JPH09295969A - カルバゾール誘導体、それを用いた電荷輸送材料および電子写真感光体 - Google Patents
カルバゾール誘導体、それを用いた電荷輸送材料および電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH09295969A JPH09295969A JP8130556A JP13055696A JPH09295969A JP H09295969 A JPH09295969 A JP H09295969A JP 8130556 A JP8130556 A JP 8130556A JP 13055696 A JP13055696 A JP 13055696A JP H09295969 A JPH09295969 A JP H09295969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- mmol
- compound
- same manner
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
- C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
- C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
- C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0672—Dyes containing a methine or polymethine group containing two or more methine or polymethine groups
- G03G5/0674—Dyes containing a methine or polymethine group containing two or more methine or polymethine groups containing hetero rings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 結着剤ポリマーへの溶解性がよく、高いキャ
リア移動度を有する電荷輸送材料。 【解決手段】 一般式（１）のカルバゾール誘導体、該
誘導体含有電荷輸送材料及び該電荷輸送材料含有電子写
真感光体。 〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２は置換基を有していてもよいア
リール基を；Ｒ１、Ｒ２は低級アルキル基、置換基を有
していてもよいアリール基を；Ｒ３は低級アルキル基、
Ｃ５〜Ｃ７の脂環式アルキル基、置換基を有していても
よいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル
基を；ｍ、ｎは０または１を；示す〕
リア移動度を有する電荷輸送材料。 【解決手段】 一般式（１）のカルバゾール誘導体、該
誘導体含有電荷輸送材料及び該電荷輸送材料含有電子写
真感光体。 〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２は置換基を有していてもよいア
リール基を；Ｒ１、Ｒ２は低級アルキル基、置換基を有
していてもよいアリール基を；Ｒ３は低級アルキル基、
Ｃ５〜Ｃ７の脂環式アルキル基、置換基を有していても
よいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル
基を；ｍ、ｎは０または１を；示す〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、次の一般式（1 ）
【化２】 （式中、Ar1, Ar2 はそれぞれ同一であっても異なって
もよく、置換基を有してもよいアリール基を表し、R1,
R2, はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、低
級アルキル基、炭素数5 〜7 の脂環式アルキル基、置換
基を有しても良いアリール基を示す。Ｒ3 は低級アルキ
ル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有し
てもよいアラルキル基を表し、ｍ及びｎは0 または1 の
整数を示す。）で示されるカルバゾール誘導体、及びこ
れを含有する電荷輸送材料、さらにこの電荷輸送材料を
含有する電子写真感光体に関する。
もよく、置換基を有してもよいアリール基を表し、R1,
R2, はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、低
級アルキル基、炭素数5 〜7 の脂環式アルキル基、置換
基を有しても良いアリール基を示す。Ｒ3 は低級アルキ
ル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有し
てもよいアラルキル基を表し、ｍ及びｎは0 または1 の
整数を示す。）で示されるカルバゾール誘導体、及びこ
れを含有する電荷輸送材料、さらにこの電荷輸送材料を
含有する電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，無機系の光導電性材料としては、
アモルファスシリコン、アモルファスセレン、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛等が用いられているが、製造が困難で
あるため高価であったり、毒性があり環境保護の観点か
ら問題がある場合がある。一方、有機系の光導電体とし
ては、特に，光導電体を電荷発生材料と電荷輸送材料と
に機能分離した形態が盛んに提案されている（例えば、
米国特許第3791826 号）。この方式においては、キャリ
ア（キャリアとは電荷を示す、以下同様）の発生効率の
大きい物質を電荷発生材料として用い、かつ電荷輸送能
力の高い物質を電荷輸送材料として組み合わせることに
よって高感度の電子写真感光体が得られる可能性があ
る。
アモルファスシリコン、アモルファスセレン、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛等が用いられているが、製造が困難で
あるため高価であったり、毒性があり環境保護の観点か
ら問題がある場合がある。一方、有機系の光導電体とし
ては、特に，光導電体を電荷発生材料と電荷輸送材料と
に機能分離した形態が盛んに提案されている（例えば、
米国特許第3791826 号）。この方式においては、キャリ
ア（キャリアとは電荷を示す、以下同様）の発生効率の
大きい物質を電荷発生材料として用い、かつ電荷輸送能
力の高い物質を電荷輸送材料として組み合わせることに
よって高感度の電子写真感光体が得られる可能性があ
る。
【０００３】このうち電荷輸送材料に要求されること
は、電界印加下で光照射により電荷発生材料において発
生したキャリアを効率良く受取り、感光体層内を速く移
動させ、表面電荷を速やかに消滅させることである。キ
ャリアが単位電界当りに移動する速さをキャリア移動度
と呼ぶ。キャリア移動度が高いということはキャリアが
電荷輸送層内を速く移動するということである。このキ
ャリア移動度は電荷輸送物質固有のものであり、したが
って、高いキャリア移動度を達成するためにはキャリア
移動度の高い材料を使用する必要があるが、未だ十分な
レベルに達しているとはいえないのが現状である。ま
た、電荷輸送物質を結着剤ポリマーとともに有機溶剤に
溶解させ塗布して用いる場合に、塗膜において結晶の析
出やピンホールの生成のない均質な有機薄膜を形成する
必要がある。これは得られた薄膜に高電界を印加するた
め微結晶やピンホールが生成したところで絶縁破壊が起
きたり、ノイズの原因となるからである。
は、電界印加下で光照射により電荷発生材料において発
生したキャリアを効率良く受取り、感光体層内を速く移
動させ、表面電荷を速やかに消滅させることである。キ
ャリアが単位電界当りに移動する速さをキャリア移動度
と呼ぶ。キャリア移動度が高いということはキャリアが
電荷輸送層内を速く移動するということである。このキ
ャリア移動度は電荷輸送物質固有のものであり、したが
って、高いキャリア移動度を達成するためにはキャリア
移動度の高い材料を使用する必要があるが、未だ十分な
レベルに達しているとはいえないのが現状である。ま
た、電荷輸送物質を結着剤ポリマーとともに有機溶剤に
溶解させ塗布して用いる場合に、塗膜において結晶の析
出やピンホールの生成のない均質な有機薄膜を形成する
必要がある。これは得られた薄膜に高電界を印加するた
め微結晶やピンホールが生成したところで絶縁破壊が起
きたり、ノイズの原因となるからである。
【０００４】さらに、電荷発生物質および電荷輸送物
質、両者の特性が良くても、電荷発生物質から電荷輸送
物質へのキャリアの注入、すなわち、電荷発生層から電
荷輸送層への電荷の注入が効率良く行われることが重要
である。この電荷の注入は電荷発生物質（または電荷発
生層）と電荷輸送物質（または電荷輸送層）の界面の特
性によるものであって各種物質間で一様ではない。以上
のように電荷輸送材料には種々の条件が要求されるた
め、いろいろな特性を有する電荷輸送物質の開発が行わ
れている。
質、両者の特性が良くても、電荷発生物質から電荷輸送
物質へのキャリアの注入、すなわち、電荷発生層から電
荷輸送層への電荷の注入が効率良く行われることが重要
である。この電荷の注入は電荷発生物質（または電荷発
生層）と電荷輸送物質（または電荷輸送層）の界面の特
性によるものであって各種物質間で一様ではない。以上
のように電荷輸送材料には種々の条件が要求されるた
め、いろいろな特性を有する電荷輸送物質の開発が行わ
れている。
【０００５】従来、電荷輸送材料として例えば、特公平
2-24864 号公報には、次の式(A) で表されるα- フェニ
ルスチルベン誘導体が提案されている。この中には、本
発明に関連する3-（2', 2'- ジフェニルビニル）-9- エ
チルカルバゾール(B) の様なカルバゾール誘導体も含ま
れる。
2-24864 号公報には、次の式(A) で表されるα- フェニ
ルスチルベン誘導体が提案されている。この中には、本
発明に関連する3-（2', 2'- ジフェニルビニル）-9- エ
チルカルバゾール(B) の様なカルバゾール誘導体も含ま
れる。
【化３】 （式中Ａは、
【化４】 、9-アントリル基またはＮ- アルキルカルバゾリル基を
示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子を示し、Ｒ4 及びＲ5 は低級アルキル基、ベンジ
ル基、または無置換あるいは低級アルキル基、低級アル
コキシ基もしくはハロゲンで置換されたフェニル基を示
し、ｍは0 または1 の整数、ｎは0 または1 の整数を示
す。）
示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子を示し、Ｒ4 及びＲ5 は低級アルキル基、ベンジ
ル基、または無置換あるいは低級アルキル基、低級アル
コキシ基もしくはハロゲンで置換されたフェニル基を示
し、ｍは0 または1 の整数、ｎは0 または1 の整数を示
す。）
【０００６】
【化５】
【０００７】また、特開昭61-241762 号公報に同様なカ
ルバゾール誘導体（Ｃ）を用いた電子写真感光体が提案
されている。
ルバゾール誘導体（Ｃ）を用いた電子写真感光体が提案
されている。
【化６】 （式中、Ar3 は置換もしくは無置換のアリール基、Ｒ6
は置換もしくは無置換のアルキル基およびアリール基、
Ｒ7 は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の
アルキル基およびアルコキシ基を示す。）
は置換もしくは無置換のアルキル基およびアリール基、
Ｒ7 は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の
アルキル基およびアルコキシ基を示す。）
【０００８】一方、特公平5-42661 号公報には一般式
（Ｄ）で表されるビススチリルタイプの化合物を有効成
分とした電子写真感光体が示されている。
（Ｄ）で表されるビススチリルタイプの化合物を有効成
分とした電子写真感光体が示されている。
【化７】 （式中、Ｒ8 は置換アルキル基を含むアルキル基または
置換アリール基を含むアリール基を表し、Ｒ9 は水素原
子、置換アルキル基を含むアルキル基または置換アリー
ル基を含むアリール基を表し、Arは置換アリール基を含
むアリール基を表す。）
置換アリール基を含むアリール基を表し、Ｒ9 は水素原
子、置換アルキル基を含むアルキル基または置換アリー
ル基を含むアリール基を表し、Arは置換アリール基を含
むアリール基を表す。）
【０００９】また、特開平3-15853 号公報には（E ）の
ようななカルバゾール骨格に3 つのスチリル基が置換し
た化合物が示されている。
ようななカルバゾール骨格に3 つのスチリル基が置換し
た化合物が示されている。
【化８】
【００１０】しかし、これらの化合物のキャリア移動度
は必ずしも高くなく、またこれらを用いた電子写真感光
体の感度は十分ではなく、また結着剤ポリマ−への溶解
性も満足できるとは言えないのが現状である。電荷輸送
材料は、益々その需要が拡大しており、それに伴って、
種種の条件に対応しうるさらに新しい材料が求められて
いる。よって、結着剤ポリマーへの溶解性までも満足で
き、キャリア移動度が高く、感度の高い良好な電子写真
特性を発現できる新しい素材の開発が望まれていた。
は必ずしも高くなく、またこれらを用いた電子写真感光
体の感度は十分ではなく、また結着剤ポリマ−への溶解
性も満足できるとは言えないのが現状である。電荷輸送
材料は、益々その需要が拡大しており、それに伴って、
種種の条件に対応しうるさらに新しい材料が求められて
いる。よって、結着剤ポリマーへの溶解性までも満足で
き、キャリア移動度が高く、感度の高い良好な電子写真
特性を発現できる新しい素材の開発が望まれていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は電荷輸
送材料において、結着剤ポリマ−への溶解性が良く、電
子写真感光体を形成した時に高いキャリア移動度を有
し、感度が高いなどの諸特性においても優れている新し
い素材を提供することにある。
送材料において、結着剤ポリマ−への溶解性が良く、電
子写真感光体を形成した時に高いキャリア移動度を有
し、感度が高いなどの諸特性においても優れている新し
い素材を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような現状におい
て、本発明者らは、様々な化合物について鋭意研究を行
った結果、9 位置換カルバゾールの3 位と6 位にそれぞ
れアリールビニル骨格の置換基、あるいはアリールブタ
ジエニル骨格の置換基を有する次の一般式（1 ）
て、本発明者らは、様々な化合物について鋭意研究を行
った結果、9 位置換カルバゾールの3 位と6 位にそれぞ
れアリールビニル骨格の置換基、あるいはアリールブタ
ジエニル骨格の置換基を有する次の一般式（1 ）
【化９】 （式中、Ar1, Ar2はそれぞれ同一であっても異なっても
よく、置換基を有してもよいアリール基を表し、R1,
R2, はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、低
級アルキル基、炭素数5 〜7 の脂環式アルキル基、置換
基を有しても良いアリール基を示す。Ｒ3 は低級アルキ
ル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有し
てもよいアラルキル基を表し、ｍ及びｎは0 または1 の
整数を示す。）で示されるカルバゾール誘導体が、上記
課題を解決できることを見いだし、本発明を完成した。
即ち、本発明者らは、化合物（1 ）が、結着剤ポリマー
への溶解性が良く、結晶の析出やピンホールの生成が起
こらず、高いキャリア移動度を発現でき、また、これを
使用した感光体は高感度にして残留電位が低いことを見
いだした。
よく、置換基を有してもよいアリール基を表し、R1,
R2, はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、低
級アルキル基、炭素数5 〜7 の脂環式アルキル基、置換
基を有しても良いアリール基を示す。Ｒ3 は低級アルキ
ル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有し
てもよいアラルキル基を表し、ｍ及びｎは0 または1 の
整数を示す。）で示されるカルバゾール誘導体が、上記
課題を解決できることを見いだし、本発明を完成した。
即ち、本発明者らは、化合物（1 ）が、結着剤ポリマー
への溶解性が良く、結晶の析出やピンホールの生成が起
こらず、高いキャリア移動度を発現でき、また、これを
使用した感光体は高感度にして残留電位が低いことを見
いだした。
【００１３】従って、本発明は、前記一般式（1 ）で表
される新規なカルバゾール誘導体、一般式（１）の化合
物を含有する電荷輸送材料および該電荷輸送材料を含有
する電子写真感光体に関する。
される新規なカルバゾール誘導体、一般式（１）の化合
物を含有する電荷輸送材料および該電荷輸送材料を含有
する電子写真感光体に関する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の化合物（1 ）のAr1, Ar2
はそれぞれ同一であっても異なってもよく、フェニル
基、ナフチル基のような無置換アリール基の他に、例え
ばオルトトリル基、メタトリル基、パラトリル基、キシ
リル基などの低級アルキル基置換フェニル基、メトキシ
フェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル
基などのアルコキシ基置換フェニル基、クロロフェニル
基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、ヨードフ
ェニル基のハロゲン置換フェニル基、ジアリールアミノ
基、ジアルキルアミノ基などのアミノ基置換フェニル基
などがあげられる。R1, R2はそれぞれ同一であっても異
なってもよく、低級アルキル基、置換基を有してもよい
アリール基を示すが、低級アルキル基としては炭素数1
から4 個のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ- プロピル基、イソプロピル基、ｎ- ブチル基、ｓ-
ブチル基、ｔ- ブチル基などがあげられる。置換基を有
してもよいアリール基としては、上記Ar1, Ar2と同様な
置換基群があげられる。Ｒ3 としては上記R1, R2と同様
の低級アルキル基、Ar1, Ar2と同様な置換基を有しても
よいアリール基の他に、炭素数5 〜7 の脂環式基、つま
りシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチ
ル基が挙げれ、さらにベンジル基、トリルメチル基、メ
トキシベンジル基、クロロベンジル基などの置換基を有
してもよいアラルキル基があげられる。
はそれぞれ同一であっても異なってもよく、フェニル
基、ナフチル基のような無置換アリール基の他に、例え
ばオルトトリル基、メタトリル基、パラトリル基、キシ
リル基などの低級アルキル基置換フェニル基、メトキシ
フェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル
基などのアルコキシ基置換フェニル基、クロロフェニル
基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、ヨードフ
ェニル基のハロゲン置換フェニル基、ジアリールアミノ
基、ジアルキルアミノ基などのアミノ基置換フェニル基
などがあげられる。R1, R2はそれぞれ同一であっても異
なってもよく、低級アルキル基、置換基を有してもよい
アリール基を示すが、低級アルキル基としては炭素数1
から4 個のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ- プロピル基、イソプロピル基、ｎ- ブチル基、ｓ-
ブチル基、ｔ- ブチル基などがあげられる。置換基を有
してもよいアリール基としては、上記Ar1, Ar2と同様な
置換基群があげられる。Ｒ3 としては上記R1, R2と同様
の低級アルキル基、Ar1, Ar2と同様な置換基を有しても
よいアリール基の他に、炭素数5 〜7 の脂環式基、つま
りシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチ
ル基が挙げれ、さらにベンジル基、トリルメチル基、メ
トキシベンジル基、クロロベンジル基などの置換基を有
してもよいアラルキル基があげられる。
【００１５】さらに、本発明の化合物（1 ）の好ましい
具体例として以下の表1 、2 に示す化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
具体例として以下の表1 、2 に示す化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】表中の略号は、以下の意味を示す。 Ph-(4)Me; 4位にメチル基が置換したフェニル基 Ph-(3)Me; 3位にメチル基が置換したフェニル基 Ph-(4)Ｃｌ; 4 位に塩素原子基が置換したフェニル基 Ph-(4)Ｂｒ; 4 位に臭素原子基が置換したフェニル基 Ph-(4)MeO; 4 位にメトキシ基が置換したフェニル基 Ph-(2)Me-(4)Me; 2 位と4 位にメチル基が置換したフェ
ニル基 1-Naph; 1 位で結合したナフチル基 2-Naph; 2 位で結合したナフチル基
ニル基 1-Naph; 1 位で結合したナフチル基 2-Naph; 2 位で結合したナフチル基
【００１８】本発明の一般式（１）においてｍ= ｎ＝0
、Ar1 = Ar2 、R1= R2であるカルバゾール誘導体（1
a）は反応式1 に従って合成することができる。
、Ar1 = Ar2 、R1= R2であるカルバゾール誘導体（1
a）は反応式1 に従って合成することができる。
【化１０】 （式中Ar1, R1,Ｒ3 は前記と同じ意味を表し、R4は低級
アルキル基を示す）
アルキル基を示す）
【００１９】尚、R4はメチル基、エチル基、プロピル
基、又はブチル基を示し、メチル基、エチル基が特に望
ましい。即ち、例えば、第４版実験化学講座、第１９、
ｐ７２（日本化学会編、丸善株式会社）に記載されてい
る方法を用いて、９位置換3 、6-ジホルミルカルバゾー
ル（2 ）と、その2 倍モル量の置換亜燐酸ジアルキルエ
ステル（3 ）とを塩基の存在下で室温から80℃程度の温
度で反応させ容易に製造できる。塩基としては水酸化ナ
トリウム、ナトリウムアミド及びナトリウムメトキシ
ド、ナトリウム t-ブトキシド、カリウム t-ブトキシ
ドなどの金属アルコキシドが使われ、量は置換亜燐酸ジ
アルキルエステル（3 ）に対して１倍以上、好ましくは
１〜1.5 倍である。溶媒としては、メタノール、エタノ
ールの低級アルコール、1,2-ジメトキシエタン、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ
ーテル類、トルエン、キシレンなどの炭化水素、ジメチ
ルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメ
チルアセトアミド、N-メチルピロリドン等の非プロトン
性極性溶媒またはそれらの混合物を用いることができ
る。
基、又はブチル基を示し、メチル基、エチル基が特に望
ましい。即ち、例えば、第４版実験化学講座、第１９、
ｐ７２（日本化学会編、丸善株式会社）に記載されてい
る方法を用いて、９位置換3 、6-ジホルミルカルバゾー
ル（2 ）と、その2 倍モル量の置換亜燐酸ジアルキルエ
ステル（3 ）とを塩基の存在下で室温から80℃程度の温
度で反応させ容易に製造できる。塩基としては水酸化ナ
トリウム、ナトリウムアミド及びナトリウムメトキシ
ド、ナトリウム t-ブトキシド、カリウム t-ブトキシ
ドなどの金属アルコキシドが使われ、量は置換亜燐酸ジ
アルキルエステル（3 ）に対して１倍以上、好ましくは
１〜1.5 倍である。溶媒としては、メタノール、エタノ
ールの低級アルコール、1,2-ジメトキシエタン、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ
ーテル類、トルエン、キシレンなどの炭化水素、ジメチ
ルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメ
チルアセトアミド、N-メチルピロリドン等の非プロトン
性極性溶媒またはそれらの混合物を用いることができ
る。
【００２０】ここで9 位置換3 、6-ジホルミルカルバゾ
ール（２）は9 位置換カルバゾール（４）にルイス酸あ
るいはプロトン酸共存下、フィルスマイヤーハーク（Vi
elsmeyer-Haak ）反応を行うことによって得ることが出
来る（反応式２）。ルイス酸あるいはプロトン酸の量は
9 位置換カルバゾール（4 ）に対して１〜２倍が好まし
い。
ール（２）は9 位置換カルバゾール（４）にルイス酸あ
るいはプロトン酸共存下、フィルスマイヤーハーク（Vi
elsmeyer-Haak ）反応を行うことによって得ることが出
来る（反応式２）。ルイス酸あるいはプロトン酸の量は
9 位置換カルバゾール（4 ）に対して１〜２倍が好まし
い。
【化１１】 （式中Ｒ3 は前記と同じ意味を示す）
【００２１】また、置換亜燐酸ジアルキルエステル（3
）は相当するアラルキルクロリド、又はブロミドとト
リアルキルホスファイトを直接、あるいはトルエン、キ
シレンなどの溶剤中で加熱して得られる。一方、本発明
の一般式（1 ）において、ｍ= ｎ=0、Ar1, Ar2とR1, R2
はそれぞれ適宜同一であっても異なってもよいカルバゾ
ール誘導体（1 ｂ）は反応式3 に従って合成することが
できる。
）は相当するアラルキルクロリド、又はブロミドとト
リアルキルホスファイトを直接、あるいはトルエン、キ
シレンなどの溶剤中で加熱して得られる。一方、本発明
の一般式（1 ）において、ｍ= ｎ=0、Ar1, Ar2とR1, R2
はそれぞれ適宜同一であっても異なってもよいカルバゾ
ール誘導体（1 ｂ）は反応式3 に従って合成することが
できる。
【化１２】
【００２２】（式中Ar1, R1, Ar2, R2, Ｒ3 は前記と同
じ意味を表し、R4は低級アルキル基を示す） 即ち、9 位置換３−ホルミルカルバゾール（2'）と１倍
モル量の置換亜燐酸ジアルキルエステル（3 ）を塩基存
在下で反応させ、9 位置換-3- ビニルカルバゾール
（６）を合成し、（６）のフィルスマイヤ−ハ−ク反応
によって9 位置換-3- ビニル-6- ホルミルカルバゾール
（5 ）を合成し、先の3 とは別の亜燐酸ジアルキルエス
テルを反応させることにより、目的とする本発明化合物
（1 ｂ）を合成することができる。
じ意味を表し、R4は低級アルキル基を示す） 即ち、9 位置換３−ホルミルカルバゾール（2'）と１倍
モル量の置換亜燐酸ジアルキルエステル（3 ）を塩基存
在下で反応させ、9 位置換-3- ビニルカルバゾール
（６）を合成し、（６）のフィルスマイヤ−ハ−ク反応
によって9 位置換-3- ビニル-6- ホルミルカルバゾール
（5 ）を合成し、先の3 とは別の亜燐酸ジアルキルエス
テルを反応させることにより、目的とする本発明化合物
（1 ｂ）を合成することができる。
【００２３】また、５は9 位置換3,6-ジホルミルカルバ
ゾール（２）と１倍モル量の置換亜燐酸ジアルキルエス
テル（3 ）を塩基存在下で反応させても合成できる（反
応式４）。
ゾール（２）と１倍モル量の置換亜燐酸ジアルキルエス
テル（3 ）を塩基存在下で反応させても合成できる（反
応式４）。
【化１３】
【００２４】一方、本発明の一般式（１）において、ｍ
=0、ｎ=1で表されるカルバゾール誘導体（１ｃ）は反応
式５に従って合成することができる。
=0、ｎ=1で表されるカルバゾール誘導体（１ｃ）は反応
式５に従って合成することができる。
【化１４】
【００２５】（式中Ar1, R1, Ar2, R2, Ｒ3 は前記と同
じ意味を表し、R4は低級アルキル基を示す） すなわち、先の反応式3 あるいは反応式４で合成したモ
ノホルミル化合物（5）と、3-アリールアリル亜燐酸ジ
アルキルエステル（7 ）を反応することにより合成でき
る。また、３- アリールアリル亜燐酸ジアルキルエステ
ル（7 ）は反応式６に従って得ることができる。
じ意味を表し、R4は低級アルキル基を示す） すなわち、先の反応式3 あるいは反応式４で合成したモ
ノホルミル化合物（5）と、3-アリールアリル亜燐酸ジ
アルキルエステル（7 ）を反応することにより合成でき
る。また、３- アリールアリル亜燐酸ジアルキルエステ
ル（7 ）は反応式６に従って得ることができる。
【００２６】
【化１５】
【００２７】（式中Arは前記のAr1 またはAr2 をＲは前
記のＲ1 またはＲ2 を表す。Hal はハロゲン原子を表
す。） 即ち、カルボニル誘導体（8 ）に（i ）メチルマグネシ
ウムクロリド（MeMgCl）を反応させ、（ii）ついで、得
られたアルコール体を酸の存在下脱水させて、アリール
エチレン（9 ）を得る。酸としてはＰＴＳＡ（ｐ- トル
エンスルホン酸）等の脱水反応で通常用いるものを使用
することができる。ここで、アリールエチレン（9 ）は
ケトン誘導体（11）を出発化合物として、メチルマグネ
シウムロリドの代わりにＲ-MgHalを用いる以外は、上記
（i ）（ii）と同様の反応を行うことにより得ることが
できる。
記のＲ1 またはＲ2 を表す。Hal はハロゲン原子を表
す。） 即ち、カルボニル誘導体（8 ）に（i ）メチルマグネシ
ウムクロリド（MeMgCl）を反応させ、（ii）ついで、得
られたアルコール体を酸の存在下脱水させて、アリール
エチレン（9 ）を得る。酸としてはＰＴＳＡ（ｐ- トル
エンスルホン酸）等の脱水反応で通常用いるものを使用
することができる。ここで、アリールエチレン（9 ）は
ケトン誘導体（11）を出発化合物として、メチルマグネ
シウムロリドの代わりにＲ-MgHalを用いる以外は、上記
（i ）（ii）と同様の反応を行うことにより得ることが
できる。
【００２８】ついで、特開昭４９ー７５５６４号公報に
記載の方法にしたがってアリールエチレン（9 ）を酢酸
中で、パラホルムアルデヒド（ＣＨ2O）ｎ及び塩化水素
と反応させて3-アリールアリルクロリド（10）を得る。
さらにこの3-アリールアリルクロリド（10）とトリアル
キルホスファイトを反応させて3-アリールアリル亜燐酸
ジアルキルエステル（7 ）を得ることが出来る。ここ
で、トリアルキルホスファイトとしては、先の3 の合成
で説明したものと同様のものを用いることができる。
記載の方法にしたがってアリールエチレン（9 ）を酢酸
中で、パラホルムアルデヒド（ＣＨ2O）ｎ及び塩化水素
と反応させて3-アリールアリルクロリド（10）を得る。
さらにこの3-アリールアリルクロリド（10）とトリアル
キルホスファイトを反応させて3-アリールアリル亜燐酸
ジアルキルエステル（7 ）を得ることが出来る。ここ
で、トリアルキルホスファイトとしては、先の3 の合成
で説明したものと同様のものを用いることができる。
【００２９】一方、本発明の一般式（1 ）において、ｍ
= ｎ=1、Ar1 = Ar2 、R1= R2であるカルバゾール誘導体
（1d）は反応式７に示すように、9 位置換3 、6-ジホル
ミルカルバゾール（2 ）に2 倍量の３ーアリールアリル
亜燐酸ジアルキルエステル（7 ）を反応させることによ
って合成することができる。
= ｎ=1、Ar1 = Ar2 、R1= R2であるカルバゾール誘導体
（1d）は反応式７に示すように、9 位置換3 、6-ジホル
ミルカルバゾール（2 ）に2 倍量の３ーアリールアリル
亜燐酸ジアルキルエステル（7 ）を反応させることによ
って合成することができる。
【化１６】 （式中Ar1, R1, Ｒ3 は前記と同じ意味を表し、R4は低
級アルキル基を示す）
級アルキル基を示す）
【００３０】また、本発明の一般式（1 ）において、ｍ
= ｎ=1、Ar1 ，Ar2 とR1，R2はそれぞれ適宜同一であっ
ても異なってもよいカルバゾール誘導体（1e）は反応式
８に従って合成することができる。
= ｎ=1、Ar1 ，Ar2 とR1，R2はそれぞれ適宜同一であっ
ても異なってもよいカルバゾール誘導体（1e）は反応式
８に従って合成することができる。
【化１７】
【００３１】（式中Ar1, R1, Ar2, R2, Ｒ3 は前記と同
じ意味を表し、R4は低級アルキル基を示す） すなわちジホルミル体（２）と１倍モル量の３−アリー
ルアリル亜燐酸ジアルキルエステル（７）を塩基存在下
で反応させ、９位置換−３−（１′，３′−ブタジエニ
ル）−６−ホルミルカルバゾール（１２）を合成し、先
の７とは別の３−アリールアリル亜燐酸ジアルキルエス
テルを反応させることにより、目的とする本発明化合物
（１ｅ）を合成することができる。
じ意味を表し、R4は低級アルキル基を示す） すなわちジホルミル体（２）と１倍モル量の３−アリー
ルアリル亜燐酸ジアルキルエステル（７）を塩基存在下
で反応させ、９位置換−３−（１′，３′−ブタジエニ
ル）−６−ホルミルカルバゾール（１２）を合成し、先
の７とは別の３−アリールアリル亜燐酸ジアルキルエス
テルを反応させることにより、目的とする本発明化合物
（１ｅ）を合成することができる。
【００３２】上述の本発明の化合物（１）を電荷輸送材
料として用いれば高いキャリア移動度が得られ、高感度
な電子写真感光体を得ることができる。又、本発明の化
合物（１）は有機エレクトロルミネッセンス（EL）等幅
広い分野で用いることができる。本発明の電子写真感光
体は具体的には、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸
送層に機能分離した積層型電子写真感光体の電荷輸送層
に電荷輸送材料として本発明化合物（１）を用いる。
又、電荷発生材料と一種もしくは数種類の電荷輸送材料
を同一層に含有した単層型電子写真感光体の電荷輸送材
料としても利用できる。
料として用いれば高いキャリア移動度が得られ、高感度
な電子写真感光体を得ることができる。又、本発明の化
合物（１）は有機エレクトロルミネッセンス（EL）等幅
広い分野で用いることができる。本発明の電子写真感光
体は具体的には、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸
送層に機能分離した積層型電子写真感光体の電荷輸送層
に電荷輸送材料として本発明化合物（１）を用いる。
又、電荷発生材料と一種もしくは数種類の電荷輸送材料
を同一層に含有した単層型電子写真感光体の電荷輸送材
料としても利用できる。
【００３３】本発明の化合物（１）を電荷輸送材として
用いた電荷輸送層は、本発明の化合物（１）のみをその
まま導電性支持体または電荷発生層に蒸着させるか、本
発明化合物（１）と結着剤を適当な溶剤に溶解させた溶
液を導電性支持体又は電荷発生層に塗布し、乾燥させる
ことにより形成される。一方、電荷発生剤及び本発明化
合物（１）を含有する単層型感光体は、電荷発生剤及び
本発明化合物（１）を結着剤とともに適当な溶剤に溶解
または分散させた溶液を導電性支持体に塗布し、乾燥さ
せることにより得られる。また、本発明化合物（１）と
電荷移動錯体を形成することのできる電子アクセプター
型化合物と本発明化合物（１）を含有する単層型感光体
も同様にして得ることができる。
用いた電荷輸送層は、本発明の化合物（１）のみをその
まま導電性支持体または電荷発生層に蒸着させるか、本
発明化合物（１）と結着剤を適当な溶剤に溶解させた溶
液を導電性支持体又は電荷発生層に塗布し、乾燥させる
ことにより形成される。一方、電荷発生剤及び本発明化
合物（１）を含有する単層型感光体は、電荷発生剤及び
本発明化合物（１）を結着剤とともに適当な溶剤に溶解
または分散させた溶液を導電性支持体に塗布し、乾燥さ
せることにより得られる。また、本発明化合物（１）と
電荷移動錯体を形成することのできる電子アクセプター
型化合物と本発明化合物（１）を含有する単層型感光体
も同様にして得ることができる。
【００３４】ここに結着剤としては、例えばポリカーボ
ネート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、ポリアミド、アクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
ウレタン、あるいはこれらの共重合体を挙げることがで
きる。また、このような絶縁性ポリマーの他にポリビニ
ルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニレ
ンなどの有機光導電性ポリマーも使用できる。
ネート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、ポリアミド、アクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
ウレタン、あるいはこれらの共重合体を挙げることがで
きる。また、このような絶縁性ポリマーの他にポリビニ
ルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニレ
ンなどの有機光導電性ポリマーも使用できる。
【００３５】これらの結着剤のなかで一般式（Ｆ）で表
されるポリカーボネートが好ましい。具体例として式
（Ｇ）で表されるビスフェノールA 型のポリカーボネート
（例えば、三菱瓦斯化学株式会社製ユーピロンE シリー
ズ）及び、式（Ｈ）で表されるビスフェノールＺ型ポリ
カーボネート樹脂（例えば、三菱瓦斯化学株式会社製の
ポリカーボネートＺシリーズ）が特に好ましく、その他
として式（I ）、（Ｊ）、（Ｋ）で示されるポリカーボ
ネートも使用することができる。これらの式（Ｇ）〜
（Ｋ）で表されるモノマー単位の混合物からなる共重合
体も使用することができる。これらのなかで式（Ｌ）で
表されるビフェノールカーボネート単位を含む共重合ポ
リカーボネートが好ましく、具体例として式（Ｍ）で表
されるビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカー
ボネート樹脂（ここでｎ/ ｎ+ ｍ=0.1〜0.9 が望まし
く、0.7 〜0.9 がさらに好ましい）がある。
されるポリカーボネートが好ましい。具体例として式
（Ｇ）で表されるビスフェノールA 型のポリカーボネート
（例えば、三菱瓦斯化学株式会社製ユーピロンE シリー
ズ）及び、式（Ｈ）で表されるビスフェノールＺ型ポリ
カーボネート樹脂（例えば、三菱瓦斯化学株式会社製の
ポリカーボネートＺシリーズ）が特に好ましく、その他
として式（I ）、（Ｊ）、（Ｋ）で示されるポリカーボ
ネートも使用することができる。これらの式（Ｇ）〜
（Ｋ）で表されるモノマー単位の混合物からなる共重合
体も使用することができる。これらのなかで式（Ｌ）で
表されるビフェノールカーボネート単位を含む共重合ポ
リカーボネートが好ましく、具体例として式（Ｍ）で表
されるビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカー
ボネート樹脂（ここでｎ/ ｎ+ ｍ=0.1〜0.9 が望まし
く、0.7 〜0.9 がさらに好ましい）がある。
【００３６】
【化１８】 （式中、Ｒ10及びＲ11はそれぞれ独立して水素原子、ア
ルキル基又はアリール基を表し、Ｒ10及びＲ11は環状に
結合しても良い。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、
Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、またはアリール基を表し、ｎは上
記各繰り返し単位のモル数を表す）
ルキル基又はアリール基を表し、Ｒ10及びＲ11は環状に
結合しても良い。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、
Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、またはアリール基を表し、ｎは上
記各繰り返し単位のモル数を表す）
【００３７】
【化１９】 ( 式中、ｎは上記繰り返し単位のモル数を表す）
【００３８】
【化２０】 ( 式中、ｎは上記繰り返し単位のモル数を表す）
【００３９】
【化２１】 ( 式中、ｎは上記繰り返し単位のモル数を表す）
【００４０】
【化２２】
【００４１】
【化２３】 ( 式中、ｎは上記繰り返し単位のモル数を表す）
【００４２】
【化２４】 ( 式中、ｎは上記各繰り返し単位のモル数を表す）
【００４３】（式中、Ｒ10及びＲ11はそれぞれ独立して
水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ10及び
Ｒ11は環状に結合しても良い。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ
23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26及びＲ27はそれぞれ独立して水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、またはアリール基を
表し、ｍ及びｎは上記各繰り返し単位のモル数を表す）
水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ10及び
Ｒ11は環状に結合しても良い。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ
23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26及びＲ27はそれぞれ独立して水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、またはアリール基を
表し、ｍ及びｎは上記各繰り返し単位のモル数を表す）
【００４４】
【化２５】
【００４５】また、上述したポリカーボネートのほかに
も特開平6-214412号公報に開示されている、繰り返し単
位が下記構造式で表されるポリカーボネートを使用する
ことができる。
も特開平6-214412号公報に開示されている、繰り返し単
位が下記構造式で表されるポリカーボネートを使用する
ことができる。
【化２６】 ( 式中、ｎは上記各繰り返し単位のモル数を表す）
【００４６】さらに、特開平6-222581号公報に開示され
ている下記構造式で表されるポリカーボネートも使用す
ることができる。
ている下記構造式で表されるポリカーボネートも使用す
ることができる。
【化２７】 ( 式中、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は同一でも異なってもよく、
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基またはアリールアルキル基を示し、ｎは
上記各繰り返しを表す））
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基またはアリールアルキル基を示し、ｎは
上記各繰り返しを表す））
【００４７】これらの結着剤と本発明化合物（１）との
混合割合は、結着剤１００重量部当たり電荷輸送材料物
質10〜1000重量部、好ましくは30〜500 重量部、さらに
好ましくは40〜200 重量部添加することができる。用い
る有機溶剤としては、特に限定されないが、メタノ−
ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなどのアルコ−ル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
などのケトン類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメ
チルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシ
ドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、エチレングリコ−ルジメチルエ−テルなどのエ−
テル類、酢酸エチル、酢酸メチルなどのエステル類、塩
化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、ジク
ロロエチレン、トリクロロエチレン、トリクロロエタ
ン、四塩化炭素などの脂肪族ハロゲン化炭化水素あるい
はベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジ
クロロベンゼンなどの芳香族化合物など単独、およびこ
れらの混合物で用いることができる。
混合割合は、結着剤１００重量部当たり電荷輸送材料物
質10〜1000重量部、好ましくは30〜500 重量部、さらに
好ましくは40〜200 重量部添加することができる。用い
る有機溶剤としては、特に限定されないが、メタノ−
ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなどのアルコ−ル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
などのケトン類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメ
チルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシ
ドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、エチレングリコ−ルジメチルエ−テルなどのエ−
テル類、酢酸エチル、酢酸メチルなどのエステル類、塩
化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、ジク
ロロエチレン、トリクロロエチレン、トリクロロエタ
ン、四塩化炭素などの脂肪族ハロゲン化炭化水素あるい
はベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジ
クロロベンゼンなどの芳香族化合物など単独、およびこ
れらの混合物で用いることができる。
【００４８】本発明の感光体に用いられる導電性支持体
としては、銅、アルミニウム、銀、鉄、亜鉛、ニッケル
等の金属や合金の箔ないしは板をシ−ト状またはドラム
状にしたものが使用され、あるいはこれらの金属をプラ
スチックのフィルムや円筒等に真空蒸着、電解メッキし
たもの、あるいは導電性ポリマ−、酸化インジウム、酸
化スズ等の導電性化合物の層をガラス、紙あるいはプラ
スチックフィルムなどをシ−ト状またはドラム状にした
支持体に塗布もしくは蒸着によって設けられたものが用
いられる。
としては、銅、アルミニウム、銀、鉄、亜鉛、ニッケル
等の金属や合金の箔ないしは板をシ−ト状またはドラム
状にしたものが使用され、あるいはこれらの金属をプラ
スチックのフィルムや円筒等に真空蒸着、電解メッキし
たもの、あるいは導電性ポリマ−、酸化インジウム、酸
化スズ等の導電性化合物の層をガラス、紙あるいはプラ
スチックフィルムなどをシ−ト状またはドラム状にした
支持体に塗布もしくは蒸着によって設けられたものが用
いられる。
【００４９】塗布は浸漬コ−ティング法、スプレ−コ−
ティング法、スピンナ−コ−ティング法、ワイヤ−バ−
コ−ティング法、ブレ−ドコ−ティング法、ロ−ラ−コ
−ティング法、カ−テンコ−ティング法などのコ−ティ
ング法を用いて行うことができる。乾燥は、室温におけ
る乾燥の後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は
一般的には30〜200 ℃の温度で５分〜２時間の範囲で静
止または送風下で行うことが好ましい。
ティング法、スピンナ−コ−ティング法、ワイヤ−バ−
コ−ティング法、ブレ−ドコ−ティング法、ロ−ラ−コ
−ティング法、カ−テンコ−ティング法などのコ−ティ
ング法を用いて行うことができる。乾燥は、室温におけ
る乾燥の後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は
一般的には30〜200 ℃の温度で５分〜２時間の範囲で静
止または送風下で行うことが好ましい。
【００５０】さらに、本発明における電荷輸送層には必
要に応じて他の電荷輸送材料及び種種の添加剤を含有さ
せて用いることができる。他の電荷材料としては、例え
ば特公昭55-42380号公報、特開昭60-340999 号公報、特
開昭61-23154号公報等に記載されている下記一般式
（Ｉ）で示されるヒドラゾン化合物、特公昭58-32372号
公報に記載されている下記一般式（II）で示されるトリ
フェニルアミンダイマ−、米国特許第3873312 号等に記
載されている下記一般式（III)で示されるジスチリル系
化合物、その他テトラフェニルブタジエン系化合物、α
−フェニルスチルベン、ポリビニルカルバゾ−ル、トリ
フェニルメタンなどが挙げられるがこれに限定されるも
のではない。
要に応じて他の電荷輸送材料及び種種の添加剤を含有さ
せて用いることができる。他の電荷材料としては、例え
ば特公昭55-42380号公報、特開昭60-340999 号公報、特
開昭61-23154号公報等に記載されている下記一般式
（Ｉ）で示されるヒドラゾン化合物、特公昭58-32372号
公報に記載されている下記一般式（II）で示されるトリ
フェニルアミンダイマ−、米国特許第3873312 号等に記
載されている下記一般式（III)で示されるジスチリル系
化合物、その他テトラフェニルブタジエン系化合物、α
−フェニルスチルベン、ポリビニルカルバゾ−ル、トリ
フェニルメタンなどが挙げられるがこれに限定されるも
のではない。
【００５１】
【化２８】 （式中、R31,R32 は同一または異なってもよい低級アル
キル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有
してもよいアラルキル基を示し、R33,R34 は同一または
異なってもよく、置換基を有してもよい低級アルキル
基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよいヘテロ環基
を示し、R33 とR34 がそれぞれ結合して環を形成しても
よい。R35 は水素原子、低級アルキル基、置換基を有し
てもよいアリ−ル基、置換基を有してもよいアラルキ
ル、低級アルコキシ基、またはハロゲン原子を示す。R
35 とR 31またはR32 がそれぞれ結合して環を形成して
もよい。）
キル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有
してもよいアラルキル基を示し、R33,R34 は同一または
異なってもよく、置換基を有してもよい低級アルキル
基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよいヘテロ環基
を示し、R33 とR34 がそれぞれ結合して環を形成しても
よい。R35 は水素原子、低級アルキル基、置換基を有し
てもよいアリ−ル基、置換基を有してもよいアラルキ
ル、低級アルコキシ基、またはハロゲン原子を示す。R
35 とR 31またはR32 がそれぞれ結合して環を形成して
もよい。）
【００５２】
【化２９】 （式中、R36 〜R47 は同一または異なってもよく水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
で置換された低級アルコキシ基、置換基を有してもよい
アリ−ル基、またはハロゲン原子を示す。）
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
で置換された低級アルコキシ基、置換基を有してもよい
アリ−ル基、またはハロゲン原子を示す。）
【００５３】
【化３０】 （式中、R48 〜R51 は同一または異なってもよく低級ア
ルキル基、置換基を有してもよいアリ−ル基を示し、Ar
4,Ar6 は同一または異なってもよく、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、アリ−ルオキシ基、ハロゲン原子の
中から一つ以上選ばれる基を置換してもよいフェニル基
を示す。Ar5 はAr4,Ar6 と同様の置換基を有してもよい
炭素数4 〜14から成る単環あるいは多環式芳香環、また
はAr4,Ar6と同様の置換基を有してもよいヘテロ環を示
す。）
ルキル基、置換基を有してもよいアリ−ル基を示し、Ar
4,Ar6 は同一または異なってもよく、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、アリ−ルオキシ基、ハロゲン原子の
中から一つ以上選ばれる基を置換してもよいフェニル基
を示す。Ar5 はAr4,Ar6 と同様の置換基を有してもよい
炭素数4 〜14から成る単環あるいは多環式芳香環、また
はAr4,Ar6と同様の置換基を有してもよいヘテロ環を示
す。）
【００５４】種種の添加剤としては、例えば特開平6-33
2206号公報に開示されているビフェニル系化合物、m-タ
−フェニル、ジブチルフタレ−トなどの可塑剤や、シリ
コ−ンオイル、グラフト型シリコ−ンポリマ−、各種フ
ルオロカ−ボン類などの表面潤滑剤、ジシアノビニル化
合物、カルバゾ−ル誘導体などの電位安定剤、2-tert-
ブチル-4- メチルフェノ−ル、2 、6-ジ- ｔert-ブチル
-4- メチルフェノ−ルなどのモノフェノ−ル系酸化防止
剤、ビスフェノ−ル系酸化防止剤、4-ジアザビシクロ
[2,2,2] オクタンなどのアミン系酸化防止剤、サリチル
酸系酸化防止剤、トコフェロ−ルなどを挙げることがで
きる。
2206号公報に開示されているビフェニル系化合物、m-タ
−フェニル、ジブチルフタレ−トなどの可塑剤や、シリ
コ−ンオイル、グラフト型シリコ−ンポリマ−、各種フ
ルオロカ−ボン類などの表面潤滑剤、ジシアノビニル化
合物、カルバゾ−ル誘導体などの電位安定剤、2-tert-
ブチル-4- メチルフェノ−ル、2 、6-ジ- ｔert-ブチル
-4- メチルフェノ−ルなどのモノフェノ−ル系酸化防止
剤、ビスフェノ−ル系酸化防止剤、4-ジアザビシクロ
[2,2,2] オクタンなどのアミン系酸化防止剤、サリチル
酸系酸化防止剤、トコフェロ−ルなどを挙げることがで
きる。
【００５５】得られる電荷輸送層の膜厚5 〜40um、好ま
しくは10〜30umである。上述のようにして得られる電荷
輸送層は、電荷発生層と電気的に接続されることによ
り、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キャ
リアを受けとると共に、これらの電荷キャリアを感光体
表面まで輸送できる機能を有することができる。この
際、この電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていて
も良く、またその下に積層されていても良いが、電荷発
生層の上に積層されていることが望ましい。
しくは10〜30umである。上述のようにして得られる電荷
輸送層は、電荷発生層と電気的に接続されることによ
り、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キャ
リアを受けとると共に、これらの電荷キャリアを感光体
表面まで輸送できる機能を有することができる。この
際、この電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていて
も良く、またその下に積層されていても良いが、電荷発
生層の上に積層されていることが望ましい。
【００５６】このように作成した感光層上に、必要に応
じて保護層を塗布形成することができる。下引き層を形
成する材料としては、ポリビニルアルコ−ル、ニトロセ
ルロ−ス、ガゼイン、エチレン−アクリル酸共重合体、
ナイロンなどのポリアミド、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどが挙げられる。下引き層の膜圧は
0.1 〜 5um、好ましくは0.5 〜3um が適当である。
じて保護層を塗布形成することができる。下引き層を形
成する材料としては、ポリビニルアルコ−ル、ニトロセ
ルロ−ス、ガゼイン、エチレン−アクリル酸共重合体、
ナイロンなどのポリアミド、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどが挙げられる。下引き層の膜圧は
0.1 〜 5um、好ましくは0.5 〜3um が適当である。
【００５７】電荷発生層としては、セレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン等の無機の電荷発生材料、
ピリリウム塩系染料、チアビリリウム塩系染料、アズレ
ニウム塩系染料、チアシアニン系染料、キノシアニン系
染料などのカチオン染料、スクアリウム塩系顔料、フタ
ロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベンズ
ビレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料などの多環キ
ノン顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、アゾ
顔料、ピロロピロ−ル系顔料などの有機電荷発生物質か
ら選ばれた材料を単独ないしは組み合わせて用い、蒸着
層あるいは塗布層として用いることができる。上述のよ
うな有機電荷発生物質のなかでも特に好ましくは Chem.
Rev.1993,93,p449-486に記載された有機電荷発生物質が
挙げられる。
ルル、アモルファスシリコン等の無機の電荷発生材料、
ピリリウム塩系染料、チアビリリウム塩系染料、アズレ
ニウム塩系染料、チアシアニン系染料、キノシアニン系
染料などのカチオン染料、スクアリウム塩系顔料、フタ
ロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベンズ
ビレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料などの多環キ
ノン顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、アゾ
顔料、ピロロピロ−ル系顔料などの有機電荷発生物質か
ら選ばれた材料を単独ないしは組み合わせて用い、蒸着
層あるいは塗布層として用いることができる。上述のよ
うな有機電荷発生物質のなかでも特に好ましくは Chem.
Rev.1993,93,p449-486に記載された有機電荷発生物質が
挙げられる。
【００５８】ここで特にフタロシアニン系顔料として
は、アルコキシチタニウムフタロシアニン（Ti(OR)2P
c), オキソチタニウムフタロシアニン（TiOPc), 銅フタ
ロシアニン（CuPc) 、無金属フタロシアニン（H2Pc) 、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン（HOGaPc) 、バナジ
ルフタロシアニン（VOPc) ，クロロインジウムフタロシ
アニン(ClInPc)が挙げられる。さらに詳しくは、TiOPc
としては、α型−TiOPc 、β型−TiOPc 、γ型−TiOPc
、ｍ型−TiOPc 、Ｙ型−TiOPc 、Ａ型−TiOPc 、Ｂ型
−TiOPc 、TiOPc アモルファスが挙げられる。H2Pcとし
ては、α型−H2Pc、β型−H2Pc、τ型−H2Pc、Ｘ型−H2
Pcが挙げられる。
は、アルコキシチタニウムフタロシアニン（Ti(OR)2P
c), オキソチタニウムフタロシアニン（TiOPc), 銅フタ
ロシアニン（CuPc) 、無金属フタロシアニン（H2Pc) 、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン（HOGaPc) 、バナジ
ルフタロシアニン（VOPc) ，クロロインジウムフタロシ
アニン(ClInPc)が挙げられる。さらに詳しくは、TiOPc
としては、α型−TiOPc 、β型−TiOPc 、γ型−TiOPc
、ｍ型−TiOPc 、Ｙ型−TiOPc 、Ａ型−TiOPc 、Ｂ型
−TiOPc 、TiOPc アモルファスが挙げられる。H2Pcとし
ては、α型−H2Pc、β型−H2Pc、τ型−H2Pc、Ｘ型−H2
Pcが挙げられる。
【００５９】これらのフタロシアニン類は、混合、ミリ
ングして混合体として、または新たな混晶系を形成した
ものを使用できる。例えば、特開平4-371962号公報、特
開平5-2278号公報、特開平5-2279号公報などに記載され
ているオキソチタニルフタロシアニンとバナジルフタロ
シアニンの混晶や、特開平6-148917号公報、特開平6-14
5550号公報、特開平6-271786号公報、特開平5-297617号
公報などに記載されているオキソチタニルフタロシアニ
ンとクロロインジウムフタロシアニンの混晶を使用する
ことができる。また、アゾ化合物としては、次の構造式
で示される化合物が好ましい。
ングして混合体として、または新たな混晶系を形成した
ものを使用できる。例えば、特開平4-371962号公報、特
開平5-2278号公報、特開平5-2279号公報などに記載され
ているオキソチタニルフタロシアニンとバナジルフタロ
シアニンの混晶や、特開平6-148917号公報、特開平6-14
5550号公報、特開平6-271786号公報、特開平5-297617号
公報などに記載されているオキソチタニルフタロシアニ
ンとクロロインジウムフタロシアニンの混晶を使用する
ことができる。また、アゾ化合物としては、次の構造式
で示される化合物が好ましい。
【００６０】
【化３１】
【００６１】
【化３２】
【００６２】
【化３３】
【００６３】
【化３４】
【００６４】これらのもの以外でも、光を吸収し高い効
率で電荷を発生する材料であれば、いずれの材料でも使
用することができる。以上のようにして本発明化合物の
カルバゾ−ル誘導体（１）を電荷輸送層に含有する電子
写真感光体を得ることができる。上述のように、本発明
化合物のカルバゾ−ル誘導体（１）、即ち表１、表２に
挙げられるような化合物は、成膜したときに安定で、高
いキャリア移動度が発現でき、しかも電子写真感光体を
形成したときの諸特性においても優れた素材である。
率で電荷を発生する材料であれば、いずれの材料でも使
用することができる。以上のようにして本発明化合物の
カルバゾ−ル誘導体（１）を電荷輸送層に含有する電子
写真感光体を得ることができる。上述のように、本発明
化合物のカルバゾ−ル誘導体（１）、即ち表１、表２に
挙げられるような化合物は、成膜したときに安定で、高
いキャリア移動度が発現でき、しかも電子写真感光体を
形成したときの諸特性においても優れた素材である。
【００６５】
【実施例】以下に実施例によって本発明を記述するが，
本発明は，これらに限定されるものではない。なお、実
施例中において用いる測定機器及び測定条件を以下に示
す。 （1 ）1 Ｈ−ＮＭＲ 機器：ブルッカー社製、AM-400型装置（400MHz） 溶剤：ＣＤＣｌ3 またはＣ6 Ｄ6 内部標準物質：テトラメチルシラン （2 ）MASS 機器：日立 Ｍ-80 Ｂ（株式会社日立製作所製）
本発明は，これらに限定されるものではない。なお、実
施例中において用いる測定機器及び測定条件を以下に示
す。 （1 ）1 Ｈ−ＮＭＲ 機器：ブルッカー社製、AM-400型装置（400MHz） 溶剤：ＣＤＣｌ3 またはＣ6 Ｄ6 内部標準物質：テトラメチルシラン （2 ）MASS 機器：日立 Ｍ-80 Ｂ（株式会社日立製作所製）
【００６６】実施例１ 3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカル
バゾール（例示化合物4 、m=n=0 、Ar1 = R1= Ar2 = R2
= Ph, R3 = エチル基）の合成 （1 ）3, 6- ジホルミル-9- エチルカルバゾール（2a） 塩化亜鉛138.8 ｇ（1.02モル）を2 リッターの反応フラ
スコに秤り取り、トルエン1 リッターを加えて3 時間還
流水抜きを行った。溶液を室温に冷却し、エチルカルバ
ゾール(4a)100 ｇ（0.51モル、東京化成工業（株）社
製）、N, N- ジメチルホルムアミド267.9 ｇ（3.67モ
ル）を加えた。引き続き、オキシ塩化リン468.3 ｇ（3.
05モル）を室温から80℃、30分で加えた。フラスコをオ
イルバスにて82℃に加熱し72時間攪拌した。混合物を冷
却後、氷水5 リッター中に注ぎ、炭酸ナトリウムを徐々
に加えて溶液をアルカリ性にした（pH10〜11）。トルエ
ン1 リッターを加え、60℃、1 時間攪拌し、静置後、分
液した。トルエン相を水洗（３リッター×３）し、乾燥
（MgSO4 ）、濃縮した。得られた粗結晶（132.1 ｇ）を
トルエンから2 回再結晶させると、79.23 ｇの3, 6- ジ
ホルミル-9- エチルカルバゾール（2a）が得られた。 収率62.9％、ｍｐ177 〜178.5 ℃
バゾール（例示化合物4 、m=n=0 、Ar1 = R1= Ar2 = R2
= Ph, R3 = エチル基）の合成 （1 ）3, 6- ジホルミル-9- エチルカルバゾール（2a） 塩化亜鉛138.8 ｇ（1.02モル）を2 リッターの反応フラ
スコに秤り取り、トルエン1 リッターを加えて3 時間還
流水抜きを行った。溶液を室温に冷却し、エチルカルバ
ゾール(4a)100 ｇ（0.51モル、東京化成工業（株）社
製）、N, N- ジメチルホルムアミド267.9 ｇ（3.67モ
ル）を加えた。引き続き、オキシ塩化リン468.3 ｇ（3.
05モル）を室温から80℃、30分で加えた。フラスコをオ
イルバスにて82℃に加熱し72時間攪拌した。混合物を冷
却後、氷水5 リッター中に注ぎ、炭酸ナトリウムを徐々
に加えて溶液をアルカリ性にした（pH10〜11）。トルエ
ン1 リッターを加え、60℃、1 時間攪拌し、静置後、分
液した。トルエン相を水洗（３リッター×３）し、乾燥
（MgSO4 ）、濃縮した。得られた粗結晶（132.1 ｇ）を
トルエンから2 回再結晶させると、79.23 ｇの3, 6- ジ
ホルミル-9- エチルカルバゾール（2a）が得られた。 収率62.9％、ｍｐ177 〜178.5 ℃
【００６７】ＭＳ；251 (M+ ), 236, 222, 207, 193, 1
78, 166, 152.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.50 (t, J=7.3H
z, 3H), 4.45 (q, J=7.3Hz, 2H), 7.55 (d, J=8.5Hz, 2
H), 8.09 (dd, J=8.5Hz, J=1.6Hz, 2H), 8.65 (s, 2H),
10.12 (s, 2H).
78, 166, 152.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.50 (t, J=7.3H
z, 3H), 4.45 (q, J=7.3Hz, 2H), 7.55 (d, J=8.5Hz, 2
H), 8.09 (dd, J=8.5Hz, J=1.6Hz, 2H), 8.65 (s, 2H),
10.12 (s, 2H).
【００６８】（2 ）3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビ
ニル)-9-エチルカルバゾール（例示化合物4 ） 3, 6- ジホルミル-9- エチルカルバゾール（2a）2 ｇ
（7.9 ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチル5.
63ｇ（175 ミリモル）を20ｍｌのN, N- ジメチルホルム
アミドに溶かし、2.14ｇ（19.1ミリモル）のカリウム-
ｔ- ブトキシドを徐々に加えた。50℃で17時間反応し、
300 ｍｌの水中に注いだ。ベンゼン200 ｍｌで抽出した
後、有機層を水洗（300 ｍｌ×３）し、乾燥（MgS
O4 ）、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶離液；トルエン）にかけると、3.94ｇの結
晶が得られた。こののもをトルエンとヘプタンからなる
混合溶媒（1/1 ｗｔ）から再結晶させると、3.41ｇの例
示化合物4 が得られた。 収率77.8％、ｍｐ178.5 〜179.5 ℃
ニル)-9-エチルカルバゾール（例示化合物4 ） 3, 6- ジホルミル-9- エチルカルバゾール（2a）2 ｇ
（7.9 ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチル5.
63ｇ（175 ミリモル）を20ｍｌのN, N- ジメチルホルム
アミドに溶かし、2.14ｇ（19.1ミリモル）のカリウム-
ｔ- ブトキシドを徐々に加えた。50℃で17時間反応し、
300 ｍｌの水中に注いだ。ベンゼン200 ｍｌで抽出した
後、有機層を水洗（300 ｍｌ×３）し、乾燥（MgS
O4 ）、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶離液；トルエン）にかけると、3.94ｇの結
晶が得られた。こののもをトルエンとヘプタンからなる
混合溶媒（1/1 ｗｔ）から再結晶させると、3.41ｇの例
示化合物4 が得られた。 収率77.8％、ｍｐ178.5 〜179.5 ℃
【００６９】ＭＳ; 551, 523, 275, 178.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.32 (t, J=7.2H
z, 3H), 4.18 (q, J=7.2Hz, 2H), 7.07 (m, 4H), 7.13
(s, 2H), 7.23-7.39 (m, 16H), 7.52 (s, 2H).
z, 3H), 4.18 (q, J=7.2Hz, 2H), 7.07 (m, 4H), 7.13
(s, 2H), 7.23-7.39 (m, 16H), 7.52 (s, 2H).
【００７０】実施例２ 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-（2", 2" -ジ- ｍ-
トリルビニル)-9-エチルカルバゾール（例示化合物5 、
m=n=0 、Ar1= R1= Ph, Ar2 = R2 = Ph-(3)Me,R3 = エ
チル基）の合成 （１）3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバ
ゾール (6a) 3-ホルミル-9エチルカルバゾール(2') 25.3ｇ（111.7
ミリモル、東京化成工業（株）社製）、ジフェニルメチ
ル亜リン酸ジエチル39.6ｇ（122.9 ミリモル）、ＤＭＦ
253 ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド15.04 ｇ（134.0
ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して
36.44 ｇの3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカ
ルバゾールを得た。 収率86.7％、ｍｐ145 〜146 ℃
トリルビニル)-9-エチルカルバゾール（例示化合物5 、
m=n=0 、Ar1= R1= Ph, Ar2 = R2 = Ph-(3)Me,R3 = エ
チル基）の合成 （１）3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバ
ゾール (6a) 3-ホルミル-9エチルカルバゾール(2') 25.3ｇ（111.7
ミリモル、東京化成工業（株）社製）、ジフェニルメチ
ル亜リン酸ジエチル39.6ｇ（122.9 ミリモル）、ＤＭＦ
253 ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド15.04 ｇ（134.0
ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して
36.44 ｇの3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカ
ルバゾールを得た。 収率86.7％、ｍｐ145 〜146 ℃
【００７１】ＭＳ; 374, 358, 280, 178.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.38 (t, J=7.2H
z, 3H), 4.28 (q, J=7.2Hz, 2H), 7.12-7.20 (m, 4H),
7.24-7.44 (m, 12H), 7.72 (s, 1H), 7.81 (d,J=7.7Hz,
1H).
z, 3H), 4.28 (q, J=7.2Hz, 2H), 7.12-7.20 (m, 4H),
7.24-7.44 (m, 12H), 7.72 (s, 1H), 7.81 (d,J=7.7Hz,
1H).
【００７２】（2 ）3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-
ホルミル-9- エチルカルバゾール（5a） 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバゾール
(6a) 35.4 ｇ（87.87ミリモル）、ＤＭＦ46.2ｇ（631.8
ミリモル）、塩化亜鉛23.9ｇ（175.5 ミリモル）、オ
キシ塩化リン80.7ｇ（526.6 ミリモル）、トルエン354
ｇを実施例1 （1 ）と同様に反応し、後処理した。粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；
ベンゼン/ 酢酸エチル=9/1(vol) ）処理し、トルエンと
ヘプタンからなる混合溶媒（3/2 ｗｔ）から再結晶させ
ると、10.5ｇの3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-ホル
ミル-9- エチルカルバゾールが得られた。 収率25.5％、ｍｐ166 〜167 ℃
ホルミル-9- エチルカルバゾール（5a） 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバゾール
(6a) 35.4 ｇ（87.87ミリモル）、ＤＭＦ46.2ｇ（631.8
ミリモル）、塩化亜鉛23.9ｇ（175.5 ミリモル）、オ
キシ塩化リン80.7ｇ（526.6 ミリモル）、トルエン354
ｇを実施例1 （1 ）と同様に反応し、後処理した。粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；
ベンゼン/ 酢酸エチル=9/1(vol) ）処理し、トルエンと
ヘプタンからなる混合溶媒（3/2 ｗｔ）から再結晶させ
ると、10.5ｇの3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-ホル
ミル-9- エチルカルバゾールが得られた。 収率25.5％、ｍｐ166 〜167 ℃
【００７３】ＭＳ; 401 (M+ ), 386.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.40 (t, J=7.2H
z, 3H), 4.30 (q, J=7.2Hz, 2H), 7.19 (m, 3H), 7.22-
7.43 (m, 11H), 7.79 (s, 1H), 7.97 (dd, J=8.6Hz, J=
1.6Hz, 1H), 8.33 (s, 1H), 10.02 (s, 1H).
z, 3H), 4.30 (q, J=7.2Hz, 2H), 7.19 (m, 3H), 7.22-
7.43 (m, 11H), 7.79 (s, 1H), 7.97 (dd, J=8.6Hz, J=
1.6Hz, 1H), 8.33 (s, 1H), 10.02 (s, 1H).
【００７４】（3 ）3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-
（2", 2" -ジ- ｍ- トリルビニル)-9-エチルカルバゾー
ル (例示化合物5) の合成 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-ホルミル-9- エチル
カルバゾール(5a) 2.0ｇ（4.76ミリモル）、ジ- ｍ- ト
リルメチル亜リン酸ジエチル1.88ｇ（5.23ミリモル）、
ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド0.64ｇ（5.70
ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して
2.2 ｇの例示化合物5 を得た。 収率79.0％、ｍｐ166 〜167 ℃
（2", 2" -ジ- ｍ- トリルビニル)-9-エチルカルバゾー
ル (例示化合物5) の合成 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-ホルミル-9- エチル
カルバゾール(5a) 2.0ｇ（4.76ミリモル）、ジ- ｍ- ト
リルメチル亜リン酸ジエチル1.88ｇ（5.23ミリモル）、
ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド0.64ｇ（5.70
ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して
2.2 ｇの例示化合物5 を得た。 収率79.0％、ｍｐ166 〜167 ℃
【００７５】ＭＳ; 579, 401, 91.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.34 (t, J=7.1H
z, 3H), 2.30 (s, 3H),2.36 (s, 3H), 4.19 (q, J=7.2H
z, 2H), 7.02-7.11 (m, 8H), 7.12-7.17 (m, 3H), 7.18
-7.30 (m, 6H), 7.30-7.40 (m, 7H), 7.57 (d, J=3.8H
z, 2H).
z, 3H), 2.30 (s, 3H),2.36 (s, 3H), 4.19 (q, J=7.2H
z, 2H), 7.02-7.11 (m, 8H), 7.12-7.17 (m, 3H), 7.18
-7.30 (m, 6H), 7.30-7.40 (m, 7H), 7.57 (d, J=3.8H
z, 2H).
【００７６】実施例３ 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-（4", 4" -ジフェニ
ルブタジエニル)-9-エチルカルバゾール（例示化合物6
、m=0, n=1、Ar1= R1= Ar2 = R2 = Ph, R3 =エチル
基）の合成 （１） １, １ージフェニルエチレン（9a）の合成 ２リッター反応フラスコに窒素気流中マグネシウム３
１. ６ｇ（１. ３モル）と乾燥ＴＨＦ５０ｍｌを仕込、
ヨード、臭化エチルを微量加え、反応開始を確認後、攪
拌しながら乾燥ＴＨＦ６００ｍｌを加え、塩化メチルガ
スを吹き込んだ。３０〜４０℃を保つように吹き込み量
と冷却をコントロールした。２時間で発熱が収まりマグ
ネシウムが消失した。塩化メチルガスの吹き込みを止
め、同温度で１時間攪拌しグリニア調整を終了した。次
にベンゾフェノン（8a、Ar＝Ｒ＝Ph）１８２. ２２ｇ
（１. １モル）と乾燥ＴＨＦ３６４ｍｌの混合液を３５
〜４０℃、３０分間で滴加し、さらに同温度で２時間、
更に同温度で１３時間攪拌し、反応を終了とした。氷冷
下、冷却１０％塩化アンモン水溶液１４００ｇ中へ注加
し、３０分間攪拌し、静置、分液後、食塩水洗浄、硫酸
マグネシウムで乾燥、濃縮し、粗カルビノール２００.
２３ｇ（ベンゾフェノンより理論收率９８. ６％）を得
た。
ルブタジエニル)-9-エチルカルバゾール（例示化合物6
、m=0, n=1、Ar1= R1= Ar2 = R2 = Ph, R3 =エチル
基）の合成 （１） １, １ージフェニルエチレン（9a）の合成 ２リッター反応フラスコに窒素気流中マグネシウム３
１. ６ｇ（１. ３モル）と乾燥ＴＨＦ５０ｍｌを仕込、
ヨード、臭化エチルを微量加え、反応開始を確認後、攪
拌しながら乾燥ＴＨＦ６００ｍｌを加え、塩化メチルガ
スを吹き込んだ。３０〜４０℃を保つように吹き込み量
と冷却をコントロールした。２時間で発熱が収まりマグ
ネシウムが消失した。塩化メチルガスの吹き込みを止
め、同温度で１時間攪拌しグリニア調整を終了した。次
にベンゾフェノン（8a、Ar＝Ｒ＝Ph）１８２. ２２ｇ
（１. １モル）と乾燥ＴＨＦ３６４ｍｌの混合液を３５
〜４０℃、３０分間で滴加し、さらに同温度で２時間、
更に同温度で１３時間攪拌し、反応を終了とした。氷冷
下、冷却１０％塩化アンモン水溶液１４００ｇ中へ注加
し、３０分間攪拌し、静置、分液後、食塩水洗浄、硫酸
マグネシウムで乾燥、濃縮し、粗カルビノール２００.
２３ｇ（ベンゾフェノンより理論收率９８. ６％）を得
た。
【００７７】１リッター反応フラスコに粗カルビノール
２００. ２３ｇ、トルエン４００ｍｌ、パラトルエンス
ルホン酸（PTSA）１ｇを秤り取り、トルエン還流下（９
４〜１１６℃）、２時間共沸脱水した。冷後水洗、２％
ソーダ灰水洗浄、水洗、硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮
し、粗１, １ージフェニルエチレン（9a, Ar=R=Ph ）１
９０. ０９ｇを得た。粗１，１ージフェニルエチレン
（9a）をビグロー付きクライゼンで蒸留し、１，１ージ
フェニルエチレン（9a）１７４. ０６ｇを得た。 Ｂｐ１０３℃／１ｍｍＨｇ. ベンゾフェノンより９６. ５％の收率である。
２００. ２３ｇ、トルエン４００ｍｌ、パラトルエンス
ルホン酸（PTSA）１ｇを秤り取り、トルエン還流下（９
４〜１１６℃）、２時間共沸脱水した。冷後水洗、２％
ソーダ灰水洗浄、水洗、硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮
し、粗１, １ージフェニルエチレン（9a, Ar=R=Ph ）１
９０. ０９ｇを得た。粗１，１ージフェニルエチレン
（9a）をビグロー付きクライゼンで蒸留し、１，１ージ
フェニルエチレン（9a）１７４. ０６ｇを得た。 Ｂｐ１０３℃／１ｍｍＨｇ. ベンゾフェノンより９６. ５％の收率である。
【００７８】（２） ３, ３ージフェニルアリルクロリ
ド（10a, Ar ＝Ｒ＝Ph）の合成 ３００ｍｌ反応フラスコに１, １ージフェニルエチレン
（9a）５４. １３ｇ（０. ３モル）、酢酸１０８. ２６
ｇ、パラホルムアルデヒド１３. ５１ｇ（０. ４５モ
ル）を仕込、攪拌しながら３０℃、３. ５時間で塩化水
素１３. ６７ｇ（０. ３７５モル）を吹き込んだ。弱く
発熱するので冷却し反応温度を３０℃に保った。塩化水
素の吹き込みを止め、同温度で２時間攪拌した後一夜静
置した。反応液を水２００ｍｌ中へ注加し、トルエン２
００ｍｌで抽出し、水洗、２％ソーダ灰洗浄、水洗、硫
酸マグネシウムで乾燥し、濃縮して粗クロリド６８. ４
２ｇを得た。ビグロー付きクライゼンで蒸留し、５７.
５１ｇを得た。 Ｂｐ１２０〜１３２℃／１ｍｍＨｇ . 收率７９％.
ド（10a, Ar ＝Ｒ＝Ph）の合成 ３００ｍｌ反応フラスコに１, １ージフェニルエチレン
（9a）５４. １３ｇ（０. ３モル）、酢酸１０８. ２６
ｇ、パラホルムアルデヒド１３. ５１ｇ（０. ４５モ
ル）を仕込、攪拌しながら３０℃、３. ５時間で塩化水
素１３. ６７ｇ（０. ３７５モル）を吹き込んだ。弱く
発熱するので冷却し反応温度を３０℃に保った。塩化水
素の吹き込みを止め、同温度で２時間攪拌した後一夜静
置した。反応液を水２００ｍｌ中へ注加し、トルエン２
００ｍｌで抽出し、水洗、２％ソーダ灰洗浄、水洗、硫
酸マグネシウムで乾燥し、濃縮して粗クロリド６８. ４
２ｇを得た。ビグロー付きクライゼンで蒸留し、５７.
５１ｇを得た。 Ｂｐ１２０〜１３２℃／１ｍｍＨｇ . 收率７９％.
【００７９】ＭＳ; 228( M+ ),193,178,1151 ＨーＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；4.11(2H, d, J =
8.0Hz ), 6.23 (1H,t,J=8.0Hz),7.21 −7.41(10H,m)
8.0Hz ), 6.23 (1H,t,J=8.0Hz),7.21 −7.41(10H,m)
【００８０】（３） ３, ３ージフェニルアリル亜燐酸
ジエチルエステル（7a、Ar＝Ｒ＝Ph）の合成 ３, ３ージフェニルアリルクロリド（10a ） 40.75 ｇ
（0.155 モル）、トリエチルホスファイト94.48 ｇ（0.
569 モル）を24時間還流攪拌した。３, ３ージフェニル
アリルクロリド（10a ）の消失を確認し、反応終了とし
た。冷後、ビグロー付きクライゼンで蒸留し、55.39 ｇ
を得た。 ＢＰ170 〜203 ℃／1 ｍｍＨｇ。 理論収率９９％。
ジエチルエステル（7a、Ar＝Ｒ＝Ph）の合成 ３, ３ージフェニルアリルクロリド（10a ） 40.75 ｇ
（0.155 モル）、トリエチルホスファイト94.48 ｇ（0.
569 モル）を24時間還流攪拌した。３, ３ージフェニル
アリルクロリド（10a ）の消失を確認し、反応終了とし
た。冷後、ビグロー付きクライゼンで蒸留し、55.39 ｇ
を得た。 ＢＰ170 〜203 ℃／1 ｍｍＨｇ。 理論収率９９％。
【００８１】ＭＳ; 330 (M+ ),193,1151 ＨーＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.31(6H,t,J=7.0
Hz) 2.71(2H,dd,J=7.9Hz,J=22.4Hz),4.08 (6H,dt,J=7.1
Hz,J=7.6Hz), 6.12 (1H,q,J=7.9Hz,J=7.6Hz)),7.22 −
7.38(10H,m)
Hz) 2.71(2H,dd,J=7.9Hz,J=22.4Hz),4.08 (6H,dt,J=7.1
Hz,J=7.6Hz), 6.12 (1H,q,J=7.9Hz,J=7.6Hz)),7.22 −
7.38(10H,m)
【００８２】（４）3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-
（4", 4" -ジフェニルブタジエニル)-9-エチルカルバゾ
ール (例示化合物6) 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-ホルミル-9- エチル
カルバゾール(5a) 2.0ｇ（4.76ミリモル）、３, ３ージ
フェニルアリル亜燐酸ジエチルエステル1.73ｇ（5.24ミ
リモル）、ＤＭＦ40ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド0.
64ｇ（5.70ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、
後処理して2.02ｇの例示化合物6 を得た。 収率72.1％、ｍｐ122 〜123 ℃
（4", 4" -ジフェニルブタジエニル)-9-エチルカルバゾ
ール (例示化合物6) 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-6-ホルミル-9- エチル
カルバゾール(5a) 2.0ｇ（4.76ミリモル）、３, ３ージ
フェニルアリル亜燐酸ジエチルエステル1.73ｇ（5.24ミ
リモル）、ＤＭＦ40ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド0.
64ｇ（5.70ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、
後処理して2.02ｇの例示化合物6 を得た。 収率72.1％、ｍｐ122 〜123 ℃
【００８３】ＭＳ; 577, 368, 91.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.36 (t, J=7.2H
z, 3H), 4.23 (q, J=7.3Hz, 2H), 6.87-6.97 (m, 3H),
7.09-7.50 (m, 25H), 7.60 (s, 1H), 7.72 (d,J=1.5Hz,
1H).
z, 3H), 4.23 (q, J=7.3Hz, 2H), 6.87-6.97 (m, 3H),
7.09-7.50 (m, 25H), 7.60 (s, 1H), 7.72 (d,J=1.5Hz,
1H).
【００８４】実施例４ 3, 6- ビス(4', 4' - ジフェニルブタジエニル)-9-エチ
ルカルバゾール（例示化合物12、m=n=1 、Ar1= R1= Ar2
= R2 = Ph, R3 = エチル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- エチルカルバゾール（2a）2.0 ｇ
（7.95ミリモル）、３,３ージフェニルアリル亜燐酸ジ
エチルエステル5.78ｇ（17.5ミリモル）、ＤＭＦ20ｍ
ｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.14ｇ（19.07 ミリモ
ル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して4.61ｇ
の例示化合物12を得た。 収率95.3％、ｍｐ163.5 〜164.5 ℃
ルカルバゾール（例示化合物12、m=n=1 、Ar1= R1= Ar2
= R2 = Ph, R3 = エチル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- エチルカルバゾール（2a）2.0 ｇ
（7.95ミリモル）、３,３ージフェニルアリル亜燐酸ジ
エチルエステル5.78ｇ（17.5ミリモル）、ＤＭＦ20ｍ
ｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.14ｇ（19.07 ミリモ
ル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して4.61ｇ
の例示化合物12を得た。 収率95.3％、ｍｐ163.5 〜164.5 ℃
【００８５】ＭＳ; 603 (M+ ),412.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）；1.38 (t, J=7.0H
z, 3H), 4.28 (q, J=7.0Hz, 2H), 6.93 (s, 6H), 7.12-
7.19 (m, 6H), 7.22-7.37 (m, 9H), 7.38-7.520(m, 9
H), 7.97 (d, J=1.4Hz, 2H).
z, 3H), 4.28 (q, J=7.0Hz, 2H), 6.93 (s, 6H), 7.12-
7.19 (m, 6H), 7.22-7.37 (m, 9H), 7.38-7.520(m, 9
H), 7.97 (d, J=1.4Hz, 2H).
【００８６】実施例５ 3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-イソプロピ
ルカルバゾール（例示化合物14、m=n=0 、Ar1 = R1= Ar
2 = R2 = Ph, R3= イソプロピル基）の合成 （１）9-イソプロピルカルバゾール(4b) １リッターの4 つ口フラスコにカルバゾール 16 ｇ（9
5.7ミリモル）、85％KOH 38ｇ（608.2 ミリモル）、炭
酸カリウム21ｇ（151.9 ミリモル）、硫酸水素テトラ-
ｎ- ブチルアンモニウム 3.2ｇ（9.4 ミリモル）およ
び、トルエン300 ｍｌを秤り取り、滴下ロートより25ｇ
（147.1 ミリモル）の2-ヨードプロパンを少しづつ加え
た（やや発熱）。引き続き60から80℃で7 時間反応をお
こなった。ＴＬＣとガスクロマトグラフィーでカルバゾ
ールの消失を確認し、冷却後、溶液を濾過し濾液を３回
水洗した。トルエン層を乾燥（MgSO4 ）、濃縮すると2
1.5ｇの粗生物が得られた。2-プロパノールより再結晶
させて16.35 ｇの目的物を得た。 収率81.6％、mp124-125 ℃
ルカルバゾール（例示化合物14、m=n=0 、Ar1 = R1= Ar
2 = R2 = Ph, R3= イソプロピル基）の合成 （１）9-イソプロピルカルバゾール(4b) １リッターの4 つ口フラスコにカルバゾール 16 ｇ（9
5.7ミリモル）、85％KOH 38ｇ（608.2 ミリモル）、炭
酸カリウム21ｇ（151.9 ミリモル）、硫酸水素テトラ-
ｎ- ブチルアンモニウム 3.2ｇ（9.4 ミリモル）およ
び、トルエン300 ｍｌを秤り取り、滴下ロートより25ｇ
（147.1 ミリモル）の2-ヨードプロパンを少しづつ加え
た（やや発熱）。引き続き60から80℃で7 時間反応をお
こなった。ＴＬＣとガスクロマトグラフィーでカルバゾ
ールの消失を確認し、冷却後、溶液を濾過し濾液を３回
水洗した。トルエン層を乾燥（MgSO4 ）、濃縮すると2
1.5ｇの粗生物が得られた。2-プロパノールより再結晶
させて16.35 ｇの目的物を得た。 収率81.6％、mp124-125 ℃
【００８７】ＭＳ; 209,194 167,138.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 1.71 (d, J=7.0H
z, 6H), 5.00 (sextet,1H), 7.21 (t, J=7.0Hz, 2H),
7.43 (t, J=7.1Hz, 2H), 7.53 (d, J=8.3Hz, 2H), 8.11
(d, J=7.8Hz, 2H).
z, 6H), 5.00 (sextet,1H), 7.21 (t, J=7.0Hz, 2H),
7.43 (t, J=7.1Hz, 2H), 7.53 (d, J=8.3Hz, 2H), 8.11
(d, J=7.8Hz, 2H).
【００８８】（２）3, 6- ジホルミル-9- イソプロピル
カルバゾール（2b） 9-イソプロピルカルバゾール10.0ｇ(4b)（47.8ミリモ
ル）、ＤＭＦ14.2ｇ（194.3 ミリモル）、塩化亜鉛7.0
ｇ（51.4ミリモル）、オキシ塩化リン30.0ｇ（195.7 ミ
リモル）、トルエン100 ｍｌを実施例1 （1 ）と同様に
反応、後処理して7.78ｇの3, 6- ジホルミル-9- イソプ
ロピルカルバゾール（2b）を得た。 収率61.3％、mp143-144 ℃
カルバゾール（2b） 9-イソプロピルカルバゾール10.0ｇ(4b)（47.8ミリモ
ル）、ＤＭＦ14.2ｇ（194.3 ミリモル）、塩化亜鉛7.0
ｇ（51.4ミリモル）、オキシ塩化リン30.0ｇ（195.7 ミ
リモル）、トルエン100 ｍｌを実施例1 （1 ）と同様に
反応、後処理して7.78ｇの3, 6- ジホルミル-9- イソプ
ロピルカルバゾール（2b）を得た。 収率61.3％、mp143-144 ℃
【００８９】ＭＳ; 313 (M+ ), 91.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 5.60 (s, 2H),
7.13 (m, 2H), 7.25-7.35 (m, 3H), 7.53 (d, J=8.6Hz,
2H), 8.05 (d, J=8.6Hz, 2H), 8.72 (s, 2H), 10.15
(s, 2H)
7.13 (m, 2H), 7.25-7.35 (m, 3H), 7.53 (d, J=8.6Hz,
2H), 8.05 (d, J=8.6Hz, 2H), 8.72 (s, 2H), 10.15
(s, 2H)
【００９０】（３）3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビ
ニル)-9-イソプロピルカルバゾール（例示化合物14） 3, 6- ジホルミル-9- イソプロピルカルバゾール（2b）
2.0 ｇ（7.95ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエ
チルエステル5.54ｇ（18.24 ミリモル）、ＤＭＦ20ｍ
ｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.20ｇ（19.61 ミリモ
ル）を実施例1 （2）と同様に反応、後処理して2.98ｇ
の例示化合物14を得た。 収率70.0％、ｍｐ130-133 ℃
ニル)-9-イソプロピルカルバゾール（例示化合物14） 3, 6- ジホルミル-9- イソプロピルカルバゾール（2b）
2.0 ｇ（7.95ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエ
チルエステル5.54ｇ（18.24 ミリモル）、ＤＭＦ20ｍ
ｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.20ｇ（19.61 ミリモ
ル）を実施例1 （2）と同様に反応、後処理して2.98ｇ
の例示化合物14を得た。 収率70.0％、ｍｐ130-133 ℃
【００９１】ＭＳ; 566, 522, 304, 283, 202, 179.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 1.60 (d, J=7.0H
z, 6H), 4.78 (sextet,J=7.0Hz, 1H), 7.04 (dd, J=9.0
Hz, J=1.8Hz, 2H), 7.12 (s, 2H), 7.17 (d, J=8.7Hz,
2H), 7.22-7.40 (m, 20H), 7.52 (s, 2H).
z, 6H), 4.78 (sextet,J=7.0Hz, 1H), 7.04 (dd, J=9.0
Hz, J=1.8Hz, 2H), 7.12 (s, 2H), 7.17 (d, J=8.7Hz,
2H), 7.22-7.40 (m, 20H), 7.52 (s, 2H).
【００９２】実施例６ 3, 6- ビス(4', 4' - ジフェニルブタジエニル)-9-イソ
プロピルカルバゾール（例示化合物15、m=n=1 、Ar1= R
1= Ar2 = R2 = Ph, R3 =イソプロピル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- イソプロピルカルバゾール（2b）
2.0 ｇ（7.54ミリモル）、３, ３ージフェニルアリル亜
燐酸ジエチルエステル5.50ｇ（16.65 ミリモル）、ＤＭ
Ｆ20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.0 ｇ（17.82 ミ
リモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して3.
02ｇの例示化合物15を得た。 収率64.8％、ｍｐ154-157 ℃
プロピルカルバゾール（例示化合物15、m=n=1 、Ar1= R
1= Ar2 = R2 = Ph, R3 =イソプロピル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- イソプロピルカルバゾール（2b）
2.0 ｇ（7.54ミリモル）、３, ３ージフェニルアリル亜
燐酸ジエチルエステル5.50ｇ（16.65 ミリモル）、ＤＭ
Ｆ20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.0 ｇ（17.82 ミ
リモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して3.
02ｇの例示化合物15を得た。 収率64.8％、ｍｐ154-157 ℃
【００９３】ＭＳ; 617( M+ ),426, 382, 309.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 1.65 (d, J=7.0H
z, 6H), 4.88 (sextet,7.0Hz, 1H), 6.90-6.95 (m, 6
H), 7.21-7.49 (m, 24H), 7.99 (s, 2H).
z, 6H), 4.88 (sextet,7.0Hz, 1H), 6.90-6.95 (m, 6
H), 7.21-7.49 (m, 24H), 7.99 (s, 2H).
【００９４】実施例７ 3, 6- ビス(4'-フェニル-4' - ｐ- トリルブタジエニ
ル)-9-イソプロピルカルバゾール（例示化合物16、m=n=
1 、Ar1= Ar2 =Ph, R1= R2 = Ph-(4)Me, R3 =イソプロ
ピル基）の合成 （1 ）1-フェニル-1’- （ｐ- トリル）エチレン（9b,
Ar=Ph, R=Ph-(4)Me)の合成 マグネシウム3.7 ｇ（152.2 ミリモル）、70ｍｌのＴＨ
Ｆ、塩化メチルガスから実施例3 （1 ）と同様にしてグ
リニア溶液を調製し、4-メチルベンゾフェノン25ｇ（12
7.1 ミリモル）のＴＨＦ40ｍｌ溶液と反応させた。以
下、実施例3 （1）と同様にして後処理、パラトルエン
スルホン酸で脱水反応を行い19.5ｇの1-フェニル-1’-
（ｐ- トリル）エチレン（9b）を得た。 収率79.0％、Ｂｐ90-95 ℃／１ｍｍＨｇ. MS (GC); 194, 179, 165, 115, 89, 63, 51.
ル)-9-イソプロピルカルバゾール（例示化合物16、m=n=
1 、Ar1= Ar2 =Ph, R1= R2 = Ph-(4)Me, R3 =イソプロ
ピル基）の合成 （1 ）1-フェニル-1’- （ｐ- トリル）エチレン（9b,
Ar=Ph, R=Ph-(4)Me)の合成 マグネシウム3.7 ｇ（152.2 ミリモル）、70ｍｌのＴＨ
Ｆ、塩化メチルガスから実施例3 （1 ）と同様にしてグ
リニア溶液を調製し、4-メチルベンゾフェノン25ｇ（12
7.1 ミリモル）のＴＨＦ40ｍｌ溶液と反応させた。以
下、実施例3 （1）と同様にして後処理、パラトルエン
スルホン酸で脱水反応を行い19.5ｇの1-フェニル-1’-
（ｐ- トリル）エチレン（9b）を得た。 収率79.0％、Ｂｐ90-95 ℃／１ｍｍＨｇ. MS (GC); 194, 179, 165, 115, 89, 63, 51.
【００９５】（２）３- フェニル- ３ー( ｐートリル)
アリルクロリド（10ｂ、Ar=Ph, R=Ph-(4)Me ）の合成 実施例3 （2 ）と同様にして1-フェニル-1’- （ｐ- ト
リル）エチレン（9b）8.77ｇ（44.9ミリモル）、パラホ
ルムアルデヒド2.02ｇ（67.3ミリモル）、塩化水素ガス
を反応、後処理して7.65ｇの３- フェニル- ３ー( ｐー
トリル) アリルクロリド（10ｂ）を得た。収率70.2％、
Ｂｐ149-180 ℃／１ｍｍＨｇ.
アリルクロリド（10ｂ、Ar=Ph, R=Ph-(4)Me ）の合成 実施例3 （2 ）と同様にして1-フェニル-1’- （ｐ- ト
リル）エチレン（9b）8.77ｇ（44.9ミリモル）、パラホ
ルムアルデヒド2.02ｇ（67.3ミリモル）、塩化水素ガス
を反応、後処理して7.65ｇの３- フェニル- ３ー( ｐー
トリル) アリルクロリド（10ｂ）を得た。収率70.2％、
Ｂｐ149-180 ℃／１ｍｍＨｇ.
【００９６】（３）３- フェニル- ３ー（ｐートリル）
アリル亜燐酸ジエチルエステル（7 ｂ、Ar=Ph, R=Ph-
(4)Me ）の合成 実施例3 （３）３, ３ージフェニルアリル亜燐酸ジエチ
ルエステル（7a）の合成と同様にして３- フェニル- ３
ー( ｐートリル) アリルクロリド（10ｂ）7.65ｇ（31.5
ミリモル）とトリエチルホスファイト26.18 ｇ（157.6
ミリモル）を反応させ、減圧蒸留して10.12 ｇの３- フ
ェニル- ３ー（ｐートリル）アリル亜燐酸ジエチルエス
テル（7 ｂ）を油状物として得た。。 理論収率93.3％. Ｂｐ213-260 ℃／１ｍｍＨｇ. MS (GC); 344, 207, 165, 115, 91.1 Ｈ- ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；1.31 (6H ,t, J=
7.1Hz), 2.30, 2.38 (3H, s), 2. 62-2.78 (2H, m), 4.
07(4H, m ), 6.08 (1H, q ,J=7.3Hz), 7.06−7.40(9H,
m)
アリル亜燐酸ジエチルエステル（7 ｂ、Ar=Ph, R=Ph-
(4)Me ）の合成 実施例3 （３）３, ３ージフェニルアリル亜燐酸ジエチ
ルエステル（7a）の合成と同様にして３- フェニル- ３
ー( ｐートリル) アリルクロリド（10ｂ）7.65ｇ（31.5
ミリモル）とトリエチルホスファイト26.18 ｇ（157.6
ミリモル）を反応させ、減圧蒸留して10.12 ｇの３- フ
ェニル- ３ー（ｐートリル）アリル亜燐酸ジエチルエス
テル（7 ｂ）を油状物として得た。。 理論収率93.3％. Ｂｐ213-260 ℃／１ｍｍＨｇ. MS (GC); 344, 207, 165, 115, 91.1 Ｈ- ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；1.31 (6H ,t, J=
7.1Hz), 2.30, 2.38 (3H, s), 2. 62-2.78 (2H, m), 4.
07(4H, m ), 6.08 (1H, q ,J=7.3Hz), 7.06−7.40(9H,
m)
【００９７】（4 ）3, 6- ビス(4'-フェニル-4' - ｐ-
トリルブタジエニル)-9-イソプロピルカルバゾール（例
示化合物16） 3, 6- ジホルミル-9- イソプロピルカルバゾール（2b）
2.0 ｇ（7.54ミリモル）、３- フェニル- ３ーｐ- トリ
ルアリル亜燐酸ジエチルエステル5.70ｇ（16.55 ミリモ
ル）、ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.0 ｇ
（17.82 ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後
処理して3.33ｇの例示化合物16を得た。 収率68.4％、ｍｐ138 〜141 ℃
トリルブタジエニル)-9-イソプロピルカルバゾール（例
示化合物16） 3, 6- ジホルミル-9- イソプロピルカルバゾール（2b）
2.0 ｇ（7.54ミリモル）、３- フェニル- ３ーｐ- トリ
ルアリル亜燐酸ジエチルエステル5.70ｇ（16.55 ミリモ
ル）、ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド2.0 ｇ
（17.82 ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後
処理して3.33ｇの例示化合物16を得た。 収率68.4％、ｍｐ138 〜141 ℃
【００９８】ＭＳ; 645 (M+ ),181.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 1.65 (m, 6H),
2.37, 2.46 (s, 6H), 4.89 (m, 1H), 6.87-6.97 (m, 6
H), 7.12 (d, J=7.9Hz, 2H), 7.20-7.48 (m, 20H), 7.9
7 (m, 2H).
2.37, 2.46 (s, 6H), 4.89 (m, 1H), 6.87-6.97 (m, 6
H), 7.12 (d, J=7.9Hz, 2H), 7.20-7.48 (m, 20H), 7.9
7 (m, 2H).
【００９９】実施例８ 3, 6- ビス(4', 4' - ジフェニルブタジエニル)-9-フェ
ニルカルバゾール（例示化合物21、m=n=1 、Ar1= R1= A
r2 = R2 = Ph, R3 =フェニル基）の合成 （1 ）3, 6- ジホルミル-9- フェニルカルバゾル（2
ｃ） 9-フェニルルカルバゾール（4 ｃ）（Aldrich 社製）2
3.0ｇ（93.1ミリモル）、ＤＭＦ49.0ｇ（670.5 ミリモ
ル）、塩化亜鉛25.4ｇ（186.2 ミリモル）、オキシ塩化
リン85.7ｇ（558.7 ミリモル）、トルエン230 ｍｌを実
施例1 （1 ）と同様に反応、後処理して11.8ｇの3, 6-
ジホルミル-9- フェニルカルバゾール（2ｃ）が得られ
た。 収率42.2％、mp193-194 ℃
ニルカルバゾール（例示化合物21、m=n=1 、Ar1= R1= A
r2 = R2 = Ph, R3 =フェニル基）の合成 （1 ）3, 6- ジホルミル-9- フェニルカルバゾル（2
ｃ） 9-フェニルルカルバゾール（4 ｃ）（Aldrich 社製）2
3.0ｇ（93.1ミリモル）、ＤＭＦ49.0ｇ（670.5 ミリモ
ル）、塩化亜鉛25.4ｇ（186.2 ミリモル）、オキシ塩化
リン85.7ｇ（558.7 ミリモル）、トルエン230 ｍｌを実
施例1 （1 ）と同様に反応、後処理して11.8ｇの3, 6-
ジホルミル-9- フェニルカルバゾール（2ｃ）が得られ
た。 収率42.2％、mp193-194 ℃
【０１００】ＭＳ; 299 (M+ ）, 270, 241, 84.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 7.46 (d, J = 8.
5Hz, 2H), 7.53-7.62 (m, 3H), 7.66-7.71 (m, 2H), 8.
02 (dd, J = 8.6Hz, J = 1.6Hz, 2H), 8.72 (s,2H), 1
0.15 (s, 2H).
5Hz, 2H), 7.53-7.62 (m, 3H), 7.66-7.71 (m, 2H), 8.
02 (dd, J = 8.6Hz, J = 1.6Hz, 2H), 8.72 (s,2H), 1
0.15 (s, 2H).
【０１０１】（２）3, 6- ビス(4', 4' - ジフェニルブ
タジエニル)-9-フェニルカルバゾール（例示化合物21） 3, 6- ジホルミル-9- フェニルカルバゾール（2 ｃ）2.
0 ｇ（6.66ミリモル）、３, ３ージフェニルアリル亜燐
酸ジエチルエステル4.84ｇ（14.65 ミリモル）、ＤＭＦ
20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド1.79ｇ（15.95 ミリ
モル）を実施例1（2 ）と同様に反応、後処理して3.8 1
ｇの例示化合物21を得た。 収率87.8％、ｍｐ130-131 ℃ ＭＳ; 651 (M+ ）, 460.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 6.94 (s, 2H),
7.12-7.60 (m, 29H), 8.01 (s, 2H).
タジエニル)-9-フェニルカルバゾール（例示化合物21） 3, 6- ジホルミル-9- フェニルカルバゾール（2 ｃ）2.
0 ｇ（6.66ミリモル）、３, ３ージフェニルアリル亜燐
酸ジエチルエステル4.84ｇ（14.65 ミリモル）、ＤＭＦ
20ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド1.79ｇ（15.95 ミリ
モル）を実施例1（2 ）と同様に反応、後処理して3.8 1
ｇの例示化合物21を得た。 収率87.8％、ｍｐ130-131 ℃ ＭＳ; 651 (M+ ）, 460.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 6.94 (s, 2H),
7.12-7.60 (m, 29H), 8.01 (s, 2H).
【０１０２】実施例９ 3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-ｐ- トリル
カルバゾール（例示化合物22、m=n=0 、Ar1= R1= Ar2 =
R2 = Ph, R3 =ｐ- トリル基）の合成 （１）9-ｐ- トリルカルバゾール(4d) カルバゾール10.0g(59.8ミリモル）、4-ヨ−ドトルエン
17.0g(78.0ミリモル）、炭酸カリウム11.0g(79.6ミリモ
ル）、銅粉760mg(12.0ミリモル）をジイソプロピルベン
ゼン200ml 中で210 ℃，30時間反応させた。混合物を80
〜90℃に冷却し、セライト上で濾過した。炉液を濃縮
し、残渣をイソプロパノ−ルから再結晶すると11.8g の
9-p-トリルカルバゾ−ルが得られた。 収率76.7％、mp 113-114℃
カルバゾール（例示化合物22、m=n=0 、Ar1= R1= Ar2 =
R2 = Ph, R3 =ｐ- トリル基）の合成 （１）9-ｐ- トリルカルバゾール(4d) カルバゾール10.0g(59.8ミリモル）、4-ヨ−ドトルエン
17.0g(78.0ミリモル）、炭酸カリウム11.0g(79.6ミリモ
ル）、銅粉760mg(12.0ミリモル）をジイソプロピルベン
ゼン200ml 中で210 ℃，30時間反応させた。混合物を80
〜90℃に冷却し、セライト上で濾過した。炉液を濃縮
し、残渣をイソプロパノ−ルから再結晶すると11.8g の
9-p-トリルカルバゾ−ルが得られた。 収率76.7％、mp 113-114℃
【０１０３】MS; 257 (M+ ）, 241, 228, 166, 140, 12
8, 91, 65.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 2.45 (s, 3H),
7.23-7.28 (m, 2H), 7.35-7.45 (m, 8H), 8.12 (d, J=
7.8Hz, 2H).
8, 91, 65.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 2.45 (s, 3H),
7.23-7.28 (m, 2H), 7.35-7.45 (m, 8H), 8.12 (d, J=
7.8Hz, 2H).
【０１０４】（２）3, 6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカ
ルバゾール(2d) 9-ｐ- トリルカルバゾール (4c) 50.0ｇ（0.19モル）、
ＤＭＦ100.0 ｇ（1.37モル）、塩化亜鉛51.8ｇ（0.38モ
ル）、オキシ塩化リン174.8 ｇ（1.14モル）、トルエン
500 ｇを実施例1 （1 ）と同様に反応、後処理し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；トルエン/
酢酸エチル=9/1(vol) ）で処理して16.65 ｇのそ結晶を
得た。このものをトルエンから再結晶して14.33 ｇの3,
6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾールを得た。 収率23.9％、ｍｐ229 〜230 ℃
ルバゾール(2d) 9-ｐ- トリルカルバゾール (4c) 50.0ｇ（0.19モル）、
ＤＭＦ100.0 ｇ（1.37モル）、塩化亜鉛51.8ｇ（0.38モ
ル）、オキシ塩化リン174.8 ｇ（1.14モル）、トルエン
500 ｇを実施例1 （1 ）と同様に反応、後処理し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；トルエン/
酢酸エチル=9/1(vol) ）で処理して16.65 ｇのそ結晶を
得た。このものをトルエンから再結晶して14.33 ｇの3,
6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾールを得た。 収率23.9％、ｍｐ229 〜230 ℃
【０１０５】MS; 313 (M+ ）, 284, 269, 255, 241, 8
4.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 2.52 (s, 3H),
7.39-7.48 (m, 6H), 8.01 (dd, J=1.6Hz, 2H), 8.72
(s, 2H), 10.12 (s, 2H).
4.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 2.52 (s, 3H),
7.39-7.48 (m, 6H), 8.01 (dd, J=1.6Hz, 2H), 8.72
(s, 2H), 10.12 (s, 2H).
【０１０６】（３）3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビ
ニル)-9-ｐ- トリルカルバゾール（例示化合物22） 3, 6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾール (2c) 2.
0 ｇ（6.35ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチ
ルエステル4.5 ｇ（13.96 ミリモル）、ＤＭＦ60ｍｌ、
カリウム- ｔ- ブトキシド1.71ｇ（15.24 ミリモル）を
実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して3.01ｇの例示
化合物22を得た。 収率77.1％、ｍｐ205 〜206 ℃
ニル)-9-ｐ- トリルカルバゾール（例示化合物22） 3, 6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾール (2c) 2.
0 ｇ（6.35ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチ
ルエステル4.5 ｇ（13.96 ミリモル）、ＤＭＦ60ｍｌ、
カリウム- ｔ- ブトキシド1.71ｇ（15.24 ミリモル）を
実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して3.01ｇの例示
化合物22を得た。 収率77.1％、ｍｐ205 〜206 ℃
【０１０７】ＭＳ; 613 (M+ ）, 306, 179, 43.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 2.42 (s, 3H),
7.00 (dd, J=8.8Hz, J=1.6Hz, 2H), 7.05 (d, J=8.6Hz,
2H), 7.14 (s, 2H), 7.23-7.40 (m, 24H), 7.57(s, 2
H).
7.00 (dd, J=8.8Hz, J=1.6Hz, 2H), 7.05 (d, J=8.6Hz,
2H), 7.14 (s, 2H), 7.23-7.40 (m, 24H), 7.57(s, 2
H).
【０１０８】実施例１０ 3, 6- ビス(4', 4' - ジフェニルブタジエニル)-9-ｐ-
トリルカルバゾール（例示化合物23、m=n=1 、Ar1= R1=
Ar2 = R2 = Ph, R3= ｐ- トリル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾール（2d）2.
0 ｇ（6.35ミリモル）、３, ３ージフェニルアリル亜燐
酸ジエチルエステル4.62ｇ（13.98 ミリモル）、ＤＭＦ
120 ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド1.71ｇ（15.24 ミ
リモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して2.
5 2 ｇの例示化合物23を得た。 収率59.0％、ｍｐ251.5 〜252.5 ℃ ＭＳ; ,665(M+ ）,474, 396, 337205, 167, 57.1 Ｈ- ＮＭＲ
トリルカルバゾール（例示化合物23、m=n=1 、Ar1= R1=
Ar2 = R2 = Ph, R3= ｐ- トリル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾール（2d）2.
0 ｇ（6.35ミリモル）、３, ３ージフェニルアリル亜燐
酸ジエチルエステル4.62ｇ（13.98 ミリモル）、ＤＭＦ
120 ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド1.71ｇ（15.24 ミ
リモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して2.
5 2 ｇの例示化合物23を得た。 収率59.0％、ｍｐ251.5 〜252.5 ℃ ＭＳ; ,665(M+ ）,474, 396, 337205, 167, 57.1 Ｈ- ＮＭＲ
【０１０９】実施例１１ 3, 6- ビス(4', 4' - ジ-p- トリルブタジエニル)-9-ベ
ンジルカルバゾール（例示化合物25、m=n=1 、Ar1= Ar2
= R1= R2 = Ph-(4)Me, R3 = ベンジル基）の合成 （１）9-ベンジルカルバゾール(4e) カルバゾール 20 ｇ（119.6 ミリモル）、85％KOH 47ｇ
（712.0 ミリモル）、炭酸カリウム26.5ｇ（1 91.7 mミ
リモル）、硫酸水素テトラ- ｎ- ブチルアンモニウム4.
0 ｇ（11.8ミリモル）、ベンジルクロリド17.0ｇ（134.
3 ミリモル）および、トルエン300 ｍｌを実施例7 （1
）と同様に反応、後処理して26.88 ｇの9-ベンジルカ
ルバゾールを得た。 収率87.3％、mp121-122 ℃
ンジルカルバゾール（例示化合物25、m=n=1 、Ar1= Ar2
= R1= R2 = Ph-(4)Me, R3 = ベンジル基）の合成 （１）9-ベンジルカルバゾール(4e) カルバゾール 20 ｇ（119.6 ミリモル）、85％KOH 47ｇ
（712.0 ミリモル）、炭酸カリウム26.5ｇ（1 91.7 mミ
リモル）、硫酸水素テトラ- ｎ- ブチルアンモニウム4.
0 ｇ（11.8ミリモル）、ベンジルクロリド17.0ｇ（134.
3 ミリモル）および、トルエン300 ｍｌを実施例7 （1
）と同様に反応、後処理して26.88 ｇの9-ベンジルカ
ルバゾールを得た。 収率87.3％、mp121-122 ℃
【０１１０】ＭＳ; 257 (M+ ）, 180, 166, 91.1 Ｈ- ＮＭＲ（δ；ppm in CDCl3）; 5.50 (s, 2H),
7.12 (m, 2H), 7.17-7.27 (m, 5H), 7.34 (d, J=8.2Hz,
2H), 7.42 (m, 2H), 8.10 (d, J=6.7Hz, 2H).
7.12 (m, 2H), 7.17-7.27 (m, 5H), 7.34 (d, J=8.2Hz,
2H), 7.42 (m, 2H), 8.10 (d, J=6.7Hz, 2H).
【０１１１】（２）3, 6- ジホルミル-9- ベンジルカル
バゾール（2e） 9-ベンジルカルバゾール (4d) 7.0 ｇ（27.2ミリモ
ル）、ＤＭＦ11.8ｇ（161.4 ミリモル）、塩化亜鉛4.0
ｇ（29.3ミリモル）、オキシ塩化リン17.0ｇ（110.9 ミ
リモル）、トルエン100 ｍｌを実施例1 （1 ）と同様に
反応、後処理し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶離液；トルエンのち酢酸エチル）で処理し、結晶を
得た。このものを酢酸エチルから再結晶して3.0 ｇの3,
6- ジホルミル-9- ベンジルカルバゾールを得た。 収率23.5％、ｍｐ222 〜224 ℃
バゾール（2e） 9-ベンジルカルバゾール (4d) 7.0 ｇ（27.2ミリモ
ル）、ＤＭＦ11.8ｇ（161.4 ミリモル）、塩化亜鉛4.0
ｇ（29.3ミリモル）、オキシ塩化リン17.0ｇ（110.9 ミ
リモル）、トルエン100 ｍｌを実施例1 （1 ）と同様に
反応、後処理し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶離液；トルエンのち酢酸エチル）で処理し、結晶を
得た。このものを酢酸エチルから再結晶して3.0 ｇの3,
6- ジホルミル-9- ベンジルカルバゾールを得た。 収率23.5％、ｍｐ222 〜224 ℃
【０１１２】ＭＳ; 313 (M+ ），91.1 Ｈ−ＮＭＲ；5.60 (s, 2H), 7.13 (m, 2H), 7.25-7.35
(m, 3H), 7.53 (d, J=8.6Hz, 2H), 8.05 (d, J=8.6Hz,
2H), 8.72 (s, 2H), 10.15 (s, 2H)
(m, 3H), 7.53 (d, J=8.6Hz, 2H), 8.05 (d, J=8.6Hz,
2H), 8.72 (s, 2H), 10.15 (s, 2H)
【０１１３】（３）１, １- ジ( ｐートリル) エチレン
（9c、Ar＝Ｒ＝Ph-(4)Me）の合成 窒素気流化、１ｌ反応フラスコに15.6ｇ（0.65モル）の
マグネシウム、20ｍｌのＴＨＦを入れ、少量のヨー化エ
チルとヨードで反応を開始し、ｐーブロムトルエン111.
15ｇ（0.65モル）のＴＨＦ500 ｍｌ溶液を2 時間、室温
〜40℃で滴加し、グリニア試薬を調整した。これにｐー
メチルアセトフェノン（11c ）83.75 ｇ（0.625 モル）
のＴＨＦ200 ｍｌの溶液を同温度で、3 時間で滴加し
た。3 時間室温で攪拌し、後4 時間還流攪拌した。冷却
し、5 ％硫酸水１リッターに注入、加水分解した。トル
エン抽出し、ソーダ灰水洗、水洗、濃縮した。これにト
ルエン300 ｍｌ、ＰＴＳA 0.5ｇを加え、4 時間還流攪
拌して供沸脱水した。ソーダ灰水洗、水洗、濃縮した。
粗１, １ージ (ｐートリル) エチレン（9c）をビグロー
付きクライゼンで蒸留し98.5ｇを得た。 Ｂｐ120 〜1 ℃／１ｍｍＨｇ. ｐーメチルアセトフェノンより75.8％の收率である。
（9c、Ar＝Ｒ＝Ph-(4)Me）の合成 窒素気流化、１ｌ反応フラスコに15.6ｇ（0.65モル）の
マグネシウム、20ｍｌのＴＨＦを入れ、少量のヨー化エ
チルとヨードで反応を開始し、ｐーブロムトルエン111.
15ｇ（0.65モル）のＴＨＦ500 ｍｌ溶液を2 時間、室温
〜40℃で滴加し、グリニア試薬を調整した。これにｐー
メチルアセトフェノン（11c ）83.75 ｇ（0.625 モル）
のＴＨＦ200 ｍｌの溶液を同温度で、3 時間で滴加し
た。3 時間室温で攪拌し、後4 時間還流攪拌した。冷却
し、5 ％硫酸水１リッターに注入、加水分解した。トル
エン抽出し、ソーダ灰水洗、水洗、濃縮した。これにト
ルエン300 ｍｌ、ＰＴＳA 0.5ｇを加え、4 時間還流攪
拌して供沸脱水した。ソーダ灰水洗、水洗、濃縮した。
粗１, １ージ (ｐートリル) エチレン（9c）をビグロー
付きクライゼンで蒸留し98.5ｇを得た。 Ｂｐ120 〜1 ℃／１ｍｍＨｇ. ｐーメチルアセトフェノンより75.8％の收率である。
【０１１４】（４）３, ３ージ (ｐートリル) アリルク
ロリド（10c 、Ar＝Ｒ＝Ph-(4)Me）の合成 実施例３（２）３, ３ージフェニルアリルクロリド（10
a ）の合成と同様にして１, １ージ( ｐートリル) エチ
レン（9c）70.5ｇ（0.337 モル）、パラホルムアルデヒ
ド15.1（0.505 モル）、塩化水素ガスから３、３ージ
(ｐートリル) アリルクロリド (10c) 58.7ｇ（ＢＰ153
〜173 ℃／1 ｍｍＨｇ、収率67.9％）を得た。これを
ヘキサンから再結晶して49.0ｇを得た。 ｍｐ66℃. 理論収率56.7％
ロリド（10c 、Ar＝Ｒ＝Ph-(4)Me）の合成 実施例３（２）３, ３ージフェニルアリルクロリド（10
a ）の合成と同様にして１, １ージ( ｐートリル) エチ
レン（9c）70.5ｇ（0.337 モル）、パラホルムアルデヒ
ド15.1（0.505 モル）、塩化水素ガスから３、３ージ
(ｐートリル) アリルクロリド (10c) 58.7ｇ（ＢＰ153
〜173 ℃／1 ｍｍＨｇ、収率67.9％）を得た。これを
ヘキサンから再結晶して49.0ｇを得た。 ｍｐ66℃. 理論収率56.7％
【０１１５】MS; 256 (M+ ），221,206,165,1291 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；2.33(3H, s), 2.
39 (3H,s), 4.13 (2H,d, J = 8. 1Hz ), 6.17 (1H, t,
J=8.1Hz),7.01 −7.24 (8H,m)
39 (3H,s), 4.13 (2H,d, J = 8. 1Hz ), 6.17 (1H, t,
J=8.1Hz),7.01 −7.24 (8H,m)
【０１１６】（５）３，３ージ（ｐートリル）アリル亜
燐酸ジエチルエステル（7c、Ar＝Ｒ＝Ph-(4)Me）の合成 実施例３（３）３, ３ージフェニルアリル亜燐酸ジエチ
ルエステル（7a）の合成と同様にして３, ３ージ( ｐー
トリル) アリルクロリド（10c ）35.0ｇ（0.1365モル）
とトリエチルホスファイト68ｇ（0.409 モル）とから反
応させ、蒸留残査として49.3ｇを得た。これをヘキサン
から再結晶して29.9ｇの３, ３ージ (ｐートリル) アリ
ル亜燐酸ジエチルエステル（7c）を得た。 理論収率61.16 ％. ｍｐ56.0℃
燐酸ジエチルエステル（7c、Ar＝Ｒ＝Ph-(4)Me）の合成 実施例３（３）３, ３ージフェニルアリル亜燐酸ジエチ
ルエステル（7a）の合成と同様にして３, ３ージ( ｐー
トリル) アリルクロリド（10c ）35.0ｇ（0.1365モル）
とトリエチルホスファイト68ｇ（0.409 モル）とから反
応させ、蒸留残査として49.3ｇを得た。これをヘキサン
から再結晶して29.9ｇの３, ３ージ (ｐートリル) アリ
ル亜燐酸ジエチルエステル（7c）を得た。 理論収率61.16 ％. ｍｐ56.0℃
【０１１７】MS; 358 (M+ ），314,221,1291 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；1.30 (6H ,t, J=
7.1Hz), 2.32 (3H, s),2.39 (3H ,s), 2.71 (2H, dd,J
=7.9Hz,J=22.4Hz),4.07(4H, q, J = 7.1Hz,J=8.1Hz ),
6.05 (1H,dd,J=7.9Hz,J =15.2Hz), 7.06−7.19 (8H,m)
7.1Hz), 2.32 (3H, s),2.39 (3H ,s), 2.71 (2H, dd,J
=7.9Hz,J=22.4Hz),4.07(4H, q, J = 7.1Hz,J=8.1Hz ),
6.05 (1H,dd,J=7.9Hz,J =15.2Hz), 7.06−7.19 (8H,m)
【０１１８】（６）3, 6- ビス(4', 4' - ジ- ｐ- トリ
ルブタジエニル）-9- ベンジルカルバゾール（例示化合
物25） 3, 6- ジホルミル-9- ベンジルカルバゾール（2d）1.15
ｇ（3.67ミリモル）、3, 3- ジ- ｐ- トリルアリル亜燐
酸ジエチルエステル2.89ｇ（8.06ミリモル）、ＤＭＦ20
ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド1.0 ｇ（8.91ミリモ
ル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して1.69ｇ
の例示化合物25を得た。 収率63.8％、ｍｐ235 〜236 ℃
ルブタジエニル）-9- ベンジルカルバゾール（例示化合
物25） 3, 6- ジホルミル-9- ベンジルカルバゾール（2d）1.15
ｇ（3.67ミリモル）、3, 3- ジ- ｐ- トリルアリル亜燐
酸ジエチルエステル2.89ｇ（8.06ミリモル）、ＤＭＦ20
ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド1.0 ｇ（8.91ミリモ
ル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して1.69ｇ
の例示化合物25を得た。 収率63.8％、ｍｐ235 〜236 ℃
【０１１９】ＭＳ; 721 (M+ ），195, 69, 43.1 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；2.35 (s, 6H),
2.45 (s, 6H), 5.44 (s,2H), 6.83- 6.93 (m, 6H), 7.0
6-7.13 (m, 6H), 7.18-7.28 (m, 17H), 7.42 (d, J=8.6
Hz, 2H), 8.00 (s, 2H).
2.45 (s, 6H), 5.44 (s,2H), 6.83- 6.93 (m, 6H), 7.0
6-7.13 (m, 6H), 7.18-7.28 (m, 17H), 7.42 (d, J=8.6
Hz, 2H), 8.00 (s, 2H).
【０１２０】実施例１２ 3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-ｓ- ブチル
カルバゾール（例示化合物26、m=n=0 、Ar1= R1= Ar2=
R2 = Ph, R3 = ｓ- ブチル基）の合成 （１）9-ｓ- ブチルカルバゾール(4f) カルバゾール 30 ｇ（179.46ミリモル）、85％KOH 71
ｇ、炭酸カリウム40ｇ、硫酸水素テトラ- ｎ- ブチルア
ンモニウム6.0 ｇ、２−ヨードブタン50.0ｇ（271.7 ミ
リモル）および、ＤＭＦ300 ｍl を実施例7 （1 ）と同
様に反応、後処理して9.66ｇの9-ｓ- ブチルカルバゾー
ルを得た。 収率24.1％、mp62-63 ℃
カルバゾール（例示化合物26、m=n=0 、Ar1= R1= Ar2=
R2 = Ph, R3 = ｓ- ブチル基）の合成 （１）9-ｓ- ブチルカルバゾール(4f) カルバゾール 30 ｇ（179.46ミリモル）、85％KOH 71
ｇ、炭酸カリウム40ｇ、硫酸水素テトラ- ｎ- ブチルア
ンモニウム6.0 ｇ、２−ヨードブタン50.0ｇ（271.7 ミ
リモル）および、ＤＭＦ300 ｍl を実施例7 （1 ）と同
様に反応、後処理して9.66ｇの9-ｓ- ブチルカルバゾー
ルを得た。 収率24.1％、mp62-63 ℃
【０１２１】ＭＳ; 223 (M+ ），208, 194, 180, 167.1 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；0.80 (t, J=7.4H
z, 3H), 1.70 (d, J=7.0Hz, 3H), 2 .02 (m, 1H), 2.30
(m, 1H), 4.69 (m, 1H), 7.21 (t, J=7.8Hz, 2H), 7.4
2 (t, J=8.3Hz, 2H), 7.51 (d, J=8.2Hz, 2H), 8.11
(d, J=7.7Hz, 2H).
z, 3H), 1.70 (d, J=7.0Hz, 3H), 2 .02 (m, 1H), 2.30
(m, 1H), 4.69 (m, 1H), 7.21 (t, J=7.8Hz, 2H), 7.4
2 (t, J=8.3Hz, 2H), 7.51 (d, J=8.2Hz, 2H), 8.11
(d, J=7.7Hz, 2H).
【０１２２】（２）3, 6- ジホルミル- ９−ｓ- ブチル
カルバゾール（2f） 9-ｓ- ブチルカルバゾール9.0 ｇ（40.3ミリモル）、Ｄ
ＭＦ17.9ｇ（245.4 ミリモル）、塩化亜鉛6.0 ｇ（44ミ
リモル）、オキシ塩化リン25.0ｇ（163.0 ミリモル）、
トルエン75ｍｌを実施例1 （1 ）と同様に反応、後処理
し5.07ｇの3, 6- ジホルミル- 9-ｓ- ブチルカルバゾー
ル（2 ｆ）を得た。 収率45.0％、ｍｐ176 〜177 ℃
カルバゾール（2f） 9-ｓ- ブチルカルバゾール9.0 ｇ（40.3ミリモル）、Ｄ
ＭＦ17.9ｇ（245.4 ミリモル）、塩化亜鉛6.0 ｇ（44ミ
リモル）、オキシ塩化リン25.0ｇ（163.0 ミリモル）、
トルエン75ｍｌを実施例1 （1 ）と同様に反応、後処理
し5.07ｇの3, 6- ジホルミル- 9-ｓ- ブチルカルバゾー
ル（2 ｆ）を得た。 収率45.0％、ｍｐ176 〜177 ℃
【０１２３】ＭＳ; 279 (M+ ），250, 222, 194, 167.1 Ｈ−ＮＭＲ； (δ；ppm in CDCl3）；0.80 (t, J=7.
4Hz, 3H), 2.75 (d, J=7.0Hz, 3H), 2.09 (m, 1H), 2.3
0 (m, 1H), 4.78 (m, 1H), 7.65 (d, J=8.7Hz,2H), 8.0
5 (d, J=8.6Hz, 2H), 8.70 (s, 2H), 10.13 (s, 2H).
4Hz, 3H), 2.75 (d, J=7.0Hz, 3H), 2.09 (m, 1H), 2.3
0 (m, 1H), 4.78 (m, 1H), 7.65 (d, J=8.7Hz,2H), 8.0
5 (d, J=8.6Hz, 2H), 8.70 (s, 2H), 10.13 (s, 2H).
【０１２４】（３）3, 6- ビス(2', 2' - ジフェニルビ
ニル)-9-ｓ- ブチルカルバゾール（例示化合物26） 3, 6- ジホルミル-9- ｓ- ブチルカルバゾール（2f）1.
80ｇ（6.44ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチ
ルエステル4.60ｇ（14.22 ミリモル）、ＤＭＦ20ｍｌ、
カリウム- ｔ- ブトキシド1.7 ｇ（15.154ミリモル）を
実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して2.93ｇの例示
化合物26を得た。 収率78.6％、ｍｐ100 〜103 ℃
ニル)-9-ｓ- ブチルカルバゾール（例示化合物26） 3, 6- ジホルミル-9- ｓ- ブチルカルバゾール（2f）1.
80ｇ（6.44ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチ
ルエステル4.60ｇ（14.22 ミリモル）、ＤＭＦ20ｍｌ、
カリウム- ｔ- ブトキシド1.7 ｇ（15.154ミリモル）を
実施例1 （2 ）と同様に反応、後処理して2.93ｇの例示
化合物26を得た。 収率78.6％、ｍｐ100 〜103 ℃
【０１２５】ＭＳ; 579 (M+ ），550, 523, 179.1 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；0.75 (t, J=7.4H
z, 3H), 1.58 (d, j=7.0Hz, 2H), 1 .90 (m, 1H), 2.15
(m, 1H), 4.48 (m, 1H), 7.13 (dd, J=8.8Hz,J=1.8Hz,
2H), 7.12 (s, 2H), 7.16 (d, J=8.6Hz, 2H), 7.25-7.
40 (m, 20H), 7.52 (d, J=1.7Hz, 2H).
z, 3H), 1.58 (d, j=7.0Hz, 2H), 1 .90 (m, 1H), 2.15
(m, 1H), 4.48 (m, 1H), 7.13 (dd, J=8.8Hz,J=1.8Hz,
2H), 7.12 (s, 2H), 7.16 (d, J=8.6Hz, 2H), 7.25-7.
40 (m, 20H), 7.52 (d, J=1.7Hz, 2H).
【０１２６】実施例１３ 3, 6- ビス(4', 4' - ジフェニルブタジエニル)-9-ｓ-
ブチルカルバゾール（例示化合物27、m=n=1 、Ar1= R1=
Ar2 = R2 = Ph, R3 =ｓ- ブチル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- ｓ- ブチルカルバゾール（2f）1.
51ｇ（5.41ミリモル） 、３, ３ージフェニルアリル亜燐酸ジエチルエステル3.
93ｇ（11.9ミリモル）、ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム- ｔ-
ブトキシド1.4 ｇ（12.5ミリモル）を実施例1 （2 ）と
同様に反応、後処理して1.77ｇの例示化合物27を得た。 収率51.8％、ｍｐ219-220 ℃
ブチルカルバゾール（例示化合物27、m=n=1 、Ar1= R1=
Ar2 = R2 = Ph, R3 =ｓ- ブチル基）の合成 3, 6- ジホルミル-9- ｓ- ブチルカルバゾール（2f）1.
51ｇ（5.41ミリモル） 、３, ３ージフェニルアリル亜燐酸ジエチルエステル3.
93ｇ（11.9ミリモル）、ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム- ｔ-
ブトキシド1.4 ｇ（12.5ミリモル）を実施例1 （2 ）と
同様に反応、後処理して1.77ｇの例示化合物27を得た。 収率51.8％、ｍｐ219-220 ℃
【０１２７】ＭＳ; 631 (M+ ），602, 440, 412, 382,
316, 205, 167.1 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；0.75 (t, J=7.3H
z, 3H), 1.65 (d, J=7.0Hz, 3H), 1 .95 (m, 1H), 2.20
(m, 1H), 4.59 (m, 1H), 6.90 (m, 6H), 7.22-7.38
(m, 16H), 7.38-7.49 (m, 8H), 7.98 (d, J=1.5Hz, 2
H).
316, 205, 167.1 Ｈ−ＮＭＲ( δ；ppm in CDCl3）；0.75 (t, J=7.3H
z, 3H), 1.65 (d, J=7.0Hz, 3H), 1 .95 (m, 1H), 2.20
(m, 1H), 4.59 (m, 1H), 6.90 (m, 6H), 7.22-7.38
(m, 16H), 7.38-7.49 (m, 8H), 7.98 (d, J=1.5Hz, 2
H).
【０１２８】合成例１ 4, 4'-ビス(2", 2" - ジフェニルビニルフェニル)-メチ
ルアミン（比較化合物1 ）の合成メチル- ジ- （ｐ−ホ
ルミルフェニル）アミン3.0 ｇ（12.5ミリモル）、ジフ
ェニルメチル亜燐酸ジエチルエステル9.5 ｇ（29.4ミリ
モル）、ＤＭＦ50ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド3 .4
ｇ（30.3ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後
処理して5.05ｇの比較化合物1 を得た。 収率74.9％、ｍｐ169-170 ℃
ルアミン（比較化合物1 ）の合成メチル- ジ- （ｐ−ホ
ルミルフェニル）アミン3.0 ｇ（12.5ミリモル）、ジフ
ェニルメチル亜燐酸ジエチルエステル9.5 ｇ（29.4ミリ
モル）、ＤＭＦ50ｍｌ、カリウム- ｔ- ブトキシド3 .4
ｇ（30.3ミリモル）を実施例1 （2 ）と同様に反応、後
処理して5.05ｇの比較化合物1 を得た。 収率74.9％、ｍｐ169-170 ℃
【０１２９】
【化３５】
【０１３０】合成例２ 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバゾール
（比較化合物2 ）の合成実施例2 （１）で合成した3-
(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバゾールを
比較化合物2 とした。
（比較化合物2 ）の合成実施例2 （１）で合成した3-
(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-エチルカルバゾールを
比較化合物2 とした。
【化３６】
【０１３１】合成例３ 3-(2', 2' - ジフェニルビニル)-9-ｐ- トリルカルバゾ
ール（比較化合物3 ）の合成 3-ホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾール17.0ｇ（59.58
ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチルエステル
21.13 ｇ（65.54 ミリモル）、ＤＭＦ170 ｍｌ、カリウ
ム- ｔ- ブトキシド8.02ｇ（71.47 ミリモル）を実施例
1 （2 ）と同様に反応、後処理して21.56 ｇの比較化合
物3 を得た。 収率83.0％、ｍｐ119-120 ℃
ール（比較化合物3 ）の合成 3-ホルミル-9- ｐ- トリルカルバゾール17.0ｇ（59.58
ミリモル）、ジフェニルメチル亜燐酸ジエチルエステル
21.13 ｇ（65.54 ミリモル）、ＤＭＦ170 ｍｌ、カリウ
ム- ｔ- ブトキシド8.02ｇ（71.47 ミリモル）を実施例
1 （2 ）と同様に反応、後処理して21.56 ｇの比較化合
物3 を得た。 収率83.0％、ｍｐ119-120 ℃
【化３７】
【０１３２】合成例４ 3,6-ビス(2'-フェニルビニル)-9-フェニルカルバゾール
（比較化合物4 ）の合成 3,6-ジホルミル 9- フェニルカルバゾール2.0 ｇ（6.68
ミリモル）、ベンジル亜燐酸ジエチルエステル3.5 ｇ
（15.34 ミリモル）、ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム-ｔ- ブ
トキシド2.0 ｇ（17.82 ミリモル）を実施例1 （2 ）と
同様に反応、後処理して2.20ｇの比較化合物 4 を得
た。 収率73.6％、ｍｐ157-158 ℃
（比較化合物4 ）の合成 3,6-ジホルミル 9- フェニルカルバゾール2.0 ｇ（6.68
ミリモル）、ベンジル亜燐酸ジエチルエステル3.5 ｇ
（15.34 ミリモル）、ＤＭＦ20ｍｌ、カリウム-ｔ- ブ
トキシド2.0 ｇ（17.82 ミリモル）を実施例1 （2 ）と
同様に反応、後処理して2.20ｇの比較化合物 4 を得
た。 収率73.6％、ｍｐ157-158 ℃
【０１３３】
【化３８】
【０１３４】応用例１〜４ クロルジアンブルー（CDB ）1 部とポリカーボネート樹
脂（三菱瓦斯化学株式会社ユーピロンE-2000）１部をジ
クロロエタン３０部を溶剤としてボールミルで５時間混
練した．得られた顔料分散液をポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム上にアルミニウムを蒸着したシ
ート上にワイヤーバーを用いて塗布し、４５℃で３時間
乾燥して約1 μm の厚さに電荷担体発生層を作った。さ
らに例示化合物4 、6 、16、21をそれぞれ１部、ポリカ
ーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネート
Ｚ）１部をジクロロエタン８部中で混合溶解した．この
液をドクターブレードで電荷担体発生層上に塗布し、８
０℃で３時間乾燥させ感光体１〜4 を作製した。
脂（三菱瓦斯化学株式会社ユーピロンE-2000）１部をジ
クロロエタン３０部を溶剤としてボールミルで５時間混
練した．得られた顔料分散液をポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム上にアルミニウムを蒸着したシ
ート上にワイヤーバーを用いて塗布し、４５℃で３時間
乾燥して約1 μm の厚さに電荷担体発生層を作った。さ
らに例示化合物4 、6 、16、21をそれぞれ１部、ポリカ
ーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネート
Ｚ）１部をジクロロエタン８部中で混合溶解した．この
液をドクターブレードで電荷担体発生層上に塗布し、８
０℃で３時間乾燥させ感光体１〜4 を作製した。
【０１３５】このようにして得られた電子写真感光体の
電子写真特性を静電記録試験装置ＳＰ-428型（川口電機
製作所製）を用いてスタティック方式により測定した。
すなわち、感光体を-6kVのコロナ放電を5 秒間行って帯
電せしめ、表面電位Ｖ0 （単位は-V）を測定し、これを
暗所で5 秒間保持した後、タングステンランプにより照
度５ルックスの光を照射し、表面電位を半分に減衰させ
るに必要な露光量すなわち半減電光量Ｅ1/2 （ルックス
・秒）、および照度5 ルックスの光を１０秒間照射後の
表面残留電位ＶR10 （-V）を求めた。この結果を表３に
示した。
電子写真特性を静電記録試験装置ＳＰ-428型（川口電機
製作所製）を用いてスタティック方式により測定した。
すなわち、感光体を-6kVのコロナ放電を5 秒間行って帯
電せしめ、表面電位Ｖ0 （単位は-V）を測定し、これを
暗所で5 秒間保持した後、タングステンランプにより照
度５ルックスの光を照射し、表面電位を半分に減衰させ
るに必要な露光量すなわち半減電光量Ｅ1/2 （ルックス
・秒）、および照度5 ルックスの光を１０秒間照射後の
表面残留電位ＶR10 （-V）を求めた。この結果を表３に
示した。
【０１３６】比較例１〜３ 例示化合物4 、6 、16、21の代わりに、合成例１〜3 に
おいて合成した比較化合物１〜3 を用いた以外は応用例
1 と同様にして感光体5-7 を作製し、電子写真特性を測
定した。結果を表３に示した。
おいて合成した比較化合物１〜3 を用いた以外は応用例
1 と同様にして感光体5-7 を作製し、電子写真特性を測
定した。結果を表３に示した。
【０１３７】応用例５〜７ ポリエステルフィルム上に蒸著したアルミニウム薄膜上
に、オキソチタニウムフタロシアニン（TiOPc ）を10-6
Torrで約0.8 μm の厚さに真空蒸着し、電荷担体発生層
を形成した。さらに例示化合物14、16、21をそれぞれ１
部、ポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカ
ーボネートＺ）１部をジクロロエタン８部中で混合溶解
した．この液をドクターブレードで電荷担体発生層上に
塗布し、８０℃で３時間乾燥させ感光体8-10を作製し
た。応用例1 と同様に電子写真特性を測定した。結果を
第4 表に示した。
に、オキソチタニウムフタロシアニン（TiOPc ）を10-6
Torrで約0.8 μm の厚さに真空蒸着し、電荷担体発生層
を形成した。さらに例示化合物14、16、21をそれぞれ１
部、ポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカ
ーボネートＺ）１部をジクロロエタン８部中で混合溶解
した．この液をドクターブレードで電荷担体発生層上に
塗布し、８０℃で３時間乾燥させ感光体8-10を作製し
た。応用例1 と同様に電子写真特性を測定した。結果を
第4 表に示した。
【０１３８】比較例４〜７ 応用例5 において使用した例示化合物14の代りに、比較
化合物1 〜4 を用いた以外は応用例5 と同様にして感光
体11〜14を作製し、電子写真特性を測定した。結果を表
４に示した。表3 、4 から明らかなように、本発明の化
合物は比較化合物に比べて半減露光量E1/2が小さい値で
あり（感度が良好）、また残留電位も小さいことがわか
る。比較例2 、3 では照度５ルックスの光を数秒照射し
ても、表面電位を半分に減衰させることができず、半減
露光量E1/2の値を測定できなかった。
化合物1 〜4 を用いた以外は応用例5 と同様にして感光
体11〜14を作製し、電子写真特性を測定した。結果を表
４に示した。表3 、4 から明らかなように、本発明の化
合物は比較化合物に比べて半減露光量E1/2が小さい値で
あり（感度が良好）、また残留電位も小さいことがわか
る。比較例2 、3 では照度５ルックスの光を数秒照射し
ても、表面電位を半分に減衰させることができず、半減
露光量E1/2の値を測定できなかった。
【０１３９】応用例８〜13 例示化合物4 、5 、14、16、21、26をそれぞれ１部、ポ
リカーボネート樹脂１部をジクロロエタン８部中で混合
溶解した。この溶液をドクターブレードでポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にアルミを蒸着し
たシート上に塗布し、８０℃で２時間乾燥させ、感光体
15〜20を作成した。さらに電荷輸送輸送層上に半透明金
電極を蒸着して電荷キャリア移動度を測定した。キャリ
ア移動度の測定は、光源としてパルス半値幅0.9nsec 、
波長３３７nmの窒素ガスレーザーを用い、Time-of-flig
ht法（田中聡明、山口康浩、横山正明：電子写真,29,36
6(1990) ）にて行った。２５℃、２５Ｖ／umでの測定結
果を表５に示した。
リカーボネート樹脂１部をジクロロエタン８部中で混合
溶解した。この溶液をドクターブレードでポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にアルミを蒸着し
たシート上に塗布し、８０℃で２時間乾燥させ、感光体
15〜20を作成した。さらに電荷輸送輸送層上に半透明金
電極を蒸着して電荷キャリア移動度を測定した。キャリ
ア移動度の測定は、光源としてパルス半値幅0.9nsec 、
波長３３７nmの窒素ガスレーザーを用い、Time-of-flig
ht法（田中聡明、山口康浩、横山正明：電子写真,29,36
6(1990) ）にて行った。２５℃、２５Ｖ／umでの測定結
果を表５に示した。
【０１４０】比較例８ 例示化合物4 のかわりに比較化合物２を用いた以外は応
用例8 と全く同様にして感光体21を作製し、キャリア移
動度を測定した。結果を表５に示した。
用例8 と全く同様にして感光体21を作製し、キャリア移
動度を測定した。結果を表５に示した。
【０１４１】
【表３】
【０１４２】
【表４】
【０１４３】
【表５】
【０１４４】表5 から明らかなように本発明化合物は比
較化合物に対し、高いキャリア移動度を示している。 応用例14、15 τ型無金属フタロシアニン（τ-H2Pc ）1 重量部とブチ
ラール樹脂（積水化学工業（株）ポリビニルブチラール
ＢＭ-1）1 重量部をテトラヒドロフラン30重量部を溶剤
としてボールミルで5 時間混練した。得られた顔料分散
液をポリエチレンテレフタレート（PET ）フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上に塗布し、50℃で2 時
間乾燥させた。さらに例示化合物16、26をそれぞれ1 重
量部、ポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製
ポリカーボネートＺ）1 重量部をジクロロエタン8 重量
部中に混合溶解した。この溶液をドクターブレードで電
荷発生層上に塗布し80℃で2 時間乾燥させ、感光体22、
23を作成した。このようにして得られた感光体の電子写
真特性を応用例1 と同様にして測定した。結果を表６に
示した。
較化合物に対し、高いキャリア移動度を示している。 応用例14、15 τ型無金属フタロシアニン（τ-H2Pc ）1 重量部とブチ
ラール樹脂（積水化学工業（株）ポリビニルブチラール
ＢＭ-1）1 重量部をテトラヒドロフラン30重量部を溶剤
としてボールミルで5 時間混練した。得られた顔料分散
液をポリエチレンテレフタレート（PET ）フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上に塗布し、50℃で2 時
間乾燥させた。さらに例示化合物16、26をそれぞれ1 重
量部、ポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製
ポリカーボネートＺ）1 重量部をジクロロエタン8 重量
部中に混合溶解した。この溶液をドクターブレードで電
荷発生層上に塗布し80℃で2 時間乾燥させ、感光体22、
23を作成した。このようにして得られた感光体の電子写
真特性を応用例1 と同様にして測定した。結果を表６に
示した。
【０１４５】応用例１６ ｘ型無金属フタロシアニン（ｘ-H2Pc ）1 重量部とブチ
ラール樹脂（積水化学工業（株）ポリビニルブチラール
ＢＭ-1）1 重量部をテトラヒドロフラン30重量部を溶剤
としてボールミルで5 時間混練した。得られた顔料分散
液をポリエチレンテレフタレート（PET ）フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上に塗布し、50℃で2 時
間乾燥させた。さらに例示化合物16を1 重量部、ポリカ
ーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネ
ートＺ）1 重量部をジクロロエタン8 重量部中に混合溶
解した。この溶液をドクターブレードで電荷発生層上に
塗布し80℃で2 時間乾燥させ、感光体24を作成した。こ
のようにして得られた感光体の電子写真特性を応用例1
と同様にして測定した。結果を表６に示した。
ラール樹脂（積水化学工業（株）ポリビニルブチラール
ＢＭ-1）1 重量部をテトラヒドロフラン30重量部を溶剤
としてボールミルで5 時間混練した。得られた顔料分散
液をポリエチレンテレフタレート（PET ）フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上に塗布し、50℃で2 時
間乾燥させた。さらに例示化合物16を1 重量部、ポリカ
ーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネ
ートＺ）1 重量部をジクロロエタン8 重量部中に混合溶
解した。この溶液をドクターブレードで電荷発生層上に
塗布し80℃で2 時間乾燥させ、感光体24を作成した。こ
のようにして得られた感光体の電子写真特性を応用例1
と同様にして測定した。結果を表６に示した。
【０１４６】応用例１７〜１９ 特開平1-291256号公報に記載された方法にしたがって、
ブチラール樹脂（積水化学工業（株）ポリビニルブチラ
ールＢＭ-1）35重量部をテトラヒドロフラン1425重量部
に溶解させて得た結着剤樹脂溶液に、結晶性オキシチタ
ニルフタロシアニン40重量部を加え、ガラスビーズと共
に2 時間振動ミルを用いて分散した。この分散液をポリ
エチレンテレフタレート（PET ）フィルム上にアルミニ
ウムを蒸着したシート上に塗布し、50℃で2 時間乾燥さ
せ、約0.5 μｍの電荷発生層を作成した。さらに例示化
合物14、16、26をそれぞれ1 重量部、ポリカーボネート
樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネートＺ）1
重量部をジクロロエタン8重量部中に混合溶解した。こ
の溶液をドクターブレードで電荷発生層上に塗布し、80
℃で2 時間乾燥させ、感光体25、26、27を作成した。こ
のようにして得られた感光体の電子写真特性を応用例1
と同様にして測定した。結果を表６に示した。
ブチラール樹脂（積水化学工業（株）ポリビニルブチラ
ールＢＭ-1）35重量部をテトラヒドロフラン1425重量部
に溶解させて得た結着剤樹脂溶液に、結晶性オキシチタ
ニルフタロシアニン40重量部を加え、ガラスビーズと共
に2 時間振動ミルを用いて分散した。この分散液をポリ
エチレンテレフタレート（PET ）フィルム上にアルミニ
ウムを蒸着したシート上に塗布し、50℃で2 時間乾燥さ
せ、約0.5 μｍの電荷発生層を作成した。さらに例示化
合物14、16、26をそれぞれ1 重量部、ポリカーボネート
樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネートＺ）1
重量部をジクロロエタン8重量部中に混合溶解した。こ
の溶液をドクターブレードで電荷発生層上に塗布し、80
℃で2 時間乾燥させ、感光体25、26、27を作成した。こ
のようにして得られた感光体の電子写真特性を応用例1
と同様にして測定した。結果を表６に示した。
【０１４７】応用例２０ 応用例1 と同様にしてクロロジアンブルーを使用して電
荷発生層を作成した。電荷輸送材料として例示化合物16
を1 重量部、応用例1 〜19で使用したポリカーボネート
樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネートＺ）の
代わりに下記構造式で示されるビスフェノールA/ビフェ
ノール型共重合ポリカーボネート樹脂（出光興産（株）
社製）1 重量部をジクロロエタン8 重量部中で混合溶解
した。この溶液をドクターブレードでクロロジアンブル
ーの電荷発生層上に塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光
体28を作成した。応用例1 と同様にして電子写真特性を
評価した。結果を表7 に示した。
荷発生層を作成した。電荷輸送材料として例示化合物16
を1 重量部、応用例1 〜19で使用したポリカーボネート
樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネートＺ）の
代わりに下記構造式で示されるビスフェノールA/ビフェ
ノール型共重合ポリカーボネート樹脂（出光興産（株）
社製）1 重量部をジクロロエタン8 重量部中で混合溶解
した。この溶液をドクターブレードでクロロジアンブル
ーの電荷発生層上に塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光
体28を作成した。応用例1 と同様にして電子写真特性を
評価した。結果を表7 に示した。
【０１４８】
【化３９】
【０１４９】応用例２１ 応用例5 と同様にしてオキソチタニルフタロシアニン
（ＴiOPc）を真空蒸着し、電荷発生層を作成した。電荷
輸送材料として例示化合物26を1 重量部、応用例1 〜19
で使用したポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）
社製ポリカーボネートＺ）の代わりに応用例20で使用し
たビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネ
ート樹脂（出光興産（株）社製）1 重量部をジクロロエ
タン8 重量部中で混合溶解した。この溶液をドクターブ
レードでオキソチタニルフタロシアニン（ＴiOPc）の電
荷発生層上に塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体29を
作成した。応用例1 と同様にして電子写真特性を評価し
た。結果を表7 に示した。
（ＴiOPc）を真空蒸着し、電荷発生層を作成した。電荷
輸送材料として例示化合物26を1 重量部、応用例1 〜19
で使用したポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）
社製ポリカーボネートＺ）の代わりに応用例20で使用し
たビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネ
ート樹脂（出光興産（株）社製）1 重量部をジクロロエ
タン8 重量部中で混合溶解した。この溶液をドクターブ
レードでオキソチタニルフタロシアニン（ＴiOPc）の電
荷発生層上に塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体29を
作成した。応用例1 と同様にして電子写真特性を評価し
た。結果を表7 に示した。
【０１５０】応用例２２ 応用例14と同様にしてτ型無金属フタロシアニン（τ-H
2Pc ）を使用して電荷発生層を作成した。電荷輸送材料
として例示化合物14を1 重量部、応用例1 〜19で使用し
たポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリ
カーボネートＺ）の代わりに応用例20で使用したビスフ
ェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネート樹脂
（出光興産（株）社製）1 重量部をジクロロエタン8 重
量部中で混合溶解した。この溶液をドクターブレードで
τ型無金属フタロシアニン（τ-H2Pc ）の電荷発生層上
に塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体30を作成した。
応用例1 と同様にして電子写真特性を評価した。結果を
表7 に示した。
2Pc ）を使用して電荷発生層を作成した。電荷輸送材料
として例示化合物14を1 重量部、応用例1 〜19で使用し
たポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）社製ポリ
カーボネートＺ）の代わりに応用例20で使用したビスフ
ェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネート樹脂
（出光興産（株）社製）1 重量部をジクロロエタン8 重
量部中で混合溶解した。この溶液をドクターブレードで
τ型無金属フタロシアニン（τ-H2Pc ）の電荷発生層上
に塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体30を作成した。
応用例1 と同様にして電子写真特性を評価した。結果を
表7 に示した。
【０１５１】応用例２３〜２５ 応用例17と同様にして結晶性オキシチタニルフタロシア
ニン（TiOPc 結晶）を使用して電荷発生層を作成した。
電荷輸送材料として例示化合物14、16、26をそれぞれ1
重量部、応用例1 〜19で使用したポリカーボネート樹脂
（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネートＺ）の代わ
りに応用例20で使用したビスフェノールA/ビフェノール
型共重合ポリカーボネート樹脂（出光興産（株）社製）
1 重量部をジクロロエタン8 重量部中で混合溶解した。
この溶液をドクターブレードで結晶性オキシチタニルフ
タロシアニン（TiOPc 結晶）の電荷発生層上に塗布し、
80℃で3 時間乾燥させ感光体31、32、33を作成した。応
用例1 と同様にして電子写真特性を評価した。結果を表
7 に示した。
ニン（TiOPc 結晶）を使用して電荷発生層を作成した。
電荷輸送材料として例示化合物14、16、26をそれぞれ1
重量部、応用例1 〜19で使用したポリカーボネート樹脂
（三菱瓦斯化学（株）社製ポリカーボネートＺ）の代わ
りに応用例20で使用したビスフェノールA/ビフェノール
型共重合ポリカーボネート樹脂（出光興産（株）社製）
1 重量部をジクロロエタン8 重量部中で混合溶解した。
この溶液をドクターブレードで結晶性オキシチタニルフ
タロシアニン（TiOPc 結晶）の電荷発生層上に塗布し、
80℃で3 時間乾燥させ感光体31、32、33を作成した。応
用例1 と同様にして電子写真特性を評価した。結果を表
7 に示した。
【０１５２】応用例２６〜２８ 例示化合物14を0.5 重量部、下記構造式で表されるヒド
ラゾン化合物（I-1 ）0.5 重量部をポリカーボネート樹
脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネートＺ）１重量部
と共にジクロロエタン８部中で溶解した。応用例1 と同
様にして作成したＣＤＢを用いた電荷発生層上に、この
電荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で
3 時間乾燥させ感光体34を作成した。また、応用例5 と
同様にして作成した真空蒸着したオキソチタニウムフタ
ロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた電荷発生層上に、こ
の電荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃
で3 時間乾燥させ感光体35を作成した。また、応用例17
と同様にして作成した結晶性オキシチタニルフタロシア
ニン（結晶性TiOPc ）を用いた電荷発生層上に、この電
荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3
時間乾燥させ感光体36を作成した。感光体34、35、36を
応用例1 と同様にして電子写真特性を評価した。結果を
表8 に示した。
ラゾン化合物（I-1 ）0.5 重量部をポリカーボネート樹
脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネートＺ）１重量部
と共にジクロロエタン８部中で溶解した。応用例1 と同
様にして作成したＣＤＢを用いた電荷発生層上に、この
電荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で
3 時間乾燥させ感光体34を作成した。また、応用例5 と
同様にして作成した真空蒸着したオキソチタニウムフタ
ロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた電荷発生層上に、こ
の電荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃
で3 時間乾燥させ感光体35を作成した。また、応用例17
と同様にして作成した結晶性オキシチタニルフタロシア
ニン（結晶性TiOPc ）を用いた電荷発生層上に、この電
荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3
時間乾燥させ感光体36を作成した。感光体34、35、36を
応用例1 と同様にして電子写真特性を評価した。結果を
表8 に示した。
【０１５３】
【化４０】
【０１５４】応用例２９、３０ 例示化合物16を0.2 重量部、下記構造式で表されるヒド
ラゾン化合物（I-2 ）0.8 重量部を応用例20で使用した
ビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネー
ト樹脂（出光興産（株）社製）１重量部と共にジクロロ
エタン８部中で溶解した。応用例1 と同様にして作成し
たＣＤＢを用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶
液をドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ
感光体37を作成した。また、応用例5 と同様にして作成
した真空蒸着したオキソチタニウムフタロシアニン（Ti
OPc 蒸着）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料
溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥さ
せ感光体38を作成した。感光体37、38を応用例1 と同様
にして電子写真特性を評価した。結果を表8 に示した。
ラゾン化合物（I-2 ）0.8 重量部を応用例20で使用した
ビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネー
ト樹脂（出光興産（株）社製）１重量部と共にジクロロ
エタン８部中で溶解した。応用例1 と同様にして作成し
たＣＤＢを用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶
液をドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ
感光体37を作成した。また、応用例5 と同様にして作成
した真空蒸着したオキソチタニウムフタロシアニン（Ti
OPc 蒸着）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料
溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥さ
せ感光体38を作成した。感光体37、38を応用例1 と同様
にして電子写真特性を評価した。結果を表8 に示した。
【０１５５】
【化４１】
【０１５６】応用例３１〜３３ 例示化合物16を0.5 重量部、下記構造式で表されるトリ
フェニルアミンダイマー化合物（II-1）0.5 重量部をポ
リカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネ
ートＺ）１重量部と共にジクロロエタン８部中で溶解し
た。応用例5 と同様にして作成した真空蒸着したオキソ
チタニウムフタロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体39を作成した。
また、応用例14と同様にして作成したτ型無金属フタロ
シアニン（τ-H2Pc ）を用いた電荷発生層上に、この電
荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3
時間乾燥させ感光体40を作成した。また、応用例16と同
様にして作成したｘ型無金属フタロシアニン（ｘ-H2Pc
）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液を
ドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光
体41を作成した。感光体39,40,41を応用例1 と同様にし
て電子写真特性を評価した。結果を表9 に示した。
フェニルアミンダイマー化合物（II-1）0.5 重量部をポ
リカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネ
ートＺ）１重量部と共にジクロロエタン８部中で溶解し
た。応用例5 と同様にして作成した真空蒸着したオキソ
チタニウムフタロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体39を作成した。
また、応用例14と同様にして作成したτ型無金属フタロ
シアニン（τ-H2Pc ）を用いた電荷発生層上に、この電
荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3
時間乾燥させ感光体40を作成した。また、応用例16と同
様にして作成したｘ型無金属フタロシアニン（ｘ-H2Pc
）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液を
ドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光
体41を作成した。感光体39,40,41を応用例1 と同様にし
て電子写真特性を評価した。結果を表9 に示した。
【０１５７】
【化４２】
【０１５８】応用例３４〜３６ 例示化合物26を0.4 重量部、下記構造式で表されるトリ
フェニルアミンダイマー化合物（II-2）0.6 重量部をポ
リカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネ
ートＺ）１重量部と共にジクロロエタン８部中で溶解し
た。応用例5 と同様にして作成した真空蒸着したオキソ
チタニウムフタロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体42を作成した。
また、応用例14と同様にして作成したτ型無金属フタロ
シアニン（τ-H2Pc ）を用いた電荷発生層上に、この電
荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3
時間乾燥させ感光体43を作成した。また、応用例16と同
様にして作成したｘ型無金属フタロシアニン（ｘ-H2Pc
）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液を
ドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光
体44を作成した。感光体42、43、44を応用例1と同様に
して電子写真特性を評価した。結果を表9 に示した。
フェニルアミンダイマー化合物（II-2）0.6 重量部をポ
リカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学（株）ポリカーボネ
ートＺ）１重量部と共にジクロロエタン８部中で溶解し
た。応用例5 と同様にして作成した真空蒸着したオキソ
チタニウムフタロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体42を作成した。
また、応用例14と同様にして作成したτ型無金属フタロ
シアニン（τ-H2Pc ）を用いた電荷発生層上に、この電
荷輸送材料溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3
時間乾燥させ感光体43を作成した。また、応用例16と同
様にして作成したｘ型無金属フタロシアニン（ｘ-H2Pc
）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液を
ドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光
体44を作成した。感光体42、43、44を応用例1と同様に
して電子写真特性を評価した。結果を表9 に示した。
【０１５９】
【化４３】
【０１６０】応用例３７〜３９ 例示化合物14を0.3 重量部、下記構造式で表されるジス
チリル化合物（III-1）0.7 重量部を応用例20で使用し
たビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネ
ート樹脂（出光興産（株）社製）１重量部と共にジクロ
ロエタン８部中で溶解した。応用例5 と同様にして作成
した真空蒸着したオキソチタニウムフタロシアニン（Ti
OPc 蒸着）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料
溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥さ
せ感光体45を作成した。また、応用例14と同様にして作
成したτ型無金属フタロシアニン（τ-H2Pc ）を用いた
電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレ
ードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体46を作成し
た。また、応用例17と同様にして作成した結晶性オキシ
チタニルフタロシアニン（結晶性TiOPc ）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体47を作成した。
感光体45、46、47を応用例1 と同様にして電子写真特性
を評価した。結果を表10に示した。
チリル化合物（III-1）0.7 重量部を応用例20で使用し
たビスフェノールA/ビフェノール型共重合ポリカーボネ
ート樹脂（出光興産（株）社製）１重量部と共にジクロ
ロエタン８部中で溶解した。応用例5 と同様にして作成
した真空蒸着したオキソチタニウムフタロシアニン（Ti
OPc 蒸着）を用いた電荷発生層上に、この電荷輸送材料
溶液をドクターブレードで塗布し、80℃で3 時間乾燥さ
せ感光体45を作成した。また、応用例14と同様にして作
成したτ型無金属フタロシアニン（τ-H2Pc ）を用いた
電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレ
ードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体46を作成し
た。また、応用例17と同様にして作成した結晶性オキシ
チタニルフタロシアニン（結晶性TiOPc ）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体47を作成した。
感光体45、46、47を応用例1 と同様にして電子写真特性
を評価した。結果を表10に示した。
【０１６１】
【化４４】
【０１６２】応用例４０、４１ 例示化合物26を0.5 重量部、ジスチリル化合物（III-1
）0.5 重量部を応用例20で使用したビスフェノールA/
ビフェノール型共重合ポリカーボネート樹脂（出光興産
（株）社製）１重量部と共にジクロロエタン８部中で溶
解した。応用例5と同様にして作成した真空蒸着したオ
キソチタニウムフタロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた
電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレ
ードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体48を作成し
た。また、応用例17と同様にして作成した結晶性オキシ
チタニルフタロシアニン（結晶性TiOPc ）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体49を作成した。
感光体48、49を応用例1 と同様にして電子写真特性を評
価した。結果を表10に示した。表６〜表10で示されるよ
うに、本発明の化合物を他の電荷輸送材と混同して用い
ても、良好な感光特性を示すことがわかる。
）0.5 重量部を応用例20で使用したビスフェノールA/
ビフェノール型共重合ポリカーボネート樹脂（出光興産
（株）社製）１重量部と共にジクロロエタン８部中で溶
解した。応用例5と同様にして作成した真空蒸着したオ
キソチタニウムフタロシアニン（TiOPc 蒸着）を用いた
電荷発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレ
ードで塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体48を作成し
た。また、応用例17と同様にして作成した結晶性オキシ
チタニルフタロシアニン（結晶性TiOPc ）を用いた電荷
発生層上に、この電荷輸送材料溶液をドクターブレード
で塗布し、80℃で3 時間乾燥させ感光体49を作成した。
感光体48、49を応用例1 と同様にして電子写真特性を評
価した。結果を表10に示した。表６〜表10で示されるよ
うに、本発明の化合物を他の電荷輸送材と混同して用い
ても、良好な感光特性を示すことがわかる。
【０１６３】
【表６】
【０１６４】
【表７】
【０１６５】
【表８】
【０１６６】
【表９】
【０１６７】
【図１０】
【０１６８】
【発明の効果】上述のように、本発明のカルバゾール誘
導体（1 ）は、電子写真感光体を形成する時の結着剤ポ
リマ−への溶解性が良く、これを使用した感光体は高い
キャリア移動度を発現することができ、しかも高感度で
残留電位が小さいといった工業的にすぐれた化合物であ
る。
導体（1 ）は、電子写真感光体を形成する時の結着剤ポ
リマ−への溶解性が良く、これを使用した感光体は高い
キャリア移動度を発現することができ、しかも高感度で
残留電位が小さいといった工業的にすぐれた化合物であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩原 利光 神奈川県平塚市西八幡１丁目４番11号 高 砂香料工業株式会社総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ar1, Ar2 はそれぞれ同一であっても異なって
もよく、置換基を有してもよいアリール基を表し、R1,
R2, はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、低
級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基を示
す。Ｒ3 は低級アルキル基、炭素数5 〜7 の脂環式アル
キル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有
してもよいアラルキル基を表し、ｍ及びｎは0 または1
の整数を示す。）で示されるカルバゾール誘導体。 - 【請求項２】 請求項１記載のカルバゾール誘導体を含
有することを特徴とする電荷輸送材料。 - 【請求項３】 請求項２記載の電荷輸送材料を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130556A JPH09295969A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | カルバゾール誘導体、それを用いた電荷輸送材料および電子写真感光体 |
| US08/839,594 US5736284A (en) | 1996-04-30 | 1997-04-15 | Carbazole derivative charge transporting material using the same and electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130556A JPH09295969A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | カルバゾール誘導体、それを用いた電荷輸送材料および電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09295969A true JPH09295969A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15037100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8130556A Pending JPH09295969A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | カルバゾール誘導体、それを用いた電荷輸送材料および電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5736284A (ja) |
| JP (1) | JPH09295969A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10123733A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
| US6413657B1 (en) | 1998-10-07 | 2002-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Benzoazepine derivative polymers as luminescent element materials |
| JP2013163809A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-08-22 | Ricoh Co Ltd | π共役系化合物とその用途、およびそれらを用いた素子、装置 |
| US8859818B2 (en) | 2010-07-21 | 2014-10-14 | Takasago International Corporation | Electrophotographic photoreceptor |
| CN107805247A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-16 | 临沂齐泽医药技术有限公司 | 一种用于制备抗肾纤维化药物和/或抗慢性肾病药的β‑咔啉化合物的制备工艺及其应用 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3173395B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2001-06-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 電荷輸送性材料及びそれに用いる電荷輸送性微粒子の製造方法 |
| TW514636B (en) * | 2000-12-14 | 2002-12-21 | Nat Science Council | λ shape carbazole and main chain nonlinear optical polyurethane thereof |
| US20040247933A1 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Bipolar asymmetric carbazole-based host materials for electrophosphorescent guest-host OLED systems |
| US7011871B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-03-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compounds and electronic devices made with such compounds |
| JP5156409B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-03-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 単層型電子写真感光体及び画像形成装置 |
| US20110037056A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-02-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive composition and electronic device made with the composition |
| US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3791826A (en) * | 1972-01-24 | 1974-02-12 | Ibm | Electrophotographic plate |
| JPS57165841A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-13 | Asahi Glass Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS58147747A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Asahi Glass Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| DE3315437C2 (de) * | 1982-04-30 | 1987-05-07 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS61241762A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6313047A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| US4886846A (en) * | 1987-03-28 | 1989-12-12 | Ricoh Company, Ltd. | Aromatic diolefinic compounds, aromatic diethyl compounds and electrophotographic photoconductors comprising one aromatic diethyl compound |
| JPH0315853A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Kao Corp | 電子写真感光体 |
| JP3044099B2 (ja) * | 1991-08-19 | 2000-05-22 | 昭和電線電纜株式会社 | レングスマーク装置 |
| US5573878A (en) * | 1993-11-02 | 1996-11-12 | Takasago International Corporation | Triphenylamine derivative, charge-transporting material comprising the same, and electrophotographic photoreceptor |
-
1996
- 1996-04-30 JP JP8130556A patent/JPH09295969A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-15 US US08/839,594 patent/US5736284A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10123733A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
| US6413657B1 (en) | 1998-10-07 | 2002-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Benzoazepine derivative polymers as luminescent element materials |
| US6878822B2 (en) | 1998-10-07 | 2005-04-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ethylene derivative having a nitrogen-containing 7-membered ring |
| US8859818B2 (en) | 2010-07-21 | 2014-10-14 | Takasago International Corporation | Electrophotographic photoreceptor |
| JP2013163809A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-08-22 | Ricoh Co Ltd | π共役系化合物とその用途、およびそれらを用いた素子、装置 |
| CN107805247A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-16 | 临沂齐泽医药技术有限公司 | 一种用于制备抗肾纤维化药物和/或抗慢性肾病药的β‑咔啉化合物的制备工艺及其应用 |
| CN107805247B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-09-29 | 上海长征富民金山制药有限公司 | 一种用于制备抗肾纤维化药物和/或抗慢性肾病药的β-咔啉化合物的制备工艺及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5736284A (en) | 1998-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5942615A (en) | Phenothiazine or phenoxazine derivative, charge-transporting material comprising the same, and electrophotographic photoreceptor | |
| JP3525198B2 (ja) | トリフェニルアミン誘導体、それを用いた電荷輸送材料及び電子写真感光体 | |
| JP3181799B2 (ja) | トリフェニルアミン誘導体、それを用いた電荷輸送材料及び電子写真感光体 | |
| US6172264B1 (en) | Triphenylamine derivative, charge-transporting material comprising the same, and electrophotographic photoreceptor | |
| US5573878A (en) | Triphenylamine derivative, charge-transporting material comprising the same, and electrophotographic photoreceptor | |
| JP5346326B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH09295969A (ja) | カルバゾール誘導体、それを用いた電荷輸送材料および電子写真感光体 | |
| EP2460796A1 (en) | Indole derivative | |
| US6338927B1 (en) | Stilbene derivative, method of producing the same, and electrophotosensitive material using the same | |
| JP2001133995A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US5486441A (en) | Electrophotographic photoreceptor containing 1,4-bis(4,4-diphenyl-1,3-butadienyl)benzene derivative | |
| JP5007855B2 (ja) | 新規な電荷輸送材料及びこれを用いた電子写真感光体 | |
| JPH11158165A (ja) | フェノチアジン誘導体、フェノキサジン誘導体、それを用いた電荷輸送材料及び電子写真感光体 | |
| WO2004074943A1 (en) | Electrophotographic photoreceptor and charge-transporting material for electrophotographic photoreceptor | |
| JPH07118234A (ja) | テトラアリール−２，６−ジアミノピリジン誘導体およびこれを用いた電子写真感光体 | |
| JP2733716B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP5244307B2 (ja) | トリアリールアミン誘導体および電子写真感光体 | |
| JP3780092B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3943522B2 (ja) | トリフェニルアミン誘導体の製造方法 | |
| JP3583674B2 (ja) | スチルベン誘導体、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 | |
| JP3910658B2 (ja) | アセナフテン化合物 | |
| JP2013056905A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2852956B2 (ja) | ヒドラゾン誘導体及びこれを含有する電子写真感光体 | |
| JP6095107B2 (ja) | トリフェニルアミン誘導体、並びにそれを用いた電荷輸送材料及び電子写真感光体 | |
| JP2008056571A (ja) | トリフェニルアミン誘導体および電子写真感光体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050915 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060404 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060815 |