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JPH07114188A - ポリシラン系感光性樹脂組成物およびそれを用いるパターン形成方法 - Google Patents

ポリシラン系感光性樹脂組成物およびそれを用いるパターン形成方法

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Publication number
JPH07114188A
JPH07114188A JP26228793A JP26228793A JPH07114188A JP H07114188 A JPH07114188 A JP H07114188A JP 26228793 A JP26228793 A JP 26228793A JP 26228793 A JP26228793 A JP 26228793A JP H07114188 A JPH07114188 A JP H07114188A
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Japan
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sol
polysilane
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photosensitive layer
group
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JP26228793A
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Hidemi Ueda
英美 上田
Hiroshi Tsushima
宏 津島
Iwao Sumiyoshi
岩夫 住吉
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Nippon Paint Co Ltd
Original Assignee
Nippon Paint Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/075Silicon-containing compounds
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  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 式 【化1】 [式中、R1、R2、R3およびR4は置換もしくは無置換の脂
肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水
素基からなる群からそれぞれ独立して選択される基であ
り、そしてmおよびnは整数である。]で示される構造の
ポリシラン、光ラジカル発生剤および酸化剤を含有する
感光性樹脂組成物。 【効果】 ポリシランの光分解に対する感度が向上し、
光分解に要する時間が短い感光性樹脂組成物が提供され
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリシラン系感光性樹脂
生成物、およびそれを用いるパターン形成方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、極微細なパターンを高精度で形成
するフォトレジストの開発を目的として、ポリシランを
用いた二層レジストに関する研究が活発に行われてい
る。また、津島らは、ポリシラン薄膜に紫外線照射後、
染料ないしは顔料を含む金属酸化物のゾルに浸漬するこ
とにより得られる着色パターンがカラーフィルターに応
用可能であることをこれまでに見い出している(特願平4
-68243号)。
【0003】しかし、ポリシランの光分解は、反応速度
が遅くかつ低感度であるため、長時間の露光を必要とす
る。したがって、生産性が低下するという問題が生じて
いた。
【0004】ポリシランの光分解に対する感度を向上さ
せるには、トリアジン等の増感剤または過酸化物をポリ
シランに添加すると効果的であることがこれまでに見い
出されている(特開昭61-189533号公報、G.M.ウォーラッ
フ(Wallraff)ら、Polym.Mat.Sci.Eng.,第66号、第105頁
(1992年))。しかし、これらの先行技術では露光時間が
まだ長く、露光時間短縮のためには多量の増感剤を加え
ねばならない。多量の添加物はポリシランそのものの物
性を低下させるので、できるだけ少量の添加物でポリシ
ランの光分解に対する感度を向上させることが望まれて
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題を解決するものであり、その目的とするところは、短
い露光時間で感光が可能なポリシラン系感光性樹脂組成
物、およびそれを用いるパターン形成方法を提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、式
【0007】
【化2】
【0008】[式中、R1、R2、R3およびR4はメチル基、n
-プロピル基、n-ブチル基、n-ヘキシル基、フェニルメ
チル基、トリフルオロプロピル基およびノナフルオロヘ
キシル基のような置換もしくは無置換脂肪族炭化水素
基、p-トリル基、ビフェニル基およびフェニル基のよう
な芳香族炭化水素基、およびシクロヘキシル基、メチル
シクロヘキシル基のような置換もしくは無置換脂環式炭
化水素基からなる群からそれぞれ独立して選択される基
であり、mおよびnは整数である。]で示される構造のポ
リシラン、光ラジカル発生剤および酸化剤を含有する感
光性樹脂組成物を提供するものであり、そのことにより
上記目的が達成される。
【0009】本発明に用い得る上記ポリシランにおいて
は、脂肪族または脂環族炭化水素の場合、炭素数は1〜
10、好ましくは1〜6であり、芳香族炭化水素の場合、
炭素数6〜14、好ましくは6〜10である。R1〜R4基の種
類、およびmおよびnの値は特に重要でなく、このポリシ
ラン樹脂が有機溶媒可溶性であり、均一な薄膜(厚さ0.1
〜10μm)でコーティング可能なものであればよい。
【0010】本発明に用いうる光ラジカル発生剤とは、
光によってハロゲンラジカルを発生する化合物である。
これは、Si-Si結合が、ハロゲンラジカルにより効率よ
く切断されることに着目して、ポリシランの光に対する
感度を増大させるために本発明の感光性樹脂組成物に添
加される。
【0011】本発明の感光性樹脂組成物に酸化剤を更に
配合することによりSi-Si結合に容易に酸素が挿入さ
れ、光ラジカル発生剤と酸化剤との相互作用により相乗
効果が得られ、ポリシランの光分解に対する感度を向上
することが可能である。本発明に用いうる酸化剤とは酸
素供給源となる化合物である。
【0012】光ラジカル発生剤としては、光によってハ
ロゲンラジカルを発生する化合物であれば特に限定され
ないが、例えば、式
【0013】
【化3】
【0014】[式中、XはClまたはBrである。]で示され
る2,4,6-トリス(トリハロメチル)-1,3,5-トリアジン、
【0015】
【化4】
【0016】[式中、XはClまたはBrであり、Rは置換も
しくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基お
よび芳香族炭化水素基である。]で示される2-置換-4,6-
ビス(トリハロメチル)-1,3,5-トリアジン、および式
【0017】
【化5】
【0018】[式中、XはClまたはBrであり、R1およびR2
は置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化
水素基および芳香族炭化水素基である。]で示される2,4
-置換-6-トリハロメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げ
られる。
【0019】酸化剤としては、酸素供給源となる化合物
であれば特に限定されないが、例えば、過酸化物、アミ
ンオキシドおよびホスフィンオキシドなどが挙げられ
る。
【0020】光ラジカル発生剤、酸化剤とも、ポリシラ
ン100重量部に対してそれぞれ1〜30重量部混合すれ
ば、実用に供し得る。また、光ラジカル発生剤および酸
化剤の他に適当な色素を加えることにより、色素の光励
起によりハロゲンラジカルを発生させることも可能であ
る。
【0021】本系の最適組成は、ポリシラン100重量部
に対して、光ラジカル発生剤1〜30重量部、酸化剤1〜
30重量部、さらに色素を1〜20重量部を配合したもので
ある。ここで用いる色素は、クマリン系、シアニン系、
メロシアニン系等、多種類の可溶性色素が有効である。
【0022】本発明の薄膜パターン形成法では、まず、
本発明の感光性樹脂組成物から成る感光層が適当な基材
上に形成される。基材は、その形状、材質を特に限定さ
れない。用途にあわせて、ガラス板、金属板、プラスチ
ック板等が使用し得る。
【0023】このような基板上に感光層が形成される。
均一な厚さの感光層を形成可能であれば、形成法は特に
限定されない。上記のポリシラン、光ラジカル発生剤、
酸化剤さらに必要に応じて加える色素は、いずれもトル
エン、THFなどのような各成分を溶解可能ないずれかの
溶媒を用いて溶液とし、スピンコーターにより塗布する
ことができる。溶液の濃度は5〜15%が好適である。感
光層は0.1〜10μmの範囲の乾燥膜厚に形成することが好
ましい。
【0024】薄膜パターンを形成する工程の一例を図1
の(a)〜(d)に示す。まず、図1(a)に示すように、上述
のような基板101と感光層102からなるパターン薄膜形成
用積層体104は、水銀灯のような紫外もしくは可視光源
を用いてパターンに応じて照射される。通常は、紫外も
しくは可視光110の照射は薄膜形成用積層体104上に重ね
られたパターンマスク103を通して行われる。
【0025】本発明で用いられる光源は、光ラジカル発
生剤または色素が感光する波長を有する。この照射は、
好ましくは、感光層の厚さ1μm当り0.2〜5J/cm2の光
量で行われる。
【0026】感光層に存在するSi-Si結合は光照射によ
り切断されてSi-OH(シラノール基)が生成する。したが
って、照射された薄膜形成用積層体にはパターンに応じ
てシラノール基を有する潜像が形成される。
【0027】次いで、シラノール基を有する潜像が形成
された薄膜形成用積層体を金属酸化物ゾル溶液に浸漬す
ることにより薄膜形成用積層体のパターン部分にゾルが
吸着される。感光層を膨潤させて吸着速度を速めるため
に、必要に応じてアセトニトリル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフランのような水溶性有機溶剤を金属酸化物ゾル
に添加してもよい。このような水溶性有機溶剤は、好ま
しくはゾル溶液中に1〜30重量%の量で含有される。溶
剤の含有量が30%を上まわると感光層の部分的な再溶解
が生じ、得られる薄膜の表面に乱れが生じうる。本発明
では、一般に、ゾルの吸着は20〜40℃に保温されたゾル
溶液に薄膜形成材料を1〜40分間浸漬することにより好
適に行われる。
【0028】金属酸化物ゾルの材料としては、一般的に
ゾル-ゲル法で使う材料が使用できる。例えば、目的の
機能により金属の種類が異なるが、Si、Zr、Pb、Ti、B
a、Sr、Nb、K、Li、Ta、In、Sn、Zn、Y、Cu、Ca、Mn、F
e、Co、La、Al、Mg、V等アルコキシド、アセチルアセト
ナート、酢酸塩、アミン等の金属有機物、硝酸塩等の可
溶性無機塩、あるいは酸化物微粒子の分散体が用いられ
る。これらをアルコール等の溶媒で溶液化し、酸または
塩基等の触媒を使って縮重合反応させゾル化する。ま
た、金属の置換基すべてを縮重合性の官能基にせず、一
部有機の官能基を残すようにしてもよい。さらに、ゾル
溶液に溶解または分散できる材料を加えてもよい。
【0029】Siのアルコキシドを使った場合をあげる
と、テトラエトキシシランをエタノール-水の混合溶液
に溶解させ、塩酸を加えて室温で2時間攪拌すること
で、テトラエトキシシランは加水分解、脱水縮合して均
質なシリカゾルが得られる。
【0030】シリカゾルの場合、組成としては、テトラ
エトキシシラン100重量部に対してエタノール50〜200重
量部、水1〜200重量部、塩酸0.1〜3重量部が好まし
い。また、場合によっては、さらに水溶性の有機溶剤、
例えばアセトニトリル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンを加えてもよい。
【0031】金属酸化物ゾルは感光層の紫外線照射部に
吸着して感光層内部に取り込まれているものと、考えら
れる。吸着は、感光層の紫外線照射部に存在する微細な
孔を通して、内部に進行すると考えられる。ゾル粒子の
直径は数nm〜数十nmであり、拡散しながら固着可能であ
り、ゾル粒子と共存する適当な大きな粒子状材料もゾル
粒子と共に、ゾル粒子単独の場合と同様に内部への拡散
が可能であることが確認されている。
【0032】従って、ゾル粒子の吸着に供って機能を発
現させる場合、次の4通りが考えられる。ゾル粒子その
ものが機能性原子または機能性基を含む場合;ゾル粒子
と共に感光層に吸着し得る粒子状材料が共存する場合;
ゾルに溶解し得る化合物または高分子材料が共存する場
合;およびゾル粒子自体を感光層の紫外線照射部分に吸
着させた後に非吸着部分を除去し、凹凸表面形状を形成
し、機能を発現する場合。もちろん、これら2種以上を
組合せて機能を発現させてもよい。
【0033】機能性原子としてはフッ素等が例示され、
これらを多く含むゾルを形成し、これを感光層に吸着さ
せれば、フッ素による撥水性を感光層上にパターン化す
ることができる。このような方法に用いる機能性基とし
ては、更に疎水性基であるアルキル基等が、イオン交換
性基であるカルボキシル基、スルホ基、酸性水酸基、ア
ミノ基等が挙げられる。
【0034】粒子状材料としては例えば銅や銀粒子が挙
げられ、これらを共存させたゾルを得、これをゾル粒子
と共に感光層に吸着させることにより、銅や銀を感光層
にパターン化して含ませることができる。
【0035】シリカゾルを用いる場合、粒子状材料はシ
リカゾルを用いて分散するか、一度非イオン性の界面活
性剤を用いて分散しておき、シリカゾル調製時に混合し
てもよい。この場合、粒子状材料の粒子径は500nm以
下、好ましくは200nm以下にする必要がある。粒子径が5
00nmを超えるとゾル液に浸漬しても粒子が感光層の照射
部に拡散できず固着できない。粒子径は通常の遠心沈降
法で測定できる。シリカゾル粒子が粒子状材料表面に吸
着しているものと考えられる。粒子表面へのシリカゾル
の吸着はゼータ電位を測定すれば、簡単に確認できる。
例えば、非イオン性の界面活性剤を使って分散させた材
料のゼータ電位はシリカゾル吸着により表面にシラノー
ル基が存在し、-5〜-25mVで安定化する。
【0036】ゾル溶液に溶解できる材料としては、水ま
たはアルコールに溶解する材料で、シリカゾルのシラノ
ール基と相互作用する材料であれば、ゾル粒子と共に感
光層の照射部に拡散し固着できる。例えば、高分子材料
の場合、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコー
ル、セルロース等のアルコール性の水酸基をもつポリマ
ー、ポリ(2-メチル-2-オキサゾリン)、ポリ(N-ビニルピ
ロリドン)、ポリ(N,N-ジメチルアクリルアミド)等のア
ミド基含有のポリマーが適している。これらの材料を感
光層に含有させ、材料が分解しない低温でゲル化させる
ことで柔軟性を、材料が分解する温度以上でゲル化させ
ることで、材料が分解した後に残る孔を利用して多孔性
等の機能を付与することができる。また、着色を目的と
した場合、ゾル中に染料または顔料を溶解もしくは分散
させることで着色パターンの形成が可能である。
【0037】パターン部分にゾルが吸着した薄膜形成用
積層体はゾル液を除去した後に乾燥させる。ゾル液を除
去する方法としては、水洗する方法およびエアブローで
吹き飛ばす方法等を用い得る。
【0038】乾燥は、感光層の露光部分に吸着したゾル
粒子のゲル化をさらに進行させるために例えば、100℃
以上で30分から2時間乾燥させる。乾燥温度は用いる基
板、ゾル液中に含有させた機能材料の許容範囲でできる
だけ高くすることで、より硬い耐性の優れた膜となる。
ガラス基板を用い、ゾルとしてシリカゾルを使った場
合、400℃以上の加熱で有機の置換基が脱離して金属酸
化物薄膜となる。
【0039】このような薄膜パターン形成工程により、
図1(b)に示すように、所望にパターニングされた薄膜
形成用積層体104'が得られる。
【0040】光ディスク基板のプレグループのようにガ
ラス表面に凹凸が必要な場合は、次いで、図1(c)に示
すように全面露光し、残った感光層を分解させて除去す
れば図1(d)のように凹凸のあるパターン薄膜が得られ
る。不必要な感光層を除去する方法としては、加熱によ
り揮散させる方法や、溶剤を使って除去する方法があ
る。加熱により除去する場合は200℃以上で10〜60分の
加熱で十分である。この場合、ゾル粒子は機能性を有し
てなくても良い。
【0041】また、図1(a)〜(b)の工程を、露光部分を
変えて異なる配合のゾル液を使って繰り返せば、機能の
異なる薄膜を同一基材上に簡単にパターニングできる。
【0042】このような簡便な操作により、ゾル-ゲル
法による薄膜形成技術で大きな問題であったパターン化
が解決できる。また、本発明の感光性樹脂組成物によ
り、より短時間で露光が可能となり、生産性が向上す
る。
【0043】上述のように、本発明の薄膜パターン形成
法では、パターニングのために必要なレジストを使った
フォトリソグラフィー工程が不要である。またこの方法
により形成されるパターン薄膜は、未露光部の感光層を
除去しなければ、凹凸の無い平坦な層になり、除去すれ
ば、凹凸のあるパターン薄膜が形成できることから求め
る機能により選択が可能である。
【0044】また、パターニングは感光層の光分解の解
像度が高いためにサブミクロンオーダーの解像度をもつ
微細なパターン薄膜が形成できる特徴をもつため、スタ
ンパー法よりも高密度な凹凸表面の加工にも適する。
【0045】この技術は応用範囲が広く、用いる基材、
ゾルの材料により種々の機能をもつ薄膜パターニングが
可能である。
【0046】
【実施例】以下の実施例により本発明をさらに説明する
が、本発明はこれらに限定されない。本実施例で用いら
れる「%」はすべて重量基準である。
【0047】
【調製例1】撹拌機を備えた1000mlフラスコに、トルエ
ン400mlおよびナトリウム13.3gを充填した。高速撹拌す
ることによりナトリウムをトルエン中に微細に分散した
後、ここにフェニルメチルクロロシラン61.6gを添加し
た。次いで、このフラスコの内容物を紫外線を遮断した
イエロールーム中で111℃に昇温し、5時間撹拌するこ
とにより重合を行った。その後、得られる反応混合物に
エタノールを添加することにより過剰のナトリウムを失
活させ、水洗することにより有機層を分離した。この有
機層をエタノール中に投入することによりポリシランを
沈澱させた。得られた粗製のポリメチルフェニルシラン
をトルエン-エタノールから3回再沈澱させることによ
り、重量平均分子量20万のポリメチルフェニルシランを
得た。
【0048】
【実施例1】調製例1で得られたポリメチルフェニルシ
ラン100重量部と、2,4-ビス(トリクロロメチル)-6-(p-
メトキシフェニルビニル)-1,3,5-トリアジン(TAZ-110)
(みどり化学製)10重量部、および、3,3',4,4'-テトラ-
(t-ブチルパ-オキシカルボニル)ベンゾフェノン(BTTB)
(日本油脂製)15重量部をトルエンに溶解して、10%のト
ルエン溶液を得た。これを石英基板上にスピンコート
し、膜厚0.2μmの薄膜を得た。この薄膜について、ポリ
シランの光分解に対する感度を求めた。
【0049】大塚電子製MCPD-1000を用いて紫外線吸収
スペクトルを測定し、ポリシランのλmaxの吸収が1/2に
なるまでの紫外線照射時間を感度とした。但し、紫外線
照射はGS製超高圧水銀灯(CL-50-200A、500W)により行っ
た。結果は表1に示す通りである。
【0050】
【実施例2】実施例1と同じポリシラン100重量部と、T
AZ-110の10重量部、および、トリフェニルホスフィンオ
キサイド(TPPO)(東京化成製)10重量部について実施例1
と同様に感度測定を行った。結果は表1に示す。
【0051】
【比較例1】実施例1と同じポリシラン100重量部のみ
について実施例1と同様に感度測定を行った。結果は表
1に示す。
【0052】
【比較例2および3】実施例1と同じポリシラン100重
量部と、TAZ-110の10重量部または20重量部について実
施例1と同様に感度測定を行った。結果は表1に示す。
【0053】
【比較例4〜7】実施例1と同じポリシラン100重量部
と、BTTBの15重量部または30重量部あるいはTPPOの10重
量部または20重量部について実施例1と同様に感度測定
を行った。結果は表1に示す。
【0054】
【実施例3】実施例1と同じポリシラン100重量部と、
2,4,6-トリス(トリクロロメチル)1,3,5-トリアジン(TCM
T)(みどり化学製)10重量部、BTTBの15重量部、および、
クマリン系色素3,3'-カルボニルビス(7-ジエチルアミノ
クマリン)(コダック製)5重量部をTHFに溶解して、10%
のTHF溶液を得た。これを用いて実施例1と同様にサン
プル作製した。
【0055】感度はポリシランのλmaxの吸収が1/2にな
るまでの可視光照射時間とした。ただし、可視光照射に
はGS製超高圧水銀灯(CL-50-200A、500W)を用い、フィル
ターにより440nm以下の光をカットした。結果は表2に
示す。
【0056】
【比較例8および9】実施例1と同じポリシラン100重
量部と、TCMTの10重量部、およびBTTBの15重量部または
実施例3と同じクマリン系色素5重量部について実施例
3と同様に感度測定を行った。結果は表2に示す。
【0057】
【表1】 添加剤(ポリシラン100 重量部に対する重量部)実施例No. TAZ−110 BTTB TPPO
露光時間(秒) 1 10 15 0 12 2 10 0 10 19 比較例1 0 0 0 62 比較例2 10 0 0 50 比較例3 20 0 0 25 比較例4 0 15 0 43 比較例5 0 30 0 42 比較例6 0 0 10 58比較例7 0 0 20 56
【0058】
【表2】 添加剤(ポリシラン100 重量部に対する重量部) 実施例No. TCMT BTTB クマリン 露光時間(秒) 3 10 15 5 120 比較例8 10 15 0 440比較例9 10 0 5 630
【0059】
【調製例2】テトラエトキシシラン13g、エタノール20
g、水13gをビーカーに入れ、撹拌させながら濃塩酸0.1g
を加えて30℃で2時間撹拌して加水分解・脱水縮合させ
ゾルを調整した。これにさらに水43g、アセトニトリル1
0gを加えて浸漬用のシリカゾルとした。
【0060】
【実施例4】実施例1と同じ配合のトルエン溶液を、縦
5cm×横5cm×厚さ0.11cmのガラス基板にスピンコータ
ー(ダイナパート社製「PRS-14」)を用いて乾燥膜厚が2μ
mになるように塗布した。得られた薄膜パターン形成用
積層体上に石英製フォトマスクを重ね、これに超高圧水
銀灯平行露光装置(日本電池社製CL-50-200A)を用いて0.
5J/cm2の光量の紫外線に露光した。フォトマスクを除去
した後に、潜像が形成された積層体を調製例2のゾルに
5分間浸漬した。浸漬後、水洗を行い200℃で30分乾燥
させることによりシリカゲルのパターン薄膜を得た。
【0061】さらに、この薄膜パターン形成積層体に上
記の装置を使って、紫外線を0.5J/cm2の光量で全面照射
し、200℃で30分間乾燥させるとシリカゲルのパターン
以外の感光層は揮発分解し、ガラス基板上にシリカゲル
の薄膜の凹凸パターンが形成された。さらにこれを600
℃で30分焼成することで完全な酸化ケイ素のガラスに変
化し、その凹凸プロファイルを日本真空製表面形状測定
装置デクタック(Dektak)3STで測定すると高さ0.5μmの
プレグルーブが形成できていた。このようにスタンパー
法やエッチング法を使わずにガラス表面の微細凹凸加工
が可能であった。
【0062】
【比較例10】調製例1のポリシラン10%トルエン溶液
を用いて、実施例4と同様のことを行うと、明確な潜像
が形成されないためゾルが定着せず、十分な凹凸パター
ンが得られなかった。
【0063】
【調製例3】テトラエトキシシラン25g、エタノール25
g、水17gから成る溶液に各色用の顔料10gを加え、さら
にガラスビーズ100gを加えて20℃で2時間分散させた後
に、塩酸0.3gを加えて20℃で2時間分散して調整した。
また、着色材を添加していない同じ配合のゾル溶液を調
整し、このゾル溶液30gと着色ゾル10gを混合し、さらに
水を30g追加して着色用のゾル溶液とした。
【0064】レッド用顔料としてチバガイギー社製「マ
イクロリス(Microlith)レッド2BWA」を、ブルー用顔料
としてチバガイギー社製「マイクロリスブルー4GWA」
を、そしてグリーン用顔料としてチバガイギー社製「イ
ルガライト(Irgalite)グリーンGLNニュー」を用いた。
【0065】
【実施例5】実施例1と同じ配合のトルエン溶液を、縦
5cm×横5cm×厚さ0.11cmのガラス基板上にスピンコー
ターを用いて塗布した。ついで、この塗膜を乾燥させる
ことにより厚さ2μmの感光層を形成した。
【0066】得られたフィルタ材料上にカラーフィルタ
のレッド用透過パターンが形成された銀塩ネガティブフ
ィルムを重ね、この積層体を超高圧水銀灯を用いて0.5J
/cm2の光量の紫外線に露光した。銀塩ネガティブフィル
ムを除去した後に、潜像が形成されたフィルタ材料を、
調製例3のレッド用着色ゾル溶液に浸漬した。
【0067】ついで、カラーフィルタのレッド用透過パ
ターンが形成された銀塩ネガティブフィルムの代わりに
カラーフィルタのブルー用透過パターンが形成された銀
塩ネガティブフィルムを重ねて露光し潜像を形成した
後、ブルー用着色ゾルを用いて2色目の着色を行った。
【0068】同様に、カラーフィルタのグリーン用透過
パターンが形成された銀塩ネガティブフィルムおよびグ
リーン用着色ゾルを用いて3色目の着色を行い、カラー
フィルタを得た。
【0069】得られたカラーフィルタは高透明で混色が
なく、また、カラーフィルタの分光透過率を大塚電子MC
PD-1000を用いて測定した結果、最大吸収波長部分でR:
3%、G:6%、B:4%であった。
【0070】
【比較例11】調製例1のポリシラン10%トルエン溶液
を用いて実施例5と同様のことを行うと、露光により潜
像が明確に形成されず、ゾルに浸漬しても十分な着色が
得られなかった。
【0071】
【発明の効果】ポリシランの光分解に対する感度が向上
し、光分解に要する時間が短い感光性樹脂組成物、およ
びそれを用いるパターン形成方法が提供された。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のパターン形成方法による薄膜パター
ンを形成する工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
101…基板、 102…感光層、 103…パターンマスク、 110…紫外もしくは可視光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/38 512 7124−2H H01L 21/027

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式 【化1】 [式中、R1、R2、R3およびR4は置換もしくは無置換の脂
    肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水
    素基からなる群からそれぞれ独立して選択される基であ
    り、そしてmおよびnは整数である。]で示される構造の
    ポリシラン、光ラジカル発生剤および酸化剤を含有する
    感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 色素をさらに含有する請求項1記載の感
    光性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 基材上に請求項1記載の感光性樹脂組成
    物から成る感光層を形成する工程;該感光層をパターン
    に応じて選択的に露光することによりパターン状の潜像
    を形成する工程;潜像が形成された感光層を金属酸化物
    のゾルに浸漬する工程;を包含する金属酸化物の薄膜パ
    ターンの形成方法。
  4. 【請求項4】 前記金属酸化物のゾルが染料または顔料
    を含む請求項3記載の方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5955192A (en) * 1996-11-20 1999-09-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Conductive circuit board and method for making
JP2000010289A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Toshiba Corp パターン形成方法および感光性組成物
JP2000129211A (ja) * 1998-10-22 2000-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物及び金属パターン形成方法
US6110651A (en) * 1997-12-11 2000-08-29 Shin-Etsu Chemical, Co., Ltd. Method for preparing polysilane pattern-bearing substrate
JP2004152884A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置
JP2004152883A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Shinko Electric Ind Co Ltd キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置
JP2004163603A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US6998223B1 (en) * 1999-08-27 2006-02-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting device and process for producing the same
JP2019194692A (ja) * 2018-04-27 2019-11-07 東京応化工業株式会社 感エネルギー性組成物、硬化物、及びパターン形成方法
US10667340B2 (en) 2015-01-29 2020-05-26 Dsgi Technologies, Inc. Microwave assisted parallel plate E-field applicator

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100245180B1 (ko) * 1996-05-29 2000-02-15 니시무로 타이죠 감광성 조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법
JP4775834B2 (ja) 2002-08-05 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN112859520A (zh) * 2021-01-20 2021-05-28 深圳市撒比斯科技有限公司 一种低能量固化的光刻胶、抗蚀剂图案及其制备方法
KR102702360B1 (ko) * 2023-08-07 2024-09-02 (주)딘에어코리아 가습청정기

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588801A (en) * 1984-04-05 1986-05-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Polysilane positive photoresist materials and methods for their use
US4820788A (en) * 1986-10-31 1989-04-11 John M. Zeigler Poly(silyl silane)homo and copolymers
JPH0643655A (ja) * 1991-03-04 1994-02-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス
KR950002875B1 (ko) * 1991-07-08 1995-03-27 가부시키가이샤 도시바 감광성 조성물

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5955192A (en) * 1996-11-20 1999-09-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Conductive circuit board and method for making
US6110651A (en) * 1997-12-11 2000-08-29 Shin-Etsu Chemical, Co., Ltd. Method for preparing polysilane pattern-bearing substrate
JP2000010289A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Toshiba Corp パターン形成方法および感光性組成物
JP2000129211A (ja) * 1998-10-22 2000-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物及び金属パターン形成方法
US6998223B1 (en) * 1999-08-27 2006-02-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting device and process for producing the same
US7177072B2 (en) 1999-08-27 2007-02-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting device and process for producing the same
JP2004152884A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置
JP2004152883A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Shinko Electric Ind Co Ltd キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置
JP2004163603A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US10667340B2 (en) 2015-01-29 2020-05-26 Dsgi Technologies, Inc. Microwave assisted parallel plate E-field applicator
JP2019194692A (ja) * 2018-04-27 2019-11-07 東京応化工業株式会社 感エネルギー性組成物、硬化物、及びパターン形成方法

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