JPH0676355A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPH0676355A JPH0676355A JP4225961A JP22596192A JPH0676355A JP H0676355 A JPH0676355 A JP H0676355A JP 4225961 A JP4225961 A JP 4225961A JP 22596192 A JP22596192 A JP 22596192A JP H0676355 A JPH0676355 A JP H0676355A
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- recording layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高感度で短いパルス幅、高い周波数で記録でき
る情報記録媒体を、さらには耐食性にも優れた情報記録
媒体を提供しようとするものである。 【構成】基板１上に記録用光ビームの照射により情報を
記録する記録層を形成してなる情報記録媒体において、
前記記録層が基板１側から第１の記録層３と第２の記録
層４からなり、かつ、第２の記録層４上に放熱層（冷却
層）５，５′を設けたものである。第１の記録層３の下
部と放熱層５，５′の上部の少なくとも一方に形成され
た無機誘電体からなる保護層２，６を設けたものであ
る。
る情報記録媒体を、さらには耐食性にも優れた情報記録
媒体を提供しようとするものである。 【構成】基板１上に記録用光ビームの照射により情報を
記録する記録層を形成してなる情報記録媒体において、
前記記録層が基板１側から第１の記録層３と第２の記録
層４からなり、かつ、第２の記録層４上に放熱層（冷却
層）５，５′を設けたものである。第１の記録層３の下
部と放熱層５，５′の上部の少なくとも一方に形成され
た無機誘電体からなる保護層２，６を設けたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザービーム、電子
線ビーム等の照射により記録層に光学的特性の変化を生
じさせて情報の記録を行ない、かつ、この光学的特性変
化を検出して情報を再生する情報記録媒体に関する。
線ビーム等の照射により記録層に光学的特性の変化を生
じさせて情報の記録を行ない、かつ、この光学的特性変
化を検出して情報を再生する情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の情報記録媒体として、基
板上に低融点の金属、半金属または有機物からなる記録
層を積層しレーザー光を照射して記録層に孔を形成する
ことにより情報を記録するものがある。しかしながら、
この孔形成方式では、レーザ−光による孔の形状制御が
し難いという欠点がある。また、この欠点が解消される
情報記憶媒体として、記録層の相転移により情報を記録
するものがある。
板上に低融点の金属、半金属または有機物からなる記録
層を積層しレーザー光を照射して記録層に孔を形成する
ことにより情報を記録するものがある。しかしながら、
この孔形成方式では、レーザ−光による孔の形状制御が
し難いという欠点がある。また、この欠点が解消される
情報記憶媒体として、記録層の相転移により情報を記録
するものがある。
【０００３】この相転移を利用した記録材料としては、
例えば特開昭５０−４６３１７号公報で開示されるよう
なＴｅＯx や、特開昭５７−１５９６９２号公報で開示
されるようなＳｂ2 Ｓｅ3 ／Ｂｉ2 Ｔｅ3 の二層構造の
ものが知られている。
例えば特開昭５０−４６３１７号公報で開示されるよう
なＴｅＯx や、特開昭５７−１５９６９２号公報で開示
されるようなＳｂ2 Ｓｅ3 ／Ｂｉ2 Ｔｅ3 の二層構造の
ものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、二層構
造の層転移方式では、片方の層が熱を吸収しその熱の熱
伝導によりもう一方の層を相転移させるため記録感度が
低く、短いパルス幅、高い周波数で記録することが難し
い。したがって、高い転送レートで記録および読み出し
をすることができないといった欠点があった。
造の層転移方式では、片方の層が熱を吸収しその熱の熱
伝導によりもう一方の層を相転移させるため記録感度が
低く、短いパルス幅、高い周波数で記録することが難し
い。したがって、高い転送レートで記録および読み出し
をすることができないといった欠点があった。
【０００５】本発明は、上記事情に基づきなされたもの
で、第１の目的とするところは、高感度で短いパルス
幅、高い周波数で記録できる情報記録媒体を提供しよう
とするものである。また、第２の目的とするところは、
耐食性にも優れた情報記録媒体を提供しようとするもの
である。
で、第１の目的とするところは、高感度で短いパルス
幅、高い周波数で記録できる情報記録媒体を提供しよう
とするものである。また、第２の目的とするところは、
耐食性にも優れた情報記録媒体を提供しようとするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記第１の目
的を達成すべく第１の手段として、基板上に記録用光ビ
ームの照射により情報を記録する記録層を形成してなる
情報記録媒体において、前記記録層が基板側からＴe を
含む第１の記録層とＴe を含む第２の記録層からなり、
かつ、第２の記録層上に放熱層を設けたものである。
的を達成すべく第１の手段として、基板上に記録用光ビ
ームの照射により情報を記録する記録層を形成してなる
情報記録媒体において、前記記録層が基板側からＴe を
含む第１の記録層とＴe を含む第２の記録層からなり、
かつ、第２の記録層上に放熱層を設けたものである。
【０００７】また、上記第２の目的を達成すべく第２の
手段として、基板上に記録用光ビームの照射により情報
を記録する記録層を形成してなる情報記録媒体におい
て、前記基板と、この基板上に形成されたＴe を含む第
１の記録層と、この第１の記録層上に形成されたＴe を
含む第２の記録層と、この第２の記録層上に形成された
放熱層と、前記第１の記録層の下部と前記放熱層の上部
の少なくとも一方に形成された無機誘電体からなる保護
層とを具備してなる構成としたものである。
手段として、基板上に記録用光ビームの照射により情報
を記録する記録層を形成してなる情報記録媒体におい
て、前記基板と、この基板上に形成されたＴe を含む第
１の記録層と、この第１の記録層上に形成されたＴe を
含む第２の記録層と、この第２の記録層上に形成された
放熱層と、前記第１の記録層の下部と前記放熱層の上部
の少なくとも一方に形成された無機誘電体からなる保護
層とを具備してなる構成としたものである。
【０００８】
【作用】第１の手段の情報記録媒体においては、第１の
記録層と第２の記録層とはＴeを含むため容易にそれぞ
れレ−ザ光を吸収するため、低いエネルギで両層の溶融
単一層化が可能である。この時、記録層溶融後の余分な
熱エネルギは放熱層（冷却層）により効率良く放熱され
るため、レーザによる加熱部以外の領域（記録膜の面内
方向へのしみだし）を変化させることがない。このため
レーザの形状に沿ったきれいな記録マークを形成するこ
とができる。
記録層と第２の記録層とはＴeを含むため容易にそれぞ
れレ−ザ光を吸収するため、低いエネルギで両層の溶融
単一層化が可能である。この時、記録層溶融後の余分な
熱エネルギは放熱層（冷却層）により効率良く放熱され
るため、レーザによる加熱部以外の領域（記録膜の面内
方向へのしみだし）を変化させることがない。このため
レーザの形状に沿ったきれいな記録マークを形成するこ
とができる。
【０００９】第２の手段の情報記録媒体においては、上
記第１の作用に加え、無機誘電体からなる保護層により
記録層を腐食する物質の浸入を防止でき耐食性に優れた
ものとすることができる。
記第１の作用に加え、無機誘電体からなる保護層により
記録層を腐食する物質の浸入を防止でき耐食性に優れた
ものとすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して説明する。ま
ず、図１を参照して本発明の情報記録媒体の一実施例を
説明する。
ず、図１を参照して本発明の情報記録媒体の一実施例を
説明する。
【００１１】この情報記録媒体１００は、アクリル樹脂
やポリカーボネート樹脂などからなるプラスチック基板
やガラス基板よりなる基板１上に、第１の保護層２と、
第１の記録層３と、第２の記録層４と、放熱層（冷却
層）５と、第２の保護層６とを順次積層した構成となっ
ている。
やポリカーボネート樹脂などからなるプラスチック基板
やガラス基板よりなる基板１上に、第１の保護層２と、
第１の記録層３と、第２の記録層４と、放熱層（冷却
層）５と、第２の保護層６とを順次積層した構成となっ
ている。
【００１２】第１及び第２の保護層２，６は，金属また
は半金属の酸化物、窒化物、硫化物及びこれらの混合物
等の無機誘電体が用いられ、特にはＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，
ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＦ2 などが良い。膜厚は５０
００オングストロ−ム以下が好ましく、特に１０００オ
ングストロ−ム以下が適している。第１の記録層３と第
２の記録層４は、Ｔｅ含む合金組成からなる。
は半金属の酸化物、窒化物、硫化物及びこれらの混合物
等の無機誘電体が用いられ、特にはＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，
ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＦ2 などが良い。膜厚は５０
００オングストロ−ム以下が好ましく、特に１０００オ
ングストロ−ム以下が適している。第１の記録層３と第
２の記録層４は、Ｔｅ含む合金組成からなる。
【００１３】Ｔｅを含む合金はそれぞれ半導体レーザー
で記録可能な融点（５００〜６００℃）を持ち、かつ、
非晶質状態も安定である（保存安定性が良い）。また、
半導体レーザー光をよく吸収する。その中でも第１の記
録層３は、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｓｎなどを含むＴｅ合金
が適しており、第２の記録層４はＢｉを含むＴｅ合金が
適している。放熱層（冷却層）５は、Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒなどの金属、またはこれらの合金
が適している。
で記録可能な融点（５００〜６００℃）を持ち、かつ、
非晶質状態も安定である（保存安定性が良い）。また、
半導体レーザー光をよく吸収する。その中でも第１の記
録層３は、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｓｎなどを含むＴｅ合金
が適しており、第２の記録層４はＢｉを含むＴｅ合金が
適している。放熱層（冷却層）５は、Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒなどの金属、またはこれらの合金
が適している。
【００１４】さらに、図２に示すように、放熱層（冷却
層）５は、これらＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ
などの金属または合金８を、無機誘電体７中に混合物と
して用いても良い。膜厚は記録用に用いられる線速に依
存するが特に１０００オングストロ−ム以下が好まし
い。
層）５は、これらＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ
などの金属または合金８を、無機誘電体７中に混合物と
して用いても良い。膜厚は記録用に用いられる線速に依
存するが特に１０００オングストロ−ム以下が好まし
い。
【００１５】しかして、このような層構成を有する情報
記録媒体１００に対しての記録は、基板１を通したレー
ザー光１０により行われる。一般に、この光源としては
半導体レーザーが用いられる。レーザー光１０により加
熱された部分Ａは両層の融点以上まで加熱され単一層に
変換される。
記録媒体１００に対しての記録は、基板１を通したレー
ザー光１０により行われる。一般に、この光源としては
半導体レーザーが用いられる。レーザー光１０により加
熱された部分Ａは両層の融点以上まで加熱され単一層に
変換される。
【００１６】本発明の層構成の場合、第１の記録層３と
第２の記録層４とはそれぞれ光を吸収するため、低いエ
ネルギで両層３，４の溶融単一層化が可能である。この
時、記録層溶融後の余分な熱エネルギは放熱層（冷却
層）５により効率良く放熱されるため、レーザー光１０
による加熱部以外の領域を変化させることがない。すな
わち、記録膜の面内方向への浸み出しがないため、レー
ザー光１０の形状に沿ったきれいな記録マークを形成す
ることができる。
第２の記録層４とはそれぞれ光を吸収するため、低いエ
ネルギで両層３，４の溶融単一層化が可能である。この
時、記録層溶融後の余分な熱エネルギは放熱層（冷却
層）５により効率良く放熱されるため、レーザー光１０
による加熱部以外の領域を変化させることがない。すな
わち、記録膜の面内方向への浸み出しがないため、レー
ザー光１０の形状に沿ったきれいな記録マークを形成す
ることができる。
【００１７】さらに、本発明の情報記録媒体１００，
（１００′）は、第１の記録層３と第２の記録層４の上
に放熱層（冷却層）５，（５′）が積層されていること
から、この放熱層（冷却層）５，（５′）が記録層３，
４を透過した光を反射する役目も果たしており、レーザ
ー光１０の利用効率を向上させる効果も果たしている。
次に、この情報記録媒体１００，１００′を成膜する成
膜装置について、図３および図４を参照しながら説明す
る。
（１００′）は、第１の記録層３と第２の記録層４の上
に放熱層（冷却層）５，（５′）が積層されていること
から、この放熱層（冷却層）５，（５′）が記録層３，
４を透過した光を反射する役目も果たしており、レーザ
ー光１０の利用効率を向上させる効果も果たしている。
次に、この情報記録媒体１００，１００′を成膜する成
膜装置について、図３および図４を参照しながら説明す
る。
【００１８】図中１１は真空容器を示し、この真空容器
１１はその底壁に設けられたガス排気ポート１２を有し
ている。ガス排気ポート１２は排気装置１３に接続され
ており、このガス排気ポート１２を介して真空容器１１
内を排気するようになっている。
１１はその底壁に設けられたガス排気ポート１２を有し
ている。ガス排気ポート１２は排気装置１３に接続され
ており、このガス排気ポート１２を介して真空容器１１
内を排気するようになっている。
【００１９】円板状の基板１は支持装置１６により、真
空容器１１内の上部にその面を水平にして支架されてお
り、成膜中に図示しないモータで支持装置１６を回転さ
せることにより基板１を回転駆動させるようになってい
る。
空容器１１内の上部にその面を水平にして支架されてお
り、成膜中に図示しないモータで支持装置１６を回転さ
せることにより基板１を回転駆動させるようになってい
る。
【００２０】また、真空容器１１内の底部近傍には、基
板１に対向するように、所定元素で形成されたスパッタ
源１９，２０が配設されており、これら各スパッタには
図示しない高周波電源が接続されている。また、ガス導
入ポート２１からスパッタガスとしてＡｒガス２２が導
入できるようになっている。
板１に対向するように、所定元素で形成されたスパッタ
源１９，２０が配設されており、これら各スパッタには
図示しない高周波電源が接続されている。また、ガス導
入ポート２１からスパッタガスとしてＡｒガス２２が導
入できるようになっている。
【００２１】スパッタ源１９，２０の上方には、モニタ
−装置２５、２６が設けられ、各スパッタ源１９，２０
からのスパッタ量をモニタ−するようになっており、こ
のモニタ−した値により膜厚をコントロールできる。
−装置２５、２６が設けられ、各スパッタ源１９，２０
からのスパッタ量をモニタ−するようになっており、こ
のモニタ−した値により膜厚をコントロールできる。
【００２２】この成膜装置によれば、先ず、排気装置１
３により真空容器１１内を、例えば、１０-6Ｔorr 台の
真空度まで排気する。次いで、ガス導入ポート２１より
Ａｒガス２２を導入し、排気装置１３の排気量を調節し
て真空容器１１内を所定の減圧化に保持する。そして、
基板１を回転させつつ順次スパッタ源１９、２０に所定
の時間電力を印加する。これにより、基板１にこの実施
例の組成の記録層３，４が形成される。次に、この発明
に係わる情報記録媒体１００と、放熱層（冷却層）５の
ない従来型の情報記録媒体とを製造して、記録特性を試
験した結果について説明する。 ［実施例１（図１に示すもの）］
３により真空容器１１内を、例えば、１０-6Ｔorr 台の
真空度まで排気する。次いで、ガス導入ポート２１より
Ａｒガス２２を導入し、排気装置１３の排気量を調節し
て真空容器１１内を所定の減圧化に保持する。そして、
基板１を回転させつつ順次スパッタ源１９、２０に所定
の時間電力を印加する。これにより、基板１にこの実施
例の組成の記録層３，４が形成される。次に、この発明
に係わる情報記録媒体１００と、放熱層（冷却層）５の
ない従来型の情報記録媒体とを製造して、記録特性を試
験した結果について説明する。 ［実施例１（図１に示すもの）］
【００２３】真空容器１１内にＧｅＴｅとＢｉ2 Ｔｅ3
とＳｉＯ2 のスパッタ源１９，２０を設け、真空容器１
１内を８×１０-6Ｔorr まで排気した。次に、Ａｒガス
２２を導入し５×１０-3Ｔorr に全体の圧力を調節し
た。基板１として十分に洗浄した外径１３０mm、板厚
１．２mmの円板状ポリカーボネート基板を用い、この基
板１を６０rpm で回転しつつモニタ−装置２５、２６に
よりスパッタ量をモニタ−してスパッタ源１９，２０に
投入する電力をコントロールした。
とＳｉＯ2 のスパッタ源１９，２０を設け、真空容器１
１内を８×１０-6Ｔorr まで排気した。次に、Ａｒガス
２２を導入し５×１０-3Ｔorr に全体の圧力を調節し
た。基板１として十分に洗浄した外径１３０mm、板厚
１．２mmの円板状ポリカーボネート基板を用い、この基
板１を６０rpm で回転しつつモニタ−装置２５、２６に
よりスパッタ量をモニタ−してスパッタ源１９，２０に
投入する電力をコントロールした。
【００２４】そして、まず、第１の保護層２としてＳｉ
Ｏ2 を５００オングストロ−ム堆積させ、続いて第１の
記録層３としてＧｅＴｅを５００オングストロ−ム、第
２の記録層４としてＢｉ2 Ｔｅ3 を６００オングストロ
−ム、放熱層（冷却層）５としてＴｉ２５０オングスト
ロ−ム、第２の保護層ＳｉＯ2 を５００オングストロ−
ム順次積層し、図１に示す情報記録媒体１００を作成し
た。 ［比較例（従来型のもの）］
Ｏ2 を５００オングストロ−ム堆積させ、続いて第１の
記録層３としてＧｅＴｅを５００オングストロ−ム、第
２の記録層４としてＢｉ2 Ｔｅ3 を６００オングストロ
−ム、放熱層（冷却層）５としてＴｉ２５０オングスト
ロ−ム、第２の保護層ＳｉＯ2 を５００オングストロ−
ム順次積層し、図１に示す情報記録媒体１００を作成し
た。 ［比較例（従来型のもの）］
【００２５】第１の保護層２としてＳｉＯ2 を５００オ
ングストロ−ム堆積させ、続いて第１の記録層３として
ＧｅＴｅを５００オングストロ−ム、第２の記録層４と
してＢｉ2 Ｔｅ3 を６００オングストロ−ム、第２の保
護層ＳｉＯ2 を５００オングストロ−ム順次積層した。
さらに、この記録層上に保護膜として紫外線硬化樹脂を
約１０μｍスピンコータによりオーバーコートし、紫外
線を照射して硬化させた。つぎに、上記のような層構成
を有する［実施例１］と［比較例］の情報記録媒体を用
いて試験を行なった。
ングストロ−ム堆積させ、続いて第１の記録層３として
ＧｅＴｅを５００オングストロ−ム、第２の記録層４と
してＢｉ2 Ｔｅ3 を６００オングストロ−ム、第２の保
護層ＳｉＯ2 を５００オングストロ−ム順次積層した。
さらに、この記録層上に保護膜として紫外線硬化樹脂を
約１０μｍスピンコータによりオーバーコートし、紫外
線を照射して硬化させた。つぎに、上記のような層構成
を有する［実施例１］と［比較例］の情報記録媒体を用
いて試験を行なった。
【００２６】図５は試験に用いた装置の概略図である。
試料３１はスピンドルモータ３２に固定され、所定の回
転数で回転することができる。試料３１の上部には試料
上にレーザー光を集光するための光学系３３が配置され
ている。半導体レーザー３４から出た光は、コリメータ
レンズ３５で平行光となりビームスプリッタ３６とλ／
４波長板３７を通って対物レンズ３８により試料３１上
に集光する。試料３１からの反射光はビームスプリッタ
３６で分けられ、検出レンズ３９を通って受光器４０に
入り検出信号となる。この信号は一方で対物レンズ３８
を駆動するための駆動コイル４１に電流を流すサーボ系
４２にも供給される。この様にして常に試料３１との距
離を一定に保ち、試料３１上に集光スポットを結像する
ことができる。
試料３１はスピンドルモータ３２に固定され、所定の回
転数で回転することができる。試料３１の上部には試料
上にレーザー光を集光するための光学系３３が配置され
ている。半導体レーザー３４から出た光は、コリメータ
レンズ３５で平行光となりビームスプリッタ３６とλ／
４波長板３７を通って対物レンズ３８により試料３１上
に集光する。試料３１からの反射光はビームスプリッタ
３６で分けられ、検出レンズ３９を通って受光器４０に
入り検出信号となる。この信号は一方で対物レンズ３８
を駆動するための駆動コイル４１に電流を流すサーボ系
４２にも供給される。この様にして常に試料３１との距
離を一定に保ち、試料３１上に集光スポットを結像する
ことができる。
【００２７】上記の試験装置を用い、記録特性を評価し
た。［実施例１］と［比較例］の２つの試料（情報記録
媒体）３１をスピンドルモータ３２に固定し、１８００
rpmで回転させた。次にこれらの試料３１の半径５０mm
の位置に記録周波数１〜８ＭＨｚ，記録パワー１７ｍ
Ｗ，パルス幅４０ｎｓで記録した。その時の［実施例
１］におけるＣ／Ｎ（Ｃarrier／Ｎoize）比を図６に示
し、［比較例］におけるＣ／Ｎ比を図７に示す。これか
ら明らかなように図６で示される本発明の情報記録媒体
１００では、高い周波数まで良いＣ／Ｎ比を得られるこ
とがわかる。 ［実施例２（図２に示すもの）］
た。［実施例１］と［比較例］の２つの試料（情報記録
媒体）３１をスピンドルモータ３２に固定し、１８００
rpmで回転させた。次にこれらの試料３１の半径５０mm
の位置に記録周波数１〜８ＭＨｚ，記録パワー１７ｍ
Ｗ，パルス幅４０ｎｓで記録した。その時の［実施例
１］におけるＣ／Ｎ（Ｃarrier／Ｎoize）比を図６に示
し、［比較例］におけるＣ／Ｎ比を図７に示す。これか
ら明らかなように図６で示される本発明の情報記録媒体
１００では、高い周波数まで良いＣ／Ｎ比を得られるこ
とがわかる。 ［実施例２（図２に示すもの）］
【００２８】本実施例では本発明におけるもう一つの情
報記録媒体構成について試験を行なった。［実施例１］
に示したのと同様の方法で、放熱層（冷却層）５′とし
てＴｉ：ＳｉＯ2 の比が８０：２０（原子％）、膜厚１
０００オングストロ−ムである図２で示す情報記録媒体
１００′を作成した。
報記録媒体構成について試験を行なった。［実施例１］
に示したのと同様の方法で、放熱層（冷却層）５′とし
てＴｉ：ＳｉＯ2 の比が８０：２０（原子％）、膜厚１
０００オングストロ−ムである図２で示す情報記録媒体
１００′を作成した。
【００２９】この情報記録媒体１００′を、前述と同様
の方法でＣ／Ｎ比を測定した結果を図８に示す。これか
ら明らかなように放熱層（冷却層）がＴｉの場合とほぼ
同様に高い周波数でも良いＣ〜Ｎ比が得られることがわ
かった。
の方法でＣ／Ｎ比を測定した結果を図８に示す。これか
ら明らかなように放熱層（冷却層）がＴｉの場合とほぼ
同様に高い周波数でも良いＣ〜Ｎ比が得られることがわ
かった。
【００３０】また、［実施例１］で示した第１の記録層
の下部と放熱層の上部に無機誘電体からなる第１及び第
２の保護層２，６を設けた情報記録媒体１００を、６０
℃で環境下で５００時間放置した基板側の反射率を図９
に示す（初期反射率Ｒｏに対して規格化した）。この図
から明らかなように反射率はほとんど変化せず安定であ
ることが確かめられた。このように保護層２，６の両方
あるいは記録層３，４のいずれか一方を設けることで腐
食する物質の浸入を防止でき耐食性に優れたものとする
ことができる。なお、本発明は、本発明の要旨を変えな
い範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
の下部と放熱層の上部に無機誘電体からなる第１及び第
２の保護層２，６を設けた情報記録媒体１００を、６０
℃で環境下で５００時間放置した基板側の反射率を図９
に示す（初期反射率Ｒｏに対して規格化した）。この図
から明らかなように反射率はほとんど変化せず安定であ
ることが確かめられた。このように保護層２，６の両方
あるいは記録層３，４のいずれか一方を設けることで腐
食する物質の浸入を防止でき耐食性に優れたものとする
ことができる。なお、本発明は、本発明の要旨を変えな
い範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の情報記録媒
体においては、高感度で短いパルス幅、高い周波数で記
録でき、かつた耐食性にすぐれたる十分実用に耐えうる
情報記録媒体を提供することができるといった効果を奏
する。
体においては、高感度で短いパルス幅、高い周波数で記
録でき、かつた耐食性にすぐれたる十分実用に耐えうる
情報記録媒体を提供することができるといった効果を奏
する。
【図１】本発明の一実施例である情報記録媒体の断面
図。
図。
【図２】本発明の他の実施例である情報記録媒体の断面
図。
図。
【図３】成膜装置の概略的側面図。
【図４】成膜装置の概略図平面図。
【図５】実用的記録装置の概略図。
【図６】図１に示す情報記録媒体における記録Ｃ／Ｎ比
を示す図。
を示す図。
【図７】従来型の情報記録媒体における記録Ｃ／Ｎ比を
示す図。
示す図。
【図８】図２に示す情報記録媒体における記録Ｃ／Ｎ比
を示す図。
を示す図。
【図９】図１に示す情報記録媒体における経時的な反射
率を示す図。
率を示す図。
１００，１０１…情報記録媒体、１…基板、２…第１の
保護層、３…第１の記録層、４…第２の記録層４、５，
５′…放熱層（冷却層）、６…第２の保護層、７…無機
誘電体、８…金属または合金。
保護層、３…第１の記録層、４…第２の記録層４、５，
５′…放熱層（冷却層）、６…第２の保護層、７…無機
誘電体、８…金属または合金。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に記録用光ビームの照射により情
報を記録する記録層を形成してなる情報記録媒体におい
て、 前記記録層が基板側からＴe を含む第１の記録層とＴe
を含む第２の記録層からなり、かつ、第２の記録層上に
放熱層を設けたことを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に記録用光ビームの照射により情
報を記録する記録層を形成してなる情報記録媒体におい
て、 前記基板と、 この基板上に形成されたＴe を含む第１の記録層と、 この第１の記録層上に形成されたＴe を含む第２の記録
層と、 この第２の記録層上に形成された放熱層と、 前記第１の記録層の下部と前記放熱層の上部の少なくと
も一方に形成された無機誘電体からなる保護層と、を具
備してなることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225961A JPH0676355A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225961A JPH0676355A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676355A true JPH0676355A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16837601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4225961A Pending JPH0676355A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008533633A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-21 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 半反射スズ・テルル系合金層を備える光データ記憶媒体 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP4225961A patent/JPH0676355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008533633A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-21 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 半反射スズ・テルル系合金層を備える光データ記憶媒体 |
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