JPH09318972A - 液晶表示装置およびその作製方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 開口率の高いアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供する。 【構成】 基板に対して平行な横方向電界により液晶層
を制御して画像表示を行う液晶表示装置において、横方
向電界をブラックマトリクス１０４および画素電極１０
６でもって形成する。即ち、従来別々に設けられていた
コモン電極とブラックマトリクスとを共通化する。そし
て、ブラックマトリクス１０４と画素線１０５とが第３
の層間絶縁膜を介して重畳する領域において保持容量を
形成する構成をとる。この保持容量はブラックマトリク
ス１０４の薄膜トランジスタを覆う領域を全て活用する
ので、電極幅や配線幅の微細化は進められた場合におい
ても十分な容量を確保することができる。
示装置を提供する。 【構成】 基板に対して平行な横方向電界により液晶層
を制御して画像表示を行う液晶表示装置において、横方
向電界をブラックマトリクス１０４および画素電極１０
６でもって形成する。即ち、従来別々に設けられていた
コモン電極とブラックマトリクスとを共通化する。そし
て、ブラックマトリクス１０４と画素線１０５とが第３
の層間絶縁膜を介して重畳する領域において保持容量を
形成する構成をとる。この保持容量はブラックマトリク
ス１０４の薄膜トランジスタを覆う領域を全て活用する
ので、電極幅や配線幅の微細化は進められた場合におい
ても十分な容量を確保することができる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
結晶性珪素膜を用いた半導体装置で制御する液晶表示装
置の構成に関する。液晶表示装置としては、ＭＩＭ型、
単純マトリクス型およびアクティブマトリクス型の液晶
表示装置等に応用できる。
結晶性珪素膜を用いた半導体装置で制御する液晶表示装
置の構成に関する。液晶表示装置としては、ＭＩＭ型、
単純マトリクス型およびアクティブマトリクス型の液晶
表示装置等に応用できる。
【０００２】
【従来の技術】最近、安価なガラス基板上に薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきて
いる。その理由は、マルチメディアの媒体としてより高
精彩な液晶表示装置の需要が高まったことにある。
ジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきて
いる。その理由は、マルチメディアの媒体としてより高
精彩な液晶表示装置の需要が高まったことにある。
【０００３】例えば、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、マトリクス状に配置された数百万個もの各画素
の各々に薄膜トランジスタを配置し、各画素電極に出入
りする電荷を薄膜トランジスタのスイッチング機能によ
り制御するものである。
装置は、マトリクス状に配置された数百万個もの各画素
の各々に薄膜トランジスタを配置し、各画素電極に出入
りする電荷を薄膜トランジスタのスイッチング機能によ
り制御するものである。
【０００４】そして、データ線より供給される画像信号
により液晶の電気光学特性を変化させ、液晶パネルを透
過する光を制御し、画像表示を行う。この際、液晶に印
加される電圧は次の書込みまでは一定であるのが望まし
く、そのため画像信号電位は所定の時間、保持容量によ
り保持される。
により液晶の電気光学特性を変化させ、液晶パネルを透
過する光を制御し、画像表示を行う。この際、液晶に印
加される電圧は次の書込みまでは一定であるのが望まし
く、そのため画像信号電位は所定の時間、保持容量によ
り保持される。
【０００５】このような液晶表示装置の駆動方法とし
て、平行電極構造により基板に対して横方向の電界を制
御して装置を駆動するＩＰＳモードが注目を浴びてい
る。
て、平行電極構造により基板に対して横方向の電界を制
御して装置を駆動するＩＰＳモードが注目を浴びてい
る。
【０００６】このＩＰＳモードにより駆動する液晶表示
装置は高視野角、高コントラスト等の特徴を持ち、同一
基板上の画素領域内に薄膜トランジスタ、ゲイト線、デ
ータ線（ソース線）、画素電極、コモン線およびそれよ
り延在するコモン電極を有する。
装置は高視野角、高コントラスト等の特徴を持ち、同一
基板上の画素領域内に薄膜トランジスタ、ゲイト線、デ
ータ線（ソース線）、画素電極、コモン線およびそれよ
り延在するコモン電極を有する。
【０００７】特に、横方向電界を制御するＩＰＳモード
では、画素電極に印加された電界が他の画素等に影響を
与えない様に各画素電極はこれと平行に配置されるコモ
ン電極にて挟まれた構成をとる。
では、画素電極に印加された電界が他の画素等に影響を
与えない様に各画素電極はこれと平行に配置されるコモ
ン電極にて挟まれた構成をとる。
【０００８】そのため、これら電極の形成面積が必要と
なり実際の表示のために光を通す画素領域の開口率を低
下させる要因となっている。
なり実際の表示のために光を通す画素領域の開口率を低
下させる要因となっている。
【０００９】さらに液晶表示装置では電荷保持時間を確
保するために画素電極に保持容量を付加する構造を形成
する必要がある。これは何もＩＰＳモードで駆動する液
晶表示装置に限らず、従来の液晶表示装置においても同
様である。
保するために画素電極に保持容量を付加する構造を形成
する必要がある。これは何もＩＰＳモードで駆動する液
晶表示装置に限らず、従来の液晶表示装置においても同
様である。
【００１０】しかし、保持容量を形成するための電極
（容量電極）を設けると開口率を低下させる原因ともな
りうる。そのため、ゲイト線と同一層に容量電極を設け
てそれでもってブラックマトリクスを兼ねる（ＵＳＰ第
5339181 号に記載）などの工夫がなされている。
（容量電極）を設けると開口率を低下させる原因ともな
りうる。そのため、ゲイト線と同一層に容量電極を設け
てそれでもってブラックマトリクスを兼ねる（ＵＳＰ第
5339181 号に記載）などの工夫がなされている。
【００１１】しかし、この場合においても寄生容量の問
題からブラックマトリクスとしての機能を完全には果た
せないなどの問題が残っている。
題からブラックマトリクスとしての機能を完全には果た
せないなどの問題が残っている。
【００１２】また、前述の保持容量の形成に際して画素
電極とコモン電極とを部分的に重ね合わせた領域を利用
する手段（特開平7-36058 号公報に記載）も報告されて
いるが、電極の微細化が進むと重なり合う領域、即ち保
持容量を形成する領域そのものが小さいものとなり、必
要十分な容量を確保できないことが予想される。
電極とコモン電極とを部分的に重ね合わせた領域を利用
する手段（特開平7-36058 号公報に記載）も報告されて
いるが、電極の微細化が進むと重なり合う領域、即ち保
持容量を形成する領域そのものが小さいものとなり、必
要十分な容量を確保できないことが予想される。
【００１３】従って、必要とする容量を有する保持容量
を形成しようとすると容量素子の形成面積が大きくな
り、開口率を低下させる原因となる。
を形成しようとすると容量素子の形成面積が大きくな
り、開口率を低下させる原因となる。
【００１４】そこで、従来より開口率の低さを補うため
にバックライトの光量を増加させ画面の明るさを確保す
ることがなされているが、この方法では消費電力の増加
を招き、携帯性を必要とするような機器への組み込みに
とって大きな障害となっている。
にバックライトの光量を増加させ画面の明るさを確保す
ることがなされているが、この方法では消費電力の増加
を招き、携帯性を必要とするような機器への組み込みに
とって大きな障害となっている。
【００１５】以上の様に、必要とする保持容量を確保し
つつ開口率を犠牲にしない技術が求められており、この
ＩＰＳモードにおける開口率改善案として、電極幅を１
〜２μｍ以下とすることが望まれている。しかし、サブ
ミクロン以下のファインパターン技術がありながら、量
産における製造が困難であることが技術を遅らせること
になっていた。
つつ開口率を犠牲にしない技術が求められており、この
ＩＰＳモードにおける開口率改善案として、電極幅を１
〜２μｍ以下とすることが望まれている。しかし、サブ
ミクロン以下のファインパターン技術がありながら、量
産における製造が困難であることが技術を遅らせること
になっていた。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、上記従来の問題点を解決するための技術を提供す
るものである。即ち、微細加工技術にも対応できる保持
容量の形成技術を提案し、開口率の高い画素領域を構成
する技術を提供することを課題とする。
明は、上記従来の問題点を解決するための技術を提供す
るものである。即ち、微細加工技術にも対応できる保持
容量の形成技術を提案し、開口率の高い画素領域を構成
する技術を提供することを課題とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、導電性を有する材料でなる画素電極およびコ
モン電極を少なくとも有する第１の基板と、前記第１の
基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に挟持された液晶層と、を有し、前記液
晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形成され
る基板に対して平行な方向を含む電界によって駆動さ
れ、前記コモン電極はブラックマトリクスであることを
特徴とする。
の構成は、導電性を有する材料でなる画素電極およびコ
モン電極を少なくとも有する第１の基板と、前記第１の
基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に挟持された液晶層と、を有し、前記液
晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形成され
る基板に対して平行な方向を含む電界によって駆動さ
れ、前記コモン電極はブラックマトリクスであることを
特徴とする。
【００１８】また他の発明の構成は、有機性樹脂材料ま
たは無機性材料でなる第２の層間絶縁膜と、前記第２の
層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線から延在す
る画素電極、第３の層間絶縁膜およびコモン電極と、を
少なくとも有する第１の基板と、前記第１の基板と対向
する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板と
の間に挟持された液晶層と、を有し、前記画素電極と前
記コモン電極との間に形成される基板に対して平行な方
向を含む電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装
置であって、前記コモン電極はブラックマトリクスであ
り、前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記
ブラックマトリクスとを少なくともその一部において第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳領域
をもって保持容量を形成することを特徴とする。
たは無機性材料でなる第２の層間絶縁膜と、前記第２の
層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線から延在す
る画素電極、第３の層間絶縁膜およびコモン電極と、を
少なくとも有する第１の基板と、前記第１の基板と対向
する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板と
の間に挟持された液晶層と、を有し、前記画素電極と前
記コモン電極との間に形成される基板に対して平行な方
向を含む電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装
置であって、前記コモン電極はブラックマトリクスであ
り、前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記
ブラックマトリクスとを少なくともその一部において第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳領域
をもって保持容量を形成することを特徴とする。
【００１９】また他の発明の構成は、有機性樹脂材料ま
たは無機性材料でなる第２の層間絶縁膜と、前記第２の
層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線から延在す
る画素電極、第３の層間絶縁膜、コモン電極および容量
形成用電極と、を少なくとも有する第１の基板と、前記
第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、を有し、
前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、前記コモン電極はブラッ
クマトリクスであり、前記第２の層間絶縁膜上において
前記画素線と前記容量形成用電極とを少なくともその一
部において第３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、
その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する。
たは無機性材料でなる第２の層間絶縁膜と、前記第２の
層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線から延在す
る画素電極、第３の層間絶縁膜、コモン電極および容量
形成用電極と、を少なくとも有する第１の基板と、前記
第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、を有し、
前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、前記コモン電極はブラッ
クマトリクスであり、前記第２の層間絶縁膜上において
前記画素線と前記容量形成用電極とを少なくともその一
部において第３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、
その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する。
【００２０】本発明はＭＩＭ型、単純マトリクス型、ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置等に応用可能であ
る。また、分散型液晶表示装置を構成することも可能で
あり、その場合は特に第２の基板を必要としない。
クティブマトリクス型の液晶表示装置等に応用可能であ
る。また、分散型液晶表示装置を構成することも可能で
あり、その場合は特に第２の基板を必要としない。
【００２１】また、本発明は今後進められる電極幅や配
線幅の微細化を睨んだものであり、特に微細加工を必要
とする液晶表示装置を作製する際に有効な技術である。
線幅の微細化を睨んだものであり、特に微細加工を必要
とする液晶表示装置を作製する際に有効な技術である。
【００２２】他の発明の構成は、同一基板上にマトリク
ス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前記ゲイ
ト線と前記データ線との交差部に形成された薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素線お
よび該画素線から延在した画素電極と、少なくともその
一部が前記画素電極と対向して形成されたコモン電極
と、を有してなるアクティブマトリクス基板と、前記ア
クティブマトリクス基板と対向する対向基板と、前記ア
クティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持さ
れた液晶層と、を有し、前記液晶層は前記画素電極と前
記コモン電極との間に形成される基板に対して平行な方
向を含む電界によって駆動され、前記コモン電極はブラ
ックマトリクスであることを特徴とする。
ス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前記ゲイ
ト線と前記データ線との交差部に形成された薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素線お
よび該画素線から延在した画素電極と、少なくともその
一部が前記画素電極と対向して形成されたコモン電極
と、を有してなるアクティブマトリクス基板と、前記ア
クティブマトリクス基板と対向する対向基板と、前記ア
クティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持さ
れた液晶層と、を有し、前記液晶層は前記画素電極と前
記コモン電極との間に形成される基板に対して平行な方
向を含む電界によって駆動され、前記コモン電極はブラ
ックマトリクスであることを特徴とする。
【００２３】また他の発明の構成は、同一基板上にマト
リクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前記
ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に成膜され
た第２の層間絶縁膜と、前記薄膜トランジスタに接続さ
れた画素線および該画素線から延在した画素電極と、少
なくともその一部が前記画素電極と対向して形成された
コモン電極と、を有してなるアクティブマトリクス基板
と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板
と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との
間に挟持された液晶層と、を有し、前記画素電極と前記
コモン電極との間に形成される基板に対して平行な方向
を含む電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装置
であって、前記コモン電極はブラックマトリクスであ
り、前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記
ブラックマトリクスとを少なくともその一部において第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳領域
をもって保持容量を形成することを特徴とする。
リクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前記
ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に成膜され
た第２の層間絶縁膜と、前記薄膜トランジスタに接続さ
れた画素線および該画素線から延在した画素電極と、少
なくともその一部が前記画素電極と対向して形成された
コモン電極と、を有してなるアクティブマトリクス基板
と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板
と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との
間に挟持された液晶層と、を有し、前記画素電極と前記
コモン電極との間に形成される基板に対して平行な方向
を含む電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装置
であって、前記コモン電極はブラックマトリクスであ
り、前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記
ブラックマトリクスとを少なくともその一部において第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳領域
をもって保持容量を形成することを特徴とする。
【００２４】また、他の発明の構成は、同一基板上にマ
トリクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前
記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に成膜さ
れた第２の層間絶縁膜および第３の層間絶縁膜と、前記
薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素線か
ら延在した画素電極と、少なくともその一部が前記画素
電極と対向して形成されたコモン電極と、前記画素線お
よび該画素線から延在した画素電極と異なる層に形成さ
れた容量形成用電極と、を有してなるアクティブマトリ
クス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する
対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶層と、を有し、前記画素電
極と前記コモン電極との間に形成される基板に対して平
行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆動する液晶
表示装置であって、前記コモン電極はブラックマトリク
スであり、前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線
と前記容量形成用電極とを少なくともその一部において
前記第３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重
畳領域をもって保持容量を形成することを特徴とする。
トリクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前
記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に成膜さ
れた第２の層間絶縁膜および第３の層間絶縁膜と、前記
薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素線か
ら延在した画素電極と、少なくともその一部が前記画素
電極と対向して形成されたコモン電極と、前記画素線お
よび該画素線から延在した画素電極と異なる層に形成さ
れた容量形成用電極と、を有してなるアクティブマトリ
クス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する
対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶層と、を有し、前記画素電
極と前記コモン電極との間に形成される基板に対して平
行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆動する液晶
表示装置であって、前記コモン電極はブラックマトリク
スであり、前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線
と前記容量形成用電極とを少なくともその一部において
前記第３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重
畳領域をもって保持容量を形成することを特徴とする。
【００２５】この時、画素電極に印加される電圧の制御
を行う薄膜トランジスタはその活性層として、非晶質珪
素膜（アモルファスシリコン膜）または結晶性珪素膜
（ポリシリコン膜）を用いることができる。
を行う薄膜トランジスタはその活性層として、非晶質珪
素膜（アモルファスシリコン膜）または結晶性珪素膜
（ポリシリコン膜）を用いることができる。
【００２６】ただし、画素領域の高い応答特性を望む場
合や高速動作が必要なドライバ回路を構成する場合等に
は、結晶性珪素膜を活性層として用いた薄膜トランジス
タが望ましい。
合や高速動作が必要なドライバ回路を構成する場合等に
は、結晶性珪素膜を活性層として用いた薄膜トランジス
タが望ましい。
【００２７】結晶性珪素膜を活性層として用いた薄膜ト
ランジスタは非晶質珪素膜を用いた場合に比べて電気特
性が優れ、例えばＮチャネル型の薄膜トランジスタの電
界効果移動度は２０cm2/Vs以上、Ｐチャネル型の薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度は１０cm2/Vs以上となる。
ランジスタは非晶質珪素膜を用いた場合に比べて電気特
性が優れ、例えばＮチャネル型の薄膜トランジスタの電
界効果移動度は２０cm2/Vs以上、Ｐチャネル型の薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度は１０cm2/Vs以上となる。
【００２８】また他の発明の構成は、同一基板上にマト
リクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前記
ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結晶性
珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶縁膜
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該
画素線から延在した画素電極と、少なくともその一部が
前記画素電極と対向して形成されたコモン電極と、を有
してなるアクティブマトリクス基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と対向する対向基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
層と、を有し、前記画素電極と前記コモン電極との間に
形成される基板に対して平行な方向を含む電界によって
前記液晶層を駆動する液晶表示装置を作製するにあたっ
て、前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ
線を覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料で
なる第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第２の層
間絶縁膜上にブラックマトリクスを形成する工程と、前
記ブラックマトリクスを覆って第３の層間絶縁膜を成膜
する工程と、前記第２および第３の層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する工程と、前記第３の層間絶縁膜上
に画素線および該画素線から延在する画素電極を形成す
る工程と、を少なくとも有し、前記第２の層間絶縁膜上
において前記画素線と前記ブラックマトリクスとを少な
くともその一部において第３の層間絶縁膜を介して互い
に重畳させ、その重畳領域において保持容量を形成せし
めることを特徴とする。
リクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前記
ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結晶性
珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶縁膜
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該
画素線から延在した画素電極と、少なくともその一部が
前記画素電極と対向して形成されたコモン電極と、を有
してなるアクティブマトリクス基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と対向する対向基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
層と、を有し、前記画素電極と前記コモン電極との間に
形成される基板に対して平行な方向を含む電界によって
前記液晶層を駆動する液晶表示装置を作製するにあたっ
て、前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ
線を覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料で
なる第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第２の層
間絶縁膜上にブラックマトリクスを形成する工程と、前
記ブラックマトリクスを覆って第３の層間絶縁膜を成膜
する工程と、前記第２および第３の層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する工程と、前記第３の層間絶縁膜上
に画素線および該画素線から延在する画素電極を形成す
る工程と、を少なくとも有し、前記第２の層間絶縁膜上
において前記画素線と前記ブラックマトリクスとを少な
くともその一部において第３の層間絶縁膜を介して互い
に重畳させ、その重畳領域において保持容量を形成せし
めることを特徴とする。
【００２９】また、他の発明の構成は、同一基板上にマ
トリクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前
記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結晶
性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、前
記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶縁
膜と、前記薄膜トランジスタに接続された画素線および
該画素線から延在した画素電極と、少なくともその一部
が前記画素電極と対向して形成されたコモン電極と、を
有してなるアクティブマトリクス基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板と対向する対向基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液
晶層と、を有し、前記画素電極と前記コモン電極との間
に形成される基板に対して平行な方向を含む電界によっ
て前記液晶層を駆動する液晶表示装置を作製するにあた
って、前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデー
タ線を覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料
でなる第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第２の
層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記
第２の層間絶縁膜上に画素線および該画素線から延在す
る画素電極を形成する工程と、前記画素線および該画素
線から延在する画素電極を覆って第３の層間絶縁膜を成
膜する工程と、前記第３の層間絶縁膜上にブラックマト
リクスを形成する工程と、を少なくとも有し、前記第２
の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラックマト
リクスとを少なくともその一部において第３の層間絶縁
膜を介して互いに重畳させ、その重畳領域において保持
容量を形成せしめることを特徴とする。
トリクス状に配列されたゲイト線およびデータ線と、前
記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結晶
性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、前
記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶縁
膜と、前記薄膜トランジスタに接続された画素線および
該画素線から延在した画素電極と、少なくともその一部
が前記画素電極と対向して形成されたコモン電極と、を
有してなるアクティブマトリクス基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板と対向する対向基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液
晶層と、を有し、前記画素電極と前記コモン電極との間
に形成される基板に対して平行な方向を含む電界によっ
て前記液晶層を駆動する液晶表示装置を作製するにあた
って、前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデー
タ線を覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料
でなる第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第２の
層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記
第２の層間絶縁膜上に画素線および該画素線から延在す
る画素電極を形成する工程と、前記画素線および該画素
線から延在する画素電極を覆って第３の層間絶縁膜を成
膜する工程と、前記第３の層間絶縁膜上にブラックマト
リクスを形成する工程と、を少なくとも有し、前記第２
の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラックマト
リクスとを少なくともその一部において第３の層間絶縁
膜を介して互いに重畳させ、その重畳領域において保持
容量を形成せしめることを特徴とする。
【００３０】本発明を実現するための技術手段の主旨
は、ブラックマトリクスとコモン電極との共通化を計る
点にあり、ブラックマトリクス（実質的にはコモン電極
と同じ機能を有する）と画素線より延在する画素電極と
の間に横方向電界を形成する構成を実現することにあ
る。
は、ブラックマトリクスとコモン電極との共通化を計る
点にあり、ブラックマトリクス（実質的にはコモン電極
と同じ機能を有する）と画素線より延在する画素電極と
の間に横方向電界を形成する構成を実現することにあ
る。
【００３１】また、このような平行電極構造を有する液
晶表示装置において、ブラックマトリクスと薄膜トラン
ジスタに接続する画素線とでもって保持容量を形成する
ものである。
晶表示装置において、ブラックマトリクスと薄膜トラン
ジスタに接続する画素線とでもって保持容量を形成する
ものである。
【００３２】従来別々に考えられていたブラックマトリ
クスとコモン電極とを共通化するという発想は全く新し
いものであり、そのブラックマトリクスと画素線でもっ
て保持容量を形成することは、先の特開平7-36058 号公
報記載の内容とは完全に異なるものである。
クスとコモン電極とを共通化するという発想は全く新し
いものであり、そのブラックマトリクスと画素線でもっ
て保持容量を形成することは、先の特開平7-36058 号公
報記載の内容とは完全に異なるものである。
【００３３】また、ブラックマトリクスとコモン電極を
共通化することにより大幅な製造工程の簡略化を実現で
きることも本発明の大きな特徴の一つである。
共通化することにより大幅な製造工程の簡略化を実現で
きることも本発明の大きな特徴の一つである。
【００３４】ここで本発明により構成した液晶表示装置
の画素領域の上面図を図１に示す。図１（Ａ）におい
て、１０１はゲイト信号を伝達するゲイト線、１０２は
画像信号を伝達するデータ線である（図１（Ａ）におい
て両線はブラックマトリクスの下に存在するので点線で
示すこととする）。
の画素領域の上面図を図１に示す。図１（Ａ）におい
て、１０１はゲイト信号を伝達するゲイト線、１０２は
画像信号を伝達するデータ線である（図１（Ａ）におい
て両線はブラックマトリクスの下に存在するので点線で
示すこととする）。
【００３５】ゲイト線１０１とデータ線１０２は同一基
板上にマトリクス状に配列され、その各交点には薄膜ト
ランジスタが配置される。１０３はその薄膜トランジス
タの活性層を構成する半導体層である。そして、ゲイト
線１０１、データ線１０２および半導体層１０３の上方
にはこれらを遮蔽するように斜線で示されるブラックマ
トリクス１０４が配置される。
板上にマトリクス状に配列され、その各交点には薄膜ト
ランジスタが配置される。１０３はその薄膜トランジス
タの活性層を構成する半導体層である。そして、ゲイト
線１０１、データ線１０２および半導体層１０３の上方
にはこれらを遮蔽するように斜線で示されるブラックマ
トリクス１０４が配置される。
【００３６】この時、データ線１０２とブラックマトリ
クス１０４とは0.1 〜5.0 μｍの膜厚の第２の層間絶縁
膜によって絶縁されている。この第２の層間絶縁膜は有
機性樹脂材料または無機性材料で構成されるものであ
る。
クス１０４とは0.1 〜5.0 μｍの膜厚の第２の層間絶縁
膜によって絶縁されている。この第２の層間絶縁膜は有
機性樹脂材料または無機性材料で構成されるものであ
る。
【００３７】さらに、ブラックマトリクス１０４上には
第３の層間絶縁膜を介して画素線１０５およびそれに延
在する画素電極１０６が設けられる。ここで、図１
（Ａ）に対して画素線１０５および画素電極１０６を重
ね合わせた状態を図１（Ｂ）に示す。
第３の層間絶縁膜を介して画素線１０５およびそれに延
在する画素電極１０６が設けられる。ここで、図１
（Ａ）に対して画素線１０５および画素電極１０６を重
ね合わせた状態を図１（Ｂ）に示す。
【００３８】図１（Ｂ）において、画素線１０５と画素
電極１０６とは一体化した構成となっているが、本発明
者らは画素線１０５と画素電極１０６とを果たす機能の
違いから明確に区別している。即ち、画素線１０５から
画素領域（ブラックマトリクス１０４の開口領域）へ延
在した部分を画素電極１０６と定義する。
電極１０６とは一体化した構成となっているが、本発明
者らは画素線１０５と画素電極１０６とを果たす機能の
違いから明確に区別している。即ち、画素線１０５から
画素領域（ブラックマトリクス１０４の開口領域）へ延
在した部分を画素電極１０６と定義する。
【００３９】この理由は、画素線１０５はブラックマト
リクス１０４との間に保持容量を形成することが目的で
配置されるものであり、画素電極１０６はブラックマト
リクス１０４との間に横方向電界を形成することが目的
で配置されるものであることから根本的に異なるものと
考えられるためである。
リクス１０４との間に保持容量を形成することが目的で
配置されるものであり、画素電極１０６はブラックマト
リクス１０４との間に横方向電界を形成することが目的
で配置されるものであることから根本的に異なるものと
考えられるためである。
【００４０】このような構成とした時に、ブラックマト
リクス１０４および画素線１０５とが重なり合う領域に
おいては、その間に第３の層間絶縁膜を介して保持容量
が形成される。この第３の層間絶縁膜は、第２の層間絶
縁膜よりも比誘電率の大きい絶縁膜で構成される必要が
ある。
リクス１０４および画素線１０５とが重なり合う領域に
おいては、その間に第３の層間絶縁膜を介して保持容量
が形成される。この第３の層間絶縁膜は、第２の層間絶
縁膜よりも比誘電率の大きい絶縁膜で構成される必要が
ある。
【００４１】なお、図１（Ｂ）においてブラックマトリ
クス１０４および画素電極１０６とが僅かに重なる領域
においても同様に保持容量が形成されるが、本発明の主
点である電極幅の微細化による開口率の改善を計る場
合、この保持容量は実質的に無視することができる。
クス１０４および画素電極１０６とが僅かに重なる領域
においても同様に保持容量が形成されるが、本発明の主
点である電極幅の微細化による開口率の改善を計る場
合、この保持容量は実質的に無視することができる。
【００４２】また、画素電極１０６とブラックマトリク
ス１０４との間には液晶を駆動するための横方向電界
（図中矢印で示す）が形成される構成となる。
ス１０４との間には液晶を駆動するための横方向電界
（図中矢印で示す）が形成される構成となる。
【００４３】上記構成でなる本発明の詳細を、以下に記
載の実施例でもって説明する。
載の実施例でもって説明する。
【００４４】
〔実施例１〕本実施例では、本発明を利用して図１で示
した構成を有する画素領域を形成する例を示す。説明は
図１（Ｂ）においてＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で示す破線
に沿って切断した断面図を用いて行う。
した構成を有する画素領域を形成する例を示す。説明は
図１（Ｂ）においてＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で示す破線
に沿って切断した断面図を用いて行う。
【００４５】図２に示すのは、図１で示した画素領域を
構成する画素ＴＦＴの作製工程図である。まず、表面に
下地膜として2000Åの厚さの絶縁膜を有したガラス基板
２０１の上に、図示しない非晶質珪素膜150 〜500 Åの
厚さに成膜する。絶縁膜は酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化
窒化珪素（ＳｉＯX ＮY ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）等を
プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、スパッタ法等によ
り成膜すれば良い。
構成する画素ＴＦＴの作製工程図である。まず、表面に
下地膜として2000Åの厚さの絶縁膜を有したガラス基板
２０１の上に、図示しない非晶質珪素膜150 〜500 Åの
厚さに成膜する。絶縁膜は酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化
窒化珪素（ＳｉＯX ＮY ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）等を
プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、スパッタ法等によ
り成膜すれば良い。
【００４６】次に、この図示しない非晶質珪素膜を加熱
またはレーザーアニール、もしくは両者を併用するなど
の手段により結晶化する。また、結晶化の際、結晶化を
助長する金属元素を添加すると効果的である。
またはレーザーアニール、もしくは両者を併用するなど
の手段により結晶化する。また、結晶化の際、結晶化を
助長する金属元素を添加すると効果的である。
【００４７】結晶化が終了したら、得られた図示しない
結晶性珪素膜をパターニングして後に活性層を構成する
島状半導体層２０２を形成する。
結晶性珪素膜をパターニングして後に活性層を構成する
島状半導体層２０２を形成する。
【００４８】島状半導体層２０２を形成したら、後にゲ
イト絶縁膜として機能する酸化珪素膜２０３を1200Åの
厚さに成膜する。勿論、酸化窒化珪素膜や窒化珪素膜で
あっても良い。
イト絶縁膜として機能する酸化珪素膜２０３を1200Åの
厚さに成膜する。勿論、酸化窒化珪素膜や窒化珪素膜で
あっても良い。
【００４９】次に、導電性被膜２０４を2000〜2500Åの
厚さに成膜する。本実施例では、0.2 wt％のスカンジウ
ムを含有したアルミニウム膜を用いる。スカンジウムは
加熱処理等の際にアルミニウム表面に発生するヒロック
やウィスカーといった突起物を抑える効果を持つ。この
アルミニウム膜２０４は後にゲイト線およびゲイト電極
として機能する。
厚さに成膜する。本実施例では、0.2 wt％のスカンジウ
ムを含有したアルミニウム膜を用いる。スカンジウムは
加熱処理等の際にアルミニウム表面に発生するヒロック
やウィスカーといった突起物を抑える効果を持つ。この
アルミニウム膜２０４は後にゲイト線およびゲイト電極
として機能する。
【００５０】こうして、図２（Ａ）の状態が得られる。
図２（Ａ）の状態が得られたら、電解溶液中でアルミニ
ウム膜２０４を陽極として陽極酸化を行う。電解溶液と
しては、３％の酒石酸のエチレングリコール溶液をアン
モニア水で中和して、ＰＨ＝６．９２に調整したものを
使用する。また、白金を陰極として化成電流５ｍＡ、到
達電圧１０Ｖとして処理する。
図２（Ａ）の状態が得られたら、電解溶液中でアルミニ
ウム膜２０４を陽極として陽極酸化を行う。電解溶液と
しては、３％の酒石酸のエチレングリコール溶液をアン
モニア水で中和して、ＰＨ＝６．９２に調整したものを
使用する。また、白金を陰極として化成電流５ｍＡ、到
達電圧１０Ｖとして処理する。
【００５１】こうして形成される図示しない薄く緻密な
陽極酸化膜は、アルミニウム膜２０４をパターニングす
る際にフォトレジストとの密着性を高める効果がある。
また、電圧印加時間を制御することで膜厚を制御でき
る。
陽極酸化膜は、アルミニウム膜２０４をパターニングす
る際にフォトレジストとの密着性を高める効果がある。
また、電圧印加時間を制御することで膜厚を制御でき
る。
【００５２】次に、アルミニウム膜２０４をパターニン
グして、図示しないゲイト電極を形成する。ただし、実
質的にゲイト電極として機能するのは最終的に残存する
内部の一部分である。
グして、図示しないゲイト電極を形成する。ただし、実
質的にゲイト電極として機能するのは最終的に残存する
内部の一部分である。
【００５３】次に、２度目の陽極酸化を行い、多孔質の
陽極酸化膜２０５を形成する（図２（Ｂ）参照）。電解
溶液は３％のシュウ酸水溶液とし、白金を陰極として化
成電流２〜３ｍＡ、到達電圧８Ｖとして処理する。
陽極酸化膜２０５を形成する（図２（Ｂ）参照）。電解
溶液は３％のシュウ酸水溶液とし、白金を陰極として化
成電流２〜３ｍＡ、到達電圧８Ｖとして処理する。
【００５４】この時陽極酸化は基板に対して平行な方向
に進行する。また、電圧印加時間を制御することで多孔
質の陽極酸化膜２０５の長さを制御できる。
に進行する。また、電圧印加時間を制御することで多孔
質の陽極酸化膜２０５の長さを制御できる。
【００５５】さらに、アルミニウム膜のパターニングに
使用した図示しないフォトレジストを専用の剥離液で除
去した後、３度目の陽極酸化を行い、図２（Ｂ）の状態
を得る。
使用した図示しないフォトレジストを専用の剥離液で除
去した後、３度目の陽極酸化を行い、図２（Ｂ）の状態
を得る。
【００５６】この陽極酸化には、電解溶液は３％の酒石
酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和し
て、ＰＨ＝６．９２に調整したものを使用する。そし
て、白金を陰極として化成電流５〜６ｍＡ、到達電圧40
〜100 Ｖとして処理する。
酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和し
て、ＰＨ＝６．９２に調整したものを使用する。そし
て、白金を陰極として化成電流５〜６ｍＡ、到達電圧40
〜100 Ｖとして処理する。
【００５７】この際形成される陽極酸化膜２０６は、非
常に緻密、かつ、強固である。そのため、ド−ピング工
程などの後工程で生じるダメージや熱からゲイト電極２
０７を保護する効果を持つ。また、その膜厚は500 〜15
00Åとなる。
常に緻密、かつ、強固である。そのため、ド−ピング工
程などの後工程で生じるダメージや熱からゲイト電極２
０７を保護する効果を持つ。また、その膜厚は500 〜15
00Åとなる。
【００５８】次いで、イオンドーピング法により、島状
半導体層２０２に不純物を注入する。例えば、Ｎチャネ
ル型ＴＦＴを作製するならば、不純物としてＰ＋イオン
を、Ｐチャネル型ＴＦＴを作製するならば、不純物とし
てＢ＋イオンを注入すれば良い。
半導体層２０２に不純物を注入する。例えば、Ｎチャネ
ル型ＴＦＴを作製するならば、不純物としてＰ＋イオン
を、Ｐチャネル型ＴＦＴを作製するならば、不純物とし
てＢ＋イオンを注入すれば良い。
【００５９】まず、図２（Ｂ）の状態で１度目のイオン
ドーピングを行う。なお、本実施例ではＰ＋イオンの注
入を加速電圧８０ｋＶ、ドーズ量１×１０15原子／ｃｍ
2 で行う。
ドーピングを行う。なお、本実施例ではＰ＋イオンの注
入を加速電圧８０ｋＶ、ドーズ量１×１０15原子／ｃｍ
2 で行う。
【００６０】すると、ゲイト電極２０７、多孔質の陽極
酸化膜２０５がマスクとなり、後にソース／ドレインと
なる領域２０８、２０９が自己整合的に形成される。
（図２（Ｃ））
酸化膜２０５がマスクとなり、後にソース／ドレインと
なる領域２０８、２０９が自己整合的に形成される。
（図２（Ｃ））
【００６１】次に、図２（Ｃ）に示す様に、多孔質の陽
極酸化膜２０５を除去して、２度目のドーピングを行
う。なお、２度目のＰ＋イオンの注入は加速電圧８０ｋ
Ｖ、ドーズ量１×１０14原子／ｃｍ2 で行う。
極酸化膜２０５を除去して、２度目のドーピングを行
う。なお、２度目のＰ＋イオンの注入は加速電圧８０ｋ
Ｖ、ドーズ量１×１０14原子／ｃｍ2 で行う。
【００６２】すると、ゲイト電極２０７がマスクとな
り、ソース領域２０８、ドレイン領域２０９と比較して
不純物濃度の低い、低濃度不純物領域２１０、２１１が
自己整合的に形成される。
り、ソース領域２０８、ドレイン領域２０９と比較して
不純物濃度の低い、低濃度不純物領域２１０、２１１が
自己整合的に形成される。
【００６３】同時に、ゲイト電極２０７の直下は不純物
が全く注入されないため、ＴＦＴのチャネルとして機能
する領域２１２が自己整合的に形成される。
が全く注入されないため、ＴＦＴのチャネルとして機能
する領域２１２が自己整合的に形成される。
【００６４】このようにして形成される低濃度不純物領
域２１１は特にＬＤＤ領域と呼ばれ、チャネル領域２１
２とドレイン領域２０９との間に高電界が形成されるの
を抑制する効果を持つ。
域２１１は特にＬＤＤ領域と呼ばれ、チャネル領域２１
２とドレイン領域２０９との間に高電界が形成されるの
を抑制する効果を持つ。
【００６５】次いで、ＫｒＦエキシマレーザーを200 〜
300mJ/cm2 のエネルギー密度で照射することによって、
イオン注入されたＰ＋イオンの活性化を行なう。なお、
活性化は300 〜450 ℃2hr の熱アニールによっても良い
し、レーザーアニールと熱アニールとを併用しても良
い。
300mJ/cm2 のエネルギー密度で照射することによって、
イオン注入されたＰ＋イオンの活性化を行なう。なお、
活性化は300 〜450 ℃2hr の熱アニールによっても良い
し、レーザーアニールと熱アニールとを併用しても良
い。
【００６６】次に、第１の層間絶縁膜２１３をプラズマ
ＣＶＤ法により成膜する。層間絶縁膜２１３としては、
酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜等を用いるこ
とができる。また、本実施例ではその膜厚を0.5 μｍと
する。
ＣＶＤ法により成膜する。層間絶縁膜２１３としては、
酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜等を用いるこ
とができる。また、本実施例ではその膜厚を0.5 μｍと
する。
【００６７】第１の層間絶縁膜２１３を成膜したら、ソ
ース領域２０８にコンタクトホールを形成して、図示し
ないアルミニウム膜を3000Åの厚さに成膜する。次い
で、図示しないアルミニウム膜をパターニングして、図
示しないソース線およびそれに延在するソース電極２１
４を形成する。（図２（Ｄ））
ース領域２０８にコンタクトホールを形成して、図示し
ないアルミニウム膜を3000Åの厚さに成膜する。次い
で、図示しないアルミニウム膜をパターニングして、図
示しないソース線およびそれに延在するソース電極２１
４を形成する。（図２（Ｄ））
【００６８】次に、ソース電極２１４を覆って第２の層
間絶縁膜２１５を0.1 〜5.0 μｍの厚さに成膜する（図
３（Ａ）参照）。本実施例では、第２の層間絶縁膜２１
５の膜厚を1.5 μｍとする。
間絶縁膜２１５を0.1 〜5.0 μｍの厚さに成膜する（図
３（Ａ）参照）。本実施例では、第２の層間絶縁膜２１
５の膜厚を1.5 μｍとする。
【００６９】この第２の層間絶縁膜２１5 は有機性樹脂
材料や無機性材料を用いることが出来るが、本実施例で
は有機性樹脂材料として透過性ポリイミドを用いる。こ
のポリイミドの比誘電率は2.8 〜3.4 と小さい値であ
る。
材料や無機性材料を用いることが出来るが、本実施例で
は有機性樹脂材料として透過性ポリイミドを用いる。こ
のポリイミドの比誘電率は2.8 〜3.4 と小さい値であ
る。
【００７０】このような有機性樹脂材料は被膜形成が簡
便であり、容易に膜厚を稼ぐことができるため、デバイ
ス形状による凹凸を緩和して優れた平坦表面を実現する
ことが可能である。即ち、第２の層間絶縁膜は平坦化膜
としての機能をも有する。
便であり、容易に膜厚を稼ぐことができるため、デバイ
ス形状による凹凸を緩和して優れた平坦表面を実現する
ことが可能である。即ち、第２の層間絶縁膜は平坦化膜
としての機能をも有する。
【００７１】また、弾力性に富む特徴を有するため、後
に液晶表示装置を構成する際に、スペーサーに圧迫され
て薄膜トランジスタが破壊されるようなことがない。
に液晶表示装置を構成する際に、スペーサーに圧迫され
て薄膜トランジスタが破壊されるようなことがない。
【００７２】さらに、本発明ではこの第２の層間絶縁膜
２１５の膜厚が厚く、その上に保持容量を形成すること
になるので電極間の短絡不良を抑制することができる。
２１５の膜厚が厚く、その上に保持容量を形成すること
になるので電極間の短絡不良を抑制することができる。
【００７３】次いで、第２の層間絶縁膜２１５の上にチ
タン膜でなるブラックマトリクス２１６を1000Åの厚さ
に形成する。勿論、クロム膜やアルミニウム膜など他の
金属膜を用いてもよい（図３（Ａ））。
タン膜でなるブラックマトリクス２１６を1000Åの厚さ
に形成する。勿論、クロム膜やアルミニウム膜など他の
金属膜を用いてもよい（図３（Ａ））。
【００７４】この時、ドレイン領域２０９上のブラック
マトリクス２１６の一部には後のコンタクトホール形成
のための開口窓２１７を開けておく必要がある。そし
て、この窓は多少のマージンを採らなければならない。
マトリクス２１６の一部には後のコンタクトホール形成
のための開口窓２１７を開けておく必要がある。そし
て、この窓は多少のマージンを採らなければならない。
【００７５】この理由は、後に形成する画素線がブラッ
クマトリクス２１６の下方に位置するドレイン領域２０
９と接続するためである。従って、ブラックマトリクス
２１６のコンタクトホールが通過する周辺部にはある程
度のマージンをとって開口窓２１７を形成しておかなけ
ればブラックマトリクス２１６と画素線とが短絡してし
まい保持容量を形成できない。
クマトリクス２１６の下方に位置するドレイン領域２０
９と接続するためである。従って、ブラックマトリクス
２１６のコンタクトホールが通過する周辺部にはある程
度のマージンをとって開口窓２１７を形成しておかなけ
ればブラックマトリクス２１６と画素線とが短絡してし
まい保持容量を形成できない。
【００７６】図３（Ａ）の状態を得たら、図３（Ｂ）に
示す様にブラックマトリクス２１６を覆って第３の層間
絶縁膜２１７を0.01〜1.0 μｍの厚さに成膜する。この
第３の層間絶縁膜２１７は第２の層間絶縁膜２１５より
も大きい比誘電率を有する有機性樹脂材料または無機性
材料で構成される。
示す様にブラックマトリクス２１６を覆って第３の層間
絶縁膜２１７を0.01〜1.0 μｍの厚さに成膜する。この
第３の層間絶縁膜２１７は第２の層間絶縁膜２１５より
も大きい比誘電率を有する有機性樹脂材料または無機性
材料で構成される。
【００７７】次に、ドレイン領域２０９と接続するため
のコンタクトホールを形成して、導電性膜でなる画素線
２１９および画素電極２２０を形成する。これら電極の
膜厚は1000〜1200Åとし、画素線２１９はできるだけ広
い面積でブラックマトリクス２１６とオーバーラップす
るような形状とする。
のコンタクトホールを形成して、導電性膜でなる画素線
２１９および画素電極２２０を形成する。これら電極の
膜厚は1000〜1200Åとし、画素線２１９はできるだけ広
い面積でブラックマトリクス２１６とオーバーラップす
るような形状とする。
【００７８】この場合、第３の層間絶縁膜２１８の表面
は優れた平坦性を示すため、その上に形成された画素線
２１９および画素電極２２０も良好な平坦性を示し、セ
ル組みの際のラビング不良や液晶への印加電界の乱れを
改善することが出来る。
は優れた平坦性を示すため、その上に形成された画素線
２１９および画素電極２２０も良好な平坦性を示し、セ
ル組みの際のラビング不良や液晶への印加電界の乱れを
改善することが出来る。
【００７９】以上のような過程を経て、図３（Ｂ）に示
す画素ＴＦＴが作製される。この図３（Ｂ）で示される
断面図は、図１（Ｂ）においてＡ−Ａ’で示される破線
に沿って切断した断面に相当する。
す画素ＴＦＴが作製される。この図３（Ｂ）で示される
断面図は、図１（Ｂ）においてＡ−Ａ’で示される破線
に沿って切断した断面に相当する。
【００８０】この時、図３（Ｂ）において点線で囲む領
域２２１は画素線２１９とブラックマトリクス２１６と
が第３の層間絶縁膜２１８を介して重なり合い、保持容
量を形成している。この保持容量の容量は第３の層間絶
縁膜２１８の比誘電率に比例し、その膜厚に反比例す
る。
域２２１は画素線２１９とブラックマトリクス２１６と
が第３の層間絶縁膜２１８を介して重なり合い、保持容
量を形成している。この保持容量の容量は第３の層間絶
縁膜２１８の比誘電率に比例し、その膜厚に反比例す
る。
【００８１】従って、ブラックマトリクス２１６と画素
線２１９が重なる部分の面積と、第３の層間絶縁膜２１
７の膜厚および比誘電率を計算して、所望の容量を有す
る保持容量を設計することが可能である。
線２１９が重なる部分の面積と、第３の層間絶縁膜２１
７の膜厚および比誘電率を計算して、所望の容量を有す
る保持容量を設計することが可能である。
【００８２】なお、透過性ポリイミドでなる第２の層間
絶縁膜２１５はその比誘電率が小さく、0.1 〜5.0 μｍ
の範囲で膜厚を稼ぐことができるため、ゲイト電極２０
７やソース電極２１４とブラックマトリクス２１６との
間に形成される寄生容量を無視しうる程度に抑えるこが
できる。
絶縁膜２１５はその比誘電率が小さく、0.1 〜5.0 μｍ
の範囲で膜厚を稼ぐことができるため、ゲイト電極２０
７やソース電極２１４とブラックマトリクス２１６との
間に形成される寄生容量を無視しうる程度に抑えるこが
できる。
【００８３】次に、図１（Ｂ）においてＢ−Ｂ’で示さ
れる破線に沿って切断した断面を図４に示す。
れる破線に沿って切断した断面を図４に示す。
【００８４】図４において、４０１はゲイト絶縁膜、４
０２は第１の層間絶縁膜であり、４０３は画像信号を伝
達するデータ線である。なお、データ線４０３の上面お
よび側面に形成されている陽極酸化膜４０４は図２
（Ｂ）において３０６で示される陽極酸化膜と同じもの
であり、他の電極配線との短絡を防ぐ効果を持つ。
０２は第１の層間絶縁膜であり、４０３は画像信号を伝
達するデータ線である。なお、データ線４０３の上面お
よび側面に形成されている陽極酸化膜４０４は図２
（Ｂ）において３０６で示される陽極酸化膜と同じもの
であり、他の電極配線との短絡を防ぐ効果を持つ。
【００８５】次に、４０５は第２の層間絶縁膜であり、
この絶縁膜によりデータ線４０３はブラックマトリクス
４０６と完全に絶縁される。また、前述の様に、第２の
層間絶縁膜４０５は比誘電率が小さく、その膜厚が厚い
ためデータ線４０３とブラックマトリクス４０６との間
に殆ど寄生容量を形成しない。
この絶縁膜によりデータ線４０３はブラックマトリクス
４０６と完全に絶縁される。また、前述の様に、第２の
層間絶縁膜４０５は比誘電率が小さく、その膜厚が厚い
ためデータ線４０３とブラックマトリクス４０６との間
に殆ど寄生容量を形成しない。
【００８６】そして、ブラックマトリクス４０６を覆っ
て第３の層間絶縁膜４０７が成膜され、その上に画素電
極４０８が形成される。その際、画素電極４０８の形成
後に保護膜を成膜しても良い。勿論、図４に示される断
面においては保持容量は形成されない。
て第３の層間絶縁膜４０７が成膜され、その上に画素電
極４０８が形成される。その際、画素電極４０８の形成
後に保護膜を成膜しても良い。勿論、図４に示される断
面においては保持容量は形成されない。
【００８７】本実施例において、実際に液晶表示装置を
組む場合は、まずこの上に配向膜を成膜してラビング処
理を行う。ラビング方向は液晶材料として正・負どちら
の誘電率異方性を持つ材料を用いるかにより画素電極と
コモン電極にかかる平行電界との角度が９０°異なる。
組む場合は、まずこの上に配向膜を成膜してラビング処
理を行う。ラビング方向は液晶材料として正・負どちら
の誘電率異方性を持つ材料を用いるかにより画素電極と
コモン電極にかかる平行電界との角度が９０°異なる。
【００８８】なお、本実施例においては、液晶材料とし
てＴＮ型の負の誘電率異方性を持つシアノ系ネマチック
液晶を用いる。横方向電界による液晶駆動を行う場合、
負の誘電率異方性を持つ液晶材料は基板に対して垂直方
向の電界の影響を受けにくいので視野角が広くなる利点
がある。
てＴＮ型の負の誘電率異方性を持つシアノ系ネマチック
液晶を用いる。横方向電界による液晶駆動を行う場合、
負の誘電率異方性を持つ液晶材料は基板に対して垂直方
向の電界の影響を受けにくいので視野角が広くなる利点
がある。
【００８９】また、本実施例においては無電界時に電界
方向に対して数°〜十数°の角度を持つように配向させ
る。このようにすると、透過率電圧特性が良好となる。
また、チルト角は3 度以下、好ましくは0.5 度以下が良
い。
方向に対して数°〜十数°の角度を持つように配向させ
る。このようにすると、透過率電圧特性が良好となる。
また、チルト角は3 度以下、好ましくは0.5 度以下が良
い。
【００９０】ラビング処理が終了したら、スペーサやシ
ール材等の配置を行い、対向基板との間に液晶材を注入
し、注入口を封入して液晶を挟み込む。このようにし
て、液晶表示装置が完成する。
ール材等の配置を行い、対向基板との間に液晶材を注入
し、注入口を封入して液晶を挟み込む。このようにし
て、液晶表示装置が完成する。
【００９１】そして、ブラックマトリクス４０６と画素
電極４０８との間に形成される横方向電界を利用して液
晶の光学特性を変化させて画像表示を行うこととなる。
電極４０８との間に形成される横方向電界を利用して液
晶の光学特性を変化させて画像表示を行うこととなる。
【００９２】以上の様な構成でなる本発明を利用する
と、以下に述べるような利点を得ることができる。
と、以下に述べるような利点を得ることができる。
【００９３】まず、従来のコモン電極とブラックマトリ
クスとを共通化することで必要なパターニングマスク数
を減らし、製造工程を簡略化することができる。また、
別途に分けて形成する必要がないということは電極の形
成面積が減り、開口率が向上することにつながる。
クスとを共通化することで必要なパターニングマスク数
を減らし、製造工程を簡略化することができる。また、
別途に分けて形成する必要がないということは電極の形
成面積が減り、開口率が向上することにつながる。
【００９４】また、ブラックマトリクスと画素線でもっ
て容量を形成する構成は、今後進められる配線幅や電極
幅の微細化に対して十分対応しうる構成となる。これ
は、従来構造では配線幅や電極幅の微細化に伴い保持容
量を形成する領域が小さくなるのに比べ、本発明によれ
ば主として薄膜トランジスタを覆う領域で保持容量を形
成することができるため微細化の影響をさほど受けない
からである。
て容量を形成する構成は、今後進められる配線幅や電極
幅の微細化に対して十分対応しうる構成となる。これ
は、従来構造では配線幅や電極幅の微細化に伴い保持容
量を形成する領域が小さくなるのに比べ、本発明によれ
ば主として薄膜トランジスタを覆う領域で保持容量を形
成することができるため微細化の影響をさほど受けない
からである。
【００９５】特に、画素電極２１９は開口率を向上させ
るためにコンマ数μｍレベルにまで微細化されることが
示唆されているが、その場合においても本発明により形
成する保持容量は画素電極を利用するものではないため
影響されない。
るためにコンマ数μｍレベルにまで微細化されることが
示唆されているが、その場合においても本発明により形
成する保持容量は画素電極を利用するものではないため
影響されない。
【００９６】従って、ブラックマトリクスとコモン電極
とを共通化し、ブラックマトリクスと画素線でもって保
持容量を形成する構成とすることで、保持容量を形成す
る領域の自由度が増し、容量の確保が容易となる。
とを共通化し、ブラックマトリクスと画素線でもって保
持容量を形成する構成とすることで、保持容量を形成す
る領域の自由度が増し、容量の確保が容易となる。
【００９７】また、従来はコモン電極をゲイト電極と同
時に形成していたためコモン電極と画素電極との間の高
さの差が大きく、電極間距離（図４中のＸで示される距
離）が狭くなると斜めに電界が形成されるといった問題
が考えられる。
時に形成していたためコモン電極と画素電極との間の高
さの差が大きく、電極間距離（図４中のＸで示される距
離）が狭くなると斜めに電界が形成されるといった問題
が考えられる。
【００９８】しかし、本発明では図４に示す様に第２の
層間絶縁膜４０５上にほぼ同一面内と見なせる配置で形
成されたブラックマトリクス４０６と画素電極４０８と
でもって横方向電界を形成するため、電極間距離に影響
されることなく基板と平行な電界を液晶に対して印加す
ることが可能である。
層間絶縁膜４０５上にほぼ同一面内と見なせる配置で形
成されたブラックマトリクス４０６と画素電極４０８と
でもって横方向電界を形成するため、電極間距離に影響
されることなく基板と平行な電界を液晶に対して印加す
ることが可能である。
【００９９】また、図３（Ｂ）に示す様に画素電極２１
９は基準電源電位を有するブラックマトリクス２１６を
挟んでゲイト線やソース線と隣接するため、これらの信
号による干渉（クロストーク）を受けにくい。
９は基準電源電位を有するブラックマトリクス２１６を
挟んでゲイト線やソース線と隣接するため、これらの信
号による干渉（クロストーク）を受けにくい。
【０１００】さらに、ブラックマトリクス２１６にはグ
ランドプレーンとしての機能効果も期待することができ
る。即ち、ブラックマトリクス２１６の下方に存在する
ゲイト線、データ線に対してグランドプレーンとして作
用し、配線のインピーダンスを均一化できる。
ランドプレーンとしての機能効果も期待することができ
る。即ち、ブラックマトリクス２１６の下方に存在する
ゲイト線、データ線に対してグランドプレーンとして作
用し、配線のインピーダンスを均一化できる。
【０１０１】逆に、配線のインピーダンスはブラックマ
トリクス２１６と配線との距離や配線を取り巻く誘電体
により決まるので、これらを適当に選ぶことで所望の配
線インピーダンスを得るこもできる。
トリクス２１６と配線との距離や配線を取り巻く誘電体
により決まるので、これらを適当に選ぶことで所望の配
線インピーダンスを得るこもできる。
【０１０２】また、ブラックマトリクスを構成する導電
性材料の透過率が比較的高い場合、即ち、光を完全に遮
蔽するには至らないような場合には、別途黒い樹脂材料
等をブラックマトリクスと重なる様に設け、透過率を抑
えても良い。
性材料の透過率が比較的高い場合、即ち、光を完全に遮
蔽するには至らないような場合には、別途黒い樹脂材料
等をブラックマトリクスと重なる様に設け、透過率を抑
えても良い。
【０１０３】この黒い樹脂材料でなるブラックマトリク
スは薄膜トランジスタ側または対向基板側のどちらかに
形成すれば良い。この場合、画素領域内にはブラックマ
トリクスを設ける必要はない。
スは薄膜トランジスタ側または対向基板側のどちらかに
形成すれば良い。この場合、画素領域内にはブラックマ
トリクスを設ける必要はない。
【０１０４】〔実施例２〕同一基板上に画素領域と駆動
回路領域を集積化する場合はドライバーＴＦＴと画素Ｔ
ＦＴを同時に作製することになる。例えば、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置に組み込むことを念頭に置く
と、Ｎチャネル型およびＰチャネル型の薄膜トランジス
タを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ構造を駆動回路に用
いる。そして、本実施例１で説明した様な画素ＴＦＴを
画素領域に配置すれば良い。
回路領域を集積化する場合はドライバーＴＦＴと画素Ｔ
ＦＴを同時に作製することになる。例えば、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置に組み込むことを念頭に置く
と、Ｎチャネル型およびＰチャネル型の薄膜トランジス
タを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ構造を駆動回路に用
いる。そして、本実施例１で説明した様な画素ＴＦＴを
画素領域に配置すれば良い。
【０１０５】なお、前述のドライバーＴＦＴは基本的に
画素ＴＦＴと同じ工程で作製される。即ち、実施例１の
図２（Ｄ）においてソース電極２１４を形成すると同時
にドレイン電極を形成すれば良い。
画素ＴＦＴと同じ工程で作製される。即ち、実施例１の
図２（Ｄ）においてソース電極２１４を形成すると同時
にドレイン電極を形成すれば良い。
【０１０６】また、この場合ブラックマトリクスを設け
る領域を目的に応じて設計することも可能である。即
ち、ブラックマトリクスを画素領域のみに形成しても良
いし、画素領域と駆動回路領域の両領域に形成しても良
い。
る領域を目的に応じて設計することも可能である。即
ち、ブラックマトリクスを画素領域のみに形成しても良
いし、画素領域と駆動回路領域の両領域に形成しても良
い。
【０１０７】例えば、駆動回路の寄生容量の低減を重視
する様な場合には、駆動回路上にはブラックマトリクス
を形成しない構成とすることも可能である。同様に画素
領域において寄生容量の低減を重視する場合には、配線
をブラックマトリクスの一部として代用することで、配
線上にはブラックマトリクスを形成しない構成とするこ
ともできる。
する様な場合には、駆動回路上にはブラックマトリクス
を形成しない構成とすることも可能である。同様に画素
領域において寄生容量の低減を重視する場合には、配線
をブラックマトリクスの一部として代用することで、配
線上にはブラックマトリクスを形成しない構成とするこ
ともできる。
【０１０８】また、高速動作が必要な駆動回路において
信号の反射のない信頼性の高い構造を重視する様な場合
には、画素領域だけでなく駆動回路上にもブラックマト
リクスを形成して、グランドプレーンとして機能させる
ことも可能である。もちろん、その場合においても第２
の層間絶縁膜が低比誘電率で、膜厚が厚い構成となって
いれば寄生容量を極力抑えることができる。
信号の反射のない信頼性の高い構造を重視する様な場合
には、画素領域だけでなく駆動回路上にもブラックマト
リクスを形成して、グランドプレーンとして機能させる
ことも可能である。もちろん、その場合においても第２
の層間絶縁膜が低比誘電率で、膜厚が厚い構成となって
いれば寄生容量を極力抑えることができる。
【０１０９】〔実施例３〕本実施例では、実施例１にお
いて第３の層間絶縁膜として窒化膜を用いる場合の例を
示す。なお、画素領域の断面構造は実施例１に示したも
のと同様であるので本実施例における説明は省略する。
いて第３の層間絶縁膜として窒化膜を用いる場合の例を
示す。なお、画素領域の断面構造は実施例１に示したも
のと同様であるので本実施例における説明は省略する。
【０１１０】窒化膜としてはＡｌＮ（窒化アルミニウ
ム）、ＡｌＮX ＯY （酸化窒化アルミニウム）、Ｓｉ3
Ｎ4 （窒化珪素）、ＳｉＯX ＮY （酸化窒化珪素）で示
される絶縁膜から選ばれた一種または複数種を用いるこ
とができる。また、この第３の層間絶縁膜の膜厚は0.01
〜1.0 μｍであれば良い。
ム）、ＡｌＮX ＯY （酸化窒化アルミニウム）、Ｓｉ3
Ｎ4 （窒化珪素）、ＳｉＯX ＮY （酸化窒化珪素）で示
される絶縁膜から選ばれた一種または複数種を用いるこ
とができる。また、この第３の層間絶縁膜の膜厚は0.01
〜1.0 μｍであれば良い。
【０１１１】本実施例では、Ｓｉ3 Ｎ4 で示される窒化
珪素膜を0.2 μｍの厚さに成膜する。この窒化珪素膜は
成膜ガスとしてＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 を用いるため、
膜中には水素が含まれ膜応力が緩和されている。
珪素膜を0.2 μｍの厚さに成膜する。この窒化珪素膜は
成膜ガスとしてＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 を用いるため、
膜中には水素が含まれ膜応力が緩和されている。
【０１１２】このような構造とすると、図１（Ｂ）にお
いて画素線１０５とブラックマトリクス１０４とが窒化
珪素膜でなる第３の層間絶縁膜を介して重なり合って保
持容量を形成する。
いて画素線１０５とブラックマトリクス１０４とが窒化
珪素膜でなる第３の層間絶縁膜を介して重なり合って保
持容量を形成する。
【０１１３】本実施例で示す様に、第３の層間絶縁膜と
して窒化膜を用いる利点として大きく３つを挙げること
ができる。
して窒化膜を用いる利点として大きく３つを挙げること
ができる。
【０１１４】その第１は、窒化膜のパッシベーション効
果である。例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 で示される窒化珪素膜は
緻密であるため、外部汚染等からデバイスを保護する保
護膜（パッシベーション膜）として広く用いられてい
る。
果である。例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 で示される窒化珪素膜は
緻密であるため、外部汚染等からデバイスを保護する保
護膜（パッシベーション膜）として広く用いられてい
る。
【０１１５】第２は、窒化膜の比誘電率が大きいことで
ある。例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 で示される窒化珪素膜の比誘
電率は約７であり、第２の層間絶縁膜として用いる有機
性樹脂材料または無機性材料の約２倍の比誘電率を有す
る。
ある。例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 で示される窒化珪素膜の比誘
電率は約７であり、第２の層間絶縁膜として用いる有機
性樹脂材料または無機性材料の約２倍の比誘電率を有す
る。
【０１１６】従って、ブラックマトリクス１０４と画素
線１０５との間で形成される保持容量は第３の層間絶縁
膜の比誘電率が大きいため、必要十分な容量を稼ぐこと
が出来る。
線１０５との間で形成される保持容量は第３の層間絶縁
膜の比誘電率が大きいため、必要十分な容量を稼ぐこと
が出来る。
【０１１７】第３は、第２の層間絶縁膜に開孔（コンタ
クトホール）を形成する際のマスクとしても活用できる
ことである。これは、第２の層間絶縁膜である有機性樹
脂材料または無機性材料と窒化膜との間でエッチングの
選択比が大きくとれることによる。
クトホール）を形成する際のマスクとしても活用できる
ことである。これは、第２の層間絶縁膜である有機性樹
脂材料または無機性材料と窒化膜との間でエッチングの
選択比が大きくとれることによる。
【０１１８】例えば、有機性樹脂材料であるポリイミド
に開孔を形成する時にマスクとしてレジストマスクを用
いると、同じ有機性材料であるために選択比がとれず、
レジストマスクの膜厚以上の深さの開孔を形成できない
問題があった。
に開孔を形成する時にマスクとしてレジストマスクを用
いると、同じ有機性材料であるために選択比がとれず、
レジストマスクの膜厚以上の深さの開孔を形成できない
問題があった。
【０１１９】その点、窒化膜は十分な選択比がとれるの
で、最初に窒化膜のみをフッ酸系ガスでエッチングし
て、残存した窒化膜をマスクとすればポリイミドに対し
て所望の深さの開孔を形成することが可能となる。
で、最初に窒化膜のみをフッ酸系ガスでエッチングし
て、残存した窒化膜をマスクとすればポリイミドに対し
て所望の深さの開孔を形成することが可能となる。
【０１２０】その他、例えば窒化アルミニウムや酸化窒
化アルミニウムを用いる場合、これらの窒化膜は熱伝導
性に優れるという利点を持つ。従って、デバイスに熱を
籠もらせずに放熱できるため、ドライバＴＦＴのように
高速動作により発熱してしまうような場合には効果的で
ある。
化アルミニウムを用いる場合、これらの窒化膜は熱伝導
性に優れるという利点を持つ。従って、デバイスに熱を
籠もらせずに放熱できるため、ドライバＴＦＴのように
高速動作により発熱してしまうような場合には効果的で
ある。
【０１２１】〔実施例４〕本実施例では、実施例１にお
いてブラックマトリクス２１６と、画素線２１９および
それに延在する画素電極２２０の形成順序を入れ換えた
例を示す。
いてブラックマトリクス２１６と、画素線２１９および
それに延在する画素電極２２０の形成順序を入れ換えた
例を示す。
【０１２２】この場合、画素領域の構成は図１（Ｂ）と
同様であるが、Ａ−Ａ’やＢ−Ｂ’における切断面が実
施例１とは異なる。図５に示すのは、本実施例による場
合のＡ−Ａ’における切断面である。
同様であるが、Ａ−Ａ’やＢ−Ｂ’における切断面が実
施例１とは異なる。図５に示すのは、本実施例による場
合のＡ−Ａ’における切断面である。
【０１２３】図５で用いる符号は実施例１で用いた符号
をそのまま引用している。本実施例では、第２の層間絶
縁膜２１５を成膜した後、コンタクトホールを形成して
画素線２１９および画素電極２２０を形成する。そし
て、第３の層間絶縁膜２１８を成膜してブラックマトリ
クス２１６を形成する。
をそのまま引用している。本実施例では、第２の層間絶
縁膜２１５を成膜した後、コンタクトホールを形成して
画素線２１９および画素電極２２０を形成する。そし
て、第３の層間絶縁膜２１８を成膜してブラックマトリ
クス２１６を形成する。
【０１２４】実施例１と異なる点は、実施例１ではブラ
ックマトリクス２１６を形成する際にコンタクトホール
を形成するための開口窓２１７を開けておく必要があっ
たのに対し、本実施例による場合にはその必要がない点
である。
ックマトリクス２１６を形成する際にコンタクトホール
を形成するための開口窓２１７を開けておく必要があっ
たのに対し、本実施例による場合にはその必要がない点
である。
【０１２５】実施例１のようにブラックマトリクス２１
６に開口窓２１７を形成し、そこに合わせてコンタクト
ホールを形成するとなると、精密なパターニング精度が
要求される。このことは、微細化を進めていく上でさら
に顕著になる。
６に開口窓２１７を形成し、そこに合わせてコンタクト
ホールを形成するとなると、精密なパターニング精度が
要求される。このことは、微細化を進めていく上でさら
に顕著になる。
【０１２６】さらに、開口窓２１７の部分には保持容量
が形成されないためパターニングのマージンをとり過ぎ
ると保持容量の容量を犠牲にすることになってしまう。
が形成されないためパターニングのマージンをとり過ぎ
ると保持容量の容量を犠牲にすることになってしまう。
【０１２７】その点、本実施例によれば画素線２１９を
形成した後にブラックマトリクス２１６を形成するので
特に開口窓を設ける必要がなく、容量線２１９を最大限
に活用して保持容量を形成することが可能である。
形成した後にブラックマトリクス２１６を形成するので
特に開口窓を設ける必要がなく、容量線２１９を最大限
に活用して保持容量を形成することが可能である。
【０１２８】また、ブラックマトリクス２１６を形成す
る際のパターニング精度も大幅に余裕ができ、製造工程
の簡略化や歩留りの向上に効果がある。
る際のパターニング精度も大幅に余裕ができ、製造工程
の簡略化や歩留りの向上に効果がある。
【０１２９】〔実施例５〕本実施例では、実施例１にお
いて画素電極の配置本数を増やし、ブラックマトリクス
の形状を変化させた例を示す。具体的には、図６に示す
ような構成の画素領域を形成する場合について説明す
る。
いて画素電極の配置本数を増やし、ブラックマトリクス
の形状を変化させた例を示す。具体的には、図６に示す
ような構成の画素領域を形成する場合について説明す
る。
【０１３０】図６において、６０１はブラックマトリク
ス、６０２は画素線、６０３は画素電極である。ブラッ
クマトリクス６０１の下方には実施例１と同様にゲイト
線およびデータ線が存在するが特に説明は行わない。
ス、６０２は画素線、６０３は画素電極である。ブラッ
クマトリクス６０１の下方には実施例１と同様にゲイト
線およびデータ線が存在するが特に説明は行わない。
【０１３１】本実施例の特徴は、まず画素電極６０３が
複数本、この場合は３本配置されている点である。そし
て、図６に示すように、画素電極６０３を挟み込む窓枠
のような形状でブラックマトリクス６０１が形成されて
いる。
複数本、この場合は３本配置されている点である。そし
て、図６に示すように、画素電極６０３を挟み込む窓枠
のような形状でブラックマトリクス６０１が形成されて
いる。
【０１３２】このように、本実施例では画素線６０２と
画素電極６０３とでもって櫛歯形状を構成し、その歯の
部分である画素電極とブラックマトリクス６０１との間
に横方向電界を形成することを特徴とする。
画素電極６０３とでもって櫛歯形状を構成し、その歯の
部分である画素電極とブラックマトリクス６０１との間
に横方向電界を形成することを特徴とする。
【０１３３】また、ブラックマトリクス６０１は画素電
極６０３を遮蔽しないように窓枠状にパターニングを施
し、その枠状部分と画素電極６０３とのスキマが画像表
示領域となるような構成とする。
極６０３を遮蔽しないように窓枠状にパターニングを施
し、その枠状部分と画素電極６０３とのスキマが画像表
示領域となるような構成とする。
【０１３４】本実施例によれば、電極幅の微細化が進め
られた場合において高い開口率を実現できる構成を得ら
れる点で非常に有益である。その場合、画素電極６０３
およびブラックマトリクス６０１の枠状部分は同程度の
電極幅とし、可能な限り細くすることで開口率を高めら
れる。好ましくは0.1 〜2 μｍの電極幅が良い。
られた場合において高い開口率を実現できる構成を得ら
れる点で非常に有益である。その場合、画素電極６０３
およびブラックマトリクス６０１の枠状部分は同程度の
電極幅とし、可能な限り細くすることで開口率を高めら
れる。好ましくは0.1 〜2 μｍの電極幅が良い。
【０１３５】また、さらなる効果としては駆動電圧を低
くしてデータ信号の低振幅化を図り、消費電力を削減す
ることが可能である。
くしてデータ信号の低振幅化を図り、消費電力を削減す
ることが可能である。
【０１３６】〔実施例６〕本実施例は、実施例１におい
て画素線の形状を変えて図７に示すような構成の画素領
域を形成する例である。画素線７０１を図７のような形
状とすることで、保持容量の容量をより大きく確保する
ことが可能である。
て画素線の形状を変えて図７に示すような構成の画素領
域を形成する例である。画素線７０１を図７のような形
状とすることで、保持容量の容量をより大きく確保する
ことが可能である。
【０１３７】ただし、隣接する画素線との短絡には十分
な注意が必要であり、電極幅や配線幅の微細化が進んだ
場合、精密なパターニング精度が要求される。
な注意が必要であり、電極幅や配線幅の微細化が進んだ
場合、精密なパターニング精度が要求される。
【０１３８】また、当然のことながら前述の実施例５に
対しても本実施例を応用することができる。その場合、
開口率の向上と保持容量の確保が容易となる。
対しても本実施例を応用することができる。その場合、
開口率の向上と保持容量の確保が容易となる。
【０１３９】〔実施例７〕本実施例は、ブラックマトリ
クスとは別に容量形成用電極を設け、その電極と画素線
でもって保持容量を形成する例である。
クスとは別に容量形成用電極を設け、その電極と画素線
でもって保持容量を形成する例である。
【０１４０】この保持容量はブラックマトリクスの上に
形成される構造でも、下に形成される構造でも構わな
い。また、容量形成用電極は画素線の上に設けても下に
設けても良い。
形成される構造でも、下に形成される構造でも構わな
い。また、容量形成用電極は画素線の上に設けても下に
設けても良い。
【０１４１】また、保持容量を形成する絶縁層を所望の
絶縁膜で、かつ、所望の膜厚で形成することができる。
例えば、窒化アルミニウム膜など歪応力の大きな膜であ
っても、容量形成用電極と画素線とが重なる領域のみに
存在すれば良いので、応力の影響でデバイス特性を悪化
させることなく利用できる点で有意である。
絶縁膜で、かつ、所望の膜厚で形成することができる。
例えば、窒化アルミニウム膜など歪応力の大きな膜であ
っても、容量形成用電極と画素線とが重なる領域のみに
存在すれば良いので、応力の影響でデバイス特性を悪化
させることなく利用できる点で有意である。
【０１４２】さらに、上記容量形成用電極をグランドプ
レーンとし、ゲイト線やデータ線等各種配線のインピー
ダンスを均一化することもできる。
レーンとし、ゲイト線やデータ線等各種配線のインピー
ダンスを均一化することもできる。
【０１４３】〔実施例８〕本実施例では、実施例１〜実
施例７において島状半導体層の構成を変えた例を説明す
る。具体的には、チャネル領域のチャネル長およびチャ
ネル幅がＴＦＴのオン状態とオフ状態とで変化する構造
を採る例である。
施例７において島状半導体層の構成を変えた例を説明す
る。具体的には、チャネル領域のチャネル長およびチャ
ネル幅がＴＦＴのオン状態とオフ状態とで変化する構造
を採る例である。
【０１４４】この技術は本発明者らによって既に報告さ
れているもので、その主旨は、ＴＦＴがオフ状態の時に
実質的にチャネル長を長く、チャネル幅を狭くすること
でオフ電流（またはリーク電流）を低減するものであ
る。以下にその技術の概要を説明する。
れているもので、その主旨は、ＴＦＴがオフ状態の時に
実質的にチャネル長を長く、チャネル幅を狭くすること
でオフ電流（またはリーク電流）を低減するものであ
る。以下にその技術の概要を説明する。
【０１４５】図８（Ａ）に示すのは薄膜トランジスタの
活性層を構成する島状半導体層である。この島状半導体
層のソースとなる領域８０１およびドレインとなる領域
８０２で挟まれた領域８００は、選択的にイオン注入が
行なわれ、一導電性を付与した領域（この領域を浮島領
域とよぶ）８０３〜８０５が形成されている。
活性層を構成する島状半導体層である。この島状半導体
層のソースとなる領域８０１およびドレインとなる領域
８０２で挟まれた領域８００は、選択的にイオン注入が
行なわれ、一導電性を付与した領域（この領域を浮島領
域とよぶ）８０３〜８０５が形成されている。
【０１４６】この浮島領域８０３〜８０５の導電性はソ
ースとなる領域８０１およびドレインとなる領域８０２
の導電性と等しく、例えばＮチャネル型ＴＦＴを作製す
る場合、Ｐ＋イオンを１×１０12〜１×１０14原子／ｃ
ｍ2 、好ましくは３×１０12〜３×１０13原子／ｃｍ2
のドーズ量でドーピングする。
ースとなる領域８０１およびドレインとなる領域８０２
の導電性と等しく、例えばＮチャネル型ＴＦＴを作製す
る場合、Ｐ＋イオンを１×１０12〜１×１０14原子／ｃ
ｍ2 、好ましくは３×１０12〜３×１０13原子／ｃｍ2
のドーズ量でドーピングする。
【０１４７】この際、浮島領域８０３〜８０５は必ずし
も図８（Ａ）の様に島状半導体層の外縁に接してなくて
も構わない。即ち、後に領域８００内に島状に点在する
ような状態であっても良い。
も図８（Ａ）の様に島状半導体層の外縁に接してなくて
も構わない。即ち、後に領域８００内に島状に点在する
ような状態であっても良い。
【０１４８】また、領域８００内においてイオン注入が
行われなかった領域８０６は実質的に真性であり、チャ
ネルを形成する領域（以下、ベース領域とよぶ）とな
る。
行われなかった領域８０６は実質的に真性であり、チャ
ネルを形成する領域（以下、ベース領域とよぶ）とな
る。
【０１４９】このようなイオン注入が施された島状半導
体層を用いて作製したＴＦＴの電気特性の概略を以下に
説明する。
体層を用いて作製したＴＦＴの電気特性の概略を以下に
説明する。
【０１５０】図８（Ａ）に示すような構成でなる島状半
導体層において、実質的に真性な半導体領域であるベー
ス領域８０６と、浮島領域８０３〜８０５との境界はポ
テンシャルバリアが高い。そのため、Ｎチャネル型ＴＦ
Ｔがオフ状態の時はベース領域８０６の矢印に沿って僅
かに電子が移動する。この電子の移動がオフ電流（また
はリーク電流）として観測される。
導体層において、実質的に真性な半導体領域であるベー
ス領域８０６と、浮島領域８０３〜８０５との境界はポ
テンシャルバリアが高い。そのため、Ｎチャネル型ＴＦ
Ｔがオフ状態の時はベース領域８０６の矢印に沿って僅
かに電子が移動する。この電子の移動がオフ電流（また
はリーク電流）として観測される。
【０１５１】ところが、Ｎチャネル型ＴＦＴがオン状態
の時はベース領域８０６が反転して浮島領域８０３〜８
０５とのポテンシャルバリアが極めて小さくなるため、
図８（Ｂ）の矢印で示すような経路で大量の電子が移動
する。この電子の移動がオン電流として観測される。
の時はベース領域８０６が反転して浮島領域８０３〜８
０５とのポテンシャルバリアが極めて小さくなるため、
図８（Ｂ）の矢印で示すような経路で大量の電子が移動
する。この電子の移動がオン電流として観測される。
【０１５２】このようにＴＦＴのオフ状態とオン状態と
でポテンシャルバリアが変化する様子を図９を用いて概
略説明する。なお、図９においてＶｇはゲイト電圧（Ｖ
ｇ＞０）、Ｅｃは伝導帯、Ｅｖは価電子帯、Ｅｆはフェ
ルミレベルを表している。
でポテンシャルバリアが変化する様子を図９を用いて概
略説明する。なお、図９においてＶｇはゲイト電圧（Ｖ
ｇ＞０）、Ｅｃは伝導帯、Ｅｖは価電子帯、Ｅｆはフェ
ルミレベルを表している。
【０１５３】まず、Ｎチャネル型ＴＦＴがオフ状態（ゲ
イトに負電圧が印加された状態）の時、ベース領域８０
６においては図９（Ａ）のようなバンド状態となってい
る。即ち、少数キャリアであるホールが半導体表面に集
まり、電子が払われた状態にあるため、ソース／ドレイ
ン間の電子の移動は極めて少ない。
イトに負電圧が印加された状態）の時、ベース領域８０
６においては図９（Ａ）のようなバンド状態となってい
る。即ち、少数キャリアであるホールが半導体表面に集
まり、電子が払われた状態にあるため、ソース／ドレイ
ン間の電子の移動は極めて少ない。
【０１５４】一方、浮島領域８０３〜８０５はＰ＋イオ
ンを注入してあるため、フェルミレベルＥｆは伝導帯Ｅ
ｃの近くへと押し上げられている。この時、浮島領域８
０３〜８０５においては図９（Ｂ）のようなバンド状態
となっている。
ンを注入してあるため、フェルミレベルＥｆは伝導帯Ｅ
ｃの近くへと押し上げられている。この時、浮島領域８
０３〜８０５においては図９（Ｂ）のようなバンド状態
となっている。
【０１５５】図９（Ｂ）のように、Ｎ型を示す半導体層
である浮島領域８０３〜８０５においてはゲイトに負電
圧を印加しても、エネルギーバンドは僅かにしか曲がら
ない。
である浮島領域８０３〜８０５においてはゲイトに負電
圧を印加しても、エネルギーバンドは僅かにしか曲がら
ない。
【０１５６】従って、図９（Ａ）における半導体表面の
価電子帯のエネルギーと図９（Ｂ）における半導体表面
の価電子帯のエネルギーとのエネルギー差がポテンシャ
ルバリアに相当する。そのため、電子がベース領域８０
６と浮島領域８０３〜８０５を往復することはない。
価電子帯のエネルギーと図９（Ｂ）における半導体表面
の価電子帯のエネルギーとのエネルギー差がポテンシャ
ルバリアに相当する。そのため、電子がベース領域８０
６と浮島領域８０３〜８０５を往復することはない。
【０１５７】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴがオン状態（ゲ
イトに正電圧が印加された状態）の時、ベース領域８０
６においては図９（Ｃ）のようなバンド状態となってい
る。即ち、多数キャリアである電子が半導体表面に蓄積
されるため、ソース／ドレイン間には電子の移動が生じ
る。
イトに正電圧が印加された状態）の時、ベース領域８０
６においては図９（Ｃ）のようなバンド状態となってい
る。即ち、多数キャリアである電子が半導体表面に蓄積
されるため、ソース／ドレイン間には電子の移動が生じ
る。
【０１５８】この時、浮島領域８０３〜８０５において
は図９（Ｄ）のようなバンド状態となっている。図９
（Ｄ）に示す様に、前述のゲイトに負電圧を印加した時
同様、Ｎ型を示す半導体層である浮島領域８０３〜８０
５においてはゲイトに正電圧を印加してもエネルギーバ
ンドは殆ど曲がらない。
は図９（Ｄ）のようなバンド状態となっている。図９
（Ｄ）に示す様に、前述のゲイトに負電圧を印加した時
同様、Ｎ型を示す半導体層である浮島領域８０３〜８０
５においてはゲイトに正電圧を印加してもエネルギーバ
ンドは殆ど曲がらない。
【０１５９】しかしながら、図９（Ｄ）において元々フ
ェルミレベルＥｆは伝導帯Ｅｃの近くに押し上げられて
いるため、伝導体には多数の電子が常に存在している。
ェルミレベルＥｆは伝導帯Ｅｃの近くに押し上げられて
いるため、伝導体には多数の電子が常に存在している。
【０１６０】従って、ゲイトに正電圧を印加した場合、
ベース領域８０６および浮島領域８０３〜８０５は共に
電子が移動し易いバンド状態となっているため、ベース
領域８０６および浮島領域８０３〜８０５の境界のポテ
ンシャルバリアは無視することが出来る。
ベース領域８０６および浮島領域８０３〜８０５は共に
電子が移動し易いバンド状態となっているため、ベース
領域８０６および浮島領域８０３〜８０５の境界のポテ
ンシャルバリアは無視することが出来る。
【０１６１】以上の様に、オフ状態ではベース領域８０
６のみが電子の移動経路となり、オン状態ではベース領
域８０６および浮島領域８０３〜８０５が電子の移動経
路となる。この様子を簡略化したモデルを用いて以下に
まとめる。
６のみが電子の移動経路となり、オン状態ではベース領
域８０６および浮島領域８０３〜８０５が電子の移動経
路となる。この様子を簡略化したモデルを用いて以下に
まとめる。
【０１６２】図１０（Ａ）に示すのは図８（Ａ）と同じ
半導体層である。薄膜トランジスタがオン状態にある
時、図中に記載されたＡ−Ａ’で示される実線方向に多
数キャリアである電子が移動する。この時、Ａ−Ａ’に
おける断面は図１０（Ｂ）の構造であり、回路図は図１
０（Ｃ）のようになる。
半導体層である。薄膜トランジスタがオン状態にある
時、図中に記載されたＡ−Ａ’で示される実線方向に多
数キャリアである電子が移動する。この時、Ａ−Ａ’に
おける断面は図１０（Ｂ）の構造であり、回路図は図１
０（Ｃ）のようになる。
【０１６３】また、薄膜トランジスタがオフ状態にある
時、図中に記載されたＢ−Ｂ’で示される破線方向に少
数キャリアである電子が移動する。この時、Ｂ−Ｂ’に
おける断面は図１０（Ｄ）の構造であり、回路図は図１
０（Ｅ）のようになる。
時、図中に記載されたＢ−Ｂ’で示される破線方向に少
数キャリアである電子が移動する。この時、Ｂ−Ｂ’に
おける断面は図１０（Ｄ）の構造であり、回路図は図１
０（Ｅ）のようになる。
【０１６４】即ち、薄膜トランジスタがオン状態の時は
多数キャリアである電子が最短距離を通ってソース領域
からドレイン領域に移動する。その一方、薄膜トランジ
スタがオフ状態の時は少数キャリアである電子が実質的
に長くなったチャネル領域を移動すると見なせる。
多数キャリアである電子が最短距離を通ってソース領域
からドレイン領域に移動する。その一方、薄膜トランジ
スタがオフ状態の時は少数キャリアである電子が実質的
に長くなったチャネル領域を移動すると見なせる。
【０１６５】このような構造とすると、画素ＴＦＴの島
状半導体層の占有面積をさほど変えずに大幅なオフ電流
の低減効果を得られ、かつ、従来以上の応答特性を持つ
画素ＴＦＴおよびドライバＴＦＴを構成できる利点があ
る。
状半導体層の占有面積をさほど変えずに大幅なオフ電流
の低減効果を得られ、かつ、従来以上の応答特性を持つ
画素ＴＦＴおよびドライバＴＦＴを構成できる利点があ
る。
【０１６６】また、今後ゲイト電極の微細加工が進むに
従い、図８（Ａ）においてＴＦＴがオフ状態の時の実質
的なチャネル幅が狭くなる傾向が予想される。さらに、
半導体層がいずれ150 Å程度にまで薄膜化されることを
考慮すると、本実施例に示すオフ電流の低減効果はさら
に高まると言える。
従い、図８（Ａ）においてＴＦＴがオフ状態の時の実質
的なチャネル幅が狭くなる傾向が予想される。さらに、
半導体層がいずれ150 Å程度にまで薄膜化されることを
考慮すると、本実施例に示すオフ電流の低減効果はさら
に高まると言える。
【０１６７】〔実施例９〕本実施例では、実施例８で説
明した構成の半導体層の別の例を示す。具体的には、チ
ャネル形成領域に高抵抗領域を付加する技術に関する。
明した構成の半導体層の別の例を示す。具体的には、チ
ャネル形成領域に高抵抗領域を付加する技術に関する。
【０１６８】図１１（Ａ）に示すのは、図８（Ａ）で示
した島状半導体層にゲイト電極１１を書き加えたもので
ある。このような形状のゲイト電極を設ければゲイト電
極１１をマスクとして不純物イオン注入を行い、浮島領
域１２〜１４を自己整合的に形成することが可能であ
る。
した島状半導体層にゲイト電極１１を書き加えたもので
ある。このような形状のゲイト電極を設ければゲイト電
極１１をマスクとして不純物イオン注入を行い、浮島領
域１２〜１４を自己整合的に形成することが可能であ
る。
【０１６９】なお、ゲイト電極１１に対して印加電圧を
与えた場合の挙動については実施例８で説明したので省
略する。また、以下に記載する例は実施例８同様、Ｎチ
ャネル型ＴＦＴの場合について説明する。
与えた場合の挙動については実施例８で説明したので省
略する。また、以下に記載する例は実施例８同様、Ｎチ
ャネル型ＴＦＴの場合について説明する。
【０１７０】図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のゲイト電極
１１の一部分をエッチング除去した構成を示している。
このゲイト電極１５のエッチング工程は不純物イオン注
入により自己整合的に浮島領域１２〜１４を形成した後
に行えば良い。
１１の一部分をエッチング除去した構成を示している。
このゲイト電極１５のエッチング工程は不純物イオン注
入により自己整合的に浮島領域１２〜１４を形成した後
に行えば良い。
【０１７１】この時、図１１（Ｂ）においてゲイト電極
１５によって電圧を印加されない領域１６は、常に実質
的に真性な半導体層となる。即ち、いわゆるオフセット
と同様に高い抵抗領域として振る舞う領域となる。
１５によって電圧を印加されない領域１６は、常に実質
的に真性な半導体層となる。即ち、いわゆるオフセット
と同様に高い抵抗領域として振る舞う領域となる。
【０１７２】従って、ゲイト電極１５に負電圧が印加さ
れている時（ＴＦＴがオフ状態の時）、高抵抗領域１６
が実質的にオフセットとして機能するためオフ電流が効
果的に抑制される。また、ゲイト電極１５に正電圧が印
加されている時（ＴＦＴがオン状態の時）、実施例８で
説明した様に島状半導体層の全域が電子の流れる経路と
なるため高抵抗領域１６はオン電流に殆ど影響を与えな
い。
れている時（ＴＦＴがオフ状態の時）、高抵抗領域１６
が実質的にオフセットとして機能するためオフ電流が効
果的に抑制される。また、ゲイト電極１５に正電圧が印
加されている時（ＴＦＴがオン状態の時）、実施例８で
説明した様に島状半導体層の全域が電子の流れる経路と
なるため高抵抗領域１６はオン電流に殆ど影響を与えな
い。
【０１７３】従って、本実施例による構成を採れば、よ
りオフ電流を抑制した画素ＴＦＴを形成することが出来
る。即ち、液晶に与えられた電荷を効率よく保持してお
くことができるため、保持容量の設計マージンに余裕が
できる。
りオフ電流を抑制した画素ＴＦＴを形成することが出来
る。即ち、液晶に与えられた電荷を効率よく保持してお
くことができるため、保持容量の設計マージンに余裕が
できる。
【０１７４】〔実施例１０〕本実施例では、実施例９で
説明した構成の半導体層の別の例を示す。図１１（Ｃ）
に示すのは本実施例による半導体層周辺部の構成図であ
る。
説明した構成の半導体層の別の例を示す。図１１（Ｃ）
に示すのは本実施例による半導体層周辺部の構成図であ
る。
【０１７５】本実施例の特徴は、チャネル形成領域を完
全にゲイト電極１７でもって覆うことにある。このよう
な構成とすると、ＴＦＴがオン状態にある時電子の移動
距離、即ち、実質的なチャネル長が短くて済む。従っ
て、動作速度の速い薄膜トランジスタを形成することが
できる。なお、１８で示されるのはゲイト電極１７下に
存在する浮島領域である。
全にゲイト電極１７でもって覆うことにある。このよう
な構成とすると、ＴＦＴがオン状態にある時電子の移動
距離、即ち、実質的なチャネル長が短くて済む。従っ
て、動作速度の速い薄膜トランジスタを形成することが
できる。なお、１８で示されるのはゲイト電極１７下に
存在する浮島領域である。
【０１７６】また、このような構成の別の利点として
は、薄膜トランジスタを小さいサイズで形成して開口率
を向上できることが挙げられる。
は、薄膜トランジスタを小さいサイズで形成して開口率
を向上できることが挙げられる。
【０１７７】〔実施例１１〕本実施例では、実施例１に
おいて第２の層間絶縁膜としてＬＰＤ（Liquid Phase D
eposition ）法により塗布した絶縁膜を利用する例を示
す。なお、画素ＴＦＴやドライバＴＦＴの作製工程は既
に実施例１で説明したのでここでは省略する。
おいて第２の層間絶縁膜としてＬＰＤ（Liquid Phase D
eposition ）法により塗布した絶縁膜を利用する例を示
す。なお、画素ＴＦＴやドライバＴＦＴの作製工程は既
に実施例１で説明したのでここでは省略する。
【０１７８】ＬＰＤ法（スピン法とも呼ばれる）による
被膜形成の概要は以下の手順による。なお、説明は無機
性材料である酸化珪素系被膜（ＳｉＯX ）の場合につい
て行なうが、他の無機性材料としてＳｉＯＦ膜（比誘電
率3.2 〜3.3 ）や有機性樹脂材料としてポリイミド（比
誘電率2.8 〜3.4 ）等を用いることも出来る。
被膜形成の概要は以下の手順による。なお、説明は無機
性材料である酸化珪素系被膜（ＳｉＯX ）の場合につい
て行なうが、他の無機性材料としてＳｉＯＦ膜（比誘電
率3.2 〜3.3 ）や有機性樹脂材料としてポリイミド（比
誘電率2.8 〜3.4 ）等を用いることも出来る。
【０１７９】まず、Ｈ2 ＳｉＦ6 溶液を準備し、これに
ＳｉＯ2:ｘＨ2 Ｏを加えて３ｈｒの攪拌を行なう。この
時の処理温度は３０℃に保持しておく。次に、攪拌後の
溶液を濾過して、所望の濃度の溶液となるように調節す
る。調節が終了したら、ウォーターバス等で５０℃に達
するまで温めながら攪拌する。
ＳｉＯ2:ｘＨ2 Ｏを加えて３ｈｒの攪拌を行なう。この
時の処理温度は３０℃に保持しておく。次に、攪拌後の
溶液を濾過して、所望の濃度の溶液となるように調節す
る。調節が終了したら、ウォーターバス等で５０℃に達
するまで温めながら攪拌する。
【０１８０】以上で、塗布用の溶液の準備が終了する。
また、例えばこの溶液にＨ3 ＢＯ3を加えれば膜中にＢ
＋イオンを含有した酸化珪素系被膜（いわゆるＢＳＧと
呼ばれる被膜）を形成することが出来る。
また、例えばこの溶液にＨ3 ＢＯ3を加えれば膜中にＢ
＋イオンを含有した酸化珪素系被膜（いわゆるＢＳＧと
呼ばれる被膜）を形成することが出来る。
【０１８１】上記手順に従って準備した溶液に被処理基
体を浸した後、純粋でリンスして乾燥させれば被膜形成
は完了する。なお、有機性樹脂材料を塗布するのであれ
ば、所望の被膜塗布用溶液を準備し、ＬＰＤ法により被
膜形成を行えば良い。
体を浸した後、純粋でリンスして乾燥させれば被膜形成
は完了する。なお、有機性樹脂材料を塗布するのであれ
ば、所望の被膜塗布用溶液を準備し、ＬＰＤ法により被
膜形成を行えば良い。
【０１８２】有機性樹脂材料としてはポリイミド等が挙
げられ、比誘電率は2.8 〜3.4 と低い。この場合、スピ
ナー上に保持した被処理基体上に被膜塗布用溶液を塗布
し、スピナーを2000rpm で回転させることで被膜を形成
する。被膜形成後は300 ℃30min 程度のベークを行い膜
質を改善する。
げられ、比誘電率は2.8 〜3.4 と低い。この場合、スピ
ナー上に保持した被処理基体上に被膜塗布用溶液を塗布
し、スピナーを2000rpm で回転させることで被膜を形成
する。被膜形成後は300 ℃30min 程度のベークを行い膜
質を改善する。
【０１８３】以上の様に、ＬＰＤ法による場合、比較的
容易に所望の被膜を形成することが出来る。即ち、スル
ープットを大幅に向上することが可能である。また、溶
液に浸す時間（スピナーを用いる場合は回転数等）や溶
液濃度で自在に膜厚を調節できるため、厚く平坦な被膜
を形成し易い。
容易に所望の被膜を形成することが出来る。即ち、スル
ープットを大幅に向上することが可能である。また、溶
液に浸す時間（スピナーを用いる場合は回転数等）や溶
液濃度で自在に膜厚を調節できるため、厚く平坦な被膜
を形成し易い。
【０１８４】〔実施例１２〕本実施例は、本発明をAmor
phous and Super-Multidomain AM-LCDに応用する例であ
る。この場合、液晶材料として一般的なＴＮ材料に光学
活性材料を添加して用いるため、ラビング工程が不要で
あるという利点を有する。
phous and Super-Multidomain AM-LCDに応用する例であ
る。この場合、液晶材料として一般的なＴＮ材料に光学
活性材料を添加して用いるため、ラビング工程が不要で
あるという利点を有する。
【０１８５】〔実施例１３〕本実施例は、本発明を電界
効果型モードの液晶表示装置に応用する例である。この
ようなモードは、ツイステッドネマテック（ＴＮ）モー
ド、スーパーツイステッドネマテック（ＳＴＮ）モー
ド、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、相転移（ＰＣ）
モード、ゲストホスト（ＧＨ）モードの５つに分類して
考えることができる。
効果型モードの液晶表示装置に応用する例である。この
ようなモードは、ツイステッドネマテック（ＴＮ）モー
ド、スーパーツイステッドネマテック（ＳＴＮ）モー
ド、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、相転移（ＰＣ）
モード、ゲストホスト（ＧＨ）モードの５つに分類して
考えることができる。
【０１８６】この動作モードは消費電力が少なく、駆動
電圧が低いので低消費電力という利点を有する。
電圧が低いので低消費電力という利点を有する。
【０１８７】〔実施例１４〕本実施例は、本発明を動的
散乱型モードの液晶表示装置に応用する例である。この
モードは電界効果に加えて、液晶中にドープしたイオン
添加剤の存在によって生じる乱流運動に伴う光散乱状態
を表示に利用するものである。
散乱型モードの液晶表示装置に応用する例である。この
モードは電界効果に加えて、液晶中にドープしたイオン
添加剤の存在によって生じる乱流運動に伴う光散乱状態
を表示に利用するものである。
【０１８８】〔実施例１５〕本実施例は、本発明を熱効
果型モードの液晶表示装置に応用する例である。このモ
ードは液晶の温度による相転移を加熱によって制御し、
それに基づく光学特性の変化を表示に利用するものであ
る。
果型モードの液晶表示装置に応用する例である。このモ
ードは液晶の温度による相転移を加熱によって制御し、
それに基づく光学特性の変化を表示に利用するものであ
る。
【０１８９】〔実施例１６〕本実施例は、本発明を用い
て分散型液晶表示装置を構成する場合の例を示す。この
場合の液晶層は、高分子材料で構成される固相ポリマー
の中にネマティック、コレステリックあるいはスメクテ
ィック液晶を粒状または海綿状に分散保持された構成と
なる。
て分散型液晶表示装置を構成する場合の例を示す。この
場合の液晶層は、高分子材料で構成される固相ポリマー
の中にネマティック、コレステリックあるいはスメクテ
ィック液晶を粒状または海綿状に分散保持された構成と
なる。
【０１９０】この液晶表示装置の作製方法としては、液
晶のカプセル化によりポリマー中に液晶を分散させ、そ
のポリマーをフィルムあるいは基板上に薄膜として形成
する方法が知られている。ここで、カプセル化物質とし
てはゼラチン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール等
は提案されている。
晶のカプセル化によりポリマー中に液晶を分散させ、そ
のポリマーをフィルムあるいは基板上に薄膜として形成
する方法が知られている。ここで、カプセル化物質とし
てはゼラチン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール等
は提案されている。
【０１９１】このような分散型液晶表示装置は、薄膜ト
ランジスタや各種配線等が形成された側の基板のみで液
晶表示装置を構成できる特徴を有する。即ち、特にセル
組工程を必要としないため、液晶表示装置の製造工程の
簡略化、延いては歩留り向上に繋がる。
ランジスタや各種配線等が形成された側の基板のみで液
晶表示装置を構成できる特徴を有する。即ち、特にセル
組工程を必要としないため、液晶表示装置の製造工程の
簡略化、延いては歩留り向上に繋がる。
【０１９２】〔実施例１７〕実施例７では容量形成用電
極と画素線でもって保持容量を形成する例を示した。本
実施例では、画素線に限らない導電性膜と容量形成用電
極とでもって保持容量を形成する例を示す。
極と画素線でもって保持容量を形成する例を示した。本
実施例では、画素線に限らない導電性膜と容量形成用電
極とでもって保持容量を形成する例を示す。
【０１９３】例えば、本実施例では導電性膜として活性
層を利用する例を示す。即ち、容量形成用電極と活性層
との間でゲイト絶縁膜を絶縁層として容量を形成するこ
とが可能である。
層を利用する例を示す。即ち、容量形成用電極と活性層
との間でゲイト絶縁膜を絶縁層として容量を形成するこ
とが可能である。
【０１９４】容量形成用電極と活性層とが重畳する領域
は活性層のどこを用いて形成されるのであっても構わな
い。即ち、ソース／ドレイン領域間であってもソース／
ドレイン領域間以外の領域であっても何ら問題はない。
は活性層のどこを用いて形成されるのであっても構わな
い。即ち、ソース／ドレイン領域間であってもソース／
ドレイン領域間以外の領域であっても何ら問題はない。
【０１９５】例えば、複数本のゲイト電極を有するよう
な構成でなる薄膜トランジスタにおいて、その内少なく
とも一本を常時オン状態としておくことで当該ゲイト電
極下に保持容量を形成し、他のゲイト電極でもって薄膜
トランジスタのオン／オフ動作を行うこともできる。
な構成でなる薄膜トランジスタにおいて、その内少なく
とも一本を常時オン状態としておくことで当該ゲイト電
極下に保持容量を形成し、他のゲイト電極でもって薄膜
トランジスタのオン／オフ動作を行うこともできる。
【０１９６】本実施例で示す保持容量は、実施例１で説
明したような画素線とブラックマトリクスとの間に形成
した保持容量と組み合わせて利用することも可能であ
る。また、本実施例と実施例７で説明した保持容量とを
組み合わせることも可能であることは言うまでもない。
明したような画素線とブラックマトリクスとの間に形成
した保持容量と組み合わせて利用することも可能であ
る。また、本実施例と実施例７で説明した保持容量とを
組み合わせることも可能であることは言うまでもない。
【０１９７】以上のような構成でなる本実施例に従うこ
とで、容量の大きい保持容量を確保して、表示画像を保
持時間を大幅に向上させることが可能となる。
とで、容量の大きい保持容量を確保して、表示画像を保
持時間を大幅に向上させることが可能となる。
【０１９８】〔実施例１８〕本実施例では、実施例４に
おいてソース電極の形成と同時に画素線およびそれから
延在する画素電極を形成する例を示す。なお、説明に用
いる符号は前述の実施例で用いたものをそのまま引用す
る。
おいてソース電極の形成と同時に画素線およびそれから
延在する画素電極を形成する例を示す。なお、説明に用
いる符号は前述の実施例で用いたものをそのまま引用す
る。
【０１９９】本実施例を具体的に説明すると、図５にお
いて第１の層間絶縁膜２１３の上にソース電極２１４を
形成すると同時に、同じ材料で画素線２１９と画素電極
２２０とを形成する。ただし、実施例４と異なり画素線
２１９をソース電極２１４にオーバーラップさせること
はできない。
いて第１の層間絶縁膜２１３の上にソース電極２１４を
形成すると同時に、同じ材料で画素線２１９と画素電極
２２０とを形成する。ただし、実施例４と異なり画素線
２１９をソース電極２１４にオーバーラップさせること
はできない。
【０２００】本実施例の構成を利用すると、層間絶縁膜
の成膜回数を減らすことができるため、製造工程を簡略
化することができる。
の成膜回数を減らすことができるため、製造工程を簡略
化することができる。
【０２０１】〔実施例１９〕本明細書で開示する発明
は、薄膜トランジスタの構造が異なる場合においても同
様の効果を得ることができる。従って、実施例１〜実施
例１８で説明した薄膜トランジスタはプレーナ型のみで
はなく、スタガ型や逆スタガ型に応用することも可能で
ある。
は、薄膜トランジスタの構造が異なる場合においても同
様の効果を得ることができる。従って、実施例１〜実施
例１８で説明した薄膜トランジスタはプレーナ型のみで
はなく、スタガ型や逆スタガ型に応用することも可能で
ある。
【０２０２】スタガ型や逆スタガ型薄膜トランジスタの
製造過程は公知の技術によれば良く、それに本発明を適
用すれば容易に本発明の効果を得ることができる。
製造過程は公知の技術によれば良く、それに本発明を適
用すれば容易に本発明の効果を得ることができる。
【０２０３】〔実施例２０〕本実施例では、コモン電極
とブラックマトリクスとを共通化する有用性についての
一例を述べる。
とブラックマトリクスとを共通化する有用性についての
一例を述べる。
【０２０４】従来、液晶表示装置は対向基板側にブラッ
クマトリクスを設けるのが一般的であった。例えば、ア
クティブマトリクス基板側にブラックマトリクス設ける
と製造工程が複雑となり歩留りが低下するといった問題
が起こりうるからである。
クマトリクスを設けるのが一般的であった。例えば、ア
クティブマトリクス基板側にブラックマトリクス設ける
と製造工程が複雑となり歩留りが低下するといった問題
が起こりうるからである。
【０２０５】しかし、本発明者らの研究によると横方向
電界により液晶駆動を行う場合、対向基板側にブラック
マトリクスを設けると液晶に作用する電界が乱れて配向
性に異常をきたす現象が観測された。
電界により液晶駆動を行う場合、対向基板側にブラック
マトリクスを設けると液晶に作用する電界が乱れて配向
性に異常をきたす現象が観測された。
【０２０６】詳細は不明であるが本発明者らは、アクテ
ィブマトリクス基板と、対向基板側のブラックマトリク
ス（金属膜）との間に液晶層あるいはカラーフィルター
を絶縁層としてある種の寄生容量が形成され、液晶層に
所定の電界が印加されていないためと推測している。
ィブマトリクス基板と、対向基板側のブラックマトリク
ス（金属膜）との間に液晶層あるいはカラーフィルター
を絶縁層としてある種の寄生容量が形成され、液晶層に
所定の電界が印加されていないためと推測している。
【０２０７】この場合対向基板側のブラックマトリクス
を金属膜ではなく、例えば黒色顔料を含有した樹脂材料
等で形成すれば問題はないが、パターニング精度や遮光
性の面ではやはり金属膜に一歩劣る。
を金属膜ではなく、例えば黒色顔料を含有した樹脂材料
等で形成すれば問題はないが、パターニング精度や遮光
性の面ではやはり金属膜に一歩劣る。
【０２０８】また、対向基板側にブラックマトリクスを
設ける場合はセル組みの際に基板同士の貼り合わせ精度
が荒いため大きいマージンを持つ必要があり、開口率を
落とす原因ともなる。
設ける場合はセル組みの際に基板同士の貼り合わせ精度
が荒いため大きいマージンを持つ必要があり、開口率を
落とす原因ともなる。
【０２０９】しかしながら、本発明はブラックマトリク
スが必ずアクティブマトリクス基板側に形成されるので
上述の寄生容量の心配がなく、さらに占有面積を必要最
低限に抑えて開口率を稼ぐことができる。また、クロム
膜などの金属膜を用いるため、パターニング精度や遮光
性に優れる利点がある。
スが必ずアクティブマトリクス基板側に形成されるので
上述の寄生容量の心配がなく、さらに占有面積を必要最
低限に抑えて開口率を稼ぐことができる。また、クロム
膜などの金属膜を用いるため、パターニング精度や遮光
性に優れる利点がある。
【０２１０】
【発明の効果】本明細書で開示する発明の大きな特徴
は、今後液晶表示装置の開発において電極／配線幅の微
細化が進められても十分な保持容量を確保できる点であ
る。
は、今後液晶表示装置の開発において電極／配線幅の微
細化が進められても十分な保持容量を確保できる点であ
る。
【０２１１】そのための技術手段として、従来別々に設
けられていたブラックマトリクスとコモン電極とを共通
化することを提案した。これは、工程簡略化だけでな
く、電極の形成面積を減らして開口率を向上させる上で
も極めて有益な技術である。
けられていたブラックマトリクスとコモン電極とを共通
化することを提案した。これは、工程簡略化だけでな
く、電極の形成面積を減らして開口率を向上させる上で
も極めて有益な技術である。
【０２１２】また、このことはブラックマトリクスを薄
膜トランジスタを配置する側の基板に形成することを意
味する。通常、対向基板側にブラックマトリクスを形成
するとセル組工程で基板同士を貼り合わせる際にアライ
メントのマージンを多めに設定する必要がある。このこ
とは電極幅が微細化するとさらに顕著に現れる。
膜トランジスタを配置する側の基板に形成することを意
味する。通常、対向基板側にブラックマトリクスを形成
するとセル組工程で基板同士を貼り合わせる際にアライ
メントのマージンを多めに設定する必要がある。このこ
とは電極幅が微細化するとさらに顕著に現れる。
【０２１３】しかしながら、薄膜トランジスタ側にブラ
ックマトリクスを形成する場合には精密なアライメント
技術でマスク合わせをできるため、アライメントのマー
ジンを極力少なくすることができる。
ックマトリクスを形成する場合には精密なアライメント
技術でマスク合わせをできるため、アライメントのマー
ジンを極力少なくすることができる。
【０２１４】従って、セル組工程で基板同士を貼り合わ
せる際においても、アライメントのマージンを必要最低
限に抑えることができるため、開口率を犠牲にすること
のない画素領域を形成することが可能である。
せる際においても、アライメントのマージンを必要最低
限に抑えることができるため、開口率を犠牲にすること
のない画素領域を形成することが可能である。
【０２１５】また、コモン電極同様の機能を有するブラ
ックマトリクスと画素線でもって保持容量を形成する構
成は、今後進められる配線幅や電極幅の微細化に対して
十分対応しうる構成となる。
ックマトリクスと画素線でもって保持容量を形成する構
成は、今後進められる配線幅や電極幅の微細化に対して
十分対応しうる構成となる。
【０２１６】即ち、配線幅や電極幅の微細化に伴い保持
容量を形成する領域が狭められても、保持容量を形成で
きる領域の自由度が高いため十分な容量を確保すること
が可能である。
容量を形成する領域が狭められても、保持容量を形成で
きる領域の自由度が高いため十分な容量を確保すること
が可能である。
【０２１７】また、上記保持容量を形成する絶縁層とし
て窒化珪素膜等の窒化膜を用いることで、狭い面積で構
成される保持容量であっても十分な容量を確保できる。
て窒化珪素膜等の窒化膜を用いることで、狭い面積で構
成される保持容量であっても十分な容量を確保できる。
【図１】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。
す図。
【図２】 画素ＴＦＴの作製工程の概略を示す図。
【図３】 画素ＴＦＴの作製工程の概略を示す図。
【図４】 液晶表示装置における画素領域の断面を示
す図。
す図。
【図５】 液晶表示装置における画素領域の断面を示
す図。
す図。
【図６】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。
す図。
【図７】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。
す図。
【図８】 半導体層の構造および電気特性の概略を示
す図。
す図。
【図９】 半導体層のバンド状態の概略を示す図。
【図１０】 電圧印加時の半導体層の挙動を示す簡略化
モデルを示す図。
モデルを示す図。
【図１１】 半導体層周辺の構成を示す図。
１０１ ゲイト線 １０２ データ線 １０３ 半導体層 １０４ ブラックマトリクス １０５ 画素線 １０６ 画素電極 ２０１ ガラス基板 ２０２ 島状半導体層 ２０３ 酸化珪素膜 ２０４ 導電性被膜 ２０５ 多孔質の陽極酸化膜 ２０６ 緻密な陽極酸化膜 ２０７ ゲイト電極 ２０８ ソース領域 ２０９ ドレイン領域 ２１０、２１１ 低濃度不純物領域 ２１２ チャネル形成領域 ２１３ 第１の層間絶縁膜 ２１４ ソース電極 ２１５ 第２の層間絶縁膜（透過性ポリイミ
ド） ２１６ ブラックマトリクス ２１７ 開口窓 ２１８ 第３の層間絶縁膜 ２１９ 画素線 ２２０ 画素電極 ２２１ 保持容量 ８００ ソース／ドレイン領域に挟まれた領
域 ８０１ ソース領域 ８０２ ドレイン領域 ８０３〜８０５ 浮島領域（イオン注入領域） １１ ゲイト電極 １２〜１４ 浮島領域 １５ ゲイト電極 １６ 高抵抗領域 １７ ゲイト電極 １８ 浮島領域（イオン注入領域）
ド） ２１６ ブラックマトリクス ２１７ 開口窓 ２１８ 第３の層間絶縁膜 ２１９ 画素線 ２２０ 画素電極 ２２１ 保持容量 ８００ ソース／ドレイン領域に挟まれた領
域 ８０１ ソース領域 ８０２ ドレイン領域 ８０３〜８０５ 浮島領域（イオン注入領域） １１ ゲイト電極 １２〜１４ 浮島領域 １５ ゲイト電極 １６ 高抵抗領域 １７ ゲイト電極 １８ 浮島領域（イオン注入領域）
フロントページの続き (72)発明者 福永 健司 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内
Claims (43)
- 【請求項１】導電性を有する材料でなる画素電極および
コモン電極を少なくとも有する基板と、 前記基板上に保持された液晶層と、 を少なくとも有し、 前記液晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形
成される基板に対して平行な方向を含む電界によって駆
動され、 前記コモン電極はブラックマトリクスであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２】有機性樹脂材料または無機性材料でなる第
２の層間絶縁膜と、 前記第２の層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線
から延在する画素電極、第３の層間絶縁膜およびコモン
電極と、 を少なくとも有する基板と、 前記基板上に保持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項３】有機性樹脂材料または無機性材料でなる第
２の層間絶縁膜と、 前記第２の層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線
から延在する画素電極、第３の層間絶縁膜、コモン電極
および容量形成用電極と、 を少なくとも有する基板と、 前記基板上に保持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記容量
形成用電極とを少なくともその一部において第３の層間
絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項４】導電性を有する材料でなる画素電極および
コモン電極を少なくとも有する第１の基板と、 前記第１の基板と対向する第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液
晶層と、 を有し、 前記液晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形
成される基板に対して平行な方向を含む電界によって駆
動され、 前記コモン電極はブラックマトリクスであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項５】有機性樹脂材料または無機性材料でなる第
２の層間絶縁膜と、 前記第２の層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線
から延在する画素電極、第３の層間絶縁膜およびコモン
電極と、 を少なくとも有する第１の基板と、 前記第１の基板と対向する第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液
晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項６】有機性樹脂材料または無機性材料でなる第
２の層間絶縁膜と、 前記第２の層間絶縁膜上に形成された画素線、該画素線
から延在する画素電極、第３の層間絶縁膜、コモン電極
および容量形成用電極と、 を少なくとも有する第１の基板と、 前記第１の基板と対向する第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液
晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記容量
形成用電極とを少なくともその一部において第３の層間
絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項１乃至請求項６において、画素電極
の電極幅は0.1 〜2 μｍであることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項８】請求項１乃至請求項６において、第３の層
間絶縁膜は有機性樹脂材料および／または無機性材料で
なり、 前記第３の層間絶縁膜の比誘電率は前記第２の層間絶縁
膜の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項９】請求項１乃至請求項６において、第３の層
間絶縁膜はＡｌＮ、ＡｌＮX ＯY 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ
X ＮY で示される絶縁膜から選ばれた一種または複数種
が用いられることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】請求項１乃至請求項６において、第２の
層間絶縁膜の膜厚は0.1 〜5.0 μｍであり、 第３の層間絶縁膜の膜厚は0.01〜1.0 μｍであることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】請求項１乃至請求項６において、薄膜ト
ランジスタの活性層を構成する半導体層は、ベース領域
と浮島領域とに分離形成されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１２】請求項２または請求項３または請求項５
または請求項６において、第２の層間絶縁膜は平坦化膜
として機能することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１３】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記液晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形
成される基板に対して平行な方向を含む電界によって駆
動され、 前記コモン電極はブラックマトリクスであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項１４】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において前記第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項１５】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 前記画素線および該画素線から延在した画素電極と異な
る層に形成された容量形成用電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記容量
形成用電極とを少なくともその一部において前記第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項１６】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記液晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形
成される基板に対して平行な方向を含む電界によって駆
動され、 前記コモン電極はブラックマトリクスであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項１７】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において前記第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項１８】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 前記画素線および該画素線から延在した画素電極と異な
る層に形成された容量形成用電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記容量
形成用電極とを少なくともその一部において前記第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項１９】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記液晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形
成される基板に対して平行な方向を含む電界によって駆
動され、 前記コモン電極はブラックマトリクスであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２０】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において前記第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２１】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 前記画素線および該画素線から延在した画素電極と異な
る層に形成された容量形成用電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記容量
形成用電極とを少なくともその一部において前記第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２２】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記液晶層は前記画素電極と前記コモン電極との間に形
成される基板に対して平行な方向を含む電界によって駆
動され、 前記コモン電極はブラックマトリクスであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２３】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において前記第
３の層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２４】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜および第３の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 前記画素線および該画素線から延在した画素電極と異な
る層に形成された容量形成用電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記容量
形成用電極とを少なくともその一部において前記第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２５】請求項１３乃至請求項２４において、画
素電極の電極幅は0.1 〜2 μｍであることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項２６】請求項１３乃至請求項２４において、ブ
ラックマトリクスはゲイト線、データ線および他の配線
に対してグランドプレーンとして機能することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２７】請求項１３乃至請求項２４において、薄
膜トランジスタの活性層を構成する半導体層は、ベース
領域と浮島領域とに分離形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２８】請求項１６乃至請求項１８または請求項
２２乃至請求項２４において、結晶性珪素膜を活性層と
する薄膜トランジスタの電界効果移動度はＮチャネル型
の場合は２０cm2/Vs以上、Ｐチャネル型の場合は１０cm
2/Vs以上であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２９】請求項１４または請求項１５または請求
項１７または請求項１８または請求項２０または請求項
２１または請求項２３または請求項２４において、第２
の層間絶縁膜は0.1 〜5.0 μｍの膜厚の有機性樹脂材料
および／または無機性材料でなり、 前記第３の層間絶縁膜は0.01〜1.0 μｍの膜厚の有機性
樹脂材料および／または無機性材料でなり、 前記第３の層間絶縁膜の比誘電率は前記第２の層間絶縁
膜の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３０】請求項１４または請求項１５または請求
項１７または請求項１８または請求項２０または請求項
２１または請求項２３または請求項２４において、第３
の層間絶縁膜はＡｌＮ、ＡｌＮX ＯY 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｓ
ｉＯX ＮY で示される絶縁膜から選ばれた一種または複
数種が用いられることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３１】請求項１４または請求項１５または請求
項１７または請求項１８または請求項２０または請求項
２１または請求項２３または請求項２４において、第２
の層間絶縁膜は平坦化膜して機能することを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項３２】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置を作製するにあたって、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ線を
覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料でなる
第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第２の層間絶縁膜上にブラックマトリクスを形成す
る工程と、 前記ブラックマトリクスを覆って第３の層間絶縁膜を成
膜する工程と、 前記第２および第３の層間絶縁膜にコンタクトホールを
形成する工程と、 前記第３の層間絶縁膜上に画素線および該画素線から延
在する画素電極を形成する工程と、 を少なくとも有し、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域において保持容量を形成せしめることを特
徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項３３】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置を作製するにあたって、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ線を
覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料でなる
第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工
程と、 前記第２の層間絶縁膜上に画素線および該画素線から延
在する画素電極を形成する工程と、 前記画素線および該画素線から延在する画素電極を覆っ
て第３の層間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第３の層間絶縁膜上にブラックマトリクスを形成す
る工程と、 を少なくとも有し、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域において保持容量を形成せしめることを特
徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項３４】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置を作製するにあたって、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ線を
覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料でなる
第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第２の層間絶縁膜上にブラックマトリクスを形成す
る工程と、 前記ブラックマトリクスを覆って第３の層間絶縁膜を成
膜する工程と、 前記第２および第３の層間絶縁膜にコンタクトホールを
形成する工程と、 前記第３の層間絶縁膜上に画素線および該画素線から延
在する画素電極を形成する工程と、 を少なくとも有し、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域において保持容量を形成せしめることを特
徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項３５】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された結
晶性珪素膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上方に成膜された第２の層間絶
縁膜と、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 少なくともその一部が前記画素電極と対向して形成され
たコモン電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層と、 を有し、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置を作製するにあたって、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ線を
覆って有機性樹脂材料および／または無機性材料でなる
第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工
程と、 前記第２の層間絶縁膜上に画素線および該画素線から延
在する画素電極を形成する工程と、 前記画素線および該画素線から延在する画素電極を覆っ
て第３の層間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第３の層間絶縁膜上にブラックマトリクスを形成す
る工程と、 を少なくとも有し、 前記第２の層間絶縁膜上において前記画素線と前記ブラ
ックマトリクスとを少なくともその一部において第３の
層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域において保持容量を形成せしめることを特
徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項３６】請求項３２または請求項３４において、
コンタクトホールを形成する工程は第３の層間絶縁膜を
エッチング除去して開孔を形成する工程と、 前記第３の層間絶縁膜をマスクとして前記開孔の低部に
露出した第２の層間絶縁膜をエッチング除去して開孔を
形成する工程と、 で構成されることを特徴とする液晶表示装置の作製方
法。 - 【請求項３７】請求項３２乃至請求項３６において、第
２の層間絶縁膜は0.1 〜5.0 μｍの膜厚の有機性樹脂材
料および／または無機性材料でなり、 前記第３の層間絶縁膜は0.01〜1.0 μｍの膜厚の有機性
樹脂材料および／または無機性材料でなり、 前記第３の層間絶縁膜の比誘電率は前記第２の層間絶縁
膜の比誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示装
置の作製方法。 - 【請求項３８】請求項３２乃至請求項３７において、第
３の層間絶縁膜はＡｌＮ、ＡｌＮX ＯY 、Ｓｉ3 Ｎ4 、
ＳｉＯX ＮY で示される絶縁膜から選ばれた一種または
複数種が用いられることを特徴とする液晶表示装置の作
製方法。 - 【請求項３９】請求項３２乃至請求項３８において、第
２の層間絶縁膜は平坦化膜として機能することを特徴と
する液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項４０】請求項３２乃至請求項３５において、薄
膜トランジスタの活性層を構成する半導体層は、ベース
領域と浮島領域とに分離形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置の作製方法。 - 【請求項４１】画素線および該画素線から延在する画素
電極と、 前記画素線および画素電極と層間絶縁膜を介して形成さ
れたコモン電極と、 を少なくとも有する基板と、 前記基板上に保持された液晶層と、 を少なくとも有する構成でなり、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記画素線と前記ブラックマトリクスとを少なくともそ
の一部において前記層間絶縁膜を介して互いに重畳さ
せ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項４２】画素線および該画素線から延在する画素
電極と、 前記画素線および画素電極と層間絶縁膜を介して異なる
層に形成された容量形成用電極と、 コモン電極と、 を少なくとも有する基板と、 前記基板上に保持された液晶層と、 を少なくとも有する構成でなり、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記画素線と前記容量形成用電極とを少なくともその一
部において前記層間絶縁膜を介して互いに重畳させ、 その重畳領域をもって保持容量を形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項４３】同一基板上にマトリクス状に配列された
ゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線と前記データ線との交差部に形成された薄
膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに接続された画素線および該画素
線から延在した画素電極と、 コモン電極と、 容量形成用電極と、 を有してなるアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
と、 を少なくとも有する構成でなり、 前記画素電極と前記コモン電極との間に形成される基板
に対して平行な方向を含む電界によって前記液晶層を駆
動する液晶表示装置であって、 前記コモン電極はブラックマトリクスであり、 前記容量形成用電極と、該容量形成用電極と絶縁膜を介
して重畳する他の導電性膜との間に保持容量を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (6)
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