JPH0718811B2 - 欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPH0718811B2 JPH0718811B2 JP1063120A JP6312089A JPH0718811B2 JP H0718811 B2 JPH0718811 B2 JP H0718811B2 JP 1063120 A JP1063120 A JP 1063120A JP 6312089 A JP6312089 A JP 6312089A JP H0718811 B2 JPH0718811 B2 JP H0718811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- density
- image
- edge
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Image Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
本発明は、検査対象物の表面の欠け、ひび、汚れ、異物
等の外観上の欠陥部を画像処理により検査する欠陥検査
方法に関するものである。
等の外観上の欠陥部を画像処理により検査する欠陥検査
方法に関するものである。
従来より検査対象物を含む空間領域をテレビカメラ等の
画像入力手段で撮像し、原画像の各画素の濃度を適宜し
きい値を用いて２値化し、この２値画像に基づいて欠陥
部を検出する方法が知られている（たとえば、特開昭62
−88946号公報参照）。すなわち、２値画像において検
査対象物とみなせる領域の内側に値の反転する部位が存
在すれば欠陥部とみなすようにしている。
画像入力手段で撮像し、原画像の各画素の濃度を適宜し
きい値を用いて２値化し、この２値画像に基づいて欠陥
部を検出する方法が知られている（たとえば、特開昭62
−88946号公報参照）。すなわち、２値画像において検
査対象物とみなせる領域の内側に値の反転する部位が存
在すれば欠陥部とみなすようにしている。
上記従来方法では、２値画像に基づいて欠陥部を判定す
るから、欠陥部の濃度と欠陥部の周辺の濃度とがしきい
値に対して同じ領域に含まれていると（たとえば、どち
らの濃度もしきい値以上であると）、欠陥部の識別がで
きないという問題があった。 本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、欠
陥部のエッジ上の点とみなせるエッジフラグ点を検出
し、エッジフラグ点の近傍の濃度変化、もしくは欠陥部
の輪郭線上の各画素の近傍の濃度変化を検出することに
より、欠陥部の検出精度を向上させた欠陥検査方法を提
供しようとするものである。
るから、欠陥部の濃度と欠陥部の周辺の濃度とがしきい
値に対して同じ領域に含まれていると（たとえば、どち
らの濃度もしきい値以上であると）、欠陥部の識別がで
きないという問題があった。 本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、欠
陥部のエッジ上の点とみなせるエッジフラグ点を検出
し、エッジフラグ点の近傍の濃度変化、もしくは欠陥部
の輪郭線上の各画素の近傍の濃度変化を検出することに
より、欠陥部の検出精度を向上させた欠陥検査方法を提
供しようとするものである。
本発明では、上記目的を達成するために、エッジ画像に
ついて検査対象物の輪郭線の内側に少なくとも１本の探
索ラインを設定し、探索ライン上で欠陥部のエッジとみ
なせるエッジフラグ点を検出すると、エッジフラグ点の
近傍での原画像についての濃度変化に基づいて欠陥部を
識別するようにしているのである。 また、エッジ画像について検査対象物の輪郭線の内側に
少なくとも１個の検査領域を設定し、検査領域の全領域
を走査しつつ探索することにより欠陥部のエッジとみな
せるエッジフラグ点を検出すると、エッジフラグ点を開
始点として欠陥部の輪郭線を追跡するとともに、輪郭線
上の各画素の近傍での原画像についての濃度変化に基づ
いて欠陥部を識別するようにしてもよい。
ついて検査対象物の輪郭線の内側に少なくとも１本の探
索ラインを設定し、探索ライン上で欠陥部のエッジとみ
なせるエッジフラグ点を検出すると、エッジフラグ点の
近傍での原画像についての濃度変化に基づいて欠陥部を
識別するようにしているのである。 また、エッジ画像について検査対象物の輪郭線の内側に
少なくとも１個の検査領域を設定し、検査領域の全領域
を走査しつつ探索することにより欠陥部のエッジとみな
せるエッジフラグ点を検出すると、エッジフラグ点を開
始点として欠陥部の輪郭線を追跡するとともに、輪郭線
上の各画素の近傍での原画像についての濃度変化に基づ
いて欠陥部を識別するようにしてもよい。
上記第１の方法によれば、欠陥部のエッジ上の点とみな
せるエッジフラグ点を検出し、エッジフラグ点の近傍の
原画像についての濃度変化を検出するから、周囲とのコ
ントラストが比較的小さい欠陥部であっても検出するこ
とができ、欠陥部の検出精度が向上するのである。 また、上記第２の方法においても、欠陥部の輪郭線の近
傍の濃度変化を検出するから、コントラストが比較的小
さい欠陥部でも検出することができるのである。
せるエッジフラグ点を検出し、エッジフラグ点の近傍の
原画像についての濃度変化を検出するから、周囲とのコ
ントラストが比較的小さい欠陥部であっても検出するこ
とができ、欠陥部の検出精度が向上するのである。 また、上記第２の方法においても、欠陥部の輪郭線の近
傍の濃度変化を検出するから、コントラストが比較的小
さい欠陥部でも検出することができるのである。
【実施例１】 本発明では、第１図に示すように、検査対象物をテレビ
カメラ等の画像入力装置１により撮像し、各画素の濃度
をアナログ−デジタル変換部２においてデジタル信号に
変換した後、前処理部３において以下の前処理を行うこ
とにより、アナログ−デジタル変換部２より得られる原
画像のほかに、微分絶対値画像、微分方向値画像、エッ
ジ画像を得る。 すなわち、検査対象物を含む空間領域を撮像して得られ
る原画像P0は濃淡画像であって、第２図（ａ）に示すよ
うに、検査対象物Ｏ、欠陥X1、異物X2などを含む画像と
なっている。この濃淡画像から検査対象物Ｏの輪郭線等
のエッジを抽出する処理は、「エッジは濃度変化が大き
い部分に対応している」という考え方を基本にしてい
る。したがって、濃度を微分することによってエッジの
抽出を行なう。微分処理は、第３図に示すように、原画
像P0を３×３画素の局所並列ウインドウＷに分割して行
なう。つまり、注目する画素Ｅと、その画素Ｅの周囲の
８画素（８近傍）Ａ〜D,F〜Ｉとで局所並列ウインドウ
Ｗを形成し、局所並列ウインドウＷ内の画素Ａ〜Ｉの濃
度の縦方向の濃度変化ΔＶと横方向の濃度変化ΔＨとを
次式によって求め、 ΔＶ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｇ＋Ｈ＋Ｉ） ΔＨ＝（Ａ＋Ｄ＋Ｇ）−（Ｃ＋Ｆ＋Ｉ） さらに、微分絶対値|e|E値と微分方向値∠eEとを次式に
よって求めるのである。 |e|E＝（ΔV2＋ΔH2）1/2 ただし、Ａ〜Ｉは対応する画素の濃度を示している。上
式から明らかなように、微分絶対値|e|Eは、原画像の注
目する画素の近傍領域における濃度の最大変化率を表
し、微分方向値∠eEは、同近傍領域における濃度の最大
変化の方向に直交する方向を表している。以上の演算を
原画像POの全画素について行なうことにより、検査対象
物Ｏの輪郭や欠陥X1、異物X2等が存在しているような濃
度変化が大きい部分と、その変化の方向とを抽出するこ
とができるのである。ここに、各画素の濃度を、微分絶
対値|e|Eで表現した画像を微分絶対値画像、微分方向値
∠eEで表現した画像を微分方向値画像と呼ぶ。 次に細線化処理が施される。細線化処理は、微分絶対値
が大きいほど濃度変化が大きいことを表わしている点に
着目して行なわれる。すなわち、各画素の微分絶対値を
周囲の画素の微分絶対値と比較し、周囲の画素よりも大
きくなるものを連結していくことにより、１画素の幅を
有したエッジを抽出するのである。第４図に示すよう
に、各画素の位置をＸ−Ｙ座標で表わし、微分絶対値を
Ｚ軸に取った微分絶対値画像P1を考えれば、細線化処理
は、この曲面における稜線を求めることに相当する。こ
こまでの処理により、微分絶対値の大小にかかわらず、
すべての稜線が抽出される。この段階で得られている稜
線には、ノイズ等による不要な小さな山も含まれている
から、第４図に示すように、適宜しきい値SLを設定し、
このしきい値SL以上の値のみを採用してノイズ成分を除
去する。この処理で得られた画像は、原画像のコントラ
ストが不十分であるときや、ノイズが多いようなときに
は、不連続線になりやすい。そこで、エッジ延長処理を
行なう。エッジ延長処理では、不連続線の端点から始め
て、注目する画素とその周囲の画素とを比較し、次式で
表わされる評価関数ｆ（ej）がもっとも大きくなる方向
に線を延長し、他の線の端点に衝突するまでこれを続け
る。 ここに、e0は中心画素（局所並列ウインドウＷのＥに相
当する）の微分データであり、ejは隣接画素（局所並列
ウインドウＷの８近傍に相当する）の微分データであ
り、ｊ＝1,2,……,8である。 以上の処理により、第２図（ｂ）に示すように、原画像
において濃度変化が大きい部分をなぞるようなエッジ画
像P4が得られる。エッジ画像P4では、各線が検査対象物
Ｏ、欠陥X1、異物X2等の輪郭線l0〜l2を表すものとみな
せる。以上の前処理により、原画像、微分絶対値画像、
微分方向コード画像、エッジ画像の４種類の画像が得ら
れ、各画像はそれぞれ原画像メモリ４、微分絶対値画像
メモリ５、微分方向値画像メモリ６、エッジ画像メモリ
７に記憶される。以下の説明では、各画像の画素の位置
をＸ−Ｙ座標で表現するものとし、各画像における画素
の濃度をそれぞれf1（x,y）、f2（x,y）、f3（x,y）、f
4（x,y）とする。 原画像は、濃淡画像であって、濃度は通常８ビットで表
されるから、各画素における濃度ａ（＝f1（x,y））
は、０≦ａ≦255となる。また、微分絶対値画像の濃度
（すなわち、微分絶対値）ｂ（＝f2（x,y））は、たと
えば６ビットで表され、０≦ｂ≦63となり、微分方向値
画像の濃度（すなわち、微分方向値）ｃ（＝f3（x,
y））は、たとえば16方向で表され、０≦ｃ≦15とな
る。エッジ画像については、線の有無のみであるから、
線となる画素は“1"、それ以外の画素は“0"として表さ
れる。つまり、f4（x,y）の値域は｛0,1｝となる。な
お、以下の説明においては、濃度という用語は白の濃度
を表し、濃度値が大きいほど明るいものとする。 次に、探索処理部６では、第７図に示すように、エッジ
画像P4について輪郭線l0の内側に、探索ラインＳを設定
する。探索ラインＳは、第８図（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、閉ループ形状あれば任意に設定可能である。すな
わち、開始点と終了点とが一致する探索ラインＳを設定
するのである。探索ラインＳを設定した後、探索を開始
し、探索ラインＳ上においてf4（x,y）＝１となる点が
見付かると、この点をエッジフラグ点とする。次に、ス
ティックマスク設定部９では、第９図に示すように、開
始点から始めて最初に見付かったエッジフラグ点Ｆの画
素を中心として、探索ラインＳ上でエッジフラグ点Ｆの
前後の複数画素（第９図中斜線で示す画素）を抽出して
スティックマスクＭを設定する。スティックマスクＭ
は、幅１、長さ2n＋１の領域であり、ここに、ｎは自然
数であり適宜設定される。いまエッジフラグ点Ｆの座標
を（xF，yF）とし、スティックマスクＭにおける各画素
の座標をRn（xF+n，yF+n），……，R1（xF+1，yF+1）,F
（xF，yF），S1（xF-1，yF-1），……，Sn（xF-n，
yF-n）とすれば、濃度演算部10では、下式の演算を行っ
てスティックマスクＭ内でエッジフラグ点Ｆを挟んで対
称位置にある原画像P0上での画素の濃度の差の総和Ｄを
求める。 Ｄ＝Σ｜f1（xF+i，yF+i）−f1（xF-i，yF-i）｜ただ
し、ｉ＝1,2,……,n、もしくは、ｉ＝m,m＋1,……,n
（ｍ≠１）とする。判定部11では、以上のようにして求
めた総和Ｄを所定のしきい値SL1と比較し、Ｄ＞SL1であ
れば、探索ラインＳ上に欠けや異物等の欠陥部が存在し
ていると判断する。すなわち、エッジフラグ点Ｆが欠陥
部の輪郭線の上の点であれば、スティックマスクＭは、
欠陥部と欠陥部ではない部分とに跨がることになるか
ら、エッジフラグ点Ｆを中心として対称位置に存在する
画素の濃度差を求めれば、エッジフラグ点Ｆの近傍での
コントラストが検出できるわけである。さらに、複数画
素について濃度差を検出しているから、コントラストが
強調され、検出精度を向上させることができる。Ｄ≦SL
1のときには、探索ラインＳ上での探索を継続し、エッ
ジフラグ点の有無を検出する。こうして、探索ラインＳ
の終点に到達した段階で、エッジフラグ点が検出されな
かったときには、欠陥部が存在しないものと判定するの
である。以上の処理の流れを第６図に示す。
カメラ等の画像入力装置１により撮像し、各画素の濃度
をアナログ−デジタル変換部２においてデジタル信号に
変換した後、前処理部３において以下の前処理を行うこ
とにより、アナログ−デジタル変換部２より得られる原
画像のほかに、微分絶対値画像、微分方向値画像、エッ
ジ画像を得る。 すなわち、検査対象物を含む空間領域を撮像して得られ
る原画像P0は濃淡画像であって、第２図（ａ）に示すよ
うに、検査対象物Ｏ、欠陥X1、異物X2などを含む画像と
なっている。この濃淡画像から検査対象物Ｏの輪郭線等
のエッジを抽出する処理は、「エッジは濃度変化が大き
い部分に対応している」という考え方を基本にしてい
る。したがって、濃度を微分することによってエッジの
抽出を行なう。微分処理は、第３図に示すように、原画
像P0を３×３画素の局所並列ウインドウＷに分割して行
なう。つまり、注目する画素Ｅと、その画素Ｅの周囲の
８画素（８近傍）Ａ〜D,F〜Ｉとで局所並列ウインドウ
Ｗを形成し、局所並列ウインドウＷ内の画素Ａ〜Ｉの濃
度の縦方向の濃度変化ΔＶと横方向の濃度変化ΔＨとを
次式によって求め、 ΔＶ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｇ＋Ｈ＋Ｉ） ΔＨ＝（Ａ＋Ｄ＋Ｇ）−（Ｃ＋Ｆ＋Ｉ） さらに、微分絶対値|e|E値と微分方向値∠eEとを次式に
よって求めるのである。 |e|E＝（ΔV2＋ΔH2）1/2 ただし、Ａ〜Ｉは対応する画素の濃度を示している。上
式から明らかなように、微分絶対値|e|Eは、原画像の注
目する画素の近傍領域における濃度の最大変化率を表
し、微分方向値∠eEは、同近傍領域における濃度の最大
変化の方向に直交する方向を表している。以上の演算を
原画像POの全画素について行なうことにより、検査対象
物Ｏの輪郭や欠陥X1、異物X2等が存在しているような濃
度変化が大きい部分と、その変化の方向とを抽出するこ
とができるのである。ここに、各画素の濃度を、微分絶
対値|e|Eで表現した画像を微分絶対値画像、微分方向値
∠eEで表現した画像を微分方向値画像と呼ぶ。 次に細線化処理が施される。細線化処理は、微分絶対値
が大きいほど濃度変化が大きいことを表わしている点に
着目して行なわれる。すなわち、各画素の微分絶対値を
周囲の画素の微分絶対値と比較し、周囲の画素よりも大
きくなるものを連結していくことにより、１画素の幅を
有したエッジを抽出するのである。第４図に示すよう
に、各画素の位置をＸ−Ｙ座標で表わし、微分絶対値を
Ｚ軸に取った微分絶対値画像P1を考えれば、細線化処理
は、この曲面における稜線を求めることに相当する。こ
こまでの処理により、微分絶対値の大小にかかわらず、
すべての稜線が抽出される。この段階で得られている稜
線には、ノイズ等による不要な小さな山も含まれている
から、第４図に示すように、適宜しきい値SLを設定し、
このしきい値SL以上の値のみを採用してノイズ成分を除
去する。この処理で得られた画像は、原画像のコントラ
ストが不十分であるときや、ノイズが多いようなときに
は、不連続線になりやすい。そこで、エッジ延長処理を
行なう。エッジ延長処理では、不連続線の端点から始め
て、注目する画素とその周囲の画素とを比較し、次式で
表わされる評価関数ｆ（ej）がもっとも大きくなる方向
に線を延長し、他の線の端点に衝突するまでこれを続け
る。 ここに、e0は中心画素（局所並列ウインドウＷのＥに相
当する）の微分データであり、ejは隣接画素（局所並列
ウインドウＷの８近傍に相当する）の微分データであ
り、ｊ＝1,2,……,8である。 以上の処理により、第２図（ｂ）に示すように、原画像
において濃度変化が大きい部分をなぞるようなエッジ画
像P4が得られる。エッジ画像P4では、各線が検査対象物
Ｏ、欠陥X1、異物X2等の輪郭線l0〜l2を表すものとみな
せる。以上の前処理により、原画像、微分絶対値画像、
微分方向コード画像、エッジ画像の４種類の画像が得ら
れ、各画像はそれぞれ原画像メモリ４、微分絶対値画像
メモリ５、微分方向値画像メモリ６、エッジ画像メモリ
７に記憶される。以下の説明では、各画像の画素の位置
をＸ−Ｙ座標で表現するものとし、各画像における画素
の濃度をそれぞれf1（x,y）、f2（x,y）、f3（x,y）、f
4（x,y）とする。 原画像は、濃淡画像であって、濃度は通常８ビットで表
されるから、各画素における濃度ａ（＝f1（x,y））
は、０≦ａ≦255となる。また、微分絶対値画像の濃度
（すなわち、微分絶対値）ｂ（＝f2（x,y））は、たと
えば６ビットで表され、０≦ｂ≦63となり、微分方向値
画像の濃度（すなわち、微分方向値）ｃ（＝f3（x,
y））は、たとえば16方向で表され、０≦ｃ≦15とな
る。エッジ画像については、線の有無のみであるから、
線となる画素は“1"、それ以外の画素は“0"として表さ
れる。つまり、f4（x,y）の値域は｛0,1｝となる。な
お、以下の説明においては、濃度という用語は白の濃度
を表し、濃度値が大きいほど明るいものとする。 次に、探索処理部６では、第７図に示すように、エッジ
画像P4について輪郭線l0の内側に、探索ラインＳを設定
する。探索ラインＳは、第８図（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、閉ループ形状あれば任意に設定可能である。すな
わち、開始点と終了点とが一致する探索ラインＳを設定
するのである。探索ラインＳを設定した後、探索を開始
し、探索ラインＳ上においてf4（x,y）＝１となる点が
見付かると、この点をエッジフラグ点とする。次に、ス
ティックマスク設定部９では、第９図に示すように、開
始点から始めて最初に見付かったエッジフラグ点Ｆの画
素を中心として、探索ラインＳ上でエッジフラグ点Ｆの
前後の複数画素（第９図中斜線で示す画素）を抽出して
スティックマスクＭを設定する。スティックマスクＭ
は、幅１、長さ2n＋１の領域であり、ここに、ｎは自然
数であり適宜設定される。いまエッジフラグ点Ｆの座標
を（xF，yF）とし、スティックマスクＭにおける各画素
の座標をRn（xF+n，yF+n），……，R1（xF+1，yF+1）,F
（xF，yF），S1（xF-1，yF-1），……，Sn（xF-n，
yF-n）とすれば、濃度演算部10では、下式の演算を行っ
てスティックマスクＭ内でエッジフラグ点Ｆを挟んで対
称位置にある原画像P0上での画素の濃度の差の総和Ｄを
求める。 Ｄ＝Σ｜f1（xF+i，yF+i）−f1（xF-i，yF-i）｜ただ
し、ｉ＝1,2,……,n、もしくは、ｉ＝m,m＋1,……,n
（ｍ≠１）とする。判定部11では、以上のようにして求
めた総和Ｄを所定のしきい値SL1と比較し、Ｄ＞SL1であ
れば、探索ラインＳ上に欠けや異物等の欠陥部が存在し
ていると判断する。すなわち、エッジフラグ点Ｆが欠陥
部の輪郭線の上の点であれば、スティックマスクＭは、
欠陥部と欠陥部ではない部分とに跨がることになるか
ら、エッジフラグ点Ｆを中心として対称位置に存在する
画素の濃度差を求めれば、エッジフラグ点Ｆの近傍での
コントラストが検出できるわけである。さらに、複数画
素について濃度差を検出しているから、コントラストが
強調され、検出精度を向上させることができる。Ｄ≦SL
1のときには、探索ラインＳ上での探索を継続し、エッ
ジフラグ点の有無を検出する。こうして、探索ラインＳ
の終点に到達した段階で、エッジフラグ点が検出されな
かったときには、欠陥部が存在しないものと判定するの
である。以上の処理の流れを第６図に示す。
【実施例２】 上記実施例では、探索ラインＳを閉ループとなる形状に
形成していたが、本実施例では、第11図に示すように、
探索ラインＳの開始点と終了点とを異なる位置としてい
る。ここに、探索ラインＳは、検査対称物の輪郭線の内
側であれば、直線、曲線、折線等、形状は任意に設定可
能であり、また、方向も任意に設定可能である。 処理の流れを示すと、第10図に示す通りであって、探索
ラインＳを設定した後、実施例１と同様にしてエッジフ
ラグ点Ｆを検出し、エッジフラグ点Ｆに対して実施例１
と同様の手法でスティックマスクＭを設定し、スティッ
クマスクＭ上での対称位置に存在する画素の濃度差の総
和Ｄを求める。この総和Ｄが所定のしきい値SL1に対し
て、Ｄ＞SL1を満たせば、このエッジフラグ点Ｆを欠陥
候補点とする。ただし、本実施例では、エッジフラグ点
ＦがＤ＞SL1を満たしてもただちに欠陥部であると判定
するのではなく、探索ラインＳ上においてこのような欠
陥候補点の総数Ｋを求めた後、欠陥候補点の総数Ｋを所
定のしきい値SL2と比較し、Ｋ＞SL2であるときに、欠陥
部が存在するものと判定する。すなわち、欠陥部が存在
するかどうかの判定条件を実施例１よりも厳密にしてお
り、検出精度を一層高めることができるのである。
形成していたが、本実施例では、第11図に示すように、
探索ラインＳの開始点と終了点とを異なる位置としてい
る。ここに、探索ラインＳは、検査対称物の輪郭線の内
側であれば、直線、曲線、折線等、形状は任意に設定可
能であり、また、方向も任意に設定可能である。 処理の流れを示すと、第10図に示す通りであって、探索
ラインＳを設定した後、実施例１と同様にしてエッジフ
ラグ点Ｆを検出し、エッジフラグ点Ｆに対して実施例１
と同様の手法でスティックマスクＭを設定し、スティッ
クマスクＭ上での対称位置に存在する画素の濃度差の総
和Ｄを求める。この総和Ｄが所定のしきい値SL1に対し
て、Ｄ＞SL1を満たせば、このエッジフラグ点Ｆを欠陥
候補点とする。ただし、本実施例では、エッジフラグ点
ＦがＤ＞SL1を満たしてもただちに欠陥部であると判定
するのではなく、探索ラインＳ上においてこのような欠
陥候補点の総数Ｋを求めた後、欠陥候補点の総数Ｋを所
定のしきい値SL2と比較し、Ｋ＞SL2であるときに、欠陥
部が存在するものと判定する。すなわち、欠陥部が存在
するかどうかの判定条件を実施例１よりも厳密にしてお
り、検出精度を一層高めることができるのである。
【実施例３】 本実施例では、第13図に示すように、同形状の複数本の
探索ラインS1〜Snを設定する。この場合、第14図に示す
ように、欠陥部X1が存在していれば、欠陥部X1は複数本
の探索ラインについて連続して見つかるから、欠陥部X1
を見つけた探索ラインを欠陥候補ラインとし、隣接する
複数本の探索ラインが欠陥候補ラインとなり、かつ欠陥
候補ラインの総本数Ｌを所定のしきい値SL3と比較して
Ｌ＞SL3となっているときには、欠陥部X1が存在するも
のと判定する。ここに、１本の探索ライン上に欠陥部X1
が存在するかどうかの判定は、実施例１または実施例２
のいずれか方法によればよい。本実施例の処理の流れは
第12図に示す通りであって、同図中に破線で示した部分
を除けば欠陥部X1を実施例１の方法で検出したことによ
り、破線で示した部分を入れると実施例２の方法で検出
したことになる。
探索ラインS1〜Snを設定する。この場合、第14図に示す
ように、欠陥部X1が存在していれば、欠陥部X1は複数本
の探索ラインについて連続して見つかるから、欠陥部X1
を見つけた探索ラインを欠陥候補ラインとし、隣接する
複数本の探索ラインが欠陥候補ラインとなり、かつ欠陥
候補ラインの総本数Ｌを所定のしきい値SL3と比較して
Ｌ＞SL3となっているときには、欠陥部X1が存在するも
のと判定する。ここに、１本の探索ライン上に欠陥部X1
が存在するかどうかの判定は、実施例１または実施例２
のいずれか方法によればよい。本実施例の処理の流れは
第12図に示す通りであって、同図中に破線で示した部分
を除けば欠陥部X1を実施例１の方法で検出したことによ
り、破線で示した部分を入れると実施例２の方法で検出
したことになる。
【実施例４】 上記各実施例では、検査対象物の輪郭線の内部に探索ラ
インを設定したが、本実施例では、第16図に示すよう
に、検査対象物の輪郭線l0の内部に基準濃度設定領域DM
1と検査領域DM2とを設定している。処理の流れは、第15
図に示す通りであって、以下に説明する。 基準濃度設定領域DM1は、基準濃度設定領域DM1内の全画
素の濃度の平均値である基準濃度SDを原画像から求め
る。次に、検査領域DM2について、第17図に矢印で示す
ように、ラスタ走査を行い、f4（x,y）＝１なるエッジ
フラグ点を求める。ラスタ走査により最初に見付かった
エッジフラグ点F0の座標を（x0，y0）とし、このエッジ
フラグ点F0を開始点とし、第18図に示すように、エッジ
フラグ点F0（x0，y0）に順次連なる各エッジフラグ点Fn
について以下の処理を行う。以下の説明では、各エッジ
フラグ点Fkの座標をそれぞれ（xk，yk）とする。ただ
し、ｎ＝1,2,…である。 いま、エッジフラグ点F1について処理を行っていると仮
定する。注目しているエッジフラグ点F1（xi，yi）につ
いて、微分方向値画像から微分方向値b1を求め、微分方
向値b1が示す向きに対して直交する方向（法線方向）に
スティックマスクＭを設定する。スティックマスクＭ
は、第19図に示すように、エッジフラグ点F1を中心とし
て対称な形状に設定されるが、スティックマスクＭ内の
画素は接触していなくてもよい。ここではエッジフラグ
点F1（x1，y1）からｎ画素離れた画素と、ｍ画素離れた
画素とをスティックマスクＭ内の画素としている。ステ
ィックマスクＭの各点の座標を（xi+m，yi+m）、
（xi+n，yi+n）、（xi-n，yi-n）、（xi-m，yi-m）とし
て、各点の濃度値を原画像上で求め、 f1（xi+m，yi+m）＝d1 f1（xi+n，yi+n）＝d2 f1（xi-n，yi-n）＝d3 f1（xi-m，yi-m）＝d4 とする。次に、検査領域DM2内に存在する欠陥部X1が、
非欠陥部に比較して明るい欠陥（本実施例では、以下、
白欠陥部と呼称する）であるか、非欠陥部に比較して暗
い欠陥（本実施例では、以下、黒欠陥部と呼称する）で
あるかを判別するために、スティックマスクＭ内の濃度
値d1〜d4と基準濃度SDとを比較する。ここにおいて、
d1，d2，d3，d4＞SD（d1〜d4のすべてがSDより大）とい
う条件を満足すれば、以後の処理において、白しきい値
WSLを用い、条件が満足されなければ、黒しきい値BSLを
用いる。白しきい値WSLおよび黒しきい値BSLについて
は、欠陥部X1のコントラストに応じて適宜設定すればよ
い。 すなわち、白しきい値WSLを用いる条件が満足されてい
る場合には、スティックマスクＭ内の対称点の濃度差に
ついて、｜d1−d4｜＞WSL、｜d2−d3｜＞WSLの各条件が
満足されるかどうかを調べ、いずれか一方でも満足され
れば、条件を満足している濃度差を白加算値とする。ま
た、黒しきい値BSLを用いる条件が満足されている場合
には、同様に、｜d1−d4｜＞BSL、｜d2−d3｜＞BSLの各
条件が満足されるかどうかを調べ、いずれかの条件が満
足されると、条件を満足している濃度差を黒加算値とす
る。 以上のようにして白加算値と黒加算値とを求めた後、エ
ッジフラグ点FKから右回りに隣接するエッジフラグ点の
有無を調べる。隣接するエッジフラグ点が存在すれば、
上記処理を行い、さらに、隣接するエッジフラグ点の有
無を調べて追跡を行う。追跡を行っている間、白加算値
と黒加算値とについて、それぞれ総和を求める。この追
跡は次のいずれかの停止条件を満たすと終了する。 追跡する画素の数が、あらかじめ設定された最大追
跡数Tmを越えた場合 隣接するエッジフラグ点が検査領域DM2から出た場
合 隣接するエッジフラグ点がなくなった場合追跡を終
了した後に、白加算値の総和TWと黒加算値の総和TBと
を、それぞれあらかじめ設定された白欠陥部用のしきい
値W1と黒欠陥部用のしきい値B1と比較し、TW＞W1を満た
しているときには、検査領域DM2内に白欠陥部が存在
し、TB＞B1を満たしているときには、検査領域DM2内に
黒欠陥部が存在していると判定する。また、いずれの条
件も満たされないときには、検査領域DM2内に欠陥部は
存在しないものと判定する。 各しきい値WSL,BSL,W1，B1、最大追跡数Tmは、欠陥部の
大きさやコントラストにより適宜設定すればよい。
インを設定したが、本実施例では、第16図に示すよう
に、検査対象物の輪郭線l0の内部に基準濃度設定領域DM
1と検査領域DM2とを設定している。処理の流れは、第15
図に示す通りであって、以下に説明する。 基準濃度設定領域DM1は、基準濃度設定領域DM1内の全画
素の濃度の平均値である基準濃度SDを原画像から求め
る。次に、検査領域DM2について、第17図に矢印で示す
ように、ラスタ走査を行い、f4（x,y）＝１なるエッジ
フラグ点を求める。ラスタ走査により最初に見付かった
エッジフラグ点F0の座標を（x0，y0）とし、このエッジ
フラグ点F0を開始点とし、第18図に示すように、エッジ
フラグ点F0（x0，y0）に順次連なる各エッジフラグ点Fn
について以下の処理を行う。以下の説明では、各エッジ
フラグ点Fkの座標をそれぞれ（xk，yk）とする。ただ
し、ｎ＝1,2,…である。 いま、エッジフラグ点F1について処理を行っていると仮
定する。注目しているエッジフラグ点F1（xi，yi）につ
いて、微分方向値画像から微分方向値b1を求め、微分方
向値b1が示す向きに対して直交する方向（法線方向）に
スティックマスクＭを設定する。スティックマスクＭ
は、第19図に示すように、エッジフラグ点F1を中心とし
て対称な形状に設定されるが、スティックマスクＭ内の
画素は接触していなくてもよい。ここではエッジフラグ
点F1（x1，y1）からｎ画素離れた画素と、ｍ画素離れた
画素とをスティックマスクＭ内の画素としている。ステ
ィックマスクＭの各点の座標を（xi+m，yi+m）、
（xi+n，yi+n）、（xi-n，yi-n）、（xi-m，yi-m）とし
て、各点の濃度値を原画像上で求め、 f1（xi+m，yi+m）＝d1 f1（xi+n，yi+n）＝d2 f1（xi-n，yi-n）＝d3 f1（xi-m，yi-m）＝d4 とする。次に、検査領域DM2内に存在する欠陥部X1が、
非欠陥部に比較して明るい欠陥（本実施例では、以下、
白欠陥部と呼称する）であるか、非欠陥部に比較して暗
い欠陥（本実施例では、以下、黒欠陥部と呼称する）で
あるかを判別するために、スティックマスクＭ内の濃度
値d1〜d4と基準濃度SDとを比較する。ここにおいて、
d1，d2，d3，d4＞SD（d1〜d4のすべてがSDより大）とい
う条件を満足すれば、以後の処理において、白しきい値
WSLを用い、条件が満足されなければ、黒しきい値BSLを
用いる。白しきい値WSLおよび黒しきい値BSLについて
は、欠陥部X1のコントラストに応じて適宜設定すればよ
い。 すなわち、白しきい値WSLを用いる条件が満足されてい
る場合には、スティックマスクＭ内の対称点の濃度差に
ついて、｜d1−d4｜＞WSL、｜d2−d3｜＞WSLの各条件が
満足されるかどうかを調べ、いずれか一方でも満足され
れば、条件を満足している濃度差を白加算値とする。ま
た、黒しきい値BSLを用いる条件が満足されている場合
には、同様に、｜d1−d4｜＞BSL、｜d2−d3｜＞BSLの各
条件が満足されるかどうかを調べ、いずれかの条件が満
足されると、条件を満足している濃度差を黒加算値とす
る。 以上のようにして白加算値と黒加算値とを求めた後、エ
ッジフラグ点FKから右回りに隣接するエッジフラグ点の
有無を調べる。隣接するエッジフラグ点が存在すれば、
上記処理を行い、さらに、隣接するエッジフラグ点の有
無を調べて追跡を行う。追跡を行っている間、白加算値
と黒加算値とについて、それぞれ総和を求める。この追
跡は次のいずれかの停止条件を満たすと終了する。 追跡する画素の数が、あらかじめ設定された最大追
跡数Tmを越えた場合 隣接するエッジフラグ点が検査領域DM2から出た場
合 隣接するエッジフラグ点がなくなった場合追跡を終
了した後に、白加算値の総和TWと黒加算値の総和TBと
を、それぞれあらかじめ設定された白欠陥部用のしきい
値W1と黒欠陥部用のしきい値B1と比較し、TW＞W1を満た
しているときには、検査領域DM2内に白欠陥部が存在
し、TB＞B1を満たしているときには、検査領域DM2内に
黒欠陥部が存在していると判定する。また、いずれの条
件も満たされないときには、検査領域DM2内に欠陥部は
存在しないものと判定する。 各しきい値WSL,BSL,W1，B1、最大追跡数Tmは、欠陥部の
大きさやコントラストにより適宜設定すればよい。
【実施例５】 本実施例では、第21図に示すように、検査対称物の輪郭
線内に検査領域DMのみを設定し、この検査領域DM内でラ
スタ走査を行い、追跡の開始点となるエッジフラグ点を
検出する。処理手順は第20図に示す通りであって、実施
例４と同様に、スティックマスクＭを設定し、スティッ
クマスクＭ内に各画素の濃度d1〜d4を求める。さらにス
ティックマスクＭでの対称点の濃度差を求め、所定のし
きい値SL1と比較する。すなわち、 ｜d1−d4｜＞SL1 ｜d2−d3｜＞SL1 のうちの少なくとも一方の条件が満たされるかどうかを
調べながら、エッジフラグ点の追跡を行う。ここに、追
跡中には条件を満たしたエッジフラグ点の数を計数す
る。また、追跡されたエッジフラグ点について微分絶対
値画像に基づいて微分絶対値を求め、微分絶対値を逐次
加算する。エッジフラグ点の追跡に関する停止条件は実
施例４と同じである。追跡が終了した時点で、上記条件
を満たしたエッジフラグ点の総和Ｋと、エッジフラグ点
についての微分絶対値の総和Ｌが求められるから、それ
ぞれあらかじめ設定されたしきい値SL2，SL3と比較し、 Ｋ＞SL2 Ｌ＞SL3 の少なくとも一方の条件が満足されると検査領域DM2内
に欠陥部が存在すると判定する。欠陥部が発見されない
ときには、検査領域DM内でラスタ走査を行っていない部
分について上述の処理を施し、エッジフラグ点が見付か
らないとき、もしくは、しきい値SL2，SL3に対する条件
が両方とも満たされないときには、検査領域DM内には欠
陥部は存在しないものと判断する。
線内に検査領域DMのみを設定し、この検査領域DM内でラ
スタ走査を行い、追跡の開始点となるエッジフラグ点を
検出する。処理手順は第20図に示す通りであって、実施
例４と同様に、スティックマスクＭを設定し、スティッ
クマスクＭ内に各画素の濃度d1〜d4を求める。さらにス
ティックマスクＭでの対称点の濃度差を求め、所定のし
きい値SL1と比較する。すなわち、 ｜d1−d4｜＞SL1 ｜d2−d3｜＞SL1 のうちの少なくとも一方の条件が満たされるかどうかを
調べながら、エッジフラグ点の追跡を行う。ここに、追
跡中には条件を満たしたエッジフラグ点の数を計数す
る。また、追跡されたエッジフラグ点について微分絶対
値画像に基づいて微分絶対値を求め、微分絶対値を逐次
加算する。エッジフラグ点の追跡に関する停止条件は実
施例４と同じである。追跡が終了した時点で、上記条件
を満たしたエッジフラグ点の総和Ｋと、エッジフラグ点
についての微分絶対値の総和Ｌが求められるから、それ
ぞれあらかじめ設定されたしきい値SL2，SL3と比較し、 Ｋ＞SL2 Ｌ＞SL3 の少なくとも一方の条件が満足されると検査領域DM2内
に欠陥部が存在すると判定する。欠陥部が発見されない
ときには、検査領域DM内でラスタ走査を行っていない部
分について上述の処理を施し、エッジフラグ点が見付か
らないとき、もしくは、しきい値SL2，SL3に対する条件
が両方とも満たされないときには、検査領域DM内には欠
陥部は存在しないものと判断する。
【実施例６】 本実施例では実施例４と同様に基準濃度設定領域DM1と
検査領域DM2とを設定し、基準濃度設定領域DM1内の濃度
の平均値を基準濃度SDとする。以下の処理は第22図の通
りであり、この基準濃度SDよりも明るい濃度値をもつ欠
陥部（本実施例では、以下、白色欠陥部と呼称する）、
および暗い濃度値をもつ欠陥部（本実施例では、以下、
黒欠陥部と呼称する）を検出するために、白欠陥部検出
用の白しきい値WSLと、黒欠陥部検出用の黒しきい値BSL
とを設定する。すなわち、第23図に示すように、基準濃
度SDに対して明暗のオフセット値LT,DKをそれぞれ設定
し、次式のように白しきい値WSLと黒しきい値BSLとを設
定する。 WSL＝SD＋LT BSL＝SD−DK このようにして、白しきい値WSLと黒しきい値BSLとを設
定した後、実施例４と同様にして検査領域DM2内をラス
タ走査し、追跡の開始点となるエッジフラグ点を検出す
る。エッジフラグ点FMを検出すると、第24図に示すよう
に、その位置の微分方向値に対して直交する方向におい
て、エッジフラグ点を挟んで対称となる位置に濃度測定
点PR，PLを設定する。ここに、濃度測定点PR，PLはエッ
ジフラグ点FMに対してｎ画素分離れた位置に設定されて
いる。微分方向値は、定義から明らかなように、原画像
上では、微分方向値で示す向きの左側が暗く右側が明る
いという性質があるから、微分方向値で示す向きの右側
の濃度測定点PRの原画像における濃度ｕを白しきい値WS
Lと比較し，左側の濃度測定点PLの原画像における濃度
ｖを黒しきい値BSLと比較する。ここで、ｕ＞WSLという
条件を満たせば、そのエッジフラグ点を白欠陥候補点と
する。また、ｖ＜BSLを満たせば、そのエッジフラグ点
を黒欠陥候補点とする。一連につながるエッジフラグ点
について追跡しながら、この処理を繰り返し、白欠陥候
補点みなされたエッジフラグ点と、黒欠陥候補点とみな
されたエッジフラグ点とのそれぞれの総数を求める。エ
ッジフラグ点の追跡の停止条件については実施例４と同
じである。追跡を終了した時点での白欠陥候補点の総数
をSW、黒欠陥候補点の総数をSBとし、あらかじめ設定さ
れているしきい値SL3，SL4と比較する。すなわち、 SW＞SL3 SB＞SL4 の少なくとも一方の条件を満たせば、検査領域DM2内に
欠陥部が存在すると判定し、いずれも満たされない場合
には、検査領域DM2内で、まだラスタ走査を行っていな
い部分についてラスタ走査を行い同様の手順で欠陥部を
検査する。 検査領域DM2内の全域についてラスタ走査を終了した時
点で、エッジフラグ点が存在しないか、あるいはしきい
値SL3，SL4に関する条件が両方とも満たされないときに
は、検査領域DM2内には欠陥部が存在しないものと判断
する。
検査領域DM2とを設定し、基準濃度設定領域DM1内の濃度
の平均値を基準濃度SDとする。以下の処理は第22図の通
りであり、この基準濃度SDよりも明るい濃度値をもつ欠
陥部（本実施例では、以下、白色欠陥部と呼称する）、
および暗い濃度値をもつ欠陥部（本実施例では、以下、
黒欠陥部と呼称する）を検出するために、白欠陥部検出
用の白しきい値WSLと、黒欠陥部検出用の黒しきい値BSL
とを設定する。すなわち、第23図に示すように、基準濃
度SDに対して明暗のオフセット値LT,DKをそれぞれ設定
し、次式のように白しきい値WSLと黒しきい値BSLとを設
定する。 WSL＝SD＋LT BSL＝SD−DK このようにして、白しきい値WSLと黒しきい値BSLとを設
定した後、実施例４と同様にして検査領域DM2内をラス
タ走査し、追跡の開始点となるエッジフラグ点を検出す
る。エッジフラグ点FMを検出すると、第24図に示すよう
に、その位置の微分方向値に対して直交する方向におい
て、エッジフラグ点を挟んで対称となる位置に濃度測定
点PR，PLを設定する。ここに、濃度測定点PR，PLはエッ
ジフラグ点FMに対してｎ画素分離れた位置に設定されて
いる。微分方向値は、定義から明らかなように、原画像
上では、微分方向値で示す向きの左側が暗く右側が明る
いという性質があるから、微分方向値で示す向きの右側
の濃度測定点PRの原画像における濃度ｕを白しきい値WS
Lと比較し，左側の濃度測定点PLの原画像における濃度
ｖを黒しきい値BSLと比較する。ここで、ｕ＞WSLという
条件を満たせば、そのエッジフラグ点を白欠陥候補点と
する。また、ｖ＜BSLを満たせば、そのエッジフラグ点
を黒欠陥候補点とする。一連につながるエッジフラグ点
について追跡しながら、この処理を繰り返し、白欠陥候
補点みなされたエッジフラグ点と、黒欠陥候補点とみな
されたエッジフラグ点とのそれぞれの総数を求める。エ
ッジフラグ点の追跡の停止条件については実施例４と同
じである。追跡を終了した時点での白欠陥候補点の総数
をSW、黒欠陥候補点の総数をSBとし、あらかじめ設定さ
れているしきい値SL3，SL4と比較する。すなわち、 SW＞SL3 SB＞SL4 の少なくとも一方の条件を満たせば、検査領域DM2内に
欠陥部が存在すると判定し、いずれも満たされない場合
には、検査領域DM2内で、まだラスタ走査を行っていな
い部分についてラスタ走査を行い同様の手順で欠陥部を
検査する。 検査領域DM2内の全域についてラスタ走査を終了した時
点で、エッジフラグ点が存在しないか、あるいはしきい
値SL3，SL4に関する条件が両方とも満たされないときに
は、検査領域DM2内には欠陥部が存在しないものと判断
する。
本発明は上述のように、エッジ画像について検査対象物
の輪郭線の内側に少なくとも１本の探索ラインを設定
し、探索ライン上で欠陥部のエッジとみなせるエッジフ
ラグ点を検出すると、エッジフラグ点の近傍での原画像
についての濃度変化に基づいて欠陥部を識別するように
しているものであり、欠陥部のエッジ上の点とみなせる
エッジフラグ点を検出し、エッジフラグ点の近傍の原画
像についての濃度変化を検出するから、周囲とのコント
ラストが比較的小さい欠陥部であっても検出することが
でき、欠陥部の検出精度が向上するという利点がある。 また、エッジ画像について検査対象物の輪郭線の内側に
少なくとも１個の検査領域を設定し、検査領域の全領域
を走査しつつ探索することにより欠陥部のエッジとみな
せるエッジフラグ点を検出すると、エッジフラグ点を開
始点として欠陥部の輪郭線を追跡するとともに、輪郭線
上の各画素の近傍での原画像についての濃度変化に基づ
いて欠陥部を識別するようにすれば、欠陥部の輪郭線の
近傍の濃度変化を検出するから、コントラストが比較的
小さい欠陥部でも検出することができるのである。
の輪郭線の内側に少なくとも１本の探索ラインを設定
し、探索ライン上で欠陥部のエッジとみなせるエッジフ
ラグ点を検出すると、エッジフラグ点の近傍での原画像
についての濃度変化に基づいて欠陥部を識別するように
しているものであり、欠陥部のエッジ上の点とみなせる
エッジフラグ点を検出し、エッジフラグ点の近傍の原画
像についての濃度変化を検出するから、周囲とのコント
ラストが比較的小さい欠陥部であっても検出することが
でき、欠陥部の検出精度が向上するという利点がある。 また、エッジ画像について検査対象物の輪郭線の内側に
少なくとも１個の検査領域を設定し、検査領域の全領域
を走査しつつ探索することにより欠陥部のエッジとみな
せるエッジフラグ点を検出すると、エッジフラグ点を開
始点として欠陥部の輪郭線を追跡するとともに、輪郭線
上の各画素の近傍での原画像についての濃度変化に基づ
いて欠陥部を識別するようにすれば、欠陥部の輪郭線の
近傍の濃度変化を検出するから、コントラストが比較的
小さい欠陥部でも検出することができるのである。
第１図は本発明の実施例１の方法に対応する処理回路の
ブロック図、第２図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明にお
ける原画像、エッジ画像の一例を示す説明図、第３図は
同上における局所並列ウインドウを示す説明図、第４図
は同上における微分絶対値画像を示す説明図、第５図は
同上において微分絶対値画像からエッジ画像を得る段階
でのノイズ除去を行う処理の説明図、第６図は同上の処
理手順を示す動作説明図、第７図は同上のエッジ画像に
対する探索ラインの設定状態を示す動作説明図、第８図
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同上の探索ラインの形態を示
す説明図、第９図は同上におけるエッジフラグ点の概念
を示す動作説明図、第10図は本発明の実施例２における
処理手順を示す動作説明図、第11図（ａ）〜（ｄ）はそ
れぞれ同上における探索ラインの形態を示す説明図、第
12図は本発明の実施例３における処理手順を示す動作説
明図、第13図は同上における探索ラインの形態を示す説
明図、第14図は同上の動作説明図、第15図は本発明の実
施例４における処理手順を示す動作説明図、第16図は同
上の動作説明図、第17図は同上におけるラスタ走査の動
作説明図、第18図は同上におけるスティックマスクの設
定状態を示す動作説明図、第19図は同上におけるスティ
ックマスクの一例を示す動作説明図、第20図は本発明の
実施例５における処理手順を示す動作説明図、第21図は
同上の検査領域を示す動作説明図、第22図は本発明の実
施例６における処理手順を示す動作説明図、第23図は同
上における白しきい値および黒しきい値とオフセット値
との関係を示す動作説明図、第24図は同上における濃度
測定点を示す動作説明図である。 l0〜l2…輪郭線、Ｏ…検査対象物、X1…欠陥、X2…異
物。
ブロック図、第２図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明にお
ける原画像、エッジ画像の一例を示す説明図、第３図は
同上における局所並列ウインドウを示す説明図、第４図
は同上における微分絶対値画像を示す説明図、第５図は
同上において微分絶対値画像からエッジ画像を得る段階
でのノイズ除去を行う処理の説明図、第６図は同上の処
理手順を示す動作説明図、第７図は同上のエッジ画像に
対する探索ラインの設定状態を示す動作説明図、第８図
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同上の探索ラインの形態を示
す説明図、第９図は同上におけるエッジフラグ点の概念
を示す動作説明図、第10図は本発明の実施例２における
処理手順を示す動作説明図、第11図（ａ）〜（ｄ）はそ
れぞれ同上における探索ラインの形態を示す説明図、第
12図は本発明の実施例３における処理手順を示す動作説
明図、第13図は同上における探索ラインの形態を示す説
明図、第14図は同上の動作説明図、第15図は本発明の実
施例４における処理手順を示す動作説明図、第16図は同
上の動作説明図、第17図は同上におけるラスタ走査の動
作説明図、第18図は同上におけるスティックマスクの設
定状態を示す動作説明図、第19図は同上におけるスティ
ックマスクの一例を示す動作説明図、第20図は本発明の
実施例５における処理手順を示す動作説明図、第21図は
同上の検査領域を示す動作説明図、第22図は本発明の実
施例６における処理手順を示す動作説明図、第23図は同
上における白しきい値および黒しきい値とオフセット値
との関係を示す動作説明図、第24図は同上における濃度
測定点を示す動作説明図である。 l0〜l2…輪郭線、Ｏ…検査対象物、X1…欠陥、X2…異
物。
Claims (8)
- 【請求項１】画像入力手段により検査対象物を含む空間
領域を撮像した後、画像入力手段により得られた原画像
の各画素の濃度に基づいて検査対象物の輪郭線を含むエ
ッジ画像に変換し、原画像とエッジ画像とに基づいて検
査対象物の輪郭線の内側に存在する欠け、ひび、汚れ等
の欠陥部を検査する欠陥検査方法において、エッジ画像
に基づいて検査対象物の輪郭線の内側に少なくとも１本
の探索ラインを設定し、探索ライン上で欠陥部のエッジ
とみなせるエッジフラグ点を検出すると、原画像につい
てエッジフラグ点の近傍での濃度変化に基づいて欠陥部
を識別することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項２】上記エッジ画像は、原画像の各画素の近傍
領域内の濃度値の最大変化率を表す微分絶対値を各画素
に対応させた微分絶対値画像に基づく細線化処理により
得られ、エッジ画像に基づいて、検査対象物の輪郭線内
に設定された探索ライン上でエッジフラグ点を検出する
と、探索ライン上にエッジフラグ点を中心とする複数画
素よりなるスティックマスクを設定し、原画像に基づい
て、スティックマスク内の対称位置の画素の濃度差の総
和を求め、その総和が所定値を越えると欠陥部が存在す
ると判断することを特徴とする請求項１記載の欠陥検査
方法。 - 【請求項３】上記エッジ画像は、原画像の各画素の近傍
領域内の濃度値の最大変化率を表す微分絶対値を各画素
に対応させた微分絶対値画像に基づく細線化処理により
得られ、エッジ画像に基づいて、検査対象物の輪郭線内
に設定された探索ライン上でエッジフラグ点を検出する
と、探索ライン上にエッジフラグ点を中心とする複数画
素よりなるスティックマスクを設定し、原画像に基づい
て、スティックマスク内の対称位置の画素の濃度差の総
和を求め、その総和が所定値を越えるとそのエッジフラ
グ点を欠陥候補点とし、探索ライン上の欠陥候補点の総
数が所定値を越えると欠陥部が存在すると判断すること
を特徴とする請求項１記載の欠陥検査方法。 - 【請求項４】エッジ画像に対して、検査対象物の輪郭線
内に複数本の並行する探索ラインを設定するとともに、
各探索ラインについて請求項２または請求項３の欠陥検
査方法により欠陥部が存在すると判定されると、その探
索ラインを欠陥候補ラインとし、隣接する複数本の探索
ラインが連続して欠陥候補ラインとなるとともに、欠陥
候補ラインの総数が所定値を越えると欠陥部が存在する
と判断することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項５】画像入力手段により検査対象物を含む空間
領域を撮像した後、画像入力手段により得られた原画像
の各画素の濃度に基づいて検査対象物の輪郭線を含むエ
ッジ画像に変換し、原画像とエッジ画像とに基づいて検
査対象物の輪郭線の内側に存在する欠け、ひび、汚れ等
の欠陥部を検査する欠陥検査方法において、エッジ画像
について検査対象物の輪郭線の内側に少なくとも１個の
検査領域を設定し、検査領域の全領域を走査しつつ探索
することにより欠陥部のエッジとみなせるエッジフラグ
点を検出すると、エッジフラグ点を開始点として欠陥部
の輪郭線を追跡するとともに、輪郭線上の各画素の近傍
での濃度変化に基づいて欠陥部を識別することを特徴と
する欠陥検査方法。 - 【請求項６】上記エッジ画像は、原画像の各画素の近傍
領域内の濃度値の最大変化率を表す微分絶対値を各画素
に対応させた微分絶対値画像に基づく細線化処理により
得られ、検査対称物の輪郭線の内部に基準濃度設定領域
と検査領域とを設定し、原画像について基準濃度設定領
域内の画素の濃度の平均値を求めて基準濃度とし、検査
領域内の走査中にエッジフラグ点を検出すると、原画像
の各画素の近傍領域内の濃度値の最大変化の方向を反映
する微分方向値を各画素に対応させた微分方向値画像に
基づいて、濃度値の上記最大変化の方向でエッジフラグ
点を中心とする複数画素よりなるスティックマスクを設
定し、原画像についてスティックマスク内のすべての画
素の濃度が上記基準濃度を越えるとともに、スティック
マスク内の対称位置の画素の濃度差が所定の白しきい値
を越えると、その濃度差を白加算値とし、原画像につい
てスティックマスク内の少なくも１つの画素の濃度が上
記基準濃度以下であるとともに、スティックマスク内の
対称位置の画素の濃度差が所定の黒しきい値を越える
と、その濃度差を黒加算値とし、隣接するすべてのエッ
ジフラグ点を追跡し各エッジフラグ点について白加算値
と黒加算値とを検出した後、白加算値と黒加算値との少
なくとも一方がそれぞれに対応して設定された所定値を
越えると欠陥部が存在すると判断することを特徴とする
請求項５記載の欠陥検査方法。 - 【請求項７】上記エッジ画像は、原画像の各画素の近傍
領域内の濃度値の最大変化率を表す微分絶対値を各画素
に対応させた微分絶対値画像に基づく細線化処理により
得られ、検査対称物の輪郭線の内部に検査領域を設定
し、検査領域内の走査中にエッジフラグ点を検出する
と、原画像の各画素の近傍領域内の濃度値の最大変化の
方向を反映する微分方向値を各画素に対応させた微分方
向値画像に基づいて、濃度値の上記最大変化の方向でエ
ッジフラグ点を中心とする複数画素よりなるスティック
マスクを設定し、原画像についてスティックマスク内の
対称位置の画素の濃度差が所定値を越えると、そのエッ
ジフラグ点を欠陥候補点とし、隣接するすべてのエッジ
フラグ点を追跡した後、欠陥候補点の総数とすべての欠
陥候補点の微分絶対値の総和との少なくとも一方がそれ
ぞれに対応して設定された所定値を越えると欠陥部が存
在すると判断することを特徴とする請求項５記載の欠陥
検査方法。 - 【請求項８】上記エッジ画像は、原画像の各画素の近傍
領域内の濃度値の最大変化率を表す微分絶対値を各画素
に対応させた微分絶対値画像に基づく細線化処理により
得られ、検査対称物の輪郭線の内部に基準濃度設定領域
と検査領域とを設定し、原画像より求めた基準濃度設定
領域内の画素の濃度の平均値より大きい白しきい値と上
記平均値より小さい黒しきい値とを設定し、検査領域内
の走査中にエッジフラグ点を検出すると、原画像の各画
素の近傍領域内の濃度値の最大変化の方向を反映する微
分方向値を各画素に対応させた微分方向値画像に基づい
て、濃度値の上記最大変化の方向でエッジフラグ点を中
心とする対称位置にエッジフラグ点から離れた一対の濃
度測定点を設定し、原画像について濃度値が大きいほう
の濃度測定点の濃度値が白しきい値を越えると白欠陥候
補点とし、濃度値が小さいほうの濃度測定点の濃度値が
黒しきい値より小さいと黒欠陥候補点とし、隣接するす
べてのエッジフラグ点を追跡し各エッジフラグ点につい
て白欠陥候補点と黒欠陥候補点とを検出した後、白欠陥
候補点の総数と黒欠陥候補点の総数との少なくとも一方
がそれぞれに対応して設定された所定値を越えると欠陥
部が存在すると判断することを特徴とする請求項５記載
の欠陥検査方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063120A JPH0718811B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 欠陥検査方法 |
| US07/433,823 US4974261A (en) | 1988-11-15 | 1989-11-09 | Optical surface inspection method |
| DE3937950A DE3937950A1 (de) | 1988-11-15 | 1989-11-15 | Verfahren zum pruefen optischer oberflaechen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063120A JPH0718811B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242382A JPH02242382A (ja) | 1990-09-26 |
| JPH0718811B2 true JPH0718811B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=13220108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1063120A Expired - Lifetime JPH0718811B2 (ja) | 1988-11-15 | 1989-03-15 | 欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718811B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003242482A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査方法および検査装置 |
| JP4742832B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2011-08-10 | パナソニック電工株式会社 | 外観検査方法、外観検査装置、プログラム |
| JP5033076B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | 外観検査方法およびその装置 |
| JP5033077B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | 成形品の外観検査方法およびその装置 |
| WO2010044433A1 (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 画像処理方法、画像処理装置及び該画像処理装置を用いた表面検査装置 |
| JP5389456B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP7157380B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-10-20 | Tdk株式会社 | 外観検査方法及び電子部品の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1063120A patent/JPH0718811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02242382A (ja) | 1990-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000028541A (ja) | コンクリート表面のクラック検出方法 | |
| KR102242996B1 (ko) | 자동차 사출제품의 비정형 불량 검출 방법 | |
| Mir et al. | Machine learning-based evaluation of the damage caused by cracks on concrete structures | |
| JPH0718811B2 (ja) | 欠陥検査方法 | |
| JP3890844B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JPH06103275B2 (ja) | 外観検査による欠陥抽出方法 | |
| JP5346304B2 (ja) | 外観検査装置、外観検査システムおよび外観検査方法 | |
| JP2007147407A (ja) | 外観検査方法 | |
| JP3508518B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JP2647502B2 (ja) | パターン比較検査方法および装置 | |
| JPH07333197A (ja) | 表面疵自動探傷装置 | |
| JP2686053B2 (ja) | 外観検査による欠陥検査方法 | |
| JP2758823B2 (ja) | 溶接部外観検査方法 | |
| JP4956077B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JPH0718812B2 (ja) | 異物検出方法 | |
| JP3119581B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JP2000321038A (ja) | パターン欠陥検出方法 | |
| JPH10208066A (ja) | 被検査物のエッジライン抽出方法及びこの方法を用いた外観検査方法 | |
| JP2710685B2 (ja) | 外観検査による欠陥検出方法 | |
| JPH0827841B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JPH0772909B2 (ja) | 外観検査による溶接状態判定方法 | |
| JP2004125629A (ja) | 欠陥検出装置 | |
| JPH0797410B2 (ja) | 画像処理方法 | |
| JP2514727B2 (ja) | 外観検査による欠陥検査方法 | |
| JPH1114317A (ja) | 外観検査方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080306 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100306 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100306 Year of fee payment: 15 |