JPH09107263A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH09107263A JPH09107263A JP26125695A JP26125695A JPH09107263A JP H09107263 A JPH09107263 A JP H09107263A JP 26125695 A JP26125695 A JP 26125695A JP 26125695 A JP26125695 A JP 26125695A JP H09107263 A JPH09107263 A JP H09107263A
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- Japan
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- electronic component
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- extraction electrode
- hole
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は原子間結合によってケースを接合す
る電子部品のパッケージ封止性の向上を目的とするもの
である。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は表裏ケース２，３の少なくとも一方にあらかじめ貫通
孔１７を塞ぐようにケース内面に設けた取り出し電極１
８を内方に湾曲させることにより電子部品素子に設けた
引き出し電極１４と電気的に接合させたものである。
る電子部品のパッケージ封止性の向上を目的とするもの
である。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は表裏ケース２，３の少なくとも一方にあらかじめ貫通
孔１７を塞ぐようにケース内面に設けた取り出し電極１
８を内方に湾曲させることにより電子部品素子に設けた
引き出し電極１４と電気的に接合させたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水晶、ガラスなどの
パッケージを用いた電子部品に関するものである。
パッケージを用いた電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の電子部品は、電子部品素
子と、この電子部品素子を覆うとともにその外周部で前
記電子部品素子の外周部を挟持した表裏ケースとを備
え、前記電子部品素子は前記表裏ケースによる挟持部内
方に舌片状の振動部を有し、この振動部の表裏には励振
用電極を形成していた。電子部品素子の電気的な引き出
しはケースにあけられた貫通孔に対してスパッタリング
により穴埋めを行うことによりなされていた。
子と、この電子部品素子を覆うとともにその外周部で前
記電子部品素子の外周部を挟持した表裏ケースとを備
え、前記電子部品素子は前記表裏ケースによる挟持部内
方に舌片状の振動部を有し、この振動部の表裏には励振
用電極を形成していた。電子部品素子の電気的な引き出
しはケースにあけられた貫通孔に対してスパッタリング
により穴埋めを行うことによりなされていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、スパ
ッタリングによって穴埋めを行っているために、ケース
に設けられた貫通孔の底面のエッジ部分では底面からの
膜の成長と貫通孔の壁面からの膜の成長の境目ができる
こととなる。この部分にピンホールができることにな
り、ピンホールがリークの経路となってパッケージの封
止がとれないという問題があった。
ッタリングによって穴埋めを行っているために、ケース
に設けられた貫通孔の底面のエッジ部分では底面からの
膜の成長と貫通孔の壁面からの膜の成長の境目ができる
こととなる。この部分にピンホールができることにな
り、ピンホールがリークの経路となってパッケージの封
止がとれないという問題があった。
【０００４】本発明はパッケージの封止性を向上させた
電子部品を提供することを目的とする。
電子部品を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、電子部品素子に設けた引き出し電極と表裏
ケースの少なくとも一方にあらかじめ設けた貫通孔を塞
ぐようにケース内面に設けた取り出し電極を内方に湾曲
させることにより、上記電子部品素子に設けた引き出し
電極と電気的に接合させたことにより、パッケージの封
止性を向上させることができる。
に本発明は、電子部品素子に設けた引き出し電極と表裏
ケースの少なくとも一方にあらかじめ設けた貫通孔を塞
ぐようにケース内面に設けた取り出し電極を内方に湾曲
させることにより、上記電子部品素子に設けた引き出し
電極と電気的に接合させたことにより、パッケージの封
止性を向上させることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、表裏ケース間を原子間結合または表裏ケース間に電
子部品素子を挟持して基板とケース間を原子間結合した
表裏ケース内に設けた密封空間中に電子部品素子を配置
し、前記表裏ケースの少なくとも一方にあらかじめ貫通
孔を塞ぐようにケース内面に設けた取り出し電極を内方
に湾曲させることにより上記電子部品素子に設けた引き
出し電極と電気的に接合したものであり、取り出し電極
の成膜が段差のない形状の上に行われ、封止性に優れた
緻密でピンホールのない膜を形成でき、電子部品素子を
密閉空間内に配置した後に取り出し電極を湾曲させ電子
部品素子に設けた引き出し電極と電気的に接合させるた
めケースを常に密閉された状態に保ちながら製造できる
ことになる。
は、表裏ケース間を原子間結合または表裏ケース間に電
子部品素子を挟持して基板とケース間を原子間結合した
表裏ケース内に設けた密封空間中に電子部品素子を配置
し、前記表裏ケースの少なくとも一方にあらかじめ貫通
孔を塞ぐようにケース内面に設けた取り出し電極を内方
に湾曲させることにより上記電子部品素子に設けた引き
出し電極と電気的に接合したものであり、取り出し電極
の成膜が段差のない形状の上に行われ、封止性に優れた
緻密でピンホールのない膜を形成でき、電子部品素子を
密閉空間内に配置した後に取り出し電極を湾曲させ電子
部品素子に設けた引き出し電極と電気的に接合させるた
めケースを常に密閉された状態に保ちながら製造できる
ことになる。
【０００７】請求項２に記載の発明は、エッチングによ
ってケースに貫通孔を設ける場合に、この貫通孔を介し
て外圧によって取り出し電極を内側に湾曲させるもので
あり、これによって電子部品素子の引き出し電極と電気
的に接合できることになる。
ってケースに貫通孔を設ける場合に、この貫通孔を介し
て外圧によって取り出し電極を内側に湾曲させるもので
あり、これによって電子部品素子の引き出し電極と電気
的に接合できることになる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、サンドブラスト
法によってケースに貫通孔を設ける場合に砥粒噴射圧に
よって取り出し電極を内側に湾曲させるものであり、こ
れによって合理的に電子部品素子の引き出し電極と電気
的に接合できることになる。
法によってケースに貫通孔を設ける場合に砥粒噴射圧に
よって取り出し電極を内側に湾曲させるものであり、こ
れによって合理的に電子部品素子の引き出し電極と電気
的に接合できることになる。
【０００９】請求項４に記載の発明は、ケースをＳｉＯ
2を主成分とする材料で構成し、エッチングやサンドブ
ラストによる貫通孔の形成を容易にしている。
2を主成分とする材料で構成し、エッチングやサンドブ
ラストによる貫通孔の形成を容易にしている。
【００１０】請求項５に記載の発明は、取り出し電極を
サンドブラストによる加工レートに対してケースより小
さい材料で構成し、湾曲を容易にしたものである。
サンドブラストによる加工レートに対してケースより小
さい材料で構成し、湾曲を容易にしたものである。
【００１１】請求項６に記載の発明は、取り出し電極が
少なくともケースに対して十分な密着性を得る層と容易
に変形し易くせん断力が大きい層によって構成され、湾
曲性と気密性の両方を向上させたものである。
少なくともケースに対して十分な密着性を得る層と容易
に変形し易くせん断力が大きい層によって構成され、湾
曲性と気密性の両方を向上させたものである。
【００１２】以下、本発明の実施の形態を図面を用いて
説明する。図１において１は電子部品素子としての振動
板で、板厚１００μｍの水晶板で構成されている。振動
板１の表、裏には、板厚４００μｍの水晶板よりなる表
裏ケース２，３が水晶の相転移点より低い温度で加熱、
加圧した状態で水晶どうしが直接接合により接合されて
いる。前記振動板１は図２及び図３に示すように、その
内方にＵ字状の切り溝６が形成され、これにより舌片状
の振動部７が形成されている。
説明する。図１において１は電子部品素子としての振動
板で、板厚１００μｍの水晶板で構成されている。振動
板１の表、裏には、板厚４００μｍの水晶板よりなる表
裏ケース２，３が水晶の相転移点より低い温度で加熱、
加圧した状態で水晶どうしが直接接合により接合されて
いる。前記振動板１は図２及び図３に示すように、その
内方にＵ字状の切り溝６が形成され、これにより舌片状
の振動部７が形成されている。
【００１３】この振動部７の表、裏面には、励振用電極
８，９が形成され各々振動部７の根元部１０部分を介し
てそのリード電極１１，１２が引き出されている。この
内リード電極１１の端部は、図２から図５に示すごとく
振動板１をスルーホール１３により貫通し、その後図３
に示すごとく振動部７の側方を通って根元部１０の反対
側に延長されて引き出し電極１４を形成している。また
リード電極１２は、根元部１０側において引き出し電極
１５を形成している。そしてこれらの引き出し電極１
４，１５に対応する裏ケース３に形成された電極引き出
し部としての貫通孔１６，１７上に設けられた取り出し
電極１８が引き出し電極１４，１５と接触することによ
り各々外部電極４，５に接続されている。
８，９が形成され各々振動部７の根元部１０部分を介し
てそのリード電極１１，１２が引き出されている。この
内リード電極１１の端部は、図２から図５に示すごとく
振動板１をスルーホール１３により貫通し、その後図３
に示すごとく振動部７の側方を通って根元部１０の反対
側に延長されて引き出し電極１４を形成している。また
リード電極１２は、根元部１０側において引き出し電極
１５を形成している。そしてこれらの引き出し電極１
４，１５に対応する裏ケース３に形成された電極引き出
し部としての貫通孔１６，１７上に設けられた取り出し
電極１８が引き出し電極１４，１５と接触することによ
り各々外部電極４，５に接続されている。
【００１４】尚、表裏ケース２，３はその外周部で振動
板１の表、裏面の外周部を挟持し、また水晶どうしの直
接接合により接合されているものであるが、それは振動
板１の切り溝６の外周部において接合されているのであ
って、リード電極１１が振動部７の側方を通過している
部分については、その外方において裏ケース３と接合さ
れている。
板１の表、裏面の外周部を挟持し、また水晶どうしの直
接接合により接合されているものであるが、それは振動
板１の切り溝６の外周部において接合されているのであ
って、リード電極１１が振動部７の側方を通過している
部分については、その外方において裏ケース３と接合さ
れている。
【００１５】そして、このように振動板１の裏面側にお
いて、振動部７の側方にリード電極１１を形成するため
に、図５，図６から明らかなように振動板１は、表裏ケ
ース２，３との挟持部分だけを板厚を厚くし、振動部７
及びリード電極１１，１２を形成する部分などはエッチ
ングによってその板厚を薄くしている。
いて、振動部７の側方にリード電極１１を形成するため
に、図５，図６から明らかなように振動板１は、表裏ケ
ース２，３との挟持部分だけを板厚を厚くし、振動部７
及びリード電極１１，１２を形成する部分などはエッチ
ングによってその板厚を薄くしている。
【００１６】図４はこのエッチング工程後の振動板１を
明確に表しており、枠線１９に対応する裏面部分がエッ
チングによりその板厚が薄くなっているのである。ま
た、この枠線１９の外周部分が表裏ケース２，３によっ
て挟持接合されている部分であり、この図４からも明ら
かなように振動板１の長手方向側の挟持幅２０は、短方
向の挟持幅２１よりも広くしている。
明確に表しており、枠線１９に対応する裏面部分がエッ
チングによりその板厚が薄くなっているのである。ま
た、この枠線１９の外周部分が表裏ケース２，３によっ
て挟持接合されている部分であり、この図４からも明ら
かなように振動板１の長手方向側の挟持幅２０は、短方
向の挟持幅２１よりも広くしている。
【００１７】また図３のごとくリード電極１１を振動部
７の側方に設けたので、当然のこととして振動部７は振
動板１の中心部より一方側へずれている。
７の側方に設けたので、当然のこととして振動部７は振
動板１の中心部より一方側へずれている。
【００１８】尚、根元部１０における切り溝６の切り込
みは図４のごとく半円形状になっており、これにより過
大な衝撃が加わった際にもクラックが生じにくくなるの
である。
みは図４のごとく半円形状になっており、これにより過
大な衝撃が加わった際にもクラックが生じにくくなるの
である。
【００１９】図７（ａ）〜（ｃ）に示すごとく、単板状
態の裏ケース３にはあらかじめ取り出し電極１８が形成
されており、その後に取り出し電極１８と裏ケース３が
重なっている部分にあたる裏ケース３の一部を除去する
ことによって貫通孔１６，１７を設け、裏ケース３が形
成されている。取り出し電極１８はパッケージの封止膜
となるために、裏ケース３への密着性と取り出し電極１
８自身の緻密性が要求される。裏ケース３が水晶の場
合、取り出し電極１８を積層構造とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉなどの材料を用いた密着層と、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなど
を用いた封止層をスパッタリングによって成膜すること
によって密着性と緻密性を得ることが可能となる。裏ケ
ース３の一部分を除去するには取り出し電極１８が侵さ
れない薬品を用いて裏ケース３のみをエッチングする。
態の裏ケース３にはあらかじめ取り出し電極１８が形成
されており、その後に取り出し電極１８と裏ケース３が
重なっている部分にあたる裏ケース３の一部を除去する
ことによって貫通孔１６，１７を設け、裏ケース３が形
成されている。取り出し電極１８はパッケージの封止膜
となるために、裏ケース３への密着性と取り出し電極１
８自身の緻密性が要求される。裏ケース３が水晶の場
合、取り出し電極１８を積層構造とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉなどの材料を用いた密着層と、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなど
を用いた封止層をスパッタリングによって成膜すること
によって密着性と緻密性を得ることが可能となる。裏ケ
ース３の一部分を除去するには取り出し電極１８が侵さ
れない薬品を用いて裏ケース３のみをエッチングする。
【００２０】取り出し電極１８は振動板１のエッチング
厚みから励振用電極９の厚みを引いた裏ケース３と励振
用電極９のギャップ厚みよりも略１０００Å薄くなるよ
う形成されており、裏ケース３と振動板１を直接接合に
よって接合した後には取り出し電極１８と励振用電極９
の間には略１０００Å程の隙間があくこととなる。表裏
ケース２，３と振動板１を直接接合によって接合したの
ち、取り出し電極１８を貫通孔１６，１７の側よりたわ
ませることによって、励振用電極９に接続された引き出
し電極１４，１５と取り出し電極１８が接続されること
になるのである。
厚みから励振用電極９の厚みを引いた裏ケース３と励振
用電極９のギャップ厚みよりも略１０００Å薄くなるよ
う形成されており、裏ケース３と振動板１を直接接合に
よって接合した後には取り出し電極１８と励振用電極９
の間には略１０００Å程の隙間があくこととなる。表裏
ケース２，３と振動板１を直接接合によって接合したの
ち、取り出し電極１８を貫通孔１６，１７の側よりたわ
ませることによって、励振用電極９に接続された引き出
し電極１４，１５と取り出し電極１８が接続されること
になるのである。
【００２１】このとき塑性変形による取り出し電極１８
のクラックが発生するのを防止するために、取り出し電
極１８の封止層は柔らかく、延性に富んだ材料を選んで
おく必要がある。また塑性変形に耐えうる厚みとして最
低１μｍは必要である。外部電極４，５は高温はんだ、
共晶はんだなどが用いられるが、このときの熱プロセス
によっても取り出し電極１８をたわませることができ
る。ただし、水晶とはんだは濡れ性が悪いためにあらか
じめ濡れ性のよいメタライズ層、たとえば、Ａｕ／Ｔ
ｉ、Ａｕ／Ｃｕ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｃｕ／Ｃｒ
などを形成する必要がある。またこれらの材料をディス
ペンサーによってディップしディップの際に加圧するこ
とによって取り出し電極１８の十分なたわみを得ること
ができる。
のクラックが発生するのを防止するために、取り出し電
極１８の封止層は柔らかく、延性に富んだ材料を選んで
おく必要がある。また塑性変形に耐えうる厚みとして最
低１μｍは必要である。外部電極４，５は高温はんだ、
共晶はんだなどが用いられるが、このときの熱プロセス
によっても取り出し電極１８をたわませることができ
る。ただし、水晶とはんだは濡れ性が悪いためにあらか
じめ濡れ性のよいメタライズ層、たとえば、Ａｕ／Ｔ
ｉ、Ａｕ／Ｃｕ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｃｕ／Ｃｒ
などを形成する必要がある。またこれらの材料をディス
ペンサーによってディップしディップの際に加圧するこ
とによって取り出し電極１８の十分なたわみを得ること
ができる。
【００２２】また、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、
単板状態の裏ケース３にあらかじめ前述した条件で取り
出し電極１８を設け、振動板１と直接接合によって接合
する。そして、裏ケース３の取り出し電極１８が設けら
れていない側から裏ケース３に設けられる穴が取り出し
電極１８より小さくなるようにサンドブラストによって
加工を行うと、取り出し電極１８の材料のサンドブラス
ト加工レートが裏ケース３のサンドブラスト加工レート
より十分遅くなるように選べば、裏ケース３の一部のみ
を除去することができる。裏ケース３が水晶の場合、水
晶は非常に硬くサンドブラストによる加工レートが非常
に早く、取り出し電極１８に金属を選ぶと金属は水晶に
比べ柔らかくサンドブラストによる加工レートが遅いた
め容易に十分な加工レートの比が得られる。
単板状態の裏ケース３にあらかじめ前述した条件で取り
出し電極１８を設け、振動板１と直接接合によって接合
する。そして、裏ケース３の取り出し電極１８が設けら
れていない側から裏ケース３に設けられる穴が取り出し
電極１８より小さくなるようにサンドブラストによって
加工を行うと、取り出し電極１８の材料のサンドブラス
ト加工レートが裏ケース３のサンドブラスト加工レート
より十分遅くなるように選べば、裏ケース３の一部のみ
を除去することができる。裏ケース３が水晶の場合、水
晶は非常に硬くサンドブラストによる加工レートが非常
に早く、取り出し電極１８に金属を選ぶと金属は水晶に
比べ柔らかくサンドブラストによる加工レートが遅いた
め容易に十分な加工レートの比が得られる。
【００２３】このようにしてサンドブラスト加工を用い
て裏ケース３に加工を施すと、裏ケース３部がサンドブ
ラストによって貫通した後にサンドブラストによって取
り出し電極１８にも噴射圧がかかることとなり取り出し
電極１８の十分なたわみを得ることができる。また、サ
ンドブラストによって取り出し電極１８に噴射圧をかけ
ることで取り出し電極１８の粒径を小さくし、膜質をさ
らに緻密化させることによって封止性に優れた膜が得ら
れることになる。サンドブラスト加工の際、通常レート
の速い＃６００の砥粒で加工を行うが、取り出し電極１
８のサンドブラストによる加工の制御が困難である。そ
こで、＃１５００の砥粒を用いると加工レートが遅くな
り裏ケース３の一部のみ除去するという制御が容易にな
るのである。
て裏ケース３に加工を施すと、裏ケース３部がサンドブ
ラストによって貫通した後にサンドブラストによって取
り出し電極１８にも噴射圧がかかることとなり取り出し
電極１８の十分なたわみを得ることができる。また、サ
ンドブラストによって取り出し電極１８に噴射圧をかけ
ることで取り出し電極１８の粒径を小さくし、膜質をさ
らに緻密化させることによって封止性に優れた膜が得ら
れることになる。サンドブラスト加工の際、通常レート
の速い＃６００の砥粒で加工を行うが、取り出し電極１
８のサンドブラストによる加工の制御が困難である。そ
こで、＃１５００の砥粒を用いると加工レートが遅くな
り裏ケース３の一部のみ除去するという制御が容易にな
るのである。
【００２４】また、取り出し電極１８と引き出し電極１
４，１５の材料を選び高温で接触させた際に合金化する
と、より信頼性の高い接続を得ることとなる。このよう
にして、裏ケース３の貫通孔１６，１７を後で穴埋めす
るのではなく、あらかじめ封止性のある取り出し電極１
８を裏ケース３に設け、それをたわませることによって
パッケージ内の電極を外部に取り出すと、裏ケース３に
穴を貫通させずに外部に電極を取り出すことが可能とな
り、非常に封止性に優れたパッケージを作ることができ
る。この構成を用いれば、直接接合による接合時の雰囲
気を真空にすることによって、パッケージの真空封止が
可能となり、高信頼性を保証することのできる電子部品
が実現できることになる。
４，１５の材料を選び高温で接触させた際に合金化する
と、より信頼性の高い接続を得ることとなる。このよう
にして、裏ケース３の貫通孔１６，１７を後で穴埋めす
るのではなく、あらかじめ封止性のある取り出し電極１
８を裏ケース３に設け、それをたわませることによって
パッケージ内の電極を外部に取り出すと、裏ケース３に
穴を貫通させずに外部に電極を取り出すことが可能とな
り、非常に封止性に優れたパッケージを作ることができ
る。この構成を用いれば、直接接合による接合時の雰囲
気を真空にすることによって、パッケージの真空封止が
可能となり、高信頼性を保証することのできる電子部品
が実現できることになる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、電子部品素子に
設けた引き出し電極と表裏ケースの少なくとも一方にあ
らかじめ設けた貫通孔を塞ぐようにケース内面に設けた
取り出し電極を内方に湾曲させて、電子部品素子に設け
た引き出し電極と電気的に接合させたため、あらかじめ
取り出し電極をケースの内面に設けるため、取り出し電
極の成膜が段差のない形状の上に行われ、封止性に優れ
た緻密でピンホールのない膜を形成することとなり、パ
ッケージの封止性を向上させることが可能となる。
設けた引き出し電極と表裏ケースの少なくとも一方にあ
らかじめ設けた貫通孔を塞ぐようにケース内面に設けた
取り出し電極を内方に湾曲させて、電子部品素子に設け
た引き出し電極と電気的に接合させたため、あらかじめ
取り出し電極をケースの内面に設けるため、取り出し電
極の成膜が段差のない形状の上に行われ、封止性に優れ
た緻密でピンホールのない膜を形成することとなり、パ
ッケージの封止性を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の電子部品の実施の形態の斜視図
【図２】その分解斜視図
【図３】その分解斜視図
【図４】振動板の上面図
【図５】図４の振動板にカバーを接合した振動板のＡ−
Ａ断面図
Ａ断面図
【図６】図４の振動板にカバーを接合した振動板のＢ−
Ｂ断面図
Ｂ断面図
【図７】電極取り出し部分の製造工法の断面図
【図８】電極取り出し部分の製造工法の断面図
１ 振動板 ２ 表ケース ３ 裏ケース ４ 外部電極 ５ 外部電極 ６ 切り溝 ７ 振動部 ８ 励振用電極 ９ 励振用電極 １０ 根元部 １１ リード電極 １２ リード電極 １３ スルーホール １４ 引き出し電極 １５ 引き出し電極 １６ 貫通孔 １７ 貫通孔 １８ 取り出し電極
Claims (6)
- 【請求項１】 表裏ケース間を原子間結合または表裏ケ
ース間に電子部品素子を挟持して基板とケース間を原子
間結合した表裏ケース内に設けた密封空間中に電子部品
素子を配置し、前記表裏ケースの少なくとも一方にあら
かじめ貫通孔を塞ぐようにケース内面に設けた取り出し
電極を内方に湾曲させることにより上記電子部品素子に
設けた引き出し電極と電気的に接合した電子部品。 - 【請求項２】 エッチングによってケースに貫通孔を形
成し、この貫通孔を介して外圧によって取り出し電極を
内側に湾曲させた請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 サンドブラスト法による貫通孔の形成時
の砥粒噴射圧により導電体を内側に湾曲させた請求項１
記載の電子部品。 - 【請求項４】 ケースをＳｉＯ2を主成分とする材料で
構成した請求項１記載の電子部品。 - 【請求項５】 取り出し電極をサンドブラストによる加
工レートに対してケースより小さい材料で構成した請求
項３記載の電子部品。 - 【請求項６】 取り出し電極が少なくともケースに対し
て十分な密着性を得る層と容易に変形し易くせん断力が
大きい層によって構成された請求項１記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26125695A JPH09107263A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26125695A JPH09107263A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107263A true JPH09107263A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17359308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26125695A Pending JPH09107263A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107263A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105237A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 |
| JP2010004455A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスとその製造方法 |
| JP2010124015A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスとその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP26125695A patent/JPH09107263A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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