JPH0810484B2 - 薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜パターンの形成方法に係り、特に段差部
を有する基板上に薄膜パターンを形成する場合、該薄膜
パターンの段差下部で高精度の形状を得る薄膜パターン
の形成方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘツドの製造方
法に関する。

〔従来の技術〕

薄膜技術は、半導体装置，磁気バブルメモリ，感熱素
子，薄膜磁気ヘツド等の製造において広く用いられてい
る。最近、素子の高集積化，多層化が進むにつれて、段
差部に高精度形状の薄膜パターンを形成することが要求
されている。

例えば、大型計算機用磁気デイスク装置の高密度記録
が進むにつれてデイスクに書き込み、読み出しを行う薄
膜磁気ヘツドの記録トラツクの幅も微細化し、形状の高
精度化が要求される。ここで薄膜磁気ヘツドの構造につ
いて説明する。第２図は薄膜磁気ヘツドの一部除去した
斜視図である。セラミツク基板21の上には下部磁性膜22
が形成され、後から形成される上部磁性膜23と共に磁気
回路を形成する磁気コアを構成している。先端部24で
は、非磁性材の膜25を磁性膜22及び23の間に介在して磁
気ギヤツプを形成し、この磁気ギヤツプを用いて記録媒
体に対する読み出し及び書き込みを行なう。一方、磁気
コアの中央部では、導体コイル26が磁気回路と交差する
ように設けてあり、この導体コイル26は、磁性膜22、及
び、23と樹脂絶縁膜27により絶縁されている。

この薄膜磁気ヘツドの記録密度を決めるトラツク幅は、
通常、ヘツド先端部24における上部磁性膜23の幅ｄによ
つて決められる。このため、高精度なトラツク幅寸法を
実現するには、約10μｍの高さの樹脂絶縁膜27の段差下
部で、±0.5μｍ以下の高精度で磁性膜23を形成する必
要がある。このため、エツチング量のコントロールが容
易で、かつ、高い精度が期待できるドライエツチング法
が用いられることが多く、特に、加速したイオンを用い
るイオンミリング法がよく用いられる。なお、磁性膜2
2,23とギヤツプ25の厚みは磁気ヘツドにより異なるが、
通常それぞれ約１〜５μm,0.2〜１μm,トラツク幅は４
〜30μｍである。

このように段差のある部分に薄膜パターンを形成する
方法として、例えば、特開昭60−37130号公報には、感
光性樹脂をマスク材として、イオンミリング法を用いて
段差部の薄膜をパターニングする方法の例があげられて
おり、これを第３図に示す。まず、第３図（ａ）に示す
ように、基板31の上部に段差32を形成し、その上部にパ
ターニングされるべき薄膜33を形成する。次いで第３図
（ｂ）に示すように、感光性樹脂膜34を塗布し、パター
ン形成した後、第３図（ｃ）に示すように、イオンミリ
ング法を用いて薄膜33をエツチングし、目的とするパタ
ーン形状を得ている。薄膜磁気ヘツドの場合は、基板31
が第２図のセラミツク基板21,磁性膜22,ギヤツプ材25を
含む層に相当し、段差32が絶縁膜27の層に相当する。

また、特開昭60−37130号公報には、上述のプロセス
よりも高精度なパターニングを実現する方法もあげられ
ており、これを第４図に示す。まず、第４図（ａ）に示
すように、第３図（ａ）と同様の構造を形成した後、そ
の上部にアルミナ膜45を形成する。次いで、第４図
（ｂ）に示すように、感光性樹脂膜44を形成した後、第
４図（ｃ）に示すように、弗素系ガスを用いた反応性イ
オンミリング法でアルミナ膜45をパターニングする。そ
の後、第４図（ｄ）に示すように、感光性樹脂膜44を除
去した後、アルミナ膜45をマスク材にしてイオンミリン
グ法で薄膜43をパターニングして、目的とする形状を得
ている。図中、41は基板、42は段差である。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術のうち、第３図に示す方法では、マスク
材となる感光性樹脂膜を塗布する場合、段差上部に必要
な厚さ約３μｍを確保するため、段差下部では約10〜15
μｍと厚くなつてしまう。そのためイオンミリング時
に、第３図（ｄ）に示すような再付着層35が発生してし
まい、段差下部における薄膜33の寸法精度が悪くなり、
かつ、目的とするパターニング形状が得られないという
問題があつた。なお、第３図（ｄ）は、第３図（ｃ）で
得られた段差下部の薄膜パターンを図の左側から見た断
面図である。

また、第４図に示す方法では、マスク材となるアルミ
ナ膜の厚さが約２μｍと薄くできるためこのような再付
着層は発生しないものの、感光性樹脂膜のパターンをア
ルミナ膜に転写してから、さらに、これを目的とする薄
膜に転写してパターン形成するという二重の工程が必要
であり、従つて、寸法精度が悪くなつてしまうという問
題があつた。すなわち、第４図に示した方法ではパター
ン精度は±0.8μｍが限界であり、±0.5μｍ以下の精度
のパターンを得ることは困難であつた。

本発明の目的は、段差部に形成された薄膜を、特に段
差の下部において高精度にパターニングするための方法
を提供することにある。

本発明の他の目的は、高精度のトラツク幅寸法をもつ
た薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の目的は、段差のある基板上にパターニングさ
れるべき薄膜を堆積した後、ホトレジスト膜つまり感光
性樹脂膜を塗布，形成して露光する工程において、高い
寸法精度を必要とする段差下部と、それ以外の段差上部
とを各々別の工程でマスクとなるパターンを作製するこ
とにより、特に段差下部の感光性樹脂膜厚を従来より薄
く形成でき、イオンミリング時の再付着層発生を防ぐこ
とにより達成される。

なお、前記感光性樹脂膜厚の薄さの程度については、
前記感光性樹脂膜の厚さが、形成しようとする薄膜パタ
ーンの最小幅部分のパターン幅より小さいことが好まし
い。最小幅部分とは例えば薄膜磁気ヘツドの上部磁性膜
である場合にはトラツク幅に相当する部分である。

具体的な薄膜パターン形成方法は、まず段差のある基
板上にパターニングされるべき薄膜を堆積した後、基板
全体に薄い感光性樹脂膜をスピンコーテイングによって
塗布・形成し、主として段差下部にのみ樹脂を残存させ
段差下部に対しマスクとなるようにパターニングする第
２の工程との２つの工程を施すことにより、イオンミリ
ング時に再付着層が発生せず、かつ段差下部においても
寸法精度の良いパターン形成が可能となる。

また、同一の効果は、次のような方法によつても得ら
れる。すなわち、まず段差のある基板上にパターニング
されるべき薄膜を堆積した後、基板全体に厚い感光性樹
脂膜をスピンコーティングによって塗布・形成し、主と
して段差上部のみに樹脂を残存させ段差上部に対しマス
クとなるようにパターニングする第１の工程と、その上
に重ねて基板全体に薄い感光性樹脂膜をスピンコーティ
ングによって塗布・形成し、主として段差下部のみに樹
脂を残存させ段差下部に対しマスクとなるようにパター
ニングする第２の工程との２つの工程を施すことによ
り、イオンミリング時に再付着層が発生せず、かつ段差
下部においても寸法精度の良いパターン形成が可能とな
る。

上記の２つの方法のいずれかにおいても、第１及び第
２の２つの工程において使用する感光性樹脂は、それぞ
れ異なつた種類であつても、また同一の種類であつても
良いが、少なくとも段差下部に形成する樹脂は、高い寸
法精度を得るために、ノボラツク樹脂系のホトレジスト
のようなポジ型の感光性樹脂を用いることが望ましい。

また、上記の第２の工程を実施することにより第１の
工程で形成した感光性樹脂膜パターンの形状が変形する
ことを防ぐために、第１の工程終了後に基板全体に保護
用薄膜を形成し、感光性樹脂膜パターンを保護した後で
第２の工程を施す。この方法は得られるパターンの寸法
精度を向上させるために有効である。この保護用薄膜の
材質としては、クロム，銅，アルミニウム等の金属膜や
酸化アルミニウム，酸化けい素等の絶縁膜があげられる
が、特に膜作製が容易で、光の反射率の大きいクロムを
用いることが最も望ましい。

また、この保護用薄膜を形成しない場合でも、感光性
樹脂として、紫外線または遠紫外線硬化型のホトレジス
トを用い先に形成したホトレジスト膜パターンを紫外
線、また遠紫外線で硬化すればパターン形成後の変形を
防止できるので、保護膜の形成を省略できるのみでな
く、イオンミリング時のエツチング速度を遅くしたり、
感光性樹脂膜パターン形状の経時変化を防げるという利
点もある。この紫外線もしくは遠紫外線の照射は、樹脂
の硬化を効率良く進めるために、50〜120℃に加熱しな
がら実施するのが望ましく、また1Torr以下の真空中で
照射するのが有効である。

一方、上記の第１の工程および第２の工程のいずれ
か、もしくは両方において、熱処理を施して感光性樹脂
膜パターンの側面テーパ角度を小さくすることは、イオ
ンミリング時の再付着層の発生を防ぐために有効であ
る。この熱処理温度としては、感光性樹脂がわずかに熱
流動を起こす100〜150℃の範囲を適用するのが最も望ま
しい。

また、この熱処理温度を適正化すれば、上記の保護用
薄膜を形成したり遠紫外線硬化処理を施さなくても、感
光性樹脂膜パターンの変形を防ぐことができる。すなわ
ち、具体的には、上記の第１の工程で形成した感光性樹
脂膜パターンを125〜150℃に加熱して硬化させた後、第
２の感光性樹脂膜の形成工程を施せば、第１の工程で形
成したパターンの形状の変形を防止できる。この方法
は、特に薄膜磁気ヘツドのように段差上部の薄膜パター
ンの高い精度が必要無い場合に、段差上部の感光性樹脂
に対して適用すれば有効である。

本発明は、段差部分の感光性樹脂膜マスクパターン
を、段差上部と段差下部の２つの工程に分けて形成する
ものである。また、マスクとなるホトレジスト膜を、段
差下部を含む部分及び段差上部を含む部分で、それぞれ
所定の厚さとなるように形成するものである。上記の２
つの方法として述べたように、２つの感光性樹脂膜パタ
ーンの形成順序は、段差下部と上部の何れを先にしても
よいが、段差下部の膜厚をできるだけ薄くするために
は、まず段差下部のパターンを形成した後に段差上部の
パターンを形成するのが望ましい。

また、上記のいずれの方法も、薄膜磁気ヘツドの製造
における上部磁性膜パターンの高精度形成法として適用
することができる。

薄膜磁気ヘツドの製造方法は、基板上に磁性材料から
なる下部磁性膜を形成し、該下部磁性膜上に所定巻回数
の導体コイルを形成し、下部磁性膜と導体コイルとの間
及び導体コイル間を非磁性材料からなる絶縁膜で絶縁す
る工程と、絶縁膜上に磁性材料からなる上部磁性膜を、
一端が下部磁性膜の一端に接し、他端が下部磁性膜の他
端に磁気ギヤツプを介して対向するように形成し、これ
によつて下部磁性膜とともに一部に磁気ギヤツプを有す
る磁気回路を形成する工程と、からなる。

この上部磁性膜は、下部磁性膜と磁気ギヤツプを介し
て対向している部分（第１の部分）と導体コイルの上部
の絶縁膜上に形成されている部分（第２の部分）とを有
する。上部磁性膜は段差部分があり、段差下部からなる
第１の部分と段差上部からなる第２の部分とを有する。

こうした上部磁性膜を高精度に形成するために、特に
第１の部分で高精度のパターンを形成するために、第１
の部分で所定の厚さとなるようにホトレジスト膜をスピ
ンコーティングによって塗布・形成し、主として第１の
部分にのみホトレジスト膜を残存させ段差下部に対しマ
スクとなるようにパターニングする工程と、第２の部分
で所定の厚さとなるようにホトレジスト膜をスピンコー
ティングによって塗布・形成し、主として第２の部分に
のみホトレジスト膜を残存させ段差上部に対しマスクと
なるようにパターニングする工程と、を施し、この２つ
の工程でパターニングされたパターンをマスクとして、
上部磁性膜を形成する。

このとき、段差下部において、イオンミリング時に再
付着層が発生せず、寸法精度の良いパターン形成が可能
となる。

さらに、第１の部分に用いるホトレジスト材として、
紫外線または遠紫外線硬化型のホトレジスト材を用い、
ホトレジスト膜のパターンを紫外線または遠紫外線で硬
化すれば、パターン形成後の変形を防止できるので好ま
しい。エツチング速度を遅くしたり、ホトレジスト膜パ
ターン形状の経時変化を妨げるという利点もある。

〔作用〕

上記の方法によれば、段差下部においても薄い感光性
樹脂膜をマスク材としてイオンミリングすることが可能
となるため、再付着層の発生が無くなる。

また、薄い感光性樹脂膜パターンの幅を、そのまま目
的とする薄膜に転写できるため、段差下部においても高
い寸法精度を持つ薄膜パターンが得られる。

一方、段差上部においても、イオンミリング時のマス
ク材として充分な厚さをもつ感光性樹脂膜パターンが得
られるため、膜減りやパターン欠けのない高精度な薄膜
パターンが得られるようになる。

さらには、上記の第１の工程で形成した感光性樹脂膜
パターンに対して、保護用薄膜を形成したり適当な紫外
線，遠紫外線照射もしくは熱処理を施すことにより、第
２の工程の樹脂塗布時にパターンくずれが発生すること
を防止できる。

〔実施例〕

以下、本発明の第１の実施例を第１図により説明す
る。第１図は、段差部の薄膜をイオンミリング法でパタ
ーニングするプロセスの一例を示している。

まず、第１図（ａ）に示したように、セラミツク基板
11上にポリイミド樹脂を用いて高さ10μｍの段差12を形
成した後、その上部に厚さ２μｍのパーマロイ膜13をス
パツタリング法により形成した。次いで、第１図（ｂ）
に示したように、ポジ型ホトレジスト14を薄く塗布し
た。この時、段差下部のホトレジスト厚さは３μｍであ
つた。このホトレジストの塗布には、例えばスピンコー
テイングのような公知の任意の方法を用いることができ
る。従来法では段差の上部と下部を一度に塗布・形成す
るため、段差上部に必要膜厚たとえば３μｍを確保する
ためには、段差下部膜厚がたとえば15μｍ程度に厚くな
るが、本実施例の場合は、段差上部の膜厚を考慮する必
要がないので、上記のように３μｍ程度に薄く塗布する
ことは容易である。次いで、これを第１図（ｃ）に示し
たように、段差下部にのみホトレジストを残存させ段差
下部に対しマスクとなるようにパターンを形成し100℃
で熱処理した後、第１図（ｄ）に示したように、基板全
面に厚さ30nmのクロム膜15を蒸着した。次いで、ポジ型
ホトレジスト16をスピンコーティングによって塗布し、
第１図（ｅ）に示したように、段差上部にホトレジスト
を残存させ段差上部に対しマスクとなるようにパターン
を形成した後、第１図（ｆ）に示したように、イオンミ
リング法を用いてパーマロイ膜13をパターニングして、
目的とする形状を得た。この時、マスク材として用いた
ホトレジストが薄いために、再付着層は発生しなかつ
た。

次に、本発明の第２の実施例を第５図により説明す
る。まず、第５図（ａ）に示したように、セラミツク基
板51上にポリイミド樹脂を用いて高さ10μｍの段差52を
形成した後、その上部に厚さ２μｍのパーマロイ膜53を
スパツタリング法を用いて形成した。次いで、第５図
（ｂ）に示したように、ホトレジスト54をスピンコーテ
ィングによって厚く塗布した。この時ホトレジストの厚
さは、段差上部において３μｍ、段差下部において12μ
ｍとなつた。これを、第５図（ｃ）に示したように、段
差上部及び斜面部のみにホトレジストを残存させ段差上
部に対しマスクとなるようにパターンを形成し、130℃
で熱処理した後、第５図（ｄ）に示したように、ホトレ
ジスト55をスピンコーティングによって薄く塗布した。
この時、ホトレジスト55の厚さは段差上部においては約
０μｍ、段差下部において３μｍとなった。

次いで、第５図（ｅ）に示したように、段差下部及び
斜面部のみにホトレジスト55を残存させ段差下部に対し
マスクとなるようにパターンを形成した後、第５図
（ｆ）に示したように、イオンミリング法を用いてパー
マロイ膜53をパターニングして、目的とする形状を得
た。この時マスク材として用いたホトレジストが薄いた
め、再付着層は発生しなかつた。

第１の実施例で、保護膜15を下部ホトレジスト膜をパ
ターニングした後形成したのは、上部ホトレジスト膜16
を塗布するときに下部ホトレジスト膜のパターンが変形
するのを防止するのが目的である。したがつて、前述し
たように、下部ホトレジストを、真空中で80℃に加熱し
ながら遠紫外線を照射して硬化させたところ、保護膜15
を用いなくても、第１の実施例と同様の効果が得られ
た。

第６図に、本発明の方法を用いて、幅10μｍの薄膜パ
ターンを形成した時の、段差下部におけるパターン寸法
のばらつきを、従来法の結果と比較して示す。いずれも
100個のサンプルの測定結果であり、第６−１図は従来
法のパターン寸法のばらつきの分布を、第６−２図は本
発明法のパターン寸法のばらつきの分布を示すグラフで
あり、横軸は所定寸法（10μｍ）に対するパターン寸法
の偏差（μｍ）を、縦軸はサンプル度数を示す。本発明
の方法により、パターン寸法のばらつきを小さくでき、
従来は困難であつた±0.5μｍ以内の精度が実現できる
ことがわかつた。

次に、本発明の薄膜パターンの形成方法を用いて、第
２図に示すような薄膜磁気ヘツドを製造する方法の実施
例を、第７図を用いて説明する。

まず、第７図（ａ）の上部磁性膜76を除いた形の半組
立体をつくる。すなわち、セラミツク基板71上に下部磁
性膜72をスパッタリングして所定のパターンに形成す
る。ついで、非磁性材料のギヤツプ膜73を前記下部磁性
膜の所定部分に積層して、前記下部磁性膜とギヤツプ膜
の積層の所定パターン部分が形成される。次に絶縁膜74
の下部層を前記所定パターン部分の中央部に設け、その
上に導体コイル75を配置して、さらに絶縁膜74の上部層
をその上に適用して、絶縁膜の段部を前記下部磁性膜と
ギヤツプ膜との積層の所定パターン部分の中央部にその
周縁部より高い段部となるように形成すると、第７図
（ａ）の上部磁性膜76を除いた形の半組立体ができあが
る。なお、第２図に示すように導体コイルを２層に設け
る場合は、絶縁膜を上部，中央部，下部の３つの層に分
け、まず絶縁膜の下部層を所定のパターンに形成し、そ
の下部層の上に下層の導体コイルを配置したのち絶縁膜
の中央層を形成し、その上に上層の導体コイルを配置し
て絶縁膜の上部層を形成する。以上の半組立体をつくる
工程は従来の薄膜磁性ヘツド製造における工程と同じで
あるので詳細な説明は省略する。次にこの半組立体の上
部に上部磁性膜76を第７図（ａ）に示すようにスパツタ
リングで形成する。

次いで、第７図（ｂ）に示すように、ポジ型ホトレジ
ストをスピンコーティングによって薄く塗布し、主とし
て段差下部にのみホトレジストを残存させ段差下部に対
しマスクとなるように、パターン形成した。この時、段
差下部のホトレジスト厚さは３μｍとなつた。このホト
レジストパターン77に対して、0.2Torrの真空中でセラ
ミツク基板71を90℃に加熱しながら、照度25mw/cm²の遠
紫外光を３分間照射し、樹脂を硬化させた。次いで、第
７図（ｃ）に示すように、ポジ型ホトレジスト78をスピ
ンコーティングによって厚く塗布した。この時、ホトレ
ジストパターン77は遠紫外光処理によつて硬化している
ため、重ね塗りしたホトレジスト78の溶媒に溶けず、パ
ターン形状の変化は認められなかつた。次いで、第７図
（ｄ）に示すように、主として段差上部にのみホトレジ
スト78を残存させ段差上部に対しマスクとなるようにパ
ターン形成した。次いで、第７図（ｅ）に示すようにホ
トレジスト77及び78をマスク材として、イオンミリング
法により上部磁性膜76をパターニングして、第７図
（ｅ）に示されるような形状を得た。この時、マスク材
として用いたホトレジスト77、及び、78の厚さが薄いた
め、再付着は発生しなかつた。

〔発明の効果〕

本発明の手段を適用することにより、段差下部におい
ても薄い感光性樹脂膜をマスク材にして、イオンミリン
グ法により薄膜パターン（薄膜磁気ヘツドの場合は上部
磁性膜パターン）を形成できるため、再付着層の発生が
なくなり、かつパターン幅の寸法精度が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図，第５図及び第７図は、本発明の一実施例として
の製造方法を示す側断面図、第２図は、薄膜磁気ヘツド
の構造を示す斜視断面図、第３図及び第４図は、従来の
製造方法を示す断面図、第６図は、本発明の効果を表わ
す度数分布図である。 11……基板、12……段差、13……パーマロイ膜、14……
ホトレジスト、15……クロム膜、16……ホトレジスト。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦田 栄次 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 森尻 誠 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 岡井 哲也 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 土屋 正利 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小林 中 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 原 真一 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 池田 宏 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】段差のある基板に薄膜パターンを形成する
   方法であって、 前記基板上に所定の材料の薄膜を形成する第１の工程
   と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差下部で所定の厚さとな
   るように第１ホトレジスト膜をスピンコーテングによっ
   て形成する第２の工程と、 前記薄膜の段差下部に対しマスクとなる所定のパターン
   を前記第１ホトレジスト膜によって形成する第３の工程
   と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差上部で所定の厚さとな
   るように第２ホトレジスト膜をスピンコーテングによっ
   て形成する第４の工程と、 前記薄膜の段差上部に対しマスクとなる所定のパターン
   を前記第２ホトレジスト膜によって形成する第５の工程
   と、 前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜をマス
   クとして、前記薄膜に所定のパターンを形成する第６の
   工程と、 を有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
2. 【請求項２】段差のある基板に薄膜パターンを形成する
   方法であって、 前記基板上に所定の材料の薄膜を形成する第１の工程
   と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差上部で所定の厚さとな
   るように第２ホトレジスト膜をスピンコーテングによっ
   て形成する第２の工程と、 前記薄膜の段差上部に対しマスクとなる所定のパターン
   を前記第２ホトレジスト膜によって形成する第３の工程
   と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差下部で所定の厚さとな
   るように第１ホトレジスト膜をスピンコーテングによっ
   て形成する第４の工程と、 前記薄膜の段差下部に対しマスクとなる所定のパターン
   を前記第１ホトレジスト膜によって形成する第５の工程
   と、 前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜をマス
   クとして、前記薄膜に所定のパターンを形成する第６の
   工程と、 を有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
3. 【請求項３】請求項１又は２において、前記薄膜上の段
   差下部に形成された第１ホトレジスト膜の厚さが、形成
   しようとする薄膜パターンの最小幅よりも薄いことを特
   徴とする薄膜パターンの形成方法。
4. 【請求項４】請求項１において、前記第１ホトレジスト
   膜は前記薄膜の段差下部で所定の厚さで形成され、前記
   段差上部で取り除かれ残存しないことを特徴とする薄膜
   パターンの形成方法。
5. 【請求項５】請求項１において、前記第２ホトレジスト
   膜は前記薄膜の段差上部で所定の厚さで形成され、前記
   段差下部で取り除かれて残存しないことを特徴とする薄
   膜パターンの形成方法。
6. 【請求項６】請求項１又は２において、前記第６の工程
   が、前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜を
   マスクとして、イオンミリング法によって所定の薄膜パ
   ターンを形成することであることを特徴とする薄膜パタ
   ーンの形成方法。
7. 【請求項７】段差のある基板に薄膜パターンを形成する
   方法であって、 前記基板上に所定の材料の薄膜を形成する第１の工程
   と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差下部で所定の厚さとな
   るように第１ホトレジスト膜をスピンコーテングによっ
   て形成する第２の工程と、 前記薄膜の段差下部に対しマスクとなる所定のパターン
   を前記第１ホトレジスト膜によって形成する第３の工程
   と、 前記第３の工程で形成された前記第１ホトレジスト膜及
   び前記薄膜上に前記第１ホトレジスト膜を保護する保護
   用薄膜を形成する第４の工程と、 前記保護用薄膜上に、前記薄膜上の段差上部で所定の厚
   さとなるように第２ホトレジスト膜をスピンコーテング
   によって形成する第５の工程と、 前記薄膜の段差上部に対しマスクとなる所定のパターン
   を前記第２ホトレジスト膜によって形成する第６の工程
   と、 前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜をマス
   クとして、前記薄膜に所定のパターンを形成する第７の
   工程と、 を有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
8. 【請求項８】請求項７において、前記保護用薄膜がクロ
   ム薄膜であることを特徴とする薄膜パターンの形成方
   法。
9. 【請求項９】請求項１又は２において、前記第１ホトレ
   ジスト膜及び第２ホトレジスト膜の少なくとも一方が、
   ポジ型ホトレジスト膜であることを特徴とする薄膜パタ
   ーンの形成方法。
10. 【請求項１０】請求項１又は２において、前記第１ホト
    レジスト膜及び第２ホトレジスト膜の少なくとも一方
    が、紫外線又は遠紫外線硬化型のホトレジスト膜である
    ことを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
11. 【請求項１１】段差のある基板に薄膜パターンを形成す
    る方法であって、 前記基板上に所定の材料の薄膜を形成する第１の工程
    と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差下部で所定の厚さとな
    るように紫外線又は遠紫外線硬化型の第１ホトレジスト
    膜をスピンコーテングによって形成する第２の工程と、 前記薄膜の段差下部に対しマスクとなる所定のパターン
    を前記第１ホトレジスト膜によって形成する第３の工程
    と、 前記第３の工程で形成された前記第１ホトレジスト膜に
    紫外線又は遠紫外線を照射し硬化させる第４の工程と、 前記薄膜上に、前記薄膜上の段差上部で所定の厚さとな
    るように第２ホトレジスト膜をスピンコーテングによっ
    て形成する第５の工程と、 前記薄膜の段差上部に対しマスクとなる所定のパターン
    を前記第２ホトレジスト膜によって形成する第６の工程
    と、 前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜をマス
    クとして、前記薄膜に所定のパターンを形成する第７の
    工程と、 を有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
12. 【請求項１２】基板上に磁性材料からなる下部磁性膜を
    形成し、該下部磁性膜上に所定巻回数の導体コイルを形
    成し、前記下部磁性膜と前記導体コイルとの間及び前記
    導体コイル間を非磁性材料からなる絶縁膜で絶縁する第
    １の工程と、 前記絶縁膜上に磁性材料からなる上部磁性膜を、一端が
    前記下部磁性膜の一端に接し、他端が前記下部磁性膜の
    他端に磁気ギャップを介して対向するように形成し、こ
    れによって前記下部磁性膜とともに一部に磁気ギャップ
    を有する磁気回路を形成する第２の工程と、 前記上部磁性膜上に、前記上部磁性膜上の段差下部で所
    定の厚さとなるように第１ホトレジスト膜をスピンコー
    テングによって形成する第３の工程と、 前記磁性膜の段差下部に対しマスクとなる所定のパター
    ンを前記第１ホトレジスト膜によって形成する第４の工
    程と、 前記上部磁性膜上に、該上部磁性膜上の段差上部で所定
    の厚さとなるように第２ホトレジスト膜をスピンコーテ
    ングによって形成する第５の工程と、 前記磁性膜の段差上部に対しマスクとなる所定のパター
    ンを前記第２ホトレジスト膜によって形成する第６の工
    程と、 前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜をマス
    クとして、前記上部磁性膜に所定のパターンを形成する
    第７の工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】基板上に磁性材料からなる下部磁性膜を
    形成し、該下部磁性膜上に所定巻回数の導体コイルを形
    成し、前記下部磁性膜と前記導体コイルとの間及び前記
    導体コイル間を非磁性材料からなる絶縁膜で絶縁する第
    １の工程と、 前記絶縁膜上に磁性材料からなる上部磁性膜を、一端が
    前記下部磁性膜の一端に接し、他端が前記下部磁性膜の
    他端に磁気ギャップを介して対向するように形成し、こ
    れによって前記下部磁性膜とともに一部に磁気ギャップ
    を有する磁気回路を形成する第２の工程と、 前記上部磁性膜上に、前記上部磁性膜上の段差下部で所
    定の厚さとなるように紫外線又は遠紫外線硬化型の第１
    ホトレジスト膜をスピンコーテングによって形成する第
    ３の工程と、 前記段差下部に対しマスクとなる所定のパターンを前記
    第１ホトレジスト膜によって形成する第４の工程と、 前記第４の工程で形成された前記第１ホトレジスト膜に
    紫外線又は遠紫外線を照射し硬化させる第５の工程と、 前記上部磁性膜上に、該上部磁性膜上の段差上部で所定
    の厚さとなるように第２ホトレジスト膜をスピンコーテ
    ングによって形成する第６の工程と、 前記段差上部に対しマスクとなる所定のパターンを前記
    第２ホトレジスト膜によって形成する第７の工程と、 前記第１ホトレジスト膜及び第２ホトレジスト膜をマス
    クとして、前記上部磁性膜に所定のパターンを形成する
    第８の工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。