JPH08148647A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 放熱板表面に直接ワイヤボンディングが可能
な、ボンディング性が良く、且つ集積度が高い半導体装
置を提供する。 【構成】 所定の回路パターンを有する導電層５３を備
えた回路基板５に半田により接合された放熱板４１，４
２と、これらと半田で接合された半導体素子１１，１
２，１３と、これらを電気的に接続するボンディングワ
イヤ３とを備えている。放熱板の半導体素子が固着され
る主面は、半田付け可能な金属領域と、半田をはじく金
属領域４３，４４とを有し、放熱板のチップが搭載され
ていない領域が半田をはじくので、マウント半田流れが
防止され、バラツキが無くなり半田厚が均一になり、Ｔ
ＦＴレベルが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、パワーモジュールや混
成集積回路装置などの放熱性を要求される半導体装置の
放熱構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の回路基板に複数の半導体素子（以
下、チップという）を搭載して構成される半導体装置に
おいて、発熱性の高いチップは通常ヒートシンクなどの
放熱板に１つもしくはそれ以上のチップを取り付け、こ
の放熱板を回路基板の回路パターンに接続している。図
７を参照してこの半導体装置を説明する。図は、インバ
ータなどに用いる混成集積回路装置の断面図である。複
数のチップが搭載される回路基板５は、金属板を絶縁層
で被覆した絶縁基板を用いる。金属板５１は、例えば、
ＡｌやＣｕなどからなり、表面にエポキシ樹脂などの絶
縁層５２が被覆されている。絶縁層５２の表面には所定
の回路パターンを有する導電層５３が形成されている。
絶縁基板表面にＣｕ箔を張り付け、これを所定のパター
ンにエッチングして導電層５３を形成する。この導電層
は、回路基板上に所定の回路パターンに真空蒸着する方
法もある。

【０００３】回路基板には、絶縁基板として絶縁された
金属板に限らず、樹脂含浸ガラス繊維基板からなるプリ
ント基板を用いることもある。チップが取り付けられる
放熱板４はＣｕなどの半田付け可能な単一金属から構成
されている。ＣｕのほかにはＭｏ、Ｆｅ、４２Ｎｉ含有
Ｆｅ合金など半田付け性の高い金属を用いる。放熱板４
１には、チップ１１、１２が、Ｐｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田
２１で接合されており、放熱板４２には、チップ１３が
Ｐｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田で接合されている。また、放熱
板４１は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田２２によって回路基板
５の導電層５３に固着されている。放熱板４２は、Ｓｎ
−Ｐｂ系共晶半田２４によって回路基板５の導電層５３
に接続されている。また、これら回路基板５上に接合さ
れたチップ（発熱性半導体素子）は、互いに必要に応じ
てボンディングワイヤ３によって電気的に接続されてい
る。例えば、ボンディングワイヤ３一端がチップ１２の
表面の電極パッド（図示しない）に接続され、他端が回
路基板５の導電層５３のボンディングエリアＷの所定の
位置に接続されている。ボンディングワイヤ３の他端
は、放熱板４２を介してチップ１３のトランジスタと電
気的に接続される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように発熱性半導
体素子が取り付けられる放熱板には、半田付け性の高い
金属が用いられている。そして、この発熱性半導体素子
１の電極取り出しに必要なボンディングワイヤ３は、そ
のボンディングエリアとして、回路基板５の導電層５３
の一部を引き出して利用していた。放熱板は熱の放熱性
を考慮すると、ある程度の厚みが必要である。ボンディ
ングワイヤをボンディングする場合には、通常ボンディ
ングツールを使用するが、この様に放熱板が厚くなる
と、導電層とチップとの段差が大きくなり、ボンディン
グツールを支障なく自在に動作させるためには、かなり
回路基板に形成された導電層のボンディングエリアＷを
かなり広く取らなければならなかった。そのために回路
基板とこれに搭載されたチップから構成された半導体装
置の小形化が困難であった。

【０００５】従来の放熱板には、図８に示すような問題
が生じている。図８は、チップを搭載した放熱板の断面
図及び平面図である。例えば、図７に示すＣｕの放熱板
４１にはＳｎ−Ｐｂ系共晶半田２２によって発熱性半導
体素子（チップ）１１、１２が接合されている。この放
熱板４１において、半導体素子のチップずれが発生して
ボンディング性が低下する。また、マウント半田の流れ
によるマウント半田厚さのバラツキが発生する。このバ
ラツキが半導体装置の特性試験の１つである熱疲労試験
（ＴＦＴ；Thermal Fatigue Test）レベルのバラツキが
発生する。本発明は、このような事情によりなされたも
のであり、放熱板を用いたパワーモジュールや混成集積
回路装置等の半導体装置において、チップを半田により
固着する放熱板表面に直接ワイヤボンディングが可能
な、ボンディング性の良く、且つ集積度が高い半導体装
置を提供することを目的にしている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
搭載する放熱板が、チップを搭載する表面領域は、半田
付け可能な材料からなり、チップが接触しない表面領域
は、半田をはじく材料からなることを特徴としている。
即ち、本発明の半導体装置は、所定の回路パターンを有
する導電層を備えた回路基板と、前記回路基板に半田に
より接合された放熱板と、前記放熱板に半田により接合
された少なくとも１つの半導体素子と、前記半導体素子
間を電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前
記放熱板の前記半導体素子が固着される主面は、半田付
け可能な金属から構成された前記半導体素子が接合され
る領域と、半田をはじく金属から構成された前記半導体
素子が接合されない領域とを有し、前記ボンディングワ
イヤの一端が前記半導体素子の１つに接続され、他端が
前記放熱板主面の前記半導体素子が接合されない領域の
ボンディングエリアに接続されていることを特徴として
いる。

【０００７】前記放熱板主面において、前記半導体素子
が接合される領域は、前記半導体素子が接合されない領
域によって囲まれているようにしても良い。前記放熱板
は、半田付け可能な金属からなるベースと前記半導体素
子が接続されない領域に形成された半田をはじく金属層
からなるようにしても良い。前記半田をはじく金属層に
は、前記半導体素子が接合される領域に対向する位置に
凹部が形成されているようにしても良い。前記放熱板
は、半田をはじく金属からなるベースと前記半導体素子
が接続される領域に形成された半田付け可能な金属層か
らなるようにしても良い。前記放熱板は、半田付け可能
な金属からなるベースを有し、前記半導体素子が接合さ
れない領域には、前記半導体素子が接合される領域を囲
む半田をはじく絶縁層と前記半田付け可能な金属が露出
しているボンディングエリアとが形成されているように
しても良い。

【０００８】

【作用】放熱板においてチップが搭載されていない領域
が半田をはじくのでマウント半田流れが防止され、半田
厚が均一になる。そして、ボンディングワイヤがこの半
田をはじく材料で形成された領域にボンディングされて
いるので、回路基板のボンディングエリアを省略するこ
とができる。また、ＴＦＴレベルを向上することができ
る。

【０００９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。まず、図１及び図２を参照して第１の実施例を説
明する。図１は、インバータなどに用いられる混成集積
回路装置の断面図、図２はその回路装置に組み込まれ、
発熱性半導体素子などのチップが搭載された放熱板の平
面図である。複数のチップが搭載される回路基板５は、
金属板を絶縁層で被覆した絶縁基板を用いる。ベースに
なる金属板５１は、例えば、ＡｌやＣｕなどからなり、
その表面にエポキシ樹脂などの絶縁層５２が被覆されて
いる。絶縁層５２の表面には所定の回路パターンを有す
る導電層５３が形成されている。この回路基板５に導電
層５３を形成するには、まず絶縁基板の絶縁層５２表面
にＣｕ箔を張り付ける。そして、このＣｕ箔を所定のパ
ターンにエッチングして導電層５３を形成する。放熱板
は、その主面のチップが接合される領域は、半田付け可
能な金属からなり、チップが接合されていない領域は、
半田をはじく金属から構成されている。そして、チップ
が接合されていない領域とは、実質的にチップが接合さ
れている領域を囲む領域を指している。

【００１０】この実施例では、放熱板は、半田付け可能
な金属を金属ベースとし、前記チップが接合されていな
い領域に半田をはじく金属層が張り付けられていること
を特徴としている。チップが２つ搭載される放熱板４１
は、Ｃｕなどの半田付け可能な金属ベースを備え、その
表面のチップが接合されない領域にＡｌなどの半田をは
じく金属層４３が形成されている。チップが接合される
領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２５、２６によって
チップ１１、１２が接合されている。半田をはじく金属
層４３は、チップ１１及びチップ１２をそれぞれ囲むよ
うに配置されている（図２参照）。チップが１つ搭載さ
れる放熱板４２は、Ｃｕなどの半田付け可能な金属ベー
スを備え、その表面のチップが接合されない領域にＡｌ
などの半田をはじく金属層４４が形成されている。チッ
プが接合される領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２３
によってチップ１３が接合されている。半田をはじく金
属層４４は、チップ１３を囲むように放熱板４２の周辺
部に配置されている。

【００１１】放熱板４１は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田層２
２によって回路基板５の導電層５３に接合され、同じ様
に、放熱板４２は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田層２４によっ
て回路基板５の導電層５３に接合されている。また、こ
れら回路基板５上に接合された発熱性半導体素子などの
チップは、互いに必要に応じてボンディングワイヤ３に
よって電気的に接続されている。例えば、ボンディング
ワイヤ３は、放熱板４１上のチップ１２と放熱板４２上
のチップ１３とを電気的に接続している。ボンディング
ワイヤ３は、一端がチップ１２の表面の電極パッド（図
示しない）に接続され、他端が放熱板４２上の半田をは
じく金属層４４に接続されている。チップ１２の信号
は、ボンディングワイヤ３によって放熱板４２及び半田
層２３を介してチップ１３に伝えられる。

【００１２】この様に半田をはじく金属層４３、４４
は、半田層を囲むように形成されており、半田流れを防
止している。したがって、この半田流れによるチップず
れがなく、チップは放熱板のボンディング性の低下を防
止することができる。また、マウント半田流れによる半
田厚さのバラツキに起因するＴＦＴレベルのバラツキが
防止される。ボンディングワイヤ３の一端がチップに接
続され、他端が半田をはじく金属層に接続されているの
で、ボンディングワイヤの両端の段差が小さくなってボ
ンディングツールの動作範囲を大きく確保する必要が無
くなり、さらに、ボンディングワイヤは回路基板に接続
されないので、回路基板の導電層にボンディングエリア
を形成する必要がなくなり半導体装置が小形化する。

【００１３】次に、図３を参照して第２の実施例を説明
する。図は、インバータなどに用いられる混成集積回路
装置の断面図である。複数のチップが搭載される回路基
板５は、金属板を絶縁層で被覆した絶縁基板を用いる。
ベースになる金属板５１は、例えば、ＡｌやＣｕなどか
らなり、その表面にエポキシ樹脂などの絶縁層５２が被
覆されている。絶縁層５２の表面には所定の回路パター
ンを有する導電層５３が形成されている。この回路基板
５に導電層５３を形成するには、絶縁基板の絶縁層５２
表面にＣｕ箔を張り付ける。次に、このＣｕ箔を所定の
パターンにエッチングして導電層５３を形成する。放熱
板は、その主面のチップが接合される領域は、半田付け
可能な金属からなり、チップが接合されていない領域
は、半田をはじく金属から構成されている。そして、チ
ップが接合されていない領域とは、実質的にチップが接
合されている領域を囲む領域を指している。この実施例
では放熱板は、半田をはじく金属を金属ベースとし、前
記チップが接合される領域に半田付け可能な金属層が張
り付けられていることを特徴としている。

【００１４】チップが２つ搭載される放熱板４１は、Ａ
ｌなどの半田をはじく金属ベースからなり、その表面の
チップが接合されない領域にはＡｌなどの半田をはじく
金属が表面に露出している。チップが接合される領域に
はＣｕなどの半田付け可能な金属層４５、４６が被覆さ
れており、この金属層４５、４６の上にＰｂ−Ｓｎ−Ａ
ｇ系半田層２５、２６によってチップ１１、１２が接合
されている。チップが１つ搭載される放熱板４２は、Ａ
ｌなどの半田をはじく金属ベースからなり、その表面の
チップが接合されない領域にはＡｌなどの半田をはじく
金属が表面に露出している。チップが接合される領域に
はＣｕなどの半田付け可能な金属層４７が被覆されてお
り、この金属層４７の上にＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２
３によってチップ１３が接合されている。放熱板４１
は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田層２２によって回路基板５の
導電層５３に接合され、同じ様に、放熱板４２は、Ｓｎ
−Ｐｂ系共晶半田層２４によって回路基板５の導電層５
３に接合されている。

【００１５】また、これら回路基板５上に接合された発
熱性半導体素子などのチップは、互いに必要に応じてボ
ンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。
例えば、ボンディングワイヤ３は、放熱板４１上のチッ
プ１２と放熱板４２上のチップ１３とを電気的に接続し
ている。ボンディングワイヤ３は、一端がチップ１２の
表面の電極パッド（図示しない）に接続され、他端が放
熱板４２上のチップが接合されない領域に露出している
半田をはじく金属に接続されている。チップ１２からの
信号は、ボンディングワイヤ３によって放熱板４２及び
半田層２３を介してチップ１３に伝えられる。

【００１６】この様にチップが接合されない領域は半田
をはじく金属が露出しており、この領域は、半田層を囲
むように形成されており、半田流れを防止している。し
たがって、この半田流れによるチップずれがなく、チッ
プは放熱板のボンディング性の低下を防止することがで
きる。また、マウント半田流れによる半田厚さのバラツ
キに起因するＴＦＴレベルのバラツキが防止される。ボ
ンディングワイヤ３の一端がチップに接続され、他端が
放熱板表面の半田をはじく金属に接続されているので、
ボンディングワイヤの両端の段差が小さくなってボンデ
ィングツールの動作範囲を大きく確保する必要が無くな
り、さらに、ボンディングワイヤは回路基板に接続され
ないので、回路基板の導電層にボンディングエリアを形
成する必要がなくなり半導体装置が小形化する。

【００１７】次に、図４を参照して第３の実施例を説明
する。図は、インバータなどに用いられる混成集積回路
装置の断面図である。複数のチップが搭載される回路基
板５は、金属板を絶縁層で被覆した絶縁基板を用いる。
ベースになる金属板５１は、例えば、ＡｌやＣｕなどか
らなり、その表面にエポキシ樹脂などの絶縁層５２が被
覆されている。絶縁層５２の表面には所定の回路パター
ンを有する導電層５３が形成されている。この回路基板
５に導電層５３を形成するには、まず絶縁基板の絶縁層
５２表面にＣｕ箔を張り付け、このＣｕ箔を所定のパタ
ーンにエッチングして形成する。放熱板は、その主面の
チップが接合される領域は、半田付け可能な金属からな
り、チップが接合されていない領域は、半田をはじく金
属から構成されている。そして、チップが接合されてい
ない領域とは、実質的にチップが接合されている領域を
囲む領域を指している。この実施例では、放熱板は、半
田付け可能な金属を金属ベースとし、前記チップが接合
されていない領域には、前記チップが接合される領域に
隣接した部分にフォトレジストのような半田をはじく絶
縁層が形成されており、その他の部分は、金属ベースの
表面がボンディングエリアとして露出している。

【００１８】チップが２つ搭載される放熱板４１は、Ｃ
ｕなどの半田付け可能な金属ベースを備え、その表面の
チップが接合されない領域の一部にチップが接合される
領域の半田層を囲むようにフォトレジストなどの半田を
はじく絶縁層６が形成されている。チップが接合される
領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２５、２６によって
チップ１１、１２が接合されている。半田をはじく絶縁
層６は、チップ１１及びチップ１２をそれぞれ囲むよう
に配置されていて、その周辺は、ボンディングエリアと
して金属ベースが露出している。チップが１つ搭載され
る放熱板４２はＣｕなどの半田付け可能な金属ベースを
備え、その表面のチップが接合されない領域にフォトレ
ジストなどの半田をはじく絶縁層７が形成されている。
チップが接合される領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層
２３によってチップ１３が接合されている。半田をはじ
く絶縁層７は、チップ１３を囲むように放熱板４２の周
辺部に配置され、その周辺は、ボンディングエリアとし
て金属ベースが露出している。放熱板４１は、Ｓｎ−Ｐ
ｂ系共晶半田層２２によって回路基板５の導電層５３に
接合され、同じ様に、放熱板４２は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶
半田層２４によって回路基板５の導電層５３に接合され
ている。

【００１９】また、これら回路基板５上に接合された発
熱性半導体素子などのチップは、互いに必要に応じてボ
ンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。
例えば、ボンディングワイヤ３は、放熱板４１上のチッ
プ１２と放熱板４２上のチップ１３とを電気的に接続し
ている。ボンディングワイヤ３は、一端がチップ１２の
表面の電極パッド（図示しない）に接続され、他端が放
熱板４２上のチップが接合されない領域の半田をはじく
絶縁層７が形成されていないボンディングエリアに接続
されている。チップ１２の信号は、ボンディングワイヤ
３によって放熱板４２及び半田層２３を介してチップ１
３に伝えられる。

【００２０】この様に半田をはじく絶縁層６、７は、半
田層を囲むように形成されており、半田流れを防止して
いる。したがって、この半田流れによるチップずれがな
く、チップは放熱板のボンディング性の低下を防止する
ことができる。また、マウント半田流れによる半田厚さ
のバラツキに起因するＴＦＴレベルのバラツキが防止さ
れる。ボンディングワイヤの一端がチップに接続され、
他端が半田をはじく金属層に接続されているので、ボン
ディングワイヤの両端の段差が小さくなってボンディン
グツールの動作範囲を大きく確保する必要が無くなり、
さらに、ボンディングワイヤは回路基板に接続されない
ので、回路基板の導電層にボンディングエリアを形成す
る必要がなくなり半導体装置が小形化する。

【００２１】次に、図５及び図６を参照して第４の実施
例を説明する。図５は、図１と同じ構成の回路基板に搭
載する放熱板の平面図、図６は、図５の放熱板の１部を
示す断面図及び平面図である。回路基板は、金属板を絶
縁層で被覆した絶縁基板を用いる。ベースになる金属板
は、例えば、ＡｌやＣｕなどからなり、その表面にエポ
キシ樹脂などの絶縁層が被覆されている。絶縁層の表面
には所定の回路パターンを有する導電層が形成されてい
る。この導電層は、絶縁基板の絶縁層表面に張り付けた
Ｃｕ箔を所定のパターンにエッチングして形成する。本
発明の放熱板は、その主面のチップが接合される領域
は、半田付け可能な金属からなり、チップが接合されて
いない領域は、半田をはじく金属から構成されている。
そして、チップが接合されていない領域とは、実質的に
チップが接合されている領域を囲む領域を指している。
この実施例では、放熱板４１は、Ｃｕなどの半田付け可
能な金属を金属ベースとし、前記チップが接合されてい
ない領域にＡｌなどの半田をはじく金属層４３が張り付
けられている。

【００２２】放熱板４１のチップが接合される領域には
Ｐｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２６によってチップ１２が接
合されている。半田をはじく金属層４３は、チップ１２
を囲むように配置されている。この半田をはじく金属層
４３はほぼ等しい幅を有し、放熱板４１の周辺に沿って
半田層２６を囲むように配置されているが、この実施例
では、放熱板主面の中央方向に向って搭載されているチ
ップに対向するように凹部（ポケット）４３１が形成さ
れている。この凹部４３１はチップが接合されない領域
に形成されているが、金属層４３が欠けているので、金
属ベースである半田付け可能な金属が露出している。放
熱板４１は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田層によって回路基板
の導電層に接合されている。また、これら回路基板５上
に接合された発熱性半導体素子などのチップは、互いに
必要に応じてボンディングワイヤによって電気的に接続
されている。

【００２３】この様に半田をはじく金属層４３は半田層
を囲むように形成されており、半田流れを防止してい
る。したがって、従来のように半田流れによるチップず
れがなく、放熱板のボンディング性の低下を防止するこ
とができる。また、マウント半田流れによる半田厚さの
バラツキに起因するＴＦＴレベルのバラツキが防止され
る。ボンディングワイヤ３の一端がチップに接続され、
他端が半田をはじく金属層に接続されているので、ボン
ディングワイヤの両端の段差が小さくなってボンディン
グツールの動作範囲を大きく確保する必要が無くなり、
さらに、ボンディングワイヤは回路基板に接続されない
ので、回路基板の導電層にボンディングエリアを形成す
る必要がなくなり半導体装置が小形化する。この実施例
の特徴である半田をはじく金属層４３の凹部４３１は、
半田を用いて放熱板にチップを接合するときに利用され
る。以下、図６を参照してチップを放熱板に接合する方
法を説明する。

【００２４】放熱板４１主面の半田をはじく金属層４３
に囲まれた領域のほぼ中央に少量のＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系
半田２６を塗布する。そしてこの上にチップ１２を載せ
て仮止めする。この状態で図の矢印に示すようにこの半
田２６をさらに凹部４３１から供給して、チップ下に半
田層２６を形成する。半田を完全に供給してからチップ
を搭載するよりも外部からの空気の混入が少なく、チッ
プを放熱板に密着させることができる。また、半田層２
６を形成してからチップを搭載する従来の方法において
も、この凹部４３１は、半田の供給部としては用いず
に、半田流れを防止する領域として用いることができ
る。以上の実施例において、チップが取り付けられる放
熱板４のベースにはＣｕなどの半田付け可能な金属を用
いているが、半田付け可能な金属にはＣｕのほかにはＭ
ｏ、Ｆｅ、４２Ｎｉ含有Ｆｅ合金などがある。

【００２５】回路基板上の導電層は、Ｃｕ箔などを張り
付けてからパターニングする方法を用いているが、回路
基板上に所定の回路パターンに真空蒸着する方法を用い
ることができる。回路基板には、絶縁基板として絶縁さ
れた金属板に限らず、樹脂含浸ガラス繊維基板からなる
プリント基板やＤＢＣ（Direct Bond Copper）基板を用
いることもできる。回路基板にチップを搭載し、さらに
ワイヤボンディングを実施してチップの素子間に電気的
接続を施してからチップを搭載した回路基板を樹脂封止
体に封止したり、あるいはケース内に密封する。

【００２６】

【発明の効果】本発明は、以上のように放熱板主面のチ
ップを接合する領域に半田付可能な金属を用い、チップ
を接合しない領域には半田をはじく金属を用いることに
より、従来回路基板の回路パターンに形成していたボン
ディングエリアを放熱板の前記チップを接合しない領域
に設けることができるようになって、回路基板面積が小
さくすることができるようになった。その結果、パワー
モジュールや混成集積回路装置等の半導体装置の小形化
に対応することができる。また、放熱板主面のチップを
接合しない領域に形成した半田をはじく金属が半田流れ
を防止し、放熱板へのチップの半田付け位置精度を向上
させ、その結果ワイヤボンディング性が良くなると共に
ＴＦＴレベルのバラツキが減少する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の断面図。

【図２】第１の実施例の半導体装置の放熱板の平面図。

【図３】第２の実施例の半導体装置の断面図。

【図４】第３の実施例の半導体装置の断面図。

【図５】第４の実施例の半導体装置の放熱板の平面図。

【図６】図５の放熱板の部分断面図及び部分平面図。

【図７】従来の半導体装置の断面図。

【図８】従来の半導体装置の放熱板の断面図及び平面
図。

【符号の説明】

３ ボンディングワイヤ ５ 回路基板 ６、７ 半田をはじく絶縁層 １１、１２、１３ チップ（半導体素子） ２１、２２、２３、２４、２５、２６ 半田層 ４１、４２ 放熱板 ４３、４４ 半田をはじく金属層 ４５、４６、４７、４８、４９ 半田付可能な金属
層 ５１ 回路基板の金属板 ５２ 回路基板の絶縁層 ５３ 回路基板の導電層 ４３１ 半田をはじく金属層の凹部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の回路パターンを有する導電層を備
   えた回路基板と、 前記回路基板に半田により接合された放熱板と、 前記放熱板に半田により接合された少なくとも１つの半
   導体素子と、 前記半導体素子間を電気的に接続するボンディングワイ
   ヤとを備え、 前記放熱板の前記半導体素子が固着される主面は、半田
   付け可能な金属から構成された前記半導体素子が接合さ
   れる領域と、半田をはじく金属から構成された前記半導
   体素子が接合されない領域とを有し、前記ボンディング
   ワイヤの一端が前記半導体素子の１つに接続され、他端
   が前記放熱板主面の前記半導体素子が接合されない領域
   のボンディングエリアに接続されていることを特徴とす
   る半導体装置。
2. 【請求項２】 前記放熱板主面において、前記半導体素
   子が接合される領域は、前記半導体素子が接合されない
   領域によって囲まれていることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記放熱板は、半田付け可能な金属から
   なるベースと前記半導体素子が接続されない領域に形成
   された半田をはじく金属層からなることを特徴とする請
   求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記半田をはじく金属層には、前記半導
   体素子が接合される領域に対向する位置に凹部が形成さ
   れていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装
   置。
5. 【請求項５】 前記放熱板は、半田をはじく金属からな
   るベースと前記半導体素子が接続される領域に形成され
   た半田付け可能な金属層からなることを特徴とする請求
   項１又は請求項２に記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記放熱板は、半田付け可能な金属から
   なるベースを有し、前記半導体素子が接合されない領域
   には、前記半導体素子が接合される領域を囲む半田をは
   じく絶縁層と前記半田付け可能な金属が露出しているボ
   ンディングエリアとが形成されていることを特徴とする
   請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。