JPH0897220A - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エピタキシャルウェーハにおいて、デバイス
活性層はより無欠陥に、かつ基板部はＩＧ処理すること
なしにＢＭＤを高い密度で形成し十分なゲッタリング効
果を奏することができるシリコンエピタキシャルウェー
ハを提供する。 【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶
シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度［Ｏ
ｉ］が１．８０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 以下のシリ
コンウェーハに４００℃以上のイントリンシックゲッタ
リング用熱処理（ドナーキラーは除く）をしないで、成
長前の８００〜１０００℃の温度範囲において、（１）
昇温速度を１５℃／ｍｉｎ以下にするか、または（２）
任意の温度で５〜１００ｍｉｎ保持し、その上に成長温
度１０５０〜１２５０℃でＳｉ単結晶を成長する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩなどの半導体
のデバイス用のシリコンウェーハおよびその製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】超ＬＳＩ用半導体デバイスの製造プロセ
スにおいて、ウェーハに混入している微量金属不純物お
よびウェーハのデバイス活性領域（ウェーハ表面から深
さ１０μｍ程度）内に存在する微小欠陥が製造される半
導体デバイスの特性および信頼性劣化の原因となること
がある。そのため、従来よりこれらの金属不純物および
微小欠陥を極力低減するためにさまざまな対策がなされ
ている。

【０００３】金属不純物を低減させる方法としては、金
属不純物を捕獲（ゲッタリング）するためにサンドブラ
ストなどにより、ウェーハ裏面に微小な歪みを設けるバ
ックサイドダメージ法（ＢＳＤ法）がある。また、ウェ
ーハ裏面に多結晶シリコンを堆積する方法も用いられて
いる。

【０００４】また、後者の対策としては、デバイス活性
領域に微小欠陥を有さない、気相成長させた単結晶シリ
コン層をもつエピタキシャルウェーハが用いられてい
る。さらに、両者の対策を同時に行うためにイントリン
シックゲッタリング法（ＩＧ法）が開発された。ＩＧ法
はウェーハを高温熱処理することにより、ウェーハ表面
の酸素を外方に拡散させて微小欠陥の核となる格子間酸
素を減少させ、デバイス活性領域に微小欠陥のないｄｅ
ｎｕｄｅｄ ｚｏｎｅ（ＤＺ層）を形成させる。さらに
ＤＺ層以下の深い領域（バルク部）では含まれている過
剰な格子間酸素が高温熱処理によって析出し、微小なＳ
ｉＯ₂ 析出物に代表されるＢＭＤを生成する。これらの
ＢＭＤがバルク部のシリコンマトリックスに歪みを及ぼ
して二次的な転位や積層欠陥を誘起し、金属不純物をゲ
ッタリングする。

【０００５】ＩＧ法においては、引き上げられた単結晶
シリコンインゴットの熱履歴に影響を受けないこと、お
よびより広い含有酸素濃度範囲のウェーハを利用するこ
とを目的として、複数段の熱処理を施している。まず、
前熱処理においては、酸素含有の不活性ガス雰囲気中で
高温（８００〜１２００℃）で熱処理を施してウェーハ
表面から酸素を外方に拡散させ、もともと存在していた
酸素に起因するＢＭＤ核を縮小・消滅させる。次に酸素
雰囲気中の中段の低温（５００〜９００℃）の熱処理を
施してバルク部にＢＭＤ核を生成させる。そして最終的
に酸素雰囲気中の中温（〜１０００℃）熱処理により、
ＢＭＤ核を成長させてＢＭＤを生成・成長させている。
中段の熱処理には種々の工夫がなされており、例えば等
温アニール、低温からの多段階アニールおよび低温から
のランピングアニールなどが代表的である。

【０００６】上記ＩＧ法においては、実際には前段の熱
処理による酸素の外方拡散が十分でなくデバイス活性領
域に微小な酸素析出物（ＢＭＤなど）が残ってしまうこ
とがある。また、複数の熱処理工程が必要なため、作業
性の問題およびコストの問題などにより実用化があまり
進んでいない。

【０００７】最近、このような多段階の熱処理を必要と
する方法に代わり、１００％還元性ガスまたは１００％
不活性ガスあるいは還元性ガスと不活性ガスの混合ガス
雰囲気中で高温の熱処理を施すことにより、ウェーハ表
面にＤＺ層、バルク部にＢＭＤを形成し、イントリンシ
ックゲッタリング効果（ＩＧ効果）をもたせるウェーハ
の製造方法も行われている。これらの製造方法に関して
本出願人は特開昭６０−２４７９３５号、特開昭６１−
１９３４５８号、特開昭６１−１９３４５９号、特開昭
６１−１９３４５６号、特開昭６２−１２３０９８号、
特開平２−１７７５４１号などの出願を行っている。

【０００８】上記熱処理過程によるウェーハ構造の形成
のメカニズムについて以下のように推測できる。昇温プ
ロセス中では昇温速度が遅いため、バルク部ではＢＭＤ
の成長が起こるとともに同時に表層部では酸素の外方拡
散が起こり、表層部の酸素濃度は低下する。熱処理温度
に到達後は、表層部の酸素の外方拡散がより行われ表層
部のＢＭＤ核となる格子間酸素が減少し表層部のＢＭＤ
の消滅が加速される。バルク部では高温熱処理のため酸
素がウェーハ内を拡散しＢＭＤの収縮が生じる。しかし
酸素減少量が少ないためＢＭＤの消滅は生じない。降温
プロセス中では、昇温速度が遅いため、理論上はウェー
ハ表層部でもＢＭＤの成長が生じるが表層部の酸素は外
方拡散により減少しているためＢＭＤは形成されずにＤ
Ｚ層となる。これに対し、バルク部では再びＢＭＤの成
長・析出が生じる。

【０００９】熱処理後のバルク部のＢＭＤ密度はウェー
ハの初期酸素濃度に依存し、初期酸素濃度が高くなるに
つれバルク部のＢＭＤ密度が大きくなることが理解され
る。特に、［Ｏｉ］が１．６×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ
³ 以上であれば、ＢＭＤ密度は１０⁹ 個／ｃｍ³ 以上で
ある。

【００１０】さらに、［Ｏｉ］が１．５５×１０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ³ 未満のシリコンウェーハを、水素雰囲気中
で、１１００℃から１３００℃の範囲で熱処理すると
き、１０００℃から１３００℃の温度範囲内における昇
温速度を５〜１０℃／ｍｉｎにすることによって、ウェ
ーハ内部バルク部のＢＭＤ密度が、［ＢＭＤ］≦１×１
０¹⁰個／ｃｍ³ 、かつ［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛１．１５１
×１０^-17 ×［Ｏｉ］＋１．１５１｝個／ｃｍ³ である
ウェーハを製造することができる。

【００１１】近年、高集積化の進むメモリーデバイスな
どではその特性向上のため、出発原料としてのシリコン
ウェーハには表面のデバイス活性層をより完全に近い無
欠陥にすることが要求され、かつ、複雑化するデバイス
製造プロセス中に混入する金属不純物をゲッタリングす
るとができる構造を有することが必要かつ重要となって
いる。

【００１２】代表的なエピ成長プロセスは常圧水素雰囲
気で昇温、塩酸エッチング、Ｓｉエピ成長および降温と
連続したシーケンスからなる。昇温ではスループットを
上げて、かつウェーハのスリップおよび面アレを低減す
るために、９００℃以上の温度範囲では昇温速度を３０
℃／ｍｉｎ程度にしている。しかしながら、このときに
は前記のようにＢＭＤを縮小、消滅させていることにな
る。

【００１３】したがって、エピタキシャルウェーハでは
基板ウェーハに前記のようなＢＳＤまたはＩＧ処理を施
さない限り、ゲッタリング効果が期待できない。本発明
は、以上のような問題を解決するためになされたもので
あり、エピタキシャルウェーハにおいて、デバイス活性
層はより無欠陥に、かつ基板部はＩＧ処理することなし
にＢＭＤを高い密度で形成し十分なゲッタリング効果を
奏することができるシリコンエピタキシャルウェーハの
製造方法およびそのようなシリコンエピタキシャルウェ
ーハを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段と作用】本願の第１の発明
は、チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコ
ンインゴットから製造された格子間酸素濃度［Ｏｉ］が
１．８０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 未満のシリコンウ
ェーハに８００℃以上の熱履歴を与えずに、その上に成
長温度１０５０〜１２５０℃でＳｉ単結晶を成長したエ
ピタキシャルウェーハを製造するにあたり、成長前の８
００〜１０００℃の温度範囲において、（１）昇温速度
を１５℃／ｍｉｎ以下にするか、または（２）任意の温
度で５〜１００ｍｉｎ保持することによって、基板ウェ
ーハ内部の酸素析出密度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≦１
×１０¹⁰個／ｃｍ³ 、かつ［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛１．１
５１×１０^-17 ×［Ｏｉ］＋１．１５１｝個／ｃｍ³ で
あるエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とす
るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を要旨と
する。

【００１５】また、本願の第２の発明は、チョクラルス
キー法により製造された単結晶シリコンインゴットから
製造された格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．８０×１０¹⁸
ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 未満のシリコンウェーハに８００℃
以上の熱履歴を与えずに、成長前の８００〜１０００℃
の温度範囲において、（１）昇温速度を１５℃／ｍｉｎ
以下にするか、または（２）任意の温度で５〜１００ｍ
ｉｎ保持し、その上に成長温度１０５０〜１２５０℃で
Ｓｉ単結晶を成長することにより製造された、基板ウェ
ーハ内部の酸素析出密度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≦１
×１０¹⁰個／ｃｍ³ 、かつ［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛１．１
５１×１０^-17 ×［Ｏｉ］＋１．１５１｝個／ｃｍ³ で
あるシリコンエピタキシャルウェーハを要旨とする。

【００１６】また、本明細書中の酸素濃度はすべてＯｌ
ｄ ＡＳＴＭによる換算係数による値である。一般的に
ウェーハを熱処理する際のＢＭＤの挙動について説明す
る。

【００１７】古典的核形成理論によれば、ＢＭＤは酸素
クラスタを均一核として過飽和な酸素が付着および脱離
することによりそれぞれ成長および収縮する。ある時点
で存在するＢＭＤが成長するか縮小・消滅するかは、そ
の時点でのＢＭＤの大きさ、およびそのときの温度（お
よび酸素濃度）によって定まる臨界核半径によってきま
る。臨界核半径は温度に依存し、高温になれば臨界核半
径は増大する。ある温度にウェーハを保持すると、その
温度での臨界核半径よりも既に大きく成長しているＢＭ
Ｄは成長を続け、臨界核半径より小さい径のＢＭＤは縮
小・消滅する。

【００１８】本発明者らは以上の知見および前記のよう
な水素処理での知見に基づきこれをエピタキシャルウェ
ーハの製造方法に応用することによって基板ウェーハ部
のＢＭＤを制御し、高集積デバイス製造に適したウェー
ハが製造できることを知得して本発明をなし得たもので
ある。

【００１９】本発明は通常のチョクラルスキー法で製造
されたシリコンインゴットから製造されるシリコンウェ
ーハであって、１．８０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 未
満のウェーハの熱処理に適用される。

【００２０】本発明のエピ成長プロセスの昇温過程中、
８００℃から１０００℃の温度範囲内では昇温速度を１
５℃／ｍｉｎ以下にするか、または上記温度範囲内の任
意の温度で５〜１００ｍｉｎ保持する必要がある。

【００２１】８００℃から１０００℃の領域において、
昇温速度が１５℃／ｍｉｎより大きいと、前述した臨界
核半径の増大速度の方が、既に存在するＢＭＤのその温
度における成長速度よりも大きくなり、また、昇温過程
の時間が短くなるので臨界核半径と存在するＢＭＤの径
の差がより大きくなり、ＢＭＤは成長せず縮小の方向に
向かう。

【００２２】このように昇温速度を１５℃／ｍｉｎ以下
とした場合に高い密度でＢＭＤを形成することができ
る。本発明の昇温速度で昇温した場合には、ＢＭＤの大
きさはエピ成長温度での臨界核半径よりすでに大きくな
っているため、ＢＭＤは成長する。

【００２３】また、通常の例えば３０℃／ｍｉｎで昇温
した場合においても、８００℃から１０００℃の温度範
囲内で５〜１００ｍｉｎ保持することにより、その温度
においてＢＭＤを充分成長させることができる。これに
より、その後の昇温過程における臨界核半径の大きさよ
りも、すでに存在するＢＭＤの方が大きくなるので、Ｂ
ＭＤが縮小の方向に向かうことはない。

【００２４】５分未満ではＢＭＤが充分な大きさに成長
せず、その後の昇温過程により前述の理由によりＢＭＤ
が縮小・消滅する可能性が大きい。また、１００分を超
えて行うと、ＢＭＤが大きく成長し、また多数の析出が
起こるため、ＤＺ層の幅が狭くなったり、結晶転移が発
生したり、あるいは機械的強度が劣ってしまい、デバイ
スに悪影響を与えるおそれがある。

【００２５】降温プロセス中は、基板部ではＢＭＤがす
でに成長しており降温速度を変化させても大きな影響は
無い。ただし、降温速度は生産性、ウェーハの品質（ス
リップ、面荒れ発生の防止）、および使用する炉の構造
上の問題などから２〜３００℃／ｍｉｎであることが望
ましい。

【００２６】このようなエピ成長プロセスを施すことに
よって、初期酸素濃度が１．８０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／
ｃｍ³ 未満のシリコンウェーハを使用して、ＢＭＤ密度
［ＢＭＤ］≦１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 、かつ［ＢＭＤ］≧
ｅｘｐ｛１．１５１×１０^-17 ×［Ｏｉ］＋１．１５
１｝個／ｃｍ³ であるウェーハを製造することができ
る。

【００２７】このようなウェーハは図１のグラフ中の領
域Ａ＋Ｂ＋Ｃで示される。上述のような初期酸素濃度を
有する基板ウェーハでＩＧ処理をしないでも、基板部の
ＢＭＤ密度が上述の範囲内にあるエピタキシャルウェー
ハは従来存在せず、本発明によって初めて提供されるも
のである。

【００２８】より好ましいＢＭＤ密度の範囲としては、
１．５５×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ ≧［Ｏｉ］のとき
１×１０⁸ 個／ｃｍ³ ≦［ＢＭＤ］≦１×１０¹⁰個／ｃ
ｍ³、［Ｏｉ］＞１．５５×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³
のとき［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛１．１５１×１０^-17 ×
［Ｏｉ］＋１．１５１｝個／ｃｍ³ （図１中の領域Ｂ＋
Ｃ）であり、さらに［ＢＭＤ］≦１×１０¹⁰個／ｃｍ
³ 、かつ［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛４．６０５×１０^-18 ×
［Ｏｉ］＋１２．４３４｝個／ｃｍ³ （図１中の領域
Ｃ）である。このような範囲のＢＭＤ密度を有するウェ
ーハは十分なゲッタリング機能を有する。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する使用したウ
ェーハはすべてチョクラルスキー法によって引き上げら
れたシリコンインゴットから切り出し、通常の方法によ
って製造され、鏡面加工を施したシリコンウェーハを用
いた。これらのウェーハは、Ｎタイプ、面方位（１０
０）、比抵抗１〜１０００Ω／ｃｍ、［Ｏｉ］は１．４
５〜１．７２×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ である。

【００３０】エピタキシャル成長は汎用のシリンダ型エ
ピ装置で、常圧水素雰囲気中、シリコン原料ガスがＳｉ
Ｃｌ₄ 、成長温度１１５０℃、エピ膜厚２０μｍの条件
で行った。 実施例１ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．４５×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１５０℃
の範囲の昇温速度を８．５℃／ｍｉｎとした。 実施例２ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．５１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１５０℃
の範囲の昇温速度を６．３℃／ｍｉｎとした。 実施例３ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１０００℃
の範囲の昇温速度を１０℃／ｍｉｎ、１０００℃から１
１５０℃の範囲の昇温速度を１５℃／ｍｉｎとした。 実施例４ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１０００℃
の範囲の昇温速度を１０℃／ｍｉｎ、１０００℃から１
１５０℃の範囲の昇温速度を２０℃／ｍｉｎとした。 実施例５ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．７０×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１５０℃
の範囲の昇温速度を３．８℃／ｍｉｎとした。 実施例６ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、９００℃までの昇温速度
を２０℃／ｍｉｎ、９００℃で２０分保持、９００℃か
ら１１５０℃の範囲の昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし
た。 比較例１ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．７０×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１００℃
の範囲の昇温速度を１００℃／ｍｉｎ、１１００℃から
１１５０℃の範囲の昇温速度を１０℃／ｍｉｎとした。 比較例２ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１５０℃
の範囲の昇温速度を３０℃／ｍｉｎとした。 比較例３ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．５１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１５０℃
の範囲の昇温速度を３０℃／ｍｉｎとした。 比較例４ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．７０×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、８００℃から１１５０℃
の範囲の昇温速度を３０℃／ｍｉｎとした。 比較例５ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、９００℃までの昇温速度
を２０℃／ｍｉｎ、９００℃で３分保持、９００℃から
１１５０℃の範囲の昇温速度を２０℃／ｍｉｎとした。 比較例６ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³ のウェーハで、９００℃までの昇温速度
を２０℃／ｍｉｎ、９００℃で１２０分保持、９００℃
から１１５０℃の範囲の昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし
た。

【００３１】これらの実施例および比較例の熱処理を行
ったウェーハを断面（（１１０）面）から赤外線トモグ
ラフ法により生成したＢＭＤの密度を測定した。使用し
た赤外線トモグラフ法における、検出可能なＢＭＤ最小
サイズは２０ｎｍである。この方法は測定領域によりＢ
ＭＤ密度の検出限界が異なる。本測定ではウェーハ表面
上で４×２００μｍ、深さ１８５μｍの直方体形状の領
域で測定を行った。この場合のＢＭＤ密度の測定限界は
６．８×１０⁶ 個／ｃｍ³ である。測定結果を熱処理条
件と併せて表１、表２に示す。また、図１にウェーハの
初期酸素濃度とＢＭＤ密度の関係をグラフにしたものを
示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【表２】

【００３４】表１、表２および図１から明らかなよう
に、本発明の基板ウェーハにＩＧ処理をしていないエピ
タキシャルウェーハであっても基板部に形成されるＢＭ
Ｄを高密度とすることができる。すなわち、基板部の酸
素析出物密度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≦１×１０¹⁰個
／ｃｍ³ 、かつ［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛１．１５１×１０
^-18 ×［Ｏｉ］＋１．１５１｝個／ｃｍ³ であるウェー
ハを製造することができる。

【００３５】これに対し、比較例から理解されるよう
に、本発明の範囲外の条件でのエピタキシャルウェーハ
はＢＭＤも多いが、低酸素濃度のウェーハでは形成され
るＢＭＤ密度が低くなってしまうことがわかる。比較例
２〜４では無欠陥層は形成されるもののウェーハ内部の
バルク部のＢＭＤが低密度であり、十分なゲッタリング
機能が果たせない恐れがある。

【００３６】また、比較例５では、保持時間が短いた
め、比較例２と同様にＢＭＤ密度が低くなってしまうこ
とがわかる。また、比較例６では、保持時間が長く、Ｂ
ＭＤの過度の析出・成長が生じるため、析出量が多く、
充分なＤＺ層が形成されなかった。また、結晶転移が発
生してしまった。

【００３７】また、本発明のエピタキシャルウェーハ
は、上記のように構成されているのでデバイス活性層が
無欠陥となり、基板部にＢＭＤが十分に形成されている
ので、良好な特性を有するデバイスを歩留まりよく製造
することができる。

【００３８】本発明のエピプロセスにおいて、昇温プロ
セスおよび降温プロセスでは同一のガス雰囲気で行うこ
とが好ましいが、それぞれにおいて雰囲気ガスの組成を
変化させてもよい。

【００３９】

【発明の効果】本発明により基板ウェーハにＩＧ処理を
していないエピタキシャルウェーハでも形成されるＢＭ
Ｄ密度を高くでき、その結果十分なゲッタリング機能を
有しているので良好な特性を有する高集積デバイスを歩
留まりよく製造することができる。また、そのようなウ
ェーハを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板ウェーハの初期酸素濃度とエピプロセス後
のＢＭＤ密度の関係を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 健郎 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 茶木 勝弘 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 鹿島 一日児 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 岡村 康宏 山口県徳山市大字徳山字江口開作8231番地 ５ 徳山セラミックス株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チョクラルスキー法により製造された単
   結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度
   ［Ｏｉ］が１．８０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 未満の
   シリコンウェーハに８００℃以上の熱履歴を与えずに、
   その上に成長温度１０５０〜１２５０℃でＳｉ単結晶を
   成長したエピタキシャルウェーハを製造するにあたり、 成長前の８００〜１０００℃の温度範囲において、
   （１）昇温速度を１５℃／ｍｉｎ以下にするか、または
   （２）任意の温度で５〜１００ｍｉｎ保持することによ
   って、基板ウェーハ内部の酸素析出密度［ＢＭＤ］が、
   ［ＢＭＤ］≦１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 、かつ［ＢＭＤ］≧
   ｅｘｐ｛１．１５１×１０^-17 ×［Ｏｉ］＋１．１５
   １｝個／ｃｍ³ であるエピタキシャルウェーハを製造す
   ることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの
   製造方法。
2. 【請求項２】 チョクラルスキー法により製造された単
   結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度
   ［Ｏｉ］が１．８０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 未満の
   シリコンウェーハに８００℃以上の熱履歴を与えずに、
   成長前の８００〜１０００℃の温度範囲において、
   （１）昇温速度を１５℃／ｍｉｎ以下にするか、または
   （２）任意の温度で５〜１００ｍｉｎ保持し、その上に
   成長温度１０５０〜１２５０℃でＳｉ単結晶を成長する
   ことにより製造された、基板ウェーハ内部の酸素析出密
   度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≦１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 、
   かつ［ＢＭＤ］≧ｅｘｐ｛１．１５１×１０^-17 ×［Ｏ
   ｉ］＋１．１５１｝個／ｃｍ³ であるシリコンエピタキ
   シャルウェーハ。