JPH069251B2 - 光電変換半導体装置作製方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は光電変換素子またはセルを絶縁表面を有する可
曲性の有機樹脂基板上にレーザスクライブ法を用いて複
合化する光電変換半導体装置の作製方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、非単結晶半導体即ちアモルファスシリコンを含む
非単結晶シリコンを主成分としたPIN接合により、光起
電力を光照射により発生させんとしていた。

しかしかかる接合を有する半導体の上下の電極は直列接
続をするため、１つのセルの下側電極と隣のセルの上側
電極とを電気的に連結を活性領域の「外側」でさせなけ
ればならなず、かつ各セル間は互いに電気的にアイソレ
イトされていることを必要を条件としていた。

第１図は従来構造の代表的な例を示している。

第１図（Ａ）は光電変換装置（１）を透光性のガラス基
板（２）を下側にした背面より見た平面図である。

図面において、光照射により光起電力を発生する活性領
域(14)と、各セル(11)、(13)を連結する連結部(12)を有
する非活性領域(15)とを有する。第１図（Ａ）のＡ−
Ａ′、Ｂ−Ｂ′の縦断面図を対応させて(B)、(C)に示し
ていることより明らかなごとく、活性領域の各セル(1
1)、(13)におけるガラス基板（２）上の第１の電極の透
光性導電膜（３）は各セル間で互いに分離されている。

また半導体（４）は各セル間にて互いに連結されてい
る。また非活性領域において、セル(13)の上側電極は、
セル(11)の下側電極と連結部（６）、（７）でのコンタ
クト(18)で連結し、これを繰り返し５つのセルを外部電
極（８）、（９）間にて直列接続をさせている。

〔従来技術の問題点〕

この従来構造は一見半導体（４）が１枚であるため製造
歩留りが高いように見える。しかし実際には３種類（第
１の導電膜のパターニング用の第１のマスク、非活性領
域形成のための第２のマスク、第２の導電膜のパターニ
ング用の第３のマスク）のマスクを用いるが、そのマス
クにおいて第１のマスクと第３のマスクとがセルファラ
イン方式でないため、マスクずれを起こしやすい。

このずれ（即ち金属マスクにおいては0.3〜１mmのずれ
はごく当然である）により、セルの有効面積が10〜20％
も実質的に減少してしまうことが判明した。

さらにマスクを用いるため、第１図（Ｂ）の活性領域で
の電極間の開溝であるアイソレイション領域(22)は、0.
2〜１mm例えば0.5mmを有するため、セル巾を10mmとする
時、２mmずれるとするとセル巾(11)は８mmとなり、アイ
ソレイション巾(22)は2.5mmとなってしまい、20%近くも
有効面積が減少してしまう。またセルの外枠の占める面
積も５〜７％もある。

このため上下の電極の組合せをセレフレジストレイショ
ン化することがその効率の向上のために強く求められて
いた。

また第１図の従来例においては、基板に活性領域の外側
に基板に非活性領域(15)が設けられ、この非活性領域は
基板全体における20〜30％も占めてしまう。このためプ
ロセス上の効率が低くなり、ひいては製造コストの低下
を図ることができない。

このため非活性領域が存在しない光電変換装置を作るこ
とがきわめて重要であった。また基板がガラス基板で
は、機械ストレスにより破損しやすいく、また高価であ
り、量産に向かない。

このため、光電変換装置の耐機械破損防止、安価、多量
生産のための基板として可曲性の透光性有機薄膜の使用
が求められてきた。

〔発明の目的〕

本発明は有機樹脂薄膜上に形成される集積型光電変換半
導体装置において、視覚的商品価値が高く、高変換効率
を有し、かつ製造工程上の効率のよい光電変換装置の構
造を提供することを目的とする。

〔問題を解決する手段〕

上記の目的を達成するために本願発明は、絶縁表面を有
する透光性有機樹脂基板上の第１の電極となる透光性導
電膜に開溝を形成することにより複数の第１の電極に分
割する工程と、該第１の電極および該電極間の開溝上に
光照射により光起電力を発生する非単結晶半導体を形成
させる工程と、前記非単結晶半導体の端部に至らない内
部にレーザ光を照射して開孔を形成することにより該非
単結晶半導体下の第１の電極の上面または側面を露呈さ
せる工程と、この後前記非単結晶半導体上に第２の電極
となる導電膜を形成する工程と、該第２の電極となる導
電膜に開溝を形成して第２の電極を形成する工程とによ
り、隣合った異なる光電変換素子の第１の電極と第２の
電極とを前記開孔を介して電気的に連結して直列接続を
形成せしめることを特徴としている。

本発明は、有機樹脂薄膜とこの上面の透光性導電膜とに
レーザスクライブを実施するのに際し、透光性導電膜を
スクライブしつつも有機樹脂薄膜にまったく損傷を与え
ることのない条件が実験的に存在することを見いだし、
この事実を利用して光電変換半導体装置を作製するもの
である。

すなわち本発明においては、有機樹脂基板上に、第１の
電極と、この電極上に光照射により光起電力を発生する
非単結晶半導体と、該半導体上の第２の電極とよりなる
複数の光電変換素子を直列接続して配設するのに関し、
隣合った素子間の電気的連結を活性領域の非単結晶半導
体の端部に至らない内部に開孔を介してレーザ光にてコ
ンタクトを設けて成就できるようにしたことがその構成
上の最大の特徴である。

本発明においては第１のセルの第１の電極と、第２のセ
ルの第２の電極との連結部のコンタクトは、基板上の半
導体の端部に至らない「内部」（この第２図では中央
部）にレーザ光によって開孔を設けることにより成就さ
れ、従来とそのコンタクトの位置がまったく異なってい
る。

本発明は上記の構成をとることにより、光電変換素子ま
たはセル（以下単にセルという）を絶縁表面を有する有
機樹脂基板上に複合化するに関し、光照射面側からは複
数の第１の電極の分離用の開溝が見られるのみ（コンタ
クト部は微小な開孔であるため、肉眼で見つけることは
極めて困難である）となり、前記開溝（隣合ったセル間
の切断線を肉眼では十分見分けにくい100μ以下好まし
くは５〜70μとすることで、装置全体としての視覚的商
品価値を向上させることを可能とした。

すなわちこのコンタクトを形成するに際して、隣合うセ
ル間の半導体をすべて切断する構造で開溝を形成するの
ではなく、その開溝（20〜90μφ）を１つまたは複数個
不連続に設けることにより、この開溝の存在が透光性有
機樹脂薄膜面側より実質的に肉眼で見い出し得ず、連結
部が目障りにならないようにすることができ、視覚的商
品価値を向上することができた。

またコンタクトが開孔であるため、その孔の側円周辺の
すべての側面が第１の電極と第２の電極との連結部のコ
ンタクトを構成することができ、この部分での接触抵抗
を１Ω以下に下げることができた。

さらにこの内部コンタクトにより、透光性導電膜の光電
変換装置に与える直列抵抗を小さくできる。この結果、
連結部をセルの外側に設けなかったことにより、著しく
その有効面積と変換効率の向上を図ることができた。

また本作製方法によって形成される光電変換半導体装置
は、さらに第１図（Ａ）における領域(15)のごとき非活
性領域をまったく存在させず、連結部が即ち各セルのア
イソレイション領域を構成せしめることができる。

また、活性領域に設けられたセルにおける透光性基板上
の第１の電極と、この電極上に光照射により光起電力を
発生する非単結晶半導体と、該半導体上の第２の電極と
とそれぞれを、概略同一形状、概略同一位置（セルフレ
ジストレイション）構造として作製することができ、複
合化の合わせ精度のズレによる製造上の歩留り向上、製
造工程における効率の向上を果たすことができた。

本発明はかかる多くの特長を有するものであって、以下
に図面に従ってその詳細を記す。

〔実施例〕

本発明者らは基板側よりの光照射を可能とする透光性有
機樹脂薄膜と、その上の酸化インジュームまた酸化スズ
を主成分とする導電性酸化膜よりなる透光性導電膜に対
して、レーザ光を照射した時、この透光性有機樹脂薄膜
を損傷せずに透光性導電膜を選択的に除去することがで
きる条件を実験的に検討したところ、そのレーザ光を１
つの場所に長時間（数十ｍ秒以上）照射することなく、
また走査（スキャン）スピードを適切化することによ
り、透光性導電膜のみを除去することが可能であること
を見いだした。

即ち、レーザ光の照射により透光性有機樹脂薄膜は熱伝
導率が小さい（一般には１〜７×10^-4Caｌ／sec／cm²／
（℃／cm））のため、同じ位置に繰り返しレーザパルス
を加えると、この有機樹脂内に熱が蓄積され、この熱で
樹脂が炭化され切断されてしまう。しかしの繰り返しい
を１回または数回とすると、この透光性有機樹脂薄膜の
熱伝導率が透光性導電膜の１／10³程度であるため、逆
に透光性導電膜のみを選択的にレーザ光の照射された場
所のみ除去することができことを見いだし、この事実に
基づいてレーザスクライブにて本願発明の光電変換半導
体装置を作製した。

本実施例においては、レーザスクライブを用いるマスク
レスプロセスであるため、第１の開溝をテレビモニター
で観察して、その開溝を基準として所定の位置に光学的
にパターニングを行ういわゆるコンピュータ・エイデッ
ド・セルフレジストレイション方式を採用することが可
能になった。

第２図は本発明の光電変換装置の製造工程および装置を
示すものである。

図面において、絶縁表面を有する透光性有機樹脂薄膜基
板例えば住友ベークライト社製スミライト（連続使用温
度150〜300℃、光線透光率 80〜92％（厚さ100μ）、
熱伝導率 ３〜７×10^-4Cal／sec／cm²／（℃／cm）を
透光性基板（２）（例えば厚さ100μ、長さ（図面では
左右方向）60cm、巾20cm）として用いた。

本実施例ではその代表例として住友ベークライト社製ス
ミライトFS−1300を用いた。この透光性有機樹脂薄膜は
連続使用上限温度180℃、熱伝導率4.3×10^-4Cal／sec／
cm²／（℃／cm）、光線透光率86.3％（100μの厚さとす
る）、表面抵抗率5.4×10¹⁴Ω、体積抵抗率1.7×10¹⁶Ω
cmを有する。

さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜例えばIT
O（約1500Å）＋SnO₂（200〜400Å）またはハロゲン元
素が添加された酸化スズを主成分とする透光性導電膜
（1500〜2000Å）を真空蒸着法、プラズマCVD法または
スプレー法により形成させた。

この透光性有機樹脂薄膜上にスパッタ法にてITOを700Å
の厚さに形成させた。するとそのシート抵抗は200Ω／
□を有していた。

この図面は４つのセルを直列接続せしめた場合である。
即ち本発明の光電変換装置は、活性領域(14)を同一基板
に100〜2000ケ同時に有するより大きい20cm×60cmの基
体を用いた。

各セルでは、第１の導電膜を基体全面に形成した。さら
にこの導電膜を所定の形状にレーザ（ここでは1.06μま
たは0.53μの波長のYAGレーザ）スクライブをマイクロ
コンピュータにより記憶され制御されたパターンに従っ
て行って第１の開溝(16)を形成した。

さらにセルの外側において、作製時の残存物や外部から
の圧力等によるリークを除去するため、分離用開溝(2
6)、(26′)を形成させた。そしてセル領域(11)、(13)お
よび外部接続用電極部（８）、（９）を形成させた。

即ち、ここにYAGレーザ（発光波長1.06μ、焦点距離50m
m、光径50μ）を照射した。その条件として、繰り返し
同時に6kHz、平均出力1.3W、スキャンスピード（走査速
度）60cm／分とした。

スクライビングにより形成された開溝(16)は巾約70μ、
長さ20cm（図面では１cm）、深さは透光性有機樹脂薄膜
のそれぞれの第１の電極を完全に切断分離した。

第１の素子(11)および第２の素子(13)を構成する巾は10
mmとした。

この時電子顕微鏡にて調べた範囲では、透光性有機樹脂
薄膜表面には何等の損傷もまた部分的な劣化も見られな
かった。このレーザ光は1600℃以上の温度を有すると推
察されるが、連続使用上限温度が180℃程度の低い耐熱
性しか有さない透光性有機樹脂薄膜に何等損傷を与えな
かった。

即ち、透光性有機樹脂薄膜上の透光性導電膜に対し、選
択的に開溝(16)を作製することができることがわかっ
た。その上、２つのプロープ間には１ＭΩ以上の抵抗
（巾は１cmとする）を得ることができた。

第３図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。

図面において、スキャンスピード60cm／分、平均出力0.
8W，光径50μのYAGレーザを用いた。するとその周波数
を10KHzより下げてゆくと、曲線(45)は7KHz以下で不連
続に1MΩ以上(45′)となって電気的にアイソレイション
を行うことができるようになったことが判明した。

しかしこの周波数が4KHz以下ではこの透光性導電膜に加
えて下地の透光性有機樹脂薄膜をもその中心部（ガウス
分布のエネルギ密度の最も高い領域）で損傷してしまっ
た。

このことにより、透光性有機樹脂薄膜上の透光性導電膜
のレーザスクライブには(44)に示す範囲が適していた。

さらに、この下地の透光性有機樹脂薄膜に損傷を与える
ことなく透光性導電膜のみを除去する領域を調べたとこ
ろ、第４図を得た。

即ち、スキャンスピードを０〜120cm／分、平均出力０
〜３Ｗ、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μのYAGレーザとすると、領域(49)即ち点A,B,
C,D,E,Fで囲まれる範囲は透光性有機樹脂薄膜の損傷が
なく透光性導電膜のみで除去することができた。

さらに領域(47)は透光性導電膜すらも除去することがで
きない領域であり、領域(46)はパルス光が透光性導電膜
上で連続せず、破線のごとく不連続な穴溝を得たのみで
あった。領域(48)は透光性導電膜のみならず下地の透光
性っ樹脂薄膜に対しても損傷を与えてしまった領域であ
る。

このことにより下地の透光性有機樹脂薄膜に対して損傷
を与えることなく、透光性導電膜のみを選択的に開溝と
して除去することのできる領域(19)があることがわかっ
た。

第２図（Ａ）の平面図またＡ−Ａ′、Ｆ−Ｆ′における
縦断面図を（Ａ−１）、（Ａ−２）にそれぞれ示す。

次に第２図（Ｂ）の平面図に示すごとく、光照射により
光起電力を発生する水素または弗素が添加された非単結
晶半導体を、この電極（３）、開溝(16)のすべての上面
に均質の膜厚に形成させる。また半導体はプラズマCVD
法、減圧CVD法、光CVD法または光プラズマCVD法を用い
て形成した。

この半導体(4′)は例えばSixC_1-x（０＜ｘ＜１一般には
ｘ＝0.7〜0.8）をＰ型を約100Åの厚さに、さらにＩ型
の水素又はハロゲン元素が添加された珪素を主成分とす
る半導体を0.4〜0.8μの厚さに、さらにＮ型の微結晶化
した珪素またはＮ型のSixC_1-x（０＜ｘ＜１ ｘ〜0.9）
を主成分とする半導体のPIN接合構造とした。

もちろんこれをＰ（SixC_1-xｘ＝0.7〜0.8）−Ｉ（Si）
−Ｎ（μCSi）−Ｐ（SixC_1-xｘ＝0.7〜0.8）−Ｉ（SixC
e_1-xｘ＝0.6〜0.8）−Ｎ（微結晶化CSiまたはSixC_1-x０
＜ｘ＜１）といったPINPIN構造のタンデム構造としても
よい。

さらに第２の開孔(15)をレーザ光により形成させ、第２
図（Ｂ）におけるＢ−Ｂ′，Ｃ−Ｃ′の縦断面図を（Ｂ
−１）、（Ｂ−２）に対応して示している。

かくして第２の開孔(15)は透光性有機樹脂薄膜の表面に
は損傷を与えずに第１電極の側面(17)を露出させた。

この時、非単結晶半導体は透明導電膜に比べて容易に除
去されるため、透光性導電膜の上端部を０〜５μの巾で
露呈させる結果、連結は透光性導電膜（３）の側面およ
び上面が連結部のコンタクトを構成する。

この第２の開孔(15)の形成条件は第１の開溝を形成する
条件とレーザ光をパルスを不連続に(15)の位置のみに加
える以外は同一である。

即ち、半導体の存在は実質的に無視しても差支えなく、
第３図、第４図の特性を用いることができた。

もちろん、このレーザ光をさらに１／２程度に弱くして
透光性導電膜をスクライブさせず半導体のみをスクライ
ブし、コンタクトを透光性導電膜の上部（上表面）にて
成就してもよい。

次に第２図（Ｃ）のパターンを形成させた。第２図
（Ｃ）のＤ−Ｄ′、Ｅ−Ｅ′、Ｇ−Ｇ′に対応した縦断
面図を（Ｃ−２）、（Ｃ−３）、（Ｃ−１）に示してい
る。

即ち、まず半導体（４）上に第２の電極を電子ビーム蒸
着法によりITOを100〜1600Å例えば1050Åの厚さに設け
た。

すると、開孔(15)において、第１の透光性導電膜(3)の
側面(17)に対し、ITOの導電性酸化物がコンタクトし、
オーム接触をさせることができた。

さらにクロムを主成分とする金属を500〜2000Åの厚さ
に形成させた。

このクロムは融点1800℃、沸点2660℃、熱伝導度0.2cal
／（cm.sec.deg）を有している。特にこの熱伝導率は他
が金属例えばチタンの0.05に比べて４倍を有し、銀の0.
998の１／５である。この熱伝導率は0.1〜0.3の範囲が
レーザ加工にもっとも好ましいとされている。

レーザ照射においては、このクロム膜はアルミニューム
等と比較して酸化物を作りにくく、かつ下地と反応しに
くい金属として特にすぐれたものであった。

またこの下のITOがないとレーザ光は下側の半導体をも
容易にスクライブし、その周辺を多結晶半導体化してし
まった。またITOのみではレーザ光が透過し、半導体の
みを実質的にスクライブしてしまった。これらのことよ
り、裏面電極はITOとクロムとの２層膜が最適があっ
た。

裏面電極の反射性を利用して特性改良を図るには、前記
したITO（1050Å）＋Ti（20Å）またはAg（100〜200
Å）＋Cr（1000〜3000Å）が好ましかった。

この後、第２図（Ｃ）においてレーザスクライブ(19)を
行って第３の開溝を形成した。この工程はYAGレーザ
（波長1.06μ，0.53μ）をテレビモニターにて第１の開
溝をモニターしつつ、それより50〜200μ第２のセル側
(13)にはいった位置にて開溝を作った。レーザ光の平均
出力0.5〜1.3Wとし、ビーム径30〜50μφ、ビーム走査
スピード0.1〜1m／分、一般には0.3m／分として行っ
た。

かくするとITO+Crの組合せにより熱伝導率が他の金属に
比べて適度に小さいため、半導体にその熱を過度に伝え
てしまうことによって生じる半導体の組成を変化等を発
生させることなく、この第２の電極用の導体のみをスク
ライブして除去させることができた。

さらにこの第３の開溝(20)をアセトン等の洗浄溶液にて
溶去することは残存物を除去するために好ましい。

またこの半導体（３）がＰ型半導体層、Ｉ型半導体層、
Ｎ型半導体層と例えば１つのPIN接合を有し、このＮ型
半導体層が微結晶または多結晶構造を有してもよい。そ
の電気伝導度が１〜200（Ωcm）^-1と高い伝導度を持つ
場合、本発明においてＮ型半導体層を室温〜150℃の温
度で酸化（10〜200時間）させ、絶縁物化することによ
りパッシベイションおよびリーク電流発生を防止するこ
とはきわめて重要であった。

かくして、連結部(12)において、セル(13)の第１の電極
(23′)と、セル(11)の第２の電極(25)とが酸化物コンタ
クトによりオーム接触を第２の開孔(18)を介してしてい
る。特に連結部(12)におけるコンタクト(17)は、第２の
開孔(15)により作られた第１の電極の側面または側面と
０〜５μの巾の第１の電極の上端面とで成就され、いわ
ゆるサイドコンタクト構造を有している。即ち２つのセ
ルはわずか10〜70μφの第２の開孔のサイドコンタクト
で十分であり、この部分に第２の電極を構成する材料を
密接させて電気的に直列接続をさせている。

第２図において、第２の開孔(15)は１つのみを半導体内
部の特に中央付近に存在させた。しかしこの開孔は、複
数ケ（２〜４ケ）を破線的にＹ方向に第１および第３の
開溝の間に作製しても、また櫛目形状に半導体（３）の
内部に第１の開溝(16)にそって形成させてもよい。

（Ｃ−１）、（Ｃ−２）の断面図より明らかなごとく、
半導体（４）上に第２の電極（５）が形成されている。
そしてこの第３の開溝(20)はその下の半導体を多結晶化
することなく、また実質的に半導体をえぐることなく電
極のみを分離して各素子の第２の電極間を電気的にアイ
ソレイトさせることができた。

さらに第２図（Ｃ）において、これらの上面に有機樹脂
(28)例えばシリコーン、エポキシまたはポリイミドを10
〜100μの厚さにコーティングして完成させている。

その結果、この図面より明らかなごとく、この光電変換
装置は、例えば図面に示されているごとく1cm×5cmの光
電変換装置を同じ大きさの透光性透光性有機樹脂薄膜上
に１つ作るのではなく、20cm×20cmまたは20cm×60cmま
たは40cm×40cmの大きな同一透光性透光性有機樹脂薄膜
基板上に一度に多数の光電変換装置を作ることが可能と
なった。

そして最後にこれらを(70)の境界で裁断法により切断
し、それぞれの光電変換装置にした。このためには、従
来より知られた光電変換装置のごとく活性領域と非活性
領域とを作るのではなく、すべて実質的に活性領域と
し、かつレーザ光により開溝を端から端まで作り、レー
ザ光の走査スピードを大きな透光性有機樹脂薄膜上で常
に一定にさせていることが重要である。さもないと、ス
キャンスピードが遅い部分では透光性有機樹脂薄膜に損
層がおきてしまうからである。

第２図（Ｃ）での開溝(20)、(27)、(27′)が端から端ま
で走査されているのは、量産化を考えた時重要である。
もちろんこれらの開溝は入射光側からはまったく見られ
ないため高商品価値化を下げない。

以上の説明は本発明の第２図のパターンには限定されな
い。セルの数、大きさはその設計仕様によって定められ
るものである。

〔発明の効果〕

本発明は各セルの連結部を開孔を介した内部コンタクト
により成就し、各セル間分離のための第１の開溝幅をレ
ーザ等を用いることにより10〜100μときわめて小さ
く、かつ第２の開孔も10〜50μφときわめて小さく、ま
た第３の開溝は透光性有機樹脂薄膜面側からはまったく
見えない。その結果肉眼によりハイブリット化がされて
いることを確認され得ず、高付加商品価値を与えること
ができた。

またセルの有効面積は連結部(12)の10〜300μ巾のきわ
めてわずかな部分を除いて他のすべてが有効であり、実
効面積は90％以上を得ることができ、従来例の80％に比
べ本発明方法は格段に優れたものであった。

また第１の開溝と第２の開孔、第３の開溝の形成をセレ
フレジストレイションで行えるため製造工程を極めて単
純化することができ、かつその同一バッチで作られた各
光電変換装置間のバラツキが少ないため製造歩留りが高
くなった。また有効面積を増加させることができた。

本発明は透光性有機樹脂膜の大面積基板に同時に多数の
光電変換装置を作り、これを分割して各基板上に１つの
光電変換装置を作る方式を採用することにより低価格の
製造が可能となった。このため、従来の１／３〜１／５
の価格（１ケあたり30〜50円）での製造が可能となっ
た。

また本発明は、非単結晶シリコンを主成分とするPIN接
合、ヘテロ接合、タンデム接合のみに限らず多くの構造
への応用が可能である。

なお本発明は透光性有機樹脂上に透光性導電膜を密接さ
せた場合を示した。しかし本発明は、有機樹脂上に窒化
珪素または酸化珪素の膜を300〜3000Åの厚さにバリア
層として形成し、その上に透光性導電膜を形成してもよ
いことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 第２図は本発明による光電変換装置の平面図および縦断
面図を製造工程に従って示したものである。 第３図は本発明の有機樹脂上の透明導電膜をレーザスク
ライブした時のレーザスクライブによる電気抵抗の変化
を示す。 第４図は本実施例における有機樹脂上の透明導電膜をレ
ーザスクライブした時のレーザスクライブの可能な領域
を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁表面を有する透光性有機樹脂基板上の
   第１の電極となる透光性導電膜に開溝を形成することに
   より複数の第１の電極に分割する工程と、該第１の電極
   および該電極間の開溝上に光照射により光起電力を発生
   する非単結晶半導体を形成させる工程と、前記非単結晶
   半導体の端部に至らない内部にレーザ光を照射して開孔
   を形成することにより該非単結晶半導体下の第１の電極
   の上面または側面を露呈させる工程と、この後前記非単
   結晶半導体上に第２の電極となる導電膜を形成する工程
   と、該第２の電極となる導電膜に開溝を形成して第２の
   電極を形成する工程とにより、隣合った異なる光電変換
   素子の第１の電極と第２の電極とを前記開孔を介して電
   気的に連結して直列接続を形成せしめることを特徴とす
   る光電変換半導体装置作製方法。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、非単結晶
   半導体の端部に至らない内部に開孔を形成して第１の電
   極の上面または側面を露呈せしめて、該第１の電極の側
   面または側面と上面とに第２の電極を構成する導電性酸
   化物材料を密接して設けることによりコンタクトを形成
   させたことを特徴とする光電変換半導体装置作製方法。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、第１の電
   極または第２の電極のうち少なくともどちらか一方の電
   極の外周部領域のうち電極間連結部分以外の領域に、前
   記電極の端部に沿ってリーク防止のための分離用開溝を
   設けたことを特徴とする光電変換半導体装置作製方法。