JPH0722362A - 半導体基板を研磨する方法 - Google Patents
半導体基板を研磨する方法Info
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- JPH0722362A JPH0722362A JP14875794A JP14875794A JPH0722362A JP H0722362 A JPH0722362 A JP H0722362A JP 14875794 A JP14875794 A JP 14875794A JP 14875794 A JP14875794 A JP 14875794A JP H0722362 A JPH0722362 A JP H0722362A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- B24—GRINDING; POLISHING
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 改良研磨パッド６２およびこの研磨パッド６
２を形成し利用する方法。 【構成】 一実施例では、改良研磨パッド６２は、改良
圧力が研磨パッド６２の一部を機械的に変形するために
十分大きいことを除いて、研磨基板１４と同様に形成さ
れる。一般に、改良圧力は少なくとも１０ポンド／平方
インチである。パッドを改良するために用いられる材料
は、硬質で、滑らかな表面を有する。これらの材料の例
として、金属，誘電体および半導体がある。研磨パッド
６２を改良した後、半導体基板１４を研磨するために利
用できる。フレッシュ・パッドと比較して、改良研磨パ
ッド６２はプレーナ処理効率が高く、開口部３９に隣接
するパターニング層３３のコーナ丸めを発生する可能性
が低い。
２を形成し利用する方法。 【構成】 一実施例では、改良研磨パッド６２は、改良
圧力が研磨パッド６２の一部を機械的に変形するために
十分大きいことを除いて、研磨基板１４と同様に形成さ
れる。一般に、改良圧力は少なくとも１０ポンド／平方
インチである。パッドを改良するために用いられる材料
は、硬質で、滑らかな表面を有する。これらの材料の例
として、金属，誘電体および半導体がある。研磨パッド
６２を改良した後、半導体基板１４を研磨するために利
用できる。フレッシュ・パッドと比較して、改良研磨パ
ッド６２はプレーナ処理効率が高く、開口部３９に隣接
するパターニング層３３のコーナ丸めを発生する可能性
が低い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の分野に関
し、さらに詳しくは、半導体基板を化学・機械的研磨す
る際に用いられる研磨パッドに関する。
し、さらに詳しくは、半導体基板を化学・機械的研磨す
る際に用いられる研磨パッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を形成するために用いられる
層数が増えるにつれて、半導体基板のプレーナ化(plana
rization) はますます重要になっている。非プレーナ半
導体基板は多くの問題があり、ホトレジスト層のパター
ニングしにくいことや、膜被着時に膜内に空洞が形成さ
れたり、エッチ工程中に層の除去が不完全で、「ストリ
ンガ(stringer)」と呼ばれる層の残留部分を残すなどの
問題がある。多くのプレーナ方法が開発されており、そ
の中に化学・機械的研磨方法がある。
層数が増えるにつれて、半導体基板のプレーナ化(plana
rization) はますます重要になっている。非プレーナ半
導体基板は多くの問題があり、ホトレジスト層のパター
ニングしにくいことや、膜被着時に膜内に空洞が形成さ
れたり、エッチ工程中に層の除去が不完全で、「ストリ
ンガ(stringer)」と呼ばれる層の残留部分を残すなどの
問題がある。多くのプレーナ方法が開発されており、そ
の中に化学・機械的研磨方法がある。
【０００３】図１および図２は、半導体基板を研磨する
ために用いられる化学・機械的研磨機の一部の図であ
る。図１は、化学・機械的研磨機１０の断面図である。
研磨機１０は、プラテン１１と、接着剤（図示せず）で
このプラテン１１に接着された研磨パッド１２とを有す
る。研磨パッド１２の上に基板ホールダ１３があり、各
基板ホールダ１３は半導体基板１４を収容する。また、
研磨機１０は、研磨スラリ(polishing slurry)およびス
ラリ供給部とを含み、こられはともに図示されていな
い。研磨パッド１２は、多孔ポリウレタン材料からなっ
てもよい。図２は、半導体基板１４および研磨パッド１
２の相対的な運動を示す。一般に、研磨パッド１２およ
び半導体基板１４は同一方向に回転する。図２は、研磨
パッドおよび半導体基板が反時計方向に回転しているこ
とを示しているが、これらは時計方向に回転してもよ
い。回転が生じると、基板１４は研磨パッド１２の一部
の上で前後に振動する。研磨中の基板１４と研磨パッド
１２との間の圧力である研磨圧力は、約８ポンド／平方
インチ（約５５キロパスカル）未満であることが一般的
である。これ以上高い研磨圧力では、基板１４が研磨中
に破損して、基板１４は破棄される。
ために用いられる化学・機械的研磨機の一部の図であ
る。図１は、化学・機械的研磨機１０の断面図である。
研磨機１０は、プラテン１１と、接着剤（図示せず）で
このプラテン１１に接着された研磨パッド１２とを有す
る。研磨パッド１２の上に基板ホールダ１３があり、各
基板ホールダ１３は半導体基板１４を収容する。また、
研磨機１０は、研磨スラリ(polishing slurry)およびス
ラリ供給部とを含み、こられはともに図示されていな
い。研磨パッド１２は、多孔ポリウレタン材料からなっ
てもよい。図２は、半導体基板１４および研磨パッド１
２の相対的な運動を示す。一般に、研磨パッド１２およ
び半導体基板１４は同一方向に回転する。図２は、研磨
パッドおよび半導体基板が反時計方向に回転しているこ
とを示しているが、これらは時計方向に回転してもよ
い。回転が生じると、基板１４は研磨パッド１２の一部
の上で前後に振動する。研磨中の基板１４と研磨パッド
１２との間の圧力である研磨圧力は、約８ポンド／平方
インチ（約５５キロパスカル）未満であることが一般的
である。これ以上高い研磨圧力では、基板１４が研磨中
に破損して、基板１４は破棄される。
【０００４】研磨パッド１２は、研磨パッドの表面に複
数の隆起(asperity)を有する。隆起とは、研磨パッドか
ら突出する突起(peak)のことであり、各隆起は隆起径お
よび隆起高を有する。隆起径とは、隆起の端部における
近似的な曲率半径であり、隆起高とは研磨パッドからの
隆起の高さのことである。隆起は半径，高さおよび形状
もさまざまであることが当業者に理解される。一般に複
数の隆起は、研磨パッドの研磨面を定める。研磨パッド
の表面上の形状変化は、研磨パッドの表面あらさ(surfa
ce roughness) を決定する。研磨パッドは、平均隆起径
と、隆起高の標準偏差と、自乗平均表面あらさとによっ
て特徴づけられる。前処理されていない従来の研磨パッ
ドは、以降「フレッシュ・パッド(fresh pad) 」とい
う。一般的なフレッシュ・パッドの平均隆起径は約３５
ミクロンで、隆起高の標準偏差は約３５ミクロンで、自
乗平均表面あらさは約３５ミクロンである。
数の隆起(asperity)を有する。隆起とは、研磨パッドか
ら突出する突起(peak)のことであり、各隆起は隆起径お
よび隆起高を有する。隆起径とは、隆起の端部における
近似的な曲率半径であり、隆起高とは研磨パッドからの
隆起の高さのことである。隆起は半径，高さおよび形状
もさまざまであることが当業者に理解される。一般に複
数の隆起は、研磨パッドの研磨面を定める。研磨パッド
の表面上の形状変化は、研磨パッドの表面あらさ(surfa
ce roughness) を決定する。研磨パッドは、平均隆起径
と、隆起高の標準偏差と、自乗平均表面あらさとによっ
て特徴づけられる。前処理されていない従来の研磨パッ
ドは、以降「フレッシュ・パッド(fresh pad) 」とい
う。一般的なフレッシュ・パッドの平均隆起径は約３５
ミクロンで、隆起高の標準偏差は約３５ミクロンで、自
乗平均表面あらさは約３５ミクロンである。
【０００５】図３は、半導体基板１４の一部と、研磨パ
ッド１２の一部の図を含む。基板１４は、パターニング
層３３を有する領域３４と、領域３４の一部を露出する
開口部３９とを有する。領域３４は、半導体材料でも、
図示されていない半導体材料に隣接する材料の層でもよ
い。研磨パッド１２は、一般に放物線状の形をした隆起
３５を有する。隆起３５は、隆起径３６を有する。パタ
ーニング層３３は、領域３４をあまり研磨せずに、ある
いは開口部３９の形状をあまり変えずに研磨されるのが
一般的である。隆起３５が開口部３９と同一線上になる
と、隆起３５は領域３４の露出面まで延在する。プレー
ナ処理効率(planarization efficiency)は、プレーナ処
理される層または領域の研磨率を、プレーナ処理されな
い別の層または領域の研磨率で除した値として定義され
る。図３において、プレーナ処理効率は、パターニング
層３３の研磨率を領域３４の露出部の研磨率で除した値
である。隆起３５と領域３４とが接触することにより、
領域３４は機械的に研磨され、これは望ましくない。プ
レーナ処理効率は、隆起３５が領域３４の露出部と接触
するため低下する。また、パターニング層３３のコーナ
は、隆起３５が開口部３９を出入りすると、隆起３５に
よって丸められる。開口部と開口部との間の距離は、コ
ーナの丸めを考慮するため増加する必要がある。一般
に、その結果、基板面積が無駄になり、望ましくない。
ッド１２の一部の図を含む。基板１４は、パターニング
層３３を有する領域３４と、領域３４の一部を露出する
開口部３９とを有する。領域３４は、半導体材料でも、
図示されていない半導体材料に隣接する材料の層でもよ
い。研磨パッド１２は、一般に放物線状の形をした隆起
３５を有する。隆起３５は、隆起径３６を有する。パタ
ーニング層３３は、領域３４をあまり研磨せずに、ある
いは開口部３９の形状をあまり変えずに研磨されるのが
一般的である。隆起３５が開口部３９と同一線上になる
と、隆起３５は領域３４の露出面まで延在する。プレー
ナ処理効率(planarization efficiency)は、プレーナ処
理される層または領域の研磨率を、プレーナ処理されな
い別の層または領域の研磨率で除した値として定義され
る。図３において、プレーナ処理効率は、パターニング
層３３の研磨率を領域３４の露出部の研磨率で除した値
である。隆起３５と領域３４とが接触することにより、
領域３４は機械的に研磨され、これは望ましくない。プ
レーナ処理効率は、隆起３５が領域３４の露出部と接触
するため低下する。また、パターニング層３３のコーナ
は、隆起３５が開口部３９を出入りすると、隆起３５に
よって丸められる。開口部と開口部との間の距離は、コ
ーナの丸めを考慮するため増加する必要がある。一般
に、その結果、基板面積が無駄になり、望ましくない。
【０００６】また、フレッシュ・パッドはわん状変形(d
ishing) を発生することが考えられる。わん状変形と
は、局所的な過剰研磨にすぎない。基板１４がパターニ
ング層３３と開口部３９内とに第２層を有すると想定す
る。パターニング層３３にあるこの第２層（図示せず）
の部分は除去され、一方開口部３９内の第２層の部分は
そのまま残る。開口部３９内にある第２層の部分は、隆
起３５が第２層の部分を掘り出すことがあるので、研磨
中に除去されるのが一般的である。研磨後の開口部３９
内の第２層の表面は、わん(dish)状となり、そのため
「わん状変形」という。フレッシュ・パッドは、隆起３
５と同様な隆起のため、わん状変形の問題がある。
ishing) を発生することが考えられる。わん状変形と
は、局所的な過剰研磨にすぎない。基板１４がパターニ
ング層３３と開口部３９内とに第２層を有すると想定す
る。パターニング層３３にあるこの第２層（図示せず）
の部分は除去され、一方開口部３９内の第２層の部分は
そのまま残る。開口部３９内にある第２層の部分は、隆
起３５が第２層の部分を掘り出すことがあるので、研磨
中に除去されるのが一般的である。研磨後の開口部３９
内の第２層の表面は、わん(dish)状となり、そのため
「わん状変形」という。フレッシュ・パッドは、隆起３
５と同様な隆起のため、わん状変形の問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体基板を研磨する
ため、フレッシュ・パッドを用いる前に前処理する複数
の前処理方法が利用できる。１つの方法では、比較的鋭
い突起形状を有する荒い面の研削ツール(abrading too
l) を利用して、研磨パッドを前処理できる。このよう
な形状を有する荒い面は、研磨パッド材料の一部を摩滅
して、実際に平均隆起径を低減し、隆起高の標準偏差を
増加し、自乗平均表面あらさを増加する。別の前処理方
法では、フレッシュ・パッドはプレス機に入れられ、過
熱される。一般に、加圧はパッドをしめる(densify) す
るために行われるが、パッドをしめることは研磨パッド
全体におけるスラリの移動を抑制し、一般に望ましくな
い。
ため、フレッシュ・パッドを用いる前に前処理する複数
の前処理方法が利用できる。１つの方法では、比較的鋭
い突起形状を有する荒い面の研削ツール(abrading too
l) を利用して、研磨パッドを前処理できる。このよう
な形状を有する荒い面は、研磨パッド材料の一部を摩滅
して、実際に平均隆起径を低減し、隆起高の標準偏差を
増加し、自乗平均表面あらさを増加する。別の前処理方
法では、フレッシュ・パッドはプレス機に入れられ、過
熱される。一般に、加圧はパッドをしめる(densify) す
るために行われるが、パッドをしめることは研磨パッド
全体におけるスラリの移動を抑制し、一般に望ましくな
い。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来の研磨パ
ッドに比べて、平均隆起径が大きく、隆起高の標準偏差
が低く、自乗平均表面あらさが小さい研磨パッドを含
む。また、本発明は、改良された研磨パッドで半導体基
板を研磨する方法を含む。この改良された研磨パッド
は、プレーナ処理効率が高く、コーナ丸めやわん状変形
を発生する可能性が少ない。
ッドに比べて、平均隆起径が大きく、隆起高の標準偏差
が低く、自乗平均表面あらさが小さい研磨パッドを含
む。また、本発明は、改良された研磨パッドで半導体基
板を研磨する方法を含む。この改良された研磨パッド
は、プレーナ処理効率が高く、コーナ丸めやわん状変形
を発生する可能性が少ない。
【０００９】本発明の他の特徴および利点は、添付の図
面と以下の詳細な説明から明らかになろう。
面と以下の詳細な説明から明らかになろう。
【００１０】
【実施例】本発明について図面で一例として説明し、こ
れは制限するものではなく、図中の同様な参照番号は同
様な要素を表す。
れは制限するものではなく、図中の同様な参照番号は同
様な要素を表す。
【００１１】本発明は、プレーナ処理効率を向上させ、
開口部に隣接するパターニング層のコーナ丸めを低減
し、あるいはわん状変形を低減する研磨パッドを含む。
研磨パッドは、一度に１枚またはそれ以上の基板を研磨
できる研磨機で利用できる。多くの市販の研磨機は、同
一研磨工程で１枚，２枚，５枚または６枚のウェハを研
磨できる。明らかに、本発明はこれらの研磨機の１つに
限定されない。半導体処理の改善の他に、本発明の１つ
の利点は、以下で詳細に説明するように、研磨パッドを
容易に改良できることである。
開口部に隣接するパターニング層のコーナ丸めを低減
し、あるいはわん状変形を低減する研磨パッドを含む。
研磨パッドは、一度に１枚またはそれ以上の基板を研磨
できる研磨機で利用できる。多くの市販の研磨機は、同
一研磨工程で１枚，２枚，５枚または６枚のウェハを研
磨できる。明らかに、本発明はこれらの研磨機の１つに
限定されない。半導体処理の改善の他に、本発明の１つ
の利点は、以下で詳細に説明するように、研磨パッドを
容易に改良できることである。
【００１２】図４は、研磨機１０，プラテン１１，研磨
パッド１２および基板ホールダ１３の図を含む。物体４
４は、基板ホールダ１３内に装着される。各物体４４
は、基板１４と同様な形状を有する。物体４４は、比較
的硬く、また研磨パッド１２と接触する際に滑らかな面
を有する任意の材料である。本明細書では、滑らかな面
とは、表面の自乗平均表面あらさが約３０ミクロン以下
のことである。例えば、物体４４は、タングステン，チ
タン，ステンレス鋼などの金属と、二酸化シリコン，窒
化シリコンなどの誘電体と、シリコン，ゲルマニウムな
どの半導体とを含む。また、物体４４は、半導体基板に
限定されない基板上に、前述の任意の材料の層を含んで
もよい。例えば、基板は、１つまたはそれ以上の前述の
材料で被覆されたアルミニウム合金でもよい。アルミニ
ウム合金は、この合金の展性(malleability)を小さくす
るマグネシウムまたはマンガンを含んでもよい。基板ま
たは物体４４がシリコン，二酸化シリコンなどの脆い材
料からなる場合、この基板または物体の厚さは、機械的
支持を改善し、かつ研磨パッドの改良中に物体４４が破
損する可能性を低減するため、一般的な半導体基板より
も厚くされる。
パッド１２および基板ホールダ１３の図を含む。物体４
４は、基板ホールダ１３内に装着される。各物体４４
は、基板１４と同様な形状を有する。物体４４は、比較
的硬く、また研磨パッド１２と接触する際に滑らかな面
を有する任意の材料である。本明細書では、滑らかな面
とは、表面の自乗平均表面あらさが約３０ミクロン以下
のことである。例えば、物体４４は、タングステン，チ
タン，ステンレス鋼などの金属と、二酸化シリコン，窒
化シリコンなどの誘電体と、シリコン，ゲルマニウムな
どの半導体とを含む。また、物体４４は、半導体基板に
限定されない基板上に、前述の任意の材料の層を含んで
もよい。例えば、基板は、１つまたはそれ以上の前述の
材料で被覆されたアルミニウム合金でもよい。アルミニ
ウム合金は、この合金の展性(malleability)を小さくす
るマグネシウムまたはマンガンを含んでもよい。基板ま
たは物体４４がシリコン，二酸化シリコンなどの脆い材
料からなる場合、この基板または物体の厚さは、機械的
支持を改善し、かつ研磨パッドの改良中に物体４４が破
損する可能性を低減するため、一般的な半導体基板より
も厚くされる。
【００１３】研磨パッド１２は、図５に示すように物体
４４によって改良される。この改良は、研磨と類似して
いる。多くの改良パラメータは、研磨パラメータと同じ
である。研磨圧力とは異なり、改良圧力は少なくとも約
１０ポンド／平方インチ（約６９キロパスカル）であ
る。本明細書では、改良圧力とは改良中の物体４４と研
磨パッドとの間の圧力のことである。物体４４は十分な
機械的支持があるので、破損する大きな危険を冒さずに
改良圧力に耐えられる。
４４によって改良される。この改良は、研磨と類似して
いる。多くの改良パラメータは、研磨パラメータと同じ
である。研磨圧力とは異なり、改良圧力は少なくとも約
１０ポンド／平方インチ（約６９キロパスカル）であ
る。本明細書では、改良圧力とは改良中の物体４４と研
磨パッドとの間の圧力のことである。物体４４は十分な
機械的支持があるので、破損する大きな危険を冒さずに
改良圧力に耐えられる。
【００１４】改良中に、研磨パッド１２の隆起は機械的
に変形され（化学的に変形されない）、図６に示すよう
な改良研磨パッド６２を形成する。本明細書では、「変
形(deformed)」とは、永久的に変形されることを意味す
る。領域６２１は、研磨パッド６２の表面にあり、改良
によって機械的に変形された隆起を有する。一般に、領
域６２１は、研磨パッド６１の研磨領域に相当する。研
磨領域とは、研磨中に半導体基板が露出される研磨パッ
ドの部分のことである。この変形により、隆起は「より
平坦」になり、自乗平均表面あらさを低くする。「より
平坦」とは、隆起径が大きく、隆起高が短くなることを
意味する。領域６２２は、改良によって実質的に影響を
受けない研磨パッド６２の部分である。領域６２２は、
改良前の研磨パッド１２とほぼ同じ密度を有する。従っ
て、領域６２２の密度は、改良の前後で実質的に同じで
ある。領域６２２におけるスラリの移動は、この領域の
密度は改良によってあまり影響を受けないので、研磨パ
ッド１２におけるスラリの移動とほぼ同じである。
に変形され（化学的に変形されない）、図６に示すよう
な改良研磨パッド６２を形成する。本明細書では、「変
形(deformed)」とは、永久的に変形されることを意味す
る。領域６２１は、研磨パッド６２の表面にあり、改良
によって機械的に変形された隆起を有する。一般に、領
域６２１は、研磨パッド６１の研磨領域に相当する。研
磨領域とは、研磨中に半導体基板が露出される研磨パッ
ドの部分のことである。この変形により、隆起は「より
平坦」になり、自乗平均表面あらさを低くする。「より
平坦」とは、隆起径が大きく、隆起高が短くなることを
意味する。領域６２２は、改良によって実質的に影響を
受けない研磨パッド６２の部分である。領域６２２は、
改良前の研磨パッド１２とほぼ同じ密度を有する。従っ
て、領域６２２の密度は、改良の前後で実質的に同じで
ある。領域６２２におけるスラリの移動は、この領域の
密度は改良によってあまり影響を受けないので、研磨パ
ッド１２におけるスラリの移動とほぼ同じである。
【００１５】改良研磨パッド６２の各領域６２１は、複
数の隆起を有する。各領域６２１の平均隆起径は少なく
とも４０ミクロンであり、隆起高の標準偏差は３０ミク
ロン以下であり、自乗平均表面あらさは３０ミクロン以
下である。一実施例では、改良パッドの平均隆起径は約
６０ミクロンであり、隆起高の標準偏差は約２５ミクロ
ンであり、自乗平均表面あらさは約３５ミクロンであ
る。明らかに、これらの具体的なパラメータの数値は本
発明を限定するものではなく、１つのパラメータのセッ
トを表しているにすぎない。平均隆起径の上限や、隆起
高の標準偏差および自乗平均表面あらさに対する下限は
未知である。
数の隆起を有する。各領域６２１の平均隆起径は少なく
とも４０ミクロンであり、隆起高の標準偏差は３０ミク
ロン以下であり、自乗平均表面あらさは３０ミクロン以
下である。一実施例では、改良パッドの平均隆起径は約
６０ミクロンであり、隆起高の標準偏差は約２５ミクロ
ンであり、自乗平均表面あらさは約３５ミクロンであ
る。明らかに、これらの具体的なパラメータの数値は本
発明を限定するものではなく、１つのパラメータのセッ
トを表しているにすぎない。平均隆起径の上限や、隆起
高の標準偏差および自乗平均表面あらさに対する下限は
未知である。
【００１６】改良研磨パッド６２は、半導体基板を研磨
するために用いられる。研磨機およびパラメータは、図
１および図２で説明した研磨機およびパラメータと同様
であるが、改良研磨パッド６２が研磨パッド１２の代わ
りに用いられることが異なる。研磨パッド６２を用いる
研磨中に、研磨圧力は約８ポンド／平方インチ（約５５
キロパスカル）よりも高くないのが一般的である。図７
は、半導体基板１４の一部および改良研磨パッド６２の
一部の図を含む。半導体基板１４は、領域３４に隣接し
た開口部３９のあるパターニング層３３を有する。領域
３４は、半導体材料、または図示されていない半導体材
料に隣接する材料の層でもよい。パターニング層３３お
よび領域３４用の可能な材料はほとんど無限である。
するために用いられる。研磨機およびパラメータは、図
１および図２で説明した研磨機およびパラメータと同様
であるが、改良研磨パッド６２が研磨パッド１２の代わ
りに用いられることが異なる。研磨パッド６２を用いる
研磨中に、研磨圧力は約８ポンド／平方インチ（約５５
キロパスカル）よりも高くないのが一般的である。図７
は、半導体基板１４の一部および改良研磨パッド６２の
一部の図を含む。半導体基板１４は、領域３４に隣接し
た開口部３９のあるパターニング層３３を有する。領域
３４は、半導体材料、または図示されていない半導体材
料に隣接する材料の層でもよい。パターニング層３３お
よび領域３４用の可能な材料はほとんど無限である。
【００１７】改良研磨パッド６２は、領域６２１内にあ
る中心点からの隆起径７６を有する隆起７５を有する領
域６２１を含む。中心点は、領域６２１内になくてもよ
い。中心点は、隆起７５内，領域６２２内、または隆起
７５の反対側の改良研磨パッド６２の面外にあってもよ
い。図３と図７とを比較すると、改良研磨パッドでは隆
起高は低く、隆起径７６は大きい。隆起形状の変化は、
前述の改良工程における隆起の機械的変形による。
る中心点からの隆起径７６を有する隆起７５を有する領
域６２１を含む。中心点は、領域６２１内になくてもよ
い。中心点は、隆起７５内，領域６２２内、または隆起
７５の反対側の改良研磨パッド６２の面外にあってもよ
い。図３と図７とを比較すると、改良研磨パッドでは隆
起高は低く、隆起径７６は大きい。隆起形状の変化は、
前述の改良工程における隆起の機械的変形による。
【００１８】図７からわかるように、改良パッドのプレ
ーナ処理効率は、隆起７５が領域３４の露出部分と接触
する可能性が低くなることにより、フレッシュ・パッド
に比べて高い。領域３４を機械的に研磨することはな
い。また、改良研磨により、フレッシュ・パッドに比べ
て、開口部３９に隣接するパターニング層３３のコーナ
丸めは小さくなる。図７には１つの隆起しか示されてい
ないが、改良研磨パッド６２の表面は隆起７５と同様な
複数の隆起を有する。
ーナ処理効率は、隆起７５が領域３４の露出部分と接触
する可能性が低くなることにより、フレッシュ・パッド
に比べて高い。領域３４を機械的に研磨することはな
い。また、改良研磨により、フレッシュ・パッドに比べ
て、開口部３９に隣接するパターニング層３３のコーナ
丸めは小さくなる。図７には１つの隆起しか示されてい
ないが、改良研磨パッド６２の表面は隆起７５と同様な
複数の隆起を有する。
【００１９】別の実施例では、改良研磨パッド６２は、
コンタクトまたは穴プラグ(via plug)を形成する際にも
利用できる。図８に示すように、基板１４は領域３４と
パターニング層３３とを含む。この実施例では、領域３
４は導電性であり、パターニング層３３は絶縁材料を含
む。層８２は、領域３４と同じまたは異なる材料でもよ
い導電性材料である。層８２は、パターニング層３３
と、パターニング層の開口部内とにある。基板１４は、
図９に示すような研磨パッド６２によって研磨される。
研磨パッド６２は、パターニング層３３の表面にある層
８２の部分を除去し、開口部内にある層８２の部分を残
す。改良研磨パッド６２によって生じるわん状変形量
は、フレッシュ・パッドに比べて小さいと考えられる。
さらに別の実施例では、２つの導電部材の間の開口部を
埋めるために絶縁材料を利用してもよい。図８および図
９において、領域３４および層８２は絶縁材料を含み、
層３３は導電材料を含んでもよい。研磨後、絶縁層８２
は層３３の導電部材の間の開口部を埋める。
コンタクトまたは穴プラグ(via plug)を形成する際にも
利用できる。図８に示すように、基板１４は領域３４と
パターニング層３３とを含む。この実施例では、領域３
４は導電性であり、パターニング層３３は絶縁材料を含
む。層８２は、領域３４と同じまたは異なる材料でもよ
い導電性材料である。層８２は、パターニング層３３
と、パターニング層の開口部内とにある。基板１４は、
図９に示すような研磨パッド６２によって研磨される。
研磨パッド６２は、パターニング層３３の表面にある層
８２の部分を除去し、開口部内にある層８２の部分を残
す。改良研磨パッド６２によって生じるわん状変形量
は、フレッシュ・パッドに比べて小さいと考えられる。
さらに別の実施例では、２つの導電部材の間の開口部を
埋めるために絶縁材料を利用してもよい。図８および図
９において、領域３４および層８２は絶縁材料を含み、
層３３は導電材料を含んでもよい。研磨後、絶縁層８２
は層３３の導電部材の間の開口部を埋める。
【００２０】本発明は多くの利点を提供する。パッドの
改良は比較的簡単であり、容易に入手可能な材料を利用
して実施できる。例えば、２００ミリメートル径のウェ
ハを研磨する場合、約５ミリメートル厚で２００ミリメ
ートル径の融解石英(fuzed quartz)板を利用して改良を
行うことができる。これは一例にすぎず、制限するもの
ではない。改良パラメータは、改良圧力が隆起を機械的
に変形させるほど十分高いことを除けば、研磨パラメー
タと実質的に同じである。一般に、改良圧力は、少なく
とも約１０ポンド／平方インチ（約６９キロパスカル）
である。前述のように、改良研磨パッドは、パターニン
グ層の開口部内に露出される材料を研磨したり、開口部
の形状を大幅に変化させる可能性が少ない。また、この
改良により、研磨パッドの自乗平均表面あらさは低減さ
れる。自乗平均表面あらさが小さくなることは、フレッ
シュ・パッドに比べてわん状変形を低減するのを助け
る。本発明は、本明細書で説明した実施例や材料によっ
て制限されない。本発明は、同一研磨工程中に任意の数
の半導体基板を研磨できる研磨機で利用できる。さら
に、研磨パッドの改良は研磨機に対して行う必要はな
い。研磨パッドは、滑らかで硬い表面を有するか、装着
できる任意の装置を利用して改良できる。
改良は比較的簡単であり、容易に入手可能な材料を利用
して実施できる。例えば、２００ミリメートル径のウェ
ハを研磨する場合、約５ミリメートル厚で２００ミリメ
ートル径の融解石英(fuzed quartz)板を利用して改良を
行うことができる。これは一例にすぎず、制限するもの
ではない。改良パラメータは、改良圧力が隆起を機械的
に変形させるほど十分高いことを除けば、研磨パラメー
タと実質的に同じである。一般に、改良圧力は、少なく
とも約１０ポンド／平方インチ（約６９キロパスカル）
である。前述のように、改良研磨パッドは、パターニン
グ層の開口部内に露出される材料を研磨したり、開口部
の形状を大幅に変化させる可能性が少ない。また、この
改良により、研磨パッドの自乗平均表面あらさは低減さ
れる。自乗平均表面あらさが小さくなることは、フレッ
シュ・パッドに比べてわん状変形を低減するのを助け
る。本発明は、本明細書で説明した実施例や材料によっ
て制限されない。本発明は、同一研磨工程中に任意の数
の半導体基板を研磨できる研磨機で利用できる。さら
に、研磨パッドの改良は研磨機に対して行う必要はな
い。研磨パッドは、滑らかで硬い表面を有するか、装着
できる任意の装置を利用して改良できる。
【００２１】以上、本発明について特定の実施例を参照
して説明した。しかし、さまざまな修正や変更は、特許
請求の範囲で説明する発明の広い精神や範囲から逸脱せ
ずに可能なことが明らかである。従って、明細書および
図面は、制限的な意味ではなく一例としてみなすべきで
ある。
して説明した。しかし、さまざまな修正や変更は、特許
請求の範囲で説明する発明の広い精神や範囲から逸脱せ
ずに可能なことが明らかである。従って、明細書および
図面は、制限的な意味ではなく一例としてみなすべきで
ある。
【図１】研磨中の研磨パッドおよび半導体基板の断面図
（従来技術）である。
（従来技術）である。
【図２】研磨中の研磨パッドおよび半導体基板の上面図
（従来技術）である。
（従来技術）である。
【図３】研磨パッドの一部および半導体基板の一部の断
面図（従来技術）であり、研磨中のパターニング層の開
口部内の隆起を示す。
面図（従来技術）であり、研磨中のパターニング層の開
口部内の隆起を示す。
【図４】本発明による研磨パッドおよび研磨パッドを改
良するための物体の断面図である。
良するための物体の断面図である。
【図５】本発明による研磨パッドおよび研磨パッドを改
良するための物体の上面図である。
良するための物体の上面図である。
【図６】本発明により形成された改良研磨パッドの断面
図である。
図である。
【図７】改良研磨パッドの一部および半導体基板の一部
の断面図であり、本発明による研磨中にパターニング層
の開口部に隣接する隆起を示す。
の断面図であり、本発明による研磨中にパターニング層
の開口部に隣接する隆起を示す。
【図８】開口部のあるパターニング層を有し、パターニ
ング層と開口部内にある別の層を有する半導体基板の一
部の断面図である。
ング層と開口部内にある別の層を有する半導体基板の一
部の断面図である。
【図９】本発明による研磨段階の最終段階付近における
図８の改良研磨パッドおよび半導体基板の一部の断面図
である。
図８の改良研磨パッドおよび半導体基板の一部の断面図
である。
１０ 研磨機 １１ プラテン １２ 研磨パッド １３ 基板ホールダ ３３ パターニング層 ３４ 領域 ３９ 開口部 ４４ 物体 ６２ 改良研磨パッド ７５ 隆起 ７６ 隆起径 ８２ （絶縁）層 ６２１，６２２ 領域
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板（１４）を研磨する方法であ
って：研磨パッド（６２）を有する研磨機（１０）に半
導体基板（１４）を配置する段階であって：前記研磨パ
ッド（６２）は、平均隆起径（７６）と隆起高の標準偏
差とを有する複数の隆起を含み、 前記平均隆起径（７６）が少なくとも４０ミクロン；前
記隆起高の標準偏差が３０ミクロン以下；または自乗平
均表面あらさが３０ミクロン以下；という特性を含む研
磨パッドを有する研磨機（１０）に半導体基板（１４）
を配置する段階と；前記研磨パッドを利用して半導体基
板（１４）を研磨する段階と；によって構成されること
を特徴とする方法。 - 【請求項２】 半導体基板（１４）を研磨する方法であ
って：研磨パッド（１２）に隣接して物体（４４）を配
置する段階であって：前記研磨パッド（１２）は、第１
領域（６２１）および第２領域（６２２）を含み；前記
第１領域（６２１）は、平均隆起径（７６）および隆起
高の標準偏差を有する複数の隆起（７５）を有し；前記
第１領域（６２１）は、第１面およびこの第１面とは反
対の第２面を有し；前記第１面は表面に隣接し；前記第
２面は、前記第２領域（６２２）に隣接し；前記第２領
域（６２２）は、前記第１領域（６２２）に比べて物体
（４４）から離れている、研磨パッド（６２）を有する
研磨機（１０）に半導体基板（１４）を配置する段階
と；前記物体（４４）を前記研磨パッド（１２）に加圧
し、改良研磨パッド（６２）を形成する段階であって、
前記第１領域（６２１）の特性が：平均隆起径（７６）
が少なくとも４０ミクロン；隆起高の標準偏差が３０ミ
クロン以下；自乗平均表面あらさが３０ミクロン以下；
となるまで、前記加圧を続ける段階と：前記改良研磨パ
ッド（６２）を利用して半導体基板（１４）を研磨する
段階と；によって構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 半導体基板を研磨する研磨パッド（６
２）であって、前記研磨パッドは、平均隆起径（７６）
および隆起高の標準偏差を有する複数の隆起からなり、
前記研磨パッド（６２）は：前記隆起径（７６）が少な
くとも４０ミクロン；前記隆起高の標準偏差が３０ミク
ロン以下；および自乗平均表面あらさが３０ミクロン以
下；である特性を有することを特徴とする研磨パッド
（６２）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7726593A | 1993-06-17 | 1993-06-17 | |
| US077265 | 1993-06-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722362A true JPH0722362A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3616407B2 JP3616407B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=22137062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14875794A Expired - Fee Related JP3616407B2 (ja) | 1993-06-17 | 1994-06-08 | 半導体基板を研磨する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5674352A (ja) |
| EP (1) | EP0638391A1 (ja) |
| JP (1) | JP3616407B2 (ja) |
| KR (1) | KR100307276B1 (ja) |
| TW (1) | TW367551B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064720A1 (en) | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Webbing guide mechanism |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2914166B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
| TW344695B (en) * | 1995-08-24 | 1998-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for polishing semiconductor substrate |
| US6051495A (en) * | 1997-10-31 | 2000-04-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Seasoning of a semiconductor wafer polishing pad to polish tungsten |
| US6135863A (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of conditioning wafer polishing pads |
| DE10162597C1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-03-20 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung beidseitig polierter Halbleiterscheiben |
| JP2009194134A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
| US9925637B2 (en) * | 2016-08-04 | 2018-03-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Tapered poromeric polishing pad |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283857A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 研磨布 |
| JP2707264B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1998-01-28 | ハイ・コントロール・リミテッド | 研磨シートおよびその製造方法 |
| JPH01193166A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-03 | Showa Denko Kk | 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド |
| CA1298980C (en) * | 1988-02-26 | 1992-04-21 | Clyde D. Calhoun | Abrasive sheeting having individually positioned abrasive granules |
| EP0348757B1 (en) * | 1988-06-28 | 1995-01-04 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method for polishing a silicon wafer |
| US4962562A (en) * | 1989-01-18 | 1990-10-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Compounding, glazing or polishing pad |
| JP2994404B2 (ja) * | 1989-07-06 | 1999-12-27 | ハイ・コントロール・リミテッド | バインダーをフォーム状にして塗布する研磨シートの製造方法 |
| US5219462A (en) * | 1992-01-13 | 1993-06-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having abrasive composite members positioned in recesses |
| US5534106A (en) * | 1994-07-26 | 1996-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing semiconductor wafers |
| US5611943A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-18 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads |
-
1994
- 1994-04-27 TW TW083103794A patent/TW367551B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-06-08 JP JP14875794A patent/JP3616407B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-13 EP EP94109011A patent/EP0638391A1/en not_active Withdrawn
- 1994-06-16 KR KR1019940013584A patent/KR100307276B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-05-15 US US08/456,278 patent/US5674352A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064720A1 (en) | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Webbing guide mechanism |
| US7712785B2 (en) | 2004-12-14 | 2010-05-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Webbing guide mechanism |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5674352A (en) | 1997-10-07 |
| EP0638391A1 (en) | 1995-02-15 |
| KR100307276B1 (ko) | 2001-11-30 |
| TW367551B (en) | 1999-08-21 |
| KR950001933A (ko) | 1995-01-04 |
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