JPH0866382A - Ｍｒｉ用ｒｆコイル - Google Patents
Ｍｒｉ用ｒｆコイルInfo
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- JPH0866382A JPH0866382A JP6207226A JP20722694A JPH0866382A JP H0866382 A JPH0866382 A JP H0866382A JP 6207226 A JP6207226 A JP 6207226A JP 20722694 A JP20722694 A JP 20722694A JP H0866382 A JPH0866382 A JP H0866382A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- coil
- mri
- inductance
- circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 充分なブロッキング性能を得ることが可能な
ＭＲＩ用ＲＦコイルを実現する。 【構成】 ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用いられ
る分布定数型のキャパシタＣと、このキャパシタのそれ
ぞれの電極の互いに離れた位置に電気的に配設され、前
記キャパシタＣと共にブロッキング回路Ａを構成するイ
ンダクンスＬ１と、を備えたことを特徴とするＭＲＩ用
ＲＦコイル。
ＭＲＩ用ＲＦコイルを実現する。 【構成】 ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用いられ
る分布定数型のキャパシタＣと、このキャパシタのそれ
ぞれの電極の互いに離れた位置に電気的に配設され、前
記キャパシタＣと共にブロッキング回路Ａを構成するイ
ンダクンスＬ１と、を備えたことを特徴とするＭＲＩ用
ＲＦコイル。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気共鳴画像撮影（ＭＲ
Ｉ）装置に用いられるＭＲＩ用ＲＦコイルに関し、詳し
くはブロッキングに配慮されたＭＲＩ用ＲＦコイルに関
する。
Ｉ）装置に用いられるＭＲＩ用ＲＦコイルに関し、詳し
くはブロッキングに配慮されたＭＲＩ用ＲＦコイルに関
する。
【０００２】
【従来の技術】原子核を静磁場中におくと、原子核は磁
界の強さと原子核の種類によって異なる定数に比例した
角速度で歳差運動をする。この静磁場に垂直な軸に前記
の周波数の高周波回転磁場を印加すると磁気共鳴が起こ
り、前記の定数を有する特定の原子核の集団は共鳴条件
を満足する高周波磁場によって準位間の遷移を生じ、エ
ネルギー準位の高い方の準位に遷移する。共鳴後高い準
位へ励起された原子核は低い準位へ戻ってエネルギーの
放射を行う。ＭＲＩは、この特定の原子核による核磁気
共鳴現象を観察して被検体の断層像を撮影する装置であ
る。
界の強さと原子核の種類によって異なる定数に比例した
角速度で歳差運動をする。この静磁場に垂直な軸に前記
の周波数の高周波回転磁場を印加すると磁気共鳴が起こ
り、前記の定数を有する特定の原子核の集団は共鳴条件
を満足する高周波磁場によって準位間の遷移を生じ、エ
ネルギー準位の高い方の準位に遷移する。共鳴後高い準
位へ励起された原子核は低い準位へ戻ってエネルギーの
放射を行う。ＭＲＩは、この特定の原子核による核磁気
共鳴現象を観察して被検体の断層像を撮影する装置であ
る。
【０００３】このＭＲＩ装置において、被検体に高周波
回転磁場をかけるためにその中に被検体を収容して高周
波電流を流すＲＦコイルとしてバードケージ形と呼ばれ
る形状のＲＦコイルがある。
回転磁場をかけるためにその中に被検体を収容して高周
波電流を流すＲＦコイルとしてバードケージ形と呼ばれ
る形状のＲＦコイルがある。
【０００４】このバードケージ形ＲＦコイルの一例を図
９に示す。この図９において、１はその中に被検体を収
容し送受信を行うバードケージコイル、２ａ，２ｂは導
電ループを形成し、略円形をなすリング部で、２個のリ
ング部２ａ，２ｂはその面が平行になるように配置され
ている。３はこの２個のリング部２ａ，２ｂをその各々
の周縁に沿って同一間隔に隔たった点でリング部２ａ，
２ｂの面に直交して接続しているエレメントである。４
はリング部２ａ，２ｂのエレメント３の接続点間にリン
グ部２ａ，２ｂに直列に挿入されているコンデンサであ
る。
９に示す。この図９において、１はその中に被検体を収
容し送受信を行うバードケージコイル、２ａ，２ｂは導
電ループを形成し、略円形をなすリング部で、２個のリ
ング部２ａ，２ｂはその面が平行になるように配置され
ている。３はこの２個のリング部２ａ，２ｂをその各々
の周縁に沿って同一間隔に隔たった点でリング部２ａ，
２ｂの面に直交して接続しているエレメントである。４
はリング部２ａ，２ｂのエレメント３の接続点間にリン
グ部２ａ，２ｂに直列に挿入されているコンデンサであ
る。
【０００５】ところで、バードケージコイルを用いてＮ
ＭＲ（核磁気共鳴）信号による撮影を行う場合、ボディ
コイルと称せられる全身用のバードケージコイルの中に
被検体を収容して送受信を行ってＮＭＲ信号を採取して
いる。しかし、例えば膝のような部分的な断層撮影を行
う必要がある場合、膝の部分からのＮＭＲ信号のみを受
信する方が必要な部分の観察をよりよく行うことができ
る。
ＭＲ（核磁気共鳴）信号による撮影を行う場合、ボディ
コイルと称せられる全身用のバードケージコイルの中に
被検体を収容して送受信を行ってＮＭＲ信号を採取して
いる。しかし、例えば膝のような部分的な断層撮影を行
う必要がある場合、膝の部分からのＮＭＲ信号のみを受
信する方が必要な部分の観察をよりよく行うことができ
る。
【０００６】この場合、膝用の小型コイルを用いて送受
信または受信のみを行えば、全身用ＲＦコイルを用いる
よりもＳＮ比の良いイメージが得られる。例えば、受信
のみを行うＲＦコイルの場合を例にとって考える。ボデ
ィコイルによって送信を行うときに小型の受信用ＲＦコ
イルがボディコイルの中に存在すると、小型のＲＦコイ
ルが送信信号に共振するため、ボディコイルにより生じ
るＲＦ磁界を乱すことになる。
信または受信のみを行えば、全身用ＲＦコイルを用いる
よりもＳＮ比の良いイメージが得られる。例えば、受信
のみを行うＲＦコイルの場合を例にとって考える。ボデ
ィコイルによって送信を行うときに小型の受信用ＲＦコ
イルがボディコイルの中に存在すると、小型のＲＦコイ
ルが送信信号に共振するため、ボディコイルにより生じ
るＲＦ磁界を乱すことになる。
【０００７】また、小型のバードケージコイルで送信で
きるようにするには、送信ケーブルをボディコイルに供
給するケーブルの外に用意し、かつ、それをボディコイ
ルと小型のバードケージコイルへの送信を別々に行うた
めにボディコイルと切り替える手段を必要としていた。
きるようにするには、送信ケーブルをボディコイルに供
給するケーブルの外に用意し、かつ、それをボディコイ
ルと小型のバードケージコイルへの送信を別々に行うた
めにボディコイルと切り替える手段を必要としていた。
【０００８】従って、一方のバードケージコイルが送信
を行っている場合には、他方のバードケージコイルが共
振状態に無いようにする必要があった。このような場
合、ブロッキング回路と称する小さな並列共振回路を挿
入して、この並列共振回路のインピーダンスを高くする
ことで、バードケージコイルが共振状態にならないよう
にしていた。
を行っている場合には、他方のバードケージコイルが共
振状態に無いようにする必要があった。このような場
合、ブロッキング回路と称する小さな並列共振回路を挿
入して、この並列共振回路のインピーダンスを高くする
ことで、バードケージコイルが共振状態にならないよう
にしていた。
【０００９】図１０はバードケージコイルにブロッキン
グ回路Ａを付加した場合の一例を示す回路図である。
尚、バードケージコイルの回路は展開して示している。
ここで、リング部２ａのコンデンサＣに対して並列にイ
ンダクタンスＬ１がスイッチＳＷと共に配置されてい
る。このスイッチＳＷはダイオード等で構成されてお
り、図示しない外部から制御信号によりスイッチＳＷが
閉じられるとＬ１とＣとで共振状態になり、並列共振回
路ゆえにインピーダンスＺが高くなる。これにより、リ
ング部２ａ，エレメント３，リング部２ｂによる回路が
ブロッキングされることになる。
グ回路Ａを付加した場合の一例を示す回路図である。
尚、バードケージコイルの回路は展開して示している。
ここで、リング部２ａのコンデンサＣに対して並列にイ
ンダクタンスＬ１がスイッチＳＷと共に配置されてい
る。このスイッチＳＷはダイオード等で構成されてお
り、図示しない外部から制御信号によりスイッチＳＷが
閉じられるとＬ１とＣとで共振状態になり、並列共振回
路ゆえにインピーダンスＺが高くなる。これにより、リ
ング部２ａ，エレメント３，リング部２ｂによる回路が
ブロッキングされることになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このため、ブロッキン
グ回路Ａが共振状態である場合には尖鋭度（若しくは選
択度）Ｑが高く、インピーダンスＺも高い状態であるこ
とが望ましい。
グ回路Ａが共振状態である場合には尖鋭度（若しくは選
択度）Ｑが高く、インピーダンスＺも高い状態であるこ
とが望ましい。
【００１１】ところで、バードケージコイルのキャパシ
タとして、図１１に示すような両面基板を用いた分布定
数型のコンデンサが用いられることがある。このような
分布定数型のコンデンサは図１２のような等価回路で示
すことができる。これは基板の表面においてインダクタ
ンス（例えばＬａ〜Ｌｄ′）が生じているためである。
タとして、図１１に示すような両面基板を用いた分布定
数型のコンデンサが用いられることがある。このような
分布定数型のコンデンサは図１２のような等価回路で示
すことができる。これは基板の表面においてインダクタ
ンス（例えばＬａ〜Ｌｄ′）が生じているためである。
【００１２】図１３は上述のブロッキング回路Ａの構成
例を示す実態配線図である。分布定数型のコンデンサの
両面（電極）の近い箇所同士にインダクタンスを接続し
て、ブロッキング回路Ａを構成している。このようなブ
ロッキング回路Ａの場合、前述のコンデンサに含まれる
インダクタンス成分を考慮すると、図１４の等価回路で
示すことができる。すなわち、ブロッキング回路Ａの等
価回路によると、電流ｉ１〜ｉ５のように複数の電流パ
スが存在している。そして、各電流パスのそれぞれで合
成されたインダクタンス（Ｌａ〜Ｌｄ′）の値が異なる
ため、共振周波数も微妙に異なる。
例を示す実態配線図である。分布定数型のコンデンサの
両面（電極）の近い箇所同士にインダクタンスを接続し
て、ブロッキング回路Ａを構成している。このようなブ
ロッキング回路Ａの場合、前述のコンデンサに含まれる
インダクタンス成分を考慮すると、図１４の等価回路で
示すことができる。すなわち、ブロッキング回路Ａの等
価回路によると、電流ｉ１〜ｉ５のように複数の電流パ
スが存在している。そして、各電流パスのそれぞれで合
成されたインダクタンス（Ｌａ〜Ｌｄ′）の値が異なる
ため、共振周波数も微妙に異なる。
【００１３】従って、図１５に示すように、各電流パス
のＱが実線のそれぞれであるとすると、ブロッキング回
路Ａ全体のＱは図１５破線のようになる。従って、幅広
な特性になり高いＱを得ることが出来ず、満足出来るブ
ロッキング性能を得ることができない。
のＱが実線のそれぞれであるとすると、ブロッキング回
路Ａ全体のＱは図１５破線のようになる。従って、幅広
な特性になり高いＱを得ることが出来ず、満足出来るブ
ロッキング性能を得ることができない。
【００１４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、充分なブロッキング性能を得ることが
可能なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現することにある。
で、その目的は、充分なブロッキング性能を得ることが
可能なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決する第
１の手段は、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用いら
れる分布定数型のキャパシタと、このキャパシタのそれ
ぞれの電極の互いに離れた位置に電気的に配設され、前
記キャパシタと共にブロッキング回路を構成するインダ
クンスと、を備えたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイ
ルである。
１の手段は、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用いら
れる分布定数型のキャパシタと、このキャパシタのそれ
ぞれの電極の互いに離れた位置に電気的に配設され、前
記キャパシタと共にブロッキング回路を構成するインダ
クンスと、を備えたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイ
ルである。
【００１６】前記の課題を解決する第２の手段は、ＭＲ
Ｉ用ＲＦコイルの共振用として用いられる分布定数型の
キャパシタと、このキャパシタのそれぞれの電極の最遠
位置に電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッ
キング回路を構成するインダクンスと、を備えたことを
特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
Ｉ用ＲＦコイルの共振用として用いられる分布定数型の
キャパシタと、このキャパシタのそれぞれの電極の最遠
位置に電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッ
キング回路を構成するインダクンスと、を備えたことを
特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００１７】前記の課題を解決する第３の手段は、ＭＲ
Ｉ用ＲＦコイルの共振用として用いられるキャパシタ
と、このキャパシタと共にブロッキング回路を構成し、
分布定数型のインダクンスと、を備えたことを特徴とす
るＭＲＩ用ＲＦコイルである。
Ｉ用ＲＦコイルの共振用として用いられるキャパシタ
と、このキャパシタと共にブロッキング回路を構成し、
分布定数型のインダクンスと、を備えたことを特徴とす
るＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００１８】前記の課題を解決する第４の手段は、第１
のインダクタンスと第１のキャパシタとにより第１の同
調回路を構成するメインループと、前記第１のキャパシ
タ，前記第１のキャパシタに対して直列接続されており
外部からのオン信号により有効になる第２のキャパシ
タ，並びに第２のインダクタンスにより第２の同調回路
を構成するブロッキング回路と、を備えたことを特徴と
するＭＲＩ用ＲＦコイルである。
のインダクタンスと第１のキャパシタとにより第１の同
調回路を構成するメインループと、前記第１のキャパシ
タ，前記第１のキャパシタに対して直列接続されており
外部からのオン信号により有効になる第２のキャパシ
タ，並びに第２のインダクタンスにより第２の同調回路
を構成するブロッキング回路と、を備えたことを特徴と
するＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００１９】
【作用】課題を解決する第１の手段であるＭＲＩ用ＲＦ
コイルにおいて、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用
いられる分布定数型のキャパシタと、この分布定数型の
キャパシタキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた
位置に電気的にインダクタンスが配設され、前記キャパ
シタと共にブロッキング回路を構成しているので、電流
パスによらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同じ
になり、ブロッキング回路の共振周波数におけるＱは高
くなる。
コイルにおいて、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用
いられる分布定数型のキャパシタと、この分布定数型の
キャパシタキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた
位置に電気的にインダクタンスが配設され、前記キャパ
シタと共にブロッキング回路を構成しているので、電流
パスによらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同じ
になり、ブロッキング回路の共振周波数におけるＱは高
くなる。
【００２０】課題を解決する第２の手段であるＭＲＩ用
ＲＦコイルにおいて、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用とし
て用いられる分布定数型のキャパシタと、この分布定数
型のキャパシタキャパシタのそれぞれの電極の最遠位置
に電気的にインダクタンスが配設され、前記キャパシタ
と共にブロッキング回路を構成しているので、電流パス
によらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同じにな
り、ブロッキング回路の共振周波数におけるＱは高くな
る。
ＲＦコイルにおいて、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用とし
て用いられる分布定数型のキャパシタと、この分布定数
型のキャパシタキャパシタのそれぞれの電極の最遠位置
に電気的にインダクタンスが配設され、前記キャパシタ
と共にブロッキング回路を構成しているので、電流パス
によらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同じにな
り、ブロッキング回路の共振周波数におけるＱは高くな
る。
【００２１】課題を解決する第３の手段であるＭＲＩ用
ＲＦコイルにおいて、ブロッキング回路を構成するイン
ダクタンスが分布定数型のものであり直流抵抗が低くな
っている。このため、Ｑを高めブロッキングインピーダ
ンスも高めることができるようになる。
ＲＦコイルにおいて、ブロッキング回路を構成するイン
ダクタンスが分布定数型のものであり直流抵抗が低くな
っている。このため、Ｑを高めブロッキングインピーダ
ンスも高めることができるようになる。
【００２２】課題を解決する第４の手段であるＭＲＩ用
ＲＦコイルにおいて、ブロッキング回路の動作時は第１
及び第２のキャパシタの直列接続になっているためキャ
パシタの容量は小さくなり、このため第２のインダクタ
ンスの値が大きくなる。従って、インダクタンスの値が
増大することに比例してブロッキング回路のＱも高くな
る。
ＲＦコイルにおいて、ブロッキング回路の動作時は第１
及び第２のキャパシタの直列接続になっているためキャ
パシタの容量は小さくなり、このため第２のインダクタ
ンスの値が大きくなる。従って、インダクタンスの値が
増大することに比例してブロッキング回路のＱも高くな
る。
【００２３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例のＭＲＩ用ＲＦコ
イルに用いるブロッキング回路の構成を示す実態配線図
である。この図１に示す構成では、分布定数型のコンデ
ンサＣの両面（電極）の離れた位置の箇所同士にインダ
クタンスＬ１を接続して、ブロッキング回路を構成して
いる。尚、スイッチＳＷは既に説明したように、外部か
らの制御信号によりオン／オフするダイオードを用いる
ことが可能である。このようなブロッキング回路の場
合、コンデンサＣに含まれるインダクタンス成分を考慮
すると、例えば図２の等価回路として示すことができ
る。この結果、このブロッキング回路を流れる電流パス
（ｉ１〜ｉ５）は図３に示す通りになる。
に説明する。図１は本発明の一実施例のＭＲＩ用ＲＦコ
イルに用いるブロッキング回路の構成を示す実態配線図
である。この図１に示す構成では、分布定数型のコンデ
ンサＣの両面（電極）の離れた位置の箇所同士にインダ
クタンスＬ１を接続して、ブロッキング回路を構成して
いる。尚、スイッチＳＷは既に説明したように、外部か
らの制御信号によりオン／オフするダイオードを用いる
ことが可能である。このようなブロッキング回路の場
合、コンデンサＣに含まれるインダクタンス成分を考慮
すると、例えば図２の等価回路として示すことができ
る。この結果、このブロッキング回路を流れる電流パス
（ｉ１〜ｉ５）は図３に示す通りになる。
【００２４】ここで、コンデンサＣに発生するインダク
タンス成分は、一方の電極面でＬａ〜Ｌｄであり、他方
の電極面ではＬａ′〜Ｌｄである。そして、両電極面の
対向する位置のインダクタンスの値は同じであるため、
各電流パスの共振周波数は同じになる。従って、複数の
電流パスが存在するにもかかわらず、単一周波数で共振
させることが可能になり、高いブロッキングインピーダ
ンスを得ることができるようになる。
タンス成分は、一方の電極面でＬａ〜Ｌｄであり、他方
の電極面ではＬａ′〜Ｌｄである。そして、両電極面の
対向する位置のインダクタンスの値は同じであるため、
各電流パスの共振周波数は同じになる。従って、複数の
電流パスが存在するにもかかわらず、単一周波数で共振
させることが可能になり、高いブロッキングインピーダ
ンスを得ることができるようになる。
【００２５】以上詳細に説明したように、ＭＲＩ用ＲＦ
コイルの共振用として用いられる分布定数型のキャパシ
タと、このキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた
位置に電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッ
キング回路を構成するインダクンスとを備えたＭＲＩ用
ＲＦコイルによれば、電流パスによらずキャパシタ及び
インダクタンスの値が同じになり、各電流パスが同一の
共振周波数で共振するようになるので、ブロッキング回
路全体としての共振周波数におけるＱは高くなる。
コイルの共振用として用いられる分布定数型のキャパシ
タと、このキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた
位置に電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッ
キング回路を構成するインダクンスとを備えたＭＲＩ用
ＲＦコイルによれば、電流パスによらずキャパシタ及び
インダクタンスの値が同じになり、各電流パスが同一の
共振周波数で共振するようになるので、ブロッキング回
路全体としての共振周波数におけるＱは高くなる。
【００２６】またインダクタンスＬ１の接続箇所は、上
述の図１に示した位置以外に、コンデンサＣの対角線の
両端の位置にすることも可能であり、この場合も同様な
効果が得られる。
述の図１に示した位置以外に、コンデンサＣの対角線の
両端の位置にすることも可能であり、この場合も同様な
効果が得られる。
【００２７】従って、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用とし
て用いられる分布定数型のキャパシタと、このキャパシ
タのそれぞれの電極の最遠位置に電気的に配設され、前
記キャパシタと共にブロッキング回路を構成するインダ
クンスとを備えたＭＲＩ用ＲＦコイルによれば、電流パ
スによらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同じに
なり、各電流パスが同一の共振周波数で共振するように
なるので、ブロッキング回路の共振周波数におけるＱは
高くなる。
て用いられる分布定数型のキャパシタと、このキャパシ
タのそれぞれの電極の最遠位置に電気的に配設され、前
記キャパシタと共にブロッキング回路を構成するインダ
クンスとを備えたＭＲＩ用ＲＦコイルによれば、電流パ
スによらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同じに
なり、各電流パスが同一の共振周波数で共振するように
なるので、ブロッキング回路の共振周波数におけるＱは
高くなる。
【００２８】次に、ＭＲＩ用ＲＦコイルのブロッキング
回路のインダクタンスの改良によってブロッキングイン
ピーダンスを高める実施例について説明する。一般的な
インダクタンスは、集中定数型の巻線型コイル（以下、
単にコイルという）で構成されている。図４はリング部
２ａのコンデンサＣにインダクタンスＬ１及びスイッチ
としてのダイオードＤを取り付けたブロッキング回路の
回路構成を示す回路図である。このようなコイルを用い
た場合、巻線の有する直流抵抗，コイルとバードケージ
コイルのリング部との接続部分，コイルとダイオードと
の接続部分（半田付等）による直流抵抗を有している。
回路のインダクタンスの改良によってブロッキングイン
ピーダンスを高める実施例について説明する。一般的な
インダクタンスは、集中定数型の巻線型コイル（以下、
単にコイルという）で構成されている。図４はリング部
２ａのコンデンサＣにインダクタンスＬ１及びスイッチ
としてのダイオードＤを取り付けたブロッキング回路の
回路構成を示す回路図である。このようなコイルを用い
た場合、巻線の有する直流抵抗，コイルとバードケージ
コイルのリング部との接続部分，コイルとダイオードと
の接続部分（半田付等）による直流抵抗を有している。
【００２９】ブロッキング回路が共振した場合のＱは、
Ｑ＝ωＬ／ｒ と表せる。ここで、ωは角周波数，Ｌは
インダクタンスの値，ｒはブロッキング回路全体の直流
抵抗である。すなわち、直流抵抗ｒをいかに小さくする
かで、ブロッキングインピーダンスの値が決定される。
特にブロッキング回路の直流抵抗ｒは、コイルの直流抵
抗及びその接続部分で大部分を占めている。
Ｑ＝ωＬ／ｒ と表せる。ここで、ωは角周波数，Ｌは
インダクタンスの値，ｒはブロッキング回路全体の直流
抵抗である。すなわち、直流抵抗ｒをいかに小さくする
かで、ブロッキングインピーダンスの値が決定される。
特にブロッキング回路の直流抵抗ｒは、コイルの直流抵
抗及びその接続部分で大部分を占めている。
【００３０】そこで、図５に示すように、リング部のコ
ンデンサの両端に設けるインダクタンスを分布定数型の
もので構成する。例えば、リング部を構成する基板と同
一部材を使用することで、リング部（コンデンサ両端）
との接続部分の抵抗をほぼ０にすることができる。ま
た、巻線に代えて分布定数型のパターンを用いることで
インダクタンス自体の直流抵抗をも大幅に減らせる。こ
の結果、上式の直流抵抗ｒを小さくして、Ｑを高めブロ
ッキングインピーダンスも高めることができるようにな
る。
ンデンサの両端に設けるインダクタンスを分布定数型の
もので構成する。例えば、リング部を構成する基板と同
一部材を使用することで、リング部（コンデンサ両端）
との接続部分の抵抗をほぼ０にすることができる。ま
た、巻線に代えて分布定数型のパターンを用いることで
インダクタンス自体の直流抵抗をも大幅に減らせる。こ
の結果、上式の直流抵抗ｒを小さくして、Ｑを高めブロ
ッキングインピーダンスも高めることができるようにな
る。
【００３１】このようなインダクタンスを有するブロッ
キング回路を用いてＭＲＩ用ＲＦコイルを構成して実験
を行ったところ、従来の１０倍以上のＱを得ることがで
きた。
キング回路を用いてＭＲＩ用ＲＦコイルを構成して実験
を行ったところ、従来の１０倍以上のＱを得ることがで
きた。
【００３２】以上詳細に説明したように、ＭＲＩ用ＲＦ
コイルのブロッキング回路を構成するインダクタンスを
巻線コイルに代えて分布定数のインダクタンスで構成す
ることにより、直流抵抗成分を低く抑えることが出来、
ブロッキング性能を高めることができるようになる。
コイルのブロッキング回路を構成するインダクタンスを
巻線コイルに代えて分布定数のインダクタンスで構成す
ることにより、直流抵抗成分を低く抑えることが出来、
ブロッキング性能を高めることができるようになる。
【００３３】図６はＭＲＩ用ＲＦコイルのブロッキング
性能を高める本発明の他の実施例の構成を示す回路図で
ある。この図において、ＭＲＩ用ＲＦコイルのコンデン
サＣ０と直列にコンデンサＣ１が接続され、このコンデ
ンサＣ１と並列にスイッチ用のダイオードＤ２が接続さ
れている。そして、ブロッキング回路用のインダクタン
スＬ１′、このインダクタンスＬ１′と直列接続された
スイッチ用のダイオードＤ１とが前記コンデンサＣ０及
びＣ１の両端に接続されている。
性能を高める本発明の他の実施例の構成を示す回路図で
ある。この図において、ＭＲＩ用ＲＦコイルのコンデン
サＣ０と直列にコンデンサＣ１が接続され、このコンデ
ンサＣ１と並列にスイッチ用のダイオードＤ２が接続さ
れている。そして、ブロッキング回路用のインダクタン
スＬ１′、このインダクタンスＬ１′と直列接続された
スイッチ用のダイオードＤ１とが前記コンデンサＣ０及
びＣ１の両端に接続されている。
【００３４】このような構成において、通常のブロッキ
ングを行わないときには、Ｄ１：オフ，Ｄ２：オンとし
ておく。従って、コンデンサＣ１は働かなくなり、通常
の動作に従って、インダクタンスＬ０とコンデンサＣ０
とにより共振している。この場合、Ｃ０，Ｌ０の値は従
来通りの値に設定しておく。
ングを行わないときには、Ｄ１：オフ，Ｄ２：オンとし
ておく。従って、コンデンサＣ１は働かなくなり、通常
の動作に従って、インダクタンスＬ０とコンデンサＣ０
とにより共振している。この場合、Ｃ０，Ｌ０の値は従
来通りの値に設定しておく。
【００３５】ブロッキングを行う場合には、Ｄ１：オ
ン，Ｄ２：オフとする。従って、ブロッキング回路が動
作をするようになると共に、コンデンサＣ１が有効にな
る。このコンデンサＣ１が有効になったことにより、Ｃ
０とＣ１とが直列接続されることになり、その合成容量
Ｃ01は、（Ｃ０×Ｃ１）／（Ｃ０＋Ｃ１）となる。この
ため、合成容量Ｃ01は、少なくともＣ０よりは小さな値
になる。従って、従来と同じ周波数で共振させるには、
インダクタンスＬ１′の値を大きくする必要がある。こ
こで、共振状態のＱはωＬ（または、１／ｊωＣ）であ
るので、コンデンサＣ01を小さくしてインダクタンスＬ
１′を大きくするに従って、Ｑを高くすることが可能に
なる。これにより、ブロッキング回路のインピーダンス
Ｚも大きくすることができ、有効なブロッキングを行え
る様になる。
ン，Ｄ２：オフとする。従って、ブロッキング回路が動
作をするようになると共に、コンデンサＣ１が有効にな
る。このコンデンサＣ１が有効になったことにより、Ｃ
０とＣ１とが直列接続されることになり、その合成容量
Ｃ01は、（Ｃ０×Ｃ１）／（Ｃ０＋Ｃ１）となる。この
ため、合成容量Ｃ01は、少なくともＣ０よりは小さな値
になる。従って、従来と同じ周波数で共振させるには、
インダクタンスＬ１′の値を大きくする必要がある。こ
こで、共振状態のＱはωＬ（または、１／ｊωＣ）であ
るので、コンデンサＣ01を小さくしてインダクタンスＬ
１′を大きくするに従って、Ｑを高くすることが可能に
なる。これにより、ブロッキング回路のインピーダンス
Ｚも大きくすることができ、有効なブロッキングを行え
る様になる。
【００３６】すなわち、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用キ
ャパシタＣ０に直列にキャパシタＣ１を接続しておき、
通常はスイッチでＣ１をショートしておいて、ブロッキ
ング時にスイッチを開いてＣ０とＣ１との直列接続にす
ることで、合成容量Ｃ01は小さくなり、ブロッキング用
のインダクタンスＬ１′の値を相対的に大きくすること
ができるようになる。
ャパシタＣ０に直列にキャパシタＣ１を接続しておき、
通常はスイッチでＣ１をショートしておいて、ブロッキ
ング時にスイッチを開いてＣ０とＣ１との直列接続にす
ることで、合成容量Ｃ01は小さくなり、ブロッキング用
のインダクタンスＬ１′の値を相対的に大きくすること
ができるようになる。
【００３７】以上詳細に説明したように、第１のインダ
クタンスと第１のキャパシタとにより第１の同調回路を
構成するメインループと、前記第１のキャパシタ，前記
第１のキャパシタに対して直列接続されており外部から
のオン信号により有効になる第２のキャパシタ，並びに
第２のインダクタンスにより第２の同調回路を構成する
ブロッキング回路とを備えたＭＲＩ用ＲＦコイルによれ
ば、ブロッキング回路の動作時は第１及び第２のキャパ
シタの直列接続になっているためキャパシタの容量は小
さくなり、このため第２のインダクタンスの値を大きく
できる。従って、インダクタンスの値が増大することに
比例してブロッキング回路のＱも高くなる。
クタンスと第１のキャパシタとにより第１の同調回路を
構成するメインループと、前記第１のキャパシタ，前記
第１のキャパシタに対して直列接続されており外部から
のオン信号により有効になる第２のキャパシタ，並びに
第２のインダクタンスにより第２の同調回路を構成する
ブロッキング回路とを備えたＭＲＩ用ＲＦコイルによれ
ば、ブロッキング回路の動作時は第１及び第２のキャパ
シタの直列接続になっているためキャパシタの容量は小
さくなり、このため第２のインダクタンスの値を大きく
できる。従って、インダクタンスの値が増大することに
比例してブロッキング回路のＱも高くなる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、ＭＲＩ用ＲＦコイ
ルの共振用として用いられる分布定数型のキャパシタ
と、このキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた位
置に電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッキ
ング回路を構成するインダクンスとを備えたＭＲＩ用Ｒ
Ｆコイルの発明によれば、電流パスによらずキャパシタ
及びインダクタンスの値が同じになり、各電流パスが同
一の共振周波数で共振するようになるので、ブロッキン
グ回路全体としてのＱは高くなる。従って、充分なブロ
ッキング性能を得ることが可能なＭＲＩ用ＲＦコイルを
実現できる。
ルの共振用として用いられる分布定数型のキャパシタ
と、このキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた位
置に電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッキ
ング回路を構成するインダクンスとを備えたＭＲＩ用Ｒ
Ｆコイルの発明によれば、電流パスによらずキャパシタ
及びインダクタンスの値が同じになり、各電流パスが同
一の共振周波数で共振するようになるので、ブロッキン
グ回路全体としてのＱは高くなる。従って、充分なブロ
ッキング性能を得ることが可能なＭＲＩ用ＲＦコイルを
実現できる。
【００３９】また、ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として
用いられる分布定数型のキャパシタと、このキャパシタ
のそれぞれの電極の最遠位置に電気的に配設され、前記
キャパシタと共にブロッキング回路を構成するインダク
ンスとを備えたＭＲＩ用ＲＦコイルの発明によれば、電
流パスによらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同
じになり、各電流パスが同一の共振周波数で共振するよ
うになるので、ブロッキング回路のＱは高くなる。従っ
て、充分なブロッキング性能を得ることが可能なＭＲＩ
用ＲＦコイルを実現できる。
用いられる分布定数型のキャパシタと、このキャパシタ
のそれぞれの電極の最遠位置に電気的に配設され、前記
キャパシタと共にブロッキング回路を構成するインダク
ンスとを備えたＭＲＩ用ＲＦコイルの発明によれば、電
流パスによらずキャパシタ及びインダクタンスの値が同
じになり、各電流パスが同一の共振周波数で共振するよ
うになるので、ブロッキング回路のＱは高くなる。従っ
て、充分なブロッキング性能を得ることが可能なＭＲＩ
用ＲＦコイルを実現できる。
【００４０】また、ブロッキング回路を構成するインダ
クンスを分布定数型のものにすることで、直流抵抗が低
くなる結果、ブロッキング回路のＱが高くなり、充分な
ブロッキング性能を得ることができるようになる。
クンスを分布定数型のものにすることで、直流抵抗が低
くなる結果、ブロッキング回路のＱが高くなり、充分な
ブロッキング性能を得ることができるようになる。
【００４１】更に、第１のインダクタンスと第１のキャ
パシタとにより第１の同調回路を構成するメインループ
と、前記第１のキャパシタ，前記第１のキャパシタに対
して直列接続されており外部からのオン信号により有効
になる第２のキャパシタ，並びに第２のインダクタンス
により第２の同調回路を構成するブロッキング回路とを
備えたＭＲＩ用ＲＦコイルの発明によれば、ブロッキン
グ回路の動作時は第１及び第２のキャパシタの直列接続
になっているためキャパシタの容量は小さくなり、この
ため第２のインダクタンスの値を大きくできる。従っ
て、インダクタンスの値が増大することに比例してブロ
ッキング回路のＱも高くなる。従って、充分なブロッキ
ング性能を得ることが可能なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現
できる。
パシタとにより第１の同調回路を構成するメインループ
と、前記第１のキャパシタ，前記第１のキャパシタに対
して直列接続されており外部からのオン信号により有効
になる第２のキャパシタ，並びに第２のインダクタンス
により第２の同調回路を構成するブロッキング回路とを
備えたＭＲＩ用ＲＦコイルの発明によれば、ブロッキン
グ回路の動作時は第１及び第２のキャパシタの直列接続
になっているためキャパシタの容量は小さくなり、この
ため第２のインダクタンスの値を大きくできる。従っ
て、インダクタンスの値が増大することに比例してブロ
ッキング回路のＱも高くなる。従って、充分なブロッキ
ング性能を得ることが可能なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現
できる。
【図１】本発明の一実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブロ
ッキング回路付近の実態配線図である。
ッキング回路付近の実態配線図である。
【図２】本発明の一実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブロ
ッキング回路の等価回路を示す回路図である。
ッキング回路の等価回路を示す回路図である。
【図３】本発明の一実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブロ
ッキング回路の等価回路における電流パスの様子を示す
回路図である。
ッキング回路の等価回路における電流パスの様子を示す
回路図である。
【図４】一般的なＭＲＩ用ＲＦコイルのブロッキング回
路付近の実態配線図である。
路付近の実態配線図である。
【図５】本発明の他の実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブ
ロッキング回路付近の実態配線図である。
ロッキング回路付近の実態配線図である。
【図６】本発明の他の実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブ
ロッキング回路の等価回路を示す回路図である。
ロッキング回路の等価回路を示す回路図である。
【図７】本発明の他の実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブ
ロッキング回路の等価回路（通常時）を示す回路図であ
る。
ロッキング回路の等価回路（通常時）を示す回路図であ
る。
【図８】本発明の他の実施例のＭＲＩ用ＲＦコイルのブ
ロッキング回路の等価回路（ブロッキング時）を示す回
路図である。
ロッキング回路の等価回路（ブロッキング時）を示す回
路図である。
【図９】バードケージコイルの構成を示す構成図であ
る。
る。
【図１０】従来のＭＲＩ用ＲＦコイルのブロッキング回
路の等価回路を示す回路図である。
路の等価回路を示す回路図である。
【図１１】キャパシタの構成例を示す構成図である。
【図１２】キャパシタの等価回路を示す回路図である。
【図１３】従来のＭＲＩ用ＲＦコイルのブロッキング回
路付近の実態配線図である。
路付近の実態配線図である。
【図１４】従来のＭＲＩ用ＲＦコイルのブロッキング回
路の等価回路における電流パスの様子を示す回路図であ
る。
路の等価回路における電流パスの様子を示す回路図であ
る。
【図１５】従来のブロッキング回路におけるＱの様子を
示す特性図である。
示す特性図である。
Ｌ１ インダクタンス（ブロッキング回路用のインダク
タンス） Ｃ キャパシタ（バードケージコイル用のコンデン
サ） １ バードケージコイル ２ａ，２ｂ リング部 ３ エレメント ４ コンデンサ
タンス） Ｃ キャパシタ（バードケージコイル用のコンデン
サ） １ バードケージコイル ２ａ，２ｂ リング部 ３ エレメント ４ コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｎ 24/04 ５２０ Ａ 9307−2Ｇ Ｇ０１Ｒ 33/22
Claims (4)
- 【請求項１】 ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用い
られる分布定数型のキャパシタと、 このキャパシタのそれぞれの電極の互いに離れた位置に
電気的に配設され、前記キャパシタと共にブロッキング
回路を構成するインダクンスと、を備えたことを特徴と
するＭＲＩ用ＲＦコイル。 - 【請求項２】 ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用い
られる分布定数型のキャパシタと、 このキャパシタのそれぞれの電極の最遠位置に電気的に
配設され、前記キャパシタと共にブロッキング回路を構
成するインダクンスと、を備えたことを特徴とするＭＲ
Ｉ用ＲＦコイル。 - 【請求項３】 ＭＲＩ用ＲＦコイルの共振用として用い
られるキャパシタと、 このキャパシタと共にブロッキング回路を構成し、分布
定数型のインダクンスと、を備えたことを特徴とするＭ
ＲＩ用ＲＦコイル。 - 【請求項４】 第１のインダクタンスと第１のキャパシ
タとにより第１の同調回路を構成するメインループと、 前記第１のキャパシタ，前記第１のキャパシタに対して
直列接続されており外部からのオン信号により有効にな
る第２のキャパシタ，並びに第２のインダクタンスによ
り第２の同調回路を構成するブロッキング回路と、を備
えたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207226A JPH0866382A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Ｍｒｉ用ｒｆコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207226A JPH0866382A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Ｍｒｉ用ｒｆコイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0866382A true JPH0866382A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16536335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6207226A Pending JPH0866382A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Ｍｒｉ用ｒｆコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0866382A (ja) |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6207226A patent/JPH0866382A/ja active Pending
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