JPH08246155A - 被加工物の表面処理装置 - Google Patents
被加工物の表面処理装置Info
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- JPH08246155A JPH08246155A JP5257795A JP5257795A JPH08246155A JP H08246155 A JPH08246155 A JP H08246155A JP 5257795 A JP5257795 A JP 5257795A JP 5257795 A JP5257795 A JP 5257795A JP H08246155 A JPH08246155 A JP H08246155A
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- JP
- Japan
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- side wall
- exhaust port
- plasma cvd
- processing chamber
- cvd apparatus
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理室の側壁の内面に反応生成物が堆積しに
くい、或いは堆積しないプラズマＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 この発明の表面処理装置の一つであるプラズ
マＣＶＤ装置２０は、処理室５の側壁２１内面に複数本
の線状突起２３を形成し、この側壁２１の上部近傍に上
方から下方にわたって前記側壁に沿い、噴射ノズル２２
から不活性ガスを噴出させ、また、側壁２１近傍の底面
のほぼ全周にわたって環状排気口２４を形成し、その排
気口の内壁に複数枚の整流板２６を配設して構成されて
いる。
くい、或いは堆積しないプラズマＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 この発明の表面処理装置の一つであるプラズ
マＣＶＤ装置２０は、処理室５の側壁２１内面に複数本
の線状突起２３を形成し、この側壁２１の上部近傍に上
方から下方にわたって前記側壁に沿い、噴射ノズル２２
から不活性ガスを噴出させ、また、側壁２１近傍の底面
のほぼ全周にわたって環状排気口２４を形成し、その排
気口の内壁に複数枚の整流板２６を配設して構成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ、光デ
ィスクなどの物体の表面に絶縁膜、導電膜などを成膜
し、或いは絶縁膜、導電膜などをエッチングするなどの
表面処理を施すことができる、プラズマＣＶＤ装置、常
圧ＣＶＤ装置、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、プラズマエッチ
ング装置、蒸着装置、スパッタ装置などの被加工物の表
面処理装置の改良に関するものである。
ィスクなどの物体の表面に絶縁膜、導電膜などを成膜
し、或いは絶縁膜、導電膜などをエッチングするなどの
表面処理を施すことができる、プラズマＣＶＤ装置、常
圧ＣＶＤ装置、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、プラズマエッチ
ング装置、蒸着装置、スパッタ装置などの被加工物の表
面処理装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図６を用いて従来技術の被加工物
の表面処理装置を説明する。なお、以下の説明におい
て、被加工物として半導体ウエハを、その表面処理装置
としてプラズマＣＶＤ装置を例示して説明する。図６は
現用のプラズマＣＶＤ装置を模式的に表した断面斜視図
である。
の表面処理装置を説明する。なお、以下の説明におい
て、被加工物として半導体ウエハを、その表面処理装置
としてプラズマＣＶＤ装置を例示して説明する。図６は
現用のプラズマＣＶＤ装置を模式的に表した断面斜視図
である。
【０００３】符号１は全体としてプラズマＣＶＤ装置を
指す。このプラズマＣＶＤ装置１は円筒状の側壁２と天
井板３と底板４とからなる真空の処理室５を備え、この
処理室５内には、その中央部の上方に有孔の上部電極６
が、そしてこの上部電極６の下方で、その上部電極６と
所定の間隔を開けて下部電極７が配設されている。前記
上部電極６は支持装置兼反応ガス供給管（以下、単に
「反応ガス供給管」と略記する）８で天井板３に固定さ
れており、また、前記下部電極７は支持装置９で前記底
板４から浮かした状態で支持されている。これら上部電
極６及び下部電極７には、図示していないが、所定の電
圧が印加される。また、前記天井板３の中央部には開口
１０が形成されていて、図示していない反応ガス供給源
に管などを介して接続されている。更にまた、前記底板
４の一ヶ所に排気口１１が形成されており、この排気口
１１に排気管１２が接続されている。
指す。このプラズマＣＶＤ装置１は円筒状の側壁２と天
井板３と底板４とからなる真空の処理室５を備え、この
処理室５内には、その中央部の上方に有孔の上部電極６
が、そしてこの上部電極６の下方で、その上部電極６と
所定の間隔を開けて下部電極７が配設されている。前記
上部電極６は支持装置兼反応ガス供給管（以下、単に
「反応ガス供給管」と略記する）８で天井板３に固定さ
れており、また、前記下部電極７は支持装置９で前記底
板４から浮かした状態で支持されている。これら上部電
極６及び下部電極７には、図示していないが、所定の電
圧が印加される。また、前記天井板３の中央部には開口
１０が形成されていて、図示していない反応ガス供給源
に管などを介して接続されている。更にまた、前記底板
４の一ヶ所に排気口１１が形成されており、この排気口
１１に排気管１２が接続されている。
【０００４】このような構成のプラズマＣＶＤ装置１で
半導体ウエハＳの表面に、例えば、窒化膜を成膜する場
合には、前記下部電極７に半導体ウエハＳを載置し、前
記排気管１２から図示していない真空ポンプで処理室５
内を所定の真空度に引き、ＳｉＨ4 とＮ2 またはＳｉＨ
4 とＮＨ3 の反応ガスを前記開口１０から反応ガス供給
管８を通じ、上部電極６に開いている無数の細孔から処
理室５内に導入し、低圧下で上部電極６及び下部電極７
間に所定の高周波電圧を印加して、プラズマ励起状態を
作りだすと、前記半導体ウエハＳの表面にＳｉ3 Ｎ4 膜
を形成することができる。
半導体ウエハＳの表面に、例えば、窒化膜を成膜する場
合には、前記下部電極７に半導体ウエハＳを載置し、前
記排気管１２から図示していない真空ポンプで処理室５
内を所定の真空度に引き、ＳｉＨ4 とＮ2 またはＳｉＨ
4 とＮＨ3 の反応ガスを前記開口１０から反応ガス供給
管８を通じ、上部電極６に開いている無数の細孔から処
理室５内に導入し、低圧下で上部電極６及び下部電極７
間に所定の高周波電圧を印加して、プラズマ励起状態を
作りだすと、前記半導体ウエハＳの表面にＳｉ3 Ｎ4 膜
を形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような成
膜作業を重ねる内に、図５の点線で示したように、反応
生成物が前記処理室５の側壁２の内面に堆積して行く。
通常、成膜処理回数が３０回程度行うと、側壁２に１０
μｍ程度の膜厚の反応生成物が堆積する。これは、反応
ガスの導入量が、例えば、毎秒２００ｃｃと少ないた
め、流速がとれず、そのため側壁２内面の表面では、図
７に示したように、反応ガスの粘性でその境界層が生
じ、反応ガスの乱流が生じないためであると考えられ
る。側壁２の内面に乱流を発生させるには排気管１２を
通じて排気量を上げればよいが、そうすると前記排気口
１１部分で排気ガスが乱流になり、巻き上げをを起こ
し、円滑に排気することができなくなるので、やはり側
壁２内面の表面において反応ガスの流速を高めることが
できない。
膜作業を重ねる内に、図５の点線で示したように、反応
生成物が前記処理室５の側壁２の内面に堆積して行く。
通常、成膜処理回数が３０回程度行うと、側壁２に１０
μｍ程度の膜厚の反応生成物が堆積する。これは、反応
ガスの導入量が、例えば、毎秒２００ｃｃと少ないた
め、流速がとれず、そのため側壁２内面の表面では、図
７に示したように、反応ガスの粘性でその境界層が生
じ、反応ガスの乱流が生じないためであると考えられ
る。側壁２の内面に乱流を発生させるには排気管１２を
通じて排気量を上げればよいが、そうすると前記排気口
１１部分で排気ガスが乱流になり、巻き上げをを起こ
し、円滑に排気することができなくなるので、やはり側
壁２内面の表面において反応ガスの流速を高めることが
できない。
【０００６】前記反応生成物が堆積して行くと、これが
側壁２内面から剥離し、半導体ウエハＳに付着し、製品
不良の発生の原因になる。この反応生成物が剥離を起こ
す前に、現在、例えば、３０回の成膜処理が終了する毎
に、堆積した反応生成物をドライエッチングで除去する
とか薬品を用いて手拭きで払拭するようにしている。こ
のような反応生成物の除去作業は半導体装置の製造効率
を低下させている。この発明はこのような不都合な問題
点を解決することを課題とするものであって、前記側壁
２の内面全面に反応生成物を堆積しにくい、或いは堆積
しないプラズマＣＶＤ装置を得ることを目的とするもの
である。
側壁２内面から剥離し、半導体ウエハＳに付着し、製品
不良の発生の原因になる。この反応生成物が剥離を起こ
す前に、現在、例えば、３０回の成膜処理が終了する毎
に、堆積した反応生成物をドライエッチングで除去する
とか薬品を用いて手拭きで払拭するようにしている。こ
のような反応生成物の除去作業は半導体装置の製造効率
を低下させている。この発明はこのような不都合な問題
点を解決することを課題とするものであって、前記側壁
２の内面全面に反応生成物を堆積しにくい、或いは堆積
しないプラズマＣＶＤ装置を得ることを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明の表
面処理装置は、内面に乱流生成突起が形成された側壁か
らなる処理室と、その処理室の前記側壁の上部近傍に上
方から下方にわたって前記側壁に沿って不活性ガスを噴
出させる噴射ノズルと、前記処理室の前記側壁近傍の底
面のほぼ全周にわたって形成された排気口と、その排気
口の内壁に配設された複数枚のガス整流板とから構成し
て、前記課題を解決した。
面処理装置は、内面に乱流生成突起が形成された側壁か
らなる処理室と、その処理室の前記側壁の上部近傍に上
方から下方にわたって前記側壁に沿って不活性ガスを噴
出させる噴射ノズルと、前記処理室の前記側壁近傍の底
面のほぼ全周にわたって形成された排気口と、その排気
口の内壁に配設された複数枚のガス整流板とから構成し
て、前記課題を解決した。
【０００８】
【作用】従って、この発明の表面処理装置によれば、噴
出した不活性ガスが側壁内面の乱流生成突起に当たって
乱流が発生し、その側壁内面に不活性ガスのカーテンウ
ォールが形成された状態になるので、反応ガスはそのカ
ーテンウォールに妨げられて、前記側壁の内面に達せ
ず、従って、前記排気口の方に流れ、その排気口に至っ
た反応生成物及び不活性ガスは整流板の存在の下に排気
口の入口付近で乱流を起こすことなく、円滑に排気する
ことができる。
出した不活性ガスが側壁内面の乱流生成突起に当たって
乱流が発生し、その側壁内面に不活性ガスのカーテンウ
ォールが形成された状態になるので、反応ガスはそのカ
ーテンウォールに妨げられて、前記側壁の内面に達せ
ず、従って、前記排気口の方に流れ、その排気口に至っ
た反応生成物及び不活性ガスは整流板の存在の下に排気
口の入口付近で乱流を起こすことなく、円滑に排気する
ことができる。
【０００９】
【実施例】次に、図１乃至図４を用いて、この発明の表
面処理装置の一つであるプラズマＣＶＤ装置を説明す
る。図１はこの発明のプラズマＣＶＤ装置を模式的に表
した断面斜視図であり、図２は図１に示したプラズマＣ
ＶＤ装置の不活性ガス噴射口近傍の一部拡大で断面斜視
図であり、図３は図１に示したプラズマＣＶＤ装置の側
壁の一部拡大で断面斜視図であり、そして図４は図１に
示したプラズマＣＶＤ装置の排気口の一部断面斜視図で
ある。なお、以下の説明では、図６に示した従来技術の
プラズマＣＶＤ装置１の構成部分と同一の構成部分には
同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
面処理装置の一つであるプラズマＣＶＤ装置を説明す
る。図１はこの発明のプラズマＣＶＤ装置を模式的に表
した断面斜視図であり、図２は図１に示したプラズマＣ
ＶＤ装置の不活性ガス噴射口近傍の一部拡大で断面斜視
図であり、図３は図１に示したプラズマＣＶＤ装置の側
壁の一部拡大で断面斜視図であり、そして図４は図１に
示したプラズマＣＶＤ装置の排気口の一部断面斜視図で
ある。なお、以下の説明では、図６に示した従来技術の
プラズマＣＶＤ装置１の構成部分と同一の構成部分には
同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００１０】この発明のプラズマＣＶＤ装置２０は、円
筒状の側壁２１と天井板３と底板４とからなる真空の処
理室５を備え、この処理室５内には、その中央部の上方
に有孔の上部電極６が、そしてこの上部電極６の下方
で、その上部電極６と所定の間隔を開けて下部電極７が
配設されていることは従来技術のプラズマＣＶＤ装置１
と同様である。また、前記上部電極６は反応ガス供給管
８で天井板３に固定されており、更にまた、前記下部電
極７は支持装置９で前記底板４から浮かした状態で支持
されており、これら上部電極６及び下部電極７には、図
示していないが、所定の高周波電圧が印加され、また、
前記天井板３の中央部には開口１０が形成されていて、
図示していない反応ガス供給源に管などを介して接続さ
れていることも同様である。
筒状の側壁２１と天井板３と底板４とからなる真空の処
理室５を備え、この処理室５内には、その中央部の上方
に有孔の上部電極６が、そしてこの上部電極６の下方
で、その上部電極６と所定の間隔を開けて下部電極７が
配設されていることは従来技術のプラズマＣＶＤ装置１
と同様である。また、前記上部電極６は反応ガス供給管
８で天井板３に固定されており、更にまた、前記下部電
極７は支持装置９で前記底板４から浮かした状態で支持
されており、これら上部電極６及び下部電極７には、図
示していないが、所定の高周波電圧が印加され、また、
前記天井板３の中央部には開口１０が形成されていて、
図示していない反応ガス供給源に管などを介して接続さ
れていることも同様である。
【００１１】この発明のプラズマＣＶＤ装置２０におい
ては、図２に示したように、前記天井板３と側壁２１と
のコーナーの全周にわたって円環状の噴射ノズル２２が
設けられており、また、図３に示したように、前記側壁
２１の上端部付近から下端部付近にかけて、乱流生成突
起である複数本の円環状の断面三角形の線状突起２３が
所定の間隔で形成されている。更にまた、このプラズマ
ＣＶＤ装置２０においては、図４に示したように、前記
噴射ノズル２２にほぼ対向して、前記底板４に環状排気
口２４が形成されており、そしてこの環状排気口２４に
環状排気管２５が形成されている。この環状排気管２５
の両内壁には交互に互いに平行に複数枚の整流板２６が
設けられている。前記環状排気口２４により分割された
底板４は複数本のビーム２７で連結されている。
ては、図２に示したように、前記天井板３と側壁２１と
のコーナーの全周にわたって円環状の噴射ノズル２２が
設けられており、また、図３に示したように、前記側壁
２１の上端部付近から下端部付近にかけて、乱流生成突
起である複数本の円環状の断面三角形の線状突起２３が
所定の間隔で形成されている。更にまた、このプラズマ
ＣＶＤ装置２０においては、図４に示したように、前記
噴射ノズル２２にほぼ対向して、前記底板４に環状排気
口２４が形成されており、そしてこの環状排気口２４に
環状排気管２５が形成されている。この環状排気管２５
の両内壁には交互に互いに平行に複数枚の整流板２６が
設けられている。前記環状排気口２４により分割された
底板４は複数本のビーム２７で連結されている。
【００１２】このような構成のプラズマＣＶＤ装置２０
で半導体ウエハＳの表面に、例えば、窒化膜を成膜する
場合には、前記下部電極７に半導体ウエハＳを載置し、
前記環状排気口２４から図示していない真空ポンプで処
理室５内を所定の真空度に引き、ＳｉＨ4 とＮ2 または
ＳｉＨ4 とＮＨ3 の反応ガスを前記開口１０から反応ガ
ス供給管８を通じ、上部電極６に開いている無数の細孔
から処理室５内に導入し、低圧下で上部電極６及び下部
電極７間に所定の高周波電圧を印加して、プラズマ励起
状態をつくりだすと、前記半導体ウエハＳの表面にＳｉ
3 Ｎ4 膜を形成することができるが、図２に示したよう
に、このような成膜中に前記噴射ノズル２２から窒素ガ
スＮ2 のような不活性ガスを連続的に噴出させる。
で半導体ウエハＳの表面に、例えば、窒化膜を成膜する
場合には、前記下部電極７に半導体ウエハＳを載置し、
前記環状排気口２４から図示していない真空ポンプで処
理室５内を所定の真空度に引き、ＳｉＨ4 とＮ2 または
ＳｉＨ4 とＮＨ3 の反応ガスを前記開口１０から反応ガ
ス供給管８を通じ、上部電極６に開いている無数の細孔
から処理室５内に導入し、低圧下で上部電極６及び下部
電極７間に所定の高周波電圧を印加して、プラズマ励起
状態をつくりだすと、前記半導体ウエハＳの表面にＳｉ
3 Ｎ4 膜を形成することができるが、図２に示したよう
に、このような成膜中に前記噴射ノズル２２から窒素ガ
スＮ2 のような不活性ガスを連続的に噴出させる。
【００１３】連続的に噴出した窒素ガスＮ2 は前記側壁
２１に形成された複数本の線状突起２３に当たり、図３
に示したように、この側壁２１内面に上方から下方にわ
たって乱流Ｗは発生し、窒素ガスＮ2 のカーテンウォー
ルが形成された状態になる。従って、拡散などによって
側壁２１内面に達しようとする反応生成物はそのカーテ
ンウォールに妨げられて、前記側壁の内面に達すること
ができず、図４に示したように、前記環状排気口２４の
方に流れ、その環状排気口２４に至った反応生成物及び
窒素ガスＮ2 は前記複数枚の整流板２６の存在の元に処
理室５内で加速され、環状排気口２４の入口付近で乱流
を起こすことなく、処理室５から環状排気管２５を通じ
て円滑に排気することができる。なお、処理室５内を真
空にする場合に、その真空開始時には、通常、乱流が発
生してダストを巻き上げる現象が発生するが、前記整流
板２６を設けたことにより、真空開始時の処理室５内に
は乱流が発生せず、従ってダストの巻き上げ現象の発生
を防止する役割も果たしている。
２１に形成された複数本の線状突起２３に当たり、図３
に示したように、この側壁２１内面に上方から下方にわ
たって乱流Ｗは発生し、窒素ガスＮ2 のカーテンウォー
ルが形成された状態になる。従って、拡散などによって
側壁２１内面に達しようとする反応生成物はそのカーテ
ンウォールに妨げられて、前記側壁の内面に達すること
ができず、図４に示したように、前記環状排気口２４の
方に流れ、その環状排気口２４に至った反応生成物及び
窒素ガスＮ2 は前記複数枚の整流板２６の存在の元に処
理室５内で加速され、環状排気口２４の入口付近で乱流
を起こすことなく、処理室５から環状排気管２５を通じ
て円滑に排気することができる。なお、処理室５内を真
空にする場合に、その真空開始時には、通常、乱流が発
生してダストを巻き上げる現象が発生するが、前記整流
板２６を設けたことにより、真空開始時の処理室５内に
は乱流が発生せず、従ってダストの巻き上げ現象の発生
を防止する役割も果たしている。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のプラズ
マＣＶＤ装置によれば、図５の実線で示したように、処
理室の側壁内面に付着しようとする反応生成物は殆ど堆
積せず、また、環状排気口とその内部に整流板を設けた
ので、処理室の真空開始時に発生しがちな乱流によるダ
スト巻き上げを防止でき、製品不良を減少させることが
できる。
マＣＶＤ装置によれば、図５の実線で示したように、処
理室の側壁内面に付着しようとする反応生成物は殆ど堆
積せず、また、環状排気口とその内部に整流板を設けた
ので、処理室の真空開始時に発生しがちな乱流によるダ
スト巻き上げを防止でき、製品不良を減少させることが
できる。
【図１】 この発明のプラズマＣＶＤ装置を模式的に表
した断面斜視図である。
した断面斜視図である。
【図２】 図１に示したプラズマＣＶＤ装置の不活性ガ
ス噴射口近傍の一部拡大で断面斜視図である。
ス噴射口近傍の一部拡大で断面斜視図である。
【図３】 図１に示したプラズマＣＶＤ装置の側壁の一
部拡大で断面斜視図である。
部拡大で断面斜視図である。
【図４】 図１に示したプラズマＣＶＤ装置の排気口の
一部断面斜視図である。
一部断面斜視図である。
【図５】 成膜処理回数に対する側壁内面への反応生成
物の付着膜厚の関係を示したグラフである。
物の付着膜厚の関係を示したグラフである。
【図６】 従来技術のプラズマＣＶＤ装置を模式的に表
した断面斜視図である。
した断面斜視図である。
【図７】 図６のプラズマＣＶＤ装置の側壁の一部拡大
で断面斜視図である。
で断面斜視図である。
５ 処理室 ６ 上部電極 ７ 下部電極 ２０ プラズマＣＶＤ装置 ２１ 側壁 ２２ 噴射ノズル ２３ 線状突起 ２４ 環状排気口 ２５ 環状排気管 ２６ 整流板 ２７ ビーム
Claims (1)
- 【請求項１】 内面に乱流生成突起が形成された側壁か
らなる処理室と、該処理室の前記側壁の上部近傍に上方
から下方にわたって前記側壁に沿って不活性ガスを噴出
させる噴射ノズルと、前記処理室の前記側壁近傍の底面
のほぼ全周にわたって形成された排気口と、該排気口の
内壁に配設された複数枚のガス整流板とから構成されて
いることを特徴とする被加工物の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257795A JPH08246155A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 被加工物の表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257795A JPH08246155A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 被加工物の表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08246155A true JPH08246155A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=12918665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5257795A Pending JPH08246155A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 被加工物の表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08246155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0954621A1 (en) * | 1997-01-13 | 1999-11-10 | MKS Instruments, Inc. | Method and apparatus for reducing deposition of material in the exhaust pipe of a reaction furnace |
| JP2015073000A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP5257795A patent/JPH08246155A/ja active Pending
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