JPH0936403A - 基体の製造方法およびそれを用いた太陽電池 - Google Patents
基体の製造方法およびそれを用いた太陽電池Info
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- JPH0936403A JPH0936403A JP7180459A JP18045995A JPH0936403A JP H0936403 A JPH0936403 A JP H0936403A JP 7180459 A JP7180459 A JP 7180459A JP 18045995 A JP18045995 A JP 18045995A JP H0936403 A JPH0936403 A JP H0936403A
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 インゴットからスライスする工程を省略可能
な基体の製造方法、及び、量産性が高く、安価で、かつ
良質の太陽電池を提供する。 【解決手段】 半導体層を支持する基体の製造方法にお
いて、搬送される方向に対して垂直方向に板状の溝を有
する鋳型１０１が、前記板状の溝の内部にＳｉからなる
原料を注入される第１工程と、鋳型をＳｉの融点よりも
高い温度に保ち、Ｓｉからなる原料を融解１０６させて
板状の溝を満たす第２工程と、鋳型が搬送される方向に
負の温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動する
第３工程と、鋳型が前記炉内を移動する間に、融解され
たＳｉを固化１０７させる第４工程と、からなる。ま
た、光電変換素子をなす半導体層が、上述した基体上に
形成される。
な基体の製造方法、及び、量産性が高く、安価で、かつ
良質の太陽電池を提供する。 【解決手段】 半導体層を支持する基体の製造方法にお
いて、搬送される方向に対して垂直方向に板状の溝を有
する鋳型１０１が、前記板状の溝の内部にＳｉからなる
原料を注入される第１工程と、鋳型をＳｉの融点よりも
高い温度に保ち、Ｓｉからなる原料を融解１０６させて
板状の溝を満たす第２工程と、鋳型が搬送される方向に
負の温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動する
第３工程と、鋳型が前記炉内を移動する間に、融解され
たＳｉを固化１０７させる第４工程と、からなる。ま
た、光電変換素子をなす半導体層が、上述した基体上に
形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体の製造方法および
太陽電池に係る。より詳細には、安価で、かつ、不純物
の少ない表面を有する基体の製造方法に関する。また、
上記基体の製造方法による基体を用いることによって、
光電変換特性が改善された太陽電池に関する。
太陽電池に係る。より詳細には、安価で、かつ、不純物
の少ない表面を有する基体の製造方法に関する。また、
上記基体の製造方法による基体を用いることによって、
光電変換特性が改善された太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種機器の駆動エネルギー源や商用電力
と系統連結させる電源として、太陽電池が広く研究され
ている。
と系統連結させる電源として、太陽電池が広く研究され
ている。
【０００３】このような太陽電池は、コスト的要請から
金属のように低価格で入手できる基体上に、光電変換素
子が形成できることが望まれている。
金属のように低価格で入手できる基体上に、光電変換素
子が形成できることが望まれている。
【０００４】一方、太陽電池を構成する光電変換素子と
しては、一般にＳｉからなる半導体が用いられる。光エ
ネルギーを電気エネルギーに変換する効率の点からは、
前記半導体としては、単結晶Ｓｉを用いるのが好まし
い。しかし、太陽電池の大面積化および低コスト化の点
から、アモルファスＳｉが有利である。また近年では、
アモルファスＳｉ並みの低コストと単結晶Ｓｉ並みの高
い光電変換効率とを同時に得る目的から多結晶Ｓｉの使
用が検討されている。
しては、一般にＳｉからなる半導体が用いられる。光エ
ネルギーを電気エネルギーに変換する効率の点からは、
前記半導体としては、単結晶Ｓｉを用いるのが好まし
い。しかし、太陽電池の大面積化および低コスト化の点
から、アモルファスＳｉが有利である。また近年では、
アモルファスＳｉ並みの低コストと単結晶Ｓｉ並みの高
い光電変換効率とを同時に得る目的から多結晶Ｓｉの使
用が検討されている。
【０００５】しかしながら、従来の単結晶Ｓｉや多結晶
Ｓｉからなる太陽電池では、塊状の結晶をスライスし、
板状体に加工して用いるため、その厚さを０．３ｍｍ以
下にすることは困難であった。したがって、光量を吸収
するのに必要十分な厚さ以上となっているため、材料の
有効利用が不十分であった。すなわち、コストを下げる
ためには、さらなる薄型化を図る必要があった。
Ｓｉからなる太陽電池では、塊状の結晶をスライスし、
板状体に加工して用いるため、その厚さを０．３ｍｍ以
下にすることは困難であった。したがって、光量を吸収
するのに必要十分な厚さ以上となっているため、材料の
有効利用が不十分であった。すなわち、コストを下げる
ためには、さらなる薄型化を図る必要があった。
【０００６】最近では、上述した薄型化を解決する方法
として、溶融したＳｉの液滴を鋳型に流し込むスピン法
によりシリコンシートを形成する方法が提案されてい
る。しかし、この方法によっても、厚さは最小０．１ｍ
ｍ〜０．２ｍｍ程度であり、結晶Ｓｉとして光吸収に必
要十分な膜厚（２０〜５０μｍ）に比べて、まだ薄型化
が不十分である。また、このような薄型化によって、シ
リコンシート自体が基体としての強度を維持することが
困難となる。その結果、必然的にシリコンシートを支持
する別の安価な基体が要求される。
として、溶融したＳｉの液滴を鋳型に流し込むスピン法
によりシリコンシートを形成する方法が提案されてい
る。しかし、この方法によっても、厚さは最小０．１ｍ
ｍ〜０．２ｍｍ程度であり、結晶Ｓｉとして光吸収に必
要十分な膜厚（２０〜５０μｍ）に比べて、まだ薄型化
が不十分である。また、このような薄型化によって、シ
リコンシート自体が基体としての強度を維持することが
困難となる。その結果、必然的にシリコンシートを支持
する別の安価な基体が要求される。
【０００７】このような別の安価な基体としては、例え
ば金属級Ｓｉ（T.Warabisako, T.Saitoh, E.Kuroda, H.
Itoh. N.Nakamura and T.Tokuyama, “Efficient Solar
Cells from Metallurgical-GradeSilicon", Proceedin
gs of the 11th Conferenceon Solid State Devices, T
okyo, 1979; Japanese Journal of Applied Physics,
19 (1980) Supplement 19-1, p.539）が挙げられる。T.
Warabisako 等は、前記金属級Ｓｉを用いて基体を形成
し、その上に光吸収に必要十分な膜厚のＳｉ層を形成し
て太陽電池とする試みを報告している。
ば金属級Ｓｉ（T.Warabisako, T.Saitoh, E.Kuroda, H.
Itoh. N.Nakamura and T.Tokuyama, “Efficient Solar
Cells from Metallurgical-GradeSilicon", Proceedin
gs of the 11th Conferenceon Solid State Devices, T
okyo, 1979; Japanese Journal of Applied Physics,
19 (1980) Supplement 19-1, p.539）が挙げられる。T.
Warabisako 等は、前記金属級Ｓｉを用いて基体を形成
し、その上に光吸収に必要十分な膜厚のＳｉ層を形成し
て太陽電池とする試みを報告している。
【０００８】しかしながら、T.Warabisako 等の方法で
は、金属級Ｓｉを引き上げ法によって塊状結晶とした
後、これをスライスして板状基板を作製している。ゆえ
に、従来の単結晶Ｓｉを基体として用いたプロセスと同
じであり、安価な材料である金属級Ｓｉのメリットが生
かされていないという問題があった。また、現状では、
十分な特性を得るためには前記引き上げを２回行う必要
があり、製造に多大な時間がかかるという問題もあっ
た。
は、金属級Ｓｉを引き上げ法によって塊状結晶とした
後、これをスライスして板状基板を作製している。ゆえ
に、従来の単結晶Ｓｉを基体として用いたプロセスと同
じであり、安価な材料である金属級Ｓｉのメリットが生
かされていないという問題があった。また、現状では、
十分な特性を得るためには前記引き上げを２回行う必要
があり、製造に多大な時間がかかるという問題もあっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
で、かつ、不純物の少ない表面を有する基体の製造方法
を提供することである。
で、かつ、不純物の少ない表面を有する基体の製造方法
を提供することである。
【００１０】また、本発明の他の目的は、上記基体の製
造方法による基体を用いることによって、光電変換特性
が改善された太陽電池を提供することである。
造方法による基体を用いることによって、光電変換特性
が改善された太陽電池を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の基体の製造方法
は、半導体層を支持する基体の製造方法において、搬送
される方向に対して垂直方向に板状の溝を有する鋳型
が、前記板状の溝の内部にＳｉからなる原料を注入され
る第１工程と、前記鋳型をＳｉの融点よりも高い温度に
保ち、前記Ｓｉからなる原料を融解させて前記板状の溝
を満たす第２工程と、前記鋳型が搬送される方向に負の
温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動する第３
工程と、前記鋳型が前記炉内を移動する間に、融解され
た前記Ｓｉを固化させる第４工程と、からなることを特
徴とする。
は、半導体層を支持する基体の製造方法において、搬送
される方向に対して垂直方向に板状の溝を有する鋳型
が、前記板状の溝の内部にＳｉからなる原料を注入され
る第１工程と、前記鋳型をＳｉの融点よりも高い温度に
保ち、前記Ｓｉからなる原料を融解させて前記板状の溝
を満たす第２工程と、前記鋳型が搬送される方向に負の
温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動する第３
工程と、前記鋳型が前記炉内を移動する間に、融解され
た前記Ｓｉを固化させる第４工程と、からなることを特
徴とする。
【００１２】また、前記鋳型の材質は、カーボン・グラ
ファイト、シリコン・カーバイト、又は窒化珪素の中か
ら選択され、前記Ｓｉからなる原料は、金属級Ｓｉであ
ることが好ましい。
ファイト、シリコン・カーバイト、又は窒化珪素の中か
ら選択され、前記Ｓｉからなる原料は、金属級Ｓｉであ
ることが好ましい。
【００１３】さらに、前記板状の溝の内面には、少なく
ともＳｉ3Ｎ4を含む離型剤が被膜されていることが望ま
しい。前記基体は、光電変換素子用として好適に用いら
れる。
ともＳｉ3Ｎ4を含む離型剤が被膜されていることが望ま
しい。前記基体は、光電変換素子用として好適に用いら
れる。
【００１４】本発明の太陽電池は、光電変換素子をなす
前記半導体層が、請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の基体上に形成されたことを特徴とする。
前記半導体層が、請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の基体上に形成されたことを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明に係る請求項１では、第１工程から第４
工程を設けたため、以下に示す点の改善が図られた基体
の製造方法が得られる。
工程を設けたため、以下に示す点の改善が図られた基体
の製造方法が得られる。
【００１６】まず、搬送される方向に対して垂直方向に
板状の溝を有する鋳型が、前記板状の溝の内部にＳｉか
らなる原料を注入される第１工程を設けたため、前記板
状の溝の内部に、原料を均一に注入することができる。
板状の溝を有する鋳型が、前記板状の溝の内部にＳｉか
らなる原料を注入される第１工程を設けたため、前記板
状の溝の内部に、原料を均一に注入することができる。
【００１７】また、前記鋳型をＳｉの融点よりも高い温
度に保ち、前記Ｓｉからなる原料を融解させて前記板状
の溝を満たす第２工程を設けたため、注入された原料は
十分に融解状態となる。
度に保ち、前記Ｓｉからなる原料を融解させて前記板状
の溝を満たす第２工程を設けたため、注入された原料は
十分に融解状態となる。
【００１８】さらに、前記鋳型が搬送される方向に負の
温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動する第３
工程を設けたため、溶融した金属級Ｓｉが固化される
際、前記負の温度勾配により、鋳型の搬送される方向を
向いた面からＳｉの固化が始まり、これと反対側の面が
最後に固化する。その結果、金属級Ｓｉに含まれる不純
物は最後に固化する進行方向とは反対側の面付近に偏析
する。したがって、鋳型の搬送される方向を向いた面が
不純物の比較的少ない基板面として得られる。
温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動する第３
工程を設けたため、溶融した金属級Ｓｉが固化される
際、前記負の温度勾配により、鋳型の搬送される方向を
向いた面からＳｉの固化が始まり、これと反対側の面が
最後に固化する。その結果、金属級Ｓｉに含まれる不純
物は最後に固化する進行方向とは反対側の面付近に偏析
する。したがって、鋳型の搬送される方向を向いた面が
不純物の比較的少ない基板面として得られる。
【００１９】またさらに、前記鋳型が前記炉内を移動す
る間に、融解された前記Ｓｉを固化させる第４工程を設
けたため、後加工無しに、金属級Ｓｉからなる板状の基
板が得られる。したがって、従来行われていた引き上げ
法のように基板形状をスライスするための工程が省略で
き、時間的・コスト的に改善する。
る間に、融解された前記Ｓｉを固化させる第４工程を設
けたため、後加工無しに、金属級Ｓｉからなる板状の基
板が得られる。したがって、従来行われていた引き上げ
法のように基板形状をスライスするための工程が省略で
き、時間的・コスト的に改善する。
【００２０】本発明に係る請求項２では、前記鋳型の材
質が、カーボン・グラファイト、シリコン・カーバイ
ト、又は窒化珪素の中から選択されるため、繰り返し使
用に耐える鋳型が形成できる。その結果、低コスト化が
図られ、安価な基体の製造方法が得られる。
質が、カーボン・グラファイト、シリコン・カーバイ
ト、又は窒化珪素の中から選択されるため、繰り返し使
用に耐える鋳型が形成できる。その結果、低コスト化が
図られ、安価な基体の製造方法が得られる。
【００２１】本発明に係る請求項３では、前記Ｓｉから
なる原料が、金属級Ｓｉであるため、高純度Ｓｉ等で比
べた場合、材料費が非常に安く抑えられる。その結果、
通常のウエハと同等の強度を有する安価な基体の製造方
法が得られる。
なる原料が、金属級Ｓｉであるため、高純度Ｓｉ等で比
べた場合、材料費が非常に安く抑えられる。その結果、
通常のウエハと同等の強度を有する安価な基体の製造方
法が得られる。
【００２２】本発明に係る請求項４では、前記板状の溝
の内面には、少なくともＳｉ3Ｎ4を含む離型剤が被膜さ
れているため、固化後の金属級Ｓｉからなる板状基体の
鋳型からの取り外しが容易となる。その結果、一度に多
数枚の板状基体の処理が可能になる。
の内面には、少なくともＳｉ3Ｎ4を含む離型剤が被膜さ
れているため、固化後の金属級Ｓｉからなる板状基体の
鋳型からの取り外しが容易となる。その結果、一度に多
数枚の板状基体の処理が可能になる。
【００２３】本発明に係る請求項５では、前記基体が、
光電変換素子用であるため、従来の単結晶Ｓｉ基体や多
結晶Ｓｉ基体に比べ材料の有効利用が可能となる。その
結果、製造コストの低い太陽電池を供給できる基体の製
造方法が得られる。
光電変換素子用であるため、従来の単結晶Ｓｉ基体や多
結晶Ｓｉ基体に比べ材料の有効利用が可能となる。その
結果、製造コストの低い太陽電池を供給できる基体の製
造方法が得られる。
【００２４】本発明に係る請求項６では、光電変換素子
をなす前記半導体層が、請求項１乃至５のいずれか１項
に記載の基体上に形成されたため、Ｓｉ等からなる半導
体層成長時に、前記基体から前記半導体層ヘの不純物移
動を低減できる。その結果、従来その対策として行われ
ていたゲッタリング処理を省略することができるため、
低コスト化が図れる。
をなす前記半導体層が、請求項１乃至５のいずれか１項
に記載の基体上に形成されたため、Ｓｉ等からなる半導
体層成長時に、前記基体から前記半導体層ヘの不純物移
動を低減できる。その結果、従来その対策として行われ
ていたゲッタリング処理を省略することができるため、
低コスト化が図れる。
【００２５】
（基体）本発明に係る基体に使用される金属級Ｓｉとし
ては、低純度、具体的には不純物元素を１ｐｐｍ乃至２
％含むものが安価で容易に用いられる。粉末状にしてか
ら、溶融される前に、必要に応じて予め塩酸等の酸によ
る処理を行い、不純物の量を軽減しておくことも可能で
ある。
ては、低純度、具体的には不純物元素を１ｐｐｍ乃至２
％含むものが安価で容易に用いられる。粉末状にしてか
ら、溶融される前に、必要に応じて予め塩酸等の酸によ
る処理を行い、不純物の量を軽減しておくことも可能で
ある。
【００２６】（鋳型）本発明に係る鋳型としては、縦方
向に板状に溝を設けたものであって、溝の数は一つの鋳
型に対して一つでも複数でもよく、またこのような溝を
持った鋳型を複数個連結した構造のものでも構わない。
鋳型の材質としては、加工の容易性や価格の点からカー
ボン・グラファイトが用いられる。しかし、溶融／固化
したＳｉを離型させる材料が塗布でき、かつ、融点がＳ
ｉのそれよりも高いものであれば何でも良く、シリコン
・カーバイトや窒化珪素等も使用可能である。
向に板状に溝を設けたものであって、溝の数は一つの鋳
型に対して一つでも複数でもよく、またこのような溝を
持った鋳型を複数個連結した構造のものでも構わない。
鋳型の材質としては、加工の容易性や価格の点からカー
ボン・グラファイトが用いられる。しかし、溶融／固化
したＳｉを離型させる材料が塗布でき、かつ、融点がＳ
ｉのそれよりも高いものであれば何でも良く、シリコン
・カーバイトや窒化珪素等も使用可能である。
【００２７】（離型剤）本発明に係る鋳型内に塗布され
る離型剤としては、溶融したＳｉに対して反応を起こさ
ず接触角の大きいものが選ばれる。具体的にはＳｉ3Ｎ4
を主成分としたものが用いられ、必要に応じてＳｉＯ2
等が添加される。離型剤の鋳型内への被膜の仕方として
は、粉末状のＳｉ3Ｎ4を分散させた有機溶液あるいはシ
ラノール溶液を鋳型内にスプレーし、４００℃以上の熱
処理をして被膜を形成する。
る離型剤としては、溶融したＳｉに対して反応を起こさ
ず接触角の大きいものが選ばれる。具体的にはＳｉ3Ｎ4
を主成分としたものが用いられ、必要に応じてＳｉＯ2
等が添加される。離型剤の鋳型内への被膜の仕方として
は、粉末状のＳｉ3Ｎ4を分散させた有機溶液あるいはシ
ラノール溶液を鋳型内にスプレーし、４００℃以上の熱
処理をして被膜を形成する。
【００２８】（炉）本発明に係る炉としては、電気炉が
制御性の上から好ましい。また、同一炉内にＳｉを融解
するためにＳｉの融点以上の温度一定に保たれた部位
と、Ｓｉの融点以上の温度から融点以下の温度に至るま
で負の温度勾配の設けられた部位とを有し、これらの部
位の間を鋳型が移動できる構造のものが望ましい。
制御性の上から好ましい。また、同一炉内にＳｉを融解
するためにＳｉの融点以上の温度一定に保たれた部位
と、Ｓｉの融点以上の温度から融点以下の温度に至るま
で負の温度勾配の設けられた部位とを有し、これらの部
位の間を鋳型が移動できる構造のものが望ましい。
【００２９】炉内に設けられる温度勾配、及び、鋳型が
温度勾配のある部位を移動するときの速度は、溶融させ
たＳｉの固化条件によって適宜決められる。しかし、固
化したシートの結晶性や不純物の偏析効果の点から、鋳
型が移動するときに受ける降温速度（＝温度勾配×移動
速度）は、およそ−３０℃／ｍｉｎ以下となるように設
定されるのが好ましい。
温度勾配のある部位を移動するときの速度は、溶融させ
たＳｉの固化条件によって適宜決められる。しかし、固
化したシートの結晶性や不純物の偏析効果の点から、鋳
型が移動するときに受ける降温速度（＝温度勾配×移動
速度）は、およそ−３０℃／ｍｉｎ以下となるように設
定されるのが好ましい。
【００３０】
【実施例】以下実施例により、本発明に係る基体の製造
方法および太陽電池について更に詳しく説明するが、本
発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
方法および太陽電池について更に詳しく説明するが、本
発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００３１】（実施例１）本例では、図１に示した基体
の製造工程に基づき、金属級Ｓｉの溶融／固化によるシ
ート基体の製造方法に関して説明する。図１の鋳型１０
１は、縦方向に板状の溝を設けたカーボン製のものを用
いた。また、溝の表面に固化したＳｉを容易に取り出す
目的で、その内面にはＳｉ3Ｎ4膜を塗布した。
の製造工程に基づき、金属級Ｓｉの溶融／固化によるシ
ート基体の製造方法に関して説明する。図１の鋳型１０
１は、縦方向に板状の溝を設けたカーボン製のものを用
いた。また、溝の表面に固化したＳｉを容易に取り出す
目的で、その内面にはＳｉ3Ｎ4膜を塗布した。
【００３２】以下では、上記製造方法を工程に沿って説
明する。 （１）粉末状の金属級Ｓｉ１０３を、フィーダー１０２
を通して鋳型内の溝に投入し、カーボン製の蓋１０４で
溝の口を塞ぎ、図１に示すような電気炉内に置いた。 （２）Ｓｉの融点よりも高い一定温度に設定された電気
炉内に、ある一定時間保持することによって、粉末状金
属級Ｓｉを融液１０６にした。
明する。 （１）粉末状の金属級Ｓｉ１０３を、フィーダー１０２
を通して鋳型内の溝に投入し、カーボン製の蓋１０４で
溝の口を塞ぎ、図１に示すような電気炉内に置いた。 （２）Ｓｉの融点よりも高い一定温度に設定された電気
炉内に、ある一定時間保持することによって、粉末状金
属級Ｓｉを融液１０６にした。
【００３３】（３）同じ電気炉内に設けられた水平方向
に温度勾配のある部位の中をゆっくりと一定速度で鋳型
１０１を移動させた。このとき図１に示すように鋳型の
進行方向に対して温度勾配が負となるように設定した。 （４）鋳型が融点付近に相当する炉の部位を通過した
後、十分離れた所で温度を室温にまで落とした。 （５）固化した板状のシート基体を鋳型から取り出し
た。
に温度勾配のある部位の中をゆっくりと一定速度で鋳型
１０１を移動させた。このとき図１に示すように鋳型の
進行方向に対して温度勾配が負となるように設定した。 （４）鋳型が融点付近に相当する炉の部位を通過した
後、十分離れた所で温度を室温にまで落とした。 （５）固化した板状のシート基体を鋳型から取り出し
た。
【００３４】以下では、上記工程（１）〜（５）によっ
て得られた、シート基体の表面付近の元素分析を行った
結果に関して説明する。
て得られた、シート基体の表面付近の元素分析を行った
結果に関して説明する。
【００３５】表１は不純物分析の結果である。表１にお
いて、「金属級Ｓｉ」とは原料の分析結果であり、「進
行方向側」及び「反対側」とは形成したシート基体の場
合を示した。ここで、「進行方向側」とは、鋳型の進行
方向を向いた側の面を意味する。一方、「反対側」と
は、「進行方向側」の反対面である。
いて、「金属級Ｓｉ」とは原料の分析結果であり、「進
行方向側」及び「反対側」とは形成したシート基体の場
合を示した。ここで、「進行方向側」とは、鋳型の進行
方向を向いた側の面を意味する。一方、「反対側」と
は、「進行方向側」の反対面である。
【００３６】表１から、溶融／固化という過程でかなり
の不純物の移動があったことが分かった。特に、「進行
方向側」は「反対側」に比べて、遥かに不純物の量が減
少していることが確認された。
の不純物の移動があったことが分かった。特に、「進行
方向側」は「反対側」に比べて、遥かに不純物の量が減
少していることが確認された。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１の結果から、鋳型１０１が融点付近に
相当する炉の部位を通過する際、融液１０６は進行方向
を向いた側の面から固化が始まり、反対側の面は最後に
固化したため、金属級Ｓｉに含まれる不純物は進行方向
とは反対側の面付近に偏析することが分かった。またSe
ccoエッチングにより結晶粒界を顕在化させたところ、
得られたシートの結晶粒径は数ｍｍ〜数ｃｍまで拡大し
ており、通常のキャスティング法で得られるＳｉインゴ
ットの場合と同等であった。
相当する炉の部位を通過する際、融液１０６は進行方向
を向いた側の面から固化が始まり、反対側の面は最後に
固化したため、金属級Ｓｉに含まれる不純物は進行方向
とは反対側の面付近に偏析することが分かった。またSe
ccoエッチングにより結晶粒界を顕在化させたところ、
得られたシートの結晶粒径は数ｍｍ〜数ｃｍまで拡大し
ており、通常のキャスティング法で得られるＳｉインゴ
ットの場合と同等であった。
【００３９】（実施例２）本例では、実施例１で得られ
たシート基体上に、ＣＶＤ法によりＳｉ層を結晶成長さ
せた場合を説明する。 （１）シート基体の不純物が偏析した側の面をＨＦ／Ｈ
ＮＯ3系のエッチャントにより数十μｍエッチバックし
た。 （２）原料ガスにＳｉＨ2Ｃｌ2を用いて、成長温度を１
０５０℃とし、約０．８μｍ／ｍｉｎの成長速度で、不
純物が少なかった側の面上にＳｉ層を３０μｍ形成し
た。 （３）成長終了後Ｓｉ層表面を光学顕微鏡及び走査型電
子顕微鏡で観察した。
たシート基体上に、ＣＶＤ法によりＳｉ層を結晶成長さ
せた場合を説明する。 （１）シート基体の不純物が偏析した側の面をＨＦ／Ｈ
ＮＯ3系のエッチャントにより数十μｍエッチバックし
た。 （２）原料ガスにＳｉＨ2Ｃｌ2を用いて、成長温度を１
０５０℃とし、約０．８μｍ／ｍｉｎの成長速度で、不
純物が少なかった側の面上にＳｉ層を３０μｍ形成し
た。 （３）成長終了後Ｓｉ層表面を光学顕微鏡及び走査型電
子顕微鏡で観察した。
【００４０】その結果、得られたＳｉ層表面はシート基
体の表面と同等であり、比較的平坦なＳｉ層が形成され
た。また、結晶粒径も下地であるシートの大きさを受け
継いでいた。さらに、得られたＳｉ層表面のエッチピッ
ト密度は、約１×１０4個／ｃｍ2であった。
体の表面と同等であり、比較的平坦なＳｉ層が形成され
た。また、結晶粒径も下地であるシートの大きさを受け
継いでいた。さらに、得られたＳｉ層表面のエッチピッ
ト密度は、約１×１０4個／ｃｍ2であった。
【００４１】（実施例３）本例では、実施例２で作製し
たＳｉ層を活性層として、その上に薄膜太陽電池を形成
した場合を説明する。
たＳｉ層を活性層として、その上に薄膜太陽電池を形成
した場合を説明する。
【００４２】以下では、薄膜太陽電池の形成工程に沿っ
て説明する。 （１）Ｓｉ層の表面に、イオン打ち込み法により、Ｐを
８０ｋｅＶ、１×１０15／ｃｍ2の条件で打ち込んだ。
その後、アニール（温度８００℃、時間３０分）して、
ｎ+層を形成した。 （２）上記ｎ+層の上に、集電電極（Ｃｒ（０．０２μ
ｍ）／Ａｇ（１μｍ）／Ｃｒ（０．００４μｍ））／透
明電極（ＩＴＯ（０．０８５μｍ））を、真空蒸着によ
り形成した。 （３）シート基体の裏面に、Ａ１を蒸着し、裏面電極と
した。
て説明する。 （１）Ｓｉ層の表面に、イオン打ち込み法により、Ｐを
８０ｋｅＶ、１×１０15／ｃｍ2の条件で打ち込んだ。
その後、アニール（温度８００℃、時間３０分）して、
ｎ+層を形成した。 （２）上記ｎ+層の上に、集電電極（Ｃｒ（０．０２μ
ｍ）／Ａｇ（１μｍ）／Ｃｒ（０．００４μｍ））／透
明電極（ＩＴＯ（０．０８５μｍ））を、真空蒸着によ
り形成した。 （３）シート基体の裏面に、Ａ１を蒸着し、裏面電極と
した。
【００４３】上記工程（１）〜（３）によって作製した
薄膜結晶太陽電池に対して、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／
ｃｍ2）光照射下でのＩ−Ｖ特性を測定した。その結
果、セル面積２ｃｍ2の場合、開放電圧０．５７Ｖ、短
絡光電流２９ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．７４となり、
変換効率１２．２％を得た。
薄膜結晶太陽電池に対して、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／
ｃｍ2）光照射下でのＩ−Ｖ特性を測定した。その結
果、セル面積２ｃｍ2の場合、開放電圧０．５７Ｖ、短
絡光電流２９ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．７４となり、
変換効率１２．２％を得た。
【００４４】本例の結果から、金属級Ｓｉを溶融／固化
したシート基体を用い、その上にＳｉ層を積層すること
で、良好な特性を有する薄膜結晶太陽電池が形成できる
ことが分かった。
したシート基体を用い、その上にＳｉ層を積層すること
で、良好な特性を有する薄膜結晶太陽電池が形成できる
ことが分かった。
【００４５】（実施例４）本例では、金属級Ｓｉの溶融
／固化によるシート基体の製造方法において、次に示す
２つの点が実施例１と異なる。 （イ）粉末状の金属級Ｓｉとして、１２０℃に加熱した
塩酸／過酸化水混合溶液に粉末状の金属級Ｓｉを通して
不純物を浸出させた後、水洗／乾燥したものを用いた。
／固化によるシート基体の製造方法において、次に示す
２つの点が実施例１と異なる。 （イ）粉末状の金属級Ｓｉとして、１２０℃に加熱した
塩酸／過酸化水混合溶液に粉末状の金属級Ｓｉを通して
不純物を浸出させた後、水洗／乾燥したものを用いた。
【００４６】（ロ）上記（イ）で作製した粉末状の金属
級Ｓｉを、フィーダーを用いてカーボン・グラファイト
製の鋳型内の溝に充填した。但し、鋳型の溝の内面に
は、予めＳｉ3Ｎ4粉末を分散させたシラノール溶液を鋳
型内に塗布し、４００℃の熱処理をして離型用被膜を形
成した。他の点は、実施例１と同様とした。
級Ｓｉを、フィーダーを用いてカーボン・グラファイト
製の鋳型内の溝に充填した。但し、鋳型の溝の内面に
は、予めＳｉ3Ｎ4粉末を分散させたシラノール溶液を鋳
型内に塗布し、４００℃の熱処理をして離型用被膜を形
成した。他の点は、実施例１と同様とした。
【００４７】以下では、上記製造方法を工程に沿って説
明する。 （１）図１に示す構造の電気炉内に鋳型を投入し、Ｓｉ
の融点よりも高い一定温度（１５００℃）に保持した。 （２）一定時間（３０分〜１時間）経過したところで、
同じ炉内の別の部位に設定された負の温度勾配（１℃／
ｍｍ）の中を、１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で移動させた。 （３）Ｓｉが完全に固化し終わってからもしばらく移動
を続け、融点よりも十分低い温度領域に鋳型が来たとこ
ろで電気炉のヒータを切り、鋳型の温度を室温まで下げ
た。
明する。 （１）図１に示す構造の電気炉内に鋳型を投入し、Ｓｉ
の融点よりも高い一定温度（１５００℃）に保持した。 （２）一定時間（３０分〜１時間）経過したところで、
同じ炉内の別の部位に設定された負の温度勾配（１℃／
ｍｍ）の中を、１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で移動させた。 （３）Ｓｉが完全に固化し終わってからもしばらく移動
を続け、融点よりも十分低い温度領域に鋳型が来たとこ
ろで電気炉のヒータを切り、鋳型の温度を室温まで下げ
た。
【００４８】以下では、上記工程（１）〜（３）によっ
て得られた、シート基体の表面付近の元素分析を行った
結果に関して説明する。
て得られた、シート基体の表面付近の元素分析を行った
結果に関して説明する。
【００４９】表２は不純物分析の結果である。表２にお
いて、「進行方向側」とは、鋳型の進行方向を向いた側
の面を意味する。一方、「反対側」とは、「進行方向
側」の反対面である。
いて、「進行方向側」とは、鋳型の進行方向を向いた側
の面を意味する。一方、「反対側」とは、「進行方向
側」の反対面である。
【００５０】
【表２】 表２から、鋳型の進行方向を向いた側の面では、反対側
の面に比ベて遥かに不純物の量が減少していることが分
かった。
の面に比ベて遥かに不純物の量が減少していることが分
かった。
【００５１】また、Seccoエッチングにより結晶粒界を
顕在化させたところ、得られたシート基体の結晶粒径は
数ｍｍ〜数ｃｍまで拡大しており、通常のキャステイン
グ法で得られるＳｉインゴットの場合と同等であった。
顕在化させたところ、得られたシート基体の結晶粒径は
数ｍｍ〜数ｃｍまで拡大しており、通常のキャステイン
グ法で得られるＳｉインゴットの場合と同等であった。
【００５２】（実施例５）本例では、金属級Ｓｉの溶融
／固化によるシート基体の製造方法において、次に示す
２つの点が実施例１と異なる。 （イ）図１に示すようなＳｉＣ製の鋳型を作製し、鋳型
内の溝の内面にはＳｉ3Ｎ4粉末を分散させたシラノール
溶液を塗布し、６００℃の熱処理をして離型用被膜を形
成した。
／固化によるシート基体の製造方法において、次に示す
２つの点が実施例１と異なる。 （イ）図１に示すようなＳｉＣ製の鋳型を作製し、鋳型
内の溝の内面にはＳｉ3Ｎ4粉末を分散させたシラノール
溶液を塗布し、６００℃の熱処理をして離型用被膜を形
成した。
【００５３】（ロ）１２０℃に加熱した塩酸／過酸化水
混合溶液に粉末状の金属級Ｓｉを通して不純物を浸出さ
せた後、水洗／乾燥してからフィーダーを用いて鋳型内
の溝に充填した。他の点は、実施例１と同様とした。
混合溶液に粉末状の金属級Ｓｉを通して不純物を浸出さ
せた後、水洗／乾燥してからフィーダーを用いて鋳型内
の溝に充填した。他の点は、実施例１と同様とした。
【００５４】以下では、上記製造方法を工程に沿って説
明する。 （１）図１に示す構造の電気炉内に鋳型を投入し、１４
８０℃の一定温度に保持した。 （２）４０分程経過したところで、同じ炉内の別の部位
に設定された−０．５℃／ｍｍの温度勾配の中を、１５
ｍｍ／ｍｉｎの速度で移動させた。 （３）Ｓｉが完全に固化し終わってからもしばらく移動
を続け、融点よりも十分低い温度領域に鋳型が来たとこ
ろで電気炉のヒータを切り、鋳型の温度を室温まで下げ
た。
明する。 （１）図１に示す構造の電気炉内に鋳型を投入し、１４
８０℃の一定温度に保持した。 （２）４０分程経過したところで、同じ炉内の別の部位
に設定された−０．５℃／ｍｍの温度勾配の中を、１５
ｍｍ／ｍｉｎの速度で移動させた。 （３）Ｓｉが完全に固化し終わってからもしばらく移動
を続け、融点よりも十分低い温度領域に鋳型が来たとこ
ろで電気炉のヒータを切り、鋳型の温度を室温まで下げ
た。
【００５５】（４）固化した板状のシートを鋳型から取
り出し、シート基体の不純物が偏析した側の面をＨＦ／
ＨＮＯ3系のエッチャントにより数十μｍエッチバック
した。 （５）エッチバックした面をサンドブラストで荒らして
から、シート基体に対して１１００℃、３時間のゲッタ
リング処理を行った。
り出し、シート基体の不純物が偏析した側の面をＨＦ／
ＨＮＯ3系のエッチャントにより数十μｍエッチバック
した。 （５）エッチバックした面をサンドブラストで荒らして
から、シート基体に対して１１００℃、３時間のゲッタ
リング処理を行った。
【００５６】表３は、上記工程（１）〜（５）によって
得られたシート基体において、鋳型の進行方向を向いた
側の面に対して元素分析を行った結果である。
得られたシート基体において、鋳型の進行方向を向いた
側の面に対して元素分析を行った結果である。
【００５７】
【表３】 表３から、鋳型の進行方向を向いた側の面の不純物量
は、ゲッタ処理後の方が処理前に比べて低減しているこ
とが分かった。
は、ゲッタ処理後の方が処理前に比べて低減しているこ
とが分かった。
【００５８】（実施例６）本例では、金属級Ｓｉの溶融
／固化によるシート基体の製造方法において、次に示す
２つの点が実施例１と異なる。その後、得られたシート
基体上に、ＣＶＤ法によりＳｉ層を堆積して太陽電池を
形成した。
／固化によるシート基体の製造方法において、次に示す
２つの点が実施例１と異なる。その後、得られたシート
基体上に、ＣＶＤ法によりＳｉ層を堆積して太陽電池を
形成した。
【００５９】（イ）図１に示すようなＳｉ3Ｎ4製の鋳型
を作製して用いた。 （ロ）１２０℃に加熱した塩酸／過酸化水混合溶液に粉
末状の金属級Ｓｉを通して不純物を浸出させた後、水洗
／乾燥してからフィーダーを用いて鋳型内の溝に充填し
た。他の点は、実施例１と同様とした。
を作製して用いた。 （ロ）１２０℃に加熱した塩酸／過酸化水混合溶液に粉
末状の金属級Ｓｉを通して不純物を浸出させた後、水洗
／乾燥してからフィーダーを用いて鋳型内の溝に充填し
た。他の点は、実施例１と同様とした。
【００６０】以下では、上述したシート基体の製造方法
と太陽電池の形成を、工程に沿って説明する。 （１）図１に示す構造の電気炉内に鋳型を投入し、１４
８０℃の一定温度に保持した。 （２）１時間経過したところで、同じ炉内の別の部位に
設定された−０．３℃／ｍｍの温度勾配の中を、３０ｍ
ｍ／ｍｉｎの速度で移動させた。 （３）Ｓｉが完全に固化し終わってからもしばらく移動
を続け、融点よりも十分低い温度領域に鋳型が来たとこ
ろで電気炉のヒータを切り、鋳型の温度を室温まで下げ
た。
と太陽電池の形成を、工程に沿って説明する。 （１）図１に示す構造の電気炉内に鋳型を投入し、１４
８０℃の一定温度に保持した。 （２）１時間経過したところで、同じ炉内の別の部位に
設定された−０．３℃／ｍｍの温度勾配の中を、３０ｍ
ｍ／ｍｉｎの速度で移動させた。 （３）Ｓｉが完全に固化し終わってからもしばらく移動
を続け、融点よりも十分低い温度領域に鋳型が来たとこ
ろで電気炉のヒータを切り、鋳型の温度を室温まで下げ
た。
【００６１】（４）固化した板状のシートを鋳型から取
り出し、シート基体の不純物が偏析した側の面を、ＨＦ
／ＨＮＯ3系のエッチャントにより数十μｍエッチバッ
クした。 （５）エッチバックした面をサンドブラストで荒らして
から、シート基体に対して１１００℃、３時間のゲッタ
リング処理を行った。 （６）不純物量が低減された側の面（鋳型の進行方向を
向いた側の面）上に、ＳｉＨ2Ｃｌ2を用い、成長温度ｌ
０５０℃、成長速度約０．８μｍ／ｍｉｎにて、Ｓｉ層
を４０μｍ形成した。
り出し、シート基体の不純物が偏析した側の面を、ＨＦ
／ＨＮＯ3系のエッチャントにより数十μｍエッチバッ
クした。 （５）エッチバックした面をサンドブラストで荒らして
から、シート基体に対して１１００℃、３時間のゲッタ
リング処理を行った。 （６）不純物量が低減された側の面（鋳型の進行方向を
向いた側の面）上に、ＳｉＨ2Ｃｌ2を用い、成長温度ｌ
０５０℃、成長速度約０．８μｍ／ｍｉｎにて、Ｓｉ層
を４０μｍ形成した。
【００６２】（７）Ｓｉ層の表面に、ＰＯＣｌ3を拡散
源として９００℃の温度でＰの熱拡散を行い、ｎ+層を
形成した。その接合深さは、０．５μｍ程度であった。 （８）形成されたｎ+層表面のデッド層をエッチングに
より除去した。その結果、約０．２μｍの適度な表面濃
度をもった接合深さを形成した。 （９）ｎ+層の上に、ＩＴＯからなる透明導電膜（約
０．１μｍ）を、電子ビーム蒸着法によって形成した。
源として９００℃の温度でＰの熱拡散を行い、ｎ+層を
形成した。その接合深さは、０．５μｍ程度であった。 （８）形成されたｎ+層表面のデッド層をエッチングに
より除去した。その結果、約０．２μｍの適度な表面濃
度をもった接合深さを形成した。 （９）ｎ+層の上に、ＩＴＯからなる透明導電膜（約
０．１μｍ）を、電子ビーム蒸着法によって形成した。
【００６３】（１０）透明導電膜の上に、集電電極（Ｃ
ｒ（０．０２μｍ）／Ａｇ（１μｍ）／Ｃｒ（０．００
４μｍ））を真空蒸着により形成した。 （１１）シート基体の裏面に、Ａｌを蒸着して裏面電極
を形成した。
ｒ（０．０２μｍ）／Ａｇ（１μｍ）／Ｃｒ（０．００
４μｍ））を真空蒸着により形成した。 （１１）シート基体の裏面に、Ａｌを蒸着して裏面電極
を形成した。
【００６４】上記工程（１）〜（１１）によって作製し
た薄膜結晶太陽電池に対して、ＡＭ１．５（１００ｍＷ
／ｃｍ2）光照射下でのＩ−Ｖ特性を測定した。その結
果、セル面積２ｃｍ2の場合、開放電圧０．５６Ｖ、短
絡光電流３１ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．７５となり、
変換効率１３．０％を得た。
た薄膜結晶太陽電池に対して、ＡＭ１．５（１００ｍＷ
／ｃｍ2）光照射下でのＩ−Ｖ特性を測定した。その結
果、セル面積２ｃｍ2の場合、開放電圧０．５６Ｖ、短
絡光電流３１ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．７５となり、
変換効率１３．０％を得た。
【００６５】本例の結果から、金属級Ｓｉを溶融／固化
したシート基体を用い、その上にＳｉ層を積層すること
で、良好な特性を有する薄膜結晶太陽電池が形成できる
ことが分かった。
したシート基体を用い、その上にＳｉ層を積層すること
で、良好な特性を有する薄膜結晶太陽電池が形成できる
ことが分かった。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
インゴットからスライスする工程を省略可能な基体の製
造方法がえられる。
インゴットからスライスする工程を省略可能な基体の製
造方法がえられる。
【００６７】また、前記基体の製造方法により形成され
た基体を用いることで、量産性が高く、安価で、かつ良
質の太陽電池がえられる。
た基体を用いることで、量産性が高く、安価で、かつ良
質の太陽電池がえられる。
【図１】図１は、本発明に係る基体の製造工程を説明し
た概略図である。
た概略図である。
１０１ 鋳型、 １０２ フィーダー、 １０３ 金属級Ｓｉ、 １０４ 蓋、 １０５ ヒータ、 １０６ 融液Ｓｉ、 １０７ 固化Ｓｉ、 １０８ 不純物偏析領域、 １０９ 炉管。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体層を支持する基体の製造方法にお
いて、搬送される方向に対して垂直方向に板状の溝を有
する鋳型が、前記板状の溝の内部にＳｉからなる原料を
注入される第１工程と、前記鋳型をＳｉの融点よりも高
い温度に保ち、前記Ｓｉからなる原料を融解させて前記
板状の溝を満たす第２工程と、前記鋳型が搬送される方
向に負の温度勾配の設けられた炉内を、前記鋳型が移動
する第３工程と、前記鋳型が前記炉内を移動する間に、
融解された前記Ｓｉを固化させる第４工程と、からなる
ことを特徴とする基体の製造方法。 - 【請求項２】 前記鋳型の材質が、カーボン・グラファ
イト、シリコン・カーバイト、又は窒化珪素の中から選
択されることを特徴とする請求項１に記載の基体の製造
方法。 - 【請求項３】 前記Ｓｉからなる原料が、金属級Ｓｉで
あることを特徴とする請求項１又は２に記載の基体の製
造方法。 - 【請求項４】 前記板状の溝の内面には、少なくともＳ
ｉ3Ｎ4を含む離型剤が被膜されていることを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基体の製造方
法。 - 【請求項５】 前記基体が、光電変換素子用であること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基
体の製造方法。 - 【請求項６】 光電変換素子をなす前記半導体層が、請
求項１乃至５のいずれか１項に記載の基体上に形成され
たことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18045995A JP3596828B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 基体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18045995A JP3596828B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 基体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936403A true JPH0936403A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3596828B2 JP3596828B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=16083601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18045995A Expired - Fee Related JP3596828B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 基体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3596828B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387780B1 (en) | 1996-09-19 | 2002-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication process of solar cell |
| US6602767B2 (en) | 2000-01-27 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery |
| EP2132769A1 (en) * | 2007-03-21 | 2009-12-16 | Mossey Creek Technology, Llc | Method of making a solar grade silicon wafer |
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| JPS54121086A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Forming method of silicon plate |
| JPS6139932U (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-13 | 株式会社 ほくさん | 製造皿 |
| JPH0218927A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Hoxan Corp | 多結晶シリコン薄膜基板の製造方法 |
| JPH02197177A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| JPH04292494A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-16 | Union Material Kk | 整形結晶の製造方法及び製造装置 |
| JPH04311070A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン結晶製品およびその製造方法 |
| JPH0690013A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池及び太陽電池の製造方法並びに半導体インゴットの製造方法及び半導体基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-07-17 JP JP18045995A patent/JP3596828B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6387780B1 (en) | 1996-09-19 | 2002-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication process of solar cell |
| US6869863B2 (en) | 1996-09-19 | 2005-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication process of solar cell |
| US6602767B2 (en) | 2000-01-27 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery |
| EP2132769A1 (en) * | 2007-03-21 | 2009-12-16 | Mossey Creek Technology, Llc | Method of making a solar grade silicon wafer |
| EP2132769A4 (en) * | 2007-03-21 | 2011-06-29 | Mossey Creek Technology Llc | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR SILICON WAFER |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3596828B2 (ja) | 2004-12-02 |
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