JPH0869958A

JPH0869958A - Ｘ線マスクの製造方法およびその製造装置

Info

Publication number: JPH0869958A
Application number: JP20495894A
Authority: JP
Inventors: Tetsushi Nose; 哲志野瀬; Ryuichi Ebinuma; 隆一海老沼; Hidehiko Fujioka; 秀彦藤岡; Hiroshi Maehara; 広前原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-08-30
Filing date: 1994-08-30
Publication date: 1996-03-12

Abstract

(57)【要約】【構成】複数の原版を用いて、これら原版のパターンを
走査縮小露光で基板上に所定の位置関係で並べて転写す
ることによって１つのマスクパターンを形成することを
特徴とするマスクの製造方法。【効果】縮小スキャン露光装置にパターンのつなぎ露
光技術を組み合わせることにより、高解像度（微細パタ
ーン）とＷｉｄｅＦｉｅｌｄ化が求められているＸ線
マスクを低コストで実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＸ線を露光光とするＸ線
リソグラフィー等において使用される、Ｘ線マスクの製
造方法と装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が進む中で、
解像性能と露光サイズの両立が限界に近づいているとい
われている。２５６ＭＤＲＡＭの半導体デバイスには
０．２５μｍレベルを解像する露光技術が、又１ＧＤＲ
ＡＭの半導体デバイスには０．１５μｍレベルを解像す
る露光技術が必要とされ、Ｘ線露光技術が有望視されて
いる。

【０００３】シンクロトロン放射光等を露光光として用
いるＸ線リソグラフィーでは、通常等倍露光によるパタ
ーン転写が行なわれる。そのためマスク精度が直接転写
精度に影響することになり、様々な研究が盛んに行なわ
れている。

【０００４】一方、等倍転写用Ｘ線マスクの作成方法と
して一般的に知られているものは、基板上にメンブレ
ン、吸収体を積層せしめた後、イオンビーム露光又は電
子ビーム露光とエッチングにより吸収体上に所望のパタ
ーン（即ちマスクパターン）を形成し、又そのパターン
形成前あるいは後にＸ線露光領域の基板をくりぬくバッ
クエッチを行なうというものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記イオンビーム露光
や電子ビーム露光では、通常電磁偏向で処理できる範囲
を描画範囲としているため、それ以上の範囲を描画しよ
うとする場合はその範囲を複数のフィールドに分け、各
フィールドの描画が終了する毎に次のフィールドにステ
ージを動かして再び描画を繰り返すフィールド露光が行
なわれる。そのため、このフィールド露光の際のステー
ジ移動機構における測長精度と位置決め停止精度によっ
てパターン配置精度（長寸法精度）が決まることにな
る。従って、露光領域中の対象とするパターン寸法が小
さくなってもこのパターン配置精度に変化はなく、２５
６Ｍ（０．２５μｍＬｉｎｅａｎｄＳｐａｃｅ）
や１Ｇ（０．１５μｍＬｉｎｅａｎｄＳｐａｃ
ｅ）の世代のマスク描画においては、パターン配置精度
の低さが、半導体回路作成時に目標とする重ね合わせ精
度をクリアできないという問題もひきおこすことにな
る。即ち、ＥＢ描画でマスクをパターニングすると、コ
ストが非常に高くつく、或は描画精度が十分なものが得
られにくい。更に、１Ｇ時代のＩＣのチップサイズとス
ループットを実現するためには、３０ｍｍとか３５ｍ
ｍといった広い露光サイズを持ったＸ線マスクが要求
される。

【０００６】本発明は、従来技術の以上の様な問題にか
んがみ提出されたもので、高精度、高解像力、低コス
ト、Ｗｉｄｅ露光エリアを実現するＸ線マスクの新しい
制作方法および装置を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記問題を解
決するために鋭意検討を行い本発明に到達した。

【０００８】即ち、本発明は複数の原版を用いて、これ
ら原版のパターンを走査縮小露光で基板上に所定の位置
関係で並べて転写することによって１つのマスクパター
ンを形成することを特徴とするマスクの製造方法であ
り、さらに各原版には所定の検出マークが設けられてお
り、この検出マークの検出を基に各原版のパターンを所
定の位置関係で並べることを特徴とする前記のマスクの
製造方法である。前記マスクがＸ線マスクであるマスク
の製造方法であり、前記露光が紫外線またはＸ線の波長
域の光によって行うマスクの製造方法である。

【０００９】更に、原版のパターンを走査縮小によって
基板に転写する手段と、原版が持つ所定の検出マークを
検出する手段と、該検出マークの検出を基に複数の原版
パターンを所定の位置関係で並べて基板に転写する手段
を有することを特徴とするマスクの製造方法提供するも
のである。

【００１０】また本発明は上記のいずれか記載の製造方
法によって製造されたマスクを提供することにある。

【００１１】そのため本発明は、マスクを構成するメン
ブレン上に吸収体を積層せしめ、パターン露光を行なっ
た後、エッチングを行なって該吸収体を所望のパターン
に加工することでＸ線マスクを作る製造方法について、
前記露光パターンにつき縮小投影光（ＤｅｅｐＵＶ含
む）露光或はＸ線露光を行なう際に、レンズ或はミラー
から成る縮小投影光学系について共役関係（或は一部共
役関係）にある。レチクルとＸ線マスクとなる被露光物
体とをＨ：１の比でスキャンさせて焼付け露光し更に、
レチクルと別のパターンのものに交換したのちＸ線マス
クとなる被露光物体の焼付けエリアを広くするために、
既露光エリアに接続して、アライメントして再び露光
する事により、高精細化、低コスト、Ｗｉｄｅ露光エリ
アのＸ線マスクを得る事を基本的特徴としている。この
焼付け時に所謂ＩＣパターンエリア以外の領域で、スク
ライブライン（デバイスをチップ単位で切断する領域）
に余分なパターンあ余り多く焼付けられないようにし
て、Ｘ線マスクとして使用するときに必要な本来のアラ
イメント機能をするパターンがスクライブエリアに必要
なレイヤー（層）数ぶんだけ確保できるべくする事を特
徴の１つとしている。更に、Ｘ線マスク作成時のパター
ン露光において接続（ステッチング）の精度についての
量的評価ができる様にずれ検出マークを設け、このパタ
ーンにもとづく計測値を、得られたＸ線マスクを本来の
マスクとして使用する時のアライメント即ちＸ線マスク
とその時の被露光ウエハーの位置合わせの際の補正値と
して用いることにより、高精度なアライメントを実現す
る。

【００１２】以上の事をまとめて要約すると、本発明の
特徴は、ＷｉｄｅＦｉｅｌｄなＸ線マスクを得るために、
光（ＤｅｅｐＵＶ含む）或はＸ線の縮小ステッパーに
おいて、レチクルと被露光物となる作成目的であるＸ線
マスクをスキャンする。《スキャン露光》。更にＷｉｄｅＦｉｅｌｄ化するために、被露光物
となるＸ線マスク上に接続してパターンを焼付ける《ス
テッチング》。この時、レチクルは別のパターンのもの
に必要ならば交換したうえでステッチングする。同じパ
ターンでよい場合もありうる。ステッチングの際、接続
するパターン同士でアライメントを行なうか、被露光さ
れるべきＸ線マスクが載っているＳＴＧの送り精度で位
置合わせを実現する。得られるＸ線マスクの、マスクとして用いる際の所
謂スクライブライン領域に、本来設けるべきアライメン
トパターン等が設定できる様に十分なエリアを確保す
る。そのためＸ線マスク作成時にできるだけ余計なパタ
ーンがスクライブエリアに入らない様にする。ステッチング（接続、つなぎ）の量的評価ができる
パターンを設け、このパターンからの計測値を、本来の
Ｘ線マスクとして使用する時のアライメント時の補正に
用いる。という事になる。これにより、ＷｉｄｅＦｉｅｌｄで
かつ高解像力、高位置精度、低コスト、Ｗｉｄｅ露光エ
リアのＸ線マスクが実現される。

【００１３】以下、もっと詳しく、図面に即して説明し
ていく。

【００１４】

【実施例】次に本発明の実施例について、ケースを分け
て説明していく。ケース分けは次の通りである。いずれ
も光ステッパーの例について主に説明するが、Ｘ線縮小
結像系を用いた場合も同様にしてできる。１．Ａパターン，Ｂパターン（図１参照）間にスクライ
ブラインがないとき、１−１．Ａパターン露光現像したのち、レジスト塗布し
Ｂパターンの露光・現像をする場合１−１−１．Ａパターン，Ｂパターン間でアライメント
（レイヤー間アライメントと類似）する時１−１−２．ステージ送り精度で位置合わせする場合、
すなわちＡＡパターンに頼らない場合１−２．Ａパターン露光し、Ｂパターン露光後現像する
場合１−２−１．ステージ送り精度で位置合わせする場合、
すなわちＡＡパターンに頼らない場合１−２−２．Ａパターン，Ｂパターン間でアライメント
（レイヤー間アライメントと類似）する場合。この時
は、所謂潜像アライメントを用いる。

【００１５】２．Ａパターン，Ｂパターン芦田にスクラ
イブラインがある時、２−１．Ａパターン露光現像したのち、レジスト塗布し
Ｂパターンの露光・現像をする場合２−１−１．Ａパターン，Ｂパターン間でアライメント
（レイヤー間アライメントと類似）する場合、２−１−２．ステージ送り精度で位置合わせする場合、２−２．Ａパターン露光し、Ｂパターン露光後現像する
場合２−２−１．ステージ送り精度で位置合わせする場合。

【００１６】２−２−２．Ａパターン，Ｂパターン間で
アライメント（レイヤー間アライメントと類似）する場
合、この時は、所謂潜像アライメントを用いる。以上のケー
ス分けに従って、順次具体的な実施例について説明して
いく。

【００１７】実施例１１−１−１．の場合の実施例について、図を用いて説明
する。図２，３はそれぞれこの場合のＡパターン，Ｂパ
ターンを露光する時のレチクル４７の中にあるパターン
の配置と機能の関係をわかり易く示したものである。即
ち、図２は、Ａパターンを焼付けるときのレチクルの光
の当たるエリアと、そこにどういうパターンが存在する
かを示している。図２に示すように、Ａパターン焼付け
用のレチクル上には、レチクル４７を露光装置に対して
所定の位置にセットしてアライメントするためのパター
ンＲＡＡ１０１，１０２、Ｘ線マスクとして完成した
後、Ｘ線マスクとして用いる際に、マスクをＸ線露光装
置に対して位置決めのアライメントするためのパターン
Ｍ・ＡＡパターン７８，８０，８７、Ｘ線マスクとして
用いるときの対ウエハーとのアライメントするためのパ
ターンＷ・ＡＡパターン７６，７８、Ｘ線マスクとして
用いる時次のレイヤーのアライメントするためにあらか
じめウエハー上に焼付けておくＮＥＸＴ・レイヤーパタ
ーン７７，７９、Ｘ線マスク作成時にステッチングに必
要なＢパターンとの関係を保証するべくアライメントす
るためにあらかじめ露光焼付けしておく必要のあるステ
ッチングＡＡ用パターンＳＡＡ（ｘ）７３とＳＡＡ
（ｙ）７１更にＳ・ＡＡ（ｘ）８３とＳ・ＡＡ（ｙ）８
１がある。ここにｘ，ｙは図に添付した座標の方位につ
いて定義しており、（ｘ）はＸ方向、（ｙ）はｙ方向の
意味を示す。更に図２のレチクル上にはＡパターン，Ｂ
パターンが隣あって接続露光された後に、どれくらいの
接続アライメント誤差で焼付けられたかを検出するため
のパターンＯＬ・Ａ（ｘ）７４，ＯＬ・Ａ（ｙ）７２，
ＯＬ・Ａ（ｘ）８４，ＯＬ・Ａ（ｙ）８２が設けられて
いる。図２のパターン配置で特徴的な事は、Ｗ・ＡＡパ
ターン、ＮＥＸＴレイヤーパターン、Ｓ・ＡＡパター
ン、ＯＬ・ＡＯパターンはいずれもＸ線マスクが完成さ
れ、マスクとして利用する場合に、ウエハーにＸ線で焼
付けられた時のウエハー上でのチップ間の切断を行な
う。いわゆるスクライブラインに相当するエリアに設定
されるようになすことができる点である。また、Ｍ・Ａ
Ａパターンは７５と８０は相対しているパターンであれ
ばＸ線マスクとして用いるときのマスクアライメントの
精度を上げるためにお互いに話して設けた方がよい。図
のＡを示した領域が所謂ＩＣ回路パターンエリアであ
り、斜線で示した領域は露光光をしゃ断する例えばＣｒ
膜の設けられたエリアである。スキャン露光する際の光
がレチクルに当たるエリアはＷ×Ｌで示しているが、Ｗ
とＬは次の条件をみたしていればよい。ここにスキャン
の方向はｙ方向である。すなわち、ＷはＭ・ＡＡパター
ン８７と、ＳＡＡ（ｙ）７１；ＯＬＡ（ｙ）７２，ＳＡ
Ａ（ｘ）８３；ＯＬ・Ａ（ｘ）８４，Ｍ・ＡＡパターン
８０を光露光する必要がある故これらをカバーするよう
に当たらねばならない。又、スキャン方向のＬは、Ｍ・
ＡＡパターン７５，８０をカバーして露光する必要があ
る。Ｒ・ＡＡパターン１０１とＲ・ＡＡパターン１０２
はレチクル４７を露光装置に対してアライメントするた
めのパターンなので露光光に当たらなくてよい。Ｗ×Ｌ
の露光エリアの粗い制限は、Ｗについてはレチクル４７
の照明光源側のアパーチャー或はスリット等により与え
る事ができる。又、Ｌについてはレチクルステージの送
り量でコントロールすればよい。図２はあたかもＢパタ
ーンもあるかのように示しているが、実際のレチクルは
ＩＣパターンはＡパターンのみで、この他に上記に述べ
た必要パターンが配置されているレチクルである。ちな
みに、最終的に完成したＸ線マスクの露光エリアが例え
ば４０ｍｍ×４０ｍｍのものを入手するとした時、Ｗは
２５ｍｍ程度、Ｌは４５ｍｍ〜５０ｍｍあればよい。
又、Δｘは〜１ｍｍ程度以下、Δｙは１００μｍ以下の
小スペースにすることができる。

【００１８】図２に示したＡパターンの焼付け用レチク
ルと同様に、Ｂパターンを焼付けるためのレチクル用の
パターン配置を図３に示す。図３において、Ｂと示して
いるのはＢパターンのＩＣ回路エリア、Ｒ・ＡＡ１０
１，１０３はこのレチクルをスキャン露光装置に対して
位置決めするためのレクチルアライメントパターン、Ｗ
ＡＡパターン８９，９４はＸ線マスクとして完成後ウエ
ハーとこのＸ線マスクをアライメントするためのパター
ン、ＮＥＸＴ・レイヤーパターン８８，９３はＸ線マス
クとしてウエハーに焼付けるときの次のレイヤー用のア
ライメントのためにウエハーに焼付けるパターン、Ｍ・
ＡＡパターン９２はＸ線マスクとして用いる時にＸ線露
光装置に対してマスクを位置合わせするためのマスクア
ライメントマーク、Ｓ・ＡＡ（ｘ）９６，１００、ＳＡ
Ａ（ｙ）９０，９６はＡパターン，Ｂパターンを接続し
てお互いの相互関係を正確に維持して焼付けるためのア
ライメントパターン、ＯＬＢ（ｘ）９９，９５、ＯＬＢ
（ｙ）９７，９１はＡパターン，Ｂパターンを接続して
露光した時に結果的にもたらされる誤差の量を検出する
ための検出マークであり、図３は表示と物理的な意味は
図２と同じことを意味する。（ｘ），（ｙ）は各々Ｘ方
向，ｙ方向を意味する。

【００１９】図４に、図２のＡパターン用レチクルと、
図３のＢパターン用レチクルを用いてスキャン露光機で
ステッチングアライメントをしながら作成したＸ線マス
クのパターンの配置を示す。実際には、Ｘ線を遮断する
ためにウエハー上でのスクライブエリアに相当する位置
の外側にＡｕなどの吸収体を設けていたりするが、図４
には省略してある。Ｘ線マスクとして得られたパターン
配置上のポイントはスキャン露光機へのレチクルアライメントができる、
レチクルＡＡマークＲＡＡがある。これはスキャン露光
エリアにない方がよい。

【００２０】Ｘ線マスクとして用いるときの、Ｘ線露
光装置へのマスクアライメントができるためのマスクＡ
ＡマークＭ・ＡＡがある。

【００２１】Ｘ線マスクとウエハーのアライメントを
するためのＷ・ＡＡマークとＮＥＸＴ・レイヤーマーク
がある。

【００２２】Ａ，Ｂのパターンをステッチング接続を
行なう時アライメント機能を利用するためにステッチン
グアライメントパターンＳ・ＡＡ（ｘ）およびＳ・ＡＡ
（ｙ）がある。

【００２３】ステッチングの合わせ誤差量検出のため
の、いわゆるオーバレイ検出マークともいうべきＯＬＡ
（ｘ），ＯＬＢ（ｘ），ＯＬＡ（ｙ），ＯＬＢ（ｙ）が
ある。この時、検出はＯＬＡ（ｘ），ＯＬＢ（ｘ）をペ
アーで、ＯＬＡ（ｙ），ＯＬＢ（ｙ）をいまひとつのペ
アーでセットとして検出する。

【００２４】尚、図２，３でＡ，Ｂパターンの外枠と、
点線の間のエリアがウエハー上のスクライブラインエリ
アに相当する。スキャン露光機が１／Ｎ倍の縮小露光だ
と当然Ｘ線マスク上のパターンのサイズのＮ倍がレチク
ルサイズとなる。

【００２５】ここで、合わせ誤差量検出のための、オー
バレイ検出マークＯＬＡ（ｘ），ＯＬＢ（ｘ）のペアと
ＯＬＡ（ｙ），ＯＬＢ（ｙ）のペアのパターンをどのよ
うに利用するかについて述べる。

【００２６】既に本出願人により提出されている特開平
４−２１２００２および特開平５−８７５３０で開示さ
れている合わせ誤差量検出方法がオーバーレイ検出の１
つである。この方法は図６に示す様な、１４１ａ，１４
１ｂの回折格子パターンをそれぞれ露光のＮ番目とＮ＋
１番目へレイヤーに同時に焼付けたもの（ウエハー等、
本発明の場合はＸ線マスクに相当する）を作成し、この
１４１ａ，１４１ｂのパターンにレーザー光線を当てそ
の回折光同士を干渉させて（これをＩ₁ ）、別途設けた
参照用干渉光（これをＩ₂ ）をレファレンス格子として
用いて、Ｉ₂ とＩ₁ の位相ずれを検出する。この際、元
のレーザー光をわずかに周波数の異なる（０．１ＭＨｚ
〜数十ＭＨｚ）２周波光としておけば、前記Ｉ₁ ，Ｉ₂
はそのヘラロダイン光の位相が電気格子の強弱の位相と
して得られるため、例えばロックインアンプなどにより
高精度に（〜１ｍｍ程度の精度で）、１４１ａと１４１
ｂの格子の位相ずれΔｘが電気的位相ずれとして求めら
れる。図６に於て、格子のピッチは例えば１μｍ〜１０
μｍ程度でレーザー光の波長と回折光の方向と次数に応
じて数値を設定すればよい。この他に、ＫＬＡ社で製品
化している様に、（ＫＬＡ５０１１システム；商品名）
単純なパターンを露光を同時に焼付けておいて、画像と
してパターンをとり込んで処理し、重ね合わせ（オーバ
ーレイ）の誤差検出をする方法もある。図７にそのパタ
ーンの例を示す。１４２ａはＮ番目のレイヤーと同時
に、１４２ｂはＮ＋１番目のレイヤーと同時に露光した
パターン。図８にＮ番目とＮ＋１番目のレイヤーの重ね
合わせ（オーバーレイ）誤差検出の原理を示す。顕微鏡
などの広大画像と光検出器でとらえ、１４２ａと１４２
ｂのパターンのエッジのプロフィルを求める。この時、
重ね合わせずれ量をｄｘとすると

【００２７】

【数１】により求められる。ここに、Ｘ_ol，Ｘ_orは１４２ａのエ
ッジの出力値、Ｘ_il，Ｘ _irは１４２ｂのエッジの出力値
を意味する。

【００２８】このように、図６或は図７のパターンがオ
ーバレイ検出マークＯＬＡ（ｘ），ＯＬＢ（ｘ）のペア
とＯＬＡ（ｙ），ＯＬＢ（ｙ）のペアのパターンとすれ
ばよい。ペアパターンという意味は、ＯＬＡ（ｘ）が例
えば１４１ａ或は１４２ａであり、ＯＬＢ（ｘ）が１４
１ｂ或は１４２ｂであればということである。ＯＬＡ
（ｙ），ＯＬＢ（ｙ）は図５に於けるｙ軸方向の意味で
ＯＬＡ（ｘ），ＯＬＢ（ｘ）と同様に方向のみ異なると
考えればよい。

【００２９】次に図２，３，４で示したマスク作成が可
能なスキャン露光機の構成と機能について説明する。

【００３０】図５はそのスキャン露光の構成の１実施例
である。図５に示すスキャン露光機には、次の機能が必
要である。

【００３１】（イ）レチクルＡＡ（レチクル１１５をス
キャン露光機の装置の対してアライメントする）（ロ）ステッチングＡＡ（ハ）スキャン露光のため、レチクル１１５とＸ線マス
ク１２７の共役関係は瞬間的には２点フォーカスでよ
い。そのため、ダイナミックには露光されるＸ線マスク
をチルトさせフォーカスを高精度に行なう。

【００３２】（ニ）スキャンのためのスリット照明尚、この外にレチクルは解像力と焦点深度を上げるため
に位相シフトマスクにしてもより効果が上がるし、又、
最近注目をあびている変形照明等の技術を併用すればよ
り解像力と焦点深度が上がる。通常のウエハー上にチッ
プを焼付ける場合には位相シフトのコストが無視できな
くなるが、本来Ｘ線マスクをＥＢ描画でパターニングし
て作成する場合のコストと比較すれば、スキャン露光機
で次々に同一レチクルで何枚も量産可能な本方式だと、
位相シフトレクチルのコストは殆ど気にならない。

【００３３】上記（イ），（ロ），（ハ），（ニ）につ
いて図５で説明する。

【００３４】１１１と１１２はレチクルＡＡおよびステ
ッチングＡＡを行なうアライメント検出系で、レチクル
ＡＡは装置側であるアライメント検出系に対してなされ
る。１１４はスリットアパーチャーであるがレクチル１
１５の直前に置かずに、光源側にスリットとほぼ共役な
位置前後にスリットアパーチャーを設けてもよい。１３
０は照明光束である。１１８はレチクルホルダーで、１
１６はレチクルステージ、１１７はその駆動系である。
１１９はミラー、１２０はレンズ系、１２１はハーフミ
ラー或は偏光ビームスプリッター、１２２はミラー、１
２３はレンズ系、１２７は被露光物であるＸ線マスク、
１２８はチルトステージ、１２９はＸ，Ｙステージ、１
２４，１２４はＸ線マスク面とレチクル１１４がミラー
１１９〜レンズ系１２３に関して合焦となるようにフォ
ーカス検出を行なう系であり、この検出値にもとづいて
デフォーカスであればチルトステージ１２８によりＸ線
マスク１２７をスキャン方向ｙ方向に対して垂直なｎ・
ｚ面或は平行な面でチルドを行ない正確なピント合わせ
を行なう。１２６はそのための合焦検出系１２５の結果
にもとづきチルトステージ１２８を駆動するコントロー
ル部である。スリット開口状にレチクルを照明（図５で
スリットの長手方向はｙ方向）し、１／Ｎの縮小倍率に
応じて、レクチル１１５とＸ線マスク１２７のスキャン
スピードをＮ：１にスキャンさせる故、フォーカスはス
リット開口状のレチクル有効部のうちのある２点につい
て行なえばよく、これは一括露光方式の場合の面フォー
カス即ち３点フォーカスにくらべて、被露光面が少し凹
凸がある場合にはより誤差の少ない正確なピット合わせ
が行なえる。１２４，１２５のフォーカス検出系は例え
ば１２４が半導体レーザーやＬＥＤで２つのビームを被
露光体であるＸ線マスク１２７に移動し、これを１２５
の中にある例えばＰＳＤ（ポジションセンサー）で検出
する事によって、フォーカス検出をすることができる。
瞬間的には２点のフォーカスをレクチル１１５とＸ線マ
スク１２７の間にとる必要があることから、スキャンス
テージ１２９の動きに応じて、Ｘ線マスク１２７が凹凸
のある分だけｘ−ｚ面に平行な方向にチルトステージ１
２８でチルトさせて常時フォーカスをとる必要がある。
図５で、１３２はレチクルステージの動きを計測する測
長機、１３３はＸ線マスク１２７のｘ，ｙ動きを計測す
る測長機である。次に、ステッチングＡＡに用いるオー
トアライメントの例を示す。

【００３５】レチクル１１５をレチクル駆動ステージ１
１６にセットし、Ｘ線マスク１２７をあらかじめ粗いア
ライメントを不図示の例えばＴＶ画像パターンの観察等
によりスキャンステージ１２９に対して行ない、レチク
ル１１５とＸ線マスク１２７の相互位置合わせ（アライ
メント）を行なっておく。所謂プリアライメント。レチ
クル１１５はレチクルＡＡパターンをターゲットにアラ
イメント系１１１，１１２でもって、装置側である検出
系系１１１，１１２に対して位置合わせする。この場合
のＡＡの方法は既に世の中で用いられている種々の方式
が使用可能である。又レチクル１１５とＸ線マスク１２
７を位置合わせするアライメント手段についても同様
に、既に世の中で用いられている方式が使える。

【００３６】例えば（Ａ）回折格子をレチクルとウエハ
ー（本発明の場合にはＸ線マスクにあたる）に設けこれ
にレーザー光を当て得られる回折光の強度より、レチク
ルとウエハーのずれを検出する。Japanese Jorrnal of
Applied Physics Vol.24,No.11,NOV.1985 pp.1555-1560
参照。（Ｂ）レチクルとウエハー上にｘ，ｙの２次元位置情報
が得られるシュブロン型のマークにレーザービームを高
速スキャンさせ、そのマークからの反射光を検出して、
反射光の時間的間隔よりずれを検出する。

【００３７】センサ技術１９８５年２月号（Vol.5,N
o.2）ｐｐ．２３〜２７参照。（Ｃ）レチクルとウエハー上に設けられたパターンをＴ
Ｖ画像としてとらえ、その画像ずれを格子処理によって
求めてずれを検出する画像処理方式。電子材料１９８９年３月号ｐｐ．６９〜７４参照。

【００３８】これらの方式のいずれかを用いることによ
り、レチクルアライメント（スキャン露光装置側に対し
レチクルを位置決めする）及びレチクル１１５とＸ線マ
スク１２７の相互位置ずれ検出を数ｎｍレベルでの高精
度な検出が可能である。

【００３９】図５に於て、レチクルアライメント（レチ
クル１１５をスキャン露光機に対して位置決めするアラ
イメント）や、レチクル１１５とＸ線マスク１２７の相
互位置合わせをする場合には、上に述べた（Ａ）或は、
（Ｂ）或は、（Ｃ）のいずれかの方式によりアライメン
トすればよい。アライメントパターンは（Ａ）の場合に
は回折格子状パターン、（Ｂ）の場合にはシェブロン型
のマーク、（Ｃ）の場合には例えば図７の如きパターン
であればよい。

【００４０】即ち、スティッチングＡＡのパターンＳ
ＡＡ（ｘ），ＳＡＡ（ｙ）のパターンはこれらの如きパ
ターンを用いる。尚、レチクルアライメントの場合には
Ｒ・ＡＡマークとしてこれら（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）各
方式に応じたパターンを利用すればよい。但し、レチク
ルアライメントの場合には、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の
各方式ともウエハー上のアライメントパターンに相当す
るパターンをレチクルアライメントパターンＲＡＡとし
設け、スキャン露光装置側に（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）各
方式におけるレチクル側アライメントマークに相当する
マークを設けておいて、レチクル１１５をスキャン露光
装置に対して位置決めする。レチクル１１５とＸ線マス
ク１２７をＮ：１のスキャンスピード比で、図５のｙ軸
方向にスキャンする。但し、この時露光光１３０はシャ
ッターで遮断しておく。スキャンの過程でアライメント
検出系１１１，１１２の光束と検出エリアがＳＡＡ
（ｘ）７３，９６、ＳＡＡ（ｙ）７１，９０のエリアに
かかった時にタイミングをとってＡＡ信号をとり、更に
スキャンしたのち再度ＳＡＡ（ｘ）８３，１００、ＳＡ
Ａ（ｙ）８１，９８のパターンエリアにかかった時タイ
ミングをとってＡＡ信号をとり信号からレチクル１１５
とＸ線マスク１２７のずれを算出したのち、Ｘ，Ｙステ
ージ１２９及びＸＹ面内の回転ステージ１３１を動かし
て精確にレチクル１１５とＸ線マスク１２７の相互位置
を合わせる。そののち露光光１３０を照射して、焼付け
のためのスキャンを行なう。尚、所謂ウエハーの上に焼
付ける量産スラッパーの場合はスループットが８”ウエ
ハーで例えば６０枚／時間程度要求されるが、Ｘ線マス
ク生産用としてはスループットはもっと低くて良いの
で、スキャンのスピードは低く即ち露光時間も長くてよ
い。

【００４１】更に、レチクルは解像力や焦点深度を上げ
るために位相シフトマスクを採用すれば更に効果的であ
る。位相シフトマスクの内容については、日経マイクロ
デバイス１９９０年７月号ｐ．１０３〜１１４を参照。
又、照明系には所謂変形照明を採用すれば解像力や焦点
深度の向上が得られる。変形照明の内容については、日
経マイクロデバイス１９９２年４月号ｐ．２８〜３９に
例示されてある。

【００４２】次に１−１−２．のステージ送り精度で位
置合わせをする場合の実施例について説明する。

【００４３】この場合スティッチングＡＡに頼らない
で、ステージの位置情報と送り精度で図６のＡパターン
とＢパターンのつなぎを行なう。この場合、従って図
２，図３，図４に於けるスティッチングアライメントパ
ターンＳＡＡ（ｘ）７２，９６、ＳＡＡ（ｙ）７１，９
０、ＳＡＡ（ｘ）８３，１００、ＳＡＡ（ｙ）８１，９
８は不要である。更に図５において、Ａパターン，Ｂパ
ターンの接続のためのスティッチングＡＡの機能は用い
る必要がない。その代わり、ステージ１１６の位置情報
を与える測長手段１３２と、Ｘ線マスク１２７のスキャ
ンステージ１２９の位置情報を与える測長手段１３３
と、レチクルアライメント手段１１１と１１２を活用す
る。即ち、レチクルＡ，レチクルＢを各々露光装置にセ
ットした後スキャン露光装置に対し、アライメント手段
を用いて高精度に位置決めする。これにより、露光装置
側の例えばセンサーが基準物体となりアライメントさ
れ、レチクルＡからＢに変化したあとも露光装置即ちア
ライメント検出センサー（１１１および１１２の中に収
められている）に対し高精度の再現性をもって位置決め
される。この時図５に於て、レチクルの微笑回転ができ
る回転ステージ１３７でもって回転のアライメントを行
なう。尚、スキャンステージ１１６はｙ方向にスキャン
できる様になっているが、ｘ方向には不図示の微笑移動
ステージがついていて調整できる様になっている。

【００４４】露光装置側に対してレチクル１１５を位置
合わせしたのち、結像系１３８のフォーカスをＸ線マス
ク１２７との間にとり、スキャン露光する。この時ステ
ージ１１６と１２９の位置情報を各々測長手段１３２と
１３３で高精度に求めておき、レチクルを別のレチクル
に変えたのち、レチクルアライメントをしたうえで、測
長機１１６と１３３の前記測長値を参考にして、Ｘ線マ
スク上にＡとＢのパターンが接続して並ぶようにステー
ジ１２９をｘ軸方向に一定距離ずらしたのち、ｙ軸方向
の測長値の前記値をもとに露光スキャンする。これによ
りＡパターン，Ｂパターンの接続のためのスティッチン
グＡＡの機能の代わりにステージ１１６，１２９の測長
手段１３２，１３３を活用することで高精度に接続でき
るＸ線マスクが得られる。尚、ＡパターンとＢパターン
は実質同じＩＣパターンであってもよいし、又異なるパ
ターンであってもよい。

【００４５】次に、Ａパターン露光し、更にＢパターン
露光したのち現象する場合で、ステージ送り精度でＡ，
Ｂパターンの接続を行ない、アライメント計測手段１１
１あるいは１１２に頼らない場合、即ち１−２−１のケ
ースについて説明する。この場合も先に述べた１−１−
２の場合と同様に行なえばよい。レチクルステージ１１
６とＸ線マスクのステージ１２９と各々の位置計測を行
なう測長手段１３２と１３３を利用する。即ち図５に示
す如く露光装置側に対してレチクル１１５を位置合わせ
したのち、結像系１３８のフォーカスをＸ線マスク１２
７との間にとりスキャン露光する。この時ステージ１１
６と１２９の位置情報を各々測長手段１３２と１３３で
高精度に求めておき、レチクルを別のレチクルに変えた
のち、露光装置に対してレチクルアライメントをしたう
えで、測長機１１６と１３３の前記測長値を参考にし
て、Ｘ線マスク上にＡとＢのパターンが接続して並ぶよ
うにステージ１２９をｘ軸方向に一定距離ずらしたの
ち、ｙ軸方向の測長値の前記値をもとに露光スキャンす
る。これによりＡパターン，Ｂパターンの接続のための
スティッチングＡＡの機能の代わりにステージ１１６，
１２９の測長手段１３２，１３３を活用することで高精
度に接続できるＸ線マスクが得られる。これまで述べた
ケース１−１−１，１−１−２，１−２−１，１−２−
２いずれもレジストがネガ、ポジとも使用可能でその時
露光部のエリアは逆転して設定すればよい。１−２−２
のケースについての実施例について示す。即ち、Ａパタ
ーン露光し、Ｂパターン露光現像する場合での、Ａパタ
ーン，Ｂパターン間でアライメント（レイヤー間アライ
メントと類似）する場合について述べる。この場合は、
所謂潜像アライメントを用いるが、これについて説明す
る。レジストは光の照射により光化学的な反応を起こす
が、それは光学的な意味でも又透過率、屈折率の変化を
生じ、あるいは特殊な場合には膨張ないし収縮により非
照射部との表面段差等を生じる。一般的に使用されてい
るレジストにおいても露光の結果を白色光の顕微鏡下で
濃淡像として観察できる。以下の説明でこの像を便宜的
に潜像と称する。潜像アライメントとは、露光の結果生
じたレジスト層の部分的な変化を利用する方法である。
レジスト潜像はウエハー（本発明の場合はＸ線マスク）
のフォトレジスト上に形成されたレチクルのアライメン
トマーク像であるから、このレジスト潜像を使用してこ
の潜像との相対位置関係を検出することにより誤差の少
ない位置合わせが可能となる。

【００４６】即ち、図２，図３，図４に即して言えば、
図２の場合のようにＡパターンのレチクルでＸ線マスク
上に露光したのちはＸ線マスク上には図２の斜線部以外
のエリアが露光されるため当然スティッチングアライメ
ントパターンＳＡＡ（ｘ）７３，８３、ＳＡＡ（ｙ）７
１，８１もＸ線マスク上にレジスト潜像として形成され
る。従って、図３のように、Ｂパターンのレチクルに変
えてスティッチングアライメントを、ケース１−１−１
の場合と同様、レジスト潜像を利用して行なう。即ち、
ＳＡＡ（ｘ）９６のレチクル側のＳＡＡパターンに対し
レジスト潜像アライメントパターンＳＡＡ（ｘ）７３を
組み合わせ、以下同様にレチクル上のパターンＳＡＡ
（ｘ）１００にはレジスト潜像パターンとしてＳＡＡ
（ｘ）８３のそれを、ＳＡＡ（ｙ）９８にはＳＡＡ
（ｙ）８１のレジスト潜像パターンを、ＳＡＡ（ｙ）９
１にはＳＡＡ（ｙ）７１のレジスト潜像パターンをそれ
ぞれアライメントパターンのペアとして使用する。アラ
イメント検出装置や方法の利用についてはケース１−１
−１で述べた内容と同様で可能である。

【００４７】次に、Ａパターン，Ｂパターン間にスクラ
イブラインがある時で、Ａパターン露光しレジスト現象
したのち、レジスト塗布し、Ｂパターンの露光しレジス
ト現象をする場合についての実施例を述べる。Ａパター
ン，Ｂパターン間でアライメント（レイヤー間アライメ
ントと類似）する場合のケース２−１−１の場合の実施
例について具体的に説明する。図９はＡパターン，Ｂパ
ターン間にスクライブライン１５０がある場合のレイア
ウトを示す。スクライブライン１５０がある場合はＡパ
ターン，Ｂパターンがそれぞれ１チップとして切り離し
て使用される場合などがあたる。この時には、スクライ
ブライン１５０のエリア上にもスティッチングＡＡパタ
ーン、ＳＡＡ（ｘ）ｏｒＳＡＡ（ｙ）やオーバーレイパ
ターンＯＬＡ（ｘ），ＯＬＡ（ｙ），ＯＬＢ（ｘ），Ｏ
ＬＢ（ｙ）を設けることが可能である。この場合の１例
を図１０と図１１に示す。ＲＡＡ，ＭＡＡ，ＳＡＡ，Ｏ
ＬＡ，ＯＬＢ，ＷＡＡ，ＮＥＸＴレイヤーの意味はすべ
て図２，３と同様で、各々レチクルアライメントパター
ン、マスク（ｘ＆ｙマスク）アライメントパターン、ス
ティッチングアライメントパターン、Ａパターン露光時
にＸ線マスクに同時に焼付けられるオーバーレイ（重ね
合わせ誤差）検出マーク、Ｂパターン露光時に同時にＸ
線マスクに焼付けられるオーバーレイ検出マーク、ＩＣ
をつくる過程でウエハーとＸ線マスクのアライメントを
とるためのＸ線マスク側のパターン、同じくウエハー側
に次のレイヤーの位置合わせのために焼付けておくため
のパターン（ＮＥＴレイヤーパターン）を意味してい
る。図の用に、スクライブライン１５０に相当するエリ
アにオーバーレイ検出マークＯＬＡ（ｘ）１６２，１６
４、ＯＬＡ（ｙ）１６３，１６５、ＯＬＢ（ｘ）１７
６，１７８、ＯＬＢ（ｙ）１７５，１７７がレイアウト
されている。各々のパターンの機能とアライメントの装
置との関係は、１−１−１，１−１−２，１−２−１，
１−２−１の場合と同様でよい。又、スクライブライン
１５０に相当するエリア内にはオーバーレイ検出マーク
だけでなくスティッチングパターンＳＡＡ（ｘ）或はＳ
ＡＡ（ｙ）パターンもレイアウトさせることも可能であ
る。即ち、スクライブライン１５０に相当するエリア内
にはオーバーレイ検出マーク、スティッチングアライメ
ントパターンを配置する事が可能である。又、ＩＣ作成
プロセス上レイヤーの数が比較的少ない場合などにはＷ
ＡＡパターンやＮＥＸＴレイヤーパターンを設けてもよ
い。更に、Ａパターン，Ｂパターンがお互いに異なるパ
ターンに限らず、Ａ，ＢパターンのＩＣ回路パターンが
全く同じパターンの場合にもあてはまる事は言うまでも
ない。

【００４８】図１０，１１において、スキャン露光のス
キャン方向はｙ方向であり、Ｗ’は露光幅でありこれは
レチクル１１５を照明する露光光の照明幅を決めるアパ
ーチャー等によって与えられる。露光光の照明幅を決め
るアパーチャーはレンズを介してレチクル１１５とほぼ
共役な位置に置いてもよいし、図５に示す用にレチクル
の直前に置いてもよい。又、Ｌ”とＬ''' は露光時のス
キャンの長さであり、図１０においてはＷ’×Ｌ”が露
光照明エリアであり、図１１についてはＷ’×Ｌ”が露
光照明エリアとなる。実際にＸ線マスク１２７上に露光
光が当たるのは斜線で施していないエリアとなり、レチ
クル１１５のパターンによることは言うまでもない。

【００４９】スクライブライン１５０が場合に、ステー
ジ送り精度で位置合わせする場合、即ちケース２−１−
２の場合と全く同様にケース１−１−２ト同様ににすれ
ばよい。パターンのレイアウトがスクライブラインエリ
ア１５０に相当するエリアに設けられる点が異なるだけ
である。

【００５０】又、Ａパターン露光し、Ｂパターン露光後
現像するについてのケース２−２−１もケース１−２−
１と同様に、ケース２−２−２の場合は潜像アライメン
トとしてケース１−２−２と同様に行なえばよい。

【００５１】又、実施例について以上は光露光光（ｉ線
３６５ｎｍ，ＫｒＦ２４８ｎｍ，ＡｒＦ１９３ｎｍ）の
側について示したが、全く同様にＸ線を露光することに
よって焼付けを行なうＸ線縮小スキャン露光の場合につ
いても適用することができる。Ｘ線露光の場合使用波長
のレンズは数Å〜２００Å程度で通常使用される。

【００５２】又、これまでの中で主にＸ線マスクはプロ
キミティ露光を用いる等倍Ｘ線マスクについて述べた
が、等倍Ｘ線マスクに限らずともよく、場合によっては
例えば１／Ｎ倍縮小Ｘ線マスクなどであってもよい。

【００５３】又、パターンの接続はＡ，Ｂ２パターンの
例に限らず図１２，図１３に示す用に３パターン、４パ
ターンの場合であってもよい。

【００５４】次に上記説明したマスクや露光装置を利用
したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１４は
微少デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロシリンジ等）
の製造工程を示すフローチャートである。ステップ７１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ス
テップ７２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。このマスクは反射型マスク
であって、上記説明した特徴を有している。一方、ステ
ップ７３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ７４（ウエハプロセス）は
前処理工程と呼ばれ、上記用意したマウスとウエハを用
いて、リソグフィ技術によってウエハ上に実際の回路を
形成する。次のステップ７５（組み立て）は後工程と呼
ばれ、ステップ７４によって作成されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップ７６（検査）ではス
テップ７５で作成された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７７）
される。

【００５５】本発明はＸ線マスク構造体の作成プロセス
において、露光手段や描画手段によるパターニング時の
問題を主に解決するのが本発明の主旨であるが、本発明
の方法で形成されたマスクパターンを使用してＸ線マス
ク構造体の製造プロセスの具体的な例を以下に示す。

【００５６】図１５にＸ線マスク構造体の製造プロセス
の第１の具体例を示す。まず（ａ）で、後に支持枠とな
る両面研磨されたシリコンウエハー１１の表面に化学気
相蒸着法によって窒化シリコン１２等のＸ線透過膜を形
成する。次に（ｂ）で後にパターンを形成する領域にウ
エハー背面からシリコンのエッチングを行ない、該Ｘ線
透過膜の自立膜を形成する。（ｃ）でＸ線透過膜上にめ
っきの電極となるＣｒ１３，Ａｕ１４をそれぞれ５ｎ
ｍ，５０ｎｍの膜厚のなるように、ＥＢ蒸着装置にて連
続蒸着する。（ｄ）で更にレジスト１５を塗布し、ステ
ッパー等の光学的露光手段や電子線描画装置等によって
パターンを形成する。本発明のポイントはこの際のパタ
ーニング作成のやり方にある。次いで、（ｅ）で、この
レジストパターンの間隙にめっき法によってＡｕ１６等
の重金属を堆積しレジストを剥離する。続いて、（ｆ）
で非パターン部分の露光した電極部分をＡｕスパッタと
Ｏ₂ ＲＩＥによる酸化、透明化処理を行ない、Ｘ線マス
ク構造体を得ている。最後に（ｇ）で、この基板をパイ
レックスガラスや炭化ケイ素やチタン合金等の補強フレ
ーム１７にエポキシ系等の接着剤１８で接着する。ま
た、Ｘ線露光装置で磁性チャックを用いてＸ線マスクを
保持する場合には、（ｈ）でマスクフレーム１７に磁性
体１９を更に接着する。

【００５７】更に、図１６に、Ｘ線マスク構造体の製造
プロセスの第２の具体例を示す。

【００５８】まず、（ａ）で後に支持枠となる両面研磨
されたシリコンウエハー２１の表面に化学気相蒸着法に
よって窒化シリコン２２等のＸ線透過膜を形成する。次
に（ｂ）で後にパターンを形成する領域にウエハー背面
からシリコンのエッチングを行ない、該Ｘ線透過膜の自
立膜を形成する。（ｃ）でＸ線透過膜上にエッチングス
トッパー層２３、Ｘ線吸収体の膜２４をそれぞれスパッ
タ法で成膜する。次いで、電子線レジストであるＰＭＭ
Ａやフォトレジスト等のレジスト２５を塗布する。
（ｄ）でステッパー等の光学的露光手段や電子線描画装
置等によってパターンを形成する。次いで、（ｅ）で、
このレジストをマスクにＸ線吸収体膜をドライエッチン
グしパターンを形成する。続いて（ｆ）で非パターン部
分の露光したエッチングストッパー層２３を除去し、Ｘ
線マスク構造体を得ている。最後に（ｇ）で、この基板
をパイレックスガラスや炭化ケイ素やチタン合金等の補
強フレーム２６にエポキシ系等の接着剤２７で接着す
る。また、Ｘ線露光装置で磁性チャックを用いてＸ線マ
スクを保持する場合には、（ｈ）でマスクフレーム２６
に磁性体２８を更に接着する。

【００５９】

【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば縮小ス
キャン露光装置にパターンのつなぎ露光技術を組み合わ
せることにより、高解像度（微細パターン）とＷｉｄｅ
Ｆｉｅｌｄ化が求められているＸ線マスクを低コスト
で実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｘ線マスクパターン上の配列説明図である。

【図２】本発明の実施例でＡパターンの焼付けを説明す
る図面である。

【図３】本発明の実施例でＢパターンの焼付けを説明す
る図面である。

【図４】本発明の実施例でＡ、Ｂパターンの焼付けられ
た場合の配列を説明する図面である。

【図５】本発明のスキャン露光の装置の一実施例を示す
図である。

【図６】オーバーレイ検出方法を示す図面である。

【図７】オーバーレイ検出方法を示す他の例の図面であ
る。

【図８】オーバーレイ検出方法を示す他の例の図面であ
る。

【図９】Ｘ線マスクパターン上の配列を説明する図面で
ある。

【図１０】本発明の実施例でＡパターンとＢパターン間
にスクライブラエリアがある場合のＡパターンの焼き付
けの説明の図面である。

【図１１】本発明の実施例でＡパターンとＢパターン間
にスクライブラエリアがある場合のＢパターンの焼き付
けの説明の図面である。

【図１２】３パターン接続の場合の配列の例を示す図面
である。

【図１３】４パターン接続の場合の配列の例を示す図面
である。

【図１４】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャ
ートである。

【図１５】Ｘ線マスク構造体の製造プロセスの例を示す
図である。

【図１６】Ｘ線マスク構造体の製造プロセスの例を示す
図である。

【符号の説明】

７１〜１０２各種のアライメントのためのパターン１１１アライメント検出系１１２アライメント検出系１１４スリットアパーチャー１１５レチクル１１６レチクルスラージ１１７レチクルスラージの駆動系１１８レチクルホールダー１１９ミラー１２０レンズ系１２１ミラー１２２ミラー１２３レンズ系１２４フォーカス検出系１２５フォーカス検出系１２６コントロール系１２７被露光物であるＸ線マスク１２８チルトステージ１２９Ｘ，Ｙスラージ１３０照明光束１３２レチクルスラージの動きを計測する測長機１３３Ｘ線マスクの動きを計測する測長機１３７回転ステージ１３８結像系１４１ａ回折格子パターン１４１ｂ回折格子パターン１５０スクライブライン１５１〜１８２各種のアライメントのためのパター
ン１１シリコンウエハ１２Ｘ線透過膜１３Ｃｒ蒸着膜１４Ａｕ蒸着膜１５レジスト１６メッキ法により堆積された重金属１７補強フレーム１８接着剤１９磁性体２１シリコンウエハ２２Ｘ線透過膜２３エッチングストッパー層２４Ｘ線吸収体の膜２５レジスト２６マスクフレーム２７接着剤２８磁性体

フロントページの続き (72)発明者前原広東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の原版を用いて、これら原版のパタ
ーンを走査縮小露光で基板上に所定の位置関係で並べて
転写することによって１つのマスクパターンを形成する
ことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】各原版には所定の検出マークが設けられ
ており、この検出マークの検出を基に各原版のパターン
を所定の位置関係で並べることを特徴とする請求項１記
載のマスクの製造方法。
【請求項３】前記マスクはＸ線マスクであることを特
徴とする請求項１記載のマスクの製造方法。
【請求項４】前記露光を紫外線またはＸ線の波長域の
光によって行うことを特徴とする請求項１記載のマスク
の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか記載の製造方
法によって製造されたことを特徴とするマスク。
【請求項６】原版のパターンを走査縮小によって基板
に転写する手段と、原版が持つ所定の検出マークを検出
する手段と、該検出マークの検出を基に複数の原版パタ
ーンを所定の位置関係で並べて基板に転写する手段を有
すること特徴とするマスクの製造装置。