JPH09211908A - 画像形成方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｈｉｇｈ−γ特性の感光体を用い、消費電
力、感光体の劣化を最小限に抑えながら、低解像領域の
階調性を高める。 【解決手段】 電位検出手段８又は濃度検出手段１３
は、検査用像作成手段７，１２にて作成された感光体１
上の各パルス幅に対応する潜像電位又は現像濃度を検出
する。閾値パルス幅判別手段９，１４は検出された潜像
電位又は現像濃度から、感光体１の急激な電位減衰部分
の低電位側変曲点に対応する露光手段３の閾値パルス幅
ＷLを求める。そして、画像形成サイクル時には、パル
ス幅判断手段１０，１５は、多階調画像データのパルス
幅が閾値パルス幅ＷLよりも小さいか否かを判断し、閾
値パルス幅ＷL未満であると判断すると、露光強度制御
手段１１，１６は露光強度を通常の露光強度よりも大き
く設定し、閾値パルス幅ＷL未満の低解像領域の潜像電
位レベルを現像可能レベルに変更する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子写真方式を
用いて感光体上に画像を形成する複写機、静電記録装
置、ファクシミリ、伝送装置、レーザプリンタ等の画像
形成装置に係り、特に、所謂Ｈｉｇｈ−γ特性の感光体
を用いたタイプの画像形成装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術は、画像形成速度の迅速
性、乾式現像であること、記録密度が高いこと等の特徴
を生かし、現在普通紙複写機、レーザプリンタ、ファク
シミリ等の画像形成装置として実用化されている。電子
写真プロセスは、帯電、露光、現像、転写、定着、クリ
ーニングの基本過程により構成されるが、感光体はこの
中で帯電、露光による潜像形成を担う重要な部品であ
る。

【０００３】電子写真用感光体に求められる特性には帯
電性、光導電性等が求められ、これらは電子写真プロセ
スにおける潜像形成の支配的要因である。電子写真にお
ける像形成は、均一に帯電し感光体表面の電荷を、光照
射により選択的に消失させることにより達成される。

【０００４】現在まで実用化された代表的な電子写真用
感光体は大きく分けてアモルファスセレン及びその合
金を含むアモルファスカルコゲナイド系材料、酸化亜
鉛、硫化カドミウムなどのＩＩ−ＩＶ属無機化合物系材
料、高分子ならびに低分子有機化合物の樹脂分散系等
の有機光導電体（ＯＰＣ：Organic Photoconductor）、
アモルファスシリコン系材料が挙げられる。１９７０
年代までは感光体は無機系で独占されていたが、１９７
０年前半からのＯＰＣの出現により電子写真用感光体は
大きな転換点を迎え、従来の無機系感光体の殆どがＯＰ
Ｃに置き換わる方向に進み始めた。このＯＰＣの特徴的
なものとしては分光感度設計が容易であるため、レーザ
プリンタの出現により新たに要求されるところとなっ
た。すなわち、記録光源の主流が半導体レーザであるた
め、感光体が７８０ｍｍ単色光感度に優れることが挙げ
られる。

【０００５】この因子がなぜ重要であるかを説明する。
従来、電子写真技術はアナログ光学系を光源に用いた普
通紙複写機としてのみ実用化されていた。しかし、１９
８０年代に入るとコンピュータの出力機器としてこの技
術が盛んに応用され始めた。これに加えて普通紙のデジ
タル化、カラー化が急速に進展するところとなった。こ
れらのシステムでは、デジタル光学系を使用するので、
このシステムに使用される光源に対応した十分な感度を
持つことが感光体に要求される。つまり特定な波長の単
色光に対して十分な感度を有することが重要となる。特
に、デジタル用光源としては半導体レーザが多く用いら
れており、その多くは安価で量産性に優れた７００〜９
００ｎｍの間にピークを持つ単色光に大きな感度を持つ
感光体が開発されてきた。この結果デジタル光学系を用
いた電子写真システム用の感光体としてＯＰＣが多く占
められるようになった。

【０００６】現在主流となっているＯＰＣは電荷輸送材
を高濃度で樹脂中に溶解した電荷輸送層と電荷発生顔料
を高濃度で樹脂中に分散した電荷発生層とからなる、積
層型ＯＰＣである。この型のＯＰＣは、感光体の光導電
性の基本機能を分割独立させたもので、材料の選択に余
裕が広がり、結果として感光体性能の飛躍的向上を達成
した。特にに無金属フタロシアニン、銅フタロシアニ
ン、チタニルフタロシアニン、マグネシュウムフタロシ
アニン、バナジルフタロシアニンなどのフタロシアニン
顔料を用いた有機感光体はデジタル用に適するものとし
て知られている。

【０００７】しかし、この積層型のＯＰＣの大きな問題
点は帯電特性が負帯電であることにある。負帯電型ＯＰ
Ｃは利用するシステムからの大量なオゾン発生という問
題点を抱える。このため、正帯電型のＯＰＣも例えば
「T.NakagaWa et al, JapanHardcopy′88 l.Ozawa
et al,Japan Hardcopy′88等」のように研究され始め、
１９８０年代後半に普通複写機用ＯＰＣとして実用化さ
れた。

【０００８】また、正帯電単層型ＯＰＣの研究もなさ
れ、新たな特性を持つものが例えば「S.Johnson et a
l.,IS＆T′s Seventh International congress on Adva
nces in Non-impact Printing Technologies ,'91 S.
Tsuchiya et al.,ibit,'91」のように提案されてきた。
これらは共に感光層中に電荷輸送剤を含まない、顔料を
樹脂中に分散した感光体である。したがって、従来の積
層型に比べて層形成の点で低価格になる。また、これら
は正帯電型であることを最大の特徴としている。更に、
これらの感光体のもう一つの大きな特徴にＨｉｇｈ−γ
特性を挙げることができる。このＨｉｇｈ−γ特性と
は、感光体の電位減衰曲線中の直線的電位減衰部分の傾
きが大きいことを表しており、この特性がデジタル方式
による画像形成に特に有利であると提案されている。

【０００９】従来ドット露光を行うスポット光の光エネ
ルギ分布は裾長のガウス分布となる。この裾長のエネル
ギ分布を有するドット露光を入射光量に応じて電位減衰
が開始される感光体上に照射して像形成を行えば、裾長
のドット露光がそのまま再現され、ドット周辺にぼけを
生じ、解像力の悪いドット画像が形成される。そこで、
例えば特開平１−１６９４５４号公報には弱露光時には
殆ど電位減衰が現れず、光量を増やしある光量になると
急峻な電位減衰特性を示す所謂Ｈｉｇｈ−γ感光体が提
案されている。前記公報ではドット露光が裾長のガウス
分布であっても、シャープなドット状の潜像が形成され
ることが記載されている。

【００１０】また、単層型ＯＰＣにＨｉｇｈ−γ特性が
出現する現象は以前よりインダクション効果として知ら
れている。このインダクション効果とは、図２２に示す
ように、感光体への光照射後、電位減衰までに時間遅れ
を生じる現象であり、樹脂分散型感光体固有の特性であ
る。この現象は、露光初期において、発生したキャリア
がトラップに捕獲されるため電位減衰にあまり寄与しな
いが、その後発生キャリア数が多くなるに従ってトラッ
プが埋めつくされ、キャリアの輸送が急激に起こり大き
な電位減衰が生じるためと推察される。この結果、高い
ガンマ値を示すことになる。従来にあっては、前記イン
ダクション効果はリニアな感光特性を得ようとする場合
には不適と考えられていたため、インダクション効果を
低減化するという開発がなされていたが、最近、前述し
たように、インダクション効果（感光体を帯電、露光し
た時の表面電位の減衰過程が露光量増加に対して始めは
緩やかに減衰するが次第に露光量を増加させていくと急
激な電位減衰を示すという点）を積極的に利用し、デジ
タル方式（二値化）による画像形成を行なおうとする動
きが出てきた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】確かに、層形成の点
で、低価格でオゾン発生量が少ない正帯電型であること
を最大の特徴としているＨｉｇｈ−γ特性の単層型ＯＰ
Ｃを電子写真プロセスに適用すると、従来の積層型ＯＰ
Ｃに比べ、露光したドット周辺がシャープに解像され
る。しかしながら、Ｈｉｇｈ−γ特性を持つ感光体は、
潜像形成をオン／オフ的（スイッチング的）な挙動で行
うので、露光により、急激に電位が減衰を起こした後、
急激な電位減衰部分の低電位側変曲点における低変曲点
電位ＶL付近に達する光量に達しないと、感光体上の安
定した潜像形成が行われない。このため、Ｈｉｇｈ−γ
特性を持つ感光体を用いた画像形成装置でパルス幅変調
を行った階調方式を採用すると、所定の閾値ＷL以下の
パルス幅にて変調された光量では電位減衰が起こらない
か十分な量に達せず、感光体上に潜像形成が行われない
という事態が生ずる。従って、高階調性を実現するに
は、閾値ＷL以下のパルス幅にて変調された光量でも電
位減衰が低変曲点電位ＶL付近に達することが必要であ
る。そこで、露光用のビーム光量全体を大きく設定し、
高階調性を実現することが考えられるが、ビーム光量全
体を大きく設定すれば、消費電力が大きくなる上、感光
体の耐久性も落ちるため、ビーム光量全体を持ち上げる
ことは好ましいものではない。

【００１２】この発明は、以上の技術的課題を解決する
ためになされたものであって、Ｈｉｇｈ−γ特性の感光
体を電子写真プロセスに適用するとき、消費電力、感光
体の劣化を最小限に抑えながら、低解像領域の階調性を
高め、高階調な画像形成方法及びその装置を提供するこ
とを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
図１に示すように、一様帯電された表面電位ＶPがある
露光量Ａ0を境として急激に減衰する電位減衰特性の感
光体１を用い、帯電工程にて帯電された感光体１に対し
露光工程による露光にて画像パターンに応じた潜像を書
き込み、現像工程にて前記潜像を可視像化する画像形成
方法において、多階調画像データに応じたパルス幅が露
光工程による潜像形成若しくは現像工程による現像形成
可能なレベルである閾値パルス幅ＷL以上か否かを判別
するパルス幅判別工程と、このパルス幅判別工程にて前
記パルス幅が閾値パルス幅ＷL以上であると判別された
条件下では、照射ビームが通常の露光強度による露光を
行なう高解像領域用露光工程と、前記パルス幅判別工程
にて前記パルス幅が閾値パルス幅ＷL未満であると判別
された条件下では、照射ビームが通常の露光強度よりも
大きく設定され、閾値パルス幅ＷL）未満の低解像領域
の潜像電位レベルが現像可能レベルになる露光を行なう
低解像領域用露光工程とを備えたことを特徴とする。

【００１４】また、このような方法発明を具現化する装
置発明は、図１に示すように、一様帯電された表面電位
ＶPがある露光量Ａ0を境として急激に減衰する電位減衰
特性の感光体１を用い、帯電手段２にて帯電された感光
体１に対し露光手段３による露光にて画像パターンに応
じた潜像を書き込み、現像手段４にて前記潜像を可視像
化する画像形成装置において、前記露光手段３には、多
階調画像データに応じて照射ビームのパルス幅を変調す
るパルス幅可変手段５と、照射ビームの露光強度を可変
設定する露光強度可変手段６とを設け、通常の画像形成
サイクルと異なる感光体特性検査サイクル時に前記パル
ス幅可変手段５にて露光手段３からパルス幅の異なる複
数のビームを照射させ、感光体１上に複数のパルス幅の
ビーム露光による潜像を段階的に作成する検査用像作成
手段７と、この検査用像作成手段７にて作成された感光
体１上の各パルス幅に対応する潜像電位を検出する電位
検出手段８と、この電位検出手段８にて検出された潜像
電位のうち、感光体１の急激な電位減衰部分の低電位側
変曲点における低変曲点電位ＶLに対応する露光手段３
の閾値パルス幅ＷLを求める閾値パルス幅判別手段９
と、画像形成サイクル時にパルス幅可変手段５にて可変
設定される多階調画像データのパルス幅が前記閾値パル
ス幅判別手段９にて判別された閾値パルス幅ＷLよりも
小さいか否かを判断するパルス幅判断手段１０と、この
パルス幅判断手段１０にて多階調画像データのパルス幅
が閾値パルス幅ＷLよりも小さいと判断された状況下
で、露光強度可変手段６による露光強度を閾値パルス幅
ＷL以上の時に比べて大きく設定し、閾値パルス幅ＷL未
満の低解像領域の潜像電位レベルを現像可能レベルに変
更する露光強度制御手段１１とを備えたことを特徴とす
るものである。

【００１５】更に、前記方法発明を具現化する他の装置
発明は、図１に示すように、前述した装置発明と同様な
構成要素１〜６（感光体１〜露光強度可変手段６）を備
えるほか、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性
検査サイクル時に前記パルス幅可変手段５にて露光手段
３からパルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光
体１上に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段階
的に作成すると共に、各潜像を現像手段４にて可視像化
する検査用像作成手段１２と、検査用像作成手段１２に
て作成された感光体１上の各パルス幅に対応する現像像
の濃度情報を検出する濃度検出手段１３と、この濃度検
出手段１３にて検出される濃度情報に基づいて、現像像
が形成可能な下限レベルの濃度情報に対応する閾値パル
ス幅ＷLを求める閾値パルス幅判別手段１４と、画像形
成サイクル時にパルス幅可変手段５にて可変設定される
多階調画像データのパルス幅が前記閾値パルス幅判別手
段１４にて判別された閾値パルス幅ＷLよりも小さいか
否かを判断するパルス幅判断手段１５と、このパルス幅
判断手段１５にて多階調画像データのパルス幅が閾値パ
ルス幅ＷLよりも小さいと判断された状況下で、露光強
度可変手段６による露光強度を閾値パルス幅ＷL以上の
時に比べて大きく設定し、閾値パルス幅ＷL未満の低解
像領域の潜像電位レベルを現像可能レベルに変更する露
光強度制御手段１６とを備えたことを特徴とするもので
ある。

【００１６】このような技術的手段において、感光体１
としては、ある露光量Ａ0を境として急激に電位減衰す
る電位減衰特性を備えたものであれば全て適用対象であ
り、例えばＸ型無金属フタロシアニンとバインダ樹脂か
らなる単層型有機正帯電感光体などが挙げられる。ま
た、感光体１の形態についてもドラム状、ベルト状を問
わない。また、本発明の画像形成装置は、帯電手段２、
露光手段３、現像手段４にて感光体１上にトナー像を可
視像化するものであればよく、感光体１上のトナー像を
記録媒体に直接転写するものであってもよいし、あるい
は、感光体１上のトナー像を中間転写体に一次転写した
後に、記録媒体に二次転写するものなど各種タイプを包
含する。

【００１７】また、露光手段３は、パルス幅可変手段５
及び露光強度可変手段６を具備したものであれば、レー
ザ走査装置に限られるものではなく、適宜選定すること
ができる。そして、露光手段３については、特定の露光
ユニットでパルス幅変調、露光強度変調を行なうように
してもよいし、例えばパルス幅変調用の露光ユニットと
露光強度変調用の露光ユニットとを機能分離させるよう
にしてもよい。特に、露光手段３によるビームドット径
については任意のものを使用することは可能であるが、
低解像領域の潜像形成性を良好に保つという観点からす
れば、感光体１上に照射するビームドット径として主走
査方向の径寸法を副走査方向の径寸法に比べて小さく設
定したものであることが好ましい。

【００１８】また、検査用像作成手段７，１２は、通常
の画像形成サイクルと異なる感光体特性検査サイクル時
に動作させればよく、例えば電源投入時や、所定の画像
形成サイクル数毎に定期的に行なうようにすればよい。
更に、検査用像作成手段７，１２については、基本的に
閾値パルス幅ＷLに対応した潜像の近傍において複数段
階の潜像を形成するようにすればよく、全パルス幅に亘
って潜像を段階的に作成する必要はない。

【００１９】更に、閾値パルス幅判別手段９，１４につ
いては、例えば、電位検出手段８若しくは濃度検出手段
１３からの検出データと、潜像が形成可能な下限レベル
（低変曲点電位ＶLに相当）若しくは現像像が形成可能
な下限レベルという基準データとを比較し、検出データ
のうち基準データに達しない基準データに限りなく近い
検出データを求め、この検出データに対応する多階調画
像データのパルス幅から閾値パルス幅ＷLを判別するよ
うにしてもよいし、逆に、検出データのうち基準データ
を超え基準データに限りなく近い検出データを求め、こ
の検出データに対応する多階調画像データのパルス幅か
ら閾値パルス幅ＷLを判別する等、適宜のアルゴリズム
を用いることが可能である。

【００２０】また、露光強度制御手段１１，１６につい
ては、閾値パルス幅ＷL未満の場合の露光強度を閾値パ
ルス幅ＷL以上の場合の露光強度より大きくするよう
に、基本的には露光強度を２段階に切り替えるようにす
ればよいが、閾値パルス幅ＷL未満の場合の露光強度を
数段階に切り替え、発生パルス幅と露光強度とを反比例
の形で対応させ、低解像領域の階調性をより良好にする
ことが可能である。

【００２１】次に、上述した技術的手段のうち装置発明
を例に挙げてその作用について説明する。先ず、構成要
素１〜１１を備えた画像形成装置について説明すると、
図１において、検査用像作成手段７は、通常の画像形成
サイクルと異なる感光体特性検査サイクル時にパルス幅
可変手段５にて露光手段３からパルス幅の異なる複数の
ビームを照射させ、感光体１上に複数のパルス幅のビー
ム露光による潜像を段階的に作成する。すると、電位検
出手段８は、前記検査用像作成手段７にて作成された感
光体１上の各パルス幅に対応する潜像電位を検出する。
そして、閾値パルス幅判別手段９は電位検出手段８にて
検出された潜像電位のうち、感光体１の急激な電位減衰
部分の低電位側変曲点における低変曲点電位ＶLに対応
する露光手段３の閾値パルス幅ＷLを求める。この状態
において、通常の画像形成サイクルが行なわれると、パ
ルス幅判断手段１０は、パルス幅可変手段５にて可変設
定される多階調画像データのパルス幅が閾値パルス幅Ｗ
Lよりも小さいか否かを判断する。

【００２２】そして、パルス幅判断手段１０が多階調画
像データのパルス幅Ｗ＝Ｗ1を閾値パルス幅ＷL以上であ
ると判断すると、露光強度制御手段１１は通常の露光強
度をそのまま維持する制御信号を露光強度可変手段６へ
送出する。このため、露光手段３は、図２（ａ）に示す
ように、通常の露光強度Ｐ1でパルス幅Ｗ1のパルス幅変
調を行ない、感光体１上に潜像電位レベルが現像可能レ
ベルである潜像ＺIM（Ｗ1）を形成する。一方、パルス
幅判断手段１０が多階調画像データのパルス幅Ｗ＝Ｗ2
を閾値パルス幅ＷL未満であると判断すると、露光強度
制御手段１１は露光強度を通常の露光強度よりも大きく
設定し、閾値パルス幅ＷL未満の低解像領域の潜像電位
レベルを現像可能レベルに変更する。このため、露光手
段３は、図２（ｂ）に示すように、通常の露光強度Ｐ1
よりも大きい露光強度Ｐ2でパルス幅Ｗ2のパルス幅変調
を行ない、感光体１上に潜像電位レベルが現像可能レベ
ルである潜像ＺIM（Ｗ2）を形成する。

【００２３】また、構成要素１〜６，１２〜１６を備え
た画像形成装置について説明すると、検査用像作成手段
１２は、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検
査サイクル時にパルス幅可変手段５にて露光手段３から
パルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光体１上
に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段階的に作
成すると共に、各潜像を現像手段４にて可視像化する。
すると、濃度検出手段１３は検査用像作成手段１２にて
作成された感光体１上の各パルス幅に対応する現像像の
濃度情報を検出する。そして、閾値パルス幅判別手段１
４は、濃度検出手段１３にて検出される濃度情報に基づ
いて、現像像が形成可能な下限レベルの濃度情報に対応
する閾値パルス幅ＷLを求める。この状態において、通
常の画像形成サイクルが行なわれると、パルス幅判断手
段１５はパルス幅可変手段５にて可変設定される多階調
画像データのパルス幅が閾値パルス幅ＷLよりも小さい
か否かを判断する。そして、露光強度制御手段１６は、
パルス幅判断手段１５にて多階調画像データのパルス幅
が閾値パルス幅ＷL以上であると判断された状況下で
は、露光強度可変手段６による露光強度を通常レベルに
維持し、一方、パルス幅判断手段１５にて多階調画像デ
ータのパルス幅が閾値パルス幅ＷLよりも小さいと判断
された状況下で、前記露光強度を閾値パルス幅ＷL以上
の時に比べて大きく設定し、閾値パルス幅ＷL未満の低
解像領域の潜像電位レベルを現像可能レベルに変更す
る。従って、このタイプにおいても、高解像領域（Ｗ≧
ＷL）、低解像領域（Ｗ＜ＷL）の潜像は、いずれも図２
（ａ）（ｂ）に示すように、現像可能なレベルの電位状
態にて形成される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に示す実施の形態
に基づいてこの発明を詳細に説明する。 ◎実施の形態１ 図３はこの発明が適用された画像形成装置の実施の形態
１を示す。同図において、符号２１はある露光量を境と
して急激に電素減衰する電位減衰特性（Ｈｉｇｈ−γ特
性）を持つ単層型有機感光体、２２は感光体２１を正帯
電する帯電装置、２３は帯電された感光体２１上に光照
射して静電潜像（本実施の形態では画像部露光のネガ潜
像）を形成する光書き込み装置（露光装置）であり、例
えば半導体レーザとポリゴンミラーを内蔵するレーザ光
発生器が用いられる。また、符号２４は感光体２１上に
形成された静電潜像を感光体２１の帯電極性と同じ極性
電荷を持つトナーで可視像化する現像装置、２５は感光
体２１上のトナー像を記録紙２６に転写させるコロトロ
ンなどの転写装置、２７は感光体２１に静電吸着した記
録紙２６を剥離するコロトロンなどの用紙剥離装置、２
８は記録紙２６上の未定着トナー像を定着する定着装
置、２９は感光体２１上の残留トナーなどの残留物を除
去するクリーナ、３０は感光体２１上の残留電荷を除去
する除電装置である。

【００２５】本実施の形態において、感光体２１として
は、Ｘ型無金属フタロシアニンをバインダ樹脂に分散さ
せた単層型有機感光体が用いられている。具体的にはＸ
型無金属フタロシアニン（大日本インキ（株）製）、フ
ァーストゲンブルー（Fastgen Blue）を感材とした正帯
電単層型感光体を試作した。上記感光体の詳細に関して
は既に特開平３−２８７１７１号公報に開示されてい
る。また、本実施の形態において、感光体形状はアルミ
ニウム製のドラム本体を用い、ドラム状に製作した。こ
のように構成された単層型感光体２１では、電荷移動の
主体はホールなので表面を正帯電して使用する。

【００２６】この樹脂分散単層型感光体２１の電位減衰
特性を図４（ａ）（ｂ）に示す。図４（ａ）の実線は樹
脂分散単層型感光体２１の明減衰特性を示すもので、帯
電した後、光照射した際、表面電位の露光量による光減
衰過程が初めは徐々に緩やかな減衰を示し、さらに光量
を増加すると緩やかな減衰間に続いて急激に表面電位が
減衰するというカーブになっている。一方、図４（ｂ）
の実線は樹脂分散単層型感光体２１の暗減衰特性を示す
もので、所定電位に帯電した後の経時的変化が初めは緩
やかな減衰を示し、続いて時間経過に従って急激な減衰
を示し表面電位が降下していくというカーブになってい
る。

【００２７】ここで、従来の積層型感光体の明暗減衰特
性（図４（ａ）（ｂ）で点線で示す）と本実施の形態に
用いた樹脂分散単層型感光体２１の明暗減衰特性と比較
する。なお、積層型感光体は表面電位が負帯電に帯電さ
れ、樹脂分散単層型感光体２１は正帯電に帯電される
為、図４の積層型感光体においては絶対値としての電位
を用いた。図４から分かるように、従来の積層型感光体
の感度特性は照射光に対して感度領域が比較的全領域反
応するのに対し、本実施の形態に係る単層型感光体で
は、ある照射光量までは露光しても表面電位が緩やかに
減衰し、ある照射光量を境にして光量が増加すると表面
電位が急激に減衰する状態になっていることが理解され
る。

【００２８】前記のような明減衰特性及び暗減衰特性が
Ｓ字カーブ状に変曲点を持ってオンオフ的に変化する感
度特性である感光体としては、酸化亜鉛を樹脂分散させ
た単層型感光体やフタロシアニンを樹脂分散させた有機
感光体でも報告されているが、露光時の感光体表面電位
が減衰を始める緩和時間が長いことや、帯電に必要な電
荷が多く必要で有ったり、繰り返し使用時の電位保持性
能や感度の変化が大きく、実用に適さないものであっ
た。そこで、本実施の形態では、これらの諸問題を克服
し、実用レベルでの感度特性を有するものとして、Ｘ型
無金属フタロシアニンを樹脂に分散させた単層型感光体
を使用することにした。

【００２９】また、本実施の形態で用いられる光書き込
み装置２３の半導体レーザ２３１（図３参照）の特性
（レーザの駆動電流と出力光量との関係）を図５に示
す。更に、レーザ出力光量である露光量と感光体表面電
位との関係を図６に示す。これらにおいて、露光量Ａ
（レーザ駆動電流Ａ’に対応）は半導体レーザ２３１の
標準使用出力レベルを示し、露光量Ｂ（レーザ駆動電流
Ｂ’に対応）は最大出力レベルを示し、露光量Ｃは零レ
ベルを示し、更に、露光量Ｄは感光体の急激な電位減衰
部分の低電位側変曲点における低変曲点電位ＶLの得ら
れるレベルを示すものである。従って、露光量Ａでパル
ス幅変調なしに使えば感光体上で潜像が形成されるが、
パルス幅変調により、例えばＤ未満の露光量しか得られ
ず、感光体の電位減衰も低変曲点電位ＶL未満しか得ら
れないのであれば、感光体上で潜像形成が行なわれない
ことになる。そこで、本実施の形態では、パルス幅が閾
値パルス幅ＷL、すなわち、標準使用出力レベルＡの露
光量でパルス幅変調したときに露光量がＤになるパルス
幅ＷL未満になった場合、露光量がＤを超えるレベルに
なるように半導体レーザ２３１の出力光量をＡよりも大
きく設定する手法が採用されている。

【００３０】次に、本実施の形態で用いられる露光制御
系を図７，８に基づいて説明する。図７は半導体レーザ
（ＬＤ）を駆動制御する露光制御系のブロック図であ
る。同図において、符号４０は多階調画像データを出力
するデジタルデータ出力装置であり、ＤＡ変換器４１は
デジタルデータ出力装置４０からデジタルデータをアナ
ログビデオ信号に変換する。また、符号４２は１画素周
期の三角波発生器、４３は三角波発生器４２からの三角
波とＤＡ変換器４１からのアナログビデオ信号とを比較
してデジタルデータに対応するパルス幅の変調信号を生
成する比較回路、４４は比較回路４３からの変調信号に
基づいて所定の光量で半導体レーザ２３１を駆動するレ
ーザ（ＬＤ）駆動回路、４５はレーザ駆動回路４４のレ
ーザ光量設定値を切替える光量切替回路である。更に、
符号４６は感光体２１上の潜像電位を検出する電位検出
センサ、４７は電位検出センサ４６で検出された電位か
らレーザ光量設定値の切り替えを判断する切替光量判断
回路である。

【００３１】また、図８は切替光量判断回路４７の詳細
を示す説明図である。同図において、切替光量判断回路
４７は、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検
査サイクル（感光体特性の変化を定期的に検査するサイ
クル）時に動作するものであり、アナログビデオ信号を
格納する第１のメモリ４７１と、前記アナログビデオ信
号に対応して感光体２１上に形成される潜像電位を格納
する第２のメモリ４７２と、潜像形成に必要な電位であ
る低変曲点電位ＶLを格納した低変曲点電位メモリ４７
３とを備えている。また、符号４７４は前記第２のメモ
リ４７２に格納された潜像電位と低変曲点電位メモリ４
７３の低変曲点電位ＶLとを比較し、第２メモリ４７２
内の電位が低変曲点電位ＶLに到達せず低変曲点電位ＶL
に限りなく近い条件下で第２のメモリ４７２内の電位と
そのアドレスを第１のメモリ４７１に送出し、その電位
を発生させたアナログビデオ信号を第１のメモリ４７１
内から取して光量切替回路４５へ渡すための比較器であ
る。尚、本実施の形態において、感光体特性検査サイク
ルは、電源投入時又は予め決められた所定画像形成枚数
毎に行われるようになっている。

【００３２】次に、本実施の形態に係る画像形成装置の
作動について説明する。 ●感光体特性検査サイクル 本実施の形態において、感光体特性検査サイクルは、感
光体２１の特性が経時後変動し、ビームの露光量に対す
る電位の変換時の感度が変動する事態を補正するサイク
ルである。先ず、デジタルデータ出力装置４０からパル
ス幅が数段階に振られたデジタルデータ（標準条件時に
おける低変曲点電位ＶLに対応するデジタルデータの前
後範囲で選択）を順次出力し、ＤＡ変換器４１、比較回
路４３を経てレーザ（ＬＤ）駆動回路４４にて発生した
レーザ光により感光体２１上に数段階の静電潜像を形成
する。この状態において、各パルス幅の潜像電位を電位
検出センサ４６にて検出し、アナログビデオ信号とそれ
によって発生した感光体２１上の潜像電位とを切替光量
判断回路４７の第１のメモリ４７１、第２のメモリ４７
２にそれぞれ格納する。そして、第２のメモリ４７２に
格納された潜像電位と潜像形成に必要な電位を格納した
低変曲点電位ＶLとを比較して、初めて低変曲点電位ＶL
に到達しない電位とそのアドレスとを第１のメモリ４７
１に返し、その電位に対応するアナログビデオ信号を第
１のメモリ４７１中から取り出し、これを光量切替閾値
信号として光量切替回路４５に渡す。

【００３３】●画像形成サイクル 通常の画像形成サイクルにおいて、デジタルデータ出力
装置４０から多階調画像データからなるデジタル信号が
出力され、ＤＡ変換器４１にてアナログビデオ信号に変
換されると、このアナログビデオ信号は比較回路４３を
経てレーザ（ＬＤ）駆動回路４４へ送出され、所定のパ
ルス幅変調信号として出力される。このとき、アナログ
ビデオ信号が前記光量切替閾値信号より大きい場合に
は、光量切替回路４５はレーザ駆動回路４４に光量切替
信号を送出せず、レーザ駆動回路４４のレーザ光量設定
値を通常の設定値のままに維持するが、アナログビデオ
信号が前記光量切替閾値信号以下である場合には、光量
切替回路４５はレーザ駆動回路４４に光量切替信号を送
出し、レーザ駆動回路４４のレーザ光量設定値を切り替
え、低解像領域において現像可能なレベルのビーム露光
量に切り替える。本実施の形態においては、低解像領域
において切り替えられるビーム露光量は一定でもよい
が、光量切替閾値信号以下の場合のレーザ光量設定値
（露光強度）を数段階に切り替え、発生パルス幅と露光
強度とを反比例の形で対応させ、低解像領域の階調性を
より良好にすることが好ましい。

【００３４】このような画像形成過程においては、後述
する実施例からも確認されるように、高解像領域のみな
らず、低解像領域の潜像についても確実に可視像化さ
れ、画像の高階調性が達成された。

【００３５】◎実施の形態２ 本実施の形態に係る画像形成装置の基本的構成は実施の
形態１と略同様であるが、実施の形態１と異なる図９に
示すような露光制御系を有している。同図において、露
光制御系は、実施の形態１で用いられた電位検出センサ
４６に代わって濃度検出センサ５６を感光体２１の表面
近傍に取り付け、切替光量判断回路５７にて前記濃度検
出センサ５６で検出された濃度からレーザ光量設定値の
切り替えを判断するようにしたものである。尚、実施の
形態１と同様な構成要素については実施の形態１と同様
の符号を付してここではその詳細な説明を省略する。

【００３６】また、図１０は切替光量判断回路５７の詳
細を示す説明図である。同図において、切替光量判断回
路５７は、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性
検査サイクル（実施の形態１と同様）時に動作するもの
であり、アナログビデオ信号を格納する第１のメモリ５
７１と、前記アナログビデオ信号に対応して感光体２１
上に形成される潜像の現像濃度を格納する第２のメモリ
５７２と、可視像化する上で必要な基準濃度（実施の形
態１の低変曲点電位ＶLに相当）を格納した基準濃度メ
モリ５７３とを備えている。また、符号５７４は前記第
２のメモリ５７２に格納された現像濃度と基準濃度メモ
リ５７３の基準濃度とを比較し、第２メモリ５７２内の
現像濃度が基準濃度に到達せず基準濃度に限りなく近い
条件下で第２のメモリ５７２内の現像濃度とそのアドレ
スを第１のメモリ５７１に送出し、その現像濃度を発生
させたアナログビデオ信号を第１のメモリ５７１内から
取して光量切替回路４５へ渡すための比較器である。

【００３７】従って、本実施の形態にあっては、以下の
ような感光体特性検査サイクルと画像形成サイクルとが
行われる。 ●感光体特性検査サイクル 先ず、デジタルデータ出力装置４０からパルス幅が数段
階に振られたデジタルデータ（標準条件時における基準
濃度に対応するデジタルデータの前後範囲で選択）を順
次出力し、ＤＡ変換器４１、比較回路４３を経てレーザ
（ＬＤ）駆動回路４４にて発生したレーザ光により感光
体２１上に数段階の静電潜像を形成すると共に、現像装
置２４にて現像する。この状態において、各パルス幅の
現像濃度を濃度検出センサ５６にて検出し、アナログビ
デオ信号とそれによって発生した感光体２１上の現像濃
度とを切替光量判断回路５７の第１のメモリ５７１、第
２のメモリ５７２にそれぞれ格納する。そして、第２の
メモリ５７２に格納された現像濃度と基準濃度とを比較
して、初めて基準濃度に到達しない現像濃度とそのアド
レスとを第１のメモリ５７１に返し、その現像濃度に対
応するアナログビデオ信号を第１のメモリ５７１中から
取り出し、これを光量切替閾値信号として光量切替回路
４５に渡す。

【００３８】●画像形成サイクル 通常の画像形成サイクルにおいて、デジタルデータ出力
装置４０から多階調画像データからなるデジタル信号が
出力され、ＤＡ変換器４１にてアナログビデオ信号に変
換されると、実施の形態１と同様に、アナログビデオ信
号が前記光量切替閾値信号より大きい場合には、光量切
替回路４５はレーザ駆動回路４４に光量切替信号を送出
せず、レーザ駆動回路４４のレーザ光量設定値を通常の
設定値のままに維持するが、アナログビデオ信号が前記
光量切替閾値信号以下である場合には、光量切替回路４
５はレーザ駆動回路４４に光量切替信号を送出し、レー
ザ駆動回路４４のレーザ光量設定値を切り替え、低解像
領域において現像可能なレベルのビーム露光量に切り替
える。

【００３９】この形態においても、高解像領域のみなら
ず、低解像領域の潜像についても確実に可視像化され、
画像の高階調性が達成された。

【００４０】

【実施例】

◎実施例１ 本実施例は解像度４００ｓｐｉの画素に対して適応した
ものであり、レーザビーム半径を主走査方向は２０μ
ｍ、副走査方向を３０μｍとし、ビームパワーを０．４
ｍＷ、また、光書き込み装置２３として、走査速度が１
０００ｍ／ｓであるＲＯＳ（Raster Output Scanner）
を用いた。そして、パルス幅を変調すると共に、低解像
領域でビームパワーを増大させた場合の階調性の変化に
ついてシミュレート実験した。尚、本実施例で用いられ
るＨｉｇｈ−γ特性の感光体のＰＩＤＣ（Photoinduced
Discharge Curve）を図１１に、また、単位画素あたり
のＲＯＳ点灯時間とビームパワー（露光量）との関係を
図１２に夫々示す。

【００４１】図１３はパルス幅ＷL（本実施例ではＷL＝
３０％）以下でビームパワーを増大させた場合の、ＲＯ
Ｓ点灯時間（パルス幅変調０〜１００％）を１０％刻み
で行ったときのＲＯＳ点灯時間と露光量との関係を示
し、図１４は図１３と同様な条件下におけるＲＯＳ点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示す。尚、図
１３，１４の横軸の長さ（ＦＳ方向）は主走査方向の画
素幅寸法を示す。本実施例では、ビームパワーの増大幅
は２０％時が０．４ｍＷから０．５ｍＷ、１０％時が
０．４ｍＷから０．８ｍＷとした。

【００４２】本実施例において、高解像性は現像電位
（ここでは３００Ｖ）で切ったときの潜像電位幅が変調
パルス幅毎に一定間隔となっているときに良好であると
判断した。図１３、図１４によれば、パルス幅ＷL以下
でビームパワーを増大させた場合は、０〜３０％間でも
高解像性を維持でき、カラー画像に多い低解像部分の階
調をビームパワーを変調しない比較例１（図１５、図１
６参照）に比べ、より長い範囲で取ることができ、安定
したハーフトーン画像を得ることができる。

【００４３】◎比較例１ ビームパワーを０．４ｍＷ一定とし、それ以外を実施例
１と同様の条件下においてパルス幅変調して、階調性の
変化についてシミュレート実験した。図１５はパルス幅
ＷL（本実施例ではＷL＝３０％）以下でビームパワーを
変えない場合の、ＲＯＳ点灯時間Ｃin（パルス幅変調０
〜１００％）を１０％刻みで行ったときのＲＯＳ点灯時
間と露光量との関係を示し、図１６は図１５と同様な条
件下におけるＲＯＳ点灯時間と感光体上の潜像電位分布
との関係を示す。図１５、図１６によれば、ビームパワ
ーを変えない場合、ＲＯＳ点灯時間（変調パルス幅）Ｃ
inが３０％を下回ると解像性が落ち、２０％を下回ると
感光体上に潜像を形成しないことが確認された。このた
め、低解像部分の階調をとるためにパルス幅２０〜３０
％の領域を極めて狭い範囲で使わなければならない。

【００４４】◎比較例２ 実施例１は感光体上の主走査方向のビーム径が副走査方
向に比べて小さくなっている場合について述べた。次
に、レーザビーム半径を主走査方向は３０μｍ、副走査
方向を３０μｍとし、ビームパワーを０．６ｍＷ、ま
た、ＲＯＳの走査速度は１０００ｍ／ｓで同様のシミュ
レート実験を行った。図１７はパルス幅ＷL以下でビー
ムパワーを変えない場合の、ＲＯＳ点灯時間（パルス幅
変調を０〜１００％）を１０％刻みで行ったときの感光
体上の潜像電位分布である。また、パルス幅ＷL以下で
ビームパワーを増大させ、低解像領域の階調性を高める
ため、パルス幅２０％の時のビームパワーを０．８５ｍ
Ｗに上げた時の電位分布をパルス幅３０％時の電位分布
と合わせた図を図１８に示す。

【００４５】図１７及び図１８から分かるように、パル
ス幅ＷL以下でビームパワーを増大させた場合、パルス
幅２０％の電位分布とパルス幅３０％時の電位分布のグ
ラフとが重なってきてしまうことが把握される。このこ
とから、ビームの主走査方向のビーム径が副走査方向の
ビーム系と同等だと、パルス幅ＷL以下でビームパワー
を増大させても、現像電位付近で見たときの幅も増大
し、低解像領域の階調性を高める効果を起こさないこと
があることが理解される。それゆえ、主走査方向のビー
ム径が副走査方向に比べて小さくなっている場合に、パ
ルス幅ＷL以下の低解像領域で潜像形成を行い、高階調
性を達成できる効果を有効に働かせることが可能である
ことが確認される。

【００４６】◎比較例３ この比較例は、積層型感光体を用い、ビームパワーを
０．２８ｍＷ一定とし、それ以外を実施例１と同様の条
件下においてパルス幅変調して、階調性の変化について
シミュレート実験した。図１９は本比較例で用いた積層
型感光体のＰＩＤＣを示し、図２０はビームパワーを変
えない場合の、ＲＯＳ点灯時間Ｃin（パルス幅変調０〜
１００％）を１０％刻みで行ったときのＲＯＳ点灯時間
と露光量との関係を示し、図２１は図２０と同様な条件
下におけるＲＯＳ点灯時間と感光体上の潜像電位分布と
の関係を示す。この比較例によれば、本実施例に係るＨ
ｉｇｈ−γ特性の感光体において、図２１に相当するＲ
ＯＳ点灯時間と感光体上の潜像電位分布との関係が得ら
れていることが確認される。

【００４７】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、スイッチング的に電位減衰する感度曲線を持つＨｉ
ｇｈ−γ特性の感光体において、電位減衰するレベルの
閾値未満のパルス幅にて変調された光量のビームパワー
を、前記閾値以上のパルス幅にて変調された光量のビー
ムパワーに比べて大きく設定することにより、前記閾値
未満の低解像領域での潜像形成を行うようにしたので、
Ｈｉｇｈ−γ特性の感光体を用いて、高解像領域のみな
らず、低解像領域までの階調性を確実に達成できる。こ
のため、Ｈｉｇｈ−γ特性の感光体を電子写真プロセス
に適用するとき、消費電力、感光体の劣化を最小限に抑
えながら、低解像領域の階調性を高め、高階調な画像形
成を確実に実現することができる。

【００４８】また、本発明において、感光体の経時変化
や環境変化による電位減衰するレベルの閾値変化を定期
的に求め、求められた閾値未満の低解像領域についてビ
ームパワーを増大させるようにすれば、感光体の経時変
化や環境変化に影響されることなく、低解像領域の階調
性を高め、高階調な画像形成を確実に実現することがで
きる。

【００４９】更に、本発明において、感光体上に照射す
るビームドット径として主走査方向の径寸法を副走査方
向の径寸法に比べて小さく設定するようにすれば、低解
像領域の階調性を確実に高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明に係る画像形成方法及びその装置の
構成を示す説明図である。

【図２】 この発明に係る画像形成原理を示す説明図で
ある。

【図３】 実施の形態１に係る画像形成装置の概要を示
す説明図である。

【図４】 （ａ）は実施の形態１で用いられる感光体ド
ラムの明減衰特性を示す説明図、（ｂ）は実施の形態１
で用いられる感光体ドラムの暗減衰特性を示す説明図で
ある。

【図５】 実施の形態１で用いられるレーザの出力特性
を示すグラフ図である。

【図６】 実施の形態１で用いられるレーザ出力光量で
ある露光量と感光体表面電位との関係を示すグラフ図で
ある。

【図７】 実施の形態１で用いられる露光制御系を示す
ブロック図である。

【図８】 図７の切替光量判断回路の詳細を示すブロッ
ク図である。

【図９】 実施の形態２で用いられる露光制御系を示す
ブロック図である。

【図１０】 図９の切替光量判断回路の詳細を示すブロ
ック図である。

【図１１】 実施例１で用いられる感光体のＰＩＤＣを
示すグラフ図である。

【図１２】 実施例１で用いられる感光体の単位画素あ
たりのＲＯＳ点灯時間と露光量との関係を示すグラフ図
である。

【図１３】 実施例１において、パルス幅ＷL以下でビ
ームパワーを増大させた場合の、ＲＯＳ点灯時間（パル
ス幅変調０〜１００％）を１０％刻みで行ったときのＲ
ＯＳ点灯時間と露光量との関係を示すグラフ図である。

【図１４】 図１３と同様な条件下におけるＲＯＳ点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示すグラフ図
である。

【図１５】 比較例１において、パルス幅ＷL以下でビ
ームパワーを変えない場合の、ＲＯＳ点灯時間（パルス
幅変調０〜１００％）を１０％刻みで行ったときのＲＯ
Ｓ点灯時間と露光量との関係を示すグラフ図である。

【図１６】 図１５と同様な条件下におけるＲＯＳ点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示すグラフ図
である。

【図１７】 比較例２において、パルス幅ＷL以下でビ
ームパワーを変えない場合の、ＲＯＳ点灯時間（パルス
幅変調を０〜１００％）を１０％刻みで行ったときの感
光体上の潜像電位分布である。

【図１８】 比較例２において、パルス幅２０％の時の
ビームパワーを０．８５ｍＷに上げた時の電位分布をパ
ルス幅３０％時の電位分布と合わせたグラフ図である。

【図１９】 比較例３で用いられる積層型感光体のＰＩ
ＤＣを示すグラフ図である。

【図２０】 比較例３に係るビームパワーを変えない場
合の、ＲＯＳ点灯時間（パルス幅変調０〜１００％）を
１０％刻みで行ったときのＲＯＳ点灯時間と露光量との
関係を示すグラフ図である。

【図２１】 図２０と同様な条件下におけるＲＯＳ点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示すグラフ図
である。

【図２２】 単層型感光体のインダクション効果による
電位減衰特性を示すグラフ図である。

【符号の説明】

１…感光体，２…帯電手段，３…露光手段，４…現像手
段，５…パルス幅可変手段，６…露光強度可変手段，
７，１２…検査用像作成手段，８…電位検出手段，９，
１４…閾値パルス幅判別手段，１０，１５…パルス幅判
断手段，１１，１６…露光強度制御手段，１３…濃度検
出手段，２１…感光体，２２…帯電装置，２３…光書き
込み装置，２４…現像装置，４０…デジタルデータ出力
装置，４１…ＤＡ変換器，４２…三角波発生器，４３…
比較回路，４４…レーザ（ＬＤ）駆動回路，４５…光量
切替回路，４６…電位検出センサ，４７，５７…切替光
量判断回路，５６…濃度検出センサ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一様帯電された表面電位（ＶP）がある
   露光量（Ａ0）を境として急激に減衰する電位減衰特性
   の感光体（１）を用い、帯電工程にて帯電された感光体
   （１）に対し露光工程による露光にて画像パターンに応
   じた潜像を書き込み、現像工程にて前記潜像を可視像化
   する画像形成方法において、 多階調画像データに応じたパルス幅が露光工程による潜
   像形成若しくは現像工程による現像形成可能なレベルで
   ある閾値パルス幅（ＷL）以上か否かを判別するパルス
   幅判別工程と、 このパルス幅判別工程にて前記パルス幅が閾値パルス幅
   （ＷL）以上であると判別された条件下では、照射ビー
   ムが通常の露光強度による露光を行なう高解像領域用露
   光工程と、 前記パルス幅判別工程にて前記パルス幅が閾値パルス幅
   （ＷL）未満であると判別された条件下では、照射ビー
   ムが通常の露光強度よりも大きく設定され、閾値パルス
   幅（ＷL）未満の低解像領域の潜像電位レベルが現像可
   能レベルになる露光を行なう低解像領域用露光工程とを
   備えたことを特徴とする画像形成方法。
2. 【請求項２】 一様帯電された表面電位（ＶP）がある
   露光量（Ａ0）を境として急激に減衰する電位減衰特性
   の感光体（１）を用い、帯電手段（２）にて帯電された
   感光体（１）に対し露光手段（３）による露光にて画像
   パターンに応じた潜像を書き込み、現像手段（４）にて
   前記潜像を可視像化する画像形成装置において、 前記露光手段（３）には、多階調画像データに応じて照
   射ビームのパルス幅を変調するパルス幅可変手段（５）
   と、照射ビームの露光強度を可変設定する露光強度可変
   手段（６）とを設け、 通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検査サイク
   ル時に前記パルス幅可変手段（５）にて露光手段（３）
   からパルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光体
   （１）上に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段
   階的に作成する検査用像作成手段（７）と、 この検査用像作成手段（７）にて作成された感光体
   （１）上の各パルス幅に対応する潜像電位を検出する電
   位検出手段（８）と、 この電位検出手段（８）にて検出された潜像電位のう
   ち、感光体（１）の急激な電位減衰部分の低電位側変曲
   点における低変曲点電位（ＶL）に対応する露光手段
   （３）の閾値パルス幅（ＷL）を求める閾値パルス幅判
   別手段（９）と、 画像形成サイクル時にパルス幅可変手段（５）にて可変
   設定される多階調画像データのパルス幅が前記閾値パル
   ス幅判別手段（９）にて判別された閾値パルス幅（Ｗ
   L）よりも小さいか否かを判断するパルス幅判断手段
   （１０）と、 このパルス幅判断手段（１０）にて多階調画像データの
   パルス幅が閾値パルス幅（ＷL）よりも小さいと判断さ
   れた状況下で、露光強度可変手段（６）による露光強度
   を閾値パルス幅（ＷL）以上の時に比べて大きく設定
   し、閾値パルス幅（ＷL）未満の低解像領域の潜像電位
   レベルを現像可能レベルに変更する露光強度制御手段
   （１１）とを備えたことを特徴とする画像形成装置。
3. 【請求項３】 一様帯電された表面電位（ＶP）がある
   露光量（Ａ0）を境として急激に減衰する電位減衰特性
   の感光体（１）を用い、帯電手段（２）にて帯電された
   感光体（１）に対し露光手段（３）による露光にて画像
   パターンに応じた潜像を書き込み、現像手段（４）にて
   前記潜像を可視像化する画像形成装置において、 前記露光手段（３）には、多階調画像データに応じて照
   射ビームのパルス幅を変調するパルス幅可変手段（５）
   と、照射ビームの露光強度を可変設定する露光強度可変
   手段（６）とを設け、 通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検査サイク
   ル時に前記パルス幅可変手段（５）にて露光手段（３）
   からパルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光体
   （１）上に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段
   階的に作成すると共に、各潜像を現像手段（４）にて可
   視像化する検査用像作成手段（１２）と、 この検査用像作成手段（１２）にて作成された感光体
   （１）上の各パルス幅に対応する現像像の濃度情報を検
   出する濃度検出手段（１３）と、 この濃度検出手段（１３）にて検出される濃度情報に基
   づいて、現像像が形成可能な下限レベルの濃度情報に対
   応する閾値パルス幅（ＷL）を求める閾値パルス幅判別
   手段（１４）と、 画像形成サイクル時にパルス幅可変手段（５）にて可変
   設定される多階調画像データのパルス幅が前記閾値パル
   ス幅判別手段（１４）にて判別された閾値パルス幅（Ｗ
   L）よりも小さいか否かを判断するパルス幅判断手段
   （１５）と、 このパルス幅判断手段（１５）にて多階調画像データの
   パルス幅が閾値パルス幅（ＷL）よりも小さいと判断さ
   れた状況下で、露光強度可変手段（６）による露光強度
   を閾値パルス幅（ＷL）以上の時に比べて大きく設定
   し、閾値パルス幅（ＷL）未満の低解像領域の潜像電位
   レベルを現像可能レベルに変更する露光強度制御手段
   （１６）とを備えたことを特徴とする画像形成装置。
4. 【請求項４】 請求項２又は３いずれかに記載のものに
   おいて、露光手段（３）は、感光体（１）上に照射する
   ビームドット径として主走査方向の径寸法を副走査方向
   の径寸法に比べて小さく設定したものであることを特徴
   とする画像形成装置。