JPH0677596A - 光機能素子 - Google Patents
光機能素子Info
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- JPH0677596A JPH0677596A JP25065892A JP25065892A JPH0677596A JP H0677596 A JPH0677596 A JP H0677596A JP 25065892 A JP25065892 A JP 25065892A JP 25065892 A JP25065892 A JP 25065892A JP H0677596 A JPH0677596 A JP H0677596A
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- Japan
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】フィルタ、分波器等の複数の光導波路を有する
光機能素子に利用される積層導波路構造を持つ素子であ
る。 【構成】 半導体基板１０１上に、垂直方向に、複数の
量子井戸構造の導波路１０３、１０６が形成される。導
波路１０３、１０６は、基板１０１と平行方向に伸びる
クラッド部分が不純物拡散或は不純物イオン注入と熱処
理により混晶化されることにより横閉じ込めが行われて
いる。不純物拡散速度が異なる半導体材料１０９を基板
１０１と平行方向に伸びて選択的に配置することによ
り、設計自由度が高く複数の導波路１０３、１０６が形
成される。
光機能素子に利用される積層導波路構造を持つ素子であ
る。 【構成】 半導体基板１０１上に、垂直方向に、複数の
量子井戸構造の導波路１０３、１０６が形成される。導
波路１０３、１０６は、基板１０１と平行方向に伸びる
クラッド部分が不純物拡散或は不純物イオン注入と熱処
理により混晶化されることにより横閉じ込めが行われて
いる。不純物拡散速度が異なる半導体材料１０９を基板
１０１と平行方向に伸びて選択的に配置することによ
り、設計自由度が高く複数の導波路１０３、１０６が形
成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，フィルタ、分波器等の
複数の光導波路を有する光機能素子に利用される積層光
導波路構造の光機能素子に関する。
複数の光導波路を有する光機能素子に利用される積層光
導波路構造の光機能素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路に量子井戸構造を用いた
場合、低損失導波路が実現できることは広く知られてい
る。また、不純物拡散や熱処理により量子井戸構造が無
秩序化されることを利用して平坦な導波路を形成するこ
とも知られている。
場合、低損失導波路が実現できることは広く知られてい
る。また、不純物拡散や熱処理により量子井戸構造が無
秩序化されることを利用して平坦な導波路を形成するこ
とも知られている。
【０００３】一方、フィルタ、レーザ、アンプ等の光機
能素子を同一基板上に配置する場合、３次元的に配置す
ることにより高集積化が図れることは明白である。３次
元導波路の作製法としては，リッジ型あるいは埋め込み
型導波路の作製がある。
能素子を同一基板上に配置する場合、３次元的に配置す
ることにより高集積化が図れることは明白である。３次
元導波路の作製法としては，リッジ型あるいは埋め込み
型導波路の作製がある。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、３次元導
波路において、リッジ型では、ウェハー表面がかなり凹
凸になり、導波路形成後に電極などの形成を行うときに
パターンの乱れが生じる場合がある。また、埋め込み型
では、選択成長の技術が必要となり、その特性のために
マスク部面積などの点で設計上の制約が生じる可能性が
ある。
波路において、リッジ型では、ウェハー表面がかなり凹
凸になり、導波路形成後に電極などの形成を行うときに
パターンの乱れが生じる場合がある。また、埋め込み型
では、選択成長の技術が必要となり、その特性のために
マスク部面積などの点で設計上の制約が生じる可能性が
ある。
【０００５】更に、量子井戸構造により導波路を形成
し、混晶化により導波路の横閉じ込めを行う方法が提案
されているが、この方法を用いるとウェハー表面は平坦
であるが、積層導波路構造を形成する場合、基板表面側
の導波路を形成する位置のみにしか基板裏面側の他の導
波路が形成できず、積層導波路構造の設計上の自由度が
悪い。
し、混晶化により導波路の横閉じ込めを行う方法が提案
されているが、この方法を用いるとウェハー表面は平坦
であるが、積層導波路構造を形成する場合、基板表面側
の導波路を形成する位置のみにしか基板裏面側の他の導
波路が形成できず、積層導波路構造の設計上の自由度が
悪い。
【０００６】従って、本発明の目的は、上記の課題を解
決すべく、設計自由度が高く平坦な積層導波路構造を実
現できる光機能素子を提供することにある。
決すべく、設計自由度が高く平坦な積層導波路構造を実
現できる光機能素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明では、基板と垂直方向に複数の導波路を有し、この導
波路は量子井戸構造を有しており、この導波路は基板と
平行方向に伸びるクラッド部分が不純物拡散により（あ
るいは不純物イオン注入と熱処理により）混晶化される
ことにより横閉じ込めが行われている導波路であって、
不純物拡散速度が異なる材料を基板と平行方向に選択的
配置をすることにより拡散領域を制御し、導波路の設計
自由度が高い平坦な導波路を形成している。ここで、不
純物拡散速度の異なる材料は基板と垂直方向に存在する
複数の導波路間に配置してあっても良い。さらに、不純
物拡散速度が異なる材料はＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＜０．
２）及びＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＞０．４）であっても良
く、不純物はＺｎであっても良い。また、基板及び導波
路はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であっても良い。
明では、基板と垂直方向に複数の導波路を有し、この導
波路は量子井戸構造を有しており、この導波路は基板と
平行方向に伸びるクラッド部分が不純物拡散により（あ
るいは不純物イオン注入と熱処理により）混晶化される
ことにより横閉じ込めが行われている導波路であって、
不純物拡散速度が異なる材料を基板と平行方向に選択的
配置をすることにより拡散領域を制御し、導波路の設計
自由度が高い平坦な導波路を形成している。ここで、不
純物拡散速度の異なる材料は基板と垂直方向に存在する
複数の導波路間に配置してあっても良い。さらに、不純
物拡散速度が異なる材料はＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＜０．
２）及びＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＞０．４）であっても良
く、不純物はＺｎであっても良い。また、基板及び導波
路はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であっても良い。
【０００８】より一般的には、上記目的を達成する本発
明による光機能素子では、基板と垂直方向に配置され量
子井戸構造を有する複数の導波路と、該導波路の横閉じ
込めを行う混晶化部分と、不純物拡散速度が異なる半導
体材料を該基板と平行方向に伸びて選択的に配置するこ
とにより形成された部分とを有し、該不純物拡散速度が
異なる半導体材料部分を適当に配置することで該混晶化
部分を所望の形態で形成して該複数の導波路を所望の配
置で形成していること特徴とする。
明による光機能素子では、基板と垂直方向に配置され量
子井戸構造を有する複数の導波路と、該導波路の横閉じ
込めを行う混晶化部分と、不純物拡散速度が異なる半導
体材料を該基板と平行方向に伸びて選択的に配置するこ
とにより形成された部分とを有し、該不純物拡散速度が
異なる半導体材料部分を適当に配置することで該混晶化
部分を所望の形態で形成して該複数の導波路を所望の配
置で形成していること特徴とする。
【０００９】
【作用】上記手段を用いることにより、平坦な導波路が
形成できる。また、基板表面側導波路を形成する位置以
外にも、不純物拡散速度が遅い材料で保護した位置に基
板裏面側導波路を形成でき、導波路の設計自由度が上が
る。
形成できる。また、基板表面側導波路を形成する位置以
外にも、不純物拡散速度が遅い材料で保護した位置に基
板裏面側導波路を形成でき、導波路の設計自由度が上が
る。
【００１０】本発明は次の原理を利用する。例えば、Ｇ
ａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法を用いてＡｌxＧａ1-xＡｓ
（Ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６、０．８）を堆
積させた。つぎに、ＺｎＯを基板表面に堆積させ、６０
０°Ｃで１時間加熱し、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分
析）によりＺｎの濃度を測定した。そして、Ｚｎ濃度が
１×１０19以上の深さをＺｎの拡散深さとする。Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ組成比ｘに対するＺｎ拡散速度の関係を図
２に示す。このように、組成比ｘが大きくなるにしたが
って拡散速度は早くなっている。従って、Ａｌ組成比ｘ
が小さい層を拡散制御層として利用して、量子井戸構造
の導波路部分の混晶化態様を自由度高く制御でき複数種
類の導波路構造領域を設計自由度高く作成することがで
きる、
ａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法を用いてＡｌxＧａ1-xＡｓ
（Ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６、０．８）を堆
積させた。つぎに、ＺｎＯを基板表面に堆積させ、６０
０°Ｃで１時間加熱し、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分
析）によりＺｎの濃度を測定した。そして、Ｚｎ濃度が
１×１０19以上の深さをＺｎの拡散深さとする。Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ組成比ｘに対するＺｎ拡散速度の関係を図
２に示す。このように、組成比ｘが大きくなるにしたが
って拡散速度は早くなっている。従って、Ａｌ組成比ｘ
が小さい層を拡散制御層として利用して、量子井戸構造
の導波路部分の混晶化態様を自由度高く制御でき複数種
類の導波路構造領域を設計自由度高く作成することがで
きる、
【００１１】
【実施例１】以下に、図１を参照して、本発明により作
成した積層導波路構造の光機能素子の実施例１の作成工
程を説明する。
成した積層導波路構造の光機能素子の実施例１の作成工
程を説明する。
【００１２】図１において、ＧａＡｓ基板１０１上に、
クラッド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）１０２、第１導波路
層（ＭＱＷ（多重量子井戸）層である）１０３、クラッ
ド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）１０４、拡散制御層（Ｇａ
Ａｓ）１０９を堆積させ、領域１にのみ拡散制御層１０
９を残し、他の領域の拡散制御層を取り去る。次に、ク
ラッド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）１０５、第２導波路層
（ＭＱＷ）１０６、クラッド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）
１０７の順でＭＯＣＶＤ法を用いて堆積する。そして、
その上にマスクとしてＳｉＮx１１０を堆積し、図１に
示す如く、領域３以外のＳｉＮx１１０を取り去る。そ
の後、拡散源としてＺｎＯ１０８を堆積する。
クラッド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）１０２、第１導波路
層（ＭＱＷ（多重量子井戸）層である）１０３、クラッ
ド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）１０４、拡散制御層（Ｇａ
Ａｓ）１０９を堆積させ、領域１にのみ拡散制御層１０
９を残し、他の領域の拡散制御層を取り去る。次に、ク
ラッド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）１０５、第２導波路層
（ＭＱＷ）１０６、クラッド層（Ａ１0.5Ｇａ0.5Ａｓ）
１０７の順でＭＯＣＶＤ法を用いて堆積する。そして、
その上にマスクとしてＳｉＮx１１０を堆積し、図１に
示す如く、領域３以外のＳｉＮx１１０を取り去る。そ
の後、拡散源としてＺｎＯ１０８を堆積する。
【００１３】こうして作製されたウェハーをＡｒ雰囲気
中で加熱し、図３に示す如くＺｎの拡散領域３０１を形
成し、マスク部以外のＭＱＷ部分１０３、１０６を混晶
化する。
中で加熱し、図３に示す如くＺｎの拡散領域３０１を形
成し、マスク部以外のＭＱＷ部分１０３、１０６を混晶
化する。
【００１４】領域１では拡散制御層１．９下方に導波路
が存在でき、領域２では導波路は存在できず、領域３で
はＳｉＮxマスク１１０下方に上下導波路が存在でき
る。このように本発明により３種類の導波路構造領域を
設計自由度高く作成することができる。
が存在でき、領域２では導波路は存在できず、領域３で
はＳｉＮxマスク１１０下方に上下導波路が存在でき
る。このように本発明により３種類の導波路構造領域を
設計自由度高く作成することができる。
【００１５】
【実施例２】次に、図４を参照して、本発明により作成
した積層型方向性結合器について説明する。
した積層型方向性結合器について説明する。
【００１６】図４において、ＧａＡｓ基板４０１上に、
２つのＡ１0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド４０２、４０４に挟
まれた第１ＭＱＷ導波路４０３があり、その上に、他の
２つのＡ１0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド４０６、４０８に挟
まれた第２ＭＱＷ導波路４０７があるＢ領域と拡散制御
層４１１上で混晶化されたＡ領域がある。Ｂ領域では、
ＭＱＷ導波路４０３、４０７間にはグレーティング部４
０５が形成されている。
２つのＡ１0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド４０２、４０４に挟
まれた第１ＭＱＷ導波路４０３があり、その上に、他の
２つのＡ１0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド４０６、４０８に挟
まれた第２ＭＱＷ導波路４０７があるＢ領域と拡散制御
層４１１上で混晶化されたＡ領域がある。Ｂ領域では、
ＭＱＷ導波路４０３、４０７間にはグレーティング部４
０５が形成されている。
【００１７】ここで、図４のから入射した光は、Ａ領
域においてＭＱＷ導波路４０３を伝搬するＴＥ波と混晶
化領域に放射するＴＭ波とに分かれ、次に、Ｂ領域にお
いて、グレーティング部構造４０５により決定される第
２ＭＱＷ導波路４０７に結合する波長は図４のへ出力
され、その他の波長の光はへ出射された。
域においてＭＱＷ導波路４０３を伝搬するＴＥ波と混晶
化領域に放射するＴＭ波とに分かれ、次に、Ｂ領域にお
いて、グレーティング部構造４０５により決定される第
２ＭＱＷ導波路４０７に結合する波長は図４のへ出力
され、その他の波長の光はへ出射された。
【００１８】このように、平坦な積層型方向性結合器が
２回の全面成長により作成できる。尚、図４において、
４０９はＳｉＮx拡散マスクであり、４１０は拡散領域
である。
２回の全面成長により作成できる。尚、図４において、
４０９はＳｉＮx拡散マスクであり、４１０は拡散領域
である。
【００１９】
【実施例３】次に、図５を参照して、本発明により作成
した半導体レーザについて説明する。
した半導体レーザについて説明する。
【００２０】図５において、ｎ−ＧａＡｓ基板５０１上
に、ｎ−Ａ１0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド５０２、Ａ１
0.1Ｇａ0.9Ａｓ活性層５０３、ｐ−Ａ１0.45Ｇａ0.55Ａ
ｓ５０４、ＧａＡｓキャップ層５０５、５０６を堆積
し、活性領域とする部分以外のＧａＡｓキャップ層５０
５、５０６を取り去る。つぎに、ＧａＡｓキャップ層５
０５、５０６を拡散制御層として、全面にＺｎを拡散さ
せ、拡散領域５０８、低抵抗拡散領域５０６を形成し
た。尚、５０７、５０９は電極である。以上のようにし
て作成した半導体レーザの発振を確認した。
に、ｎ−Ａ１0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド５０２、Ａ１
0.1Ｇａ0.9Ａｓ活性層５０３、ｐ−Ａ１0.45Ｇａ0.55Ａ
ｓ５０４、ＧａＡｓキャップ層５０５、５０６を堆積
し、活性領域とする部分以外のＧａＡｓキャップ層５０
５、５０６を取り去る。つぎに、ＧａＡｓキャップ層５
０５、５０６を拡散制御層として、全面にＺｎを拡散さ
せ、拡散領域５０８、低抵抗拡散領域５０６を形成し
た。尚、５０７、５０９は電極である。以上のようにし
て作成した半導体レーザの発振を確認した。
【００２１】このように、１回の全面成長、１回の全面
拡散により、平坦な低抵抗半導体レーザを形成できた。
拡散により、平坦な低抵抗半導体レーザを形成できた。
【００２２】
【実施例４】以下に、図６を参照して、本発明により作
成した導波路について説明する。
成した導波路について説明する。
【００２３】図６において、平面的には第１導波路６０
１と第２、第３導波路６０２、６０３が配置されており
（図６（ａ））、断面的には第２導波路６０２と第３導
波路６０３が積層して配置されている（図６（ｂ））。
尚、図６（ｂ）において、６０４、６０８、６０９、６
１０は夫々図３の拡散領域３０１、層１０８、１０９、
１１０と同様な機能を果たす部分であり、各導波路６０
１、６０２、６０３はクラッド層により挟まれている。
ここで、導波路６０１、６０２の側から入射された光
はそれぞれ第１導波路６０１と第２導波路６０２に分波
される。つぎに、第２導波路６０２に分岐された光の特
定の波長は第３導波路６０３に結合され（この部分が積
層型方向性結合器になっている）、側から放出され
る。
１と第２、第３導波路６０２、６０３が配置されており
（図６（ａ））、断面的には第２導波路６０２と第３導
波路６０３が積層して配置されている（図６（ｂ））。
尚、図６（ｂ）において、６０４、６０８、６０９、６
１０は夫々図３の拡散領域３０１、層１０８、１０９、
１１０と同様な機能を果たす部分であり、各導波路６０
１、６０２、６０３はクラッド層により挟まれている。
ここで、導波路６０１、６０２の側から入射された光
はそれぞれ第１導波路６０１と第２導波路６０２に分波
される。つぎに、第２導波路６０２に分岐された光の特
定の波長は第３導波路６０３に結合され（この部分が積
層型方向性結合器になっている）、側から放出され
る。
【００２４】このように、本発明により、平坦な３次元
的に配置された導波路が形成できる。
的に配置された導波路が形成できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、設計自由度の高い平坦な
積層導波路が作成できる。また、本発明により以下のよ
うな効果がある。 １）積層導波路を高い自由度で形成できるので、同一基
板上にフィルタ、アンプ、ディテクタを３次元的に形成
することができ、高集積化が可能となる。 ２）導波路形状を結晶の異方性に関わらず比較的自由に
設計できる。 ３）埋め込み型と比べ光の横閉じ込めが強くないため
（拡散領域で横閉じ込めをしている）損失が小さい。 ４）ＴＥ、ＴＭ波によって閉じ込めの様子が異なるた
め、偏波モードフィルタとしての機能を持ちうる。
積層導波路が作成できる。また、本発明により以下のよ
うな効果がある。 １）積層導波路を高い自由度で形成できるので、同一基
板上にフィルタ、アンプ、ディテクタを３次元的に形成
することができ、高集積化が可能となる。 ２）導波路形状を結晶の異方性に関わらず比較的自由に
設計できる。 ３）埋め込み型と比べ光の横閉じ込めが強くないため
（拡散領域で横閉じ込めをしている）損失が小さい。 ４）ＴＥ、ＴＭ波によって閉じ込めの様子が異なるた
め、偏波モードフィルタとしての機能を持ちうる。
【図１】本発明の実施例１の拡散制御層配置を示す説明
図。
図。
【図２】本発明の原理に関する実験結果を示す図。
【図３】本発明の実施例１の導波路配置を示す説明図。
【図４】本発明による実施例２である積層型方向性結合
器の構成図。
器の構成図。
【図５】本発明による実施例３である半導体レーザの構
成図。
成図。
【図６】本発明による実施例４である分波器の構成図。
１０１ ＧａＡｓ基板 １０２ クラッド層 １０３ 第１導波路層 １０４ クラッド層 １０５ クラッド層 １０６ 第２導波路層 １０７ クラッド層 １０８，６０８ ＺｎＯ １０９，６０９ 拡散制御層 １１０，６１０ ＳｉＮx ３０１ 拡散領域 ４０１ ＧａＡｓ基板 ４０２ クラッド層 ４０３ 第１導波路 ４０４ クラッド層 ４０５ グレーティング部 ４０６ クラッド層 ４０７ 第２導波路 ４０８ クラッド層 ４０９ ＳｉＮx拡散マスク ４１０ 拡散領域 ４１１ 拡散制御層 ５０１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ５０２ クラッド層 ５０３ 活性層 ５０４ クラッド層 ５０５ キャップ層 ５０６ 低抵抗層（キャップ層拡散領域） ５０７ 電極 ５０８ 拡散領域 ５０９ 電極 ６０１ 第１導波路 ６０２ 第２導波路 ６０３ 第３導波路 ６０４ 拡散領域
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と垂直方向に複数の導波路を有し、
該導波路は量子井戸構造を有しており、該導波路は基板
と平行方向に伸びるクラッド部分が不純物拡散あるいは
不純物イオン注入と熱処理により混晶化されることによ
り横閉じ込めが行われており、不純物拡散速度が異なる
半導体材料を基板と平行方向に伸びて選択的配置をする
ことにより該混晶化部分を所望の形態で形成して複数の
導波路を所望の配置で形成していること特徴とする光機
能素子。 - 【請求項２】 前記不純物拡散速度が異なる材料は基板
と垂直方向に存在する複数の導波路間に配置してあるこ
とを特徴とする請求項１記載の光機能素子。 - 【請求項３】 前記不純物はＺｎあるいはＳｉであるこ
とを特徴とする請求項１記載の光機能素子。 - 【請求項４】 前記基板および導波路はＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体であることを特徴とする請求項１記載の光機
能素子。 - 【請求項５】 前記量子井戸構造はＧａＡｓあるいはＡ
ｌＧａＡｓより構成されており、前記不純物拡散速度が
異なる半導体材料はＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＜０．２）及
びＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＞０．４）であることを特徴と
する請求項１記載の光機能素子。 - 【請求項６】 基板と垂直方向に配置され量子井戸構造
を有する複数の導波路と、該導波路の横閉じ込めを行う
混晶化部分と、不純物拡散速度が異なる半導体材料を該
基板と平行方向に伸びて選択的に配置することにより形
成された部分とを有し、該不純物拡散速度が異なる半導
体材料部分を適当に配置することで該混晶化部分を所望
の形態で形成して該複数の導波路を所望の配置で形成し
ていること特徴とする光機能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25065892A JPH0677596A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25065892A JPH0677596A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光機能素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677596A true JPH0677596A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17211129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25065892A Pending JPH0677596A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677596A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465799B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-10-15 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | UV radiation system having materials for selectively attenuating radiation |
| US10033154B2 (en) | 2010-03-03 | 2018-07-24 | Furukawa Electronic Co., Ltd. | Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element |
| US10069280B2 (en) | 2013-02-13 | 2018-09-04 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element |
| US10109982B2 (en) | 2014-08-12 | 2018-10-23 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP25065892A patent/JPH0677596A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465799B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-10-15 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | UV radiation system having materials for selectively attenuating radiation |
| US10033154B2 (en) | 2010-03-03 | 2018-07-24 | Furukawa Electronic Co., Ltd. | Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element |
| US10069280B2 (en) | 2013-02-13 | 2018-09-04 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element |
| US10109982B2 (en) | 2014-08-12 | 2018-10-23 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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