JPH07176590A

JPH07176590A - 処理装置

Info

Publication number: JPH07176590A
Application number: JP34258193A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Ushijima; 満牛島; Masami Akumoto; 正己飽本; Osamu Hirakawa; 修平河; Yoshio Kimura; 義雄木村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1993-12-13
Filing date: 1993-12-13
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】処理工程を必要に応じて選択的に変更が可能
で、処理のスループットを向上させる。【構成】被処理体に溶剤を塗布する塗布処理ユニット
又は、被処理体を現像する現像処理ユニットを少なくと
も１つ以上備えた処理ユニットと、これらの処理ユニッ
トに並設して設けられるとともに前記被処理体を前記処
理ユニットに搬入出するための直線状に移動する搬送装
置を備えた搬送ユニットと、この搬送ユニットの前記処
理ユニットと反対側に設けられた前記被処理体を加熱す
る加熱ユニット又は、前記被処理体を冷却する冷却ユニ
ットを具備する温度制御ユニットとを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置の製造には、シリコ
ンのような半導体単結晶のウエハーにトランジスタ等の
素子を形成するために、多数の微細加工工程が含まれ
る。その中で、ウエハーの表面に所定のレジストパター
ンを形成するＰＥＰ（ｐｈｏｔ−ｏｅｎｇｒａｖｉｎｇ
ｐｒｏｃｅｓｓ）は非常に重要な地位を占める。何故
なら、ＰＥＰで形成されるレジストパターンはエッチン
グマスク等として使用され、現在の微細加工技術の基礎
を提供するからである。

【０００３】ＰＥＰにおけるレジストパターンの形成
は、ウエハー表面にフォトレジストを塗布して均一な膜
厚のフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジ
スト膜の所定領域を選択的に露光する工程と、該露光さ
れたフォトレジスト膜を現像して所望のレジストパター
ンを形成する工程とからなる。このうち露光工程は、例
えばステップ・アンド・リピート・アライナー（ステッ
パーと称される）等の露光装置を用いて行われる。他
方、基板表面にフォトレジスト膜を形成する工程は、例
えば以下に説明する装置を用いて行われる。

【０００４】図７は、トラック方式と呼ばれるフォトレ
ジスト膜形成装置での処理手順を示すフローチャートで
ある。この装置は図示のように、夫々予備加熱工程４、
冷却工程５、塗布工程６、加熱工程８を行う処理ステー
ションを有している。表面にフォトレジスト膜を形成す
べき半導体ウエハー１は、カセット状容器２に収納され
てこの装置に導入される。半導体ウエハー１は一枚づつ
カセット２から取出され、ベルト搬送機構３により順次
各処理ステーションに搬送され、所定の処理を施され
る。予備加熱工程４において、ウエハー１は加熱により
水分を除去される。予備加熱されたウエハー１は、冷却
工程５で冷却された後、塗布工程６に送られる。塗布工
程６では、例えばスピンナーコーター（ｓｐｉｎｎｅｒ
ｃｏａｔ−ｅｒ）等の塗布装置により、ウエハー１の
表面にフォトレジストが均一に塗布される。フォトレジ
ストを塗布されたウエハー１は、ウォーキングビーム方
式と称される搬送機構７を具備した加熱工程８に送られ
る。この加熱工程８で加熱されることにより、ウエハー
に塗布されたフォトレジスト液は膜状に安定化される。
加熱工程８を終了し、表面に初期のフォトレジスト薄膜
が形成されたウエハー９は、ベルト搬送機構３により、
処理済みウエハーを収納するためのカセット１０に収納
される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
装置においては夫々の独立した処理ステーションが直列
に配置され、処理されるべき半導体ウエハーはこれらの
ステーションを所定の順序で、かつ一方通行で必ず通
り、必要の有無に関係なく処理を受けなければならない
ようになっている。このため、一旦設定された処理順序
を任意に変更することはできず、また或る処理ステーシ
ョンだけを選択的に通過させることも不可能であった。

【０００６】これに対し、半導体ウエハー１に半導体素
子を形成するに必要な処理工程はその順序も含めて、ウ
エハー１に形成されるＩＣの種類によって変わる。にも
かかわらず、上記従来のフォトレジスト膜形成装置で
は、或る処理工程が不要な半導体ウエハーについても総
ての処理工程を実施せざるを得ないため、スループット
を向上する妨げとなっている。

【０００７】従って、処理すべき半導体ウエハー１の種
類に応じ、装置に設けられた処理ステーションのうち、
どの処理ステーションをどの順序で使用するかを任意に
変更できる装置が望まれる。

【０００８】本発明は、上述の従来事情に対処してなさ
れたもので、処理工程を必要に応じ選択的に変更が可能
で処理のスループットが高い製造装置を提供しようとす
るものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、被処理体
に溶剤を塗布する塗布処理ユニット又は、被処理体を現
像する現像処理ユニットを少なくとも１つ以上備えた処
理ユニットと、これらの処理ユニットに並設して設けら
れるとともに前記被処理体を前記処理ユニットに搬入出
するための直線状に移動する搬送装置を備えた搬送ユニ
ットと、この搬送ユニットの前記処理ユニットと反対側
に設けられた前記被処理体を加熱する加熱ユニット又
は、前記被処理体を冷却する冷却ユニットを具備する温
度制御ユニットとを備えたことを特徴とする。

【００１０】第２の発明は、前記搬送装置には、少なく
とも前記被処理体を１枚以上保持するピンセットを具備
したことを特徴とする。

【００１１】第３の発明は、前記搬送装置は、所定のプ
ログラムにより前記処理ユニット又は前記温度制御ユニ
ットに対し、前記被処理体を搬入出するよう構成されて
なることを特徴とする。

【００１２】第４の発明は、前記ピンセットには、前記
被処理体を保持する３つの支持部が設けられてなること
を特徴とする。

【００１３】第５の発明は、前記ピンセットは複数設け
られ、これらのピンセットは重設して設けられているこ
とを特徴とする。

【００１４】第６の発明は、前記搬送装置は、１方向に
対していったりきたりすることを特徴とする。

【００１５】第７の発明は、前記加熱ユニットは、前記
被処理体に対してＨＭＤＳ処理を行うことを特徴とす
る。

【００１６】第８の発明は、前記加熱ユニットは、前記
被処理体に溶剤を塗布した後の被処理体に対し、加熱処
理することを特徴とする。

【００１７】第９の発明は、前記冷却ユニットは、前記
加熱ユニットで処理された被処理体を冷却するよう構成
されていることを特徴とする。

【００１８】第１０の発明は、前記複数のピンセット
は、独立して回転可能に構成されていることを特徴とす
る。

【００１９】

【作用】本発明処理装置では、対向配置された複数の工
程間を選択して被処理体を搬送できるようにした処理装
置により、被処理体の種類に応じた処理工程を選択し得
る。

【００２０】

【実施例】以下、本発明処理装置を塗布現像装置に適用
した一実施例を図面に参照して説明する。

【００２１】図１は、フォトレジスト膜の塗布現像装置
１００を示す平面図であり、図中、１０１は本体基台で
ある。この基台１０１の中央部には、矢印Ｙ方向（横方
向）に延設された通路１０２が設けられている。この通
路１０２の一方の側には、未処理の半導体ウエハーを加
熱して水分等を除去するためのＨＭＤＳ処理を伴うか、
又は単に加熱する予備加熱ステーション１０３、予備加
熱されたウエハーを冷却するための冷却ステーション１
０４、例えばフォトレジスト液を塗布した後のウエハー
を加熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するために
用いる垂直方向にそれぞれ２枚の加熱装置を有する第１
及び第２の加熱ステーション１０５、１０６が設けられ
ている。また、通路１０２の他方の側には、予備加熱お
よび冷却を終了したウエハーの表面に、例えばフォトレ
ジスト液を塗布するために用いる第１および第２の塗布
ステーション１０７、１０８が設けられている。なお、
図では冷却ステーション１０４、および予備加熱ステー
ション１０３、第１、第２の加熱ステーション１０５、
１０６が平面的に配置されているように記載されている
が、これは便宜上のもので、実際には冷却ステーション
１０４の上に予備加熱ステーション１０３の加熱装置が
上下に２枚設けられた積層構造となっている。

【００２２】通路１０２には、この通路１０２内を例え
ばボールスクリュー等の図示しない駆動機構によってＹ
方向に移動するハンドリング手段例えばウエハー搬送装
置１１０が設けられている。この搬送装置１１０はキャ
リッジ１１１を有し、このキャリッジ１１１にはバキュ
ームピンセット例えばウエハーＷを吸着保持するための
２つのピンセット１１２、１１３が上下に重畳されて取
付けられている。ピンセット１１２、１１３は夫々独立
にＸ方向（縦方向）、Ｙ方向（横方向）に移動可能で、
重畳されたピンセット１１２、１１３は同時にＺ方向
（垂直方向）に平行移動が可能で、またθ方向に回動す
ることができる。ピンセット１１２、１１３のこのよう
な平行移動および回動を可能とするため、キャリッジ１
１１にはステッピングモータ及びこれに連結されたボー
ルスクリュー等の図示しない駆動機構が設けられてい
る。ピンセット１１２、１１３は、一方のピンセットで
ウエハーを保持して処理ステーションに搬送し、この処
理ステーションに処理済ウエハーがあった時、他のピン
セットで処理済ウエハーをピックアップし、上記ウエハ
ーをセットする。この搬送装置１１０はウエハーＷを前
述の各処理ステーション１０３〜１０８に搬送するため
に用いられる。

【００２３】基台１０１の左側には、ウエハー搬入搬出
機構１２０が設けられている。この搬入搬出機構１２０
には、処理前の半導体ウエハーＷ_Bを収容したウエハー
カセット１２２及び処理後のウエハーＷ_Fを収容するウ
エハーカセット１２３が設けられている。また、搬入搬
出機構１２０はウエハーＷの裏面を吸着保持するための
ピンセット１２１を具備している。このピンセット１２
１は、前記のピンセット１１２、１１３と同様の構成に
よりＸ、Ｙ方向に平行移動が可能になっている。このピ
ンセット１２１は、処理前のウエハーＷ_Bをカセット１
２２から取出し、また処理済みのウエハーＷ_Fをウエハ
ーカセット１２３に収納する。

【００２４】搬入搬出機構１２０のピンセット１２１
は、処理前のウエハーＷ_Bを搬送装置１１０のピンセッ
ト１１２、１１３に渡し、また処理後のウエハーＷ_Fを
ピンセット１１２、１１３から受け取る。この受渡しを
可能とするインターフェースが、通路１０２と搬入搬出
機構１２０との境界に設けられている。

【００２５】また、搬送装置１１０のピンセット１１
２、１１３は、各処理ステーション１０３〜１０８との
間でウエハーＷの受渡しを行う。これによって、ウエハ
ーＷは所定の順序に従い、各処理ステーション１０３〜
１０８での処理を受け取る。そして、搬送装置１１０の
動作は、全て図示しない制御システムによって制御され
るようになっている。従って、制御システムのプログラ
ムを変更することによって、処理ステーション１０３〜
１０８における処理を任意に設定することできる。即
ち、処理ステーション１０３〜１０８における処理の幾
つかのみを行うことも、処理の順序を変更することも可
能である。

【００２６】図２および図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に、上
記ピンセット１１２、１１３、１２１を詳細に記載して
いる。これらの図において、２１はピンセット本体であ
る。この本体２１には３つの支点２２、２３、２４が突
設され、半導体ウエハーＷはこれら支点によって三点支
持される。この三点支持は、ピンセット２１表面のゴミ
の付着を防止する効果がある。これら支点２２〜２４の
内２４には、その頂面に開口した真空吸着のための吸引
口が設けられている。また、ウエハーＷのアライメント
のために、ウエハーＷの周縁に対応した円弧状のガイド
部材２５と、ストッパ部材２６とが設けられている。半
導体ウエハーＷは、まず図３（Ａ）に示す状態でピンセ
ット上に載置される。この状態では、ウエハーＷはアラ
インメントされておらず、真空吸着もされていない。つ
いで、図３（Ｂ）に示すように、ピンセットをストッパ
部材２６に向けて水平に移動させ、ウエハーＷのオリエ
ンテーションフラットＷ_aがストッパ部材２６に当接さ
せる。その後、更に水平移動を続けることにより、半導
体ウエハーＷはピンセットの支点２２〜２４上をスライ
ドし、最終的にはガイド部材２５に当接して停止する。
従って、もし図３（Ａ）の状態でウエハーＷの位置がピ
ンセットの中央部からズレていたとしても、ガイド部材
２５に案内されることによって、ピンセット中央の所定
位置にアラインメントすることができる。

【００２７】図４は、通路１０２とウエハー搬入搬出機
構１２０との境界に設けられたインターフェース機構３
０を示している。このインターフェース機構３０はピン
セット１２１とピンセット１１２、１１３との間で受渡
しされる半導体ウエハーＷを一時待機させる機能を有
し、真空吸着機構により半導体ウエハーＷを保持する保
持部材３１と、この保持部材を昇降させるための駆動装
置（例えばエアシリンダ）３２とからなっている。搬入
搬出機構１２０のピンセット１２１が図示の位置に半導
体ウエハーＷを搬送してくると、保持部材３２が上昇
し、図示のように半導体ウエハーＷを持上げて保持す
る。次に、レジスト塗布現像装置１００側のウエハー搬
送装置１１０が、図示のインターフェース機構３０の位
置に移動する。そして、保持部材３１が下降することに
より、保持部材３１に保持されている半導体ウエハーＷ
はピンセット１１２又は１１３に載置される。ピンセッ
ト１１２、１１３からピンセット１２１への半導体ウエ
ハーＷの受渡しも、上記と同様にして行われる。

【００２８】次に、上記実施例の装置１００によって、
半導体ウエハーＷの表面にフォトレジスト膜を形成する
工程を順を追って説明する。この工程は、既述の制御シ
ステムの予め記憶されたプログラムに基づいて実施され
る。

【００２９】先ず、搬入搬出機構１２０のピンセット１
２１によりカセット１２２からウエハーＷを１枚取出
し、インターフェース機構３０の位置まで搬送する。搬
送されてきた半導体ウエハーＷは、インターフェース機
構３０を介して、通路１０２の左端に待機している搬送
装置１１０の一方のピンセット、例えばピンセット１１
２に渡され、吸着保持される。なお、１つのカセット１
２２に同一種の半導体ウエハーのみが収納されている場
合には、カセット１２２にＩＤコードを表示し、このＩ
Ｄを読取って製造工程プログラムを選択するようにして
もよい。

【００３０】以下、予備加熱ステーション１０３、冷却
ステーション１０４、第１の塗布ステーション１０７、
第１の加熱ステーション１０５での処理がこの順序で選
択された場合について説明する。

【００３１】まず、ウエハーＷを受取ったピンセット１
１２を予備加熱ステーション１０３に向かって移動さ
せ、ウエハーＷを予備加熱ステーション１０３にセット
して予備加熱する。予備加熱は、ヒータプレートにより
構成し、ウエハーＷをヒータプレート上に載置する。こ
の時、ウエハーＷはプレート上に直接接触させず三点支
持により０．３ｍｍ程度浮かせるとゴミ対策が良好であ
る。この間にピンセット１２１を移動させて２番目のウ
エハーＷをカセット１２２から取出し、前記インターフ
ェース機構３０に待機させておく。最初のウエハーを予
備加熱ステーション１０３に搬入し終わった後、搬送装
置１１０はインターフェース機構３０から２番目のウエ
ハーＷをピンセット１１２で受取り、ピンセット１１２
上に吸着保持する。そして、予備加熱ステーション１０
３での最初のウエハーの処理が終了するまでそのまま待
機する。

【００３２】最初のウエハーＷの予備加熱処理が終了し
たとき、搬送装置１１０は次の動作を行う。即ち、まず
ウエハーを保持していないピンセット１１３を移動させ
ることにより、予備加熱処理が終了した最初のウエハー
を予備加熱ステーション１０３から取出す。こうして予
備加熱ステーション１０３を空にした後、２番目のウエ
ハーを保持しているピンセット１１２を動作させ、２番
目のウエハーを予備加熱ステーション１０３にセットす
る。次いで、ピンセット１１２、１１３をＹ方向、θ方
向、Ｚ方向に移動し、冷却ステーション１０４位置に移
動し、基板を保持したピンセット１１３をＸ方向に動作
し、この最初のウエハーを冷却ステーション１０４にセ
ットする。この動作から、２つのピンセット１１２、１
１３を設けた利点が理解される。即ち、ピンセットが１
つしかない場合には、搬送装置１１０はまず最初のウエ
ハーを予備加熱ステーション１０３から取出し、これを
冷却ステーション１０４にセットし、その後にインター
フェース機構３０から２番目のウエハーを受け取ってこ
れを予備加熱ステーション１０３にセットする動作を行
わなければならないからである。なお、上記の動作が行
われている間に、搬入搬出機構１２０では、ピンセット
１２１により次に処理する３番目のウエハーを前記イン
ターフェース機構３０に待機させておく。

【００３３】次に、搬送装置１１０はインターフェース
機構３０から３番目のウエハーをピンセット１１２に保
持する。そして、冷却ステーション１０４での処理が終
了するまで待機させる。最初のウエハーの冷却工程が終
了したとき、搬送装置１１０はウエハーを保持していな
い方のピンセット１１３で冷却ステーション１０４内の
ウエハーを取出し、次にプログラムされたフォトレジス
トの塗布工程のための第１の塗布ステーション１０７に
セットする。この塗布処理の間に予備加熱ステーション
１０３における２番目のウエハーの処理が終了したら、
搬送装置１１０はウエハーを保持していない方のピンセ
ット１１３によってこのウエハーを予備加熱ステーショ
ン１０３から取出す。そして、ピンセット１１２に保持
している３番目のウエハーを予備加熱ステーション１０
３にセットすると同時に、ピンセット１１３に保持して
いる２番目のウエハーを冷却ステーション１０４にセッ
トする。この動作は、既述した通りと同じである。

【００３４】なお、もし最初のウエハーの冷却工程が終
了する前に、２番目のウエハーの予備加熱処理が終了す
る場合には、次のような動作を行うようにプログラムす
ることも可能である。即ち、まず３番目の未処理のウエ
ハーをピンセット１１２に保持した状態で、ピンセット
１１３により２番目のウエハーを予備加熱ステーション
１０３から取出す。続いてピンセット１１２に保持され
ている３番目のウエハーを予備加熱ステーション１０３
にセットした後、待機する。そして、冷却ステーション
１０４における最初のウエハーの冷却工程が終了した
後、この最初のウエハーをピンセット１１２又は１１３
で取出し、第１の塗布ステーション１０７にセットす
る。この塗布は、例えばレジスト液を滴下スピンコーテ
ィング装置により実行する。

【００３５】第１の塗布ステーション１０７において最
初のウエハーに対するフォトレジストの塗布処理が終了
したとき、搬送装置１１０はピンセット１１３によりこ
のウエハーを第１の塗布ステーション１０７から取出
す。続いてＹ方向に沿って右側に移動し、取出した最初
のウエハーを第１の加熱ステーション１０５にセットし
て加熱処理を行う。この加熱処理を行っている間に冷却
ステーション１０４内での２番目のウエハーの冷却処理
が終了したら、搬送装置１１０はこのウエハーをピンセ
ット１１３にて取出し、更に第１の塗布ステーション１
０７にセットしてフォトレジストの塗布を開始する。

【００３６】第１の加熱ステーション１０５において最
初のウエハーの処理が終了し、所望のフォトレジスト膜
が形成されたら、搬送装置１１０はこの最初のウエハー
をピンセット１１３にて取出す。続いて、搬送装置１１
０はＹ方向左側に移動し、ピンセット１１３に保持した
ウエハーを前記のインターフェース機構３０に渡す。イ
ンターフェース機構３０での待機中、直接載置部に接触
させず、わずかに浮かせて載置することがゴミ対策上有
効である。また、待機機構はキャリアカセットにより構
成するとさらに有利である。こうして処理済みの半導体
ウエハーＷ_Fがインターフェース機構３０に待機される
と、搬入搬出機構１２０のピンセット１２１がこのウエ
ハーを受取り、カセット１２３に収納する。以上述べた
一連の処理動作は、カセット１２２内の未処理のウエハ
ーＷ_Bがなくなるまで続けられる。

【００３７】なお、上記の動作説明では第１の塗布ステ
ーション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用
いたが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１
０８及び第２の加熱ステーション１０６を使用してもよ
い。また、フォトレジストの塗布工程および／または加
熱工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つ
の塗布ステーション１０７、１０８および／または２つ
の加熱ステーション１０５、１０６を同時に使用するこ
とも可能である。

【００３８】ところで、上記のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、１枚のウエハーにつ
いて試しに処理を行ってみるのが普通である。この場
合、試しの処理が終了したテストウエハーＷ_Tを、検査
のためにカセット１２１から取出す必要がある。この取
出しを容易にするため、図５に示すように、カセット１
２３の基部に引出し可能なレシーバ４０を設けるのが好
ましい。このレシーバ４０の一端には取手４１を設け、
内部にはウエハー載置台４２を設けておく。試しの処理
を終了したテストウエハーＷ_Tは、ピンセット１２１に
よって開口部４３から挿入され、載置台４２に載せられ
る。従って、このテストウエハーＷ_Tはレシーバ４０を
図示のように引出すことによって容易に取出すことがで
きる。

【００３９】なお、上記の動作説明では第１の塗布ステ
ーション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用
いたが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１
０８及び第２の加熱ステーション１０６を使用してもよ
い。また、フォトレジストの塗布工程および／または加
熱工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つ
の塗布ステーション１０７、１０８および／または２つ
の加熱ステーション１０５、１０６を同時に使用するこ
とも可能である。

【００４０】以上の動作説明から明らかなように、上記
実施例の装置によれば、半導体ウエハーの表面にフォト
レジスト膜を形成するために必要な複数の工程を、その
順序をも含めた任意に組合せて最良の工程をプログラム
することができる。従って、処理すべき半導体ウエハー
の種類に応じて最も効率のよい組合せプロセスを選択
し、最大のスループットを得ることができる。

【００４１】また、搬送装置１１０が２つのピンセット
１１２、１１３を有し、夫々独立の動作をすることか
ら、処理の自由度が高い。例えば、次工程のステーショ
ンにウエハーが存在しているとその工程のウエハーの入
替えができないといった不都合がない。なお、搬送機構
１１０のピンセットは必ずしも２つである必要はなく、
３つ以上であってもよい。

【００４２】更に、各処理ステーションを通路１０２に
沿ってその両側に配設しているため、搬送装置１１０の
動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高い。従
って、処理プログラムの変更が容易である。また、予備
加熱ステーション１０３と冷却ステーション１０４とを
上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積も
節減される。

【００４３】上記の実施例の装置は、所定のパターンで
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても使用することができる。その
場合、塗布ステーション１０７、１０８に現像液を塗布
する装置も設けられている。現像装置は、例えば変速回
転中のウエハー上に現像液をジェット状に噴出させて現
像する構成である。

【００４４】また、２つの塗布ステーション１０７、１
０８の何れか一方をフォトレジストの塗布に用い、他方
を現像液の塗布に用いることにより、フォトレジスト膜
の形成および現像の両方を行う装置として使用すること
ができる。その際、通路１０２の右端にも図４のような
インターフェース機構３０を設け、露光装置との間でウ
エハーの受渡しを行えるようにすることにより、レジス
ト塗布から現像までを一貫した連続プロセスとして実施
することができる。

【００４５】なお、処理ユニットを複数連設したい場合
には、通路１０２の延長線上に次の通路が形成されるよ
うに構成し、この接続部にウエハーの待機機構、例えば
キャリアステーションを設けると良い。

【００４６】例えば図６に示すように、カセット１２
２、１２３内のウエハーＷを搬出、或いはカセット１２
２、１２３内へ搬入するアーム１２０ａを有する搬入搬
出機構１２０と、インターフェース機構３０でウエハー
Ｗの受渡しを行う搬送装置１１０ａを有する第１の処理
系１５０により上述したような動作で各処理を行う。例
えば、この第１の処理系１５０に、ＨＭＤＳ（ヘキサメ
チルジシラザン）処理ステーション１５１、第１の加熱
ステーション１５２、第１の冷却ステーション１５３、
第１層目のレジストを回転塗布する第１の塗布ステーシ
ョン１５４、第２層目のレジストを回転塗布する第２の
塗布ステーション１５５を設け、これら各ステーション
に選択的にウエハーを搬送して処理を行う。更に、複数
の処理ステーション例えば第２の加熱ステーション１５
６、第２の冷却ステーション１５７、露光工程時の光乱
反射を防止するためにレジスト上面にＣＥＬ膜等の表面
被覆層を塗布形成する第３の塗布ステーション１５８等
が夫々対向配置され、且つ、これら各ステーションにウ
エハーを搬送する搬送装置１１０ｂを備えた第２の処理
系１５９を設け、この第２の処理系１５９及び第１の処
理系１５０の間に待機機構１６０を配置させる。この待
機機構１６０には、ウエハーＷ１枚を載置できる載置台
１６１を設け、上記インターフェース機構３０における
ウエハーＷの受渡しと同様に、上記載置台１６１を利用
して、第１の処理系１５０の搬送装置１１０ａと第２の
処理系１５９の搬送装置１１０ｂとの間で、ウエハーＷ
の受渡しを行う。この待機機構１６０の構成は、載置台
１６１を設けずにバッファー用カセット（図示せず）を
設け、このカセットにより複数枚のウエハーＷを待機で
きる構造としてもよい。このバッファー用カセットによ
り、搬送機構１１０ａおよび搬送機構１１０ｂの作業量
の差があっても、一方の搬送機構が待機する時間を少な
くすることが可能となる。

【００４７】このように、待機機構１６０を介して搬送
機構を２系統とすることにより、処理ステーションの増
加に容易に対応できると共に、高スループット処理が可
能となる。

【００４８】上記搬送機構は２系統に限定するものでは
なく、２系統以上としてもよく、待機機構の増設に伴っ
て増加させることができる。

【００４９】上記実施例では、処理装置としてレジスト
の塗布現像処理に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えばエッチング処理、ＣＶ
Ｄ処理、アッシング処理等でも同様な効果が得られる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
種プロセスに対応できるとともに、処理のスループット
を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の一実施例を説明するための塗布現
像装置の構成図である。

【図２】図１のピンセット説明図である。

【図３】図１のピンセット説明図である。

【図４】図１装置のインターフェース機構説明図であ
る。

【図５】図１のカセット説明図である。

【図６】本発明装置の他の実施例説明図である。

【図７】従来の塗布装置構成図である。

【符号の説明】

１１０搬送装置１１２、１１３ピンセット１２０搬入搬出機構１６０待機機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者平河修熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地テル九州株式会社内 (72)発明者木村義雄熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地テル九州株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に溶剤を塗布する塗布処理ユニッ
ト又は、被処理体を現像する現像処理ユニットを少なく
とも１つ以上備えた処理ユニットと、これらの処理ユニットに並設して設けられるとともに前
記被処理体を前記処理ユニットに搬入出するための直線
状に移動する搬送装置を備えた搬送ユニットと、この搬送ユニットの前記処理ユニットと反対側に設けら
れた前記被処理体を加熱する加熱ユニット又は、前記被
処理体を冷却する冷却ユニットを具備する温度制御ユニ
ットとを備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】前記搬送装置には、少なくとも前記被処理
体を１枚以上保持するピンセットを具備したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項３】前記搬送装置は、所定のプログラムにより
前記処理ユニット又は前記温度制御ユニットに対し、前
記被処理体を搬入出するよう構成されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項４】前記ピンセットには、前記被処理体を保持
する３つの支持部が設けられてなることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の処理装置。
【請求項５】前記ピンセットは複数設けられ、これらの
ピンセットは重設して設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の処理装置。
【請求項６】前記搬送装置は、１方向に対していったり
きたりすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の処理装置。
【請求項７】前記加熱ユニットは、前記被処理体に対し
てＨＭＤＳ処理を行うことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の処理装置。
【請求項８】前記加熱ユニットは、前記被処理体に溶剤
を塗布した後の被処理体に対し、加熱処理することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項９】前記冷却ユニットは、前記加熱ユニットで
処理された被処理体を冷却するよう構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１０】前記複数のピンセットは、独立して回転
可能に構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の処理装置。