JPH087383A - 磁界変調型光磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 種々の要因による記録磁区の大きさの変動を
容易に抑制し、微小記録磁区を高精度に記録し、消え残
りのない良好な高密度オーバライトを可能とする。 【構成】 磁界変調型光磁気記録装置において、光変調
法あるいは参照磁区法により試し書き制御を行う手段３
８を有し、記録磁界や記録光強度、それらの印加タイミ
ングを制御した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，光磁気記録装置、特に
磁界変調型の光磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の磁界変調型光磁気記録の構成例を
図４に示す。オーバライト方式の１つの構成例を示した
ものである。図４において、レーザ１３から発せられた
レーザ光は、レンズ９１でコリメートされ、ビームスプ
リッタ１０を経て、さらに、レンズ９２で集光され光磁
気記録媒体８に光スポットを形成する。レーザ光は光磁
気記録媒体８上に連続的あるいは一定周期で繰返しパル
ス状に照射し、レーザ光によってキュリー温度の付近ま
で加熱されて保磁力が小さくなっている光磁気記録媒体
８の一部分に、記録情報に応じて高速変調された磁界
を、高透磁率コア１８を有する浮上型磁気ヘッド１６よ
り印加する。この浮上型磁気ヘッド１６は、支持バネ１
７によって光ヘッド６２に接続されており、常に光スポ
ットの真上に位置するように調整されている。こうして
光磁気記録媒体８の磁化は印加された磁界の方向に揃え
られ記録磁区が形成される。すなわち、印加磁界が上向
きの時には上向きの磁化の磁区が形成され、印加磁界が
下向きの時には下向きの磁化の磁区が形成される。この
時の記録周波数としては１０〜２０ＭＨｚの高速変調が
可能であり、レーザ光は連続的あるいは繰返しパルス状
に照射しているため、以前に記録された情報に関係なく
記録磁区が形成され、高速オーバライトが実現できる。
ここで、この浮上型磁気ヘッド１６は光磁気記録媒体８
の回転によって生じる空気流による浮力と支持バネ（ジ
ンバル）１７の力が釣り合う点で安定に保持されてい
る。この方法については例えば特開昭６３−２１７５４
８において提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
おいては、記録時媒体や周辺温度が異なると最適な記録
光強度が異なるため、光磁気記録媒体上に形成される記
録磁区の大きさが異なり、消えのこりなくオーバライト
を行うことが困難であった。

【０００４】本発明の目的は、上記問題点を解決し、消
え残りなくオーバライトを行い、かつ、記録磁区の大き
さを精密に制御して高密度記録を実現することの可能な
光磁気記録装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では以下の手段を用いた。

【０００６】（１）光磁気記録媒体に光を照射する光照
射手段と，前記光照射手段によって光が照射されている
領域に記録すべき情報に応じて変調磁界を印加する磁界
印加手段と、光磁気記録情報を再生する再生手段とを少
なくとも備えてなる光磁気記録装置において、少なくと
も情報の記録に先立ち記録条件を決定する試し書き制御
手段と、該試し書き制御手段によって決定された記録条
件で情報の記録を行う記録制御手段とを少なくとも設け
た。

【０００７】これにより、媒体や装置、周辺温度のバラ
ツキがあっても、常に最適な記録光強度で記録を行うこ
とが可能となるため、従来の問題点であった消え残りを
解消して高品質なオーバライトを行うことが可能にな
る。

【０００８】（２）前記試し書き制御手段は、前記磁界
印加手段を利用して前記光磁気記録媒体上に略一定磁界
を印加しつつ、前記光照射手段を利用して種々の強度の
光を変調しながら照射して前記光磁気記録媒体上に試し
書き磁区を形成する試し書き磁区形成手段と、該試し書
き磁区部の再生情報を前記再生手段を利用して得、該再
生情報をもとに、記録時に照射する最適な光の強度を決
定する光強度決定手段と、該光強度を記憶する光強度記
憶手段とを、少なくとも有してなるものとした。

【０００９】これにより、最適な光強度を決定すること
が容易になる。

【００１０】（３）前記試し書き制御手段は、前記磁界
印加手段を利用して前記光磁気記録媒体上に略一定磁界
を印加しつつ、前記光照射手段を利用して種々の強度の
光を変調しながら照射して前記光磁気記録媒体上に試し
書き磁区を形成するの光強度仮決定用磁区形成手段と、
該光強度仮決定用磁区部の再生情報を前記再生手段を利
用して得、該再生情報をもとに、記録時に照射する最適
な光強度を決定する光強度仮決定手段と、該光強度仮決
定手段によって決定された仮光強度強度を記憶する仮光
強度記憶手段とを少なくとも有し、該仮光強度の光を前
記光照射手段を利用して照射つつ、前記磁界印加手段を
利用して種々の強度の変調磁界を印加して磁界決定用磁
区を記録する磁界決定用磁区形成手段と、該磁界決定用
磁区部の再生情報を前記再生手段を利用して得、該再生
情報をもとに、記録時に印加する最適な磁界の強度を決
定する磁界強度決定手段と該磁界強度を記憶する磁界強
度記憶手段と、該強度の磁界を前記磁界印加手段を利用
して印加しつつ、前記光照射手段を利用して種々の強度
の光を変調しながら照射して光磁気記録媒体上に試し書
き磁区を形成する試し書き磁区形成手段と、該試し書き
磁区部の再生情報を前記再生手段によって得、該再生情
報をもとに、記録時に照射する最適な光の強度を決定す
る光強度決定手段と、該光強度を記憶する光強度記憶手
段とを、少なくとも有するものとした。

【００１１】これにより、記録光の強度だけでなく、変
調磁界の強度も最適化することが可能となるため、消え
残りを解消すると共に、より高精度に記録磁区を形成す
ることができるため、高密度記録が可能となる。

【００１２】（４）前記記録制御手段は、前記光強度記
憶手段に記憶されている光強度の光を記録時に照射する
光強度制御手段を少なくとも有する様にした。

【００１３】（５）さらに前記記録制御手段は、前記磁
界強度記憶手段に記憶されている強度の磁界を記録時に
変調印加磁界強度制御手段を少なくとも有するようにし
た。

【００１４】これらにより、最適な記録条件で常に記録
を行うことがを可能になるため、従来の問題点であった
消え残りを解消して高品質なオーバライトを行うことが
可能になる。

【００１５】（６）前記記録制御手段は、記録時に前記
光照射手段によって、記録クロックに同期した繰返しパ
ルス状の光を照射する機能を有する様にした。

【００１６】これにより、より高速な変調をしてオーバ
ライトを行うことが容易になる。

【００１７】

【作用】本発明では、光の強度を変調して記録した記録
磁区の再生信号を用いることにより、記録された磁区の
大きさを正確に把握し、最適な記録光強度を決定するこ
とができる。例えば図５（ａ）に示したような記録光パ
ルスを用いて、試し書き磁区４１を記録した場合、光強
度が不足している場合には（ｂ）に示したように試し書
き磁区が短くなるため、再生信号振幅の中心値を長い周
期の磁区と短い周期の磁区で比較した場合、短い周期の
磁区からの再生信号が小さくなる。一方、光強度が強過
ぎる場合には不足している場合は（ｃ）に示したように
試し書き磁区４１が長くなり特に周期の磁区からの再生
信号が大きくなる。従って、この短い周期の磁区からの
再生信号と長い周期の磁区からの再生信号を比較し、両
者の中心レベルが一致している光強度を調べることによ
り、いつも記録磁区の大きさを一定に保つことができ
る。このように光変調記録して試し書きを行う方法は、
記録磁区の長さが変化するため、磁界変調記録の場合と
比べて再生信号の相対比較による検出が可能となるた
め、検出が容易である。

【００１８】

【実施例】

《実施例１》本発明の光磁気記録装置の構成例を、図１
に示す。本実施例では、光発生手段３１として波長６８
０ｎｍの半導体レーザを用いた。半導体レーザの強度は
自動光強度制御機能を有する光強度制御手段３６により
制御される。光発生手段３１から発せられた光２２は、
集光手段３３により光磁気記録媒体１２上に集光され
る。集光手段３３は少なくとも１つのレンズからなる。
この例では、光記録媒体１２上に集光する対物レンズ３
３１の開口比を０．５５とした。このため、光記録媒体
１２上の光スポット２１の直径は１．１μｍである。光
スポットは走査手段３２によって光記録媒体１２上の任
意の位置（トラック４３）に移動することができる。こ
の実施例では、走査手段３２は、ディスク状光磁気記録
媒体１２を回転させるモータ３２１と、自動焦点制御と
自動トラッキングの機能を有する自動位置制御手段３２
２を少なくとも有してなる。自動位置制御手段３２２は
光磁気記録媒体１２からの反射光２３を利用してフィー
ドバック制御を行っている。光スポット２１からの反射
光は、この例では、集光手段３３中に有する偏光ビーム
スプリッタによって、光検出手段３４へ導かれる。光検
出手段３４としては、偏光子などの偏光解析手段と、光
を電気信号に変化する光検出素子からなる。光検出手段
によって電気信号に変換された、再生信号は復調回路な
どよりなる再生手段３７へと導かれ、記録情報が復調さ
れる。

【００１９】この実施例の装置によって記録を行う際に
は、光強度制御手段３６よって、強度制御された、記録
光２２が光磁気記録媒体１２上に照射され、光スポット
２１を形成させる。この時，光スポット２１の光強度は
光磁気記録媒体２２上で、記録磁区４１を形成したい領
域の温度が光磁気記録媒体１２のキュリー温度付近にな
るように強度制御する。この例では、記録磁区４１の大
きさとして、約０．６μｍの幅を狙っている。また、こ
の実施例では、ＴｂＦｅＣｏ系記録膜を有する光磁気記
録媒体１２を用いた。この媒体１２のキュリー温度は約
２００℃であった。従って、光強度としては、光磁気記
録媒体１２上の約０．６μｍ幅の領域の温度が２００℃
を超える強度に制御した。この時の光強度は６．５ｍＷ
であった。このようにして、光磁気記録媒体１２上の約
０．６μｍ幅の領域の温度がキュリー温度を超えている
ときに、その領域付近に浮上磁気ヘッド１６により、変
調磁界を印加する。これにより、この約０．６μｍ幅の
領域に変調磁界の方向に磁化が揃った記録磁区が形成さ
れる。

【００２０】ところが、この、０．６μｍ幅の磁区を記
録するのに必要な光強度は、装置の環境温度などによっ
て異なるため、光の強度を適当に制御ないと、図９の従
来例に示したように環境温度によって記録される磁区の
大きさが異なってしまう。記録磁区の大きさが温度によ
って変わると温度変動によって、消え残りが生じてしま
い、信号品質が低下してしまう。従って、この問題を解
決するために本発明では、試し書き制御手段５を設け
た。

【００２１】図３に試し書き制御手段の構成例を示し
た。この例では、試し書き制御手段は試し書き磁区形成
手段、光強度決定手段、光強度記憶手段の少なくとも３
つのブロックからなる。試し書き磁区形成手段は、磁界
強度制御手段を利用して、光磁気記録媒体上に適当な強
度の磁界を印加しつつ、光強度制御手段を利用して、図
５（ａ）のように強度変調された光を照射する。この時
光の強度を段階的に変化差せながら照射する。こうして
光の強度に応じて、図５（ｂ），（ｃ），（ｄ）のよう
な試し書き磁区４１が形成される。次に、光強度決定手
段歯、このように記録された磁区を再生手段を用いて再
生し、短い周期の磁区からの再生信号と長い周期の磁区
からの再生信号を比較し、両者の中心レベルが一致して
いる光強度を調べることにより、最適な記録光強度（図
５（ｃ））を決定する。この、最適な光強度を光強度記
憶手段（メモリ）により記憶する。

【００２２】このような試し書き制御は、周辺温度の変
化や、記録媒体の交換に対応して、媒体交換時、その後
の一定時間（この例では１０分）間隔で行った。また、
光磁気記録媒ないの子樹の位置に対応して、複数の場所
で試し書き制御を行った。従って、この例では、光強度
記憶手段によって、媒体内の位置に対応して複数の光強
度を同時に記憶している。

【００２３】情報記録時には、前記の試し書き制御によ
って、光強度記憶手段に記憶された光強度になるよう
に、記録光の強度を制御し、繰返しパルス状の光に変調
して、記録情報に応じて変調磁界を照射して行った（図
６）。

【００２４】このように試し書き制御により、記録光強
度を制御することにより、図９に示したように、環境温
度が変化しても記録磁区径が変化しなくなるため、常に
一定の磁区が記録でき、消えのこりなくオーバライトを
行うことが可能になると共に、高密度記録特性に優れ
る。

【００２５】《実施例２》本実施例の全体的な構成は、
図１に示したもので、実施例１と同様である。本実施例
においては、試し書き制御手段として、図２にに示した
構成のものを用いた。

【００２６】実施例１に加え、光強度仮決定用磁区形成
手段、光強度仮決定手段、仮光強度記憶手段、磁界決定
用磁区形成手段、磁界強度決定手段、磁界強度記憶手段
を少なくとも有し、計９つのブロックを少なくとも有し
てなる。

【００２７】光強度仮決定用磁区形成手段とは、前記磁
界印加手段を利用して前記光磁気記録媒体上に略一定磁
界を印加しつつ、前記光照射手段を利用して種々の強度
の光を変調しながら照射して前記光磁気記録媒体上に光
強度仮決定用磁区形成し、次に、光強度仮決定手段は、
光強度仮決定用磁区部の再生情報を前記再生手段を利用
して得、該再生情報をもとに、記録時に照射する最適な
光強度を決定し、仮光強度強度を仮光強度記憶手段によ
って記憶する。

【００２８】次に、磁界決定用磁区形成手段は、仮光強
度の光を前記光照射手段を利用して照射つつ、前記磁界
印加手段を利用して種々の強度の変調磁界を印加して磁
界決定用磁区を形成し、、磁界強度決定手段は、該磁界
決定用磁区部の再生情報を前記再生手段を利用して得、
該再生情報をもとに、記録時に印加する最適な磁界の強
度を決定し、該磁界強度を記憶する磁界強度記憶手段に
よって記憶する。この後は、該磁界強度を用いて、実施
例１と同様に試し書き制御を行う。

【００２９】この例では、実施例１に加え、装置外から
の磁界や、媒体の磁界感度、さらには、装置内部の種々
の磁界発生源からの漏れ込み磁界による記録磁区径変動
をも補正できるため、より高密度な記録が高精度に行え
る。

【００３０】《実施例３》本実施例では、実施例２の試
し書き制御の終了後に繰返し光パルスと変調磁界の位相
差を変化させて、その時のエラーレートの変化を検出す
ることにより、最適な位相差に補正する、位相差検出手
段を有している。位相差を変化させると図７のようにエ
ラー率は位相差が極端に大きくなったところで、急激に
悪化している。この例では、エラー率が１／１０⁵を超
える位相差を検出しその中央値を最適位相差として、決
定し、記憶し、その位相差で情報の記録を行う機能を有
している。

【００３１】この、実施例を用いることにより、特に、
高速変調時の信頼性が飛躍的に向上する。

【００３２】《実施例４》本実施例では、図１の構成の
装置で、基準磁区を予め記録してある光磁気記録媒体１
２を用い、該基準磁区の前記再生手段による再生信号
と、前記光照射手段を利用して種々の強度の光を照射し
つつ前記磁界印加手段を利用して前記光磁気記録媒体上
に変調磁界を印加して形成した磁区の前記再生手段によ
る再生信号の振幅あるいは位相差を図８のように比較
し、最適記録条件を決定する比較決定手段を有してい
る。

【００３３】この、実施例を用いることにより、比較的
簡単な構成の試し書き処理回路で、実施例１や２と同等
の効果を得ることができる。子の例でも、実施例３の位
相検出手段を併用することが高速記録の観点から望まし
い。

【００３４】

【発明の効果】試し書きにより記録条件を正確に制御す
ることにより、記録磁区の大きさを正確に制御できるた
め、従来の問題点であった消え残りを解消することがで
きる。このため、微小記録磁区でも高精度に記録でき、
消え残りのない良好な高密度オーバライトを行うことが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録装置の一実施例のブロック
図。

【図２】本発明の光磁気記録装置の一実施例の一部分の
ブロック図。

【図３】本発明の光磁気記録装置の一実施例の一部分の
ブロック図。

【図４】従来の光磁気記録装置の例を示すブロック図。

【図５】本発明の光磁気記録装置の一実施例の作用を示
す説明図。

【図６】本発明の光磁気記録方法の一実施例の作用を示
す説明図。

【図７】本発明の光磁気記録装置の一実施例の作用を示
すグラフ図。

【図８】本発明の光磁気記録装置の一実施例の作用を示
す説明図。

【図９】本発明の光磁気記録方法の効果を示すグラフ
図。

【符号の説明】

５…試し書き制御手段，５１１…試し書き磁区形成手
段，５１２…光強度決定手段，５１３…光強度記憶手
段，５２１…磁界決定用磁区形成手段，５２２…磁界強
度決定手段，５２３…磁界強度記憶手段，５３１…光強
度仮決定用磁区形成手段，５３２…光強度仮決定手段，
５３３…仮光強度記憶手段，６…記録制御手段，１２…
光磁気記録媒体，９１，９２…レンズ、１０…ビームス
プリッタ，１３…レーザ，１６…磁気ヘッド，１７…支
持バネ，１８…コア，２１…光スポット，２２…再生
光，２３…反射光，３１…光発生手段，３２…走査手
段，３２１…ディスク回転手段，３２２…自動位置制御
手段，３３…集光手段，３４…光検出手段，３５…再生
手段，３６…光強度制御手段，３７…磁界強度制御手
段，３８…主制御手段，３９…中央制御手段，４１…記
録磁区，６０バイアス磁界印加手段，５３…バイアス磁
界強度制御手段，６１…再生光検出部，６２…光ヘッ
ド，６５…漏れ込み，６６…印加磁界。９１，９２…レ
ンズ。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気記録媒体に光を照射する光照射手段
   と，前記光照射手段によって光が照射されている領域に
   記録すべき情報に応じて変調磁界を印加する磁界印加手
   段と、光磁気記録情報を再生する再生手段とを少なくと
   も備えてなる光磁気記録装置において、 少なくとも情報の記録に先立ち記録条件を決定する試し
   書き制御手段と、該試し書き制御手段によって決定され
   た記録条件で情報の記録を行う記録制御手段とを少なく
   とも有してなることを特徴とする磁界変調型光磁気記録
   装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の光磁気記録装置におい
   て、前記試し書き制御手段は、 前記磁界印加手段を利用して前記光磁気記録媒体上に略
   一定磁界を印加しつつ、前記光照射手段を利用して種々
   の強度の光を変調しながら照射して前記光磁気記録媒体
   上に試し書き磁区を形成する試し書き磁区形成手段と、 該試し書き磁区部の再生情報を前記再生手段を利用して
   得、該再生情報をもとに、記録時に照射する最適な光の
   強度を決定する光強度決定手段と、 該光強度を記憶する光強度記憶手段とを、 少なくとも有してなることを特徴とする磁界変調型光磁
   気記録装置。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載の光磁気記録装置
   において、前記試し書き制御手段は、 前記磁界印加手段を利用して前記光磁気記録媒体上に略
   一定磁界を印加しつつ、前記光照射手段を利用して種々
   の強度の光を変調しながら照射して前記光磁気記録媒体
   上に光強度仮決定用磁区を形成するの光強度仮決定用磁
   区形成手段と、 該光強度仮決定用磁区部の再生情報を前記再生手段を利
   用して得、該再生情報をもとに、記録時に照射する最適
   な光強度を決定する光強度仮決定手段と、 該光強度仮決定手段によって決定された仮光強度を記憶
   する仮光強度記憶手段とを少なくとも有し、 該仮光強度の光を前記光照射手段を利用して照射つつ、
   前記磁界印加手段を利用して種々の強度の変調磁界を印
   加して磁界決定用磁区を記録する磁界決定用磁区形成手
   段と、 該磁界決定用磁区部の再生情報を前記再生手段を利用し
   て得、該再生情報をもとに、記録時に印加する最適な磁
   界の強度を決定する磁界強度決定手段と 該磁界強度を記憶する磁界強度記憶手段と、 該強度の磁界を前記磁界印加手段を利用して印加しつ
   つ、前記光照射手段を利用して種々の強度の光を変調し
   ながら照射して光磁気記録媒体上に試し書き磁区を形成
   する試し書き磁区形成手段と、 該試し書き磁区部の再生情報を前記再生手段によって
   得、該再生情報をもとに、記録時に照射する最適な光の
   強度を決定する光強度決定手段と、 該光強度を記憶する光強度記憶手段とを、 少なくとも有してなることを特徴とする磁界変調型光磁
   気記録装置。
4. 【請求項４】請求項１〜３のうちいずれかに記載の光磁
   気記録装置において、前記記録制御手段は、 前記光強度記憶手段に記憶されている光強度の光を記録
   時に照射する光強度制御手段を少なくとも有してなるこ
   とを特徴とする磁界変調型光磁気記録装置。
5. 【請求項５】請求項３または４に記載の光磁気記録装置
   において、前記記録制御手段は、 前記光強度記憶手段に記憶されている光強度の光を記録
   時に照射する光強度制御手段と前記磁界強度記憶手段に
   記憶されている強度の磁界を記録時に変調印加する磁界
   強度制御手段を少なくとも有してなることを特徴とする
   磁界変調型光磁気記録装置。
6. 【請求項６】請求項１〜５のうちいずれかに記載の光磁
   気記録装置において、前記記録制御手段は、記録時に前
   記光照射手段によって、記録クロックに同期した繰返し
   パルス状の光を照射するパルス光照射手段を少なくとも
   有してなることを特徴とする磁界変調型光磁気記録装
   置。
7. 【請求項７】請求項６に記載の光磁気記録装置におい
   て、前記試し書き制御手段は、記録時に前記光照射手段
   によって、前記パルス光と前記変調磁界の位相差の最適
   値を検出する位相決定手段を少なくとも有してなること
   を特徴とする磁界変調型光磁気記録装置。
8. 【請求項８】請求項６に記載の光磁気記録装置におい
   て、前記試し書き制御手段は、記録時に前記光照射手段
   によって、前記パルス光と前記変調磁界の位相差の最適
   値を検出する位相決定手段を少なくとも有してなること
   を特徴とする磁界変調型光磁気記録装置。
9. 【請求項９】請求項１に記載の光磁気記録装置におい
   て、前記試し書き制御手段は、 基準磁区を予め記録してある光磁気記録媒体を用い、該
   基準磁区の前記再生手段による再生信号と、前記光照射
   手段を利用して種々の強度の光を照射しつつ前記磁界印
   加手段を利用して前記光磁気記録媒体上に変調磁界を印
   加して形成した磁区の前記再生手段による再生信号とを
   比較し、最適記録条件を決定する比較決定手段を少なく
   とも有してなることを特徴とする磁界変調型光磁気記録
   装置。