JPH07193030A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェハの製造方法Info
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- JPH07193030A JPH07193030A JP35491493A JP35491493A JPH07193030A JP H07193030 A JPH07193030 A JP H07193030A JP 35491493 A JP35491493 A JP 35491493A JP 35491493 A JP35491493 A JP 35491493A JP H07193030 A JPH07193030 A JP H07193030A
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面にポリシリコン膜が堆積された半導体ウ
ェハのエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を簡単に除
去する。 【構成】 半導体ウェハのエッジ部に堆積されたポリシ
リコン膜を、表面に砥粒が設けられたテープを該エッジ
部に摺動させることにより除去する。
ェハのエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を簡単に除
去する。 【構成】 半導体ウェハのエッジ部に堆積されたポリシ
リコン膜を、表面に砥粒が設けられたテープを該エッジ
部に摺動させることにより除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも片面にポリ
シリコン膜を堆積させた半導体ウェハの製造方法に関す
るものである。
シリコン膜を堆積させた半導体ウェハの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、トランジスター、ＩＣ等のデバイ
スのプロセス機構が複雑化し、その加工における工程数
も増加する傾向にあるため、その基材である半導体ウェ
ハに対する汚染を皆無にすること、特に一旦ウェハに付
着した不純物を完全に除去することは極めて困難であ
り、極微量の不純物の付着でもデバイス性を悪化させ、
製品の歩留りを低下させる原因となっている。この問題
を解決する方法としてＥＧ法が採用されてきた。これ
は、半導体ウェハのウェハ裏面に結晶欠陥や歪を形成し
て熱処理を行い、汚染物質を捕獲、固着させるものであ
る。特にサンドブラストによりウェハ裏面に歪をつける
バックサイド法が採用されてきたが、耐久性が悪いこと
や二次加工の際にウェハに発生したパーティクルを嫌う
ことから、ウェハ裏面にポリシリコン膜を堆積する方法
に移行してきている。これはスライスされたウェハ面に
ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を０．５〜１．５μｍ
程度堆積させ、ポリシリコン膜の結晶粒界やポリシリコ
ン膜とウェハ基面との境界に不純物金属を捕獲、固着す
る、即ちゲッタリングする方法である。
スのプロセス機構が複雑化し、その加工における工程数
も増加する傾向にあるため、その基材である半導体ウェ
ハに対する汚染を皆無にすること、特に一旦ウェハに付
着した不純物を完全に除去することは極めて困難であ
り、極微量の不純物の付着でもデバイス性を悪化させ、
製品の歩留りを低下させる原因となっている。この問題
を解決する方法としてＥＧ法が採用されてきた。これ
は、半導体ウェハのウェハ裏面に結晶欠陥や歪を形成し
て熱処理を行い、汚染物質を捕獲、固着させるものであ
る。特にサンドブラストによりウェハ裏面に歪をつける
バックサイド法が採用されてきたが、耐久性が悪いこと
や二次加工の際にウェハに発生したパーティクルを嫌う
ことから、ウェハ裏面にポリシリコン膜を堆積する方法
に移行してきている。これはスライスされたウェハ面に
ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を０．５〜１．５μｍ
程度堆積させ、ポリシリコン膜の結晶粒界やポリシリコ
ン膜とウェハ基面との境界に不純物金属を捕獲、固着す
る、即ちゲッタリングする方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法により製造された半導体ウェハは、堆積させ
たポリシリコンがウェハのエッジ部にも堆積してしま
い、ウェハ表面に鏡面加工を施した後に行われるエピタ
キシャル成長工程において、半導体ウェハのエッジ部に
ひげ状の突起物（ノジュール）が発生し、これがデバイ
スプロセス工程中に繰り返される搬送、ハンドリングに
よる摩擦等による塵芥発生の原因となっており、製品の
歩留りを低下させる原因となっていた。
ような方法により製造された半導体ウェハは、堆積させ
たポリシリコンがウェハのエッジ部にも堆積してしま
い、ウェハ表面に鏡面加工を施した後に行われるエピタ
キシャル成長工程において、半導体ウェハのエッジ部に
ひげ状の突起物（ノジュール）が発生し、これがデバイ
スプロセス工程中に繰り返される搬送、ハンドリングに
よる摩擦等による塵芥発生の原因となっており、製品の
歩留りを低下させる原因となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、少
なくとも片面にポリシリコン膜を堆積させた半導体ウェ
ハの製造方法において、半導体ウェハのエッジ部に堆積
されたポリシリコン膜を、表面に研磨物を設けたテープ
を該半導体ウェハのエッジ部に摺動させて除去するよう
にしたものである。
なくとも片面にポリシリコン膜を堆積させた半導体ウェ
ハの製造方法において、半導体ウェハのエッジ部に堆積
されたポリシリコン膜を、表面に研磨物を設けたテープ
を該半導体ウェハのエッジ部に摺動させて除去するよう
にしたものである。
【０００５】
【作用】本発明に係る半導体ウェハの製造法によれば、
半導体ウェハ面にポリシリコン膜を堆積させる際に、同
時に堆積される半導体ウェハのエッジ部のポリシリコン
膜は、テープ研磨により除去されるので、半導体ウェハ
のエッジ部にダメージ層が残ることなく、また十分な面
粗さに仕上げられる。また、鏡面面取りもこのテープ研
磨により同時にすることができ、１つの工程が減り非常
に効率的である。その後少なくともポリシリコン膜が堆
積された面に酸化膜を形成した後、再びエッジ部の酸化
膜を除去し、ウェハの表面に鏡面加工を施した後のエピ
タキシャル成長工程において、半導体ウェハのエッジ部
のひげ状の突起物（ノジュール）の発生が無くなり、こ
のためデバイスプロセス工程中における塵芥の発生を低
減することができる。
半導体ウェハ面にポリシリコン膜を堆積させる際に、同
時に堆積される半導体ウェハのエッジ部のポリシリコン
膜は、テープ研磨により除去されるので、半導体ウェハ
のエッジ部にダメージ層が残ることなく、また十分な面
粗さに仕上げられる。また、鏡面面取りもこのテープ研
磨により同時にすることができ、１つの工程が減り非常
に効率的である。その後少なくともポリシリコン膜が堆
積された面に酸化膜を形成した後、再びエッジ部の酸化
膜を除去し、ウェハの表面に鏡面加工を施した後のエピ
タキシャル成長工程において、半導体ウェハのエッジ部
のひげ状の突起物（ノジュール）の発生が無くなり、こ
のためデバイスプロセス工程中における塵芥の発生を低
減することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの製造方法を示
す要部正面断面図、図２は本発明に係る製造方法で製造
された半導体ウェハの正面断面図である。
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの製造方法を示
す要部正面断面図、図２は本発明に係る製造方法で製造
された半導体ウェハの正面断面図である。
【０００７】本実施例の半導体ウェハの製造方法は図１
に示すように、半導体ウェハ１、回転台３およびテープ
研磨機構４により構成されている。
に示すように、半導体ウェハ１、回転台３およびテープ
研磨機構４により構成されている。
【０００８】半導体ウェハ１のウェハ基部１１の裏面１
２およびエッジ部１３にはポリシリコン膜２が堆積され
ている。この状態の半導体ウェハ１を回転台３の吸着板
３１で吸着保持し、回転軸３２が回転すると、半導体ウ
ェハ１は水平方向に回転する。
２およびエッジ部１３にはポリシリコン膜２が堆積され
ている。この状態の半導体ウェハ１を回転台３の吸着板
３１で吸着保持し、回転軸３２が回転すると、半導体ウ
ェハ１は水平方向に回転する。
【０００９】テープ研磨機構４は、テープ４１と、テー
プ４１を摺動させるための駆動ローラー４２および４３
と、テープ４１に張力を持たせ無限軌道を作るためのガ
イドローラー４４および４５、及びテープ４１をウェハ
１のエッジ部１３に堆積されているポリシリコン膜２に
押しつけるためのガイドローラー４６および４７とから
構成されている。
プ４１を摺動させるための駆動ローラー４２および４３
と、テープ４１に張力を持たせ無限軌道を作るためのガ
イドローラー４４および４５、及びテープ４１をウェハ
１のエッジ部１３に堆積されているポリシリコン膜２に
押しつけるためのガイドローラー４６および４７とから
構成されている。
【００１０】半導体ウェハ１を研磨するテープ４１の研
磨面４８には、例えば＃２０００〜＃８０００の炭化珪
素の砥粒を約６０〜７０μｍの厚みにバインダーで固め
て接着されている。このテープ４１の材質は強さ伸び等
の機械的性質から、ポリエステル、ポリカーボネート、
又は延伸ナイロン等のプラスチックが使用され、その厚
みは約５０μｍが好ましい。
磨面４８には、例えば＃２０００〜＃８０００の炭化珪
素の砥粒を約６０〜７０μｍの厚みにバインダーで固め
て接着されている。このテープ４１の材質は強さ伸び等
の機械的性質から、ポリエステル、ポリカーボネート、
又は延伸ナイロン等のプラスチックが使用され、その厚
みは約５０μｍが好ましい。
【００１１】上記のようなテープ研磨機構４において、
テープ４１の研磨面４８が外側、即ち半導体ウェハ１の
エッジ部１３に面するようにテープ４１をセットする。
この状態で駆動ローラー４２および４３を駆動させるこ
とにより、テープ４１を矢印Ａの方向に送りながら、回
転台３の吸着板３１に保持されて水平方向に回転してい
る半導体ウェハ１のエッジ部１３がガイドローラー４６
と４７の間に入るようにして、テープ４１の研磨面４８
がエッジ部１３に対して垂直方向に摺動するように、テ
ープ４１をエッジ部１３のポリシリコン膜２に押し付
け、それと同時にこの研磨面４８とエッジ部１３の研磨
部にノズル５１により切削水５を噴射する。尚、前記切
削水５は、半導体ウェハ１の摩滅屑やテープ４１の研磨
面４８から剥離した砥粒を研磨部から除去することが目
的であり、純水を使用する。
テープ４１の研磨面４８が外側、即ち半導体ウェハ１の
エッジ部１３に面するようにテープ４１をセットする。
この状態で駆動ローラー４２および４３を駆動させるこ
とにより、テープ４１を矢印Ａの方向に送りながら、回
転台３の吸着板３１に保持されて水平方向に回転してい
る半導体ウェハ１のエッジ部１３がガイドローラー４６
と４７の間に入るようにして、テープ４１の研磨面４８
がエッジ部１３に対して垂直方向に摺動するように、テ
ープ４１をエッジ部１３のポリシリコン膜２に押し付
け、それと同時にこの研磨面４８とエッジ部１３の研磨
部にノズル５１により切削水５を噴射する。尚、前記切
削水５は、半導体ウェハ１の摩滅屑やテープ４１の研磨
面４８から剥離した砥粒を研磨部から除去することが目
的であり、純水を使用する。
【００１２】上記の如く，半導体ウェハ１が回転し、テ
ープ４１が半導体ウェハ１のエッジ部１３に対して垂直
方向に摺動すると、エッジ部１３のポリシリコン膜２は
テープ４１に接着されている砥粒により次第に研磨除去
され、最終的に半導体ウェハ１のエッジ部１３はポリシ
リコン膜２が除去された図２の状態になって研磨作業は
終了する。
ープ４１が半導体ウェハ１のエッジ部１３に対して垂直
方向に摺動すると、エッジ部１３のポリシリコン膜２は
テープ４１に接着されている砥粒により次第に研磨除去
され、最終的に半導体ウェハ１のエッジ部１３はポリシ
リコン膜２が除去された図２の状態になって研磨作業は
終了する。
【００１３】半導体ウェハ１の回転数、テープ４１に接
着された砥粒番手、テープ４１の送り速度、エッジ部１
３への押圧力および張力等の条件の組み合わせは、要求
される半導体ウェハ１のエッジ部１３の面粗さ、加工時
間等により決定され、例えば砥粒番手＃２，０００〜＃
４，０００を使用した場合は、その送り速度を約１５ｍ
ｍ／分とし、半導体ウェハの回転数は約２００ｒｐｍと
するのが好ましい。
着された砥粒番手、テープ４１の送り速度、エッジ部１
３への押圧力および張力等の条件の組み合わせは、要求
される半導体ウェハ１のエッジ部１３の面粗さ、加工時
間等により決定され、例えば砥粒番手＃２，０００〜＃
４，０００を使用した場合は、その送り速度を約１５ｍ
ｍ／分とし、半導体ウェハの回転数は約２００ｒｐｍと
するのが好ましい。
【００１４】尚、上記実施例ではテープ４１の摺動方向
を半導体ウェハ１のエッジ部１３に対して垂直方向に摺
動していたが、これに限定されず摺動方向をエッジ部１
３に対し水平方向に摺動させるようにしたものでもよ
い。
を半導体ウェハ１のエッジ部１３に対して垂直方向に摺
動していたが、これに限定されず摺動方向をエッジ部１
３に対し水平方向に摺動させるようにしたものでもよ
い。
【００１５】
【発明の効果】本発明の方法で半導体ウェハを製造する
ことにより、次のような優れた効果が得られる。 （１）エッジ部のポリシリコン膜が十分に除去できるの
で、エピタキシャル成長工程でのひげ状の突起物（ノジ
ュール）の発生が防止できる。 （２）デバイス工程中での塵芥の発生を防止できる。 （３）エッジ部の研削面が十分に滑らかなため、研削を
すると同時に鏡面面取りも行うことができ、工程を１つ
減らすことができ非常に効率的である。 （４）機械的な研磨によりポリシリコン膜を除去するの
で、化学薬品等の使用による危険性がなく、作業が安全
である。
ことにより、次のような優れた効果が得られる。 （１）エッジ部のポリシリコン膜が十分に除去できるの
で、エピタキシャル成長工程でのひげ状の突起物（ノジ
ュール）の発生が防止できる。 （２）デバイス工程中での塵芥の発生を防止できる。 （３）エッジ部の研削面が十分に滑らかなため、研削を
すると同時に鏡面面取りも行うことができ、工程を１つ
減らすことができ非常に効率的である。 （４）機械的な研磨によりポリシリコン膜を除去するの
で、化学薬品等の使用による危険性がなく、作業が安全
である。
【００１６】
【図１】本発明に係る半導体ウェハの製造法方を示す要
部正面断面図である。
部正面断面図である。
【図２】本発明に係る製造方法で製造された半導体ウェ
ハの正面断面図である。
ハの正面断面図である。
１ 半導体ウェハ ２ ポリシリコン膜 ３ 回転台 ４ テープ研磨機構 ５ 切削水 １１ ウェハ基部 １２ 裏面 １３ エッジ部 ３１ 吸着板 ３２ 回転軸 ４１ テープ ４２ 駆動ローラー ４３ 駆動ローラー ４４ ガイドローラー ４５ ガイドローラー ４６ ガイドローラー ４７ ガイドローラー ４８ 研磨面 ５１ ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも片面にポリシリコン膜を堆積
させた半導体ウェハの製造方法において、半導体ウェハ
のエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を、表面に研磨
物を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に摺動さ
せて除去することを特徴とする半導体ウェハの製造方法 - 【請求項２】 半導体ウェハを回転させると共に、表面
に砥粒を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に対
し垂直方向に摺動させることを特徴とする請求項１記載
の半導体ウェハの製造方法 - 【請求項３】 半導体ウェハを回転させると共に、表面
に砥粒を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に対
し水平方向に摺動させることを特徴とする請求項１記載
の半導体ウェハの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35491493A JPH07193030A (ja) | 1993-12-25 | 1993-12-25 | 半導体ウェハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35491493A JPH07193030A (ja) | 1993-12-25 | 1993-12-25 | 半導体ウェハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193030A true JPH07193030A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18440764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35491493A Pending JPH07193030A (ja) | 1993-12-25 | 1993-12-25 | 半導体ウェハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193030A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361708B1 (en) * | 1997-05-14 | 2002-03-26 | Nec Corporation | Method and apparatus for polishing a metal film |
| US6475293B1 (en) * | 1996-12-30 | 2002-11-05 | Intel Corporation | Rotating belt wafer edge cleaning apparatus |
| KR20030043697A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 및 연마 장치 |
| US6629875B2 (en) * | 2000-01-28 | 2003-10-07 | Accretech Usa, Inc. | Machine for grinding-polishing of a water edge |
| US6722964B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| JP2006186174A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ |
| JP2007118187A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-05-17 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2008042220A (ja) * | 2007-09-25 | 2008-02-21 | Ebara Corp | 基板処理方法及び装置 |
| CN117400116A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-16 | 宁波勋辉电器有限公司 | 一种显示屏背板毛边打磨设备 |
-
1993
- 1993-12-25 JP JP35491493A patent/JPH07193030A/ja active Pending
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| CN117400116A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-16 | 宁波勋辉电器有限公司 | 一种显示屏背板毛边打磨设备 |
| CN117400116B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-04-09 | 宁波勋辉电器有限公司 | 一种显示屏背板毛边打磨设备 |
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