JP2926593B2 - 基板処理装置及びレジスト処理装置及び基板処理方法及びレジスト処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】開示技術は、基板の処理及びレジ
スト処理の技術分野に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置の製造には、シリコ
ンのような半導体単結晶のウエハー（以下単にウエハー
と略称）等の基板にトランジスタ等の素子を形成するた
めに、多数の微細加工工程が含まれる。その中で、基板
の表面に所定のレジストパターンを形成するＰＥＰ（ｐ
ｈｏｔｏｅｎｇｒａｖｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）は非常
に重要な地位を占める。

【０００３】蓋し、該ＰＥＰで形成されるレジストパタ
ーンはエッチングマスク等として使用され、現在の微細
加工技術の基礎を提供するからである。

【０００４】而して、該ＰＥＰにおけるレジストパター
ンの形成は、基板のウエハー表面にフォトレジストを塗
布して均一な膜厚のフォトレジスト膜を形成する工程
と、該フォトレジスト膜の所定領域を選択的に露光する
工程と、当該露光されたフォトレジスト膜を現像して所
望のレジストパターンを形成する工程とからなる。

【０００５】このうち露光工程については、これまで例
えば、ステップ・アンド・リピート・アライナー（ステ
ッパーと称される）等の露光装置を用いて行われ、他
方、基板表面にフォトレジスト膜を形成する工程は、例
えば、以下に説明する装置を用いて行われる。

【０００６】即ち、図７はトラック方式と呼ばれるフォ
トレジスト膜形成装置での処理手順を示すフローチャー
トであり、この装置は図示するようにそれぞれ予備加熱
工程４、冷却工程５、塗布工程６、加熱工程８での各所
定の処理を行う処理ステーションを有している。

【０００７】而して、表面にフォトレジスト膜を形成す
べきウエハー１は、カセット状容器２に収納されてこの
装置に導入され、該ウエハー１は一枚ずつ該カセット容
器２から取出され、ベルト搬送機構３により順次各処理
ステーションに搬送されて所定の処理を施されるように
され、予備加熱工程４の処理においては、ウエハー１は
加熱により水分を除去される。

【０００８】そして、予備加熱されたウエハー１は冷却
工程５で冷却された後、塗布工程６に送られ、該塗布工
程６では、例えば、スピンナーコーター（ｓｐｉｎｎｅ
ｒｃｏａｔｅｒ）等の塗布装置により、該ウエハー１の
表面にフォトレジストが均一に塗布処理され、該フォト
レジストを塗布されたウエハー１はウォーキングビーム
方式と称される搬送機構７を介して加熱工程８に送ら
れ、該加熱工程８で加熱処理されることにより、ウエハ
ー１に塗布されたフォトレジスト液は膜状に安定化され
る。

【０００９】そして、加熱工程８を終了し、表面に初期
のフォトレジスト薄膜が形成されたウエハー９はベルト
搬送機構３により、処理済みウエハー９を収納するため
の他のカセット容器１０に収納される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のレ
ジスト膜処理装置においてはそれぞれの独立した処理ス
テーションが直列状に配置され、処理されるべき基板と
してのウエハー１はこれらのステーションを所定の順序
で、且つ、一方通行で必ず通り、該各ステーションの処
理の必要の有無に関係なく処理を受けなければならない
ようになっており、このため、一旦設定された処理順序
を任意に変更することは出来ず、又、ある処理ステーシ
ョンだけを選択的に通過させスループット処理をするこ
とも不可能であるという欠点があった。

【００１１】これを対し、ウエハー１に半導体素子を形
成するに、必要な処理工程はその順序も含めて該ウエハ
ー１に形成されるＩＣの種類によって変わるにもかかわ
らず、上述従来のフォトレジスト膜形成処理では、ある
処理工程が不要なウエハー１についても全ての処理工程
をたどらざるを得ないため、スループット性を向上する
妨げとなっている難点があった。

【００１２】したがって、処理すべきウエハー１の種類
に応じ、装置に設けられた処理ステーションのうち、い
ずれの処理ステーションをどの順序で使用するかを任意
に変更出来る装置が望まれているがこれに応える装置が
これまで案出されていない不具合があった。

【００１３】そして、上述問題点はウエハーのみに在る
のではなく、該ウエハーに均等な基板に共通な問題でも
あった。

【００１４】

【発明の目的】この出願の発明の目的は上述の従来技術
に基づくウエハー等の基板のレジスト処理等の問題点に
対処してなされたもので、処理工程を必要に応じ選択的
に変更が可能で処理のスループット性が高い基板及びレ
ジストの処理装置及び各方法を提供せんとするものであ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述目的に沿い先述特許
請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成は、前述
課題を解決するために、第１の発明は被処理基板を搬送
自在にされ塗布現像装置の本体の基台の中央に在り、該
基台の端部に隣設した搬出入機構部に接続され横方向に
延設された直線状の搬送路を往復移動自在にされた搬送
装置と、該全体装置中央に在り、横方向に延設された直
線状の搬送路の長手方向に沿い該搬送路の片側に相隣っ
て配置され該被処理基板に所定の処理を施す複数の処理
部と、該搬送路の他方側に相隣って配置された他の処理
部と、上記搬出入機構部に設けられると共に上記被処理
基板を収納するカセットを配置自在にされ、該カセット
から搬出した該被処理基板を上記搬送装置に受け渡す
Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向及びθ方向に作動するセンタリング機
能を有するピンセット機構と、上記直線状の搬送路の上
記搬送装置の往復移動する移動方向の基端側と搬出入機
構部との間に設けられ、該搬送装置に対して上記被処理
基板を受け渡し自在にされ、搬送装置に対し、バッファ
機能を有する待機機構と、を具備したことを特徴とする
基板処理装置。

【００１６】第２の発明は被処理基板を搬送自在にされ
塗布現像装置本体の基台の中央に在り、該基台の端部に
隣設した被処理基板の搬出入機構部に接続され横方向に
延設された直線状の搬送路を往復移動自在に構成された
搬送装置と、該直線状の搬送路の長手方向に沿いその一
方の縁側に相隣って配置され、該被処理基板に熱的処理
を施す複数の熱処理部と、上記直線状の搬送路の長手方
向に沿いその他方の縁側に相隣って配置され、上記被処
理基板にレジスト液を塗布する液処理部及び／又は被処
理基板に現像液を供給し現像処理する処理部を複数具備
する液処理部と、上記直線状の搬送路の延長上に設けた
別の搬送路に在る他の搬送装置により上記搬出入機構部
から離隔された部位に設けられた端部のインターフェー
ス機構を介し、露光装置との間で上記搬送路の延長上に
在る他の搬送装置により上記被処理基板を受渡し自在に
構成された機構と、を具備したことを特徴とするレジス
ト処理装置。

【００１７】第３の発明は直線状の搬送路の長手方向の
他方の縁側に沿い相隣って配置され、上記被処理基板に
レジスト液を塗布する処理部と該被処理基板に現像液を
供給し現像処理する処理部とを少くとも各々１つ設けた
液処理部と、上記直線状の搬送路の上記搬送装置の往復
移動する移動方向に設けられ、該搬送装置のキャリッジ
に対して上記処理部との間で上記被処理基板を受け渡し
自在にされ、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向及びθ方向に作動する重
畳式の複数のピンセットを有する機構と、を具備したこ
とを特徴とする請求項２記載のレジスト処理装置。

【００１８】第４の発明は被処理基板を搬送自在に構成
され、塗布現像装置本体の基台の中央に横向きに設けら
れた直線状の搬送路を往復移動自在にする搬送工程と、
該直線状の搬送路の長手方向に沿い該搬送路の両縁側に
て該被処理基板に所定の処理を施す工程と、上記直線状
の搬送路の上記搬送装置に対して該被処理基板を受け渡
し自在にする工程から構成され、上記搬送装置で受け取
った被処理基板を位置合わせし、処理部に対して該被処
理基板を受け渡し自在にする行程がＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方
向に作動する上記搬送装置のキャリッジに重畳された複
数のピンセット機構により行われる被処理基板の処理を
行う方法であって、搬出入機構部から被処理基板を複数
の処理部の内で所定の処理を施す工程と、該所定の処理
が施された該被処理基板を該複数の処理部の他の所定の
処理部で処理を施す工程とを有することを特徴とする基
板処理方法とし、

【００１９】第５の発明は上記直線状の搬送路の長手方
向に沿い該搬送路の他方の側にて、被処理基板にレジス
ト液を塗布する処理工程と、その後の上記搬出入機構部
から離隔され該搬送路の端部に設けられたインターフェ
ース機構と露光装置との間で被処理基板を受渡しする工
程と、上記直線状の搬送路の搬送装置の往復移動する移
動方向に沿い該搬送路の一方の側にて相隣って行う熱処
理工程を有し、該搬送装置から受け取った被処理基板を
位置合わせし上記排出入工程から離隔された部位の露光
工程の露光装置に対して該被処理基板を送出自在に構成
され、被処理基板に処理を実施するレジスト処理方法で
あって、搬送路の基端部に設けられた搬出入機構部に配
置されたカセットから未処理の被処理基板を搬出し上記
各処理工程に位置合わせを行う工程と、位置合わせされ
た該被処理基板を上記搬送路を往復動する搬送装置から
受け取る工程と、該被処理基板に前記熱処理部で所定の
処理を施す工程と、前記液処理部で被処理基板にレジス
ト液を塗布する工程と、該被処理基板に前記熱処理部で
所定の熱処理を施す工程と、上記露光装置に対して該被
処理基板を搬出する工程と、該露光装置から受け取った
該被処理基板を前記液処理部にて現像処理する工程と、
処理済の該被処理基板を前記搬出入機構部に配置された
他のカセットに搬入する工程とを有することを特徴とす
るレジスト処理方法とした技術的手段を講じたものであ
る。

【００２０】

【作用】而して、この出願の発明の基板の（レジスト）
処理では基板の搬出入機構部から横方向に直線状に延設
された搬送路の一方の側及び他方の側（一方の側には熱
処理部を、他方の側には液処理部を）に沿って対向的に
配置された複数の処理ステーションの工程間を独立的
に、排反的に選択して該基板を所定にセンタリング，ア
ライメントし搬送出来るようにして所定の処理を、該基
板の種類に応じた処理を相互に独立的に排反的に、又、
シリーズ的に、パラレル的に、そして、スループット的
に自在に選択し得るようにするものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この出願の発明の実施しよ
うとする形態を基板としてのウエハーのレジスト処理に
適用した実施例の処理態様とし図１〜図６の図面を参照
して説明すれば以下の通りである。

【００２２】図１はフォトレジスト膜の塗布現像装置１
００を示す平面図であり、図中１０１は装置本体の基台
である。該基台１０１の中央部には矢印Ｙ方向（横方
向）に直線状に接続されて延設された搬送路１０２が設
けられており、該搬送路１０２の一方の側には未処理の
ウエハーＷを加熱して水分等を除去するためのＨＭＤＳ
処理を伴うか、又は、単に加熱する予備加熱ステーショ
ン１０３、予備加熱された該ウエハーＷを冷却るための
冷却ステーション１０４、例えば、フォトレジスト液を
塗布した後のウエハーＷを加熱し、乾燥したフォトレジ
スト膜を形成するために用いる垂直方向にそれぞれ２枚
の加熱装置を有する第１、及び、第２の加熱ステーショ
ン１０５，１０６が相隣って併置的に設けられている。

【００２３】又、通路１０２の他方の側には予備加熱、
及び、冷却を終了したウエハーＷの表面に、例えば、フ
ォトレジスト液を塗布するために用いる第１、及び、第
２の塗布ステーション１０７，１０８が相隣って設けら
れている。

【００２４】尚、当該図１では冷却ステーション１０
４、及び、予備加熱ステーション１０３、第１，第２の
加熱ステーション１０５，１０６が図示の都合上平面的
に配置されているように示されてはいるが、これは便宜
上のもので実際には冷却ステーション１０４の上に予備
加熱ステーション１０３の加熱装置が上下に２部設けら
れた積層構造となっている。

【００２５】而して、上記搬送路１０２には該搬送路１
０２内を、例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆
動機構によってＹ方向に移動する搬送装置としてのハン
ドリング手段、例えば、ウエハー搬送装置１１０が設け
られており、該搬送装置１１０はキャリッジ１１１を有
し、該キャリッジ１１１にはバキュームピンセット、例
えば、ウエハーＷを吸着保持するための熱吸着式の２つ
のピンセット１１２，１１３が相対挙動自在に上下に重
畳されて取付けられ、該ピンセット１１２，１１３はそ
れぞれ独立にＸ方向（縦方向）、Ｙ方向（横方向）に移
動可能に搬送装置としてのキャリッジ１１１に、重畳さ
れたピンセット１１２，１１３は同時にＺ方向（垂直方
向）にも平行移動が可能で、又、θ方向（周方向）に回
動することも出来るようにされており、該ピンセット１
１２，１１３のこのような平行移動、及び、回動を可能
とするため、キャリッジ１１１にはステッピングモー
タ、及び、これに連結されたボールスクリュー等の図示
しない適宜駆動機構が設けられている。

【００２６】而して、ピンセット１１２，１１３は一方
のピンセットでウエハーＷを保持して各処理ステーショ
ンに搬送し、当該処理ステーションに処理済ウエハーＷ
_F があった時、他方のピンセットで該処理済ウエハーＷ
_F をピックアップしリセットするようにされ、搬送装置
１１０はウエハーＷを前記の各処理部としてのステーシ
ョン１０３〜１０８に所定に搬送するために用いられ
る。

【００２７】基台１０１の左側にはウエハー搬出入機構
部１２０が設けられており、該搬出入機構部１２０には
処理前のウエハーＷ_B を収容したウエハーカセット１２
２、及び、処理後のウエハーＷ_F を収容するウエハーカ
セット１２３が設けられ、又、搬出入機構部１２０はウ
エハーＷの裏面を吸着保持するためのピンセット１２１
を具備しており、該ピンセット１２１は上記ピンセット
１１２，１１３と同様の構成により、Ｘ，Ｙ方向に平行
移動が可能になっていて、該ピンセット１２１は処理前
のウエハーＷ_B をカセット１２２から取出し、又、処理
済みのウエハーＷ_F をウエハーカセット１２３に収納す
るようにされている。

【００２８】而して、該搬出入機構部１２０のピンセッ
ト１２１は処理前のウエハーＷ_B を搬送装置１１０のピ
ンセット１１２，１１３に搬出して受渡しし、又、処理
後のウエハーＷ_F をピンセット１１２，１１３から同じ
く受渡し的に受け取るようにされており、この受渡しを
可能とする次述インターフェース機構３０が通路１０２
と搬出入機構部１２０との境界部に設けられている。

【００２９】又、該搬送装置１１０のピンセット１１
２，１１３は各処理ステーション１０３〜１０８との間
でウエハーＷの受渡しを行うことによって該ウエハーＷ
は所定の順序に従い、各処理ステーション１０３〜１０
８での処理を受けるようにされている。

【００３０】そして、搬送装置１１０の動作は全て図示
しない制御システムによって制御されるようになってお
り、したがって、該制御システムのプログラムを変更す
ることによって処理ステーション１０３〜１０８におけ
る処理を任意に設定することが出来、即ち、処理ステー
ション１０３〜１０８における処理の幾つかのみを独立
的に、排反的に行うことも処理の順序を相互独立的に排
反的にシリーズ的，パラレル的、或いは、スループット
的に変更することも可能である。

【００３１】図２、及び、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に上
記キャリッジ１１１に重畳されて設けられたピンセット
１１２，１１３，１２１の機能を代表的に１つを挙げて
詳細に記載しており、これの図示態様において、２１は
ピンセット本体であり、該ピンセット本体２１には３つ
の支点２２，２３，２４が支持部として突設され、ウエ
ハーＷはこれらの支点によって三点支持され、この三点
支持は該ピンセット本体２１の表面のゴミのウエハーＷ
への付着を防止する良好なパーティクル対策が行える効
果がある。

【００３２】これらの支点２２〜２４のうち、例えば、
２４にはその頂面に開口した真空吸着のための吸引口が
設けられ、図示しない適宜のバキューム機構に接続され
ている。

【００３３】又、ウエハーＷのアライメントのために、
該ウエハーＷの周縁に対応した円弧状のガイド部材２５
とストッパ部材２６とが配設されており、ウエハーＷ
は、まず、図３（Ａ）に示す状態でピンセット上に載置
され、この状態では該ウエハーＷはアライメントされて
おらず、真空吸着もされていないが、次いで、図３
（Ｂ）に示す様に、ピンセット本体２１をストッパ部材
２６に向けて水平に移動させ、ウエハーＷのオリエンテ
ーションフラットＷ_a をストッパ部材２６に当接させ、
その後、更に水平移動を続けることにより、該ウエハー
Ｗはピンセット本体２１の支点２２〜２４上をスライド
し、最終的にはガイド部材２５に当接して停止する。

【００３４】したがって、もし図３（Ａ）の状態でウエ
ハーＷの位置がピンセット本体２１の中央部からズレて
いたとしても、ガイド部材２５に案内されることによっ
て、該ピンセット本体２１中央の所定位置にアライメン
トすることが出来る。

【００３５】図４は通路１０２とウエハー搬出入機構部
１２０との境界に設けられたインターフェース機構３０
を示しており、該インターフェース機構３０はピンセッ
ト１２１とピンセット１１２，１１３との間で受渡しさ
れるウエハーＷを一時待機させる機能を有し、真空吸着
機構により該ウエハーＷを保持する保持部材３１と該保
持部材３１を昇降させるための駆動装置（例えばエアシ
リンダ）３２とからなり、搬出入機構部１２０のピンセ
ット１２１が図示の位置にウエハーＷを搬出してくる
と、保持部材３２が上昇し、図示の様に該ウエハーＷを
持上げて保持するようにし、次に、レジスト塗布現像装
置１００側のウエハー搬送装置１１０が図示のインター
フェース機構３０の位置に移動し、そして、保持部材３
１が下降することにより、該保持部材３１に保持されて
いるウエハーＷはピンセット１１２、又は、１１３に受
渡しされて載置され、該ピンセット１１２，１１３から
ピンセット１２１への該ウエハーＷの良好なセンタリン
グやアライメント状態の受渡しも上述同様にして行われ
る。

【００３６】次に、上述実施例のレジスト塗布現像装置
１００によってウエハーＷの表面にフォトレジスト膜を
形成する工程を順を追って説明すると、該工程は既述の
制御システムの予め記憶されたプログラムに基づいて実
施される。

【００３７】まず、搬出入機構部１２０のピンセット１
２１によりカセット１２２からウエハーＷを１枚取出
し、インターフェース機構３０の位置まで搬送し、搬送
されてきた該ウエハーＷは該インターフェース機構３０
を介して通路１０２の左端に待機している搬送装置１１
０のキャリッジ１１１一つのピンセット、例えば、ピン
セット１１２に渡され吸着保持されるが、この際、１つ
のカセット１２２に同一種のウエハーＷのみが収納され
ている場合には、カセット１２２にＩＤコードを表示
し、該ＩＤコードを読取って製造工程プログラムを選択
するようにしても良い。

【００３８】以下、予備加熱ステーション１０３、冷却
ステーション１０４、第１の塗布ステーション１０７、
第１の加熱ステーション１０５での処理がこの順序で選
択された場合について説明する。

【００３９】まず、ウエハーＷを受取ったピンセット１
１２を予備加熱ステーション１０３に向かって移動さ
せ、該ウエハーＷを予備加熱ステーション１０３にセッ
トして予備加熱するが、当該予備加熱は図示しないヒー
タプレートにより構成し、該ウエハーＷを該ヒータプレ
ート上に載置するようにし、この時、該ウエハーＷはヒ
ータプレート上に直接接触させず、支点２２，２３，２
４による三点支持により０．３ｍｍ程度浮かせると、ゴ
ミ対策が良好である。

【００４０】この間にピンセット１２１を移動させて２
番目のウエハーＷをカセット１２２から取出し、前記イ
ンターフェース機構３０に搬出して待機させておくよう
にし、最初のウエハーＷを予備加熱ステーション１０３
に搬入し終った後、搬送装置１１０は該インターフェー
ス機構３０から２番目のウエハーＷをピンセット１１２
で受取り、該ピンセット１１２上に吸着保持するように
し、該予備加熱ステーション１０３での最初のウエハー
Ｗの予備加熱処理が終了するまでそのまま待機する。

【００４１】そして、該最初のウエハーＷの予備加熱処
理が終了した時、搬送装置１１０は次の動作を行い、即
ち、まずウエハーＷを保持していないピンセット１１３
を移動させることにより、予備加熱処理が終了した最初
のウエハーＷを予備加熱ステーション１０３から取出
す。

【００４２】こうして該予備加熱ステーション１０３を
空にした後、２番目のウエハーＷを保持しているピンセ
ット１１２を動作させ、２番目のウエハーＷを予備加熱
ステーション１０３にセットし、次いで、ピンセット１
１２，１１３をＹ方向，θ方向，Ｚ方向に移動し、冷却
ステーション１０４位置に移動し、ウエハーＷを保持し
たピンセット１１３をＸ方向に動作し、この最初のウエ
ハーＷを該冷却ステーション１０４にセットする。

【００４３】この動作から２つのピンセット１１２，１
１３を設けた利点が理解される。即ち、ピンセットが１
つしかない場合には、搬送装置１１０はまず最初のウエ
ハーＷを予備加熱ステーション１０３から取出し、これ
を冷却ステーション１０４にセットし、その後にインタ
ーフェース機構３０から２番目のウエハーＷを受取って
これを予備加熱ステーション１０３にセットする動作を
行わなければならない。

【００４４】尚、上述の動作が行われている間に、搬出
入機構部１２０ではピンセット１２１により次に処理す
る３番目のウエハーＷをインターフェース機構３０に待
機させておく。

【００４５】次に、搬送装置１１０は該インターフェー
ス機構３０から３番目のウエハーＷをピンセット１１２
に保持し、そして、冷却ステーション１０４での処理が
終了するまで待機させる。

【００４６】而して、最初のウエハーＷの冷却工程が終
了した時、搬送装置１１０はウエハーＷを保持していな
い方のピンセット１１３で該冷却ステーション１０４内
のウエハーＷを取出し、次にプログラムされたフォトレ
ジストの塗布工程のための第１の塗布ステーション１０
７にセットし、この塗布処理の間に予備加熱ステーショ
ン１０３における２番目のウエハーＷの処理が終了した
ら、搬送装置１１０は該ウエハーＷを保持していない方
のピンセット１１３によってこのウエハーＷを予備加熱
ステーション１０３から取出し、ピンセット１１２に保
持している３番目のウエハーＷを予備加熱ステーション
１０３にセットすると同時に、ピンセット１１３に保持
している２番目のウエハーＷを冷却ステーション１０４
にセットするが、この動作は既述した態様と同じであ
る。

【００４７】尚、もし最初のウエハーＷの冷却工程が終
了する前に、２番目のウエハーＷの予備加熱処理が終了
する場合には、次のような動作を行うようにプログラム
することも可能である。

【００４８】即ち、まず３番目の未処理のウエハーＷを
ピンセット１１２に保持した状態でピンセット１１３に
より２番目のウエハーＷを予備加熱ステーション１０３
から取出し、続いてピンセット１１２に保持されている
３番目のウエハーＷを予備加熱ステーション１０３にセ
ットした後待機する。

【００４９】そして、冷却ステーション１０４に於ける
最初のウエハーＷの冷却工程が終了した後、該最初のウ
エハーＷをピンセット１１２、又は、１１３で取出し、
第１の塗布ステーション１０７に搬入セットするが、こ
の液塗布は、例えば、レジスト液を滴下スピンコーティ
ング装置により実行することも可能である。

【００５０】而して、第１の塗布ステーション１０７に
おいて最初のウエハーＷに対するフォトレジストの塗布
処理が終了した時、搬送装置１１０はピンセット１１３
により該ウエハーＷを第１の塗布ステーション１０７か
ら把持して取出し、続いてＹ方向に沿って右側に移動
し、取出した最初のウエハーＷを第１の加熱ステーショ
ン１０５にセットして加熱処理を行い、当該加熱処理を
行っている間に冷却ステーション１０４内での２番目の
ウエハーＷの冷却処理が終了したら、搬送装置１１０は
該ウエハーＷをピンセット１１３にて取出し、更に第１
の塗布ステーション１０７にセットしてフォトレジスト
の塗布を開始する。

【００５１】そして、第１の加熱ステーション１０５に
於て最初のウエハーＷの処理が終了し、所望のフォトレ
ジスト膜が形成されたら、搬送装置１１０はこの最初の
ウエハーＷをピンセット１１３にて取出し、続いて、搬
送装置１１０はＹ方向左側に移動し、ピンセット１１３
に把持したウエハーＷを前記のインターフェース機構３
０に渡す。

【００５２】該インターフェース機構３０での待機中、
ウエハーＷを直接載置部に接触させず、０．３ｍｍ程僅
かに浮かせて載置することがゴミ付着防止のパーティク
ル対策上有効であり、又、待機機構はキャリアカセット
により構成すると更に有利である。

【００５３】このようにして処理済みのウエハーＷ_F が
インターフェース機構３０に待機されると、搬出入機構
部１２０のピンセット１２１が該ウエハーＷ_F を受取
り、他のカセット１２３に搬入収納する。

【００５４】以上述べた一連の処理動作はカセット１２
２内の未処理のウエハーＷ_B がなくなるまで続けられ
る。

【００５５】尚、上述の動作説明では第１の塗布ステー
ション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用い
たが、これらの代わりに第２の塗布ステーション１０
８、及び、第２の加熱ステーション１０６を使用しても
良いし、又、フォトレジストの塗布工程及び／又は加熱
工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つの
塗布ステーション１０７，１０８及び／又は２つの加熱
ステーション１０５，１０６を同時に使用することも可
能である。

【００５６】ところで、上述のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、１枚のウエハーＷに
ついて試しに処理を行ってみるのが普通であり、この場
合、試しの処理が終了したテストウエハーＷ_T を検査の
ためにカセット１２１から取出す必要があるが、該テス
トウエハーＷ_T の取出しを容易にするため、図５に示す
様に、カセット１２３の基部に引出し可能なレシーバ４
０を設けるのが好ましく、該レシーバ４０の一端には取
手４１を設け、内部にはウエハー載置台４２を設けてお
くようにし、試しの処理を終了したテストウエハーＷ_T
はピンセット１２１によって開口部４３から挿入され、
載置台４２に載せられ、したがって、該テストウエハー
Ｗ_T はレシーバ４０を図示のように引出すことによって
容易に取出すことが出来る。

【００５７】尚、上述の動作説明では第１の塗布ステー
ション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用い
たが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１０
８、及び、第２の加熱ステーション１０６を使用しても
良く、又、フォトレジストの塗布工程及び／又は加熱工
程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、２つの塗
布ステーション１０７，１０８及び／又は２つの加熱ス
テーション１０５，１０６を同時に使用することも可能
である。

【００５８】以上の動作説明から明らかなように、上述
実施例によれば、ウエハーの表面にフォトレジスト膜を
形成するために必要な複数の工程を、その順序の相互に
独立的，排反的、或いは、シリーズ的，パラレル的、更
にはスループット等をも含めた任意に組合せて最良の工
程をプログラムすることが出来、したがって、処理すべ
き該ウエハーの種類に応じて最も効率の良い組合せの処
理プロセスを選択し、最適のスループット性も得ること
が出来る。

【００５９】又、搬送装置１１０のキャリッジ１１１が
２つのピンセット１１２，１１３を重畳されて有し、そ
れぞれ独立の動作をすることから、処理の自由度が高
く、例えば、次工程のステーションにウエハーＷが存在
していると、その工程は該ウエハーＷの入替えが出来な
いといった不都合さがない。

【００６０】尚、搬送装置１１０のピンセットは必ずし
も２つのみである必要はなく、３つ以上であっても良
い。

【００６１】更に、各処理ステーションを通路１０２に
沿ってその両方の側に配設しているため、搬送装置１１
０の動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高
く、したがって、処理プログラムの変更が容易であり、
又、予備加熱ステーション１０３と冷却ステーション１
０４とを上下に重層式に多層配置したため、設置のため
に必要な床面積も節減される。

【００６２】上述の実施例の装置は、所定のパターンで
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても使用することが出来、その場
合、塗布ステーション１０７，１０８に現像液を塗布す
る装置も設けられており、現像装置は、例えば、変速回
転中のウエハーＷ上に現像液をジェット状に噴出させて
現像する構成としても良いものである。

【００６３】又、２つの塗布ステーション１０７，１０
８のいずれか一方をフォトレジストの塗布に用い、他方
を現像液の塗布に用いることによりフォトレジスト膜の
形成、及び、現像の両方を行う装置として使用すること
が出来、その際、通路１０２の右端にも図４の様なイン
ターフェース機構３０を設け、露光装置との間でウエハ
ーＷの受渡しを行えるようにすることにより、レジスト
塗布から現像までを一貫した連続プロセスとして実施す
ることも出来る。

【００６４】尚、処理ユニットを複数連設したい場合に
は、搬送路１０２の延長線上に次の搬送路が形成される
ように構成し、この接続部にウエハーＷの待機機構、例
えば、キャリアステーションを設けると良い。

【００６５】即ち、例えば、図６に示す様に、カセット
１２２，１２３内のウエハーＷを搬出、或いは、カセッ
ト１２２，１２３内へ搬入するアーム１２０ａを有する
搬出入機構部１２０と、インターフェース機構３０で該
ウエハーＷの受渡しを行う搬送装置１１０ａを有する第
１の処理系１５０により上述したような動作で各処理を
行い、例えば、搬送通路の一方の側にこの第１の処理系
１５０にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理ステ
ーション１５１、第１の加熱ステーション１５２、第１
の冷却ステーション１５３、そして、他方の側に第１層
目のレジストを回転塗布する第１の塗布ステーション１
５４、第２層目のレジストを回転塗布する第２の塗布ス
テーション１５５を設け、これら各ステーションに選択
的にウエハーＷを搬送して処理を行い、更に、一方の側
に複数の処理ステーション、例えば、第２の加熱ステー
ション１５６、第２の冷却ステーション１５７、そし
て、他方の側に露光工程時の光乱反射を防止するために
レジスト上面にＣＥＬ膜等の表面被覆層を塗布形成する
第３の塗布ステーション１５８等が搬送路それぞれ対向
的に沿って配置され、且つ、これら各ステーションにウ
エハーＷを搬送する他の搬送装置１１０ｂを備えた第２
の処理系１５９を設け、該第２の処理系１５９、及び、
第１の処理系１５０の間に待機機構１６０を配置させ、
該待機機構１６０にはウエハーＷ１枚を載置出来る載置
台１６１を設け、上述インターフェース機構３０におけ
るウエハーＷの受渡しと同様に、上記載置台１６１を利
用して第１の処理系１５０の第三の搬送手段としての搬
送装置１１０ａと第２の処理系１５９の第四の搬送手段
としての搬送装置１１０ｂとの間で該ウエハーＷの受渡
しを行うようにするが、該待機機構１６０の構成は載置
台１６１を設けずにバッファー用カセット（図示せず）
を設け、該バッファ用カセットにより複数枚のウエハー
Ｗを待機出来る待機機能を有する構造としても良く、該
バッファー用カセットにより、搬送機構１１０ａ、及
び、搬送機構１１０ｂの作業量の差があっても、一方の
搬送機構が待機する時間を少くすることが可能となる。

【００６６】このように待機機構１６０を介して搬送機
構を２系統とすることにより、処理ステーションの増加
に容易に対応出来ると共に、高スループット処理が可能
となる。

【００６７】そして、上記搬送装置は２系統に限定する
ものではなく、３系統以上としても良く、設計的には待
機機構の増設に伴って増加させることが出来る。

【００６８】上述実施例では、処理装置としてレジスト
の塗布現像処理に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えば、エッチング処理、Ｃ
ＶＤ処理、アッシング処理等では同様な効果が得られ
る。

【００６９】

【発明の効果】以上、説明したようにこの出願の発明に
よれば、各種の基板処理工程に柔軟に所定の処理、及
び、レジスト処理が対応出来ると共に、処理のスループ
ット性を高くすることが出来る。

【００７０】又、搬送路の両方の一方の側、及び、他方
の側に対設されている熱処理部や液処理部等の各処理部
に対し該搬送路の前段に基板収納容器との間に受渡し機
構を配設したことにより該ウエハー収納容器から取り出
して各処理部のステーションに基板を搬出入する場合に
位置決めやアライメント調整が設計通りに出来、シリー
ズ的、パラレル的、スループット的に相互に独立的に、
排反的に基板を（レジスト）処理するプロセスにおいて
ズレがなく、又、塵埃付着対策等が効果的に行えるとい
う優れた効果が奏される。

【００７１】又、該搬送路に設けた真空吸着式の重畳式
のピンセットを有する搬送装置を設けたことにより、該
搬送装置に支持される基板が微少距離浮上させた状態で
セットされることにより、パーティクル等の付着対策が
確実に保証出来るという優れた効果が奏される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この出願の発明の装置の１実施例を説明するた
めの塗布現像装置の構成図である。

【図２】図１のピンセット説明図である。

【図３】図１のピンセット説明図である。

【図４】図１装置のインターフェース機構説明図であ
る。

【図５】図１のカセット説明図である。

【図６】この出願の発明の装置の他の実施例の説明図で
ある。

【図７】従来の塗布装置の構成図である。

【符号の説明】

１００ 塗布現像装置本体 １０１ 基台 １１０ 搬送装置 １２０ 搬出入機構部 １６０ 待機機構 Ｗ 基板（ウエハー） １５１〜１５８ 処理部 １２２，１２３ カセット １６１ 受け渡し自在の機構 １０３〜１０６ 熱処理部 １０７，１０８ 液処理部 １５６〜１５８ 他の処理装置 １５６ 熱処理部 １５８ 液処理部 １１２，１１３，１２１ ピンセット １１１ キャリッジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｊ (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−184841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−123150（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−107678（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−45804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−140148（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−262438（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−27367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−69582（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理基板を搬送自在にされ塗布現像装置
   本体の基台の中央に在り、該塗布現像装置本体の基台の
   端部に隣設された搬出入機構部に接続され横方向に延設
   された直線状の搬送路を往復移動自在にされた搬送装置
   と、 該塗布現像装置本体の基台の中央に在り、横方向に延設
   された直線状の搬送路の長手方向に沿い該搬送路の片側
   に相隣って配置され該被処理基板に所定の処理を施す複
   数の処理部と、 該搬送路の他方側に相隣って配置された他の処理部と、 上記搬出入機構部に設けられると共に上記被処理基板を
   収納するカセットを配置自在にされ、該カセットから搬
   出した該被処理基板を上記搬送装置に受け渡すＸ，Ｙ，
   Ｚ軸方向及びθ方向に作動するセンタリング機能を有す
   るピンセット機構と、 上記直線状の搬送路の上記搬送装置の往復移動する移動
   方向の基端側と搬出入機構部との間に設けられ、該搬送
   装置に対して上記被処理基板を受け渡し自在にされ、搬
   送装置に対し、バッファ機能を有する待機機構と、 を具備したことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】被処理基板を搬送自在にされ塗布現像装置
   本体の基台の中央に在り、該塗布現像装置本体の基台の
   端部に隣設され被処理基板の搬出入機構部に接続され横
   方向に延設された直線状の搬送路を往復移動自在に構成
   された搬送装置と、 該直線状の搬送路の長手方向に沿いその一方の縁側に相
   隣って配置され、該被処理基板に熱的処理を施す複数の
   熱処理部と、 上記直線状の搬送路の長手方向に沿いその他方の縁側に
   相隣って配置され、上記被処理基板にレジスト液を塗布
   する液処理部及び／又は被処理基板に現像液を供給し現
   像処理する処理部を複数具備する液処理部と、 上記直線状の搬送路の上記搬送装置の往復移動する移動
   方向の上記搬出入機構部から離隔された部位に設けられ
   た端部にインターフェース機構を設け、露光装置との間
   で上記搬送路の延長上の別の搬送路に在る他の搬送装置
   により該インターフェース機構を介して上記被処理基板
   を受渡し自在に構成された機構と、 を具備したことを特徴とするレジスト処理装置。
3. 【請求項３】直線状の搬送路の長手方向の他方の縁側に
   沿い相隣って配置され、上記被処理基板にレジスト液を
   塗布する処理部と該被処理基板に現像液を供給し現像処
   理する処理部とを少くとも各々１つ設けた液処理部と、 上記直線状の搬送路の上記搬送装置の往復移動する移動
   方向に設けられ、該搬送装置のキャリッジに対して上記
   処理部との間で上記被処理基板を受け渡し自在にされ、
   Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向及びθ方向に作動する重畳式の複数の
   ピンセットを有する機構と、 を具備したことを特徴とする請求項２記載のレジスト処
   理装置。
4. 【請求項４】被処理基板を搬送自在に構成され、装置の
   中央で被処理基板の搬出入機構部から横方向に延設され
   た直線状の搬送路を往復移動自在にする搬送工程と、 該直線状の搬送路の上記長手方向の一方の側と他方の側
   の両側にて該被処理基板に所定の処理を施す工程と、 上記直線状の搬送路の上記搬送装置に対して上記被処理
   基板を受け渡し自在にする工程から構成され、上記搬送
   装置で受け取った被処理基板を位置合わせし、処理部に
   対して該処理部との間で該被処理基板を受け渡し自在に
   する工程がＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向に作動する重畳された
   複数のピンセット機構により行われ、 被処理基板の処理を行う方法であって、搬出入機構部か
   ら被処理基板を複数の処理部の内で所定の処理を施す工
   程と、 該所定の処理が施された該被処理基板を該複数の処理部
   の他の所定の処理部で処理を施す工程とを有することを
   特徴とする基板処理方法。
5. 【請求項５】搬出入機構部から横方向に接続された直線
   状の搬送路の搬送装置の往復動する移動方向に沿い該搬
   送路の他方の側にて、被処理基板にレジスト液を塗布す
   る処理工程と、 その後の上記搬出入機構部から離隔された部位の露光工
   程と被処理基板に現像液を供給し現像処理する液処理工
   程を設けた処理工程と、 上記直線状の搬送路の搬送装置の往復移動する移動方向
   に沿い該搬送路の一方の側にて相隣って行う熱処理工程
   を有し、該搬送装置から受け取った被処理基板を位置合
   わせし上記搬出入機構部から離隔された部位の上記露光
   工程の露光装置に対して搬送装置に設けられたピンセッ
   ト機構により該被処理基板を送出自在に構成されたＸ，
   Ｙ，Ｚ及びθ方向に作動を行うようにされ、被処理基板
   に処理を実施するレジスト処理方法であって、上記搬送
   路の基端部に設けられた搬出入機構部に配置されたカセ
   ットから未処理の被処理基板を搬出し上記処理工程に位
   置合わせを行う工程と、 位置合わせされた該被処理基板に該熱処理部で所定の処
   理を施す工程と、 前記液処理部で被処理基板にレジスト液を塗布する工程
   と、 該被処理基板に前記熱処理部で所定の熱処理を施す工程
   と、 上記露光装置に対して該被処理基板を送出する工程と、 該露光装置から受け取った該被処理基板を前記液処理部
   にて現像処理する工程と、 処理済の該被処理基板を前記搬出入機構部に配置された
   他のカセットに搬入する工程とを有することを特徴とす
   るレジスト処理方法。