JPH0723863Y2 - 温度ヒューズ - Google Patents
温度ヒューズInfo
- Publication number
- JPH0723863Y2 JPH0723863Y2 JP1779688U JP1779688U JPH0723863Y2 JP H0723863 Y2 JPH0723863 Y2 JP H0723863Y2 JP 1779688 U JP1779688 U JP 1779688U JP 1779688 U JP1779688 U JP 1779688U JP H0723863 Y2 JPH0723863 Y2 JP H0723863Y2
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- JP
- Japan
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- low
- melting point
- melting
- point metal
- metal body
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Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は合金型温度ヒューズの改良に関するものであ
る。
る。
〈従来の技術〉 合金型温度ヒューズは、ヒューズエレメントに低融点金
属体を使用したものであり、保護すべき電気機器に接触
させて用い、当該電気機器が過電流のために異常に温度
上昇すると、温度ヒューズの低融点金属体がその温度上
昇下での受熱により溶融し、この溶融金属の球状化分断
により電気機器への通電が遮断される。
属体を使用したものであり、保護すべき電気機器に接触
させて用い、当該電気機器が過電流のために異常に温度
上昇すると、温度ヒューズの低融点金属体がその温度上
昇下での受熱により溶融し、この溶融金属の球状化分断
により電気機器への通電が遮断される。
〈解決しようとする問題点〉 ところで、上記低融点金属の溶融分断時、電力の遮的に
伴う反作用としてアークの発生があり、このアークのた
めに溶融金属が飛散して、温度ヒューズを設置した電気
回路部分を酷く損傷させるといった問題がある。
伴う反作用としてアークの発生があり、このアークのた
めに溶融金属が飛散して、温度ヒューズを設置した電気
回路部分を酷く損傷させるといった問題がある。
かかる不合理を排除するために、電気機器の回路にコン
デンサー、抵抗等を挿入してアーク時の電圧または電流
を緩和し、アークエネルギーを軽減することが知られて
いるが、回路構成上不利である。
デンサー、抵抗等を挿入してアーク時の電圧または電流
を緩和し、アークエネルギーを軽減することが知られて
いるが、回路構成上不利である。
本考案の目的は、アークエネルギーを軽減する機能をそ
れ自体で備えた製造容易で、しかも作動性に秀れた温度
ヒューズを提供することにある。
れ自体で備えた製造容易で、しかも作動性に秀れた温度
ヒューズを提供することにある。
〈問題点を解決するための技術的手段〉 本考案に係る温度ヒューズは、２個の低融点金属体にお
ける一方の低融点金属体の融点を他方の低融点金属体の
融点に等しいかやや低くし、これらの低融点金属体を直
列に接続し、上記一方の低融点金属体に並列に抵抗体を
接続し、抵抗体と上記一方の低融点金属体との間の距離
を抵抗体と他方の低融点金属体との間の距離よりも短か
くしたことを特徴とする構成である。
ける一方の低融点金属体の融点を他方の低融点金属体の
融点に等しいかやや低くし、これらの低融点金属体を直
列に接続し、上記一方の低融点金属体に並列に抵抗体を
接続し、抵抗体と上記一方の低融点金属体との間の距離
を抵抗体と他方の低融点金属体との間の距離よりも短か
くしたことを特徴とする構成である。
〈実施例の説明〉 以下、図面により本考案を説明する。
第１図において、１は絶縁基板、例えばセラミックス板
である。2,・・・は絶縁基板上に設けた層状電極であ
り、導電性ペーストの塗布・焼付けにより形成できる。
3a,3bは低融点金属体（線状、箔状）であり互に直列に
接続してある。一方の低融点金属体3aの融点は他方の低
融点金属体3bの融点に等しいか、あるいは、３〜４℃低
くしてある。4a,4bは各低融点金属体3a,3b上に被覆した
フラックスである。５は上記一方の低融点金属体3aに並
列に接続した抵抗体であり、膜抵抗を使用できる。この
抵抗体５と上記一方の低融点金属体3aとの間の距離は、
抵抗体５と他方の低融点金属体3bとの間の距離よりも短
かくしてある。6,6はリード線、７は絶縁基板上に被覆
した樹脂絶縁層、例えば、常温硬化性のエポキシ樹脂モ
ールド層である。
である。2,・・・は絶縁基板上に設けた層状電極であ
り、導電性ペーストの塗布・焼付けにより形成できる。
3a,3bは低融点金属体（線状、箔状）であり互に直列に
接続してある。一方の低融点金属体3aの融点は他方の低
融点金属体3bの融点に等しいか、あるいは、３〜４℃低
くしてある。4a,4bは各低融点金属体3a,3b上に被覆した
フラックスである。５は上記一方の低融点金属体3aに並
列に接続した抵抗体であり、膜抵抗を使用できる。この
抵抗体５と上記一方の低融点金属体3aとの間の距離は、
抵抗体５と他方の低融点金属体3bとの間の距離よりも短
かくしてある。6,6はリード線、７は絶縁基板上に被覆
した樹脂絶縁層、例えば、常温硬化性のエポキシ樹脂モ
ールド層である。
第２図は本考案の別実施例を示している。Ａ、（Ｂ）は
温度ヒューズエレメントを示しており、リード線61a,62
a（61b,62b）間に低融点金属体3a,（3b）を接合し、融
点金属体上にフラックス4a,（4b）を被覆し、これらを
絶縁筒体（例えばセラミックス筒体）1a,（1b）で覆
い、筒体両端をシール剤（常温硬化性のエポキシ樹脂）
7a,（7b）でシールしてある。これらの温度ヒューズエ
レメントA,Bはリード線61a,61bにおいて相互に直列に接
続してあり、一方の低融点金属体3aの融点は他方の低融
点金属体3bの融点に等しいか、あるいは３〜４℃低くし
てある。５は上記一方の低融点金属体3aに並列に接続し
た巻線型抵抗であり、上記一方の温度ヒューズエレメン
トＡに並列配置で密接させてある。７は絶縁体、例えば
セメント注型体である。
温度ヒューズエレメントを示しており、リード線61a,62
a（61b,62b）間に低融点金属体3a,（3b）を接合し、融
点金属体上にフラックス4a,（4b）を被覆し、これらを
絶縁筒体（例えばセラミックス筒体）1a,（1b）で覆
い、筒体両端をシール剤（常温硬化性のエポキシ樹脂）
7a,（7b）でシールしてある。これらの温度ヒューズエ
レメントA,Bはリード線61a,61bにおいて相互に直列に接
続してあり、一方の低融点金属体3aの融点は他方の低融
点金属体3bの融点に等しいか、あるいは３〜４℃低くし
てある。５は上記一方の低融点金属体3aに並列に接続し
た巻線型抵抗であり、上記一方の温度ヒューズエレメン
トＡに並列配置で密接させてある。７は絶縁体、例えば
セメント注型体である。
上記において、融点の高い方の低融点金属体3bには低融
点共晶合金を使用でき、融点のやや低い方の低融点金属
体3aには、組成比を共晶点に対して低融点側にややづら
せた合金を使用できる。
点共晶合金を使用でき、融点のやや低い方の低融点金属
体3aには、組成比を共晶点に対して低融点側にややづら
せた合金を使用できる。
例えば、前者にはスズ:42重量部、鉛:1重量部、ビスマ
ス:57重量部、の共晶合金（合金融点135,0℃）を使用で
き、後者には前者に対して、鉛量を２〜３重量部（融点
132〜131℃）としたものを使用できる。
ス:57重量部、の共晶合金（合金融点135,0℃）を使用で
き、後者には前者に対して、鉛量を２〜３重量部（融点
132〜131℃）としたものを使用できる。
上記温度ヒューズの作動温度は融点の高い方の低融点金
属体3bの融点Tbによって定まる。
属体3bの融点Tbによって定まる。
抵抗体５の抵抗値は一方の抵抗融点金属体3aの抵抗値よ
りも一段と高抵抗であり、常時においては、電流は低融
点金属体3a,3bの直列通路を流れる。
りも一段と高抵抗であり、常時においては、電流は低融
点金属体3a,3bの直列通路を流れる。
而して、周囲温度が上記融点Tbに近づくと、温度Tbの直
前温度において低融点金属体3aが溶断する。この直前溶
断は、低融点金属体3aの融点が低融点金属体3bの融点よ
りも低いこと、または、低融点金属体3aを抵抗体５に近
接させてあり、当該低融点金属体3aの加熱が抵抗体５の
発生熱によって助成されることから、確実に遂行され
る。従って、温度がTbになって低融点金属体3bが溶断す
る際には、抵抗体５が低融点金属体3bに対して直列に連
結されており、その抵抗体５のために回路電流を充分に
小さくでき、かかる低電流下のもとで低融点金属3bの溶
断による通電遮断がなされるので、発生するアークのエ
ネルギーを充分に弱小化できる。
前温度において低融点金属体3aが溶断する。この直前溶
断は、低融点金属体3aの融点が低融点金属体3bの融点よ
りも低いこと、または、低融点金属体3aを抵抗体５に近
接させてあり、当該低融点金属体3aの加熱が抵抗体５の
発生熱によって助成されることから、確実に遂行され
る。従って、温度がTbになって低融点金属体3bが溶断す
る際には、抵抗体５が低融点金属体3bに対して直列に連
結されており、その抵抗体５のために回路電流を充分に
小さくでき、かかる低電流下のもとで低融点金属3bの溶
断による通電遮断がなされるので、発生するアークのエ
ネルギーを充分に弱小化できる。
〈考案の効果〉 上述した通り本考案に係る温度ヒューズにおいては、低
融点金属の溶断時に発生するアークのエネルギーを弱小
にできるので、溶断時の飛散障害をよく軽減できる。
融点金属の溶断時に発生するアークのエネルギーを弱小
にできるので、溶断時の飛散障害をよく軽減できる。
第１図並びに第２図はそれぞれ本考案の実施例を示す説
明図である。 図において、3a,3bは低融点金属体、５は抵抗体であ
る。
明図である。 図において、3a,3bは低融点金属体、５は抵抗体であ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】２個の低融点金属体における一方の低融点
金属体の融点を他方の低融点金属体の融点に等しいかや
や低くし，これらの低融点金属体を直列に接続し，上記
一方の低融点金属体に並列に抵抗体を接続し，抵抗体と
上記一方の低融点金属体との間の距離を抵抗体と他方の
低融点金属体との間の距離よりも短くしたことを特徴と
する温度ヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1779688U JPH0723863Y2 (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 温度ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1779688U JPH0723863Y2 (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 温度ヒューズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122240U JPH01122240U (ja) | 1989-08-18 |
| JPH0723863Y2 true JPH0723863Y2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=31231892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1779688U Expired - Lifetime JPH0723863Y2 (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 温度ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723863Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010123277A3 (en) * | 2009-04-21 | 2011-01-27 | Smart Electronics Inc. | Thermal fuse resistor, manufacturing method thereof, and installation method thereof |
| WO2010123276A3 (en) * | 2009-04-21 | 2011-02-03 | Smart Electronics Inc. | Thermal fuse resistor |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311161A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子 |
| JP4663760B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2011-04-06 | 内橋エステック株式会社 | 二次電池用保護回路 |
| JP2010165685A (ja) * | 2010-03-04 | 2010-07-29 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| JP5590966B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2014-09-17 | 京セラ株式会社 | ヒューズ装置および回路基板 |
| JP2014044955A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-03-13 | Dexerials Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP1779688U patent/JPH0723863Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010123277A3 (en) * | 2009-04-21 | 2011-01-27 | Smart Electronics Inc. | Thermal fuse resistor, manufacturing method thereof, and installation method thereof |
| WO2010123276A3 (en) * | 2009-04-21 | 2011-02-03 | Smart Electronics Inc. | Thermal fuse resistor |
| US8400252B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-03-19 | Smart Electronics Inc. | Thermal fuse resistor |
| US8400253B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-03-19 | Smart Electronics Inc. | Thermal fuse resistor, manufacturing method thereof, and installation method thereof |
| DE112010001694B4 (de) * | 2009-04-21 | 2013-08-01 | Smart Electronics, Inc. | Schmelzwiderstand |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01122240U (ja) | 1989-08-18 |
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| JPH0141145Y2 (ja) |