JPH09172126A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09172126A JPH09172126A JP32860995A JP32860995A JPH09172126A JP H09172126 A JPH09172126 A JP H09172126A JP 32860995 A JP32860995 A JP 32860995A JP 32860995 A JP32860995 A JP 32860995A JP H09172126 A JPH09172126 A JP H09172126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- resin
- semiconductor device
- lead
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止時に放熱板が外にずれることを防止
する。 【解決手段】 リードフレームのダイパッド１上に半導
体チップ２を銀ペースト接着剤３で接合し、またダイパ
ッド１の下部に設けた突起９間に放熱板４を接着剤５で
接着した。そして、半導体チップ２とリードフレームの
リード６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続
し、それらの外囲を封止樹脂８で封止した。この構造に
より、樹脂封止工程においても、接着剤５層が封止圧力
を受け、接着剤５層がダイパッド１から剥離しても、放
熱板４が封止樹脂に流されるようなことがなく、放熱板
４がダイパッド１下部より外れないので、位置規正され
た状態で樹脂封止される。
する。 【解決手段】 リードフレームのダイパッド１上に半導
体チップ２を銀ペースト接着剤３で接合し、またダイパ
ッド１の下部に設けた突起９間に放熱板４を接着剤５で
接着した。そして、半導体チップ２とリードフレームの
リード６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続
し、それらの外囲を封止樹脂８で封止した。この構造に
より、樹脂封止工程においても、接着剤５層が封止圧力
を受け、接着剤５層がダイパッド１から剥離しても、放
熱板４が封止樹脂に流されるようなことがなく、放熱板
４がダイパッド１下部より外れないので、位置規正され
た状態で樹脂封止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子より発
生する熱の放熱のため、放熱板を内蔵した樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法に関するものである。
生する熱の放熱のため、放熱板を内蔵した樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、放熱板を内蔵した樹脂封止型半導
体装置、特に表面実装型半導体装置は、放熱板がリード
フレームのダイパッドに接着されたものであり、その放
熱板とリードフレームのダイパッドとの接着方法とし
て、エポキシ樹脂系接着剤を使用して接着していた。
体装置、特に表面実装型半導体装置は、放熱板がリード
フレームのダイパッドに接着されたものであり、その放
熱板とリードフレームのダイパッドとの接着方法とし
て、エポキシ樹脂系接着剤を使用して接着していた。
【０００３】以下に従来の放熱板を内蔵した樹脂封止型
半導体装置について、図８の断面図を参照しながら説明
する。
半導体装置について、図８の断面図を参照しながら説明
する。
【０００４】図８に示すように、従来の放熱板を内蔵し
た樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイパッ
ド１上に半導体チップ２が銀ペースト接着剤３によって
接合され、また前記ダイパッド１下部に放熱板４が接着
剤５によって接着され、前記半導体チップ２とリードフ
レームの外部導出リード６とはボンディングワイヤー７
によって電気的に接続され、それらの外囲が封止樹脂８
で封止された構造であった。したがって、従来はダイパ
ッド１と放熱板４の接着は、放熱板４の上面にエポキシ
樹脂系接着剤５を付け、熱硬化させることによって、接
着して固定したものであった。
た樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイパッ
ド１上に半導体チップ２が銀ペースト接着剤３によって
接合され、また前記ダイパッド１下部に放熱板４が接着
剤５によって接着され、前記半導体チップ２とリードフ
レームの外部導出リード６とはボンディングワイヤー７
によって電気的に接続され、それらの外囲が封止樹脂８
で封止された構造であった。したがって、従来はダイパ
ッド１と放熱板４の接着は、放熱板４の上面にエポキシ
樹脂系接着剤５を付け、熱硬化させることによって、接
着して固定したものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造では、エポキシ樹脂系接着剤でダイパッドと放熱板
とを接着すると、樹脂封止工程で、接着剤層が封止圧力
に耐え切れず、放熱板がダイパッドより剥離し、封止樹
脂により流されて、ダイパッド下部から外れるというこ
とが見受けられた。また、接着力を強化するために、ポ
リイミド薄膜の両面に接着剤を付けた接着剤を使用する
と、非常に高価なものとなり、生産上、コストの増加を
招いた。また、ダイパッドと放熱板とをはんだなどで接
着したものもあるが、ダイパッドと放熱板とをはんだで
接着すると、熱応力によってダイパッドに歪が発生し、
信頼性が低下するおそれがあった。
構造では、エポキシ樹脂系接着剤でダイパッドと放熱板
とを接着すると、樹脂封止工程で、接着剤層が封止圧力
に耐え切れず、放熱板がダイパッドより剥離し、封止樹
脂により流されて、ダイパッド下部から外れるというこ
とが見受けられた。また、接着力を強化するために、ポ
リイミド薄膜の両面に接着剤を付けた接着剤を使用する
と、非常に高価なものとなり、生産上、コストの増加を
招いた。また、ダイパッドと放熱板とをはんだなどで接
着したものもあるが、ダイパッドと放熱板とをはんだで
接着すると、熱応力によってダイパッドに歪が発生し、
信頼性が低下するおそれがあった。
【０００６】本発明は、このような事柄を解決し、低価
格で確実に放熱板をダイパッド下部に位置決めし、そし
て固定した樹脂封止半導体装置を提供することを課題と
するものである。
格で確実に放熱板をダイパッド下部に位置決めし、そし
て固定した樹脂封止半導体装置を提供することを課題と
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止型半
導体装置のダイパッドの周辺下部に突起を有し、放熱板
が前記ダイパッドの突起間に接着されたものである。
めに、本発明の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止型半
導体装置のダイパッドの周辺下部に突起を有し、放熱板
が前記ダイパッドの突起間に接着されたものである。
【０００８】また放熱板をリードフレームのダイパッド
下部に接着したタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方
法においては、後工程である樹脂封止工程において、封
止圧力により前記放熱板を接着している接着剤が剥離し
ても、封止樹脂により前記放熱板が流されず、前記放熱
板がダイパッド下部から外れることがないように放熱板
を位置規正するためにダイパッド下部に突起を形成する
工程を有したものである。
下部に接着したタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方
法においては、後工程である樹脂封止工程において、封
止圧力により前記放熱板を接着している接着剤が剥離し
ても、封止樹脂により前記放熱板が流されず、前記放熱
板がダイパッド下部から外れることがないように放熱板
を位置規正するためにダイパッド下部に突起を形成する
工程を有したものである。
【０００９】これによれば、低価格で確実に放熱板を位
置決めした樹脂封止半導体装置を実現することができ
る。
置決めした樹脂封止半導体装置を実現することができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置の
実施の形態では、ダイパッド周囲の下部に突起を設け、
放熱板の上部がこの突起間の内側に入るように接着した
構造にしたことにより、放熱板とダイパッドを接着して
いる接着層が、樹脂封止時の圧力で破壊して放熱板がダ
イパッドと剥離しても、放熱板は封止樹脂により流され
ず、またダイパッドの周囲の下部の突起より外側にずれ
ることはなく、放熱板の位置規制ができる。
実施の形態では、ダイパッド周囲の下部に突起を設け、
放熱板の上部がこの突起間の内側に入るように接着した
構造にしたことにより、放熱板とダイパッドを接着して
いる接着層が、樹脂封止時の圧力で破壊して放熱板がダ
イパッドと剥離しても、放熱板は封止樹脂により流され
ず、またダイパッドの周囲の下部の突起より外側にずれ
ることはなく、放熱板の位置規制ができる。
【００１１】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法の実施の形態では、放熱板をリードフレームのダ
イパッド下部に接着したタイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、ダイパッド下部に突起を形成する
工程により、後工程である樹脂封止工程において、封止
圧力により前記放熱板を接着している接着剤が剥離して
も、封止樹脂により前記放熱板が流されず、前記放熱板
がダイパッド下部から外れることがないように放熱板を
位置規正できる。
造方法の実施の形態では、放熱板をリードフレームのダ
イパッド下部に接着したタイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、ダイパッド下部に突起を形成する
工程により、後工程である樹脂封止工程において、封止
圧力により前記放熱板を接着している接着剤が剥離して
も、封止樹脂により前記放熱板が流されず、前記放熱板
がダイパッド下部から外れることがないように放熱板を
位置規正できる。
【００１２】以下、本発明の半導体装置の実施の形態の
一例について、図１の断面図を参照しながら説明する。
一例について、図１の断面図を参照しながら説明する。
【００１３】図１に示すように、この樹脂封止型半導体
装置は、リードフレームのダイパッド１上に半導体チッ
プ２が銀ペースト接着剤３によって接合され、また前記
ダイパッド１下部に設けた突起９間に放熱板４が接着剤
５によって接着されたものである。そして、半導体チッ
プ２とリードフレームのリード６とはボンディングワイ
ヤー７によって電気的に接続され、それらの外囲が封止
樹脂８で封止された構造である。
装置は、リードフレームのダイパッド１上に半導体チッ
プ２が銀ペースト接着剤３によって接合され、また前記
ダイパッド１下部に設けた突起９間に放熱板４が接着剤
５によって接着されたものである。そして、半導体チッ
プ２とリードフレームのリード６とはボンディングワイ
ヤー７によって電気的に接続され、それらの外囲が封止
樹脂８で封止された構造である。
【００１４】この例では、電気的接続の手段としてボン
ディングワイヤー７を用いているが、リード６と半導体
チップ２とをバンプを介して接続するバンプ接合を用い
てもよい。また、この例は、放熱板４の下面が封止樹脂
８面より露出したタイプの樹脂封止型半導体装置である
が、放熱板４が封止樹脂８内に内蔵されたタイプの半導
体装置に本発明を適用できることは言うまでもないこと
である。
ディングワイヤー７を用いているが、リード６と半導体
チップ２とをバンプを介して接続するバンプ接合を用い
てもよい。また、この例は、放熱板４の下面が封止樹脂
８面より露出したタイプの樹脂封止型半導体装置である
が、放熱板４が封止樹脂８内に内蔵されたタイプの半導
体装置に本発明を適用できることは言うまでもないこと
である。
【００１５】この例のように、放熱板４はダイパッド１
下部に設けた突起９間に接着されているので、外囲を封
止樹脂８で封止する樹脂封止工程においても、接着剤５
層が封止圧力を受け、接着剤５層がダイパッド１から剥
離しても、放熱板４は封止樹脂に流されることはなく、
放熱板４がダイパッド１下部より外れないので、位置規
正された状態で樹脂封止されているものである。
下部に設けた突起９間に接着されているので、外囲を封
止樹脂８で封止する樹脂封止工程においても、接着剤５
層が封止圧力を受け、接着剤５層がダイパッド１から剥
離しても、放熱板４は封止樹脂に流されることはなく、
放熱板４がダイパッド１下部より外れないので、位置規
正された状態で樹脂封止されているものである。
【００１６】また、ダイパッド１の下部に設けた突起９
について、半導体チップ２の動作時に発生する熱で放熱
板４が熱膨張した場合、その熱膨張により放熱板４の一
部分が突起９に接触し、この突起９に応力がかかり、ダ
イパッド１が変形しないように、ダイパッド１の突起９
と突起９との間隔Ａが、放熱板４のダイパッド１の突起
９と突起９との間に接着される箇所である放熱板４の接
着部１０の寸法Ｂより大きくしている。すなわち、ダイ
パッド１の突起９と突起９との間隔Ａを、放熱板４が外
れることなく、位置規正でき、熱膨張の影響も緩衝でき
る寸法とし、具体的には、放熱板４の接着部１０の寸法
Ｂを、突起９と突起９との間隔Ａよりも間隔Ａの１０〜
２０％程度小さい寸法とした。
について、半導体チップ２の動作時に発生する熱で放熱
板４が熱膨張した場合、その熱膨張により放熱板４の一
部分が突起９に接触し、この突起９に応力がかかり、ダ
イパッド１が変形しないように、ダイパッド１の突起９
と突起９との間隔Ａが、放熱板４のダイパッド１の突起
９と突起９との間に接着される箇所である放熱板４の接
着部１０の寸法Ｂより大きくしている。すなわち、ダイ
パッド１の突起９と突起９との間隔Ａを、放熱板４が外
れることなく、位置規正でき、熱膨張の影響も緩衝でき
る寸法とし、具体的には、放熱板４の接着部１０の寸法
Ｂを、突起９と突起９との間隔Ａよりも間隔Ａの１０〜
２０％程度小さい寸法とした。
【００１７】具体的な一例をあげると、銅合金リードフ
レームの寸法５ｍｍ×５ｍｍのダイパッド１の周囲四辺
に対して、長さ４ｍｍ、幅０.５ｍｍの突起９を設け、
突起９と突起９との間隔を５ｍｍ×５ｍｍとし、４.３
ｍｍ×４.３ｍｍの突出した接着部１０を有した放熱板
４を、そのダイパッド１下部に接着剤５で接着してい
る。したがって、ダイパッド１下部に接着している放熱
板４の接着部１０は、左右計で０.７ｍｍのマージンを
有していることになる。この状態では、樹脂封止工程に
おいても、接着剤５層が封止圧力を受け、接着剤５が剥
離しても、封止樹脂により流されることなく、放熱板４
がダイパッド１より外れることはない。さらに、また、
放熱板４が熱膨張した場合でも、接着部１０が１０〜２
０％、好ましくは１５％のマージンをもってダイパッド
１下部の突起９と突起９との間に接着されているので、
その熱膨張により放熱板４（接着部１０）が突起９に接
触することはなく、ダイパッド１の変形もない。
レームの寸法５ｍｍ×５ｍｍのダイパッド１の周囲四辺
に対して、長さ４ｍｍ、幅０.５ｍｍの突起９を設け、
突起９と突起９との間隔を５ｍｍ×５ｍｍとし、４.３
ｍｍ×４.３ｍｍの突出した接着部１０を有した放熱板
４を、そのダイパッド１下部に接着剤５で接着してい
る。したがって、ダイパッド１下部に接着している放熱
板４の接着部１０は、左右計で０.７ｍｍのマージンを
有していることになる。この状態では、樹脂封止工程に
おいても、接着剤５層が封止圧力を受け、接着剤５が剥
離しても、封止樹脂により流されることなく、放熱板４
がダイパッド１より外れることはない。さらに、また、
放熱板４が熱膨張した場合でも、接着部１０が１０〜２
０％、好ましくは１５％のマージンをもってダイパッド
１下部の突起９と突起９との間に接着されているので、
その熱膨張により放熱板４（接着部１０）が突起９に接
触することはなく、ダイパッド１の変形もない。
【００１８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法における実施の形態の一例について、図２〜７を参
照しながら説明する。
方法における実施の形態の一例について、図２〜７を参
照しながら説明する。
【００１９】まず図２に示すように、たとえば、銅合金
リードフレーム材に対して、ダイパッド１、このダイパ
ッド１を支持している吊りリード１１、リード６などの
リードパターンを形成する。
リードフレーム材に対して、ダイパッド１、このダイパ
ッド１を支持している吊りリード１１、リード６などの
リードパターンを形成する。
【００２０】リードフレームのパターン形成には打ち抜
き加工法を使用し、そのリードピッチが微細な場合に
は、エッチング法などの手法による。また、ダイパッド
１の周囲四辺に対しては、突起９となる突起領域１２を
形成する。この例においては、寸法５ｍｍ×５ｍｍのダ
イパッド１の周囲四辺に長さ４ｍｍ、幅０.５ｍｍの突
起９となる突起領域１２を形成する。なお、図２におい
て、破線で示した領域は、ダイパッドとしての領域であ
る。
き加工法を使用し、そのリードピッチが微細な場合に
は、エッチング法などの手法による。また、ダイパッド
１の周囲四辺に対しては、突起９となる突起領域１２を
形成する。この例においては、寸法５ｍｍ×５ｍｍのダ
イパッド１の周囲四辺に長さ４ｍｍ、幅０.５ｍｍの突
起９となる突起領域１２を形成する。なお、図２におい
て、破線で示した領域は、ダイパッドとしての領域であ
る。
【００２１】次に図３に示すように、ダイパッド１、リ
ード６などのパターンを形成したリードフレームのダイ
パッド１に形成した突起領域１２を金型にて下側に折り
曲げて、ダイパッド１下部の突起９を形成する。
ード６などのパターンを形成したリードフレームのダイ
パッド１に形成した突起領域１２を金型にて下側に折り
曲げて、ダイパッド１下部の突起９を形成する。
【００２２】次に図４に示すように、突起９を形成し
た、ダイパッド１を有するリードフレームに対して、ま
ずダイパッド１の下部に無酸素銅の材料にて加工した放
熱板４をエポキシ樹脂系接着剤５にて接着する。この接
着剤５による放熱板４の接着は、放熱板４の上面の接着
部１０にエポキシ樹脂系接着剤５を付け、熱硬化するこ
とにより、接着して固定するものである。
た、ダイパッド１を有するリードフレームに対して、ま
ずダイパッド１の下部に無酸素銅の材料にて加工した放
熱板４をエポキシ樹脂系接着剤５にて接着する。この接
着剤５による放熱板４の接着は、放熱板４の上面の接着
部１０にエポキシ樹脂系接着剤５を付け、熱硬化するこ
とにより、接着して固定するものである。
【００２３】次に図５に示すように、放熱板４が接着さ
れたリードフレームのダイパッド１の上面に、半導体チ
ップ２を銀ペースト接着剤３で接着する。この半導体チ
ップ２のダイパッド１上への接合は、通常のダイスボン
ド工程で行なわれる。
れたリードフレームのダイパッド１の上面に、半導体チ
ップ２を銀ペースト接着剤３で接着する。この半導体チ
ップ２のダイパッド１上への接合は、通常のダイスボン
ド工程で行なわれる。
【００２４】次に図６に示すように、ダイパッド１上に
接合された半導体チップ２のボンディングパッド（図示
せず）と、リード６とを、導電性細線であるボンディン
グワイヤー７で電気的に接続する。この例では、線経２
５μｍ径の金属ワイヤーを用い、ワイヤーボンダーを使
用して行なう。なお、ボンディングワイヤー７のかわり
に、リード６と半導体チップ２のボンディングパッドと
をバンプ（突起電極）を介して接続するバンプ接続でも
よい。
接合された半導体チップ２のボンディングパッド（図示
せず）と、リード６とを、導電性細線であるボンディン
グワイヤー７で電気的に接続する。この例では、線経２
５μｍ径の金属ワイヤーを用い、ワイヤーボンダーを使
用して行なう。なお、ボンディングワイヤー７のかわり
に、リード６と半導体チップ２のボンディングパッドと
をバンプ（突起電極）を介して接続するバンプ接続でも
よい。
【００２５】そして図７に示すように、半導体チップ２
や、リード６の一部分を包囲するように、封止樹脂８を
用いてトランスファモールド法により樹脂封止をする。
このとき、放熱板４がダイパッド１下部に設けた突起９
間に接着されているので、外囲を封止樹脂８で封止する
樹脂封止工程においても、接着剤５層が封止圧力を受
け、接着剤５が剥離しても、封止樹脂８によって流され
るようなことがなく、放熱板４がダイパッド１より外れ
ることはなく、位置規正される。また、樹脂封止後は、
リード６を表面実装用に折り曲げ加工する。
や、リード６の一部分を包囲するように、封止樹脂８を
用いてトランスファモールド法により樹脂封止をする。
このとき、放熱板４がダイパッド１下部に設けた突起９
間に接着されているので、外囲を封止樹脂８で封止する
樹脂封止工程においても、接着剤５層が封止圧力を受
け、接着剤５が剥離しても、封止樹脂８によって流され
るようなことがなく、放熱板４がダイパッド１より外れ
ることはなく、位置規正される。また、樹脂封止後は、
リード６を表面実装用に折り曲げ加工する。
【００２６】なお、この例では、ダイパッド１下部の突
起９をダイパッド辺に対して連続した幅広い突起構造と
したが、幅を狭くしてダイパッド辺に非連続の櫛状にし
て複数個にしてもよい。
起９をダイパッド辺に対して連続した幅広い突起構造と
したが、幅を狭くしてダイパッド辺に非連続の櫛状にし
て複数個にしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、ダイパッドの周囲の下側に突
起を設けて、放熱板の上部がこの突起間の内側に入るよ
うに接着剤で接着することにより、放熱板が樹脂封止時
に位置ずれすることなく、またダイパッドに応力による
歪を発生させることのない優れた放熱板内蔵型の樹脂封
止型半導体装置を実現することができるものである。
起を設けて、放熱板の上部がこの突起間の内側に入るよ
うに接着剤で接着することにより、放熱板が樹脂封止時
に位置ずれすることなく、またダイパッドに応力による
歪を発生させることのない優れた放熱板内蔵型の樹脂封
止型半導体装置を実現することができるものである。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置における実施の
形態の一例の断面図
形態の一例の断面図
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態の一例の工程を説明するための上面図
ける実施の形態の一例の工程を説明するための上面図
【図３】同じく工程を説明するための断面図
【図４】同じく工程を説明するための断面図
【図５】同じく工程を説明するための断面図
【図６】同じく工程を説明するための断面図
【図７】同じく工程を説明するための断面図
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図
１ ダイパッド ２ 半導体チップ ３ 銀ペースト接着剤 ４ 放熱板 ５ 接着剤 ６ リード ７ ボンディングワイヤー ８ 封止樹脂 ９ 突起 １０ 接着部 １１ 吊りリード １２ 突起領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸尾 哲正 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパッド上に載置さ
れた半導体チップ、前記ダイパッド下部に接着剤によっ
て接着された放熱板、前記半導体チップとリードフレー
ムのリードとを電気的に接続した手段、ならびに、前記
半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続され
たリードの一部分との領域を封止した樹脂からなり、前
記ダイパッドはその周辺下部に突起を有し、前記放熱板
は前記ダイパッドの周辺下部に設けられた突起間に接着
されたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 リードフレームのダイパッド上に載置さ
れた半導体チップ、前記ダイパッド下部に接着剤によっ
て接着された放熱板、前記半導体チップとリードフレー
ムのリードとを電気的に接続した手段、ならびに、前記
半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続され
たリードの一部分との領域を封止した樹脂からなり、前
記ダイパッドはその周辺下部に突起を有し、前記放熱板
はその上部に突出した接着部を有し、前記接着部が前記
ダイパッドの周辺下部に設けられた突起間に接着された
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 放熱板の上部に設けた接着部を、ダイパ
ッドの周辺下部に設けた突起と突起との間隔よりも１０
〜２０％小さい寸法とし、前記放熱板の接着部が前記ダ
イパッドの周辺下部の突起に接触しないようにしたこと
を特徴とする請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップとリードフレームのリード
とを電気的に接続した手段がボンディングワイヤーであ
ることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項５】 半導体チップとリードフレームのリード
とを電気的に接続した手段がバンプ接合であることを特
徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項６】 ダイパッドの周辺下部に設けた突起がダ
イパッド辺に連続する突起であることを特徴とする請求
項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 ダイパッドの周辺下部に設けた突起は、
ダイパッド辺に非連続で設けられた櫛状の突起であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項８】 放熱板をリードフレームのダイパッド下
部に接着したタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法
であって、後工程である樹脂封止工程において、封止圧
力により前記放熱板を接着している接着剤が剥離して
も、封止樹脂により前記放熱板が流されず、前記放熱板
がダイパッド下部から外れることがないように前記放熱
板を位置規正するためにダイパッド下部に突起を形成す
る工程を有したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項９】 ダイパッド、リードなどのリードパター
ンを形成してリードフレームを形成する工程において、
前記ダイパッドの周囲四辺に対しては、突起となる突起
領域を形成する工程、前記リードフレームの前記ダイパ
ッドの周辺四辺に形成した突起領域を金型にて下側に折
り曲げて、ダイパッド下部に突起を形成する工程、前記
突起を形成したダイパッドを有したリードフレームに対
して、まず前記ダイパッドの下部に放熱板を接着剤によ
り接着する工程、前記放熱板の接着されたリードフレー
ムのダイパッドの上面に半導体チップを接着する工程、
前記ダイパッド上に接合された半導体チップとリードフ
レームのリードとを電気的に接続する工程、ならびに、
前記半導体チップと前記半導体チップと電気的に接続さ
れたリードの一部との領域を樹脂封止する工程とを有す
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 半導体チップとリードフレームのリー
ドとを電気的に接続する工程がボンディングワイヤーで
接続する工程であることを特徴とする請求項９記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 半導体チップとリードフレームのリー
ドとを電気的に接続する工程がバンプ接合する工程であ
ることを特徴とする請求項９記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１２】 ダイパッドの周囲四辺に対して、突起
となる突起領域を形成する工程が前記ダイパッド辺に連
続した突起領域を形成する工程であることを特徴とする
請求項９記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 ダイパッドの周囲四辺に対して、突起
となる突起領域を形成する工程が前記ダイパッド辺に非
連続の櫛状の突起領域を形成する工程であることを特徴
とする請求項９記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32860995A JPH09172126A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32860995A JPH09172126A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172126A true JPH09172126A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18212191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32860995A Pending JPH09172126A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172126A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713864B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-03-30 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor package for enhancing heat dissipation |
| JP2005311214A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2011112728A2 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | Altera Corporation | Package having spaced apart heat sink |
| CN102237321A (zh) * | 2010-06-24 | 2011-11-09 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JP2012004218A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP32860995A patent/JPH09172126A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713864B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-03-30 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor package for enhancing heat dissipation |
| JP2005311214A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4515810B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2011112728A2 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | Altera Corporation | Package having spaced apart heat sink |
| EP2545584B1 (en) * | 2010-03-10 | 2019-06-26 | Altera Corporation | Package having spaced apart heat sink |
| JP2012004218A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US8637979B2 (en) | 2010-06-15 | 2014-01-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| CN102237321A (zh) * | 2010-06-24 | 2011-11-09 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JP2012009610A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6638790B2 (en) | Leadframe and method for manufacturing resin-molded semiconductor device | |
| JP3285815B2 (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3780122B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3420057B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5874784A (en) | Semiconductor device having external connection terminals provided on an interconnection plate and fabrication process therefor | |
| JP2978861B2 (ja) | モールドｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 | |
| US5653891A (en) | Method of producing a semiconductor device with a heat sink | |
| JP3461720B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11340409A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11195742A (ja) | 半導体装置及びその製造方法とそれに用いるリードフレーム | |
| JP2001274316A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR19980042865A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치용 이중-층 리드 프레임 | |
| JPH09172126A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0797594B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH11260990A (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3404438B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3454192B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0582672A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3642545B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3321006B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2954118B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002134654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08288428A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000150725A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |