JPH0730187A - 面発光半導体レーザ - Google Patents
面発光半導体レーザInfo
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- JPH0730187A JPH0730187A JP16992393A JP16992393A JPH0730187A JP H0730187 A JPH0730187 A JP H0730187A JP 16992393 A JP16992393 A JP 16992393A JP 16992393 A JP16992393 A JP 16992393A JP H0730187 A JPH0730187 A JP H0730187A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- gaas
- multilayer film
- substrate
- layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3223—IV compounds
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光通信に適した1.３μｍ帯あるいは1.５μｍ
帯に発振波長を持つ面発光半導体レーザを提供する。 【構成】 この面発光半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、反射鏡２であるｎ型ＡｌＡｓ（0.１３０μ
ｍ）とｎ型ＧａＡｓ（0.１０８μｍ）とを２５対積層
し、次いで発光層３である単結晶（Ｇｅ2）b（ＧａＡ
ｓ）1-bを0.４４μｍ成長し、反射鏡４であるｐ型Ａｌ
Ａｓ（0.１３０μｍ）とｐ型ＧａＡｓ（0.１０８μｍ）
とを２５対積層し、次いでＧａＡｓ基板１の裏面を研磨
した後、Ａｕ、Ｇｅ、Ｎｉを使いオーミック電極６を形
成し、次に、反射鏡４の最終成長層のＧａＡｓ層上にリ
フトオフによりＣｒ、Ａｕのオーミック電極５を形成
し、その後、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝４：１：１の
混合液を用い、円柱状または四角柱状にエッチングして
なる。
帯に発振波長を持つ面発光半導体レーザを提供する。 【構成】 この面発光半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、反射鏡２であるｎ型ＡｌＡｓ（0.１３０μ
ｍ）とｎ型ＧａＡｓ（0.１０８μｍ）とを２５対積層
し、次いで発光層３である単結晶（Ｇｅ2）b（ＧａＡ
ｓ）1-bを0.４４μｍ成長し、反射鏡４であるｐ型Ａｌ
Ａｓ（0.１３０μｍ）とｐ型ＧａＡｓ（0.１０８μｍ）
とを２５対積層し、次いでＧａＡｓ基板１の裏面を研磨
した後、Ａｕ、Ｇｅ、Ｎｉを使いオーミック電極６を形
成し、次に、反射鏡４の最終成長層のＧａＡｓ層上にリ
フトオフによりＣｒ、Ａｕのオーミック電極５を形成
し、その後、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝４：１：１の
混合液を用い、円柱状または四角柱状にエッチングして
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板と直交する垂直方
向に光を出射させる面発光半導体レーザの特性改善に関
するものであり、光通信に適した1.３μｍ帯あるいは1.
５μｍ帯に発振波長を持つ面発光半導体レーザを提供す
るものである。
向に光を出射させる面発光半導体レーザの特性改善に関
するものであり、光通信に適した1.３μｍ帯あるいは1.
５μｍ帯に発振波長を持つ面発光半導体レーザを提供す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】面発光レーザは、低しきい値動作、高速
変調および大規模二次元集積化が可能であり、光通信、
光情報処理システムを構成するデバイスとして期待され
ている。従来の、長波長域（1.３μｍ帯あるいは1.５μ
ｍ帯）に発振波長を持つ面発光半導体レーザは、基板と
してＩｎＰを使用して、活性層にＩｎＰ基板に格子整合
したＩｎＧａＡｓＰを使用し、反射鏡としてはＩｎＧａ
ＡｓＰ半導体との多層膜か、あるいは、ＴｉＯ2，Ｓ
ｉ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2等の誘電体の多層膜を使用してい
た。
変調および大規模二次元集積化が可能であり、光通信、
光情報処理システムを構成するデバイスとして期待され
ている。従来の、長波長域（1.３μｍ帯あるいは1.５μ
ｍ帯）に発振波長を持つ面発光半導体レーザは、基板と
してＩｎＰを使用して、活性層にＩｎＰ基板に格子整合
したＩｎＧａＡｓＰを使用し、反射鏡としてはＩｎＧａ
ＡｓＰ半導体との多層膜か、あるいは、ＴｉＯ2，Ｓ
ｉ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2等の誘電体の多層膜を使用してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩｎＧ
ａＡｓＰ半導体とＩｎＰ半導体との多層膜を反射鏡とし
て使う場合、ＩｎＧａＡｓＰ半導体とＩｎＰ半導体との
屈折率差が小さいため（約８％）、約４０対の多層膜に
しなければ９９％の高反射率は得られないという問題点
があった。この約４０対の多層膜は約９μｍの厚さに対
応するので、この多層膜を得るためには８時間程度の結
晶成長時間が必要になる。
ａＡｓＰ半導体とＩｎＰ半導体との多層膜を反射鏡とし
て使う場合、ＩｎＧａＡｓＰ半導体とＩｎＰ半導体との
屈折率差が小さいため（約８％）、約４０対の多層膜に
しなければ９９％の高反射率は得られないという問題点
があった。この約４０対の多層膜は約９μｍの厚さに対
応するので、この多層膜を得るためには８時間程度の結
晶成長時間が必要になる。
【０００４】また、活性層をはさんで両側にこの反射鏡
を形成する場合、当然２倍の時間がかかることになり、
実用的ではなかった。また反射鏡に使われるＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体の禁制帯幅は、活性層に使われるＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体の禁制帯幅に近く、吸収損失が大きいという
欠点もある。
を形成する場合、当然２倍の時間がかかることになり、
実用的ではなかった。また反射鏡に使われるＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体の禁制帯幅は、活性層に使われるＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体の禁制帯幅に近く、吸収損失が大きいという
欠点もある。
【０００５】一方、誘電体多層膜は、屈折率差を大きく
とれるため、１０対以下でも９９％以上の高反射率が得
られるが、誘電体多層膜を通して電流注入をする事がで
きないため、電流分布が不均一になるという欠点があ
る。また基板を除去してから誘電体多層膜を形成しなけ
ればならず、半導体層と誘電体膜を合わせた厚さがたか
だか１０μｍ程度となり、強度に問題が残る。さらに、
結晶成長終了後に、新たに誘電体多層膜を設けるという
制作上の煩雑さが生じる。
とれるため、１０対以下でも９９％以上の高反射率が得
られるが、誘電体多層膜を通して電流注入をする事がで
きないため、電流分布が不均一になるという欠点があ
る。また基板を除去してから誘電体多層膜を形成しなけ
ればならず、半導体層と誘電体膜を合わせた厚さがたか
だか１０μｍ程度となり、強度に問題が残る。さらに、
結晶成長終了後に、新たに誘電体多層膜を設けるという
制作上の煩雑さが生じる。
【０００６】本発明は上記問題に鑑み、一度の結晶成長
で長波長域の面発光半導体レーザを提供することを目的
とする。
で長波長域の面発光半導体レーザを提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明に係る面発光半導体レーザは、基板と直交する垂直方
向に光を出射させる面発光半導体レーザにおいて、上記
基板としてＧａＡｓを使用し、反射鏡としてｘ値の異な
る数種のＡｌxＧａ1-xＡｓ半導体の多層膜、あるいは、
ｙ値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ半
導体の多層膜、または上記半導体の組み合わせからなる
半導体多層膜を使用し、且つ活性層にはＩｎaＧａ1-aＡ
ｓ半導体、または、（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導体
を使用することを特徴とする。
明に係る面発光半導体レーザは、基板と直交する垂直方
向に光を出射させる面発光半導体レーザにおいて、上記
基板としてＧａＡｓを使用し、反射鏡としてｘ値の異な
る数種のＡｌxＧａ1-xＡｓ半導体の多層膜、あるいは、
ｙ値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ半
導体の多層膜、または上記半導体の組み合わせからなる
半導体多層膜を使用し、且つ活性層にはＩｎaＧａ1-aＡ
ｓ半導体、または、（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導体
を使用することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明では、基板としてＧａＡｓを使用し、反
射鏡としてｘ値の異なる数種のＡｌxＧａ1-xＡｓ半導体
の多層膜、あるいは、ｙ値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1
-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ半導体の多層膜、または上記半導体
の組み合わせからなる半導体多層膜を使用するため、Ｉ
ｎＰ基板上に成長したＩｎＧａＡｓＰ半導体多層膜の場
合の屈折率差（約８％）に比べ倍の大きさの屈折率差
（約１５％）がとれる。
射鏡としてｘ値の異なる数種のＡｌxＧａ1-xＡｓ半導体
の多層膜、あるいは、ｙ値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1
-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ半導体の多層膜、または上記半導体
の組み合わせからなる半導体多層膜を使用するため、Ｉ
ｎＰ基板上に成長したＩｎＧａＡｓＰ半導体多層膜の場
合の屈折率差（約８％）に比べ倍の大きさの屈折率差
（約１５％）がとれる。
【０００９】よって、同じ反射率を得るために必要とさ
れるペア数が少なくてすむ。また、本発明による面発光
半導体レーザの反射鏡に使われる半導体の禁制帯幅は、
ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓＰの禁制帯幅よ
りも大きいので、発振波長である1.３μｍ帯の光、ある
いは1.５μｍ帯の光に対し、その吸収損失はＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体の場合より著しく小さくなり、従って、容易
に高反射率を得ることが可能となり、低しきい値で動作
する面発光半導体レーザを提供することが可能となる。
れるペア数が少なくてすむ。また、本発明による面発光
半導体レーザの反射鏡に使われる半導体の禁制帯幅は、
ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓＰの禁制帯幅よ
りも大きいので、発振波長である1.３μｍ帯の光、ある
いは1.５μｍ帯の光に対し、その吸収損失はＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体の場合より著しく小さくなり、従って、容易
に高反射率を得ることが可能となり、低しきい値で動作
する面発光半導体レーザを提供することが可能となる。
【００１０】また、禁制帯幅は波長にして1.３μｍ帯あ
るいは1.５μｍ帯に対応するＩｎＧａＡｓＰ半導体はＧ
ａＡｓ基板上には良好には成長しないが、ＩｎaＧａ1-a
Ａｓ半導体、または、（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導
体を使用することで、ＧａＡｓ基板上に1.３μｍ帯ある
いは1.５μｍ帯の光を発する活性層を成長することがで
きるようになる。
るいは1.５μｍ帯に対応するＩｎＧａＡｓＰ半導体はＧ
ａＡｓ基板上には良好には成長しないが、ＩｎaＧａ1-a
Ａｓ半導体、または、（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導
体を使用することで、ＧａＡｓ基板上に1.３μｍ帯ある
いは1.５μｍ帯の光を発する活性層を成長することがで
きるようになる。
【００１１】
【実施例】以下本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１２】実施例１ 図１は、本発明による面発光半導体レーザの第１の実施
例を示す基本構造の断面図である。同図において、１は
単結晶ＧａＡｓの半導体基板、２はこの半導体基板１上
に形成された、単結晶ＧａＡｓと単結晶ＡｌＡｓからな
る半導体多層膜反射鏡を各々図示し、その厚さは屈折率
ｎ、発振波長をλとしてλ／（４・ｎ）である。３は発
光波長のピークが1.５５μｍである単結晶（Ｇｅ2）
b（ＧａＡｓ）1-bからなる発光層、５は上部半導体多層
膜反射鏡４上に形成されたオーミック電極、６はＧａＡ
ｓ半導体基板１の裏面に形成されたオーミック電極を各
々図示する。
例を示す基本構造の断面図である。同図において、１は
単結晶ＧａＡｓの半導体基板、２はこの半導体基板１上
に形成された、単結晶ＧａＡｓと単結晶ＡｌＡｓからな
る半導体多層膜反射鏡を各々図示し、その厚さは屈折率
ｎ、発振波長をλとしてλ／（４・ｎ）である。３は発
光波長のピークが1.５５μｍである単結晶（Ｇｅ2）
b（ＧａＡｓ）1-bからなる発光層、５は上部半導体多層
膜反射鏡４上に形成されたオーミック電極、６はＧａＡ
ｓ半導体基板１の裏面に形成されたオーミック電極を各
々図示する。
【００１３】次に各部構成について詳細に説明する。ｎ
型ＧａＡｓ基板１上に、反射鏡２であるｎ型ＡｌＡｓ
（0.１３０μｍ）とｎ型ＧａＡｓ（0.１０８μｍ）とを
２５対積層する。次いで発光層３である単結晶（Ｇ
ｅ2）b（ＧａＡｓ）1-bを0.４４μｍ成長し、反射鏡４
であるｐ型ＡｌＡｓ（0.１３０μｍ）とｐ型ＧａＡｓ
（0.１０８μｍ）とを２５対積層する。そして、ＧａＡ
ｓ基板１の裏面を研磨した後、Ａｕ、Ｇｅ、Ｎｉを使い
オーミック電極６を形成する。次に、反射鏡４の最終成
長層のＧａＡｓ層上にリフトオフによりＣｒ、Ａｕのオ
ーミック電極５を形成する。その後、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝４：１：１の混合液を用い、円柱状また
は四角柱状にエッチングする。
型ＧａＡｓ基板１上に、反射鏡２であるｎ型ＡｌＡｓ
（0.１３０μｍ）とｎ型ＧａＡｓ（0.１０８μｍ）とを
２５対積層する。次いで発光層３である単結晶（Ｇ
ｅ2）b（ＧａＡｓ）1-bを0.４４μｍ成長し、反射鏡４
であるｐ型ＡｌＡｓ（0.１３０μｍ）とｐ型ＧａＡｓ
（0.１０８μｍ）とを２５対積層する。そして、ＧａＡ
ｓ基板１の裏面を研磨した後、Ａｕ、Ｇｅ、Ｎｉを使い
オーミック電極６を形成する。次に、反射鏡４の最終成
長層のＧａＡｓ層上にリフトオフによりＣｒ、Ａｕのオ
ーミック電極５を形成する。その後、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝４：１：１の混合液を用い、円柱状また
は四角柱状にエッチングする。
【００１４】この様に構成した面発光半導体レーザにお
いて、電流−光出力特性を調べたところ注入電流１５ｍ
Ａでの発振を確認した。そのときの発振波長は1.５６μ
ｍであり、その光出力は0.１ｍＷであった。
いて、電流−光出力特性を調べたところ注入電流１５ｍ
Ａでの発振を確認した。そのときの発振波長は1.５６μ
ｍであり、その光出力は0.１ｍＷであった。
【００１５】実施例２ 図２は、本発明の第２の実施例を示すものであり、図２
（Ｂ）は（Ａ）のＡ部拡大図である。上記第１の実施例
において、ｎ型ＡｌＡｓ（0.１１０μｍ）とｎ型ＧａＡ
ｓ（0.０９１μｍ）との半導体多層膜の反射鏡２の上に
ＡｌＡｓ層７を0.２５μｍ成長し、さらにその上に発光
層８としてＩｎＡｓとＧａＡｓとを１分子層の厚さで交
互に成長させ、約１０nmの厚さにする。その上に0.２５
μｍのＡｌＡｓ層９と、ＧａＡｓとＡｌＡｓ２５対から
なるｐ型半導体多層膜を積層した構造になっている。ま
た半導体多層膜反射鏡４を構成するＧａＡｓ層とＡｌＡ
ｓ層の間は、素子抵抗を低減するためにＡｌxＧａ1-xＡ
ｓのｘを連続的に変化させ、組成が連続的に変化する構
造になっている。
（Ｂ）は（Ａ）のＡ部拡大図である。上記第１の実施例
において、ｎ型ＡｌＡｓ（0.１１０μｍ）とｎ型ＧａＡ
ｓ（0.０９１μｍ）との半導体多層膜の反射鏡２の上に
ＡｌＡｓ層７を0.２５μｍ成長し、さらにその上に発光
層８としてＩｎＡｓとＧａＡｓとを１分子層の厚さで交
互に成長させ、約１０nmの厚さにする。その上に0.２５
μｍのＡｌＡｓ層９と、ＧａＡｓとＡｌＡｓ２５対から
なるｐ型半導体多層膜を積層した構造になっている。ま
た半導体多層膜反射鏡４を構成するＧａＡｓ層とＡｌＡ
ｓ層の間は、素子抵抗を低減するためにＡｌxＧａ1-xＡ
ｓのｘを連続的に変化させ、組成が連続的に変化する構
造になっている。
【００１６】この様に構成した面発光半導体レーザにお
いて、電流−光出力特性を調べたところ注入電流９ｍＡ
での発振を確認した。そのときの発振波長は1.３２μｍ
であり、光出力は0.４ｍＷであった。
いて、電流−光出力特性を調べたところ注入電流９ｍＡ
での発振を確認した。そのときの発振波長は1.３２μｍ
であり、光出力は0.４ｍＷであった。
【００１７】上記第１の実施例では、発光層がバルク状
の（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-bであったが、Ｇｅ2とＧａ
Ａｓを１分子層ごと、あるいは数分子層ごとに交互に積
層しても同様である。また、上記第２の実施例ではＩｎ
ＡｓとＧａＡｓを１分子層の厚さで交互に成長させた構
造であるが、バルク状でも同様である。また反射鏡とし
てｙの値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49
Ｐ半導体の多層膜を用いても同様である。
の（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-bであったが、Ｇｅ2とＧａ
Ａｓを１分子層ごと、あるいは数分子層ごとに交互に積
層しても同様である。また、上記第２の実施例ではＩｎ
ＡｓとＧａＡｓを１分子層の厚さで交互に成長させた構
造であるが、バルク状でも同様である。また反射鏡とし
てｙの値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49
Ｐ半導体の多層膜を用いても同様である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の面発光半導
体レーザは、基板としてＧａＡｓを使用し、反射鏡とし
てｘ値の異なる数種のＡｌxＧａ1-xＡｓ半導体の多層
膜、あるいは、ｙ値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1-y）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ半導体の多層膜、または上記半導体の組
み合わせからなる半導体多層膜を使用するため、屈折率
差が大きくとれ、かつ吸収損失が小さいため、従来のよ
うにＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰの４０対からなる反射鏡と
同等の反射率をＧａＡｓ／ＡｌＡｓでは約半分で実現で
きる。また発光層にＩｎaＧａ1-aＡｓ半導体、または、
（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導体を使用することで、
ＧａＡｓ基板上に1.３μｍ帯あるいは1.５μｍ帯の光を
発する活性層を成長することができるようになる。
体レーザは、基板としてＧａＡｓを使用し、反射鏡とし
てｘ値の異なる数種のＡｌxＧａ1-xＡｓ半導体の多層
膜、あるいは、ｙ値の異なる数種の（ＡｌyＧａ1-y）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ半導体の多層膜、または上記半導体の組
み合わせからなる半導体多層膜を使用するため、屈折率
差が大きくとれ、かつ吸収損失が小さいため、従来のよ
うにＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰの４０対からなる反射鏡と
同等の反射率をＧａＡｓ／ＡｌＡｓでは約半分で実現で
きる。また発光層にＩｎaＧａ1-aＡｓ半導体、または、
（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導体を使用することで、
ＧａＡｓ基板上に1.３μｍ帯あるいは1.５μｍ帯の光を
発する活性層を成長することができるようになる。
【図１】実施例１に係る面発光半導体レーザの概略図で
ある。
ある。
【図２】実施例２に係る面発光半導体レーザの概略図で
ある。
ある。
１ ＧａＡｓ半導体基板 ２ 半導体多層膜反射鏡 ３ Ｇｅ2ＧａＡｓ発光層 ４ 半導体多層膜反射鏡 ５，６ オーミック電極 ７ ＡｌＡｓ層 ８ 発光層 ９ ＡｌＡｓ層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と直交する垂直方向に光を出射させ
る面発光半導体レーザにおいて、上記基板としてＧａＡ
ｓを使用し、反射鏡としてｘ値の異なる数種のＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ半導体の多層膜、あるいは、ｙ値の異なる数
種の（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ半導体の多層膜、
または上記半導体の組み合わせからなる半導体多層膜を
使用し、且つ活性層にはＩｎaＧａ1-aＡｓ半導体、また
は、（Ｇｅ2）b（ＧａＡｓ）1-b半導体を使用すること
を特徴とする面発光半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16992393A JPH0730187A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 面発光半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16992393A JPH0730187A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 面発光半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730187A true JPH0730187A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15895457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16992393A Withdrawn JPH0730187A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 面発光半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116228A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-05-02 | Fr Telecom | 垂直空胴レーザ放出部品とその製造方法 |
| JP2018152467A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、光源ユニット、レーザ装置、点火装置 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP16992393A patent/JPH0730187A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116228A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-05-02 | Fr Telecom | 垂直空胴レーザ放出部品とその製造方法 |
| JP2018152467A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、光源ユニット、レーザ装置、点火装置 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |