポリイミド接着シート用の接着剤が
必要になる。Therefore, in order to realize a thin film multilayer wiring board using a polyimide adhesive sheet, an adhesive for the polyimide adhesive sheet having sufficient heat resistance and excellent fluidity is required.
【0016】一般に、耐熱性の低い高分子は塑性変形が
大きく、流動性を向上するにはその様な材料を用いるこ
とが考えられるが、素材にポリイミドを用いたのは、接
着剤の耐熱性を維持するためであり、流動性の改善に耐
熱性を犠牲にすることはできない。Generally, a polymer having a low heat resistance has a large plastic deformation, and it is considered that such a material is used to improve the fluidity. However, polyimide is used as a material because the heat resistance of the adhesive is high. This is because the heat resistance is not sacrificed for improving the fluidity.
【0017】また、ポリイミド接着シートの流動性の向
上手段として、接着剤樹脂の低分子量成分を増加するこ
とが考えられるが、単に、低分子量成分を増加すると、
特開平2−138788号公報にも記載されている様
に、シート形成時に膜が脆くなり成形性が極端に低下し
てしまう。なお、接着剤がポリイミドとビスマレイミド
とからなる場合、ビスマレイミドのポリイミドに対する
添加量の限界は50重量%と云われている。Further, as a means for improving the fluidity of the polyimide adhesive sheet, it is possible to increase the low molecular weight component of the adhesive resin, but if the low molecular weight component is simply increased,
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-138788, the film becomes brittle during sheet formation, resulting in extremely low moldability. When the adhesive is composed of polyimide and bismaleimide, the limit of the addition amount of bismaleimide to polyimide is said to be 50% by weight.
【0018】本発明の目的は、流動性と耐熱性に優れた
ポリイミド接着シートを提供することにある。An object of the present invention is to provide a polyimide adhesive sheet having excellent fluidity and heat resistance.
【0019】本発明の他の目的は、上記のポリイミド接
着シートを層間絶縁膜に用いた薄膜多層配線基板を提供
することにある。Another object of the present invention is to provide a thin film multilayer wiring board using the above polyimide adhesive sheet as an interlayer insulating film.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。The gist of the present invention to achieve the above object is as follows.
【0021】〔1〕 ポリイミドフィルム上にビスマレ
イミド,ポリイミドおよびジアミンを主成分とする接着
剤層を設けたポリイミド接着シートであって、前記ビス
マレイミドのポリイミドに対する配合量が重量比で1〜
4であり、全樹脂分に対するジアミンの添加量が1〜1
0重量%であることを特徴とするポリイミド接着シー
ト。[1] A polyimide adhesive sheet in which an adhesive layer containing bismaleimide, polyimide and diamine as a main component is provided on a polyimide film, wherein the blending amount of the bismaleimide with respect to the polyimide is 1 to 1 by weight.
4 and the amount of diamine added to the total resin content is 1 to 1
A polyimide adhesive sheet, characterized in that it is 0% by weight.
【0022】〔2〕 層間絶縁層を介して配線層が形成
されている薄膜多層配線基板において、前記層間絶縁層
が、ポリイミドフィルム上にビスマレイミド,ポリイミ
ドおよびジアミンを主成分とする接着剤層を設けたポリ
イミド接着シートからなり、前記ビスマレイミドのポリ
イミドに対する配合量が重量比で1〜4であり、全樹脂
分に対するジアミンの添加量が1〜10重量%である薄
膜多層配線基板。[2] In a thin film multilayer wiring board in which a wiring layer is formed via an interlayer insulating layer, the interlayer insulating layer has an adhesive layer containing bismaleimide, polyimide and diamine as main components on a polyimide film. A thin film multilayer wiring board comprising a provided polyimide adhesive sheet, wherein the amount of the bismaleimide compounded with respect to the polyimide is 1 to 4 by weight, and the amount of diamine added is 1 to 10% by weight based on the total resin content.
【0023】前記ポリイミドが式〔1〕The polyimide has the formula [1]
【0024】[0024]
【化11】 Embedded image
【0025】(式中、R1はフェニル,ビフェニル,ベ
ンゾフェノンを、R2はフェニル,ビフェニル,フェニ
ルエーテル,アミノフェノキシフェニルメタン,アミノ
フェノキシフェニルプロパン,アミノフェノキシフェニ
ルヘキサフロロプロパン,ヘキサフロロメチルアミノフ
ェノキシフェニルヘキサフロロプロパンを示す。)で表
される繰り返し単位を有するポリイミドである。(In the formula, R 1 is phenyl, biphenyl and benzophenone, and R 2 is phenyl, biphenyl, phenyl ether, aminophenoxyphenylmethane, aminophenoxyphenylpropane, aminophenoxyphenylhexafluoropropane and hexafluoromethylaminophenoxyphenyl. It is a polyimide having a repeating unit represented by hexafluoropropane.
【0026】上記のポリイミドとしては、例えば、ジア
ミノアセトアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン等の有機溶媒
中でピロメリット酸二無水物とジフェニルアミノエーテ
ルとを加熱脱水縮合することによって得られる。As the above-mentioned polyimide, for example, pyromellitic dianhydride and diphenylamino ether are heated and dehydration-condensed in an organic solvent such as diaminoacetamide, dimethylacetamide, dimethylformamide and N-methyl-2-pyrrolidone. Obtained by
【0027】また、併用するテトラカルボン酸二無水物
としては、例えば、2,3,3',4'−テトラカルボキシ
ジフェニル、3,3',4,4'−テトラカルボキシジフェ
ニル、3,3',4,4'−テトラカルボキシジフェニルエ
ーテル、2,3,3',4'−テトラカルボキシジフェニル
エーテル、3,3',4,4'−テトラカルボキシジベンゾ
フェノン、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレ
ン、1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
2,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3',4,
4'−テトラカルボキシジフェニルメタン、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、3,3',4,
4'−テトラカルボキシジスルホン、3,4,9,10−テ
トラカルボキシペリレン、2,2−ビス〔4−(3,4−
ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−
ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニ
ル〕ヘキサフロロプロパン、ブタンテトラカルボン酸等
がある。The tetracarboxylic dianhydride used in combination is, for example, 2,3,3 ', 4'-tetracarboxydiphenyl, 3,3', 4,4'-tetracarboxydiphenyl, 3,3 '. , 4,4'-Tetracarboxydiphenyl ether, 2,3,3 ', 4'-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3', 4,4'-tetracarboxydibenzophenone, 2,3,6,7-tetracarboxynaphthalene 1,4,5,7-tetracarboxynaphthalene, 1,
2,5,6-tetracarboxynaphthalene, 3,3 ', 4,
4'-tetracarboxydiphenylmethane, 2,2-bis
(3,4-dicarboxyphenyl) propane, 3,3 ', 4,
4'-tetracarboxydisulfone, 3,4,9,10-tetracarboxyperylene, 2,2-bis [4- (3,4-
Dicarboxyphenoxy) phenyl] propane, 2,2-
Examples include bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane and butanetetracarboxylic acid.
【0028】また、芳香族ジアミンとしては、例えば、
p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、o
−フェニレンジアミン、4,4'−ジアミノジフェニルメ
タン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'
−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフ
ェニルケトン、4,4'−ジアミノジフェニルプロパン等
がある。The aromatic diamine is, for example,
p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, o
-Phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4 '
-Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ketone, 4,4'-diaminodiphenylpropane and the like.
【0029】前記ビスマレイミドが式〔2〕The bismaleimide has the formula [2]
【0030】[0030]
【化12】 [Chemical 12]
【0031】(式中、R3はビフェニル、フェニルエー
テル、ビフェニルを、R4およびR5は水素,炭素数3以
下の低級アルキル、炭素数3以下の低級フルオロアルキ
ルを示し、これらは互いに異なっていてもよい。)で表
されるビスマレイミドである。(In the formula, R 3 represents biphenyl, phenyl ether and biphenyl, R 4 and R 5 represent hydrogen, lower alkyl having 3 or less carbon atoms and lower fluoroalkyl having 3 or less carbon atoms, and they are different from each other. Bismaleimide.
【0032】例えば、N,N'−エチレンジマレイミド、
N,N'−ヘキサメチレンビスマレイミド、N,N'−ドデ
カメチレンビスマレイミド、N,N'−p−キシレンビス
マレイミド、N,N'−m−キシレンビスマレイミド、
N,N'−1,3−ビスメチレンシクロヘキサンビスマレ
イミド、N,N'−1,4−ビスメチレンシクロヘキサン
ビスマレイミド、N,N'−2,4−トリレンシクロヘキ
サンビスマレイミド、N,N'−2,6−トリレンシクロ
ヘキサンビスマレイミド、N,N'−3,3'−ジフェニル
メタンビスマレイミド、N,N'−4,4'−ジフェニルメ
タンビスマレイミド、3,3'−ジフェニルスルホンビス
マレイミド、4,4'−ジフェニルスルホンビスマレイミ
ド、N,N'−4,4'−ジフェニルスルフィドビスマレイ
ミド、N,N'−p−ベンゾフェノンビスマレイミド、
N,N'−ジフェニルエタンビスマレイミド、N,N'−ジ
フェニルエーテルビスマレイミド、N,N'−(メチレン
ジテトラヒドロフェニル)ビスマレイミド、N,N'−(3
−エチル)−4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミ
ド、N,N'−(3,3'−ジメチル)−4,4'−ジフェニル
メタンビスマレイミド、N,N'−(3,3'−ジエチル)−
4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N'−ト
リジンビスマレイミド、N,N'−イソホロンビスマレイ
ミド、N,N'−p,p'−ジフェニルジメチルシリルビス
マレイミド。For example, N, N'-ethylenedimaleimide,
N, N'-hexamethylene bismaleimide, N, N'-dodecamethylene bismaleimide, N, N'-p-xylene bismaleimide, N, N'-m-xylene bismaleimide,
N, N'-1,3-bismethylenecyclohexane bismaleimide, N, N'-1,4-bismethylenecyclohexane bismaleimide, N, N'-2,4-tolylenecyclohexane bismaleimide, N, N'- 2,6-Tolylenecyclohexane bismaleimide, N, N'-3,3'-diphenylmethane bismaleimide, N, N'-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 3,3'-diphenylsulfone bismaleimide, 4, 4'-diphenylsulfone bismaleimide, N, N'-4,4'-diphenylsulfide bismaleimide, N, N'-p-benzophenone bismaleimide,
N, N'-diphenylethane bismaleimide, N, N'-diphenyl ether bismaleimide, N, N '-(methyleneditetrahydrophenyl) bismaleimide, N, N'-(3
-Ethyl) -4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N '-(3,3'-dimethyl) -4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N'-(3,3'-diethyl)-
4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N'-tolidine bismaleimide, N, N'-isophorone bismaleimide, N, N'-p, p'-diphenyldimethylsilyl bismaleimide.
【0033】N,N'−ベンゾフェノンビスマレイミド、
N,N'−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N'−
ナフタレンビスマレイミド、N,N'−m−フェニレンビ
スマレイミド、N,N'−4,4'−(1,1−ジフェニルシ
クロヘキサン)ビスマレイミド、N,N'−3,5−(1,
2,4−トリアゾール)ビスマレイミド、N,N'−ピリジ
ン−2,6−ジイルビスマレイミド、N,N'−5−メト
キシ−1,3−フェニレンビスマレイミド、1,2−ビス
−(2−マレイミドエトキシ)エタン、1,3−ビス(3−
マレイミドプロポキシ)プロパン、N,N'−4,4'−ジ
フェニルメタン−ビス−ジメチルマレイミド、N,N'−
ヘキサメチレン−ビス−ジメチルマレイミド、N,N'−
4,4'−(ジフェニルエーテル)−ビス−ジメチルマレイ
ミド、N,N'−4,4'−(ジフェニルスルホン)−ビス−
ジメチルマレイミド。N, N'-benzophenone bismaleimide,
N, N'-diphenylpropane bismaleimide, N, N'-
Naphthalene bismaleimide, N, N'-m-phenylene bismaleimide, N, N'-4,4 '-(1,1-diphenylcyclohexane) bismaleimide, N, N'-3,5- (1,
2,4-triazole) bismaleimide, N, N'-pyridine-2,6-diyl bismaleimide, N, N'-5-methoxy-1,3-phenylene bismaleimide, 1,2-bis- (2- Maleimidoethoxy) ethane, 1,3-bis (3-
Maleimide propoxy) propane, N, N'-4,4'-diphenylmethane-bis-dimethylmaleimide, N, N'-
Hexamethylene-bis-dimethylmaleimide, N, N'-
4,4 '-(diphenylether) -bis-dimethylmaleimide, N, N'-4,4'-(diphenylsulfone) -bis-
Dimethyl maleimide.
【0034】2,2−ビス−〔4−(4−マレイミドフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス−〔3−メチ
ル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパ
ン、2,2−ビス−〔3−クロロ−4−(4−マレイミド
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス−〔3−
ブロモ−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン、2,2−ビス−〔3−エチル−4−(4−マレイ
ミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス−
〔3−プロピル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕プロパン、2,2−ビス−〔3−イソプロピル−
4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、
2,2−ビス−〔3−ブチル−4−(4−マレイミドフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス−〔3−メト
キシ−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロ
パン。2,2-bis- [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis- [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis -[3-chloro-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis- [3-
Bromo-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis- [3-ethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis-
[3-Propyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis- [3-isopropyl-
4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane,
2,2-Bis- [3-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis- [3-methoxy-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane.
【0035】2,2−ビス−〔4−(4−マレイミドフェ
ノキシ)フェニル〕エタン、2,2−ビス−〔3−メチル
−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕エタン、
2,2−ビス−〔3−クロロ−4−(4−マレイミドフェ
ノキシ)フェニル〕エタン、2,2−ビス−〔3−ブロモ
−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕エタン、
2,2−ビス−〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕メタン、2,2−ビス−〔3−メチル−4−(4−
マレイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、2,2−ビス
−〔3−クロロ−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕メタン、2,2−ビス−〔3−ブロモ−4−(4−
マレイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、2,2−ビス
−〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフロロプロパン、2,2−ビス
−〔3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフロロプロ
パン等がある。2,2-bis- [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane, 2,2-bis- [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane,
2,2-bis- [3-chloro-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane, 2,2-bis- [3-bromo-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane,
2,2-bis- [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis- [3-methyl-4- (4-
Maleimidophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis- [3-chloro-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis- [3-bromo-4- (4-
Maleimidophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis- [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- [3,5-dimethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3- Hexafluoropropane and the like.
【0036】前記ジアミンが式〔3〕The diamine has the formula [3]
【0037】[0037]
【化13】 Embedded image
【0038】(式中、R6は芳香環数5以下の芳香族誘
導体,炭素数30以下の脂肪族誘導体、R7,R8は水
素,炭素数3以下の低級アルキル基,低級フルオロアル
キル基を示し、これらは互いに異なっていてもよい。)
で表されるジアミンである。(In the formula, R 6 is an aromatic derivative having 5 or less aromatic rings, an aliphatic derivative having 30 or less carbon atoms, R 7 and R 8 are hydrogen, a lower alkyl group having 3 or less carbon atoms, a lower fluoroalkyl group. , Which may be different from each other.)
It is a diamine represented by.
【0039】例えば、2,2−ビス−〔4−(アミノフェ
ノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス−〔4−(アミノフェノキシ)
フェニル〕プロパン、2,2−ビス−〔4−(アミノフェ
ノキシ)フェニル〕−1,1,1,−トリフルオロプロパ
ン、2,2−ビス−〔4−(アミノフェノキシ)フェニ
ル〕−1,1,1,−トリフルオロエタン、2,2−ビス−
〔4−(アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,−ト
リフルオロメタン、2,2−ビス−〔4−(アミノフェノ
キシ)フェニル〕メタン、2,2−ビス−〔4−(アミノ
フェノキシ)フェニル〕エタン、2,2−ビス−〔4−
(アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス−
〔4−(アミノフェノキシ)フェニル〕ペンタン、2,2
−ビス−(アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノフェニル)
プロパン、2,2−ビス−(アミノフェニル)−1,1,1
−トリフルオロプロパン。For example, 2,2-bis- [4- (aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- [4- (aminophenoxy)
Phenyl] propane, 2,2-bis- [4- (aminophenoxy) phenyl] -1,1,1, -trifluoropropane, 2,2-bis- [4- (aminophenoxy) phenyl] -1,1 , 1, -Trifluoroethane, 2,2-bis-
[4- (aminophenoxy) phenyl] -1,1,1, -trifluoromethane, 2,2-bis- [4- (aminophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis- [4- (aminophenoxy) Phenyl] ethane, 2,2-bis- [4-
(Aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis-
[4- (aminophenoxy) phenyl] pentane, 2,2
-Bis- (aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminophenyl)
Propane, 2,2-bis- (aminophenyl) -1,1,1
-Trifluoropropane.
【0040】2,2−ビス−(アミノフェニル)−1,1,
1−トリフルオロエタン、2,2−ビス−(アミノフェニ
ル)−1,1,1−トリフルオロメタン、2,2−ビス−
(アミノフェニル)メタン、2,2−ビス−(アミノフェニ
ル)エタン、2,2−ビス−(アミノフェニル)ブタン、
2,2−ビス−(アミノフェニル)ペンタン、2,2−ビス
−(アミノトシル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス−(アミノトシル)−1,1,1
−トリフルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノトシ
ル)プロパン、2,2−ビス−(アミノトシル)エタン、
2,2−ビス−(アミノトシル)−1,1,1−トリフルオ
ロエタン、2,2−ビス−(アミノトシル)メタン、2,2
−ビス−(アミノトシル)ジフルオロエタン、2,2−ビ
ス−(アミノキシリル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノキシリル)−1,
1,1−トリフルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノ
キシリル)プロパン。2,2-bis- (aminophenyl) -1,1,
1-trifluoroethane, 2,2-bis- (aminophenyl) -1,1,1-trifluoromethane, 2,2-bis-
(Aminophenyl) methane, 2,2-bis- (aminophenyl) ethane, 2,2-bis- (aminophenyl) butane,
2,2-bis- (aminophenyl) pentane, 2,2-bis- (aminotosyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminotosyl) -1, 1, 1
-Trifluoropropane, 2,2-bis- (aminotosyl) propane, 2,2-bis- (aminotosyl) ethane,
2,2-bis- (aminotosyl) -1,1,1-trifluoroethane, 2,2-bis- (aminotosyl) methane, 2,2
-Bis- (aminotosyl) difluoroethane, 2,2-bis- (aminoxylyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminoxylyl) -1,
1,1-trifluoropropane, 2,2-bis- (aminoxylyl) propane.
【0041】2,2−ビス−(アミノキシリル)エタン、
2,2−ビス−(アミノキシリル)−1,1,1−トリフル
オロエタン、2,2−ビス−(アミノキシリル)メタン、
2,2−ビス−(アミノキシリル)ジフルオロメタン、2,
2−ビス−(アミノベンジル)−1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノベンジ
ル)−1,1,1−トリフルオロプロパン、2,2−ビス−
(アミノベンジル)プロパン、2,2−ビス−(アミノベン
ジル)エタン、2,2−ビス−(アミノベンジル)−1,1,
1−トリフルオロエタン、2,2−ビス−(アミノベンジ
ル)メタン、2,2−ビス−(アミノベンジル)ジフルオロ
メタン、2,2−ビス−(アミノフェネチル)−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(ア
ミノフェネチル)−1,1,1−トリフルオロプロパン、
2,2−ビス−(アミノフェネチル)プロパン、2,2−ビ
ス−(アミノフェネチル)エタン、2,2−ビス−(アミノ
フェネチル)メタン、2,2−ビス−(アミノフェネチル)
ジフルオロメタン。2,2-bis- (aminoxylyl) ethane,
2,2-bis- (aminoxylyl) -1,1,1-trifluoroethane, 2,2-bis- (aminoxylyl) methane,
2,2-bis- (aminoxylyl) difluoromethane, 2,
2-bis- (aminobenzyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminobenzyl) -1,1,1-trifluoropropane, 2,2- Screw-
(Aminobenzyl) propane, 2,2-bis- (aminobenzyl) ethane, 2,2-bis- (aminobenzyl) -1,1,
1-trifluoroethane, 2,2-bis- (aminobenzyl) methane, 2,2-bis- (aminobenzyl) difluoromethane, 2,2-bis- (aminophenethyl) -1,1,1,
3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminophenethyl) -1,1,1-trifluoropropane,
2,2-bis- (aminophenethyl) propane, 2,2-bis- (aminophenethyl) ethane, 2,2-bis- (aminophenethyl) methane, 2,2-bis- (aminophenethyl)
Difluoromethane.
【0042】2,2−ビス−(アミノビフェニル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス−(アミノビフェニル)−1,1,1−トリフルオロプロ
パン、2,2−ビス−(アミノビフェニル)プロパン、2,
2−ビス−(アミノビフェニル)エタン、2,2−ビス−
(アミノビフェニル)−1,1,1−トリフルオロエタン、
2,2−ビス−(アミノビフェニル)メタン、2,2−ビス
−(アミノビフェニル)ジフルオロメタン、2,2−ビス
−(アミノナフチル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス−(アミノナフチル)−1,
1,1−トリフルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノ
ナフチル)プロパン。2,2-bis- (aminobiphenyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminobiphenyl) -1,1,1-trifluoropropane, 2,2-bis- (aminobiphenyl) propane, 2,
2-bis- (aminobiphenyl) ethane, 2,2-bis-
(Aminobiphenyl) -1,1,1-trifluoroethane,
2,2-bis- (aminobiphenyl) methane, 2,2-bis- (aminobiphenyl) difluoromethane, 2,2-bis- (aminonaphthyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propane, 2,2-bis- (aminonaphthyl) -1,
1,1-trifluoropropane, 2,2-bis- (aminonaphthyl) propane.
【0043】2,2−ビス−(アミノナフチル)エタン、
2,2−ビス−(アミノナフチル)−1,1,1−トリフル
オロエタン、2,2−ビス−(アミノナフチル)メタン、
2,2−ビス−(アミノナフチル)ジフルオロメタン、2,
2−ビス−(アミノアントリル)−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(アミノアント
リル)−1,1,1−トリフルオロプロパン、2,2−ビス
−(アミノアントリル)プロパン、2,2−ビス−(アミノ
アントリル)エタン、2,2−ビス−(アミノアントリル)
−1,1,1−トリフルオロエタン、2,2−ビス−(アミ
ノアントリル)メタン、2,2−ビス−(アミノアントリ
ル)ジフルオロメタン、ビス−(10−アミノデシル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−
(10−アミノデシル)−1,1,1−トリフルオロプロパ
ン。2,2-bis- (aminonaphthyl) ethane,
2,2-bis- (aminonaphthyl) -1,1,1-trifluoroethane, 2,2-bis- (aminonaphthyl) methane,
2,2-bis- (aminonaphthyl) difluoromethane, 2,
2-bis- (aminoanthryl) -1,1,1,3,3,3-
Hexafluoropropane, 2,2-bis- (aminoanthryl) -1,1,1-trifluoropropane, 2,2-bis- (aminoanthryl) propane, 2,2-bis- (aminoanthryl) Ethane, 2,2-bis- (aminoanthryl)
-1,1,1-trifluoroethane, 2,2-bis- (aminoanthryl) methane, 2,2-bis- (aminoanthryl) difluoromethane, bis- (10-aminodecyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis-
(10-aminodecyl) -1,1,1-trifluoropropane.
【0044】ビス−(10−アミノデシル)1,1,1−ト
リフルオロエタン、ビス−(11−アミノウンデシル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−
(11−アミノウンデシル)−1,1,1−トリフルオロプ
ロパン、ビス−(11−アミノウンデシル)1,1,1−ト
リフルオロエタン、ビス−(12−アミノドデシル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−
(12−アミノドデシル)−1,1,1−トリフルオロプロ
パン、ビス−(12−アミノドデシル)1,1,1−トリフ
ルオロエタン、ビス−(13−アミノトリデシル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−(1
3−アミノトリデシル)−1,1,1−トリフルオロプロ
パン、ビス−(13−アミノトリデシル)1,1,1−トリ
フルオロエタン、ビス−(14−アミノテトラデシル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−
(14−アミノテトラデシル)−1,1,1−トリフルオロ
プロパン、ビス−(14−アミノテトラデシル)1,1,1
−トリフルオロエタン。Bis- (10-aminodecyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (11-aminoundecyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis-
(11-aminoundecyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (11-aminoundecyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (12-aminododecyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis-
(12-aminododecyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (12-aminododecyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (13-aminotridecyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (1
3-aminotridecyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (13-aminotridecyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (14-aminotetradecyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis-
(14-Aminotetradecyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (14-aminotetradecyl) 1,1,1
-Trifluoroethane.
【0045】ビス−(15−アミノペンタデシル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−(1
5−アミノペンタデシル)−1,1,1−トリフルオロプ
ロパン、ビス−(15−アミノペンタデシル)1,1,1−
トリフルオロエタン、ビス−(16−アミノヘキサデシ
ル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビ
ス−(16−アミノヘキサデシル)−1,1,1−トリフル
オロプロパン、ビス−(16−アミノヘキサデシル)1,
1,1−トリフルオロエタン、ビス−(17−アミノヘプ
タデシル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス−(17−アミノヘプタデシル)−1,1,1−ト
リフルオロプロパン、ビス−(17−アミノヘプタデシ
ル)1,1,1−トリフルオロエタン、ビス−(18−アミ
ノオクタデシル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
プロパン、ビス−(18−アミノオクタデシル)−1,1,
1−トリフルオロプロパン、ビス−(18−アミノオク
タデシル)1,1,1−トリフルオロエタン、ビス−(19
−アミノノナデシル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロプロパン、ビス−(19−アミノノナデシル)−1,
1,1−トリフルオロプロパン、ビス−(19−アミノノ
ナデシル)1,1,1−トリフルオロエタン。Bis- (15-aminopentadecyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (1
5-aminopentadecyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (15-aminopentadecyl) 1,1,1-
Trifluoroethane, bis- (16-aminohexadecyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (16-aminohexadecyl) -1,1,1-trifluoropropane, Bis- (16-aminohexadecyl) 1,
1,1-trifluoroethane, bis- (17-aminoheptadecyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (17-aminoheptadecyl) -1,1,1- Trifluoropropane, bis- (17-aminoheptadecyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (18-aminooctadecyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (18-aminooctadecyl) -1,1,
1-trifluoropropane, bis- (18-aminooctadecyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (19
-Aminononadecyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (19-aminononadecyl) -1,
1,1-trifluoropropane, bis- (19-aminononadecyl) 1,1,1-trifluoroethane.
【0046】ビス−(20−アミノエイコジル)−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−(20−
アミノエイコジル)−1,1,1−トリフルオロプロパ
ン、ビス−(20−アミノエイコジル)1,1,1−トリフ
ルオロエタン、ビス−(21−アミノヘンエイコジル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス−
(21−アミノヘンエイコジル)−1,1,1−トリフルオ
ロプロパン、ビス−(21−アミノヘンエイコジル)1,
1,1−トリフルオロエタン、ビス−(22−アミノドコ
サジル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス−(22−アミノドコサジル)−1,1,1−トリ
フルオロプロパン、ビス−(22−アミノドコサジル)
1,1,1−トリフルオロエタン、ビス−(23−アミノ
トリコサジル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス−(23−アミノトリコサジル)−1,1,1
−トリフルオロプロパン。Bis- (20-aminoeicosyl) -1,1,
1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (20-
Aminoeicosyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (20-aminoeicosyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (21-aminoheneicosyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis-
(21-Aminoheneicosyl) -1,1,1-trifluoropropane, bis- (21-aminoheneicosyl) 1,
1,1-trifluoroethane, bis- (22-aminodocosadyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (22-aminodocosadyl) -1,1,1- Trifluoropropane, bis- (22-aminodocosadyl)
1,1,1-trifluoroethane, bis- (23-aminotricosadyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (23-aminotricosadyl) -1, 1, 1
-Trifluoropropane.
【0047】ビス−(23−アミノトリコサジル)1,1,
1−トリフルオロエタン、ビス−(24−アミノテトラ
コジル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス−(24−アミノテトラコジル)−1,1,1−ト
リフルオロプロパン、ビス−(24−アミノテトラコジ
ル)1,1,1−トリフルオロエタン、ビス−(30−アミ
ノトリアコンチル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス−(30−アミノトリアコンチル)−
1,1,1−トリフルオロプロパン、ビス−(30−アミ
ノトリアコンチル)1,1,1−トリフルオロエタン等が
ある。Bis- (23-aminotricosadyl) 1,1,
1-trifluoroethane, bis- (24-aminotetracodyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (24-aminotetracodyl) -1,1,1-trifluoro Propane, bis- (24-aminotetracodyl) 1,1,1-trifluoroethane, bis- (30-aminotriacontyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis- (30-aminotriacontyl)-
Examples include 1,1,1-trifluoropropane and bis- (30-aminotriacontyl) 1,1,1-trifluoroethane.
【0048】特に、芳香族ジアミンを用いることによ
り、耐熱性が高く、また、分子中にフッ素鎖を有する化
合物は誘電率が低いと云う優れた効果を有する。In particular, by using the aromatic diamine, the heat resistance is high, and the compound having a fluorine chain in the molecule has an excellent effect that the dielectric constant is low.
【0049】上記ジアミンを1〜10重量%添加するこ
とにより、接着剤の流動性を向上させることができる。
特に、芳香族ジアミンの添加は、接着剤の脆性の改善に
有効であり、その結果、マレイミドの配合量をポリイミ
ドに対して重量比で4まで増加させることができた。The flowability of the adhesive can be improved by adding 1 to 10% by weight of the above diamine.
In particular, the addition of aromatic diamine was effective in improving the brittleness of the adhesive, and as a result, the compounding amount of maleimide could be increased to 4 by weight ratio with respect to the polyimide.
【0050】なお、前記ジアミンを10重量%より多く
添加すると、接着剤膜が脆くなり、引張り強度が低下す
るので好ましくない。また、1重量%未満では、その効
果を十分発揮させることができない。Addition of more than 10% by weight of the diamine is not preferable because the adhesive film becomes brittle and the tensile strength is lowered. If it is less than 1% by weight, the effect cannot be sufficiently exhibited.
【0051】本発明は、上記のジアミンの添加の効果と
低分子量成分増加の効果とを併せることにより、流動性
の高いポリイミド接着剤を得ることができ、該接着剤を
形成したポリイミド接着シートを用いることにより、低
圧成形条件下でも、多様な形状の配線をボイドの発生が
なく段差のない被覆層を形成することができる。従っ
て、これに層間絶縁層に用いることにより、信頼性の高
い薄膜多層配線基板を実現できる。According to the present invention, a polyimide adhesive having high fluidity can be obtained by combining the effect of adding the above diamine and the effect of increasing the low molecular weight component, and a polyimide adhesive sheet having the adhesive formed thereon can be obtained. By using it, it is possible to form a coating layer having various shapes on wirings of various shapes without forming voids even under low pressure molding conditions. Therefore, a thin film multilayer wiring board having high reliability can be realized by using it as an interlayer insulating layer.
【0052】[0052]
【作用】本発明において、多様な形状の配線に対し良好
な配線段差被覆性を付与できるのは、ポリイミドとビス
マレイミドとの接着剤に、ジアミンの所定量を添加する
ことにより、耐熱性を損なうことなく流動性を向上でき
るためである。In the present invention, good wiring step coverage can be imparted to wirings of various shapes because heat resistance is impaired by adding a predetermined amount of diamine to the adhesive of polyimide and bismaleimide. This is because the fluidity can be improved without
【0053】[0053]
【実施例】本発明を実施例により詳細に説明する。EXAMPLES The present invention will be described in detail with reference to examples.
【0054】〔実施例 1〕ポリイミドとして、ピロメ
リット酸二無水物と4,4'−ジアミノジフェニルエーテ
ルとから合成されるExample 1 A polyimide was synthesized from pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether.
【0055】[0055]
【化14】 Embedded image
【0056】で示されるポリイミド前駆体と、3,3',
4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
4,4'−ジアミノジフェニルエーテルとから合成されるA polyimide precursor represented by
Synthesized from 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether
【0057】[0057]
【化15】 Embedded image
【0058】で示されるポリイミド前駆体とを、重量比
で1/1に混合(以下PI−1と称す)し、N,N−ジ
メチルアセトアミドとN−メチル−2−ピロリドンの1
/1(重量比)の混合溶媒に15重量%溶解してポリイ
ミドワニスを調製した。The polyimide precursor represented by the formula (1) was mixed in a weight ratio of 1/1 (hereinafter referred to as PI-1) to prepare 1 of N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone.
A polyimide varnish was prepared by dissolving 15% by weight in a mixed solvent of 1/1 (weight ratio).
【0059】このポリイミドワニスに2,2−ビス−
〔4−(アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子製:
ジアミン化合物:AF6)を全樹脂分に対し5重量%添
加し、しんとう機により約1時間撹拌した。To this polyimide varnish, 2,2-bis-
[4- (aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,
3,3-Hexafluoropropane (Central Glass:
A diamine compound: AF6) was added in an amount of 5% by weight based on the total amount of the resin, and the mixture was stirred for about 1 hour by a Shinto machine.
【0060】更に、ポリイミドと等重量の2,2−ビス
−〔4−(マレイミドフェノキシ)フェニル〕−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝
子製:ビスマレイミド化合物:MF6)を加え、しんと
う機により約1時間撹拌して接着剤ワニスを得た。Further, 2,2-bis- [4- (maleimidophenoxy) phenyl] -1,1, having the same weight as that of polyimide,
1,3,3,3-Hexafluoropropane (manufactured by Central Glass: Bismaleimide compound: MF6) was added, and the mixture was stirred for about 1 hour with a Shinto machine to obtain an adhesive varnish.
【0061】この接着剤ワニスを小型塗工機を用いてバ
ーコーターにより、厚さ12μmポリイミドフィルム
に、厚さ18μmの銅箔を貼付けたポリイミドシート
(日立化成工業製:MCF5000I、)の200mm
角のものに塗布した。この接着剤ワニスの塗膜を100
℃,1時間、更に、200℃,1時間加熱乾燥して、膜
厚10μmの接着剤層を形成した。200 mm of a polyimide sheet (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: MCF5000I) in which a copper foil having a thickness of 18 μm is attached to a polyimide film having a thickness of 12 μm by a bar coater using a small coater using this adhesive varnish.
It was applied to the corners. 100% of this adhesive varnish coating
C., 1 hour, and then 200.degree. C., 1 hour, and dried to form an adhesive layer having a film thickness of 10 .mu.m.
【0062】なお、本実施例におけるジアミンの含量
は、ポリイミドとビスマレイミドとを合わせた全樹脂分
に対して2.5重量%になる。以下、ジアミン量は同様
に全樹脂分に対する含有量(%)で表す。The content of diamine in this example is 2.5% by weight based on the total resin content of polyimide and bismaleimide. Hereinafter, the amount of diamine is similarly represented by the content (%) with respect to the total resin content.
【0063】〔実施例 2〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量で1.0として、ジアミンAF6を1重
量%添加し、接着剤ワニスを実施例1と同様にして調製
し、同じく銅箔張りポリイミドシートに接着剤層を形成
した。[Example 2] PI-1 was used as the polyimide, MF6 was used as the bismaleimide, the compounding ratio of MF6 to PI-1 was 1.0 by weight, diamine AF6 was added by 1% by weight, and an adhesive varnish was prepared. It was prepared in the same manner as in Example 1 and an adhesive layer was formed on the copper foil-clad polyimide sheet.
【0064】〔実施例 3〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量で1.0として、ジアミンAF6を5重
量%添加し、接着剤ワニスを実施例1と同様にして調製
し、同じく銅箔張りポリイミドシートに接着剤層を形成
した。[Example 3] PI-1 was used as the polyimide, MF6 was used as the bismaleimide, the compounding ratio of MF6 to PI-1 was 1.0 by weight, diamine AF6 was added at 5% by weight, and an adhesive varnish was prepared. It was prepared in the same manner as in Example 1 and an adhesive layer was formed on the copper foil-clad polyimide sheet.
【0065】〔実施例 4〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量で1.0として、ジアミンAF6を10
重量%添加し、接着剤ワニスを実施例1と同様にして調
製し、同じく銅箔張りポリイミドシートに接着剤層を形
成した。Example 4 PI-1 was used as the polyimide and MF6 was used as the bismaleimide. The weight ratio of MF6 to PI-1 was 1.0, and diamine AF6 was 10%.
An adhesive varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the adhesive layer was formed on the copper foil-clad polyimide sheet.
【0066】〔比較例 1〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量1.0として、ジアミンAF6を添加し
なかった外は、実施例1と同様にして接着剤ワニスを調
製し、同じく銅箔張りポリイミドシートに接着剤層を形
成した。Comparative Example 1 PI-1 was used as the polyimide, MF6 was used as the bismaleimide, the compounding ratio of MF6 to PI-1 was 1.0, and the diamine AF6 was not added. An adhesive varnish was prepared in the same manner, and an adhesive layer was similarly formed on the copper foil-clad polyimide sheet.
【0067】以上の実施例および比較例で作製した接着
剤層を有する銅箔張りポリイミドシートの接着剤層の流
動性を、直径2.5mmのガラスプローブを用い荷重1
0g下でのペネトレーション法による接着剤の変位率と
して比較した結果を図1に示す。The fluidity of the adhesive layer of the copper foil-clad polyimide sheet having the adhesive layer produced in the above Examples and Comparative Examples was measured by using a glass probe having a diameter of 2.5 mm and a load of 1 mm.
The result of comparison as the displacement rate of the adhesive by the penetration method under 0 g is shown in FIG.
【0068】ジアミンAF6の添加に伴い流動性(変位
率)が大きくなっており、AF6の場合は添加量が2.
5重量%において改良効果が最も高かった。The fluidity (displacement rate) increases with the addition of the diamine AF6. In the case of AF6, the addition amount is 2.
The improvement effect was highest at 5% by weight.
【0069】また、この試験の際の変位の開始温度につ
いても図1に示す。変位の開始温度は、ジアミンAF6
の添加に伴って低くなり、その流動開始温度が低いもの
ほど接着剤の硬化までの時間が長く確保できるので、配
線の段差被覆性の上で有利である。FIG. 1 also shows the starting temperature of displacement in this test. The starting temperature of displacement is diamine AF6.
The lower the flow starting temperature, the longer the time required for the adhesive to harden, which is advantageous in terms of the step coverage of the wiring.
【0070】〔実施例 5〕実施例1〜4および比較例
1のポリイミド接着シートを用い、図2に示す薄膜多層
配線基板の作製工程に従って、試料基板を作製した。但
し、低圧成形条件で段差被覆性が最も厳しいのは、ラン
ドパターンの様な広い配線部とその間隙が狭い配線部を
有するパターンなので、上記試料基板においては、それ
を模擬したものを作製した。Example 5 Using the polyimide adhesive sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, a sample substrate was manufactured according to the manufacturing process of the thin film multilayer wiring board shown in FIG. However, the step coverage is the most severe under the low-pressure molding condition because it is a pattern having a wide wiring portion such as a land pattern and a wiring portion with a narrow gap between them. Therefore, the sample substrate was simulated.
【0071】セラミックス基板1として、ガラスセラミ
ック(京セラ製)を用い、このセラミック基板1との密
着力を考慮して、スパッタ法によりクロム導体層2(厚
さ50nm)、銅導体層3(厚さ5μm)、クロム導体
層2'(厚さ50nm)の3層構造の導体層を形成した
〔図2(a)〕。A glass ceramic (manufactured by Kyocera) is used as the ceramic substrate 1, and the chromium conductor layer 2 (thickness 50 nm) and the copper conductor layer 3 (thickness) are formed by the sputtering method in consideration of the adhesion with the ceramic substrate 1. 5 μm) and a chromium conductor layer 2 ′ (thickness 50 nm) having a three-layer structure were formed [FIG. 2 (a)].
【0072】上記導体層に、250μm角のランド(ラ
ンド間スペース4のギャップ:50μm)をフォトエッ
チング法により形成した〔図2(b)〕。Lands of 250 μm square (gap of space 4 between lands: 50 μm) were formed on the conductor layer by photoetching method (FIG. 2B).
【0073】次に、上記ランドを形成した基板をイソプ
ロピルアルコールで洗浄後、アミノシランカップリング
剤(信越シリコーン製:KBE903)の0.3重量%
イソプロピルアルコール溶液に5分浸漬後、120℃,
1時間乾燥した。次いで、キャリア銅箔と接着剤5とが
形成されたポリイミド接着シート6をその上に接着し、
真空吸引下のオートクレーブ中で280℃,1.5MP
aで1時間押圧して、接着,成形した。Next, the substrate on which the land was formed was washed with isopropyl alcohol, and then 0.3% by weight of an aminosilane coupling agent (KBE903, manufactured by Shin-Etsu Silicone).
After immersing in isopropyl alcohol solution for 5 minutes, 120 ℃,
It was dried for 1 hour. Next, a polyimide adhesive sheet 6 on which the carrier copper foil and the adhesive 5 are formed is adhered thereon,
280 ℃, 1.5MP in autoclave under vacuum suction
It was adhered and molded by pressing with a for 1 hour.
【0074】こうしてポリイミド接着シート6による第
1層目の絶縁層を形成後、キャリア銅箔を塩化銅水溶液
によりエッチアウトし、純水、イソプロピルアルコール
で順次洗浄後、120℃,1時間真空乾燥した〔図2
(c)〕。After forming the first insulating layer of the polyimide adhesive sheet 6 in this manner, the carrier copper foil was etched out with an aqueous solution of copper chloride, washed successively with pure water and isopropyl alcohol, and vacuum dried at 120 ° C. for 1 hour. [Fig. 2
(C)].
【0075】次に、ポリイミド接着シート6による絶縁
層の表面に、アルミニウムを真空蒸着し、フォトエッチ
ング法で穴パターンを形成し、これをマスクとしてドラ
イエッチングにより径30μmのビア穴7を形成した
〔図2(d)〕。なお、ビア穴7の加工の際、ビア穴底
のクロム薄膜は同時にドライエッチングされる。Next, aluminum was vacuum-deposited on the surface of the insulating layer formed of the polyimide adhesive sheet 6, a hole pattern was formed by photoetching, and a via hole 7 having a diameter of 30 μm was formed by dry etching using this as a mask. FIG. 2 (d)]. When processing the via hole 7, the chromium thin film at the bottom of the via hole is simultaneously dry-etched.
【0076】ビア穴加工後、再びイソプロピルアルコー
ルで洗浄し、ビア穴底面に露出した銅を希硫酸で洗浄し
て表面の銅酸化膜を除去した後、化学銅めっきによりビ
アスタッド8を形成し、試料基板を得た〔図2
(e)〕。After processing the via hole, it is washed again with isopropyl alcohol, the copper exposed at the bottom of the via hole is washed with dilute sulfuric acid to remove the copper oxide film on the surface, and then the via stud 8 is formed by chemical copper plating. A sample substrate was obtained [Fig. 2
(E)].
【0077】上記試料基板を330℃の半田槽に10分
間浸漬する半田耐熱試験を行ない、気泡や剥離等の有無
を観察した。なお、前記各工程での製膜性、段差被覆
性、穴加工性、ビアめっき性および半田耐熱試験の結果
を表1に示す。A solder heat resistance test was carried out by immersing the sample substrate in a solder bath at 330 ° C. for 10 minutes, and the presence or absence of bubbles or peeling was observed. Table 1 shows the results of the film forming property, step coverage, hole formability, via plating property, and solder heat resistance test in each of the above steps.
【0078】[0078]
【表1】 [Table 1]
【0079】比較例1以外のポリイミド接着シートはボ
イドやビア穴周囲のクラック、めっきによる剥離等の発
生はなく、半田耐熱性も良好であった。The polyimide adhesive sheets other than Comparative Example 1 were free from voids, cracks around the via holes, peeling due to plating, and the like, and had good solder heat resistance.
【0080】〔実施例 6〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量で1.5として、ジアミンAF6を2.5
重量%添加したポリイミド接着シートを実施例1と同様
にして作製した。[Example 6] PI-1 was used as the polyimide, MF6 was used as the bismaleimide, and the mixing ratio of MF6 to PI-1 was 1.5 by weight, and diamine AF6 was 2.5.
A polyimide adhesive sheet with a weight% added was prepared in the same manner as in Example 1.
【0081】〔実施例 7〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量で2.3として、ジアミンAF6を2.5
重量%添加したポリイミド接着シートを実施例1と同様
にして作製した。[Example 7] PI-1 was used as the polyimide, MF6 was used as the bismaleimide, the mixing ratio of MF6 to PI-1 was 2.3 by weight, and diamine AF6 was 2.5.
A polyimide adhesive sheet with a weight% added was prepared in the same manner as in Example 1.
【0082】〔実施例 8〕ポリイミドにPI−1、ビ
スマレイミドにMF6を用い、MF6のPI−1に対す
る配合比を重量で4.0として、ジアミンAF6を2.5
重量%添加したポリイミド接着シートを実施例1と同様
にして作製した。[Example 8] PI-1 was used as the polyimide, MF6 was used as the bismaleimide, the compounding ratio of MF6 to PI-1 was 4.0 by weight, and diamine AF6 was 2.5.
A polyimide adhesive sheet with a weight% added was prepared in the same manner as in Example 1.
【0083】前記実施例6〜8のポリイミド接着シート
の流動性と変位開始温度を図3に示す。The fluidity and displacement start temperature of the polyimide adhesive sheets of Examples 6 to 8 are shown in FIG.
【0084】流動性(変位率)は、ビスマレイミドMF
6の添加量が70重量%(実施例7)のものが最も優れ
ている。また、変位開始温度は、MF6の添加量に伴っ
て高くなるが、ジアミンAF6を添加しないものよりも
低い。The fluidity (displacement rate) is determined by the bismaleimide MF.
It is most excellent that the addition amount of 6 is 70% by weight (Example 7). The displacement start temperature increases with the amount of MF6 added, but is lower than that without diamine AF6.
【0085】〔実施例 9〕実施例6〜8のポリイミド
接着シートを用い、図2に示す薄膜多層配線基板の作製
工程に従って、実施例5と同様にして試料基板を作製
し、評価した。試料基板の評価結果を表2に示す。Example 9 Using the polyimide adhesive sheets of Examples 6 to 8, a sample substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 5 according to the manufacturing process of the thin film multilayer wiring board shown in FIG. Table 2 shows the evaluation results of the sample substrate.
【0086】[0086]
【表2】 [Table 2]
【0087】段差被覆性、穴加工性、ビアめっき性、半
田耐熱性は、いずれも良好な結果を示した。The step coverage, hole workability, via plating property, and solder heat resistance all showed good results.
【0088】また、ガラス基板を用い、スパッタ法で導
体層を形成し、等間隔の15μmピッチと20μmピッ
チの配線パターンおよび溝パターンと、幅70μmの方
形溝パターンを形成し、実施例7のポリイミド接着シー
トの段差被覆性を光学顕微鏡により観測した。上記の配
線パターンに対しても良好な段差被覆性が得られること
を確認した。Further, using a glass substrate, a conductor layer was formed by a sputtering method to form wiring patterns and groove patterns of 15 μm pitch and 20 μm pitch at equal intervals, and a rectangular groove pattern having a width of 70 μm. The step coverage of the adhesive sheet was observed with an optical microscope. It was confirmed that good step coverage can be obtained even for the above wiring pattern.
【0089】〔実施例 10〕ポリイミドとして次式Example 10 A polyimide having the following formula
【0090】[0090]
【化16】 Embedded image
【0091】(式中Xはアミン残基で、フェニルおよび
ビフェニルからなるコポリマー)で示される繰り返し構
造を有するPI−2と、ビスマレイミドとしてMF6を
用いこれらの配合比を重量で1/1とし、ジアミンAF
6を2.5重量%添加したポリイミド接着シートを実施
例1と同様にして作製した。(Wherein X is an amine residue, a copolymer consisting of phenyl and biphenyl) and PI-2 having a repeating structure, and MF6 as the bismaleimide are used, and the mixing ratio thereof is 1/1 by weight. Diamine AF
A polyimide adhesive sheet containing 2.5% by weight of 6 was prepared in the same manner as in Example 1.
【0092】〔実施例 11〕ポリイミドとして次式[Embodiment 11] A polyimide having the following formula
【0093】[0093]
【化17】 Embedded image
【0094】に示す繰り返し構造を有するPI−3と、
ビスマレイミドMF6を用いこれらの配合比を重量で1
/1とし、ジアミンAF6を2.5重量%添加した。PI-3 having a repeating structure shown in:
Using bismaleimide MF6, these compounding ratios are 1 by weight.
/ 1, and 2.5% by weight of diamine AF6 was added.
【0095】〔実施例 12〕ポリイミドとしてPI−
1と、ビスマレイミドとして2,2−ビス(4−マレイミ
ドフェノキシフェニル)プロパン(BBMI)を用い、
これらの配合比を重量で1/1とし、ジアミンAF6を
2.5重量%添加した。[Example 12] PI-as polyimide
1, and 2,2-bis (4-maleimidophenoxyphenyl) propane (BBMI) as the bismaleimide,
The mixing ratio of these was set to 1/1 by weight, and 2.5% by weight of diamine AF6 was added.
【0096】〔実施例 13〕ポリイミドとしてPI−
1と、ビスマレイミドMF6を用いこれらの配合比を重
量で1/1とし、ジアミンとして2,2−ビス(4−アミ
ノフェニル)メタン(AM−1)を2.5重量%添加し
た。[Example 13] PI-as polyimide
1 and bismaleimide MF6 were used to make their compounding ratio 1/1 by weight, and 2.5% by weight of 2,2-bis (4-aminophenyl) methane (AM-1) was added as a diamine.
【0097】〔実施例 14〕ポリイミドとしてPI−
1と、ビスマレイミドMF6を用いこれらの配合比を重
量で1/1とし、ジアミンとして2,2−ビス(4−アミ
ノフェノキシフェニル)プロパン(AM−2)を2.5重
量%添加した。[Example 14] PI-as a polyimide
1 and bismaleimide MF6 were used to make the compounding ratio thereof 1/1 by weight, and 2.5% by weight of 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane (AM-2) was added as a diamine.
【0098】前記実施例10〜14の流動性、および、
試料基板の配線段差被覆性、半田耐熱性の評価結果を表
3に示す。Fluidity of Examples 10 to 14, and
Table 3 shows the evaluation results of the wiring step coverage and solder heat resistance of the sample substrate.
【0099】[0099]
【表3】 [Table 3]
【0100】これらポリイミド接着シートの流動性は組
成によって差があるが、いずれも配線段差被覆性、半田
耐熱性ともに良好な結果を示す。The fluidity of these polyimide adhesive sheets varies depending on the composition, but both show good results in terms of wiring step coverage and solder heat resistance.
【0101】[0101]
【発明の効果】本発明によって得られるポリイミド接着
シートは接着成形時の流動性に富み、比較的低圧の成形
条件でもボイドレスに配線の段差を被覆することができ
る。EFFECTS OF THE INVENTION The polyimide adhesive sheet obtained by the present invention has excellent fluidity at the time of adhesive molding and can cover the steps of the wiring in the voidless even under relatively low pressure molding conditions.
【0102】これにより配線設計の裕度の確保と、製造
工程でのビア穴のクラック等による損傷が防止され、配
線間の絶縁性と信頼性の高い薄膜多層配線基板を提供で
きる。As a result, it is possible to provide a thin film multi-layer wiring board having a high wiring design margin and preventing damage due to cracks or the like in via holes in the manufacturing process, and having high insulation between wirings and high reliability.
【0103】また、素子のアッセンブリ時の半田処理に
も十分耐え得る耐熱性を有する薄膜多層配線基板を提供
できる。Further, it is possible to provide a thin-film multilayer wiring board having a heat resistance sufficient to withstand soldering during assembly of elements.
【図1】本発明の実施例1〜4のポリイミド接着シート
の変位率および変位開始温度を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing a displacement rate and a displacement start temperature of polyimide adhesive sheets of Examples 1 to 4 of the present invention.
【図2】本発明の実施例に係わる薄膜多層配線基板の製
造工程の模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of a thin film multilayer wiring board according to an example of the present invention.
【図3】本発明の実施例6〜8のポリイミド接着シート
の変位率および変位開始温度を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the displacement rate and the displacement start temperature of the polyimide adhesive sheets of Examples 6 to 8 of the present invention.
1…セラミックス基板、2…クロム導体層、3…銅導体
層、4…ランド間スペース、5…接着剤、6…ポリイミ
ド接着シート、7…ビア穴、8…ビアスタッド。1 ... Ceramics substrate, 2 ... Chrome conductor layer, 3 ... Copper conductor layer, 4 ... Land space, 5 ... Adhesive agent, 6 ... Polyimide adhesive sheet, 7 ... Via hole, 8 ... Via stud.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/03 610 7511−4E H05K 1/03 610N 3/46 6921−4E 3/46 E 6921−4E T (72)発明者 伊藤 豊 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H05K 1/03 610 7511-4E H05K 1/03 610N 3/46 6921-4E 3/46 E 6921- 4ET (72) Inventor Yutaka Ito 7-1-1 Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Hitachi Ltd. Hitachi Research Laboratory (72) Inventor Akio Takahashi 7-1-1 Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory
Claims (10)
ド,ポリイミドおよびジアミンを主成分とする接着剤層
を設けたポリイミド接着シートであって、前記ビスマレ
イミドのポリイミドに対する配合量が重量比で1〜4で
あり、全樹脂分に対するジアミンの添加量が1〜10重
量%であることを特徴とするポリイミド接着シート。1. A polyimide adhesive sheet in which an adhesive layer containing bismaleimide, polyimide and diamine as a main component is provided on a polyimide film, and the compounding amount of bismaleimide with respect to polyimide is 1 to 4 by weight. A polyimide adhesive sheet, characterized in that the amount of diamine added to the total resin content is 1 to 10% by weight.
を、R2はフェニル,ビフェニル,フェニルエーテル,
アミノフェノキシフェニルメタン,アミノフェノキシフ
ェニルプロパン,アミノフェノキシフェニルヘキサフロ
ロプロパン,ヘキサフロロメチルアミノフェノキシフェ
ニルヘキサフロロプロパンを示す。)で表される繰り返
し単位を有するポリイミドである請求項1に記載のポリ
イミド接着シート。2. The polyimide has the formula [1] (In the formula, R 1 is phenyl, biphenyl, benzophenone, R 2 is phenyl, biphenyl, phenyl ether,
Aminophenoxyphenylmethane, aminophenoxyphenylpropane, aminophenoxyphenylhexafluoropropane, and hexafluoromethylaminophenoxyphenylhexafluoropropane are shown. The polyimide adhesive sheet according to claim 1, which is a polyimide having a repeating unit represented by the formula (1).
ニルを、R4およびR5は水素,炭素数3以下の低級アル
キル、炭素数3以下の低級フルオロアルキルを示し、こ
れらは互いに異なっていてもよい。)で表されるビスマ
レイミドである請求項1に記載のポリイミド接着シー
ト。3. The bismaleimide is represented by the formula [2]: (In the formula, R 3 represents biphenyl, phenyl ether, biphenyl, R 4 and R 5 represent hydrogen, lower alkyl having 3 or less carbon atoms, lower fluoroalkyl having 3 or less carbon atoms, and these may be different from each other. The polyimide adhesive sheet according to claim 1, which is a bismaleimide represented by the formula (1).
30以下の脂肪族誘導体、R7,R8は水素,炭素数3以
下の低級アルキル基,低級フルオロアルキル基を示し、
これらは互いに異なっていてもよい。)で表されるジア
ミンである請求項1に記載のポリイミド接着シート。4. The diamine has the formula [3]: (In the formula, R 6 is an aromatic derivative having 5 or less aromatic rings, an aliphatic derivative having 30 or less carbon atoms, R 7 and R 8 are hydrogen, a lower alkyl group having 3 or less carbon atoms, and a lower fluoroalkyl group,
These may be different from each other. The polyimide adhesive sheet according to claim 1, which is a diamine represented by the formula (1).
〔5〕 【化5】 で表される繰り返し単位を有するポリイミドとを等重量
含み、2,2−ビス(4−マレイミドフェノキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンを前記ポリイミドに対して
重量比で1〜4含み、2,2−ビス(4−アミノフェノキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパンを接着剤の全樹脂
分に対して1〜10重量%含む請求項1に記載のポリイ
ミド接着シート。5. The adhesive has the formula [4]: A polyimide having a repeating unit represented by the formula [5] And a polyimide having a repeating unit represented by the formula: The polyimide adhesive sheet according to claim 1, which contains 4-aminophenoxyphenyl) hexafluoropropane in an amount of 1 to 10% by weight based on the total resin content of the adhesive.
いる薄膜多層配線基板において、前記層間絶縁層が、ポ
リイミドフィルム上にビスマレイミド,ポリイミドおよ
びジアミンを主成分とする接着剤層を設けたポリイミド
接着シートからなり、前記ビスマレイミドのポリイミド
に対する配合量が重量比で1〜4であり、全樹脂分に対
するジアミンの添加量が1〜10重量%であることを特
徴とする薄膜多層配線基板。6. A thin-film multilayer wiring board in which a wiring layer is formed via an interlayer insulating layer, wherein the interlayer insulating layer has an adhesive layer containing bismaleimide, polyimide and diamine as main components on a polyimide film. A thin film multilayer wiring board comprising a polyimide adhesive sheet, wherein the amount of the bismaleimide compounded with respect to the polyimide is 1 to 4 and the amount of the diamine added to the total resin is 1 to 10% by weight. .
を、R2はフェニル,ビフェニル,フェニルエーテル,
アミノフェノキシフェニルメタン,アミノフェノキシフ
ェニルプロパン,アミノフェノキシフェニルヘキサフロ
ロプロパン,ヘキサフロロメチルアミノフェノキシフェ
ニルヘキサフロロプロパンを示す。)で表される繰り返
し単位を有するポリイミドである請求項6に記載の薄膜
多層配線基板。7. The polyimide has the formula [1]: (In the formula, R 1 is phenyl, biphenyl, benzophenone, R 2 is phenyl, biphenyl, phenyl ether,
Aminophenoxyphenylmethane, aminophenoxyphenylpropane, aminophenoxyphenylhexafluoropropane, and hexafluoromethylaminophenoxyphenylhexafluoropropane are shown. 7. The thin film multilayer wiring board according to claim 6, which is a polyimide having a repeating unit represented by the formula (1).
ニルを、R4およびR5は水素,炭素数3以下の低級アル
キル、炭素数3以下の低級フルオロアルキルを示し、こ
れらは互いに異なっていてもよい。)で表されるビスマ
レイミドである請求項6に記載の薄膜多層配線基板。8. The bismaleimide is represented by the formula [2]: (In the formula, R 3 represents biphenyl, phenyl ether, biphenyl, R 4 and R 5 represent hydrogen, lower alkyl having 3 or less carbon atoms, lower fluoroalkyl having 3 or less carbon atoms, and these may be different from each other. 7.) The thin-film multilayer wiring board according to claim 6, which is bismaleimide.
30以下の脂肪族誘導体、R7,R8は水素,炭素数3以
下の低級アルキル基,低級フルオロアルキル基を示し、
これらは互いに異なっていてもよい。)で表されるジア
ミンである請求項6に記載の薄膜多層配線基板。9. The diamine has the formula [3]: (In the formula, R 6 is an aromatic derivative having 5 or less aromatic rings, an aliphatic derivative having 30 or less carbon atoms, R 7 and R 8 are hydrogen, a lower alkyl group having 3 or less carbon atoms, and a lower fluoroalkyl group,
These may be different from each other. The thin film multilayer wiring board according to claim 6, which is a diamine represented by the formula (4).
〔5〕 【化10】 で表される繰り返し単位を有するポリイミドとを等重量
含み、2,2−ビス(4−マレイミドフェノキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンを前記ポリイミドに対して
重量比で1〜4含み、2,2−ビス(4−アミノフェノキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパンを接着剤の全樹脂
分に対して1〜10重量%含む請求項6に記載の薄膜多
層配線基板。10. The adhesive has the formula [4]: A polyimide having a repeating unit represented by the formula [5] And a polyimide having a repeating unit represented by 2,2-bis (4-maleimidophenoxyphenyl) hexafluoropropane in a weight ratio of 1 to 4 with respect to the polyimide, and 2,2-bis ( 7. The thin film multilayer wiring board according to claim 6, wherein 4-aminophenoxyphenyl) hexafluoropropane is contained in an amount of 1 to 10% by weight based on the total resin content of the adhesive.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19475895A JPH0940922A (en) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | Adhesive polyimide sheet and multilayered thin-film circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP19475895A JPH0940922A (en) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | Adhesive polyimide sheet and multilayered thin-film circuit board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0940922A true JPH0940922A (en) | 1997-02-10 |
Family
ID=16329757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19475895A Pending JPH0940922A (en) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | Adhesive polyimide sheet and multilayered thin-film circuit board |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0940922A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000290606A (en) * | 1999-04-08 | 2000-10-17 | Ube Ind Ltd | Interlayer insulating adhesive sheet and multilayer circuit board |
JP2002314247A (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method |
JP2006104337A (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Mitsui Chemicals Inc | Resin composition and metal-laminated plate |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19475895A patent/JPH0940922A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000290606A (en) * | 1999-04-08 | 2000-10-17 | Ube Ind Ltd | Interlayer insulating adhesive sheet and multilayer circuit board |
JP2002314247A (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method |
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