JPH0917959A - モノリシックマイクロ波集積回路および方法 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路および方法Info
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- JPH0917959A JPH0917959A JP8106894A JP10689496A JPH0917959A JP H0917959 A JPH0917959 A JP H0917959A JP 8106894 A JP8106894 A JP 8106894A JP 10689496 A JP10689496 A JP 10689496A JP H0917959 A JPH0917959 A JP H0917959A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、低損失マイクロ波伝送通路と、廉
価な製造のために好ましいシリコンベースの半導体構造
とを結合したモノリシックマイクロ波集積回路構造を得
ることを目的とする。 【解決手段】 接地平面114 を有し、マイクロ波信号を
伝導するように構成されている分布伝送ライン回路網11
0 と、マイクロ装置構造130 とを具備し、このマイクロ
装置構造130 は、半導体基体120 と、その上に支持され
る複数のマイクロ波装置23と、基体120 上に支持されて
電気的にマイクロ波装置と接続されている相互接続シス
テム132 を有し、伝送ライン回路網110 は相互接続シス
テム132 上で支持され、接地平面114 を通してマイクロ
波装置構造130 の予め定められた装置23と結合されるよ
うに構成されていることを特徴とする。
価な製造のために好ましいシリコンベースの半導体構造
とを結合したモノリシックマイクロ波集積回路構造を得
ることを目的とする。 【解決手段】 接地平面114 を有し、マイクロ波信号を
伝導するように構成されている分布伝送ライン回路網11
0 と、マイクロ装置構造130 とを具備し、このマイクロ
装置構造130 は、半導体基体120 と、その上に支持され
る複数のマイクロ波装置23と、基体120 上に支持されて
電気的にマイクロ波装置と接続されている相互接続シス
テム132 を有し、伝送ライン回路網110 は相互接続シス
テム132 上で支持され、接地平面114 を通してマイクロ
波装置構造130 の予め定められた装置23と結合されるよ
うに構成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はモノリシックマイク
ロ波集積回路に関する。
ロ波集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体とヘテロ構造トランジスタ
の両者の発達はマイクロ波およびミリメートル波長回路
との改良された周波数性能を助長する。例えば、優れた
高周波数性能は選択されたパンドギャップの半導体によ
りヘテロ構造のバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の各
トランジスタ領域を形成することにより達成される。Ｈ
ＢＴの例では、エミッタ半導体はベース半導体よりも大
きなバンドギャップを有するように選択される。このこ
とによりエミッタがエミッタ効率を増加させるために高
濃度にドープされ、ベースが高濃度にドープされてベー
ス抵抗を増加せずに狭くされることを可能にする。さら
に、コレクタ半導体はトランジスタのブレークダウン電
圧を増加するように選択されることができる。
の両者の発達はマイクロ波およびミリメートル波長回路
との改良された周波数性能を助長する。例えば、優れた
高周波数性能は選択されたパンドギャップの半導体によ
りヘテロ構造のバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の各
トランジスタ領域を形成することにより達成される。Ｈ
ＢＴの例では、エミッタ半導体はベース半導体よりも大
きなバンドギャップを有するように選択される。このこ
とによりエミッタがエミッタ効率を増加させるために高
濃度にドープされ、ベースが高濃度にドープされてベー
ス抵抗を増加せずに狭くされることを可能にする。さら
に、コレクタ半導体はトランジスタのブレークダウン電
圧を増加するように選択されることができる。
【０００３】従来、ヘテロ構造トランジスタの利点が得
られるのは主として砒化ガリウムアルミニウム／砒化ガ
リウム（ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ）および、砒化インジ
ウムガリウム／燐化インジウム（ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ）半導体システムに限定されている。ＧａＡｌＡｓ／
ＧａＡｓシステムの利点は、優れた格子整合と、良好に
開発された成長技術（例えば、分子ビームエピタクシお
よび金属有機化合物の化学蒸気付着）と、大きなバンド
ギャップ差の有効性と、高い電子移動度と、半絶縁Ｇａ
Ａｓ基体を含んでいる。ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢ
Ｔは１００ＧＨｚの単位電流利得カットオフ周波数（ｆ
T ）を達成している。
られるのは主として砒化ガリウムアルミニウム／砒化ガ
リウム（ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ）および、砒化インジ
ウムガリウム／燐化インジウム（ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ）半導体システムに限定されている。ＧａＡｌＡｓ／
ＧａＡｓシステムの利点は、優れた格子整合と、良好に
開発された成長技術（例えば、分子ビームエピタクシお
よび金属有機化合物の化学蒸気付着）と、大きなバンド
ギャップ差の有効性と、高い電子移動度と、半絶縁Ｇａ
Ａｓ基体を含んでいる。ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢ
Ｔは１００ＧＨｚの単位電流利得カットオフ周波数（ｆ
T ）を達成している。
【０００４】ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムの利点は、
良好な格子整合と、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓシステムと
同一の良好に開発された成長技術と、ＧａＡｓよりも高
い電子移動度と、大きなバンドギャップの有効性と、良
好な熱伝導を有するＩｎＰの半絶縁基体を含んでいる。
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムのＨＢＴは１６５ＧＨｚ
のｆT 値を達成する。
良好な格子整合と、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓシステムと
同一の良好に開発された成長技術と、ＧａＡｓよりも高
い電子移動度と、大きなバンドギャップの有効性と、良
好な熱伝導を有するＩｎＰの半絶縁基体を含んでいる。
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムのＨＢＴは１６５ＧＨｚ
のｆT 値を達成する。
【０００５】これらの半導体システムのマイクロ波信号
の伝導は典型的にマイクロストリップのようなマイクロ
波伝送構造により達成される。これらの構造の誘電体は
寄生キャパシタンスと誘電損失を減少するように低い誘
電定数と低い損失タンジェントとを有することが好まし
い。典型的に、これらの半導体システムの基体はマイク
ロ波伝送ラインの誘電体を形成する。ＧａＡｌＡｓ／Ｇ
ａＡｓおよびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムの基体はク
ロムまたは鉄のようなキャリアトラップ不純物の付加を
通じて高い比抵抗（例えば１０8 Ωｃｍ）で製造される
ことができる。従って、これらの基体は低損失伝送ライ
ンの形成に使用されることができる。
の伝導は典型的にマイクロストリップのようなマイクロ
波伝送構造により達成される。これらの構造の誘電体は
寄生キャパシタンスと誘電損失を減少するように低い誘
電定数と低い損失タンジェントとを有することが好まし
い。典型的に、これらの半導体システムの基体はマイク
ロ波伝送ラインの誘電体を形成する。ＧａＡｌＡｓ／Ｇ
ａＡｓおよびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムの基体はク
ロムまたは鉄のようなキャリアトラップ不純物の付加を
通じて高い比抵抗（例えば１０8 Ωｃｍ）で製造される
ことができる。従って、これらの基体は低損失伝送ライ
ンの形成に使用されることができる。
【０００６】最近、別の半導体システムがマイクロ波と
ミリメートル波長領域において利用できる可能性が示さ
れている。これはＳｉＧｅ／Ｓｉシステムである。Ｇｅ
x Ｓｉ1-x はＳｉとは整合しない格子定数の合金であ
る。ＳｉＧｅ／Ｓｉシステムは優れた高周波数性能を有
することが示されている。例えば、Ｓｉ／ＳｉＧｅのＨ
ＢＴは７０ＧＨｚのｆT 値を達成する。さらに、シリコ
ンは最も成熟した半導体技術であり、他の半導体システ
ムよりも価格面の利点が大きい。
ミリメートル波長領域において利用できる可能性が示さ
れている。これはＳｉＧｅ／Ｓｉシステムである。Ｇｅ
x Ｓｉ1-x はＳｉとは整合しない格子定数の合金であ
る。ＳｉＧｅ／Ｓｉシステムは優れた高周波数性能を有
することが示されている。例えば、Ｓｉ／ＳｉＧｅのＨ
ＢＴは７０ＧＨｚのｆT 値を達成する。さらに、シリコ
ンは最も成熟した半導体技術であり、他の半導体システ
ムよりも価格面の利点が大きい。
【０００７】しかしながら、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓお
よびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムとは対照的に、シリ
コンの比抵抗は純化によってしか増加させることができ
ないので、比抵抗が限定される（例えば〜１０4 Ωｃ
ｍ）。従って、シリコン基体上で製造されるマイクロ波
伝送ラインは不所望な損失を発生する。主にこの理由
で、廉価なＳｉＧｅ／Ｓｉシステムで構成されるＭＭＩ
Ｃは競争的性能を示さない。
よびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰシステムとは対照的に、シリ
コンの比抵抗は純化によってしか増加させることができ
ないので、比抵抗が限定される（例えば〜１０4 Ωｃ
ｍ）。従って、シリコン基体上で製造されるマイクロ波
伝送ラインは不所望な損失を発生する。主にこの理由
で、廉価なＳｉＧｅ／Ｓｉシステムで構成されるＭＭＩ
Ｃは競争的性能を示さない。
【０００８】サカイ ヒロユキ氏の文献（“A novel mi
llimeter-wave IC on Si Substrate”，1994 IEEE MTT-
S Digest，1763〜1766頁）ではマイクロストリップ伝送
ラインが提案されており、その接地平面は高度にドープ
されたシリコン基体の表面上に製造される。この構造で
は、ミリメートル波のヘテロ接合トランジスタチップは
反転され、伝送ラインの信号ラインに結合される。この
技術は廉価のシリコン基体を有するマイクロ波回路を実
現するが、モノリシック回路製造の高い生産性と固有の
価格節約を利用できない。
llimeter-wave IC on Si Substrate”，1994 IEEE MTT-
S Digest，1763〜1766頁）ではマイクロストリップ伝送
ラインが提案されており、その接地平面は高度にドープ
されたシリコン基体の表面上に製造される。この構造で
は、ミリメートル波のヘテロ接合トランジスタチップは
反転され、伝送ラインの信号ラインに結合される。この
技術は廉価のシリコン基体を有するマイクロ波回路を実
現するが、モノリシック回路製造の高い生産性と固有の
価格節約を利用できない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低損
失マイクロ波伝送通路と、廉価な製造のために好ましい
シリコンベースである半導体構造とを結合するモノリシ
ックマイクロ波集積回路構造を得ることである。
失マイクロ波伝送通路と、廉価な製造のために好ましい
シリコンベースである半導体構造とを結合するモノリシ
ックマイクロ波集積回路構造を得ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的は、接地平面を
有する分布伝送ライン回路網が半導体構造と、回路網の
接地平面を通って半導体システムと結合するように構成
された伝送回路網の信号ライン上に位置されることがで
きるという認識によって達成される。
有する分布伝送ライン回路網が半導体構造と、回路網の
接地平面を通って半導体システムと結合するように構成
された伝送回路網の信号ライン上に位置されることがで
きるという認識によって達成される。
【００１１】１実施形態では、マイクロ波装置構造はシ
リコン基体上にマイクロ波装置例えばシリコンベースの
ＨＢＴを位置し、これらを導電部材と、絶縁誘電体との
交互の層の相互接続システムによって電気的に接続す
る。分散伝送ライン回路網の接地平面は相互接続システ
ム上に支持される。伝送回路網の信号ラインはマイクロ
波誘電体により接地平面から間隔を隔てられている。開
口は接地平面中に形成され開口を通して選択されたマイ
クロ波装置と結合するように信号ラインが構成されてい
る。代りに、パッドは開口中に残されることができ、パ
ッドと信号ライン部分の間の間隔はマイクロ波キャパシ
タを形成するように減少されている。
リコン基体上にマイクロ波装置例えばシリコンベースの
ＨＢＴを位置し、これらを導電部材と、絶縁誘電体との
交互の層の相互接続システムによって電気的に接続す
る。分散伝送ライン回路網の接地平面は相互接続システ
ム上に支持される。伝送回路網の信号ラインはマイクロ
波誘電体により接地平面から間隔を隔てられている。開
口は接地平面中に形成され開口を通して選択されたマイ
クロ波装置と結合するように信号ラインが構成されてい
る。代りに、パッドは開口中に残されることができ、パ
ッドと信号ライン部分の間の間隔はマイクロ波キャパシ
タを形成するように減少されている。
【００１２】マイクロストリップ伝送ラインを通る損失
は信号ライン幅が増加されるとき減少され、選択された
インピーダンスを達成するため、信号ラインと接地平面
との間の間隔が増加するならば、より広いラインが使用
されることができる。従って、マイクロ波誘電体は好ま
しくは例えば１３ミクロンの厚い平面層で形成されるこ
とができるベンゾシクロブテンのような材料から選択さ
れる。
は信号ライン幅が増加されるとき減少され、選択された
インピーダンスを達成するため、信号ラインと接地平面
との間の間隔が増加するならば、より広いラインが使用
されることができる。従って、マイクロ波誘電体は好ま
しくは例えば１３ミクロンの厚い平面層で形成されるこ
とができるベンゾシクロブテンのような材料から選択さ
れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の優れた特徴は特に特許請
求の範囲に記載されている。本発明は添付図面を伴った
以下の説明により最良に理解されるであろう。例示的な
マイクロ波回路20は図１で示されており、図２乃至４は
例示的な回路20を実現する本発明によるＭＭＩＣ 100を
示している。特に図３で示されているように、ＭＭＩＣ
100はマイクロ波装置構造130 上に分布伝送ライン回路
網110を位置する。伝送ライン回路網110 の信号ライン
は回路網110 の接地平面を通ってマイクロ波装置構造13
0 と通信するように構成されている。伝送ライン回路網
110 はまた広い低損失信号ラインと両立する厚さで付着
されることができるマイクロ波誘電体を含む。これらの
構造はシリコンベースの半導体システムにおけるＭＭＩ
Ｃ 100の実現を助け、その性能は例えばＧａＡｌＡｓ／
ＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰのような他の高速
度半導体システムと匹敵し、その製造価格はこれらのシ
ステムと比べて非常に廉価である。ＭＭＩＣ 100を詳細
に説明する前に、最初に例示的なマイクロ波回路概略図
20について予備的な説明に注目する。
求の範囲に記載されている。本発明は添付図面を伴った
以下の説明により最良に理解されるであろう。例示的な
マイクロ波回路20は図１で示されており、図２乃至４は
例示的な回路20を実現する本発明によるＭＭＩＣ 100を
示している。特に図３で示されているように、ＭＭＩＣ
100はマイクロ波装置構造130 上に分布伝送ライン回路
網110を位置する。伝送ライン回路網110 の信号ライン
は回路網110 の接地平面を通ってマイクロ波装置構造13
0 と通信するように構成されている。伝送ライン回路網
110 はまた広い低損失信号ラインと両立する厚さで付着
されることができるマイクロ波誘電体を含む。これらの
構造はシリコンベースの半導体システムにおけるＭＭＩ
Ｃ 100の実現を助け、その性能は例えばＧａＡｌＡｓ／
ＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰのような他の高速
度半導体システムと匹敵し、その製造価格はこれらのシ
ステムと比べて非常に廉価である。ＭＭＩＣ 100を詳細
に説明する前に、最初に例示的なマイクロ波回路概略図
20について予備的な説明に注目する。
【００１４】概略図20は２つのマイクロ波トランジスタ
22,23 が入力ポート24と出力ポート26との間で信号増幅
を分配するように位置されているマイクロ波増幅器を示
している。トランジスタ22,23 のベースはインピーダン
ス整合回路網28とパワー分割装置30により入力ポート24
に結合されている。トランジスタ22,23 のコレクタはイ
ンピーダンス整合回路網32とパワー結合器34により出力
ポート26に結合されている。トランジスタのエミッタは
接地電位に結合されている。
22,23 が入力ポート24と出力ポート26との間で信号増幅
を分配するように位置されているマイクロ波増幅器を示
している。トランジスタ22,23 のベースはインピーダン
ス整合回路網28とパワー分割装置30により入力ポート24
に結合されている。トランジスタ22,23 のコレクタはイ
ンピーダンス整合回路網32とパワー結合器34により出力
ポート26に結合されている。トランジスタのエミッタは
接地電位に結合されている。
【００１５】パワー分割装置30とパワー結合器34はマイ
クロ波技術で通常ウィルキンソン（Wilkinson ）パワー
分割装置と呼ばれている形式の回路である。入力側の分
割装置30は２つの伝送ライン36,38 とを含んでおり、こ
れは一方の端部で入力伝送ライン40に接続され、他方の
端部で抵抗負荷42へ結合されている。負荷42の両端部は
回路ノード44,45 にある。分割装置は入力ポート24で入
力されるパワーを分割し、これをノード44,45 へ伝送
し、回路ノード44,45 で“観察する”選択されたインピ
ーダンスを入力ポート24の選択されたインピーダンスに
変換する。入力ポートのインピーダンスは通常５０Ωで
あり、これは説明を明瞭にするため実施例の回路20の場
合にそうであると想定されている。
クロ波技術で通常ウィルキンソン（Wilkinson ）パワー
分割装置と呼ばれている形式の回路である。入力側の分
割装置30は２つの伝送ライン36,38 とを含んでおり、こ
れは一方の端部で入力伝送ライン40に接続され、他方の
端部で抵抗負荷42へ結合されている。負荷42の両端部は
回路ノード44,45 にある。分割装置は入力ポート24で入
力されるパワーを分割し、これをノード44,45 へ伝送
し、回路ノード44,45 で“観察する”選択されたインピ
ーダンスを入力ポート24の選択されたインピーダンスに
変換する。入力ポートのインピーダンスは通常５０Ωで
あり、これは説明を明瞭にするため実施例の回路20の場
合にそうであると想定されている。
【００１６】各ライン36,38 は７０．７Ωの特性インピ
ーダンスと動作波長の１／４の長さを有するように構成
され、したがってこれらは１／４波長変換器である。マ
イクロ波技術でよく知られているように、インピーダン
スＺL を有する１／４波長ラインは、関係式ＺL ＝（Ｚ
1 Ｚ2 ）1/2 により定められた各端部Ｚ1 とＺ2 のイン
ピーダンスに関連される。従って、ライン36,38 はそれ
ぞれ回路ノード44,45における50Ωから反対の端部での1
00 Ωへインピーダンスを変換し、ここでこれらは入力
伝送ライン40に並列に結合されている。
ーダンスと動作波長の１／４の長さを有するように構成
され、したがってこれらは１／４波長変換器である。マ
イクロ波技術でよく知られているように、インピーダン
スＺL を有する１／４波長ラインは、関係式ＺL ＝（Ｚ
1 Ｚ2 ）1/2 により定められた各端部Ｚ1 とＺ2 のイン
ピーダンスに関連される。従って、ライン36,38 はそれ
ぞれ回路ノード44,45における50Ωから反対の端部での1
00 Ωへインピーダンスを変換し、ここでこれらは入力
伝送ライン40に並列に結合されている。
【００１７】これらのインピーダンスは並列であるの
で、入力ライン40は50Ωのインピーダンスを与えられ
る。入力伝送ラインは50Ωの特性インピーダンスを有す
るように構成され、それによって、２つのライン36,38
のインピーダンスを入力ポート24における50Ωのインピ
ーダンスに変換する。負荷42が100 Ωのインピーダンス
を有するように選択されるならば、２つの回路ノード4
4,45 における信号は実質的に互いに分離される。
で、入力ライン40は50Ωのインピーダンスを与えられ
る。入力伝送ラインは50Ωの特性インピーダンスを有す
るように構成され、それによって、２つのライン36,38
のインピーダンスを入力ポート24における50Ωのインピ
ーダンスに変換する。負荷42が100 Ωのインピーダンス
を有するように選択されるならば、２つの回路ノード4
4,45 における信号は実質的に互いに分離される。
【００１８】インピーダンス整合回路網28はトランジス
タ22,23 の入力インピーダンスを回路ノード44,45 にお
ける50Ωに変換するように構成される。これらの回路網
28は直列のキャパシタ52と伝送ライン54と並列キャパシ
タ56とを含むものとする。
タ22,23 の入力インピーダンスを回路ノード44,45 にお
ける50Ωに変換するように構成される。これらの回路網
28は直列のキャパシタ52と伝送ライン54と並列キャパシ
タ56とを含むものとする。
【００１９】インピーダンス整合回路網32および出力パ
ワー結合器34は整合回路網28およびパワー分割装置30に
ついて説明したのと類似の方法で構成される。パワー結
合器34は回路ノード63,64 を出力伝送ライン66へ結合す
る並列伝送ライン60,62 を有する。パワー結合器34は回
路ノード63と64を出力伝送ライン66へ結合する並列伝送
ライン60,62 を有する。結合器34は分離抵抗67も有す
る。インピーダンス整合回路網32はそれぞれ並列キャパ
シタ68と、直列の伝送ライン70と、直列のキャパシタ72
を含んでいる。
ワー結合器34は整合回路網28およびパワー分割装置30に
ついて説明したのと類似の方法で構成される。パワー結
合器34は回路ノード63,64 を出力伝送ライン66へ結合す
る並列伝送ライン60,62 を有する。パワー結合器34は回
路ノード63と64を出力伝送ライン66へ結合する並列伝送
ライン60,62 を有する。結合器34は分離抵抗67も有す
る。インピーダンス整合回路網32はそれぞれ並列キャパ
シタ68と、直列の伝送ライン70と、直列のキャパシタ72
を含んでいる。
【００２０】各トランジスタ22,23 は通常のように供給
電圧Ｖ+ から抵抗74,75,76によりバイアスされる。供給
電圧はキャパシタ78により減結合され、伝送ライン79は
減結合キャパシタ78の低インピーダンスをトランジスタ
に適切なコレクタインピーダンスに変換する。各入力ポ
ート24および出力ポート26は信号パッド80および接地パ
ッド82を有する。
電圧Ｖ+ から抵抗74,75,76によりバイアスされる。供給
電圧はキャパシタ78により減結合され、伝送ライン79は
減結合キャパシタ78の低インピーダンスをトランジスタ
に適切なコレクタインピーダンスに変換する。各入力ポ
ート24および出力ポート26は信号パッド80および接地パ
ッド82を有する。
【００２１】マイクロ波回路20はマイクロ波トランジス
タ22,23 を入力ポート24と出力ポート26との間に並列に
結合する。動作において、入力ポート24で受信されたマ
イクロ波信号はトランジスタ22,23 により別々に増幅さ
れる２つの部分に分離される。増幅された信号はその後
出力ポート26で結合される。トランジスタ22,23 はそれ
によって別々に処理するよりも大きな信号を増幅するこ
とができる。インピーダンス整合回路網28,32 は典型的
に入力回路ノード44,45 および出力回路ノード63,64 の
50Ωインピーダンスを安定性と両立する利得を達成する
トランジスタ22,23 のベースおよびコレクタにおけるイ
ンピーダンスに変換するように構成される。
タ22,23 を入力ポート24と出力ポート26との間に並列に
結合する。動作において、入力ポート24で受信されたマ
イクロ波信号はトランジスタ22,23 により別々に増幅さ
れる２つの部分に分離される。増幅された信号はその後
出力ポート26で結合される。トランジスタ22,23 はそれ
によって別々に処理するよりも大きな信号を増幅するこ
とができる。インピーダンス整合回路網28,32 は典型的
に入力回路ノード44,45 および出力回路ノード63,64 の
50Ωインピーダンスを安定性と両立する利得を達成する
トランジスタ22,23 のベースおよびコレクタにおけるイ
ンピーダンスに変換するように構成される。
【００２２】再度、図２乃至４で示されているＭＭＩＣ
100に注目する。これらの図面ではＭＭＩＣ 100はシリ
コンベースのモノリシック回路として構成され、これは
分布伝送ライン回路網 110を有する（分布回路網の動作
は磁界および電界および分布回路網定数に関して説明さ
れている）。回路網110 はマイクロ波装置構造130 の形
態の集中能動素子回路上に位置される。伝送ライン構造
110 はマイクロ波誘電体116 により接地平面114 から間
隔を隔てられた１組の伝送信号ライン112 を含んでい
る。誘電体116 は好ましくは接地平面114 に隣接する薄
い第１の層117 と、信号ライン112 に隣接する厚い第２
の層118 を有する。伝送ライン回路網110は一般的なマ
イクロストリップ形態で構成され、即ち信号ラインは誘
電体により接地平面と間隔を隔てられている。
100に注目する。これらの図面ではＭＭＩＣ 100はシリ
コンベースのモノリシック回路として構成され、これは
分布伝送ライン回路網 110を有する（分布回路網の動作
は磁界および電界および分布回路網定数に関して説明さ
れている）。回路網110 はマイクロ波装置構造130 の形
態の集中能動素子回路上に位置される。伝送ライン構造
110 はマイクロ波誘電体116 により接地平面114 から間
隔を隔てられた１組の伝送信号ライン112 を含んでい
る。誘電体116 は好ましくは接地平面114 に隣接する薄
い第１の層117 と、信号ライン112 に隣接する厚い第２
の層118 を有する。伝送ライン回路網110は一般的なマ
イクロストリップ形態で構成され、即ち信号ラインは誘
電体により接地平面と間隔を隔てられている。
【００２３】図２では、１組の信号ライン112 は回路20
の全ての伝送ラインを含んでいる。例えば、ＭＭＩＣ 1
00の左側には入力ライン40と、パワー分割装置ライン3
6,38と、インピーダンス整合ライン54が位置している。
分割装置ライン36,38 は入力ライン40およびインピーダ
ンス即ち７０．７Ω対５０Ωのインピーダンス差を反映
するインピーダンス整合ライン54よりも細い。キャパシ
タ56,52 はライン54の各端部で構成される。
の全ての伝送ラインを含んでいる。例えば、ＭＭＩＣ 1
00の左側には入力ライン40と、パワー分割装置ライン3
6,38と、インピーダンス整合ライン54が位置している。
分割装置ライン36,38 は入力ライン40およびインピーダ
ンス即ち７０．７Ω対５０Ωのインピーダンス差を反映
するインピーダンス整合ライン54よりも細い。キャパシ
タ56,52 はライン54の各端部で構成される。
【００２４】ＭＭＩＣ 100の右側には出力ライン66と、
パワー結合器ライン60,62 とインピーダンス整合ライン
70が位置されている。入力構造のように、結合ライン6
0,62は出力ライン66およびインピーダンス整合ライン70
よりも細い。キャパシタ68と72はライン70の各端部で構
成される。
パワー結合器ライン60,62 とインピーダンス整合ライン
70が位置されている。入力構造のように、結合ライン6
0,62は出力ライン66およびインピーダンス整合ライン70
よりも細い。キャパシタ68と72はライン70の各端部で構
成される。
【００２５】入力および出力伝送ラインの間にはライン
79が位置されており、これはラインの１端部のキャパシ
タ78の低い減結合インピーダンスを他のライン端部の接
続貫通孔119 を通ってトランジスタコレクタへ結合す
る。
79が位置されており、これはラインの１端部のキャパシ
タ78の低い減結合インピーダンスを他のライン端部の接
続貫通孔119 を通ってトランジスタコレクタへ結合す
る。
【００２６】入力および出力ポート24,26 はパッド80,8
2 により限定される。ＭＭＩＣ 100の上部および下部の
他のパッド106 は接地平面112 から隔てられている。こ
れらは例えばＶ+ の他の電気形態へ接続するのに有効で
ある。
2 により限定される。ＭＭＩＣ 100の上部および下部の
他のパッド106 は接地平面112 から隔てられている。こ
れらは例えばＶ+ の他の電気形態へ接続するのに有効で
ある。
【００２７】回路20の集中能動素子はマイクロ波装置構
造130 のシリコン基体120 上に支持される。これらの素
子は、トランジスタ22,23 と抵抗74,75,76を含んでい
る。図を明瞭にするため、トランジスタ23のみが図３で
示されている。トランジスタ23はエミッタオーム接触部
122 とベースオーム接触部124 とコレクタオーム接触部
126 とを有する。
造130 のシリコン基体120 上に支持される。これらの素
子は、トランジスタ22,23 と抵抗74,75,76を含んでい
る。図を明瞭にするため、トランジスタ23のみが図３で
示されている。トランジスタ23はエミッタオーム接触部
122 とベースオーム接触部124 とコレクタオーム接触部
126 とを有する。
【００２８】マイクロ波装置構造130 はまた例えば部材
138,139 のような導電部材のパターン化された層133,13
4 を有する相互接続システム132 を含んでおり、これは
誘電層135,136,137 （層133,134 は破線で示されてい
る）により分離されている。誘電体は好ましくは例えば
低損失のマイクロ波特性を有することがよく知られてい
る二酸化シリコンおよびポリイミドのような材料から選
択される。相互接続構造132 もまたシリコン基体120 上
に支持される。基体120 はＭＭＩＣ 100の他の構造より
も非常に厚く、したがって水平部分を除去して示されて
いる。
138,139 のような導電部材のパターン化された層133,13
4 を有する相互接続システム132 を含んでおり、これは
誘電層135,136,137 （層133,134 は破線で示されてい
る）により分離されている。誘電体は好ましくは例えば
低損失のマイクロ波特性を有することがよく知られてい
る二酸化シリコンおよびポリイミドのような材料から選
択される。相互接続構造132 もまたシリコン基体120 上
に支持される。基体120 はＭＭＩＣ 100の他の構造より
も非常に厚く、したがって水平部分を除去して示されて
いる。
【００２９】ＭＭＩＣ 100は典型的に図を明瞭にするた
め示されていないマイクロ波パッケージ中に取付けられ
ている。典型的にパッド80,82,106 とピンまたはパッケ
ージ周囲の伝送ラインとの間で、ワイヤ結合のような接
続が行われる。ＭＭＩＣ 100は大きなマイクロ波回路へ
集積される。代りに、ＭＭＩＣ 100は他のＭＭＩＣと共
に大きな基体に取付けられ、多重チップモジュール（Ｍ
ＣＭ）を形成するため共に接続されることもできる。
め示されていないマイクロ波パッケージ中に取付けられ
ている。典型的にパッド80,82,106 とピンまたはパッケ
ージ周囲の伝送ラインとの間で、ワイヤ結合のような接
続が行われる。ＭＭＩＣ 100は大きなマイクロ波回路へ
集積される。代りに、ＭＭＩＣ 100は他のＭＭＩＣと共
に大きな基体に取付けられ、多重チップモジュール（Ｍ
ＣＭ）を形成するため共に接続されることもできる。
【００３０】図３は図２の面３−３に沿った接続貫通孔
119 の構造を示している。図面は接地平面114 の開口15
0 を示している。接地平面114 のパッド152 は開口150
内に残されている。信号ライン79の部分154 と接地平面
114 との間の間隔は開口150の付近で減少される。特に
信号ライン部分154 はパッド152 と接触するため誘電体
118 を通って下方向に導かれる。パッド152 はさらに導
電部材138 を通ってトランジスタ23のコレクタオーム接
触部126 の１つへ接続される。この接続は構造156,158
（実線で示されている）を経て相互接続システム132 の
層の間で一般的な貫通孔接続によって行われる。
119 の構造を示している。図面は接地平面114 の開口15
0 を示している。接地平面114 のパッド152 は開口150
内に残されている。信号ライン79の部分154 と接地平面
114 との間の間隔は開口150の付近で減少される。特に
信号ライン部分154 はパッド152 と接触するため誘電体
118 を通って下方向に導かれる。パッド152 はさらに導
電部材138 を通ってトランジスタ23のコレクタオーム接
触部126 の１つへ接続される。この接続は構造156,158
（実線で示されている）を経て相互接続システム132 の
層の間で一般的な貫通孔接続によって行われる。
【００３１】接続貫通孔119 構造は誘電体116 に開口を
生成し、伝送ライン79をこの開口に連続するようにメッ
キすることにより形成されることができる。パッド152
は信号ライン部分154 をコレクタ接触部154 に結合する
ことを容易にするが、本発明の他の実施例では除去さ
れ、部分154 は相互接続路156 により導電部材138 と直
接接続される。
生成し、伝送ライン79をこの開口に連続するようにメッ
キすることにより形成されることができる。パッド152
は信号ライン部分154 をコレクタ接触部154 に結合する
ことを容易にするが、本発明の他の実施例では除去さ
れ、部分154 は相互接続路156 により導電部材138 と直
接接続される。
【００３２】キャパシタ72は接続貫通孔119 と類似の方
法で形成される。開口160 は接地平面114 により限定さ
れ、パッド162 は開口160 中に残される。キャパシタ72
は信号ライン70の部分164 とパッド162 の間の間隔を減
少することにより形成される。部分164 とパッド166 と
の間の間隔168 は部分164 により形成されるキャパシタ
プレートとパッド162 の間に誘電体を形成する。パッド
162 は相互接続システム132 中で相互接続部材139 と一
般的な接続貫通孔169,170 を通って他のコレクタオーム
接触部126 に接続される。図３では、エミッタオーム接
触部122 は直接、接地平面114 に接続される。
法で形成される。開口160 は接地平面114 により限定さ
れ、パッド162 は開口160 中に残される。キャパシタ72
は信号ライン70の部分164 とパッド162 の間の間隔を減
少することにより形成される。部分164 とパッド166 と
の間の間隔168 は部分164 により形成されるキャパシタ
プレートとパッド162 の間に誘電体を形成する。パッド
162 は相互接続システム132 中で相互接続部材139 と一
般的な接続貫通孔169,170 を通って他のコレクタオーム
接触部126 に接続される。図３では、エミッタオーム接
触部122 は直接、接地平面114 に接続される。
【００３３】図４は図３と類似した図であり、同一要素
は同一の参照符号で示されている。この図面は図２の接
地パッド82の面４−４に沿った断面の伝送ライン接地構
造を示している。信号ラインの部分174 と接地平面114
との間の間隔は減少され、即ち、信号ラインは接地平面
と接触するために誘電体116 の開口を通ってメッキされ
る。多数のマイクロ波回路は、マイクロ波により終端さ
れる伝送信号ラインが短絡することを必要とする。これ
らの短絡は接地パッド82により示されているように形成
されることができる。
は同一の参照符号で示されている。この図面は図２の接
地パッド82の面４−４に沿った断面の伝送ライン接地構
造を示している。信号ラインの部分174 と接地平面114
との間の間隔は減少され、即ち、信号ラインは接地平面
と接触するために誘電体116 の開口を通ってメッキされ
る。多数のマイクロ波回路は、マイクロ波により終端さ
れる伝送信号ラインが短絡することを必要とする。これ
らの短絡は接地パッド82により示されているように形成
されることができる。
【００３４】伝送信号ラインは図５の渦巻きインダクタ
180 により示されているようにインダクタを形成し、こ
れは信号ライン182 の端部に位置されている。インダク
タ180 は端部186,188 を有する渦巻き型の信号ライン18
4 から形成されている。インダクタの端部はまた図３の
ように接地平面または図４のようにマイクロ波短絡への
キャパシタ構造を有することができる。
180 により示されているようにインダクタを形成し、こ
れは信号ライン182 の端部に位置されている。インダク
タ180 は端部186,188 を有する渦巻き型の信号ライン18
4 から形成されている。インダクタの端部はまた図３の
ように接地平面または図４のようにマイクロ波短絡への
キャパシタ構造を有することができる。
【００３５】図２乃至４の分布伝送ライン回路網110 の
ライン36のような信号ラインは好ましくは電気メッキさ
れた金のようなＭＭＩＣ製造と両立性の低損失導電金属
で形成される。同様に、例えばアルミニウム−銅のよう
な低損失導電金属または合金は有効に接地平面114 用に
使用される。
ライン36のような信号ラインは好ましくは電気メッキさ
れた金のようなＭＭＩＣ製造と両立性の低損失導電金属
で形成される。同様に、例えばアルミニウム−銅のよう
な低損失導電金属または合金は有効に接地平面114 用に
使用される。
【００３６】誘電体層118 は原理上、伝送ライン誘電体
である。このように、これは低い誘電定数と低損失タン
ジェントを有することが好ましい。製造を容易にするた
めに、基体と金属に対して良好な粘着性も有するべきで
ある。
である。このように、これは低い誘電定数と低損失タン
ジェントを有することが好ましい。製造を容易にするた
めに、基体と金属に対して良好な粘着性も有するべきで
ある。
【００３７】図２の幅189 等の信号ライン幅を増加する
と、伝送ライン回路網110 のマイクロ波通路損失は低下
する。所定の伝送ラインインピーダンスに対して、信号
ラインと接地平面との間の増加した間隔は増加したライ
ン幅を必要とする。それ故、誘電体118 の別の好ましい
特性は、例えば少なくとも１０ミクロン、好ましくは１
３ミクロン程度の比較的厚い層に付着されることがで
き、それによって、広い低損失信号ラインが構成される
ことができる。最終的に、一貫したインピーダンスで
は、誘電体の厚さは一定であり、上部表面が平面である
ことが望ましい。
と、伝送ライン回路網110 のマイクロ波通路損失は低下
する。所定の伝送ラインインピーダンスに対して、信号
ラインと接地平面との間の増加した間隔は増加したライ
ン幅を必要とする。それ故、誘電体118 の別の好ましい
特性は、例えば少なくとも１０ミクロン、好ましくは１
３ミクロン程度の比較的厚い層に付着されることがで
き、それによって、広い低損失信号ラインが構成される
ことができる。最終的に、一貫したインピーダンスで
は、誘電体の厚さは一定であり、上部表面が平面である
ことが望ましい。
【００３８】本発明の構造は前述の特性を有する誘電体
によって構成されることが好ましい。これらの特性を有
する例示的な誘電体はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）で
あり、これは１０ＧＨｚで２．６５の誘電定数と０．０
０２の損失タンジェントを有する。このポリマーはスピ
ン被覆により基体上に付着されることができる。ポリマ
ーが表面上に位置された後、表面は急速に回転され、よ
ってＢＣＢが平坦な構造であると想定される。ＢＣＢの
開口はプラズマエッチングまたは反応イオンエッチング
により製造されることができる。本発明の他の実施例は
これらの所望の特性を有する種々の誘電体で形成される
ことができる。
によって構成されることが好ましい。これらの特性を有
する例示的な誘電体はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）で
あり、これは１０ＧＨｚで２．６５の誘電定数と０．０
０２の損失タンジェントを有する。このポリマーはスピ
ン被覆により基体上に付着されることができる。ポリマ
ーが表面上に位置された後、表面は急速に回転され、よ
ってＢＣＢが平坦な構造であると想定される。ＢＣＢの
開口はプラズマエッチングまたは反応イオンエッチング
により製造されることができる。本発明の他の実施例は
これらの所望の特性を有する種々の誘電体で形成される
ことができる。
【００３９】図３のキャパシタプレート162,164 の横方
向寸法を減少するために、誘電体117 は高い誘電率を有
することが好ましい。この構造に対して好ましい誘電体
は二酸化シリコンと窒化シリコンである。伝送ラインの
誘電体116 は好ましくは接地平面114 と連接する付加的
な層を含むことが好ましいが、本発明の他の実施例は単
一の誘電体のみで形成されることができる。
向寸法を減少するために、誘電体117 は高い誘電率を有
することが好ましい。この構造に対して好ましい誘電体
は二酸化シリコンと窒化シリコンである。伝送ラインの
誘電体116 は好ましくは接地平面114 と連接する付加的
な層を含むことが好ましいが、本発明の他の実施例は単
一の誘電体のみで形成されることができる。
【００４０】例示的な伝送ラインは本発明の方法により
形成された。これは３ミクロンの幅と２４５０ミクロン
の長さを有する電気メッキされた金の信号ラインを具備
している。これはＢＣＢの１３ミクロンの厚い誘電体に
より接地平面から隔てられた。図６のグラフでは、この
伝送ラインのデシベル／センチメートルで測定された損
失は曲線192 で示されている。誘電定数が３．３、損失
タンジェントが０．０２５であると仮定された計算によ
り損失が予測された（これらの測定パラメータは製造業
者の定格を越える値とは異なっている）。計算された損
失は破線193 として示されている。測定された損失は５
ＧＨｚより下の領域内の計算損失と最良に適合する。
形成された。これは３ミクロンの幅と２４５０ミクロン
の長さを有する電気メッキされた金の信号ラインを具備
している。これはＢＣＢの１３ミクロンの厚い誘電体に
より接地平面から隔てられた。図６のグラフでは、この
伝送ラインのデシベル／センチメートルで測定された損
失は曲線192 で示されている。誘電定数が３．３、損失
タンジェントが０．０２５であると仮定された計算によ
り損失が予測された（これらの測定パラメータは製造業
者の定格を越える値とは異なっている）。計算された損
失は破線193 として示されている。測定された損失は５
ＧＨｚより下の領域内の計算損失と最良に適合する。
【００４１】図５のインダクタ180 に類似する例示的な
渦巻きインダクタも製造された。それはＢＣＢ基体上に
１０ミクロン幅の２つの巻回の信号ラインを具備してい
る。測定されたインダクタンスと品質係数Ｑはそれぞれ
曲線196,197 として図７のグラフ194 に示されている。
渦巻きインダクタも製造された。それはＢＣＢ基体上に
１０ミクロン幅の２つの巻回の信号ラインを具備してい
る。測定されたインダクタンスと品質係数Ｑはそれぞれ
曲線196,197 として図７のグラフ194 に示されている。
【００４２】一般的な実施に応じて、用語モノリシック
マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）はこの説明では１ＧＨ
ｚを越える周波数で動作することを目的としたモノリシ
ック回路を意味する用語として使用されている。用語ミ
リメートル波は通常、４０ＧＨｚ乃至３００ＧＨｚの範
囲（IEEE Standard 521 〜1976頁）の周波数を意味する
用語として使用されている。従って、ミリメートル波周
波数はマイクロ波周波数の一部分であり、本質的に、用
語ＭＭＩＣの使用に含まれている。
マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）はこの説明では１ＧＨ
ｚを越える周波数で動作することを目的としたモノリシ
ック回路を意味する用語として使用されている。用語ミ
リメートル波は通常、４０ＧＨｚ乃至３００ＧＨｚの範
囲（IEEE Standard 521 〜1976頁）の周波数を意味する
用語として使用されている。従って、ミリメートル波周
波数はマイクロ波周波数の一部分であり、本質的に、用
語ＭＭＩＣの使用に含まれている。
【００４３】図３の信号ライン部分154,164 および図４
の174 は信号ラインの円錐窪みとして示されているが、
信号ライン部分の他の実施例は例えば簡単は平面タブの
ような信号ラインの同等の窪みで達成されることができ
る。
の174 は信号ラインの円錐窪みとして示されているが、
信号ライン部分の他の実施例は例えば簡単は平面タブの
ような信号ラインの同等の窪みで達成されることができ
る。
【００４４】本発明の方法はシリコンベースの装置と低
損失伝送ライン回路網を有するシリコン基体の組合わせ
を容易にする。従って、ＭＭＩＣはＨＢＴ等の高周波ト
ランジスタ構造を含むことができ、これはＧａＡｌＡｓ
／ＧａＡｓとＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰのような前述の好ま
しいシステムよりも廉価である例えばＧｅＳｉ／Ｓｉの
半導体システムで製造される。
損失伝送ライン回路網を有するシリコン基体の組合わせ
を容易にする。従って、ＭＭＩＣはＨＢＴ等の高周波ト
ランジスタ構造を含むことができ、これはＧａＡｌＡｓ
／ＧａＡｓとＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰのような前述の好ま
しいシステムよりも廉価である例えばＧｅＳｉ／Ｓｉの
半導体システムで製造される。
【００４５】本発明の方法はまたＭＭＩＣの製造を終了
する前にマイクロ波装置パラメータの測定を容易にす
る。例えば図３では、トランジスタ23のパラメータはマ
イクロ波装置構造130 上に伝送ライン回路網110 を付着
する前にプロ−ブによって測定されることができる。
する前にマイクロ波装置パラメータの測定を容易にす
る。例えば図３では、トランジスタ23のパラメータはマ
イクロ波装置構造130 上に伝送ライン回路網110 を付着
する前にプロ−ブによって測定されることができる。
【００４６】本発明の幾つかの例示的な実施例を示し説
明したが、多数の変形および代りの実施例が当業者で行
われる。このような変形および代りの実施例が考察さ
れ、特許請求の範囲で限定されているように本発明の技
術的範囲から逸脱することなく行われることができる。
明したが、多数の変形および代りの実施例が当業者で行
われる。このような変形および代りの実施例が考察さ
れ、特許請求の範囲で限定されているように本発明の技
術的範囲から逸脱することなく行われることができる。
【図１】例示的なマイクロ波増幅器回路の概略図。
【図２】図１の概略図を実現する本発明によるモノリシ
ックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の平面図。
ックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の平面図。
【図３】図２の平面３−３に沿ったＭＭＩＣ構造の拡大
図。
図。
【図４】図２の平面４−４に沿ったＭＭＩＣ構造の拡大
図。
図。
【図５】本発明による渦巻きインダクタの平面図。
【図６】図２のＭＭＩＣの伝送ラインの予測および測定
された損失のグラフ。
された損失のグラフ。
【図７】図５の渦巻きインダクタの測定されたインダク
タンスおよび品質係数（Ｑ）のグラフ。
タンスおよび品質係数（Ｑ）のグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 7/38 (72)発明者 ペリー・エー・マクドナルド アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90230、カルバー・シティー、アネタ 11921 (72)発明者 ローレンス・イー・ラーソン アメリカ合衆国、メリーランド州 20817、 ベセスダ、ブラッドムーア・ドライブ 8702 (72)発明者 マイケル・ジー・ケース アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91360、サウザンド・オークス、サンドバ ーグ・ストリート 211 (72)発明者 メーラン・マットロービアン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91436、エンチーノ、グロリア・アベニュ ー 4813 (72)発明者 メアリー・ワイ・チェン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91301、アゴウラ、ウインドミル・レーン 1063 (72)発明者 デイビッド・ビー・レンシュ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91320、サウザンド・オークス、キャプテ ン・ストリート 811
Claims (10)
- 【請求項１】 モノリシックマイクロ波集積回路におい
て、 接地平面を具備し、マイクロ波信号を伝導するように構
成されている分布伝送ライン回路網と、 マイクロ装置構造とを具備し、このマイクロ装置構造
は、 ａ）半導体基体と、 ｂ）前記基体上に支持される複数のマイクロ波装置と、 ｃ）前記基体上に支持され、電気的に前記マイクロ波装
置と接続するように構成されている相互接続システムを
有し、 前記伝送ライン回路網は前記相互接続システム上で支持
され、前記接地平面を通して前記マイクロ波装置構造の
予め定められた装置と結合されるように構成されている
ことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項２】 前記伝送ライン回路網は、 前記接地平面上で間隔を隔てられている複数のマイクロ
波信号ラインと、 前記信号ラインと前記接地平面との間の伝送ライン誘電
体とを含んでおり、 前記接地平面は開口を限定し、 前記信号ラインの１つは前記開口を通って前記マイクロ
波装置構造と結合するように構成されている請求項１記
載のモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項３】 前記伝送ライン誘電体はベンゾシクロブ
テンである請求項２記載のモノリシックマイクロ波集積
回路。 - 【請求項４】 前記信号ラインは通常前記接地平面から
１０ミクロンよりも大きな間隔を隔てられている請求項
２記載のモノリシックマイクロ波集積回路 - 【請求項５】 前記信号ラインの部分と前記接地平面と
の間の間隔はマイクロ波キャパシタを形成するため局部
的に減少されている請求項２記載のモノリシックマイク
ロ波集積回路。 - 【請求項６】 前記伝送ライン誘電体において、 ベンゾシクロブテンの第１の層と、 前記信号ライン部分と前記接地平面との間に位置されて
いる窒化シリコンの第２の層とを含んでいる請求項５記
載のモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項７】 前記信号ラインの１つと前記接地平面と
の間の間隔がマイクロ波の短絡を形成するように局部的
に減少されている請求項２記載のモノリシックマイクロ
波集積回路。 - 【請求項８】 前記相互接続システムにおいて、 少なくとも１つの導電部材の層と、 前記導電部材を絶縁するように配置されている相互接続
誘電体とを含んでいる請求項１記載のモノリシックマイ
クロ波集積回路。 - 【請求項９】 モノシリックマイクロ波集積回路におい
て、分布伝送ラインと基体上に支持されたマイクロ波装
置との間で信号を結合する方法において、 前記伝送ラインの信号ラインと前記マイクロ波装置の間
に前記伝送ラインの接地平面を位置させ、 前記接地平面に開口を形成し、 前記開口を通って前記マイクロ波装置と結合するように
前記信号ラインを構成するステップを含んでいる方法。 - 【請求項１０】 前記構成するステップが前記開口に隣
接して前記信号ライン部分を位置付けるステップを含ん
でいる請求項９記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US430067 | 1995-04-27 | ||
| US08/430,067 US5528209A (en) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Monolithic microwave integrated circuit and method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917959A true JPH0917959A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=23705930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8106894A Pending JPH0917959A (ja) | 1995-04-27 | 1996-04-26 | モノリシックマイクロ波集積回路および方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5528209A (ja) |
| EP (1) | EP0741414B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0917959A (ja) |
| DE (1) | DE69621517T2 (ja) |
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| US8492895B2 (en) | 2009-03-03 | 2013-07-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device with grounding conductor film formed on upper surface of dielectric film formed above integrated circuit |
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