JPH07221108A - 半導体装置の電極構造およびその電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極構造およびその電極形成方法Info
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- JPH07221108A JPH07221108A JP2908994A JP2908994A JPH07221108A JP H07221108 A JPH07221108 A JP H07221108A JP 2908994 A JP2908994 A JP 2908994A JP 2908994 A JP2908994 A JP 2908994A JP H07221108 A JPH07221108 A JP H07221108A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置において、電極形成が技術的に困
難なウェット方式の電解メッキ法を用いず、完全ドライ
方式で電極を形成することができるようにする。 【構成】 基板１のアルミ電極３およびパッシベーショ
ン膜４の上に、ポリイミド等の有機材料の絶縁物質によ
り有機膜５を形成して、アルミ電極３の上方部だけ残る
ようにパターンニングすることで、有機膜突起６を形成
する。次いで、この有機膜突起６に酸素ラジカル等の高
エネルギー粒子７を照射して、少なくとも一部がアモル
ファス化されてアモルファスカーボン状態の導電性物質
（変質層８）に変質した導電性有機膜電極９を形成す
る。
難なウェット方式の電解メッキ法を用いず、完全ドライ
方式で電極を形成することができるようにする。 【構成】 基板１のアルミ電極３およびパッシベーショ
ン膜４の上に、ポリイミド等の有機材料の絶縁物質によ
り有機膜５を形成して、アルミ電極３の上方部だけ残る
ようにパターンニングすることで、有機膜突起６を形成
する。次いで、この有機膜突起６に酸素ラジカル等の高
エネルギー粒子７を照射して、少なくとも一部がアモル
ファス化されてアモルファスカーボン状態の導電性物質
（変質層８）に変質した導電性有機膜電極９を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に形成する
バンプ電極等の半導体装置の電極構造と、その電極形成
方法に関するものである。
バンプ電極等の半導体装置の電極構造と、その電極形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体基板（以下、単に基板と
呼ぶ）にバンプ電極を形成する場合、基板のバンプ電極
形成面にメッキレジスト層を形成し、このメッキレジス
ト層をエッチングして開口を形成することにより、この
開口からパッド部を露出させ、その露出したパッド部に
メッキ装置を用いて金等のメッキを施し、その施したメ
ッキによってバンプ電極を形成している。
呼ぶ）にバンプ電極を形成する場合、基板のバンプ電極
形成面にメッキレジスト層を形成し、このメッキレジス
ト層をエッチングして開口を形成することにより、この
開口からパッド部を露出させ、その露出したパッド部に
メッキ装置を用いて金等のメッキを施し、その施したメ
ッキによってバンプ電極を形成している。
【０００３】図３（ａ）〜（ｅ）はこのような基板にバ
ンプ電極を形成する従来の電極形成方法を示したもので
ある。先ず、図３（ａ）に示すように、基板３１に酸化
シリコンからなる酸化膜３２を介してアルミ電極３３が
形成されており、アルミ電極３３の周囲はパッシベーシ
ョン膜３４により覆われている。このパッシベーション
膜３４は酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる絶縁
膜による保護膜である。
ンプ電極を形成する従来の電極形成方法を示したもので
ある。先ず、図３（ａ）に示すように、基板３１に酸化
シリコンからなる酸化膜３２を介してアルミ電極３３が
形成されており、アルミ電極３３の周囲はパッシベーシ
ョン膜３４により覆われている。このパッシベーション
膜３４は酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる絶縁
膜による保護膜である。
【０００４】そして、この電極形成方法では、図３
（ｂ）に示すように、アルミ電極３３およびパッシベー
ション膜３４の上に、後述するメッキ処理時におけるメ
ッキ電流の通電のための下地金属層３５を真空蒸着法、
スパッター等の薄膜形成方法により形成する。この下地
金属層３５の構造は、図示しないが詳細には、２層また
は３層構造がある。
（ｂ）に示すように、アルミ電極３３およびパッシベー
ション膜３４の上に、後述するメッキ処理時におけるメ
ッキ電流の通電のための下地金属層３５を真空蒸着法、
スパッター等の薄膜形成方法により形成する。この下地
金属層３５の構造は、図示しないが詳細には、２層また
は３層構造がある。
【０００５】なお、この２層または３層構造による下地
金属層３５において、各々の層構造の１層目（アルミ電
極３３側から）の接着層は、アルミ電極３３およびパッ
シベーション膜３４との接着の役目をしており、その使
用される金属材料には、Ｃｒ，Ｔｉ，ＴｉとＷとの合金
等の材料が用いられる。また、２層目のバリア層は、ア
ルミとバンプ電極に用いられる金属材料の相互拡散を防
止または遅延させるために用いられるもので、その使用
される金属材料には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等の材料
が用いられる。さらに、３層目として、２層目のバリア
層の表面酸化防止の目的や、電極形成方法のバンプメッ
キにおいて良好な剪断強度を維持するために用いられる
場合があり、Ａｕ等の材料が５００〜２０００Å程度の
層厚で用いられる。
金属層３５において、各々の層構造の１層目（アルミ電
極３３側から）の接着層は、アルミ電極３３およびパッ
シベーション膜３４との接着の役目をしており、その使
用される金属材料には、Ｃｒ，Ｔｉ，ＴｉとＷとの合金
等の材料が用いられる。また、２層目のバリア層は、ア
ルミとバンプ電極に用いられる金属材料の相互拡散を防
止または遅延させるために用いられるもので、その使用
される金属材料には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等の材料
が用いられる。さらに、３層目として、２層目のバリア
層の表面酸化防止の目的や、電極形成方法のバンプメッ
キにおいて良好な剪断強度を維持するために用いられる
場合があり、Ａｕ等の材料が５００〜２０００Å程度の
層厚で用いられる。
【０００６】次に、以上の下地金属層３５の表面に、メ
ッキレジストをスピンコート法等の方法を用いて塗布
し、既知のように、図示しないガラスマスクを用いて露
光、現像を実施してパターンニングを行い、図３（ｃ）
に示すように、メッキレジスト層３６および所定のレジ
スト開口部３７を形成する。
ッキレジストをスピンコート法等の方法を用いて塗布
し、既知のように、図示しないガラスマスクを用いて露
光、現像を実施してパターンニングを行い、図３（ｃ）
に示すように、メッキレジスト層３６および所定のレジ
スト開口部３７を形成する。
【０００７】次に、図３（ｄ）に示すように、基板３１
をフェイスダウン（基板３１の表面を下に向ける）に
し、既知のように、図示しないバンプメッキカップに設
置して、メッキ処理を行う。このメッキ処理により、レ
ジスト開口部３７に電極金属材料（金または半田）３８
が析出する。この電極金属材料３８の厚みは１５〜２５
μｍ程度である。
をフェイスダウン（基板３１の表面を下に向ける）に
し、既知のように、図示しないバンプメッキカップに設
置して、メッキ処理を行う。このメッキ処理により、レ
ジスト開口部３７に電極金属材料（金または半田）３８
が析出する。この電極金属材料３８の厚みは１５〜２５
μｍ程度である。
【０００８】次に、メッキレジスト層３６および下地金
属層３５を、既知のように、エッチング等により次々に
除去することで、図３（ｅ）に示したように、バンプ電
極３９を形成する。このように、バンプ電極３９の形成
方法は、ウェット方法であるメッキ液を用いた電解メッ
キ法であった。
属層３５を、既知のように、エッチング等により次々に
除去することで、図３（ｅ）に示したように、バンプ電
極３９を形成する。このように、バンプ電極３９の形成
方法は、ウェット方法であるメッキ液を用いた電解メッ
キ法であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ウェッ
ト方法である電解メッキ法によるバンプ電極３９の形成
方法では、メッキ液の管理が非常に難しい。即ち、基板
３１がその表面を下に向けてメッキカップにセットされ
るため、メッキ液を噴き上げた際、基板３１の表面やレ
ジスト開口部３７にメッキ液中の気泡（エアー）が溜っ
てしまい、安定してバンプメッキをすることができな
い。また、メッキ金属の電解析出中の電気化学反応にお
いて発生するガスもレジスト開口部３７や基板３１表面
に溜り、バンプメッキの形成を妨げてしまう。
ト方法である電解メッキ法によるバンプ電極３９の形成
方法では、メッキ液の管理が非常に難しい。即ち、基板
３１がその表面を下に向けてメッキカップにセットされ
るため、メッキ液を噴き上げた際、基板３１の表面やレ
ジスト開口部３７にメッキ液中の気泡（エアー）が溜っ
てしまい、安定してバンプメッキをすることができな
い。また、メッキ金属の電解析出中の電気化学反応にお
いて発生するガスもレジスト開口部３７や基板３１表面
に溜り、バンプメッキの形成を妨げてしまう。
【００１０】従って、メッキ液中の気泡により電極外観
不良が発生し、製品の歩留まりが低い、電極表面状態が
安定しない、電極硬度が安定しない、電極高さバラツキ
が大きい等の欠点が発生し、メッキ方法による均一な電
極形成は技術的に困難なものであった。
不良が発生し、製品の歩留まりが低い、電極表面状態が
安定しない、電極硬度が安定しない、電極高さバラツキ
が大きい等の欠点が発生し、メッキ方法による均一な電
極形成は技術的に困難なものであった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、半導体装置にお
いて、ウェット方式の電解メッキ法を用いず、完全ドラ
イ方式で電極を形成することができる電極構造を提供す
るとともに、その電極形成方法を提供することにある。
いて、ウェット方式の電解メッキ法を用いず、完全ドラ
イ方式で電極を形成することができる電極構造を提供す
るとともに、その電極形成方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべく
請求項１記載の発明は、半導体装置の電極構造であっ
て、有機材料の絶縁物質を高エネルギー粒子により導電
性物質に変質させた導電性有機膜からなる突起電極を備
えた構成を特徴としている。
請求項１記載の発明は、半導体装置の電極構造であっ
て、有機材料の絶縁物質を高エネルギー粒子により導電
性物質に変質させた導電性有機膜からなる突起電極を備
えた構成を特徴としている。
【００１３】そして、請求項２記載の発明は、請求項１
記載の発明において、前記有機材料はポリイミドで、前
記高エネルギー粒子はラジカルであり、このラジカルの
照射により前記ポリイミドによる有機膜の少なくとも一
部をアモルファス化して導電性を具備させるようにした
ことを特徴としている。
記載の発明において、前記有機材料はポリイミドで、前
記高エネルギー粒子はラジカルであり、このラジカルの
照射により前記ポリイミドによる有機膜の少なくとも一
部をアモルファス化して導電性を具備させるようにした
ことを特徴としている。
【００１４】また、請求項３記載の発明は、半導体装置
の電極形成方法であって、有機材料の絶縁物質により有
機膜を形成し、次いで、この有機膜に高エネルギー粒子
を照射して、導電性物質に変質した導電性有機膜からな
る突起電極を形成することを特徴としている。
の電極形成方法であって、有機材料の絶縁物質により有
機膜を形成し、次いで、この有機膜に高エネルギー粒子
を照射して、導電性物質に変質した導電性有機膜からな
る突起電極を形成することを特徴としている。
【００１５】さらに、請求項４記載の発明は、請求項３
記載の発明において、前記有機材料はポリイミドで、前
記高エネルギー粒子はラジカルであり、このラジカルの
照射により前記ポリイミドによる有機膜の少なくとも一
部をアモルファス化させて導電性を具備させるようにし
たことを特徴としている。
記載の発明において、前記有機材料はポリイミドで、前
記高エネルギー粒子はラジカルであり、このラジカルの
照射により前記ポリイミドによる有機膜の少なくとも一
部をアモルファス化させて導電性を具備させるようにし
たことを特徴としている。
【００１６】
【作用】請求項１記載の発明によれば、有機材料の絶縁
物質を高エネルギー粒子により導電性物質に変質させた
導電性有機膜からなる突起電極であるので、従来のよう
なウェット方式の電解メッキ法を用いずに、下地金属層
も形成せずに、完全ドライ方式で電極を形成できる。従
って、従来のような気泡による電極外観不良やメッキ液
管理の問題は根本的になくなる。
物質を高エネルギー粒子により導電性物質に変質させた
導電性有機膜からなる突起電極であるので、従来のよう
なウェット方式の電解メッキ法を用いずに、下地金属層
も形成せずに、完全ドライ方式で電極を形成できる。従
って、従来のような気泡による電極外観不良やメッキ液
管理の問題は根本的になくなる。
【００１７】そして、請求項２記載の発明によれば、有
機材料をポリイミド、高エネルギー粒子をラジカルとし
たことにより、ラジカルの照射によりポリイミドによる
有機膜の少なくとも一部をアモルファス化させて、導電
性を具備させることによって、導電性有機膜からなる突
起電極が得られる。
機材料をポリイミド、高エネルギー粒子をラジカルとし
たことにより、ラジカルの照射によりポリイミドによる
有機膜の少なくとも一部をアモルファス化させて、導電
性を具備させることによって、導電性有機膜からなる突
起電極が得られる。
【００１８】また、請求項３記載の発明によれば、有機
材料の絶縁物質により形成した有機膜に高エネルギー粒
子を照射して、導電性物質に変質した導電性有機膜から
なる突起電極を形成したので、従来のようなウェット方
式の電解メッキ法を用いずに、下地金属層も形成せず
に、完全ドライ方式で電極を形成できる。従って、従来
のような気泡による電極外観不良やメッキ液管理の問題
は根本的になくなる。
材料の絶縁物質により形成した有機膜に高エネルギー粒
子を照射して、導電性物質に変質した導電性有機膜から
なる突起電極を形成したので、従来のようなウェット方
式の電解メッキ法を用いずに、下地金属層も形成せず
に、完全ドライ方式で電極を形成できる。従って、従来
のような気泡による電極外観不良やメッキ液管理の問題
は根本的になくなる。
【００１９】さらに、請求項４記載の発明によれば、有
機材料をポリイミド、高エネルギー粒子をラジカルとし
たことにより、ラジカルの照射によりポリイミドによる
有機膜の少なくとも一部をアモルファス化して、導電性
を具備させることによって、導電性有機膜からなる突起
電極を形成できる。
機材料をポリイミド、高エネルギー粒子をラジカルとし
たことにより、ラジカルの照射によりポリイミドによる
有機膜の少なくとも一部をアモルファス化して、導電性
を具備させることによって、導電性有機膜からなる突起
電極を形成できる。
【００２０】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置の電極構造
およびその電極形成方法の実施例を図１および図２に基
づいて説明する。
およびその電極形成方法の実施例を図１および図２に基
づいて説明する。
【００２１】先ず、図１（ａ）〜（ｅ）は基板にバンプ
電極を形成する本発明による電極形成方法を示したもの
で、１は基板、２は酸化膜、３はアルミ電極、４はパッ
シベーション膜、５は有機膜、６は有機膜突起、７は高
エネルギー粒子、８は変質層、９は導電性有機膜電極
（突起電極）である。
電極を形成する本発明による電極形成方法を示したもの
で、１は基板、２は酸化膜、３はアルミ電極、４はパッ
シベーション膜、５は有機膜、６は有機膜突起、７は高
エネルギー粒子、８は変質層、９は導電性有機膜電極
（突起電極）である。
【００２２】図１（ａ）に示すように、基板１には、従
来と同様に、酸化シリコンからなる酸化膜２を介してア
ルミ電極３が形成されており、このアルミ電極３の周囲
は、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる絶縁膜に
よる保護膜であるパッシベーション膜４により覆われて
いる。
来と同様に、酸化シリコンからなる酸化膜２を介してア
ルミ電極３が形成されており、このアルミ電極３の周囲
は、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる絶縁膜に
よる保護膜であるパッシベーション膜４により覆われて
いる。
【００２３】そして、本発明による電極形成方法では、
以上の基板１の表面に、特に、ポリイミド等の有機膜５
を塗布し、この有機膜５がアルミ電極３上部だけに残る
ようにパターンニングする。
以上の基板１の表面に、特に、ポリイミド等の有機膜５
を塗布し、この有機膜５がアルミ電極３上部だけに残る
ようにパターンニングする。
【００２４】即ち、図１（ｂ）に示すように、基板１表
面のアルミ電極３およびパッシベーション膜４の上に、
絶縁性を有する有機材料をスピンコート法またはロール
コート法により塗布して、膜厚が１５〜２５μｍ程度の
有機膜５を形成する。この有機膜５は、感光性のもので
も非感光性のものでも構わないが、実施例では、感光性
有機材料のポリイミドを用いている。
面のアルミ電極３およびパッシベーション膜４の上に、
絶縁性を有する有機材料をスピンコート法またはロール
コート法により塗布して、膜厚が１５〜２５μｍ程度の
有機膜５を形成する。この有機膜５は、感光性のもので
も非感光性のものでも構わないが、実施例では、感光性
有機材料のポリイミドを用いている。
【００２５】次に、以上の有機膜５の表面に、図示しな
いガラスマスクを用いて露光、現像を実施してパターン
ニングを行い、図１（ｃ）に示すように、絶縁性の有機
膜突起６を形成する。
いガラスマスクを用いて露光、現像を実施してパターン
ニングを行い、図１（ｃ）に示すように、絶縁性の有機
膜突起６を形成する。
【００２６】次に、図１（ｄ）に示すように、この状態
で基板１の表面に高エネルギー粒子７を照射する。この
高エネルギー粒子７は、例えば、アルゴン（Ａｒ）等の
原子、酸素のプラズマ状態により得られる酸素ラジカル
（Ｏ+）や電子等の荷電粒子等であり、具体的には、真
空中で電界を印加することによって、特に、有機膜突起
６の表面に照射する。なお、この高エネルギー粒子７を
照射する前までは、有機膜突起６は絶縁性を示してい
る。
で基板１の表面に高エネルギー粒子７を照射する。この
高エネルギー粒子７は、例えば、アルゴン（Ａｒ）等の
原子、酸素のプラズマ状態により得られる酸素ラジカル
（Ｏ+）や電子等の荷電粒子等であり、具体的には、真
空中で電界を印加することによって、特に、有機膜突起
６の表面に照射する。なお、この高エネルギー粒子７を
照射する前までは、有機膜突起６は絶縁性を示してい
る。
【００２７】このように、有機膜突起６の表面に高エネ
ルギー粒子７を照射することによって、有機膜突起６
は、その表面から化学反応により導電性を有する変質層
８に変質していき、図１（ｅ）に示すように、導電性有
機膜電極９となる。なお、この導電性有機膜電極９の厚
みは上述した膜厚と同様に１５〜２５μｍ程度となる。
ルギー粒子７を照射することによって、有機膜突起６
は、その表面から化学反応により導電性を有する変質層
８に変質していき、図１（ｅ）に示すように、導電性有
機膜電極９となる。なお、この導電性有機膜電極９の厚
みは上述した膜厚と同様に１５〜２５μｍ程度となる。
【００２８】ここで、絶縁性の有機膜突起６に高エネル
ギー粒子７を照射することにより、導電性有機膜電極９
に変質することについて、ポリイミドにＯ+を照射した
場合で説明する。
ギー粒子７を照射することにより、導電性有機膜電極９
に変質することについて、ポリイミドにＯ+を照射した
場合で説明する。
【００２９】先ず、〔化１〕に示すように、ポリイミド
は化学式（Ｉ）で表される。このポリイミドにＯ+を照
射すると、Ｏ+のエネルギーによってポリイミド構造に
おける結合力の弱い部分が切断される。即ち、図２に示
すように、ポリイミドは、水酸基と、炭素基（Ａ）また
はエステル基（Ｂ）またはアミノ基（Ｃ）に分解し、残
りの部分がアモルファス化されてアモルファスカーボン
状態に変質し、導電性を示すようになる。
は化学式（Ｉ）で表される。このポリイミドにＯ+を照
射すると、Ｏ+のエネルギーによってポリイミド構造に
おける結合力の弱い部分が切断される。即ち、図２に示
すように、ポリイミドは、水酸基と、炭素基（Ａ）また
はエステル基（Ｂ）またはアミノ基（Ｃ）に分解し、残
りの部分がアモルファス化されてアモルファスカーボン
状態に変質し、導電性を示すようになる。
【００３０】従って、基板１のアルミ電極３上に導電性
有機膜電極９を形成することができて、これによりバン
プ電極を形成することができる。
有機膜電極９を形成することができて、これによりバン
プ電極を形成することができる。
【００３１】以上の通り、本発明による電極形成方法に
よれば、全プロセスをドライ方式で対応することができ
るため、従来のウェット方式の電解メッキ法によるよう
な下地金属層が不要となり、メッキ液中の気泡による電
極外観不良やメッキ液管理の問題を根本的になくすこと
ができる。
よれば、全プロセスをドライ方式で対応することができ
るため、従来のウェット方式の電解メッキ法によるよう
な下地金属層が不要となり、メッキ液中の気泡による電
極外観不良やメッキ液管理の問題を根本的になくすこと
ができる。
【００３２】そして、以下に列挙する利点を得ることが
できる。プロセスの単純化のため、コストダウンが図
れる。使用材料が高価でないため、コストダウンが図
れる。バンプ電極高さのバラツキが従来より１／２〜
１／３程度に向上する。気泡の影響が全くない。
できる。プロセスの単純化のため、コストダウンが図
れる。使用材料が高価でないため、コストダウンが図
れる。バンプ電極高さのバラツキが従来より１／２〜
１／３程度に向上する。気泡の影響が全くない。
【００３３】なお、以上の実施例においては、バンプ電
極を形成する有機材料としてポリイミドを挙げたが、本
発明はこれのみに限定されるものではなく、高エネルギ
ー粒子の照射により導電性物質に変質する他の有機材料
による絶縁物質であってもよい。また、その他、具体的
な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿
論である。
極を形成する有機材料としてポリイミドを挙げたが、本
発明はこれのみに限定されるものではなく、高エネルギ
ー粒子の照射により導電性物質に変質する他の有機材料
による絶縁物質であってもよい。また、その他、具体的
な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿
論である。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明に係
る半導体装置の電極構造によれば、有機材料の絶縁物質
を高エネルギー粒子により導電性物質に変質させた導電
性有機膜からなる突起電極を形成したため、従来のよう
なウェット方式の電解メッキ法を用いずに、下地金属層
も形成せずに、完全ドライ方式で有機材料により電極を
形成することができる。従って、従来のような気泡によ
る電極外観不良やメッキ液管理の問題は根本的になくす
ことができる。
る半導体装置の電極構造によれば、有機材料の絶縁物質
を高エネルギー粒子により導電性物質に変質させた導電
性有機膜からなる突起電極を形成したため、従来のよう
なウェット方式の電解メッキ法を用いずに、下地金属層
も形成せずに、完全ドライ方式で有機材料により電極を
形成することができる。従って、従来のような気泡によ
る電極外観不良やメッキ液管理の問題は根本的になくす
ことができる。
【００３５】そして、請求項２記載の発明に係る半導体
装置の電極構造によれば、ラジカルの照射によりポリイ
ミドによる有機膜の少なくとも一部をアモルファス化さ
せて、導電性を具備させることによって、導電性有機膜
からなる突起電極を得ることができる。
装置の電極構造によれば、ラジカルの照射によりポリイ
ミドによる有機膜の少なくとも一部をアモルファス化さ
せて、導電性を具備させることによって、導電性有機膜
からなる突起電極を得ることができる。
【００３６】また、請求項３記載の発明に係る半導体装
置の電極形成方法によれば、有機材料の絶縁物質により
形成した有機膜に高エネルギー粒子を照射して、導電性
物質に変質した導電性有機膜からなる突起電極を形成す
るようにしたため、従来のようなウェット方式の電解メ
ッキ法を用いずに、下地金属層も形成せずに、完全ドラ
イ方式で有機材料により電極を形成することができる。
従って、従来のような気泡による電極外観不良やメッキ
液管理の問題を根本的になくすことができる。
置の電極形成方法によれば、有機材料の絶縁物質により
形成した有機膜に高エネルギー粒子を照射して、導電性
物質に変質した導電性有機膜からなる突起電極を形成す
るようにしたため、従来のようなウェット方式の電解メ
ッキ法を用いずに、下地金属層も形成せずに、完全ドラ
イ方式で有機材料により電極を形成することができる。
従って、従来のような気泡による電極外観不良やメッキ
液管理の問題を根本的になくすことができる。
【００３７】さらに、請求項４記載の発明に係る半導体
装置の電極形成方法によれば、ラジカルの照射によりポ
リイミドによる有機膜の少なくとも一部をアモルファス
化して、導電性を具備させることによって、導電性有機
膜からなる突起電極を形成することができる。
装置の電極形成方法によれば、ラジカルの照射によりポ
リイミドによる有機膜の少なくとも一部をアモルファス
化して、導電性を具備させることによって、導電性有機
膜からなる突起電極を形成することができる。
【図１】基板にバンプ電極を形成する本発明による電極
形成方法を示したもので、（ａ）はアルミ電極およびパ
ッシベーション膜の形成工程を示す断面図、（ｂ）は有
機膜の塗布工程を示す断面図、（ｃ）は有機膜のパター
ンニング工程を示す断面図、（ｄ）は高エネルギー粒子
の照射工程を示す断面図、（ｅ）は導電性有機膜電極を
示す断面図である。
形成方法を示したもので、（ａ）はアルミ電極およびパ
ッシベーション膜の形成工程を示す断面図、（ｂ）は有
機膜の塗布工程を示す断面図、（ｃ）は有機膜のパター
ンニング工程を示す断面図、（ｄ）は高エネルギー粒子
の照射工程を示す断面図、（ｅ）は導電性有機膜電極を
示す断面図である。
【図２】有機膜の変質を説明する概要図である。
【図３】基板にバンプ電極を形成する従来の電極形成方
法を示したもので、（ａ）はアルミ電極およびパッシベ
ーション膜の形成工程を示す断面図、（ｂ）は下地金属
層の形成工程を示す断面図、（ｃ）はメッキレジストの
パターンニング工程を示す断面図、（ｄ）はバンプメッ
キ工程を示す断面図、（ｅ）はバンプ電極を示す断面図
である。
法を示したもので、（ａ）はアルミ電極およびパッシベ
ーション膜の形成工程を示す断面図、（ｂ）は下地金属
層の形成工程を示す断面図、（ｃ）はメッキレジストの
パターンニング工程を示す断面図、（ｄ）はバンプメッ
キ工程を示す断面図、（ｅ）はバンプ電極を示す断面図
である。
１ 基板 ２ 酸化膜 ３ アルミ電極 ４ パッシベーション膜 ５ 有機膜 ６ 有機膜突起 ７ 高エネルギー粒子 ８ 変質層 ９ 導電性有機膜電極（突起電極）
【化１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/92 Ｆ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置の電極構造であって、 有機材料の絶縁物質を高エネルギー粒子により導電性物
質に変質させた導電性有機膜からなる突起電極を備えた
ことを特徴とする半導体装置の電極構造。 - 【請求項２】 前記有機材料はポリイミドで、前記高エ
ネルギー粒子はラジカルであり、 このラジカルの照射により前記ポリイミドによる有機膜
の少なくとも一部をアモルファス化して導電性を具備さ
せたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電極
構造。 - 【請求項３】 半導体装置の電極形成方法であって、 有機材料の絶縁物質により有機膜を形成し、 次いで、この有機膜に高エネルギー粒子を照射して、導
電性物質に変質した導電性有機膜からなる突起電極を形
成することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項４】 前記有機材料はポリイミドで、前記高エ
ネルギー粒子はラジカルであり、 このラジカルの照射により前記ポリイミドによる有機膜
の少なくとも一部をアモルファス化させて導電性を具備
させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の電
極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2908994A JPH07221108A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体装置の電極構造およびその電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2908994A JPH07221108A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体装置の電極構造およびその電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221108A true JPH07221108A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12266631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2908994A Pending JPH07221108A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体装置の電極構造およびその電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221108A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769162B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100769161B1 (ko) * | 2001-03-05 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100769185B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP2908994A patent/JPH07221108A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769185B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100769161B1 (ko) * | 2001-03-05 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100769162B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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