JPH09298193A - パッシベーション膜の製造方法 - Google Patents
パッシベーション膜の製造方法Info
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- JPH09298193A JPH09298193A JP11400296A JP11400296A JPH09298193A JP H09298193 A JPH09298193 A JP H09298193A JP 11400296 A JP11400296 A JP 11400296A JP 11400296 A JP11400296 A JP 11400296A JP H09298193 A JPH09298193 A JP H09298193A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ法を用いたパッシベーション
膜の製造方法に関し、耐湿性および膜質に優れ、かつス
トレスを制御することができるパッシベーション膜の製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 内部に２つの電極が配置されたチャンバ
と、該電極間にプラズマを発生させるための高周波ＲＦ
電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバ内にプラズマが発生
し得るように所望のガスを供給するガス供給管と、チャ
ンバ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣ
ＶＤ装置におけるパッシベーション膜の製造方法であっ
て、チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する工程
と、高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する低周波ＲＦ電
源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定し、２周波のＲ
Ｆ励起により被処理物上にパッシベーション膜を堆積す
る工程とを含む。
膜の製造方法に関し、耐湿性および膜質に優れ、かつス
トレスを制御することができるパッシベーション膜の製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 内部に２つの電極が配置されたチャンバ
と、該電極間にプラズマを発生させるための高周波ＲＦ
電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバ内にプラズマが発生
し得るように所望のガスを供給するガス供給管と、チャ
ンバ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣ
ＶＤ装置におけるパッシベーション膜の製造方法であっ
て、チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する工程
と、高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する低周波ＲＦ電
源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定し、２周波のＲ
Ｆ励起により被処理物上にパッシベーション膜を堆積す
る工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパッシベーション膜
の製造方法に関し、特にプラズマＣＶＤ法を用いるパッ
シベーション膜の製造方法に関する。
の製造方法に関し、特にプラズマＣＶＤ法を用いるパッ
シベーション膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パッシベーション膜は、膜の緻密さ（膜
質）、膜の耐湿性等が要求される。パッシベーション膜
は、例えばプラズマＣＶＤシリコン酸化膜で構成され
る。プラズマＣＶＤシリコン酸化膜は、プラズマＣＶＤ
法により形成されるシリコン酸化膜である。
質）、膜の耐湿性等が要求される。パッシベーション膜
は、例えばプラズマＣＶＤシリコン酸化膜で構成され
る。プラズマＣＶＤシリコン酸化膜は、プラズマＣＶＤ
法により形成されるシリコン酸化膜である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来は、単一ＲＦ周波
数を用いたプラズマＣＶＤ法により、プラズマＣＶＤシ
リコン酸化膜を製造していた。その場合、膜質を重視す
ると、形成した膜中に強い引っ張り応力が生じるという
問題点があった。引っ張り応力が強いと、パッシベーシ
ョン膜により保護されるべき配線が断線してしまうおそ
れがある。
数を用いたプラズマＣＶＤ法により、プラズマＣＶＤシ
リコン酸化膜を製造していた。その場合、膜質を重視す
ると、形成した膜中に強い引っ張り応力が生じるという
問題点があった。引っ張り応力が強いと、パッシベーシ
ョン膜により保護されるべき配線が断線してしまうおそ
れがある。
【０００４】本発明の目的は、耐湿性および膜質に優
れ、かつストレスを制御することができるパッシベーシ
ョン膜の製造方法を提供することである。
れ、かつストレスを制御することができるパッシベーシ
ョン膜の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のパッシベーショ
ン膜の製造方法は、内部に２つの電極が配置されたチャ
ンバと、該電極間にプラズマを発生させるための高周波
ＲＦ電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバに接続され、該
チャンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを
供給するガス供給管と、チャンバに接続され、該チャン
バ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣＶ
Ｄ装置におけるパッシベーション膜の製造方法であっ
て、前記チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する
工程と、前記高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する前記
低周波ＲＦ電源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定
し、２周波のＲＦ励起により前記被処理物上にパッシベ
ーション膜を堆積する工程とを含む。
ン膜の製造方法は、内部に２つの電極が配置されたチャ
ンバと、該電極間にプラズマを発生させるための高周波
ＲＦ電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバに接続され、該
チャンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを
供給するガス供給管と、チャンバに接続され、該チャン
バ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣＶ
Ｄ装置におけるパッシベーション膜の製造方法であっ
て、前記チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する
工程と、前記高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する前記
低周波ＲＦ電源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定
し、２周波のＲＦ励起により前記被処理物上にパッシベ
ーション膜を堆積する工程とを含む。
【０００６】高周波ＲＦパワーと低周波ＲＦパワーの２
周波励起によりプラズマ状態を生成し、該プラズマ状態
においてパッシベーション膜を成膜する。その際、高周
波ＲＦパワーに対する低周波ＲＦパワーの比を１．０以
上に設定することにより、膜質を良好に維持しつつ、パ
ッシベーション膜の耐湿性とストレスを所望の値に制御
することができる。
周波励起によりプラズマ状態を生成し、該プラズマ状態
においてパッシベーション膜を成膜する。その際、高周
波ＲＦパワーに対する低周波ＲＦパワーの比を１．０以
上に設定することにより、膜質を良好に維持しつつ、パ
ッシベーション膜の耐湿性とストレスを所望の値に制御
することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例によるパ
ッシベーション膜の製造方法を実現するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す。
ッシベーション膜の製造方法を実現するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す。
【０００８】プラズマＣＶＤ装置は、高周波ＲＦ電源４
Ａと低周波ＲＦ電源４Ｂとの２種類のＲＦ電源を有す
る。高周波ＲＦ電源４Ａは上部電極２Ａに接続され、例
えば１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを供給する。低周波
ＲＦ電源４Ｂは下部電極２Ｂに接続され、例えば２００
〜５００ｋＨｚのＲＦパワーを供給する。
Ａと低周波ＲＦ電源４Ｂとの２種類のＲＦ電源を有す
る。高周波ＲＦ電源４Ａは上部電極２Ａに接続され、例
えば１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを供給する。低周波
ＲＦ電源４Ｂは下部電極２Ｂに接続され、例えば２００
〜５００ｋＨｚのＲＦパワーを供給する。
【０００９】本発明者は、２周波のＲＦ励起によりパッ
シベーション膜を成膜する際、高周波ＲＦ電源４Ａによ
るＲＦパワーと低周波ＲＦ電源４ＢによるＲＦパワーと
の比率を制御することにより、パッシベーション膜の耐
湿性とストレスを制御することができることを発見し
た。
シベーション膜を成膜する際、高周波ＲＦ電源４Ａによ
るＲＦパワーと低周波ＲＦ電源４ＢによるＲＦパワーと
の比率を制御することにより、パッシベーション膜の耐
湿性とストレスを制御することができることを発見し
た。
【００１０】上部電極２Ａと下部電極２Ｂは、チャンバ
１内に配置される。下部電極２Ｂ上に、成膜対象の基板
３を載置する。チャンバ１内にプラズマを発生させるた
め、チャンバ１には、ガス供給管５および排気管７を接
続し、チャンバ１内に所望のガスを供給すると共に、内
部を所定の真空度に排気する。
１内に配置される。下部電極２Ｂ上に、成膜対象の基板
３を載置する。チャンバ１内にプラズマを発生させるた
め、チャンバ１には、ガス供給管５および排気管７を接
続し、チャンバ１内に所望のガスを供給すると共に、内
部を所定の真空度に排気する。
【００１１】真空ポンプ８は、排気管７を介して、チャ
ンバ１内のガスを排気する。圧力制御装置６は、排気管
７に取り付けられ、チャンバ１内の真空度を調整するこ
とができる。
ンバ１内のガスを排気する。圧力制御装置６は、排気管
７に取り付けられ、チャンバ１内の真空度を調整するこ
とができる。
【００１２】チャンバ１内にプラズマが発生すると、上
部電極２Ａと下部電極２Ｂとの間に発生するプラズマの
作用により、パッシベーション膜が基板３の表面に堆積
される。
部電極２Ａと下部電極２Ｂとの間に発生するプラズマの
作用により、パッシベーション膜が基板３の表面に堆積
される。
【００１３】例えば、ガス供給管５からＮ2 、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｎ2 Ｏをチャンバ１内に供給すれば、シリコン酸
化窒化膜がパッシベーション膜として基板３上に成膜さ
れる。なお、上部電極２Ａにはコイル９を接続し、下部
電極２Ｂにはコンデンサ１０を接続する。コイル９とコ
ンデンサ１０は、ＲＦ電源のインピーダンス整合を行う
ためのものである。
Ｈ4 、Ｎ2 Ｏをチャンバ１内に供給すれば、シリコン酸
化窒化膜がパッシベーション膜として基板３上に成膜さ
れる。なお、上部電極２Ａにはコイル９を接続し、下部
電極２Ｂにはコンデンサ１０を接続する。コイル９とコ
ンデンサ１０は、ＲＦ電源のインピーダンス整合を行う
ためのものである。
【００１４】図２は、基板３上に成膜されるパッシベー
ション膜１３を示す。基板３は、例えばシリコンウエハ
１１の上にＢＰＳＧ膜１２が形成されたものである。パ
ッシベーション膜１３は、上記の方法に従い、基板３の
上に成膜される。
ション膜１３を示す。基板３は、例えばシリコンウエハ
１１の上にＢＰＳＧ膜１２が形成されたものである。パ
ッシベーション膜１３は、上記の方法に従い、基板３の
上に成膜される。
【００１５】図３は、パッシベーション膜について高温
高湿試験を行った結果を示すグラフである。この試験
は、いわゆるＰＣＴと言われるものであり、図２に示
す、シリコンウエハ１１とＢＰＳＧ膜１２により形成さ
れる基板３の上にパッシベーション膜１３を成膜した半
導体装置について行った。
高湿試験を行った結果を示すグラフである。この試験
は、いわゆるＰＣＴと言われるものであり、図２に示
す、シリコンウエハ１１とＢＰＳＧ膜１２により形成さ
れる基板３の上にパッシベーション膜１３を成膜した半
導体装置について行った。
【００１６】パッシベーション膜１３の成膜条件は、以
下の通りである。 基板温度 ３００〔℃〕 圧力 ２．００〔Ｔｏｒｒ〕 Ｎ2 流量 ４．５０〔ＳＬＭ〕 ＳｉＨ4 流量 ０．２０〔ＳＬＭ〕 Ｎ2 Ｏ流量 １．００〔ＳＬＭ〕 高周波ＲＦ周波数 １３．５６〔ＭＨｚ〕 低周波ＲＦ周波数 ３００〔ｋＨｚ〕 この成膜条件によって、シリコン酸化窒化膜がパッシベ
ーション膜１３として基板３上に成膜される。
下の通りである。 基板温度 ３００〔℃〕 圧力 ２．００〔Ｔｏｒｒ〕 Ｎ2 流量 ４．５０〔ＳＬＭ〕 ＳｉＨ4 流量 ０．２０〔ＳＬＭ〕 Ｎ2 Ｏ流量 １．００〔ＳＬＭ〕 高周波ＲＦ周波数 １３．５６〔ＭＨｚ〕 低周波ＲＦ周波数 ３００〔ｋＨｚ〕 この成膜条件によって、シリコン酸化窒化膜がパッシベ
ーション膜１３として基板３上に成膜される。
【００１７】図に示すグラフの横軸は試験時間を示し、
縦軸はＰ＝Ｏ結合のピーク消失量、すなわち吸湿性の高
さを示す。ＢＰＳＧ膜１２（図２）は、Ｐを含み、水分
を吸収するとＰ＝Ｏピーク消失量が多くなる。Ｐ＝Ｏピ
ーク消失量が小さいほど、耐湿性が優れていることを示
す。通常、時間（横軸）の経過と共に吸収した水分の量
（縦軸）が多くなっていく。
縦軸はＰ＝Ｏ結合のピーク消失量、すなわち吸湿性の高
さを示す。ＢＰＳＧ膜１２（図２）は、Ｐを含み、水分
を吸収するとＰ＝Ｏピーク消失量が多くなる。Ｐ＝Ｏピ
ーク消失量が小さいほど、耐湿性が優れていることを示
す。通常、時間（横軸）の経過と共に吸収した水分の量
（縦軸）が多くなっていく。
【００１８】グラフ中の記号●と■は、共にＲＦトータ
ルパワーを１ｋＷとし、高周波ＲＦパワーに対する低周
波ＲＦパワーの比率を変えたものである。●は、低周波
ＲＦパワーが０．７ｋＷであり、高周波ＲＦパワーが
０．３ｋＷである場合を示す。ＲＦトータルパワーは、
０．７＋０．３＝１ｋＷである。低周波ＲＦパワー／高
周波ＲＦパワーをＲＦ印加比率αとして表すと、α＝
０．７／０．３≒２．３３である。
ルパワーを１ｋＷとし、高周波ＲＦパワーに対する低周
波ＲＦパワーの比率を変えたものである。●は、低周波
ＲＦパワーが０．７ｋＷであり、高周波ＲＦパワーが
０．３ｋＷである場合を示す。ＲＦトータルパワーは、
０．７＋０．３＝１ｋＷである。低周波ＲＦパワー／高
周波ＲＦパワーをＲＦ印加比率αとして表すと、α＝
０．７／０．３≒２．３３である。
【００１９】■は、低周波ＲＦパワーが０．３ｋＷであ
り、高周波ＲＦパワーが０．７ｋＷである場合を示す。
ＲＦトータルパワーは、●と同じく、０．３＋０．７＝
１ｋＷである。ＲＦ印加比率α＝０．３／０．７≒０．
４３である。
り、高周波ＲＦパワーが０．７ｋＷである場合を示す。
ＲＦトータルパワーは、●と同じく、０．３＋０．７＝
１ｋＷである。ＲＦ印加比率α＝０．３／０．７≒０．
４３である。
【００２０】ＲＦ印加比率αが大きいと、Ｐ＝Ｏピーク
消失量が小さい、すなわち耐湿性がよいという傾向を予
測できる。なお、Ｐ＝Ｏピーク消失量は、４００付近で
飽和する。次に、この試験結果に基づき、より詳細な試
験を行った結果を示す。
消失量が小さい、すなわち耐湿性がよいという傾向を予
測できる。なお、Ｐ＝Ｏピーク消失量は、４００付近で
飽和する。次に、この試験結果に基づき、より詳細な試
験を行った結果を示す。
【００２１】図４は、パッシベーション膜についてより
詳細な高温高湿試験を行った結果を示すグラフである。
横軸は試験時間を示し、縦軸はＰＯ結合（Ｐ＝Ｏ）ピー
ク消失量を示す。
詳細な高温高湿試験を行った結果を示すグラフである。
横軸は試験時間を示し、縦軸はＰＯ結合（Ｐ＝Ｏ）ピー
ク消失量を示す。
【００２２】この試験は、先の高温高湿試験と同じ成膜
条件により生成したパッシベーション膜について行っ
た。ただし、ＢＰＳＧ膜（図２）中のＢとＰの濃度、ま
たはパッシベーション膜の膜厚が先の高温高湿試験と異
なるため、Ｐ＝Ｏピーク消失量の値が少しずれている。
条件により生成したパッシベーション膜について行っ
た。ただし、ＢＰＳＧ膜（図２）中のＢとＰの濃度、ま
たはパッシベーション膜の膜厚が先の高温高湿試験と異
なるため、Ｐ＝Ｏピーク消失量の値が少しずれている。
【００２３】ＲＦトータルパワーを同じとし、高周波Ｒ
Ｆパワーと低周波ＲＦパワーの比率を変えた以下の４つ
の条件について試験を行った。
Ｆパワーと低周波ＲＦパワーの比率を変えた以下の４つ
の条件について試験を行った。
【００２４】グラフ中の記号■は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．６７〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．３３〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α ０．５０
【００２５】□は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．５０〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．５０〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α １．００
【００２６】●は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．３３〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．６７〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α ２．００
【００２７】○は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．２５〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．７５〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α ３．００ 表１は、この４つのαの条件における試験結果を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】図４は、表１をグラフで表したものであ
る。Ｐ＝Ｏピーク消失量は、３００を越えたところで飽
和する。この高温高湿試験により、耐湿性の良否を判定
することができる。通常、試験時間が２００ｈｏｕｒに
おいて、Ｐ＝Ｏピーク消失量が３００未満であれば、耐
湿性試験に合格したといえる。
る。Ｐ＝Ｏピーク消失量は、３００を越えたところで飽
和する。この高温高湿試験により、耐湿性の良否を判定
することができる。通常、試験時間が２００ｈｏｕｒに
おいて、Ｐ＝Ｏピーク消失量が３００未満であれば、耐
湿性試験に合格したといえる。
【００３０】ここでは、試験の都合上、２００ｈｏｕｒ
に代え、１６０ｈｏｕｒにおけるＰ＝Ｏピーク消失量を
判定する。α＝０．５０と１．００では、Ｐ＝Ｏピーク
消失量が３００以上であるので、不合格である。α＝
２．００と３．００では、Ｐ＝Ｏピーク消失量が３００
未満であるので、合格である。ＲＦ印加比率αを大きく
するほど、耐湿性の優れたパッシベーション膜を製造で
きることがわかる。
に代え、１６０ｈｏｕｒにおけるＰ＝Ｏピーク消失量を
判定する。α＝０．５０と１．００では、Ｐ＝Ｏピーク
消失量が３００以上であるので、不合格である。α＝
２．００と３．００では、Ｐ＝Ｏピーク消失量が３００
未満であるので、合格である。ＲＦ印加比率αを大きく
するほど、耐湿性の優れたパッシベーション膜を製造で
きることがわかる。
【００３１】図５は、ＲＦ印加比率αと膜ストレスの関
係を示すグラフである。横軸は、ＲＦ印加比率αを示
し、縦軸は膜ストレスを示す。通常、パッシベーション
膜のストレスが大きいと、条件に応じて保護すべき配線
が断線することがあるので、一般的に好ましくない。
係を示すグラフである。横軸は、ＲＦ印加比率αを示
し、縦軸は膜ストレスを示す。通常、パッシベーション
膜のストレスが大きいと、条件に応じて保護すべき配線
が断線することがあるので、一般的に好ましくない。
【００３２】このストレス試験は、図４の高温高湿試験
に用いたサンプルと同じ成膜条件により生成したパッシ
ベーション膜について行った。表２は、先の試験と同様
に、ＲＦトータルパワーを１ｋＷとしたときの、４つの
ＲＦ印加比率α＝０．５，１．０，２．０，３．０につ
いて行ったストレス試験の結果である。
に用いたサンプルと同じ成膜条件により生成したパッシ
ベーション膜について行った。表２は、先の試験と同様
に、ＲＦトータルパワーを１ｋＷとしたときの、４つの
ＲＦ印加比率α＝０．５，１．０，２．０，３．０につ
いて行ったストレス試験の結果である。
【００３３】
【表２】
【００３４】図５は、表２をグラフで表したものであ
る。ＲＦ印加比率αを大きくするほど、パッシベーショ
ン膜中のストレスが大きくなることがわかる。
る。ＲＦ印加比率αを大きくするほど、パッシベーショ
ン膜中のストレスが大きくなることがわかる。
【００３５】上記の高温高湿試験とストレス試験の結果
より、ＲＦ印加比率αを大きくすると、耐湿性は優れ好
ましいが、ストレスが大きくなってしまい好ましくな
い。そこで、パッシベーション膜の耐湿性とストレスと
の兼ね合いで、パッシベーション膜の使用状況に応じ
て、ＲＦ印加比率αを決める必要がある。
より、ＲＦ印加比率αを大きくすると、耐湿性は優れ好
ましいが、ストレスが大きくなってしまい好ましくな
い。そこで、パッシベーション膜の耐湿性とストレスと
の兼ね合いで、パッシベーション膜の使用状況に応じ
て、ＲＦ印加比率αを決める必要がある。
【００３６】ストレスは、使用状況に応じて大きくまた
は小さく設定すればよい。一方、耐湿性は、パッシベー
ション膜を用いる半導体装置の寿命にかかわるので、一
定基準以上が要求される。
は小さく設定すればよい。一方、耐湿性は、パッシベー
ション膜を用いる半導体装置の寿命にかかわるので、一
定基準以上が要求される。
【００３７】ストレスを重視するときには、ＲＦ印加比
率αを１．０以上に設定すれば、ある程度の耐湿性を維
持しつつ、ストレスを小さくすることができる。この範
囲であれば、膜質のよいパッシベーション膜を製造する
ことができる。一方、耐湿性を重視するときには、ＲＦ
印加比率を２．０以上に設定すれば、耐湿性を良好にし
つつ、ストレスの値を所望の値に制御することができ
る。
率αを１．０以上に設定すれば、ある程度の耐湿性を維
持しつつ、ストレスを小さくすることができる。この範
囲であれば、膜質のよいパッシベーション膜を製造する
ことができる。一方、耐湿性を重視するときには、ＲＦ
印加比率を２．０以上に設定すれば、耐湿性を良好にし
つつ、ストレスの値を所望の値に制御することができ
る。
【００３８】ＲＦ印加比率αの上限は３．０が好まし
い。したがって、ＲＦ印加比率は１．０≦α≦３．０、
より好ましくは２．０≦α≦３．０である。２周波励起
のうち、高周波ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚ、低周波
ＲＦ周波数は９０ｋＨｚから４５０ｋＨｚが好ましい。
い。したがって、ＲＦ印加比率は１．０≦α≦３．０、
より好ましくは２．０≦α≦３．０である。２周波励起
のうち、高周波ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚ、低周波
ＲＦ周波数は９０ｋＨｚから４５０ｋＨｚが好ましい。
【００３９】なお、本実施例では、パッシベーション膜
としてシリコン酸化窒化膜を成膜する例を説明したが、
それに限定されるものでなない。例えば、供給ガスの条
件を変えて酸化膜または窒化膜をパッシベーション膜と
して成膜する場合にも、適用することができる。
としてシリコン酸化窒化膜を成膜する例を説明したが、
それに限定されるものでなない。例えば、供給ガスの条
件を変えて酸化膜または窒化膜をパッシベーション膜と
して成膜する場合にも、適用することができる。
【００４０】また、パッシベーション膜は、種々の膜の
上に成膜することができ、ファイナルパッシベーション
膜または層間絶縁膜として使用する場合は勿論のこと、
半導体技術分野以外でも適用することができる。
上に成膜することができ、ファイナルパッシベーション
膜または層間絶縁膜として使用する場合は勿論のこと、
半導体技術分野以外でも適用することができる。
【００４１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波ＲＦパワーに対する低周波ＲＦパワーの比を１．
０以上に設定した２周波励起によりパッシベーション膜
を成膜するので、膜質を良好に維持しつつ、パッシベー
ション膜の耐湿性とストレスを所望の値に制御すること
ができる。
高周波ＲＦパワーに対する低周波ＲＦパワーの比を１．
０以上に設定した２周波励起によりパッシベーション膜
を成膜するので、膜質を良好に維持しつつ、パッシベー
ション膜の耐湿性とストレスを所望の値に制御すること
ができる。
【図１】本発明の実施例によるパッシベーション膜の製
造方法を実現するためのプラズマＣＶＤ装置の構成を示
す図である。
造方法を実現するためのプラズマＣＶＤ装置の構成を示
す図である。
【図２】本実施例により基板上に成膜されるパッシベー
ション膜を示す図である。
ション膜を示す図である。
【図３】本実施例によるパッシベーション膜について高
温高湿試験を行った結果を示すグラフである。
温高湿試験を行った結果を示すグラフである。
【図４】本実施例によるパッシベーション膜についてよ
り詳細な高温高湿試験を行った結果を示すグラフであ
る。
り詳細な高温高湿試験を行った結果を示すグラフであ
る。
【図５】ＲＦ印加比率と膜ストレスの関係を示すグラフ
である。
である。
１ チャンバ ２Ａ 上部電極 ２Ｂ 下部電極 ３ 基板 ４Ａ 高周波ＲＦ電源 ４Ｂ 低周波ＲＦ電源 ５ ガス供給管 ６ 圧力制御装置 ７ 排気管 ８ 真空ポンプ ９ コイル １０ コンデンサ １１ シリコンウエハ １２ ＢＰＳＧ膜 １３ パッシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項１】 内部に２つの電極が配置されたチャンバ
と、該電極間にプラズマを発生させるための高周波ＲＦ
電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバに接続され、該チャ
ンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを供給
するガス供給管と、チャンバに接続され、該チャンバ内
を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣＶＤ装
置におけるパッシベーション膜の製造方法であって、 前記チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する工程
と、 前記高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する前記低周波Ｒ
Ｆ電源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定し、２周波
のＲＦ励起により前記被処理物上にパッシベーション膜
を堆積する工程とを含むパッシベーション膜の製造方
法。 - 【請求項２】 前記高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対す
る前記低周波ＲＦ電源のＲＦパワーの比を２．０以上に
設定し、２周波のＲＦ励起により前記被処理物上にパッ
シベーション膜を堆積する請求項１記載のパッシベーシ
ョン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11400296A JPH09298193A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | パッシベーション膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11400296A JPH09298193A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | パッシベーション膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298193A true JPH09298193A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=14626608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11400296A Withdrawn JPH09298193A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | パッシベーション膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298193A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7378304B2 (en) | 1998-10-29 | 2008-05-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of forming silicon oxide layer and method of manufacturing thin film transistor thereby |
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| CN114350996A (zh) * | 2022-01-13 | 2022-04-15 | 郑州大学 | 一种镁锂合金表面钝化膜制备方法 |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP11400296A patent/JPH09298193A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
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