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JPH0919787A - Working method of non-metallic material and its device - Google Patents

Working method of non-metallic material and its device

Info

Publication number
JPH0919787A
JPH0919787A JP7168912A JP16891295A JPH0919787A JP H0919787 A JPH0919787 A JP H0919787A JP 7168912 A JP7168912 A JP 7168912A JP 16891295 A JP16891295 A JP 16891295A JP H0919787 A JPH0919787 A JP H0919787A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metallic material
substrate
laser light
processing
carbon dioxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7168912A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuyuki Imoto
克之 井本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP7168912A priority Critical patent/JPH0919787A/en
Publication of JPH0919787A publication Critical patent/JPH0919787A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make an edge part of a cut surface smooth and uniform without generating cracks, to prevent fine powders of a non-metallic material generated during cutting from sticking and to correctly work into a desired pattern in the case of working the non-metallic material. SOLUTION: In a working method wherein the non-metallic material 10 is worked with the non-metallic material 10 transfered while allowing an assist gas 12 to flow along the propagating direction of a CO2 laser beam 11 and irradiating on the surface of the non-metallic material 10 with the CO2 laser beam 11, the surface of the non-metallic material 10 is worked while getting it wet with a water 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、炭酸ガスレーザ光
の伝搬方向に沿ってアシストガスを流しながら非金属材
料の表面に炭酸ガスレーザ光を照射しつつ、非金属材料
を移動させて非金属材料を加工する非金属材料の加工方
法及びその加工装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention irradiates a surface of a non-metallic material with carbon dioxide laser light while flowing an assist gas along the direction of propagation of carbon dioxide laser light, and moves the non-metal material to remove the non-metal material. The present invention relates to a method of processing a non-metallic material to be processed and a processing apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ガラス材料、磁性材料、半導体材
料及び誘電体材料等の非金属材料の基板上や基板中に、
集積回路、光回路を実装した光集積回路或いは電気回路
と光回路とを一体化した電気/光集積回路の製品開発が
活発化してきた。
2. Description of the Related Art In recent years, on and in substrates of non-metal materials such as glass materials, magnetic materials, semiconductor materials and dielectric materials,
Product development of integrated circuits, optical integrated circuits having optical circuits mounted therein, or electric / optical integrated circuits in which electric circuits and optical circuits are integrated has become active.

【0003】この種の集積回路は、サイズが3インチか
ら10数インチの円形或いは四角形の基板に数十から数
万個の範囲で高密度に集積化される。例えば図5に示す
ように基板701を切断してそれぞれn×m個の集積回
路702のチップに分離される。基板701の切断、分
離方法としては基板701を一点鎖線703a〜703
n、704a〜704mに沿ってダイヤモンドブレード
ダイシングを行うか、又はレーザ光を照射することによ
りスクライビングを行っている。
This type of integrated circuit is densely integrated in a range of several tens to several tens of thousands on a circular or square substrate having a size of 3 inches to 10 and several inches. For example, as shown in FIG. 5, the substrate 701 is cut and separated into n × m integrated circuit 702 chips. As a method of cutting and separating the substrate 701, the substrate 701 is defined by alternate long and short dash lines 703a to 703.
n, 704a to 704m, diamond blade dicing is performed or scribing is performed by irradiating a laser beam.

【0004】図6は本発明者が先に提案した、基板材料
の加工方法を適用した装置の概略図である(特願平6−
247436号)。
FIG. 6 is a schematic view of an apparatus to which the method of processing a substrate material proposed by the present inventor has been applied (Japanese Patent Application No. 6-
247436).

【0005】これは炭酸ガス(CO2 )レーザ801か
ら出射した後集光レンズLeで集光されたレーザ光Lの
回りに、アシストガス導入管802を通してアシストガ
スGを吹き付けつつ、ベース803上に真空吸着で固定
されたガラス基板804に照射してA、B2つに切断加
工するものである。尚805は貫通口である。
[0005] This is on the base 803 while blowing the assist gas G through the assist gas introduction pipe 802 around the laser light L which is emitted from the carbon dioxide gas (CO 2 ) laser 801 and then condensed by the condenser lens Le. The glass substrate 804 fixed by vacuum suction is irradiated and cut into two pieces A and B. Reference numeral 805 is a through hole.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで図6に示した
装置を用いて熱膨張係数の大きい非金属材料基板を切断
したり、スリットを形成すると、以下のような問題点が
生じることが分かった。
By the way, it has been found that the following problems occur when a non-metallic material substrate having a large coefficient of thermal expansion is cut or a slit is formed using the apparatus shown in FIG. .

【0007】(1) 液晶ディスプレイ用の無アルカリガラ
ス基板(厚さ1.1mm)を切断すると、切断した基板
1−1、1−2のエッジ部に熱変形歪による無数のマイ
クロクラック2−1、2−2が発生して破断し、結果的
に所望の切り代幅Wd(100μm以下)よりもはるか
に広い切り代幅Wr(1mm以上)で切断されてしま
う。
(1) When a non-alkali glass substrate (thickness: 1.1 mm) for a liquid crystal display is cut, innumerable micro cracks 2-1 due to thermal deformation strain are formed on the edges of the cut substrates 1-1, 1-2. 2-2 occurs and breaks, resulting in cutting at a cutting margin width Wr (1 mm or more) much wider than a desired cutting margin width Wd (100 μm or less).

【0008】(2) 切断した基板1−1、1−2の両側面
及び両エッジ部3−1、3−2も不均一な凹凸が発生す
る(切断完了時(図7(a))、切断数十秒後(図7
(b)))。
(2) Uneven irregularities are also generated on both side surfaces of the cut substrates 1-1 and 1-2 and both edge portions 3-1 and 3-2 (when cutting is completed (FIG. 7A)). After cutting for several tens of seconds (Fig. 7
(B))).

【0009】(3) 切断時に発生した非金属材料の微粉末
が切断面及び基板の表裏に付着する。
(3) Fine powder of non-metallic material generated during cutting adheres to the cut surface and the front and back surfaces of the substrate.

【0010】(4) 液晶ディスプレイ用の無アルカリガラ
ス基板を良好に切断できる場合があるが、非常に歩留り
が低く、しかも切断後しばらくの間放置すると切断した
基板のエッジ部にクラックが発生し、結果的に不均一に
割れてしまう。
(4) The non-alkali glass substrate for liquid crystal display may be satisfactorily cut, but the yield is very low, and if left for a while after the cutting, cracks occur at the edge of the cut substrate, As a result, it cracks unevenly.

【0011】(5) 非金属材料に照射される炭酸ガスレー
ザ光のビームスポットの移動方向や位置を正確に制御す
ることが容易ではないので、直線状或いは曲線状、さら
には直線と曲線とを組み合わせた所望のパターンに正確
に加工することが容易ではない。
(5) Since it is not easy to accurately control the moving direction and the position of the beam spot of the carbon dioxide laser beam applied to the non-metallic material, it is difficult to control the linear shape or the curved shape, or the combination of the straight line and the curved line. It is not easy to accurately process the desired pattern.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、炭酸ガスレーザ光の伝搬方向に沿ってアシ
ストガスを流しながら非金属材料の表面に炭酸ガスレー
ザ光を照射しつつ、非金属材料を移動させて非金属材料
を加工する非金属材料の加工方法において、非金属材料
の表面を水でぬらしながら加工するものである。
In order to achieve the above object, the present invention is directed to irradiating a surface of a non-metallic material with carbon dioxide laser light while flowing an assist gas along the direction of propagation of carbon dioxide laser light, In a method of processing a non-metal material, which moves a material to process a non-metal material, the surface of the non-metal material is processed while being wet with water.

【0013】上記構成に加え本発明は、アシストガス
を、レーザ光が照射される基板上のスポット面に集中し
て吹き付けるようにしたものである。
In addition to the above configuration, the present invention is one in which the assist gas is sprayed in a concentrated manner on the spot surface on the substrate irradiated with the laser beam.

【0014】上記構成に加え本発明は、水を、レーザ光
が照射されるスポット面に向かって吹き付けるようにし
たものである。
In addition to the above configuration, the present invention is one in which water is sprayed toward a spot surface irradiated with laser light.

【0015】上記構成に加え本発明は、炭酸ガスレーザ
光を、非金属材料の種類に応じて波長9.0μmから1
1.3μmまでの範囲の中からグレーティングを用いて
選択した単一波長のレーザ光としてもよい。
In addition to the above structure, the present invention uses a carbon dioxide gas laser beam having a wavelength of 9.0 μm to 1 depending on the type of non-metallic material.
A single wavelength laser beam selected using a grating from the range of up to 1.3 μm may be used.

【0016】また、本発明は、炭酸ガスレーザ装置と、
炭酸ガスレーザ装置から出射されたレーザ光を加工すべ
く非金属材料へ案内すると共に集光する光学系と、レー
ザ光の伝搬方向に沿ってアシストガスを流すためのガス
導入系と、非金属材料を保持するためのステージと、ス
テージをレーザ光の伝搬方向に垂直な方向に移動させる
移動装置と、ステージに上記非金属材料を真空吸着させ
る機構と、上記非金属材料の表面上を水でぬらすための
水導入系とを備えたものである。
The present invention also provides a carbon dioxide gas laser device,
An optical system for guiding and condensing laser light emitted from a carbon dioxide laser device to a non-metallic material for processing, a gas introduction system for flowing an assist gas along the propagation direction of the laser light, and a non-metallic material A stage for holding, a moving device for moving the stage in a direction perpendicular to the propagation direction of the laser light, a mechanism for vacuum-adsorbing the non-metallic material on the stage, and for wetting the surface of the non-metallic material with water. And a water introduction system.

【0017】上記構成に加え本発明は、基板の切断箇所
を予めCCDカメラでモニタするモニタ装置と、モニタ
装置からのモニタ信号を画像処理する画像処理装置と、
画像処理装置からの信号で移動装置の移動を制御する制
御装置とを設けてもよい。
In addition to the above-mentioned structure, the present invention includes a monitor device for previously monitoring a cut portion of a substrate with a CCD camera, and an image processing device for image-processing a monitor signal from the monitor device.
A control device that controls the movement of the moving device by a signal from the image processing device may be provided.

【0018】上記構成によれば、水でぬらした非金属材
料からなる非金属材料の表面上の極微小面積部分に炭酸
ガスレーザ光を照射すると共にアシストガスを吹き付け
ることにより、非金属材料の炭酸ガスレーザ光のビーム
スポットが照射された極微小面積部分が露出する。この
ため非金属材料の表面にビームスポットが直接照射され
ると共に、その周辺の水でぬれた領域では炭酸ガスレー
ザ光の光エネルギーが水に吸収される。このため、非金
属材料の極微小面積部分のみに光エネルギー(熱応力)
が集中するので、非金属材料にはクラックの発生を伴う
ことなく切断或いは割断され、切断面のエッジ部が滑ら
かで均一となる。また、非金属材料の表面が水でぬれて
いるので、切断時に発生した非金属材料の微粉末が水内
を浮遊して非金属材料に付着しにくくなる。
According to the above structure, a carbon dioxide laser beam is irradiated onto a very small area on the surface of the non-metal material made of a non-metal material wetted with water, and an assist gas is blown to the carbon dioxide laser of the non-metal material. An extremely small area exposed by the beam spot of light is exposed. For this reason, the surface of the non-metallic material is directly irradiated with the beam spot, and the light energy of the carbon dioxide laser light is absorbed by the water in the area wetted by the water. Therefore, the light energy (thermal stress) is applied only to the extremely small area of the non-metallic material.
Are concentrated, the non-metallic material is cut or cleaved without the occurrence of cracks, and the edges of the cut surface are smooth and uniform. Further, since the surface of the non-metal material is wet with water, the fine powder of the non-metal material generated during cutting floats in the water and is unlikely to adhere to the non-metal material.

【0019】水をレーザ光が照射されるスポット面に向
かって吹き付けるようにした場合には、切断時に発生し
た非金属材料の微粉末が強制的に洗い流されるので付着
しない。
When the water is sprayed toward the spot surface irradiated with the laser beam, the fine powder of the non-metal material generated at the time of cutting is forcibly washed out and does not adhere.

【0020】炭酸ガスレーザ光を、非金属材料の種類に
応じて波長9.0μmから11.3μmまでの範囲の中
からグレーティングを用いて選択した単一波長のレーザ
光とした場合には、より滑らかで均一な加工面が形成さ
れる。
When the carbon dioxide gas laser beam is a single wavelength laser beam selected by using a grating from the wavelength range of 9.0 μm to 11.3 μm depending on the type of non-metallic material, it is smoother. A uniform machined surface is formed.

【0021】加工装置に非金属材料の切断箇所を予めC
CDカメラでモニタするモニタ装置と、モニタ装置から
のモニタ信号を画像処理する画像処理装置と、画像処理
装置からの信号で移動装置の移動を制御する制御装置と
を設けた場合には、非金属材料上のレーザビームのスポ
ットの移動方向及び位置を正確に制御することができる
うので所望するパターンに加工される。
[0021] The cutting point of the non-metallic material is C in advance in the processing device.
When a monitor device for monitoring with a CD camera, an image processing device for image-processing a monitor signal from the monitor device, and a control device for controlling the movement of the moving device by a signal from the image processing device are provided, a non-metal Since the moving direction and the position of the spot of the laser beam on the material can be accurately controlled, it is processed into a desired pattern.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明を非金属材料の加工に適用
した場合は、水でぬらした非金属材料からなる非金属材
料の表面上の極微小面積部分に炭酸ガスレーザ光を照射
すると共に、非金属材料の炭酸ガスレーザ光のビームス
ポットが照射された極微小面積部分が露出するようにア
シストガスを吹き付ける。非金属材料の表面にビームス
ポットが直接照射されると共に、その周辺の水でぬれた
領域では炭酸ガスレーザ光の光エネルギーが水に吸収さ
れる。このため非金属材料の極微小面積部分のみに光エ
ネルギー(熱応力)が集中するので、非金属材料にはク
ラックの発生を伴うことなく切断或いは割断され、切断
面のエッジ部が滑らかで均一となる。非金属材料の表面
が水でぬれているので、切断時に発生した非金属材料の
微粉末が水内を浮遊して非金属材料に付着が防止され
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION When the present invention is applied to the processing of a non-metallic material, carbon dioxide laser light is applied to an extremely small area on the surface of the non-metallic material which is wetted with water. An assist gas is sprayed so that a very small area portion irradiated with a beam spot of a carbon dioxide gas laser beam of a non-metal material is exposed. The surface of the non-metallic material is directly irradiated with the beam spot, and the light energy of the carbon dioxide laser light is absorbed by the water in the surrounding area wet with water. For this reason, light energy (thermal stress) is concentrated only on the extremely small area of the non-metallic material, so that the non-metallic material is cut or cleaved without causing cracks, and the edge of the cut surface is smooth and uniform. Become. Since the surface of the non-metallic material is wet with water, the fine powder of the non-metallic material generated during cutting floats in the water and is prevented from adhering to the non-metallic material.

【0023】非金属材料としては、ガラス、セラミック
ス等の脆性材料が好適である。アシストガスとしては、
2 、Ar、N2 、空気或いはこれらの混合ガスを用い
る。
As the non-metal material, brittle materials such as glass and ceramics are suitable. As assist gas,
O 2 , Ar, N 2 , air or a mixed gas thereof is used.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0025】図1は本発明の非金属材料の加工方法の原
理図である。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of the method for processing a non-metallic material according to the present invention.

【0026】同図に示すように、非金属材料からなる基
板10の表面に炭酸ガス(CO2 )レーザ光(以下「レ
ーザビーム」という)11を照射すると共に、レーザビ
ーム11の伝搬方向(矢印11−1)に沿ってアシスト
ガス(N2 、O2 、Ar或いは空気)12を吹き付け
て、基板10のビームスポットの極微小面積部分(以下
「スポット面」という)を蒸発させることによって基板
10を切断(或いは熱応力による亀裂13を発生させて
割断)する際に、基板10の表面を水でぬらしておく方
法である。
As shown in the figure, the surface of the substrate 10 made of a non-metallic material is irradiated with carbon dioxide (CO 2 ) laser light (hereinafter referred to as “laser beam”) 11 and the propagation direction of the laser beam 11 (arrow). 11-1), an assist gas (N 2 , O 2 , Ar or air) 12 is blown along the surface of the substrate 10 to evaporate a very small area portion (hereinafter referred to as “spot surface”) of the beam spot of the substrate 10. Is a method of wetting the surface of the substrate 10 with water when cutting (or cleaving by generating cracks 13 due to thermal stress).

【0027】基板10の切断或いは割断は、基板固定用
XYステージ(以下「ステージ」という。)15をX方
向及びY方向に移動させることによって行う。
The substrate 10 is cut or cleaved by moving a substrate fixing XY stage (hereinafter referred to as "stage") 15 in the X and Y directions.

【0028】ステージ15は基板10の大きさに合わせ
て形成され、略凹字形状の断面を有している。凹部15
−1の中央にはさらに凹部15−2が形成されている。
この凹部15−2にはZnSe透光板16が嵌め込まれ
ている。凹部15−2の中央にはレーザビーム貫通口1
5−3が形成されている。基板10はステージ15の凹
部15−1上に載置され、真空吸引装置17でステージ
15上に密着固定されている。基板10には、ガラス、
セラミックス等の脆性材料が好適である。基板10の表
面には水膜14が形成されている。尚、18はガスノズ
ルである。
The stage 15 is formed in accordance with the size of the substrate 10 and has a substantially concave cross section. Recess 15
A concave portion 15-2 is further formed at the center of -1.
A ZnSe light-transmitting plate 16 is fitted in the recess 15-2. A laser beam through hole 1 is provided at the center of the recess 15-2.
5-3 is formed. The substrate 10 is placed on the concave portion 15-1 of the stage 15 and is closely fixed on the stage 15 by the vacuum suction device 17. The substrate 10 is made of glass,
Brittle materials such as ceramics are suitable. A water film 14 is formed on the surface of the substrate 10. In addition, 18 is a gas nozzle.

【0029】ガスノズル18内にはアシストガス12が
レーザビーム11の伝搬方向に沿って吹き付けられるた
め、基板10上のレーザビーム11が照射されるスポッ
ト面付近はアシストガスの吹き付けにより水膜14が部
分的に除去されて基板10が露出する。このため、基板
10上のスポット面の内側ではレーザビーム11が直接
照射されるので光エネルギー密度が高くなる(光エネル
ギー分布が狭く急峻になる)。
Since the assist gas 12 is blown into the gas nozzle 18 along the propagation direction of the laser beam 11, the water film 14 is partially blown by the blow of the assist gas near the spot surface of the substrate 10 irradiated with the laser beam 11. Are removed to expose the substrate 10. Therefore, the laser beam 11 is directly irradiated on the inside of the spot surface on the substrate 10, so that the light energy density becomes high (the light energy distribution becomes narrow and steep).

【0030】これに対して基板10上のスポット面の外
側は水膜14で覆われており、水に吸収されやすい炭酸
ガスレーザ光がされるので、スポット面の外側では光エ
ネルギー密度が小さくなり、光エネルギーによる熱の基
板10への伝達が抑制される。すなわち、基板10のス
ポット面だけに光エネルギーが集中する。このため、熱
歪みによる基板10へのマイクロクラックの発生が抑え
られ、切断切り代幅が狭くなる。また、割断の場合には
熱応力による亀裂の進展を、水でぬらすことにより促進
させることができ、レーザ光が照射された軌跡に沿って
忠実に割断される。さらに加工中に生じた基板10の微
粉末は水膜14内を浮遊するので、非金属材料に付着す
ることがなくなる。
On the other hand, the outside of the spot surface on the substrate 10 is covered with the water film 14, and the carbon dioxide laser light that is easily absorbed by water is emitted, so that the light energy density becomes small on the outside of the spot surface. The transfer of heat to the substrate 10 due to light energy is suppressed. That is, the light energy is concentrated only on the spot surface of the substrate 10. Therefore, generation of microcracks in the substrate 10 due to thermal strain is suppressed, and the cutting margin is reduced. Further, in the case of cleaving, the progress of cracks due to thermal stress can be promoted by wetting with water, and cleaving is faithfully performed along the locus irradiated with laser light. Further, since the fine powder of the substrate 10 generated during the processing floats inside the water film 14, it does not adhere to the non-metallic material.

【0031】以上において、基板の表面を水でぬらして
おいて、レーザビームをその基板上に照射する際に、ア
シストガスをスポットの外周に流すことにより、基板上
のレーザビームの照射されたスポット面だけに光エネル
ギーが集中し、スポット外周の熱分布によるマイクロク
ラックの発生が抑えられる。また、切り代幅が狭くな
り、かつ均一な切断面が得られる。
In the above, the surface of the substrate is wetted with water, and when the laser beam is irradiated onto the substrate, the assist gas is caused to flow to the outer periphery of the spot, so that the spot irradiated with the laser beam on the substrate. Light energy is concentrated only on the surface, and the generation of microcracks due to the heat distribution around the spot is suppressed. Further, the width of cutting margin is narrowed and a uniform cut surface can be obtained.

【0032】図2は本発明の非金属材料の加工方法を適
用した加工装置の一実施例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a processing apparatus to which the method for processing a non-metallic material of the present invention is applied.

【0033】同図において、20は炭酸ガスレーザ装置
であり、ボックス21内には外付けグレーティング部2
2と炭酸ガスレーザ管23とが設けられている。炭酸ガ
スレーザ管23の両端には内部鏡24とブルースター窓
25とがそれぞれ設けられている。炭酸ガスレーザ管2
3には混合気体(CO2 、N2 、Heを混合比8:1
8:74の割合で混合した気体)26が封入されてい
る。炭酸ガスレーザ管23の端部付近には一対の電極2
7−1、27−2が設けられており、両電極27−1、
27−2は駆動電源28にそれぞれ接続されている。
In the figure, reference numeral 20 is a carbon dioxide laser device, and an external grating portion 2 is provided in a box 21.
2 and a carbon dioxide laser tube 23 are provided. An internal mirror 24 and a Brewster window 25 are provided at both ends of the carbon dioxide laser tube 23, respectively. Carbon dioxide laser tube 2
3 is a mixed gas (CO 2 , N 2 and He at a mixing ratio of 8: 1).
Gas mixed in a ratio of 8:74) 26 is enclosed. A pair of electrodes 2 is provided near the end of the carbon dioxide laser tube 23.
7-1, 27-2 are provided, and both electrodes 27-1,
27-2 are connected to the drive power supply 28, respectively.

【0034】炭酸ガスレーザ装置20の出射口(内部鏡
24側)には、出射したレーザ光L1の一部L2を取り
出すためのハーフミラーからなるモニタ光検出用ミラー
29が設けられている。モニタ光検出用ミラー29で反
射されたレーザ光L2はモニタ光検出器30でモニタさ
れ、モニタ信号31として取り出されるようになってい
る。このモニタ信号31を基にしたフィードバック信号
32が駆動電源28にフィードバックされ、レーザ光L
1の出力が一定に保たれるようになっている。
A monitor light detecting mirror 29, which is a half mirror for taking out a part L2 of the emitted laser light L1, is provided at the emission opening (on the side of the internal mirror 24) of the carbon dioxide laser device 20. The laser light L2 reflected by the monitor light detecting mirror 29 is monitored by a monitor light detector 30 and is taken out as a monitor signal 31. A feedback signal 32 based on the monitor signal 31 is fed back to the drive power source 28, and the laser light L
The output of 1 is kept constant.

【0035】モニタ光検出用ミラー29を透過したレー
ザ光L3は、光シャッタ開閉調節部33を経て全反射ミ
ラー34で加工すべき基板35側(図では下側)へ反射
される。全反射ミラー34で反射されたレーザ光L3は
集光レンズ36で集光されてレーザビームとなる。
The laser light L3 transmitted through the monitor light detecting mirror 29 is reflected by the total reflection mirror 34 to the side of the substrate 35 to be processed (lower side in the figure) via the optical shutter opening / closing adjusting section 33. The laser light L3 reflected by the total reflection mirror 34 is condensed by the condenser lens 36 to be a laser beam.

【0036】これら全反射ミラー34と集光レンズ36
とで光学系37が形成されており、光学系37はモニタ
光検出ミラー29、光シャッタ開閉調節部33の光シャ
ッタ38と共に断面L字形状の筒状体からなる筐体39
内に収容されている。
These total reflection mirror 34 and condenser lens 36
An optical system 37 is formed by the optical system 37, and the optical system 37 includes a monitor light detection mirror 29, an optical shutter 38 of the optical shutter opening / closing adjuster 33, and a casing 39 formed of a tubular body having an L-shaped cross section.
Housed within.

【0037】光学系37の筐体39のレーザ光出射口に
はレーザ光L3の伝搬方向に沿ってアシストガスG1を
吹き付けるためのガス供給口40とガスノズル41とか
らなるガス導入系42が設けられている。ガス導入系4
2の下には基板保持移動装置43が配置されている。
A gas introduction system 42 including a gas supply port 40 and a gas nozzle 41 for blowing the assist gas G1 along the propagation direction of the laser beam L3 is provided at the laser beam emission port of the housing 39 of the optical system 37. ing. Gas introduction system 4
A substrate holding / moving device 43 is arranged below 2.

【0038】基板保持移動装置43は基板を保持するた
めのステージ44と、ステージ44を少なくともX方
向、Y方向に移動させる移動装置45とで構成されてい
る。ステージ44には、ステージ44に基板35を真空
吸着させる真空吸引装置46が設けられ、基板35の表
面上に水膜47を形成するための水導入系(図示せず)
が設けられている。尚、48はZnSe透光板であり、
49はレーザビーム貫通口である。
The substrate holding and moving device 43 comprises a stage 44 for holding the substrate and a moving device 45 for moving the stage 44 in at least the X and Y directions. The stage 44 is provided with a vacuum suction device 46 for vacuum-adsorbing the substrate 35 on the stage 44, and a water introduction system (not shown) for forming a water film 47 on the surface of the substrate 35.
Is provided. Incidentally, 48 is a ZnSe transparent plate,
49 is a laser beam through hole.

【0039】このような加工装置において、蒸発により
基板35を切断する場合には(f+g)の値は略集光レ
ンズ36の焦点距離値に設定される。また割断により基
板35を割る場合には(f+g)の値は集光レンズ35
の焦点距離に5〜12mmを加えた値が好ましい。炭酸
ガスレーザ装置20から出力されるレーザ光の発振波長
は、グレーティング部22の角度調節部22−1を矢印
方向22−2に回動させることによりその角度θを調節
することにより波長9.0μm〜11.3μmの範囲の
中から単一の発振波長が選択される。この波長の選択
は、基板35の種類によって変えることができる。例え
ば、ガラスやセラミックス基板の場合の波長は約10.
6μmが好ましいが、Si基板の場合には約9.1μm
が好ましい。
In such a processing apparatus, when the substrate 35 is cut by evaporation, the value of (f + g) is set to the focal length value of the condenser lens 36. When the substrate 35 is broken by cutting, the value of (f + g) is equal to that of the condenser lens 35.
A value obtained by adding 5 to 12 mm to the focal length of is preferable. The oscillation wavelength of the laser light output from the carbon dioxide gas laser device 20 is 9.0 μm by adjusting the angle θ by rotating the angle adjusting unit 22-1 of the grating unit 22 in the arrow direction 22-2. A single oscillation wavelength is selected from the range of 11.3 μm. The selection of this wavelength can be changed depending on the type of the substrate 35. For example, in the case of a glass or ceramic substrate, the wavelength is about 10.
6 μm is preferable, but about 9.1 μm in case of Si substrate
Is preferred.

【0040】このような加工装置を用いて非金属材料を
加工した具体例を数値を用いて以下に示すが数値限定さ
れるものではない。
Specific examples of processing a non-metallic material using such a processing apparatus will be shown below using numerical values, but the numerical values are not limited.

【0041】(具体例1)厚さ1.1mmの無アルカリ
ガラスからなる基板35に、炭酸ガスレーザ装置20か
ら出力70Wのレーザビームを照射し、基板35をX方
向に10mm/secの速度で移動させた。基板35上
には約1mm厚の水膜47を形成した。アシストガスG
にはN2 ガスを用い、ガスノズル41の出口部での圧力
が3Kg/cm2 となるように設定した。またレーザビ
ームは基板35の表面上に焦点を結ぶように集光させて
切断を行った。その結果、切り代幅100μm以下でマ
イクロクラックのない切断加工を行うことができた。こ
れに対して基板35上の水膜47を除去して同様の切断
加工を行うと、基板35の切断面にマイクロクラックが
発生し、このマイクロクラックによって切断面付近のガ
ラスにひび割れが生じ、結果的に切断面が不均一な形状
に変形してしまった。
(Specific Example 1) A substrate 35 made of non-alkali glass having a thickness of 1.1 mm is irradiated with a laser beam having an output of 70 W from the carbon dioxide laser device 20, and the substrate 35 is moved in the X direction at a speed of 10 mm / sec. Let A water film 47 having a thickness of about 1 mm was formed on the substrate 35. Assist gas G
N 2 gas was used as the gas, and the pressure at the outlet of the gas nozzle 41 was set to 3 Kg / cm 2 . Further, the laser beam was focused and focused on the surface of the substrate 35 to perform cutting. As a result, it was possible to perform cutting processing with a cutting margin width of 100 μm or less and without microcracks. On the other hand, when the water film 47 on the substrate 35 is removed and the same cutting process is performed, microcracks are generated on the cut surface of the substrate 35, and the microcracks cause cracks in the glass near the cut surface. The cut surface was deformed into a non-uniform shape.

【0042】(具体例2)具体例1の条件において、レ
ーザビームの焦点位置が基板35の上面より9mm上に
位置するように設定し、基板35をX方向に12mm/
secの速度で移動させることにより基板35を割断す
ることができた。この場合も従来法と比較するために、
基板35上の水膜47を除去して同様の割断加工を行っ
たが、基板35の表面には熱応力による亀裂が発生せ
ず、基板35は割断されなかった。そこで、基板35の
移動速度を7mmまで遅くすると、一応の割断が行われ
ることが分かったが、割断面にはマイクロクラックが発
生していた。
(Specific Example 2) Under the conditions of Specific Example 1, the focal position of the laser beam is set to be located 9 mm above the upper surface of the substrate 35, and the substrate 35 is set to 12 mm / in the X direction.
The substrate 35 could be cut by moving at a speed of sec. In this case as well, in order to compare with the conventional method,
The water film 47 on the substrate 35 was removed and the same cleaving process was performed. However, cracks due to thermal stress did not occur on the surface of the substrate 35, and the substrate 35 was not cleaved. Then, it was found that when the moving speed of the substrate 35 was slowed down to 7 mm, the fracturing was performed for a while, but microcracks were generated on the fracturing surface.

【0043】(具体例3)具体例2において、基板35
として無アルカリガラス基板の代わりに、厚さが1.5
mmのアルミナ基板を用い、基板35をX方向に5mm
/secから10mm/secの範囲で変えて割断加工
を行ったところ、マイクロクラックの無い均一な割断面
を得ることができた。尚、水膜47を除去した状態でも
割断加工を行うことができたが、X方向の移動速度は3
mm/secから7mm/secの範囲であった。すな
わち、基板35上に水膜47を形成することにより、亀
裂がより速い速度で進行することが分かった。
(Specific Example 3) In the specific example 2, the substrate 35 is used.
Instead of non-alkali glass substrate, the thickness is 1.5
mm alumina substrate, substrate 35 in the X direction 5 mm
When the fracturing process was performed while changing the cutting speed in the range of 10 sec / sec to 10 mm / sec, a uniform fracture surface without microcracks could be obtained. The cutting process could be performed even with the water film 47 removed, but the moving speed in the X direction was 3
The range was from mm / sec to 7 mm / sec. That is, it was found that by forming the water film 47 on the substrate 35, the crack progresses at a higher speed.

【0044】図3は本発明の非金属材料の加工方法の他
の実施例の概念図を示す図である。
FIG. 3 is a view showing the concept of another embodiment of the method for processing a non-metal material according to the present invention.

【0045】これは、レーザビーム50が照射されてい
る基板51の表面に、水52を矢印52−1方向に吹き
付けつつ切断或いは割断する方法である。基板51は水
の吹き付け方向と略等しい方向(矢印51−1方向)に
移動する。図中53はガスノズル、54はアシストガス
を示す。
This is a method in which water 52 is cut or cleaved while spraying water 52 in the direction of arrow 52-1 on the surface of the substrate 51 irradiated with the laser beam 50. The substrate 51 moves in a direction (arrow 51-1 direction) substantially equal to the water spraying direction. In the figure, 53 is a gas nozzle and 54 is an assist gas.

【0046】基板51にレーザビーム50の伝搬方向に
沿ってアシストガス54を流しながら基板51にレーザ
ビームを照射しつつ、基板51を移動すると共に、水5
2を吹き付けて基板51を切断或いは割断する方法によ
れば、切断或いは割断した面や基板51の表面に付着し
たゴミや基板51の微粒子が強制的に洗い流される。
尚、水52の吹き付け方向は図3に示す方向と逆方向、
すなわち基板51の移動方向51−1と逆方向であって
もよい。
While the substrate 51 is being irradiated with the laser beam while the assist gas 54 is flowing along the propagation direction of the laser beam 50, the substrate 51 is moved and the water 5
According to the method in which 2 is blown to cut or cleave the substrate 51, dust attached to the cut or cleaved surface or the surface of the substrate 51 and fine particles of the substrate 51 are forcibly washed away.
The direction of spraying the water 52 is opposite to the direction shown in FIG.
That is, it may be opposite to the moving direction 51-1 of the substrate 51.

【0047】図4は本発明の非金属材料の加工方法を適
用した加工装置の他の実施例を示す図である。尚図2に
示した実施例と同様の部材には共通の符号を用いた。
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of a processing apparatus to which the method for processing a non-metallic material of the present invention is applied. The same reference numerals are used for the same members as those in the embodiment shown in FIG.

【0048】図2に示した加工装置との相違点は、モニ
タ装置と、画像処理装置と、制御装置とを有する点であ
る。
The difference from the processing device shown in FIG. 2 is that it has a monitor device, an image processing device, and a control device.

【0049】この加工装置は、モニタ装置としてのCC
Dカメラ60で、予め切断或いは割断する箇所をモニタ
し、CCDカメラ60のモニタ信号を画像処理装置61
に入力して画像処理し、この画像処理信号を基にして制
御装置としてのコンピュータ62を操作し、光シャッタ
駆動回路63と、XYZステージコントローラ64とを
作動させるようにしたものである。
This processing device is a CC as a monitor device.
The D camera 60 monitors the portion to be cut or cleaved in advance, and the monitor signal from the CCD camera 60 is sent to the image processing device 61.
The image is processed by inputting the image data to the input device, the computer 62 as a control device is operated based on the image processing signal, and the optical shutter drive circuit 63 and the XYZ stage controller 64 are operated.

【0050】このような指令系統により、基板35の所
望箇所を直線状或いは曲線状、さらには直線と曲線とを
組み合わせたパターンに正確に加工することができる。
With such a command system, it is possible to accurately process a desired portion of the substrate 35 into a straight line or a curved line, or a pattern in which a straight line and a curved line are combined.

【0051】尚、本実施例ではガラス基板を加工する場
合で説明したが、これに限定されるものではなく、Ga
As、InP等の半導体基板、磁性体材料、強誘電体材
料、高分子材料等からなる基板を加工してもよい。
In the present embodiment, the case of processing a glass substrate has been described, but the present invention is not limited to this, and Ga may be processed.
A semiconductor substrate such as As or InP, a substrate made of a magnetic material, a ferroelectric material, a polymer material or the like may be processed.

【0052】また本実施例において、レーザ光を全反射
ミラーと集光レンズとで案内、集光しているが、これに
限定されず凹面鏡でレーザ光を案内、集光してもよい。
さらに、図1で示した加工方法と、図3に示した加工方
法において、割断によって基板を加工する場合にはZn
Se透光板は金属板のようにレーザ光を反射するもので
も、絶縁板のようにレーザ光を吸収するもので置き換え
てもよい(割断の場合には基板の裏面に達したレーザ光
は微弱なためである)。この場合にはレーザビーム貫通
口はなくてもよい。
In this embodiment, the laser light is guided and condensed by the total reflection mirror and the condenser lens, but the invention is not limited to this, and the concave mirror may guide and condense the laser light.
Furthermore, in the processing method shown in FIG. 1 and the processing method shown in FIG.
The Se translucent plate may be replaced with one that reflects laser light like a metal plate or one that absorbs laser light like an insulating plate (in the case of cleaving, the laser light reaching the back surface of the substrate is weak). This is because). In this case, the laser beam through hole may be omitted.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
In summary, according to the present invention, the following excellent effects are exhibited.

【0054】(1) 非金属材料の表面を水でぬらしながら
炭酸ガスレーザ光を照射するので、クラックを発生させ
ることがなく、切断面のエッジ部が滑らかで均一であ
り、しかも切断時に発生した非金属材料の微粉末の付着
がない。
(1) Since carbon dioxide laser light is radiated while the surface of the non-metallic material is wet with water, cracks do not occur, the edges of the cut surface are smooth and uniform, and No adhesion of fine powder of metallic material.

【0055】(2) 加工装置に、モニタ装置と、画像処理
装置と、制御装置とを設けることにより、非金属材料を
所望するパターンに正確に加工することができる。
(2) By providing the processing device with the monitor device, the image processing device, and the control device, the non-metallic material can be accurately processed into a desired pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の非金属材料の加工方法の原理図であ
る。
FIG. 1 is a principle diagram of a method for processing a non-metallic material according to the present invention.

【図2】本発明の非金属材料の加工方法を適用した加工
装置の一実施例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a processing apparatus to which the method for processing a non-metallic material of the present invention is applied.

【図3】本発明の非金属材料の加工方法の他の実施例の
概念図を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a conceptual diagram of another embodiment of the method for processing a non-metallic material of the present invention.

【図4】本発明の非金属材料の加工方法を適用した加工
装置の他の実施例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of a processing apparatus to which the method for processing a non-metallic material of the present invention is applied.

【図5】集積回路の切断、分離方法を説明するための基
板の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a substrate for explaining a method of cutting and separating an integrated circuit.

【図6】本発明者が先に提案した、基板材料の加工方法
及びその装置の概略図である。
FIG. 6 is a schematic diagram of a method of processing a substrate material and an apparatus thereof, which the present inventor has previously proposed.

【図7】(a)は本発明者が先に提案した加工装置によ
る切断直後の非金属材料の平面図であり、(b)は切断
してから数十秒後の非金属材料の平面図である。
FIG. 7A is a plan view of the non-metallic material immediately after cutting by the processing device previously proposed by the present inventor, and FIG. 7B is a plan view of the non-metallic material several tens of seconds after the cutting. Is.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 非金属材料(基板) 11 炭酸ガスレーザ光(レーザビーム) 12 アシストガス 14 水(水膜) 10 Non-Metallic Material (Substrate) 11 Carbon Dioxide Laser Light (Laser Beam) 12 Assist Gas 14 Water (Water Film)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B23K 26/18 B23K 26/18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location B23K 26/18 B23K 26/18

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 炭酸ガスレーザ光の伝搬方向に沿ってア
シストガスを流しながら非金属材料の表面に上記炭酸ガ
スレーザ光を照射しつつ、上記非金属材料を移動させて
上記非金属材料を加工する非金属材料の加工方法におい
て、上記非金属材料の表面を水でぬらしながら加工する
ことを特徴とする非金属材料の加工方法。
1. A non-metallic material is processed by moving the non-metallic material while irradiating the surface of the non-metallic material with the carbon dioxide laser light while flowing an assist gas along the propagation direction of the carbon dioxide laser light. A method of processing a non-metallic material, which comprises processing the surface of the non-metallic material while wetting it with water.
【請求項2】 上記アシストガスを、レーザ光が照射さ
れる非金属材料上のスポット面に集中して吹き付けるよ
うにした請求項1記載の非金属材料の加工方法。
2. The method for processing a non-metal material according to claim 1, wherein the assist gas is sprayed in a concentrated manner onto a spot surface on the non-metal material irradiated with laser light.
【請求項3】 上記水を、レーザ光が照射されるスポッ
ト面に向かって吹き付けるようにした請求項1又は2記
載の非金属材料の加工方法。
3. The method for processing a non-metallic material according to claim 1, wherein the water is sprayed toward a spot surface irradiated with laser light.
【請求項4】 上記炭酸ガスレーザ光を、非金属材料の
種類に応じて波長9.0μmから11.3μmまでの範
囲の中からグレーティングを用いて選択した単一波長の
レーザ光とした請求項1から3までのいずれかに記載の
非金属材料の加工方法。
4. The carbon dioxide laser light is a single wavelength laser light selected using a grating from a wavelength range of 9.0 μm to 11.3 μm according to the type of non-metallic material. 4. The method for processing a non-metallic material according to any one of 1 to 3.
【請求項5】 炭酸ガスレーザ装置と、該炭酸ガスレー
ザ装置から出射されたレーザ光を加工すべく非金属材料
へ案内すると共に集光する光学系と、該レーザ光の伝搬
方向に沿ってアシストガスを流すためのガス導入系と、
上記非金属材料を保持するためのステージと、該ステー
ジを上記レーザ光の伝搬方向に垂直な方向に移動させる
移動装置と、上記ステージに上記非金属材料を真空吸着
させる機構と、上記非金属材料の表面上を水でぬらすた
めの水導入系とを備えたことを特徴とする非金属材料の
加工装置。
5. A carbon dioxide gas laser device, an optical system for guiding and condensing laser light emitted from the carbon dioxide gas laser device to a non-metallic material for processing, and an assist gas along a propagation direction of the laser light. A gas introduction system for flowing,
A stage for holding the non-metallic material, a moving device for moving the stage in a direction perpendicular to the propagation direction of the laser light, a mechanism for vacuum-adsorbing the non-metallic material on the stage, the non-metallic material And a water introduction system for wetting the surface of the surface with water.
【請求項6】 上記非金属材料の切断箇所を予めCCD
カメラでモニタするモニタ装置と、該モニタ装置からの
モニタ信号を画像処理する画像処理装置と、画像処理装
置からの信号で上記移動装置の移動を制御する制御装置
とを設けた請求項5記載の非金属材料の加工装置。
6. The cut portion of the non-metal material is CCD in advance.
The monitor device for monitoring with a camera, an image processing device for image-processing a monitor signal from the monitor device, and a control device for controlling the movement of the moving device by a signal from the image processing device. Equipment for processing non-metallic materials.
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