JPH06334256A - 半導体光反射層の製造方法 - Google Patents
半導体光反射層の製造方法Info
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- JPH06334256A JPH06334256A JP11613893A JP11613893A JPH06334256A JP H06334256 A JPH06334256 A JP H06334256A JP 11613893 A JP11613893 A JP 11613893A JP 11613893 A JP11613893 A JP 11613893A JP H06334256 A JPH06334256 A JP H06334256A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＯＣＶＤ法を用いて、高反射率を維持で
き、しかも低抵抗な半導体光反射層を製造し得る方法を
提供する。 【構成】 ＭＯＣＶＤ法によりＺｎをｐ型ドーパントと
して用いてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ
（Ｘ＞Ｙ，０≦Ｘ，Ｙ≦１）からなる半導体光反射層を
形成する際、成長温度をｎ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／Ａ
ｌY Ｇａ1-Y Ａｓからなる半導体光反射層１２を形成す
る際の成長温度より少なくとも150 ℃下げるとともに、
ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓに比べてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓの方に
より多くのＺｎをドーピングすることにより、高反射率
で且つ極めて低抵抗な半導体光反射層１４を得る。
き、しかも低抵抗な半導体光反射層を製造し得る方法を
提供する。 【構成】 ＭＯＣＶＤ法によりＺｎをｐ型ドーパントと
して用いてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ
（Ｘ＞Ｙ，０≦Ｘ，Ｙ≦１）からなる半導体光反射層を
形成する際、成長温度をｎ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／Ａ
ｌY Ｇａ1-Y Ａｓからなる半導体光反射層１２を形成す
る際の成長温度より少なくとも150 ℃下げるとともに、
ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓに比べてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓの方に
より多くのＺｎをドーピングすることにより、高反射率
で且つ極めて低抵抗な半導体光反射層１４を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＣＶＤ法によりＺ
ｎをｐ型ドーパントとして用いてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／
ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓからなる半導体光反射層を製造する
方法に関するものである。
ｎをｐ型ドーパントとして用いてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／
ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓからなる半導体光反射層を製造する
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】面発光レーザは、結晶成長等の技術によ
り、光共振器を基板主面に対して垂直に形成し、レーザ
光を前記基板主面に対して垂直方向に取り出すようにし
たものであり、その構造から基板上に容易に高密度二次
元集積することが可能である。該面発光レーザは、最近
では0.78μｍから1.55μｍまでの発振波長に対応した様
々な材料系で試みられており、しかも通常のレーザと比
較してその体積が小さいため、１ｍＡを下回る極めて低
い閾値電流を有するレーザが実現可能となっている。
り、光共振器を基板主面に対して垂直に形成し、レーザ
光を前記基板主面に対して垂直方向に取り出すようにし
たものであり、その構造から基板上に容易に高密度二次
元集積することが可能である。該面発光レーザは、最近
では0.78μｍから1.55μｍまでの発振波長に対応した様
々な材料系で試みられており、しかも通常のレーザと比
較してその体積が小さいため、１ｍＡを下回る極めて低
い閾値電流を有するレーザが実現可能となっている。
【０００３】前記面発光レーザにおいてレーザ発振させ
るためには、該面発光レーザを構成するエタロンのＱ
値、即ち第１及び第２の半導体光反射層の反射率を極め
て高いものにしなければならない。このため、通常、半
導体光反射層は格子定数が整合する条件で第１の屈折率
ｎ1 、第２の屈折率ｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）を有する半導体
を、発振波長の１／４光学波長の膜厚で交互に分布させ
て構成していた。具体的には、例えばＡｌ0.2 Ｇａ0.8
Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸層（ＱＷｓ）を活性層に有する
発振波長0.85μｍ面発光レーザにおいては、高い反射率
（９９％以上）を実現するため、反射層は発振波長にお
いて吸収がほとんど無視でき、可能な限り屈折率差を大
きくとったＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ（屈折率3.58）とＡｌ
Ａｓ（屈折率2.98）とから構成していた。
るためには、該面発光レーザを構成するエタロンのＱ
値、即ち第１及び第２の半導体光反射層の反射率を極め
て高いものにしなければならない。このため、通常、半
導体光反射層は格子定数が整合する条件で第１の屈折率
ｎ1 、第２の屈折率ｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）を有する半導体
を、発振波長の１／４光学波長の膜厚で交互に分布させ
て構成していた。具体的には、例えばＡｌ0.2 Ｇａ0.8
Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸層（ＱＷｓ）を活性層に有する
発振波長0.85μｍ面発光レーザにおいては、高い反射率
（９９％以上）を実現するため、反射層は発振波長にお
いて吸収がほとんど無視でき、可能な限り屈折率差を大
きくとったＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ（屈折率3.58）とＡｌ
Ａｓ（屈折率2.98）とから構成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記半導体
光反射層を通して電流を注入する場合、半導体光反射層
を構成する第１及び第２の半導体の禁制帯幅が大きく異
なった（ΔＥｇ〜0.7 ｅＶ）２０〜３０対のヘテロ接合
により形成されているため、特にｐ型ではバンド不連続
性からメサ径２０〜３０μｍサイズで数ｋΩと極めて高
抵抗になることが知られている。このため、ＭＢＥ法で
製造する場合は前記第１及び第２の半導体の間にＡｌ組
成中間層あるいはＡｌ組成傾斜層を導入することによっ
て、低抵抗化を図っていた。
光反射層を通して電流を注入する場合、半導体光反射層
を構成する第１及び第２の半導体の禁制帯幅が大きく異
なった（ΔＥｇ〜0.7 ｅＶ）２０〜３０対のヘテロ接合
により形成されているため、特にｐ型ではバンド不連続
性からメサ径２０〜３０μｍサイズで数ｋΩと極めて高
抵抗になることが知られている。このため、ＭＢＥ法で
製造する場合は前記第１及び第２の半導体の間にＡｌ組
成中間層あるいはＡｌ組成傾斜層を導入することによっ
て、低抵抗化を図っていた。
【０００５】しかしながら、前記ＭＢＥ法と比較して量
産性に富んでいるＭＯＣＶＤ法の場合、ＭＢＥ法とは成
長機構（あるいは成長条件）が異なり、また、一般的に
用いられるドーパント種が比較的拡散しやすいＺｎであ
るため、前記半導体光反射層の構造を変化させても、ほ
とんど低抵抗化することができないという問題があっ
た。
産性に富んでいるＭＯＣＶＤ法の場合、ＭＢＥ法とは成
長機構（あるいは成長条件）が異なり、また、一般的に
用いられるドーパント種が比較的拡散しやすいＺｎであ
るため、前記半導体光反射層の構造を変化させても、ほ
とんど低抵抗化することができないという問題があっ
た。
【０００６】本発明は前記従来の問題点に鑑み、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて、高反射率を維持でき、しかも低抵抗な
半導体光反射層を製造し得る方法を提供することを目的
とする。
ＶＤ法を用いて、高反射率を維持でき、しかも低抵抗な
半導体光反射層を製造し得る方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では前記目的を達
成するため、ＭＯＣＶＤ法によりＺｎをｐ型ドーパント
として用いてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ
（Ｘ＞Ｙ，０≦Ｘ，Ｙ≦１）からなる半導体光反射層を
形成する半導体光反射層の製造方法において、成長温度
をｎ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓから
なる半導体光反射層を形成する際の成長温度より少なく
とも150 ℃下げるとともに、ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓに比べ
てＡｌX Ｇａ1-X Ａｓの方により多くのＺｎをドーピン
グするようになした半導体光反射層の製造方法を提案す
る。
成するため、ＭＯＣＶＤ法によりＺｎをｐ型ドーパント
として用いてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ
（Ｘ＞Ｙ，０≦Ｘ，Ｙ≦１）からなる半導体光反射層を
形成する半導体光反射層の製造方法において、成長温度
をｎ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓから
なる半導体光反射層を形成する際の成長温度より少なく
とも150 ℃下げるとともに、ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓに比べ
てＡｌX Ｇａ1-X Ａｓの方により多くのＺｎをドーピン
グするようになした半導体光反射層の製造方法を提案す
る。
【０００８】
【作用】本発明によれば、量産に適したＭＯＣＶＤ法に
より、従来のものと比べて高反射率を維持でき且つ極め
て低抵抗な半導体光反射層を得ることができる。
より、従来のものと比べて高反射率を維持でき且つ極め
て低抵抗な半導体光反射層を得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明による半導体光反射層を用いた
実施例として、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超格子を活性層
として用いた発振波長0.85μｍ面発光レーザの場合につ
いて説明する。なお、実施例は一つの例示であって、本
発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更あるいは改良
を行い得ることは言うまでもない。
実施例として、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超格子を活性層
として用いた発振波長0.85μｍ面発光レーザの場合につ
いて説明する。なお、実施例は一つの例示であって、本
発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更あるいは改良
を行い得ることは言うまでもない。
【００１０】図１はｐ型半導体光反射層の成長温度に対
する抵抗依存性をチェックするための素子の一例を示す
もので、ｐ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85
Ａｓ／ＡｌＡｓ１０対からなる半導体光反射層２を形成
し、その後、ＧａＡｓ基板１までエッチオフし、さらに
構造表面及び裏面にそれぞれ、ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕから
なるオーミック電極３及び４を形成したものである。
する抵抗依存性をチェックするための素子の一例を示す
もので、ｐ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85
Ａｓ／ＡｌＡｓ１０対からなる半導体光反射層２を形成
し、その後、ＧａＡｓ基板１までエッチオフし、さらに
構造表面及び裏面にそれぞれ、ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕから
なるオーミック電極３及び４を形成したものである。
【００１１】図２は図１の素子の抵抗値をＩ−Ｖ測定に
より評価し、成長温度に対する依存性を表したもので、
横軸は素子のメサ半径、縦軸は抵抗値である。同図よ
り、成長温度が750 ℃の場合は抵抗値が高すぎて測定で
きなかったが、成長温度を下げるにつれて素子抵抗がｌ
ｏｇスケールで下がることがわかる。そして、成長温度
をｎ型半導体光反射層を形成する際の温度（750 ℃）か
ら120 ℃下げたところ（630 ℃）で、ＭＢＥ法で報告さ
れている値とほぼ等しくなり、素子抵抗が飽和した。な
お、図中の「Ｇｒａｄｅｄ」とはＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
層とＡｌＡｓ層との間の組成変化がなだらかである場合
を、また、また、「Ａｂｒｕｐｔ」とは前記組成変化が
急である場合をそれぞれ示す。
より評価し、成長温度に対する依存性を表したもので、
横軸は素子のメサ半径、縦軸は抵抗値である。同図よ
り、成長温度が750 ℃の場合は抵抗値が高すぎて測定で
きなかったが、成長温度を下げるにつれて素子抵抗がｌ
ｏｇスケールで下がることがわかる。そして、成長温度
をｎ型半導体光反射層を形成する際の温度（750 ℃）か
ら120 ℃下げたところ（630 ℃）で、ＭＢＥ法で報告さ
れている値とほぼ等しくなり、素子抵抗が飽和した。な
お、図中の「Ｇｒａｄｅｄ」とはＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
層とＡｌＡｓ層との間の組成変化がなだらかである場合
を、また、また、「Ａｂｒｕｐｔ」とは前記組成変化が
急である場合をそれぞれ示す。
【００１２】この際、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓのドーピン
グ濃度が１×１０19ｃｍ-3以上となり、発振波長850 ｎ
ｍにおけるフリーキャリア吸収が1000ｃｍ-3程度になっ
てしまうため、１％程度の反射率の低下が生じた。そこ
で、成長温度を前記ｎ型半導体光反射層を形成する際の
温度（750 ℃）から150 ℃下げ（600 ℃）、Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ａｓに比べてＡｌＡｓの方により多くのＺｎを導
入する変調ドーピングを行ったところ、同様の抵抗値を
得た。
グ濃度が１×１０19ｃｍ-3以上となり、発振波長850 ｎ
ｍにおけるフリーキャリア吸収が1000ｃｍ-3程度になっ
てしまうため、１％程度の反射率の低下が生じた。そこ
で、成長温度を前記ｎ型半導体光反射層を形成する際の
温度（750 ℃）から150 ℃下げ（600 ℃）、Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ａｓに比べてＡｌＡｓの方により多くのＺｎを導
入する変調ドーピングを行ったところ、同様の抵抗値を
得た。
【００１３】以上のことからも明らかなように、少なく
ともｐ型半導体光反射層の形成時の成長温度をｎ型半導
体光反射層を形成する際の温度から150 ℃下げ、且つ、
前記Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓに比べてＡｌＡｓの方により
多くのＺｎをドーピングすることが必要である。
ともｐ型半導体光反射層の形成時の成長温度をｎ型半導
体光反射層を形成する際の温度から150 ℃下げ、且つ、
前記Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓに比べてＡｌＡｓの方により
多くのＺｎをドーピングすることが必要である。
【００１４】図３は本発明方法により製造した半導体光
反射層を備えた面発光レーザの一実施例を示すものであ
る。
反射層を備えた面発光レーザの一実施例を示すものであ
る。
【００１５】これを製造するには、まず、厚さ350 μｍ
のｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１上に、減圧ＭＯＣＶＤ法に
よって成長温度750 ℃でｎ型ＧａＡｓバッファ層を成長
させる。次に、同様の成長温度で各層の膜厚がλ／４ｎ
（ｎは屈折率）からなるドーピング濃度１×１０18ｃｍ
-3のｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ／ＡｌＡｓ34.5対からな
る第１の半導体光反射層１２を形成する。
のｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１上に、減圧ＭＯＣＶＤ法に
よって成長温度750 ℃でｎ型ＧａＡｓバッファ層を成長
させる。次に、同様の成長温度で各層の膜厚がλ／４ｎ
（ｎは屈折率）からなるドーピング濃度１×１０18ｃｍ
-3のｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ／ＡｌＡｓ34.5対からな
る第１の半導体光反射層１２を形成する。
【００１６】次に、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層１３ａ，活
性層として６対からなるＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ／ＧａＡ
ｓ超格子層１３ｂ及びＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層１３ｃか
らなる全体が発振波長の光学膜厚であるキャビティー層
１３を形成する。その後、成長温度を600 ℃に降温さ
せ、同様に各層の膜厚がλ／４ｎからなるｐ型Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ａｓ（ｐ〜１０18ｃｍ-3）／ＡｌＡｓ（ｐ〜１
０19ｃｍ-3）２７対からなる第２の半導体光反射層１４
を、ＤＥＺの流量を変調させて形成し、金属（Ａｕ）と
の位相マッチング及びコンタクト層を兼ねたｐ++型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓからなるマッチング層１５を形成す
る。
性層として６対からなるＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ／ＧａＡ
ｓ超格子層１３ｂ及びＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層１３ｃか
らなる全体が発振波長の光学膜厚であるキャビティー層
１３を形成する。その後、成長温度を600 ℃に降温さ
せ、同様に各層の膜厚がλ／４ｎからなるｐ型Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ａｓ（ｐ〜１０18ｃｍ-3）／ＡｌＡｓ（ｐ〜１
０19ｃｍ-3）２７対からなる第２の半導体光反射層１４
を、ＤＥＺの流量を変調させて形成し、金属（Ａｕ）と
の位相マッチング及びコンタクト層を兼ねたｐ++型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓからなるマッチング層１５を形成す
る。
【００１７】次に、こうして得られた結晶に対し、ま
ず、基板１１の裏面をブロムメタノールにより研磨す
る。続いて、基板１１の裏面にコーティングによりＳｉ
Ｏ2 からなるＡＲ層１６及び蒸着シンターによりＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ電極１７を形成し、その後、結
晶上部にリフトオフにより補助反射ミラーを兼ねた厚さ
数１０ｎｍ、５〜４０μｍ径の半透明Ａｕからなるｐ電
極１８を形成する。
ず、基板１１の裏面をブロムメタノールにより研磨す
る。続いて、基板１１の裏面にコーティングによりＳｉ
Ｏ2 からなるＡＲ層１６及び蒸着シンターによりＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕからなるｎ電極１７を形成し、その後、結
晶上部にリフトオフにより補助反射ミラーを兼ねた厚さ
数１０ｎｍ、５〜４０μｍ径の半透明Ａｕからなるｐ電
極１８を形成する。
【００１８】最後に、レジストパターニングにより前記
ｐ電極１８上にマスクを形成し、マスクされていない部
分を塩素ガスによるＥＣＲエッチングにより第１の半導
体光反射層１２の途中までドライエッチングし、さらに
ドライエッチングによるダメージを除去するために硫酸
系によるスライトエッチングを行って、製造を完了す
る。
ｐ電極１８上にマスクを形成し、マスクされていない部
分を塩素ガスによるＥＣＲエッチングにより第１の半導
体光反射層１２の途中までドライエッチングし、さらに
ドライエッチングによるダメージを除去するために硫酸
系によるスライトエッチングを行って、製造を完了す
る。
【００１９】なお、エッチングを前記第１の半導体光反
射層１２の途中まで行ったのは、光学的導波路ロスを増
やすことなく抵抗値増大を避けるためのものである。
射層１２の途中まで行ったのは、光学的導波路ロスを増
やすことなく抵抗値増大を避けるためのものである。
【００２０】前述した面発光レーザに対して電流を注入
し、Ｉ−Ｌ特性を調べたところ、従来、報告されている
値と同様な低い閾値である２〜１０ｍＡにおいてＩ−Ｌ
曲線が立ち上がり、レーザ発振に至ることが確認され
た。また、閾値付近における電圧は２〜２．５Ｖにな
り、従来のＭＯＣＶＤ法で作成されたものと比較すると
２桁以上改善された。
し、Ｉ−Ｌ特性を調べたところ、従来、報告されている
値と同様な低い閾値である２〜１０ｍＡにおいてＩ−Ｌ
曲線が立ち上がり、レーザ発振に至ることが確認され
た。また、閾値付近における電圧は２〜２．５Ｖにな
り、従来のＭＯＣＶＤ法で作成されたものと比較すると
２桁以上改善された。
【００２１】図４は図３の面発光レーザの抵抗値をＩ−
Ｖ測定により評価し、成長温度に対する依存性を表した
もので、横軸は素子のメサ半径、縦軸は抵抗値である。
同図より、本実施例によれば、従来のＭＢＥ法に比べて
高反射率で且つ低抵抗な半導体光反射層が得られること
が分かる。なお、図中の「Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ａ」及
び「Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ｂ」とは、両者とも前述した
ＤＥＺの流量の変調を行っていることを示しているが、
それぞれ変調量は異なる。
Ｖ測定により評価し、成長温度に対する依存性を表した
もので、横軸は素子のメサ半径、縦軸は抵抗値である。
同図より、本実施例によれば、従来のＭＢＥ法に比べて
高反射率で且つ低抵抗な半導体光反射層が得られること
が分かる。なお、図中の「Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ａ」及
び「Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ｂ」とは、両者とも前述した
ＤＥＺの流量の変調を行っていることを示しているが、
それぞれ変調量は異なる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、量
産に適したＭＯＣＶＤ法により、従来のものと比べて高
反射率を維持でき且つ極めて低抵抗な半導体光反射層を
得ることができ、半導体光反射層を用いた面発光レーザ
等の光デバイスを安価に提供でき、多数のレーザ等の光
源を必要とする光交換、光ニューラルネットワーク、光
情報処理の実現に非常に大きな経済的な効果を得ること
ができる。
産に適したＭＯＣＶＤ法により、従来のものと比べて高
反射率を維持でき且つ極めて低抵抗な半導体光反射層を
得ることができ、半導体光反射層を用いた面発光レーザ
等の光デバイスを安価に提供でき、多数のレーザ等の光
源を必要とする光交換、光ニューラルネットワーク、光
情報処理の実現に非常に大きな経済的な効果を得ること
ができる。
【図１】ｐ型半導体光反射層の成長温度に対する抵抗依
存性をチェックするための素子の一例を示す構造図
存性をチェックするための素子の一例を示す構造図
【図２】図１の素子の成長温度に対する抵抗値の依存性
を示す図
を示す図
【図３】本発明方法により製造した半導体光反射層を備
えた面発光レーザの一実施例を示す構造図
えた面発光レーザの一実施例を示す構造図
【図４】図３の素子の成長温度に対する抵抗値の依存性
を示す図
を示す図
１…ｐ型ＧａＡｓ基板、２…半導体光反射層、３，４…
オーミック電極、１１…ｎ型ＧａＡｓ基板、１２…第１
の半導体光反射層、１３…キャビティー層、１４…第２
の半導体光反射層、１５…マッチング層、１６…ＡＲ
層、１７…ｎ電極、１８…ｐ電極。
オーミック電極、１１…ｎ型ＧａＡｓ基板、１２…第１
の半導体光反射層、１３…キャビティー層、１４…第２
の半導体光反射層、１５…マッチング層、１６…ＡＲ
層、１７…ｎ電極、１８…ｐ電極。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭＯＣＶＤ法によりＺｎをｐ型ドーパン
トとして用いてＡｌXＧａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y Ａ
ｓ（Ｘ＞Ｙ，０≦Ｘ，Ｙ≦１）からなる半導体光反射層
を形成する半導体光反射層の製造方法において、 成長温度をｎ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ／ＡｌY Ｇａ1-Y
Ａｓからなる半導体光反射層を形成する際の成長温度よ
り少なくとも150 ℃下げるとともに、 ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓに比べてＡｌX Ｇａ1-X Ａｓの方に
より多くのＺｎをドーピングするようになしたことを特
徴とする半導体光反射層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11613893A JPH06334256A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 半導体光反射層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11613893A JPH06334256A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 半導体光反射層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334256A true JPH06334256A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14679681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11613893A Pending JPH06334256A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 半導体光反射層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334256A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100224878B1 (ko) * | 1996-07-25 | 1999-10-15 | 윤종용 | 표면광 레이저 |
| KR100224877B1 (ko) * | 1996-07-18 | 1999-10-15 | 윤종용 | 표면광 레이저 |
| JP2006351799A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体素子アレイ |
| US9640944B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-05-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing optical semiconductor element |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP11613893A patent/JPH06334256A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100224877B1 (ko) * | 1996-07-18 | 1999-10-15 | 윤종용 | 표면광 레이저 |
| KR100224878B1 (ko) * | 1996-07-25 | 1999-10-15 | 윤종용 | 표면광 레이저 |
| JP2006351799A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体素子アレイ |
| US9640944B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-05-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing optical semiconductor element |
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