JPH02228632A - 電気光学装置及びその製造方法 - Google Patents
電気光学装置及びその製造方法Info
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- JPH02228632A JPH02228632A JP1050259A JP5025989A JPH02228632A JP H02228632 A JPH02228632 A JP H02228632A JP 1050259 A JP1050259 A JP 1050259A JP 5025989 A JP5025989 A JP 5025989A JP H02228632 A JPH02228632 A JP H02228632A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶テレビ等の薄膜トランジスタを用いた電
気光学装置に関する。
気光学装置に関する。
本発明は、ゲートが2層で、画素電極が絶縁基板上に設
けられ、この画素電極と接続する薄膜トランジスタを用
いた電気光学装置において、前段ゲートラインとの間に
コンデンサを設けることにより、画素部に従来よりもは
るかに多い電荷を保持することが可能となり、高コント
ラストな映像を得られ、より高品位な画像表示が可能と
なる。
けられ、この画素電極と接続する薄膜トランジスタを用
いた電気光学装置において、前段ゲートラインとの間に
コンデンサを設けることにより、画素部に従来よりもは
るかに多い電荷を保持することが可能となり、高コント
ラストな映像を得られ、より高品位な画像表示が可能と
なる。
従来から、第5図に示すような構造の3枚マスクを用い
た液晶パネル等の電気光学装置が知られている。以下、
この図のもとに説明する。
た液晶パネル等の電気光学装置が知られている。以下、
この図のもとに説明する。
絶縁基板l上に、ITO(インジウム、錫酸化物)等の
透明導電材料2と、クロム等の金属材料A3とを連続し
て積層し、先ず1番目のマスクで図のようにゲートライ
ン4と画素部5とを残してパターニングするが、この時
点ではまだ画素部5の上には金属材料3が残っている。
透明導電材料2と、クロム等の金属材料A3とを連続し
て積層し、先ず1番目のマスクで図のようにゲートライ
ン4と画素部5とを残してパターニングするが、この時
点ではまだ画素部5の上には金属材料3が残っている。
次に窒素化シリコン等の絶縁材料6とアモルファスンリ
コン等の半導体7とを連続して積層し、2番目のマスク
でパターニングする。その上からアルミニウム等の金属
材料B8を積層し、3番めのマスクでパターニングする
方式で作られる。このような構造を持つ従来技術による
TPTを用いた電気光学%li’llにおいては、製造
工程が簡略化されるため、歩留り向上に寄与するが、第
1図によるところのコンデンサ9を画素部5と前段ゲー
トライン10との間に有しない構造のものが知られてい
た。
コン等の半導体7とを連続して積層し、2番目のマスク
でパターニングする。その上からアルミニウム等の金属
材料B8を積層し、3番めのマスクでパターニングする
方式で作られる。このような構造を持つ従来技術による
TPTを用いた電気光学%li’llにおいては、製造
工程が簡略化されるため、歩留り向上に寄与するが、第
1図によるところのコンデンサ9を画素部5と前段ゲー
トライン10との間に有しない構造のものが知られてい
た。
上記のようなコンデンサ9を有しない構造でのTPTを
用いた電気光学装置においては、画素部5に書き込まれ
た電荷の保持を例えば、液晶表示装置ならば液晶にのみ
顧ることとなるため、前記画素部5に書き込まれた電荷
を十分に保持することができず液晶にかかる電圧が次の
書き込みが開始されるまでの間に低下してしまい、コン
トラストの低下、フリッカ等の原因となり、表示品質の
低下を招いていた。また、従来の装置でコンデンサを形
成するものでは多数のマスクが必要で工程が複雑になっ
Cいた。
用いた電気光学装置においては、画素部5に書き込まれ
た電荷の保持を例えば、液晶表示装置ならば液晶にのみ
顧ることとなるため、前記画素部5に書き込まれた電荷
を十分に保持することができず液晶にかかる電圧が次の
書き込みが開始されるまでの間に低下してしまい、コン
トラストの低下、フリッカ等の原因となり、表示品質の
低下を招いていた。また、従来の装置でコンデンサを形
成するものでは多数のマスクが必要で工程が複雑になっ
Cいた。
上記問題点を解決するために、本発明では画素部に隣接
するゲートラインのうち、該画素部に関するトランジス
タが接続されていない側のゲートライン、すなわち前段
ゲートラインと、該画素部との間にコンデンサを設けた
。
するゲートラインのうち、該画素部に関するトランジス
タが接続されていない側のゲートライン、すなわち前段
ゲートラインと、該画素部との間にコンデンサを設けた
。
上記のような構成によれば、コンテンツを有することに
より、より長時間、画素に古き込まれた電荷を保持する
ことができるようになり、しかも工程を複雑にすること
なく、コンデンサを形成することができる。
より、より長時間、画素に古き込まれた電荷を保持する
ことができるようになり、しかも工程を複雑にすること
なく、コンデンサを形成することができる。
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るTPTの一実施例の等価回路図を
示す、この図において書き込みのスキャンの方向は下か
ら上向き(図示矢印イ方向)にスキャンされることとな
り、現役にあるゲートライン4に対し、前段ゲートライ
ン1θは図面の下側にある。この図において、現役であ
るゲートライン4は、横一列に並ぶTFTIIの各々の
ゲートに接続され、かつTFTIIの各々のドレインは
ドレインライン12に接続され、かつまたTFTIIの
各々のソースは各々の画素部5に接続されている。
示す、この図において書き込みのスキャンの方向は下か
ら上向き(図示矢印イ方向)にスキャンされることとな
り、現役にあるゲートライン4に対し、前段ゲートライ
ン1θは図面の下側にある。この図において、現役であ
るゲートライン4は、横一列に並ぶTFTIIの各々の
ゲートに接続され、かつTFTIIの各々のドレインは
ドレインライン12に接続され、かつまたTFTIIの
各々のソースは各々の画素部5に接続されている。
そして、該各々の画素部5はコンデンサ9を通して前段
ゲートラインIOへと接続されている。
ゲートラインIOへと接続されている。
第2図は、本発明にかかるTFTの一実施例の断面図で
ある。この図においてガラス等の絶縁基板l上に透明導
電材料2.金属材料A3とを連続して積層し、先ず1番
目のマスクで図のようにゲートライン4、画素部5とを
残して従来のようにパターニングする。次に絶縁材料6
と半導体7とを連続して積層し、2番目のマスクでパタ
ーニングする。その際、コンデンサ9の部分を残すよう
にする。その上から金属+4料B8を積層し、3番目の
マスクで画素部5における金属材IA3とコンデンサ9
における金属材料B8とが接触するようにパターニング
すると、金属材料B8と前段ゲートラインIOとの間に
絶縁膜を介してコンテ゛ンサ9が形成されることとなる
。
ある。この図においてガラス等の絶縁基板l上に透明導
電材料2.金属材料A3とを連続して積層し、先ず1番
目のマスクで図のようにゲートライン4、画素部5とを
残して従来のようにパターニングする。次に絶縁材料6
と半導体7とを連続して積層し、2番目のマスクでパタ
ーニングする。その際、コンデンサ9の部分を残すよう
にする。その上から金属+4料B8を積層し、3番目の
マスクで画素部5における金属材IA3とコンデンサ9
における金属材料B8とが接触するようにパターニング
すると、金属材料B8と前段ゲートラインIOとの間に
絶縁膜を介してコンテ゛ンサ9が形成されることとなる
。
第3図に、本発明にかかるTPTの一実施例の平面図を
示す。この図において画素部5がコンデンサ9を介して
前段ゲートライン10へと接続されていることを示して
いる。
示す。この図において画素部5がコンデンサ9を介して
前段ゲートライン10へと接続されていることを示して
いる。
第4図は、本発明にかかるTPTの別の一実施例の断面
図であり、コンデンサ9の部分における金属材料B8が
、同じくコンデンサ9の部分における金属材料A3と接
触している例であるが、この場合においても本発明は何
ら制約を受けるものではない。
図であり、コンデンサ9の部分における金属材料B8が
、同じくコンデンサ9の部分における金属材料A3と接
触している例であるが、この場合においても本発明は何
ら制約を受けるものではない。
また、金属材料Aと金属材料Bとが同し物質であっても
差し支えない。
差し支えない。
以上述べてきたように本発明は、少ないマスクによる少
ないフォト工程を守りつつ、保持のためのコンデンサを
容易に提供でき、表示品質の更なる向上を得られるとい
う効果を存する。
ないフォト工程を守りつつ、保持のためのコンデンサを
容易に提供でき、表示品質の更なる向上を得られるとい
う効果を存する。
第1図は本発明にがかる一実施例の等価回路図、第2図
は本発明にかがるTPT、コンデンサ部を示す断面図で
コンデンサの上部の金属が画素電極と接触している例を
表わす、第3図は本発明にかかるTPT、 コンデン
サ部を示す平面図でゲートラインと画素電極がコンデン
サによって結合されていることを示している。第4図は
コンデンサの他の例を示す断面図でコンデンサ上部の金
属が前段のゲートラインと接触している場合を示してい
る。第5図は従来技術の例の断面図である。 l・・・絶縁基板 2・・・透明導電材料 3・・・金属材料A 本宛8目にp\b鴎TFTの一笑範t1の清価回路口第
1図 4 ・ ・ 5 ・ ・ 6 ・ ・ 7 ・ ・ 8 ・ ・ 9 ・ ・ lO・ ・ 11・ ・ 12・ ・ ・ゲームライン ・画素部 ・絶縁材料 ・半導体 金属材料B ・コンデンサ ・前段ゲートライン ・ TPT ・ドレインライン
は本発明にかがるTPT、コンデンサ部を示す断面図で
コンデンサの上部の金属が画素電極と接触している例を
表わす、第3図は本発明にかかるTPT、 コンデン
サ部を示す平面図でゲートラインと画素電極がコンデン
サによって結合されていることを示している。第4図は
コンデンサの他の例を示す断面図でコンデンサ上部の金
属が前段のゲートラインと接触している場合を示してい
る。第5図は従来技術の例の断面図である。 l・・・絶縁基板 2・・・透明導電材料 3・・・金属材料A 本宛8目にp\b鴎TFTの一笑範t1の清価回路口第
1図 4 ・ ・ 5 ・ ・ 6 ・ ・ 7 ・ ・ 8 ・ ・ 9 ・ ・ lO・ ・ 11・ ・ 12・ ・ ・ゲームライン ・画素部 ・絶縁材料 ・半導体 金属材料B ・コンデンサ ・前段ゲートライン ・ TPT ・ドレインライン
Claims (2)
- (1)マトリクス状に、画素部および薄膜トランジスタ
が形成されている電気光学装置において、画素部に隣り
合ったゲートラインのうち、該画素部に関する薄膜トラ
ンジスタが形成されていない側のゲートライン(前段ゲ
ートライン)と、該画素部との間に、コンデンサが設け
てあることを特徴とする電気光学装置。 - (2)絶縁基板上に透明導電材料と金属材料とを、この
順序で積層し、1番目のマスクを用いてパターニングす
ることによりゲートラインと画素部とを形成し、その上
に絶縁材料と半導体層とをこの順序で積層し、2番目の
マスクを用いてパターニングし、その上に金属材料を積
層し、3番目のマスクを用いてパターニングする方式で
薄膜トランジスタおよびコンデンサを形成する電気光学
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1050259A JPH02228632A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 電気光学装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1050259A JPH02228632A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 電気光学装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228632A true JPH02228632A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12853982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1050259A Pending JPH02228632A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 電気光学装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02228632A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04194823A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH052190A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Hitachi Ltd | アクテイブマトリクス基板 |
JPH0527264A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH0572553A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH05289104A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
JPH07281211A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Furontetsuku:Kk | 電気光学素子 |
EP0709718A2 (en) | 1994-10-28 | 1996-05-01 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display apparatus and production method thereof |
JP2012163983A (ja) * | 2012-05-11 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN104282682A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 索尼公司 | 半导体装置及其制造方法、显示装置与电子设备 |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP1050259A patent/JPH02228632A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04194823A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
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CN104282682B (zh) * | 2013-07-08 | 2019-03-08 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 半导体装置及其制造方法、显示装置与电子设备 |
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