JPH0645700A - Testing method for laser diode - Google Patents
Testing method for laser diodeInfo
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- JPH0645700A JPH0645700A JP19391092A JP19391092A JPH0645700A JP H0645700 A JPH0645700 A JP H0645700A JP 19391092 A JP19391092 A JP 19391092A JP 19391092 A JP19391092 A JP 19391092A JP H0645700 A JPH0645700 A JP H0645700A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオードの試験
方法に関し、更に詳しく言えば、レーザダイオードの符
号誤り率の試験方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode test method, and more particularly to a laser diode code error rate test method.
【0002】[0002]
【従来の技術】レーザダイオードの主たる用途として高
ビットレートデジタル光通信がある。これに用いられる
レーザダイオードには、入力した電流パルスの波形がで
きるだけ崩れないように電流パルスを光信号に変換し、
送信することが要求される。図5(a)はデジタル光通
信装置のブロック構成図である。送信電気信号としての
パルス電流をレーザダイオードに印加してレーザ光を発
生させ、光ファイバを通してそのレーザ光を受光素子
(APD)に送る。そして、送信されたレーザ光を受光
素子により光−電気変換する。ところで、光−電気変換
された受信電気信号は、通常、図5(b)のように波形
が歪んでくる。上記の受信電気信号の波形の歪みは、主
として発光部のレーザダイオードその他,光ファイバ及
び受光部の受光素子その他での波形の歪みと,発光部及
び受光部で発生する雑音の重畳とにより起こる。これに
より、ビットエラーが生じる。例えば、図5(b)のA
部において送信原信号0が識別符号1として誤って検出
される。2. Description of the Related Art A main application of laser diodes is high bit rate digital optical communication. The laser diode used for this converts the current pulse into an optical signal so that the waveform of the input current pulse is not collapsed as much as possible,
Required to send. FIG. 5A is a block diagram of a digital optical communication device. A pulse current as a transmission electric signal is applied to a laser diode to generate laser light, and the laser light is sent to a light receiving element (APD) through an optical fiber. Then, the transmitted laser light is photo-electrically converted by the light receiving element. By the way, the received electric signal which is converted from light to electricity usually has a distorted waveform as shown in FIG. The waveform distortion of the received electric signal occurs mainly due to the distortion of the waveform in the laser diode of the light emitting unit and the like, the optical fiber and the light receiving element of the light receiving unit, and the superposition of noise generated in the light emitting unit and the light receiving unit. This causes a bit error. For example, A in FIG.
The original transmission signal 0 is erroneously detected as the identification code 1 in the section.
【0003】上記の波形の歪みの原因のうち、レーザダ
イオードによる波形の歪みは、注入キャリアが増加し、
誘導放出を起こす迄の時間遅れと、パルスの停止後に注
入キャリアが消滅する迄の時間遅れとが生ずるために起
こり、通信が高速化,高密度化されるほど起こりやすく
なる。上記のレーザダイオードによる波形歪みに関し、
レーザダイオードのパルス送信の忠実度を評価するため
の試験項目として符号誤り率がある。即ち、符号誤り率
とは、受信した信号のうち誤って検出された信号の割合
をいう。Among the causes of the above waveform distortion, the waveform distortion caused by the laser diode is caused by the increase of injected carriers,
This occurs because there is a time delay until the stimulated emission occurs and a time delay until the injected carriers disappear after the pulse is stopped. The higher the communication speed and the higher the density, the more likely it is that the communication will occur. Regarding the waveform distortion due to the above laser diode,
The code error rate is a test item for evaluating the pulse transmission fidelity of the laser diode. That is, the code error rate refers to the ratio of signals that are erroneously detected among the received signals.
【0004】従来、レーザダイオードの符号誤り率の試
験は以下のように行われている。図3(a)は従来例の
符号誤り率の測定装置の構成図である。図3(a)にお
いて、1はパルス電流(IP )をレーザダイオード(L
D)3に供給するパルスパターンジェネレータ、2はレ
ーザダイオード3にバイアス電流(Ib )を供給するバ
イアス回路で、レーザ発振の開始電流である閾電流(I
th)以下にバイアスする場合とIth以上にバイアスする
場合とがある。3は被測定対象のレーザダイオード、4
はIP の印加により発生したレーザ光のファイバ端での
反射光量を調節するバックリフレクタ、5はバックリフ
レクタ4を通過したレーザ光を受信部へ搬送する光ファ
イバ、6は受信部に入る前に入射する光量を減衰するオ
プティカルアッテネータで、例えば入射光量を減衰して
いき、オプティカルレシーバ8の出力にエラービットが
でる限界点を探るため等に用いられる。7はオプティカ
ルアッテネータ6を通過したレーザ光を光−電気変換す
る、例えば、APD(アバランシェホトダイオード)等
の受光素子、8は受光素子7により光−電気変換された
電気信号(光電流)に反応してパルスを発生するオプテ
ィカルレシーバ、9は受信信号に対してBERを測定す
るエラーディテクタである。Conventionally, a trial of the code error rate of a laser diode is performed.
The test is conducted as follows. FIG. 3A shows a conventional example.
It is a block diagram of the measuring device of a code error rate. In Figure 3 (a)
And 1 is the pulse current (IP) Laser diode (L
D) A pulse pattern generator supplied to 3 and 2 are
Bias current (Ib) Supply
In the ias circuit, the threshold current (I
th) When biased below and IthBias above
There are cases. 3 is a laser diode to be measured, 4
Is IPOf the laser light generated by the application of
Back reflector for adjusting the amount of reflected light, 5 is a back reflector
An optical fiber that conveys the laser light that has passed through the reflector 4 to the receiver.
Eva, 6 is an attenuator that attenuates the amount of incident light before it enters the receiver.
With a physical attenuator, for example, attenuate the amount of incident light
The error bit is output to the optical receiver 8
It is used, for example, to find out the limit point. 7 is Optica
Optical-electrical conversion of laser light that has passed through the attenuator 6.
For example, APD (avalanche photodiode) etc.
Of the light receiving element, and 8 is photoelectrically converted by the light receiving element 7.
Optical that generates pulses in response to electrical signals (photocurrent)
Optical receiver, 9 measures the BER for the received signal
Error detector.
【0005】上記の測定装置を用いてBERの測定を行
う場合、余計なエラーが入らないように各機器の調整を
入念に行い、全てのレーザダイオードについて測定す
る。そして、予め設定してあるBERの良否判定基準に
従って良否を判別する。When the BER is measured by using the above measuring device, each device is carefully adjusted so that an unnecessary error does not occur, and all the laser diodes are measured. Then, the quality is determined according to a preset BER quality criterion.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記の試験方法による
と、高ビットレートが要求されるほど、更に入念な機器
の調整が必要になり、長時間の測定時間を要する。従っ
て、大量に測定を行う場合は、量産性を確保するため、
多数の測定系を必要とする。このため、多くの時間,費
用が必要となるという問題があった。According to the above test method, the higher the bit rate is required, the more elaborate the adjustment of the equipment is required, and the longer measurement time is required. Therefore, when measuring a large amount, in order to ensure mass productivity,
Requires a large number of measurement systems. Therefore, there has been a problem that much time and cost are required.
【0007】本発明はかかる従来例の問題点に鑑み創作
されたものであり、符号誤り率の試験工数の削減及び試
験の効率化を図ることができるレーザダイオードの試験
方法の提供を目的とする。The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and an object thereof is to provide a laser diode test method capable of reducing the number of code error rate test steps and increasing the test efficiency. .
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題は、符号誤り率
の測定に先立って行うレーザダイオードの試験であっ
て、レーザ発振の開始電流である閾電流(Ith)の実測
値と試験条件のバイアス電流(Ib )及びパルス電流
(IP )とを用いて、次式 f=ln((α−k)/(α−1)) 但し、f=td/τn td:発振遅れ時間 τn:注入キャリアのライフタイム α=IOP/Ith IOP=Ib +IP k=Ib /Ith(k<1) により取得されたfと、実測により別に取得された符号
誤り率(BER)との対応関係を予め求め、かつ所望の
符号誤り率が得られるように前記対応関係に基づいて前
記fの範囲を予め設定しておき、試験すべきレーザダイ
オードの閾電流(Ith)を測定して前記式によりfを取
得することにより、前記fの設定範囲に入るレーザダイ
オードを選別することを特徴とするレーザダイオードの
試験方法によって達成される。The above-mentioned problem is a test of a laser diode performed prior to the measurement of the code error rate, and the measured value of the threshold current (I th ) which is the starting current of laser oscillation and the test condition Using the bias current (I b ) and the pulse current (I P ), the following equation f = ln ((α−k) / (α−1)) where f = td / τn td: oscillation delay time τn: Injected carrier lifetime α = I OP / I th I OP = I b + I p k = I b / I th (k <1) and the bit error rate (BER) separately obtained by actual measurement. And the range of f is preset based on the correspondence so that a desired code error rate can be obtained, and the threshold current (I th ) of the laser diode to be tested is measured. Then, by obtaining f by the above formula, the setting range of f It is achieved by a laser diode test method characterized by screening the incoming laser diode.
【0009】[0009]
【作 用】BERは、レーザダイオードによる波形の歪
みに関係し、レーザダイオードによる波形の歪みは、注
入キャリアが増加し、誘導放出を起こす迄の時間遅れ
(td)と、パルスの停止後に注入キャリアが消滅する
迄の時間遅れとが生ずるために起こる。また、tdとI
th,Ib 及びIP との関係は、次の式で表される。 f=ln((α−k)/(α−1)) 但し、f=td/τn τn:注入キャリアのライフタイム α=IOP/Ith IOP=Ib +IP k=Ib /Ith(k<1) 図2はk=0.8の場合のαとfとの対応関係について
示す図である。[Operation] BER is related to the distortion of the waveform due to the laser diode. The distortion of the waveform due to the laser diode is the time delay (td) until the injection carrier increases and stimulated emission occurs, and the injection carrier after the pulse stops. Occurs because there is a time delay until it disappears. Also, td and I
The relationship between th , I b and I P is expressed by the following equation. f = ln ((α−k) / (α−1)) where f = td / τn τn: Lifetime of injected carrier α = I OP / I th I OP = I b + I P k = I b / I th (k <1) FIG. 2 is a diagram showing the correspondence between α and f when k = 0.8.
【0010】本願発明者は、上記のように、レーザ発振
の開始電流である閾電流(Ith),バイアス電流
(Ib )及びパルス電流(IP )が、fを介して符号誤
り率(BER)に関係していることに着目し、Ith,I
b 及びIP によりBERの予備的な評価を行うようにす
べく、次のような調査を行った。即ち、図3(b)は、
BERの実測結果とfとの対応関係について示す図であ
る。As described above, the inventor of the present application has confirmed that the threshold current (I th ), the bias current (I b ), and the pulse current (I P ) which are the starting currents of the laser oscillation are transmitted through f through the code error rate ( BER), I th , I
The following studies were conducted in order to make a preliminary evaluation of BER by b and I P. That is, FIG.
It is a figure which shows the corresponding relationship between the measurement result of BER, and f.
【0011】図3(b)によれば、予め設定されたBE
Rの良否判定基準に対して、fが0.15以上の試料は
例外なくBER不良であり、fが0.15以下の試料
は、例外なくBER良品であった。従って、実験の場
合、図2の対応関係に基づいて、fが0.15以下の範
囲に入るようなαを有するものを選別してやればよいこ
とになる。このようにすることにより、実測によりBE
R良品となる可能性の極めて高いグループを予め選別す
ることができるので、従来の場合と比較して、BERを
測定すべき試料を削減し、かつ測定の効率化を図ること
ができる。According to FIG. 3B, the BE that has been set in advance is set.
Samples having f of 0.15 or more were BER defective without exception, and samples having f of 0.15 or less were BER good products with respect to the quality criterion of R. Therefore, in the case of the experiment, it suffices to select those having α such that f falls within the range of 0.15 or less based on the correspondence relationship in FIG. By doing this, the BE is actually measured.
Since it is possible to preliminarily select a group having a high possibility of becoming R non-defective products, it is possible to reduce the number of samples for which BER should be measured and to improve the efficiency of measurement, as compared with the conventional case.
【0012】これにより、BERの測定のための工数の
削減,及び測定装置の有効利用を図ることができる。As a result, it is possible to reduce the number of steps for measuring the BER and effectively use the measuring device.
【0013】[0013]
【実施例】以下に、本発明の実施例に係るレーザダイオ
ードの試験方法について図を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A laser diode testing method according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】(1)本発明の実施例の試験方法に適用す
るための調査 本願発明者は、レーザ発振の開始電流である閾電流(I
th),バイアス電流(Ib )及び実際に光通信装置に印
加するパルス電流(IP )が、f(=td/τn)を介
して符号誤り率(BER)に関係していることに着目
し、Ith,Ib 及びIP によりBERの予備的な評価を
行うようにすべく、調査を行った。(1) Investigation for Applying to Test Method of Example of the Present Invention The inventor of the present application has found that the threshold current (I
th), paying attention to the fact the bias current (I b) and the pulse current to be actually applied to the optical communication apparatus (I P) is involved in bit error rate (BER) via f (= td / τn) Then, an investigation was conducted to make a preliminary evaluation of BER by I th , I b, and I P.
【0015】(a)αとfとの対応関係 図4(a)は光出力と電流との関係を示す図、図4
(b)は、注入電流(I)のパルス波形を示す図、図4
(c)は注入キャリア密度(n)の経時変化を示す図、
図4(d)は注入電流によりレーザダイオードに発生す
る光子密度(nph)の経時変化を示す図である。(A) Correspondence between α and f FIG. 4 (a) is a diagram showing the relationship between light output and current, FIG.
FIG. 4B shows a pulse waveform of the injection current (I), FIG.
(C) is a diagram showing changes over time of the injected carrier density (n),
FIG. 4D is a diagram showing the change over time in the photon density (n ph ) generated in the laser diode due to the injection current.
【0016】レーザダイオードの光出力と電流との関係
は、図4(a)に示すように、自然放出領域とレーザ発
振領域に分けられ、その境界での電流値が閾電流
(Ith)となる。これを境目にしてレーザ発振領域で
は、自然放出領域よりも大きな比例係数で光出力が電流
に比例して大きくなる。As shown in FIG. 4A, the relationship between the light output of the laser diode and the current is divided into a spontaneous emission region and a laser oscillation region, and the current value at the boundary is the threshold current (I th ). Become. At this boundary, in the laser oscillation region, the light output increases in proportion to the current with a larger proportional coefficient than in the spontaneous emission region.
【0017】従って、ディジタル光通信を行う場合、レ
ーザダイオードがレーザ発振領域で動作するようにパル
ス電流を印加する。この場合、レーザダイオードのバイ
アスのかけ方の一つとして、応答を早めるため、Ithよ
りも僅かに小さいバイアス電流(Ib )をレーザダイオ
ードに流しておく方法がある。これにより、パルス電流
を印加すると、レーザダイオードは速やかに応答するこ
とができる。Therefore, when performing digital optical communication, a pulse current is applied so that the laser diode operates in the laser oscillation region. In this case, as one of the methods for biasing the laser diode, there is a method in which a bias current (I b ) slightly smaller than I th is supplied to the laser diode in order to accelerate the response. This allows the laser diode to respond quickly when a pulse current is applied.
【0018】しかしながら、このようにしておいても、
注入キャリアが増加し、誘導放出を起こす迄の時間遅れ
(td)や、パルスの停止後に注入キャリアが消滅する
迄の時間遅れとが生ずる(図4(b)〜(d))。この
ため、レーザダイオードによる送信電流パルスの波形の
歪みが生じ、レーザダイオードによる波形の歪みは、受
信側の符号誤りを引き起こす。However, even if this is done,
There is a time delay (td) until the injected carriers increase and stimulated emission occurs, and a time delay until the injected carriers disappear after the pulse is stopped (FIGS. 4B to 4D). Therefore, the waveform of the transmission current pulse is distorted by the laser diode, and the waveform distortion by the laser diode causes a code error on the receiving side.
【0019】ところで、次式で表されるように、tdは
Ith,Ib 及びIP と関係している。 f=ln((α−k)/(α−1)) 但し、f=td/τn τn:注入キャリアのライフタイム α=IOP/Ith IOP=Ib +IP k=Ib /Ith(k<1) 図2はk=0.8の場合のαとfとの対応関係について
示す図である。図2の縦軸は対数目盛りで表したfを示
し、横軸は通常目盛りで表したαを示す。By the way, as expressed by the following equation, td is related to I th , I b and I P. f = ln ((α−k) / (α−1)) where f = td / τn τn: Lifetime of injected carrier α = I OP / I th I OP = I b + I P k = I b / I th (k <1) FIG. 2 is a diagram showing the correspondence between α and f when k = 0.8. The vertical axis of FIG. 2 represents f on a logarithmic scale, and the horizontal axis represents α on a normal scale.
【0020】図2によれば、αが増加するに従い、即
ち、Ithが小さくなるに従いfは急激に減少する。この
ように、Ith,Ib 及びIP はfを介してBERと関係
していることが予想され、Ith,Ib 及びIP によりB
ERの予備的な評価を行うようにすることができる可能
性がある。According to FIG. 2, f rapidly decreases as α increases, that is, as I th decreases. Thus, I th , I b, and I P are expected to be related to BER via f, and I th , I b, and I P
It may be possible to have a preliminary assessment of the ER.
【0021】(b)BERの実測結果とfとの対応関係 図3(a)はBERの測定装置の構成図で、11はIP
をレーザダイオード(LD)13に供給するパルスパタ
ーンジェネレータ、12はレーザダイオード13にIb
を供給するバイアス回路で、Ith以下にバイアスする場
合とIth以上にバイアスする場合とがある。実施例の場
合、Ib =0.8×Ithにバイアスされる。13は被測
定対象としてのレーザダイオード(LD)、14はIP
の印加により発生したレーザ光のファイバ端での反射光
量を調節するバックリフレクタ、15はバックリフレク
タ14を通過したレーザ光を受信部へ搬送する光ファイ
バ、16は受信部に入る前に入射する光量を減衰するオ
プティカルアッテネータで、例えば入射光量を減衰して
いき、オプティカルレシーバ18の出力にエラービット
がでる限界点を探るため等に用いられる。、17はオプ
ティカルアッテネータを通過したレーザ光を光−電気変
換する、例えばAPD等の受光素子、18は受光素子1
7により光−電気変換された電気信号(光電流)に反応
してパルスを発生するオプティカルレシーバ、19は受
信信号に対してBERを測定するエラーディテクタであ
る。(B) Correspondence between BER actual measurement result and f FIG. 3 (a) is a block diagram of the BER measuring device, 11 is I P
A pulse pattern generator for supplying the laser diode (LD) 13 with I b
In the bias circuit for supplying, and a case where biasing the I th or more when the bias below I th. In the case of the embodiment, it is biased to I b = 0.8 × I th . 13 is a laser diode (LD) as an object to be measured, 14 is I P
Back reflector for adjusting the amount of laser light generated at the end of the fiber generated by the application of the laser beam, 15 is an optical fiber for carrying the laser light passing through the back reflector 14 to the receiver, and 16 is the amount of light incident before entering the receiver. Is an optical attenuator that attenuates the incident light amount, and is used, for example, to attenuate the amount of incident light and search for a limit point at which an error bit appears in the output of the optical receiver 18. , 17 is a light receiving element such as an APD for photoelectrically converting the laser light passing through the optical attenuator, and 18 is a light receiving element 1
An optical receiver that generates a pulse in response to an electric signal (photocurrent) photoelectrically converted by 7 and an error detector 19 that measures the BER of the received signal.
【0022】図3(b)は、上記の測定装置により測定
されたBERの実測結果とfとの対応関係について示す
図である。fはfとαとの関係式により求められた。図
3(b)によれば、予め設定されたBERの良否判定基
準に対して、fが0.15以上の試料は例外なく、実測
のBERに関し不良であり、fが0.15以下の試料
は、例外なく、実測のBERに関し良品であった。FIG. 3 (b) is a diagram showing the correspondence between f and the actual measurement result of BER measured by the above measuring device. f was obtained by the relational expression between f and α. According to FIG. 3 (b), samples having f of 0.15 or more were inevitably defective with respect to the measured BER, and samples having f of 0.15 or less, with respect to preset BER quality criteria. Was good for the measured BER without exception.
【0023】以上により、図2の対応関係に基づいて、
fが設定範囲(実験の場合、0.15以下)に入るよう
なαを有するものを選別することにより、実測によるB
ERに関し良品となる可能性の極めて高い試料を予め選
別することができる。From the above, based on the correspondence relationship of FIG.
By selecting those having α such that f falls within the set range (0.15 or less in the case of experiment), the measured B
It is possible to preliminarily select a sample that has a very high possibility of becoming a non-defective ER.
【0024】(2)本発明の実施例の試験方法 図1は本発明の実施例に係るレーザダイオードの試験方
法について説明するフローチャートである。(2) Test Method of the Embodiment of the Present Invention FIG. 1 is a flow chart for explaining the test method of the laser diode according to the embodiment of the present invention.
【0025】まず、試験すべき、すべてのレーザダイオ
ードのIthを測定する。次いで、 Ib =k×Ith(実施例の場合、k=0.8) により求められたIb とIP とを次式 α=(Ib +IP )/Ith に代入してαを求め、更にfとαとの関係式によりfを
求める。First, I th of all the laser diodes to be tested is measured. Then, I b = k × I th (k = 0.8 in the case of the embodiment), I b and I P are substituted into the following formula α = (I b + I P ) / I th , and α And f is further calculated from the relational expression between f and α.
【0026】次に、所望のBERが得られるように、実
測により別に取得されたBERとfとの対応関係に基づ
いて設定されたfの範囲(実施例の場合、0.15以
下)に入るか否か判定する。Next, in order to obtain the desired BER, the range of f (0.15 or less in the case of the embodiment) set based on the correspondence between BER and f separately obtained by actual measurement is set. It is determined whether or not.
【0027】次いで、fの範囲に入っていない試料はB
ER不良として除くとともに、fの範囲に入っている試
料については、図3(a)の測定装置によりBERを実
際に測定する。このとき、fが設定範囲(実施例の場
合、0.15以下)に入り、実測によるBER良品とな
る可能性の極めて高い試料のみを測定しているので、B
ER不良となるものは極めて少ない。Next, the samples not falling within the range of f are B
The BER is actually measured by the measuring device shown in FIG. 3A for the sample which is excluded as the ER defect and falls within the range of f. At this time, f falls within the set range (0.15 or less in the case of the embodiment), and only the sample having a very high possibility of being a good BER by actual measurement is measured.
Very few have ER defects.
【0028】その後、BER不良のものは除き、BER
良品のものについて次の試験工程を行う。以上のよう
に、本発明の実施例によれば、図2の対応関係に基づい
て、fが設定範囲に入るようなαを有するものを選別す
ることにより、実測によるBER良品となる可能性の極
めて高い試料を予め選別することができる。これによ
り、従来の場合と比較して、BERを測定すべき試料を
削減し、測定の効率化を図ることができる。従って、B
ERの測定のための工数の削減,及び測定装置の有効利
用を図ることができる。After that, the BER is removed except for the ones with bad BER.
Perform the following test steps on non-defective products. As described above, according to the embodiment of the present invention, by selecting those having α such that f falls within the setting range based on the correspondence relationship of FIG. Very high samples can be pre-sorted. As a result, it is possible to reduce the number of samples for which BER should be measured and to improve the efficiency of measurement, as compared with the conventional case. Therefore, B
It is possible to reduce the number of steps for measuring the ER and effectively use the measuring device.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るレー
ザダイオードの試験方法によれば、実測により取得され
たBERとf(=td/τn)との対応関係により、所
望の符号誤り率が得られるように設定されたfに対し
て、Ithを実測することにより、次式 f=ln((α−k)/(α−1)) 但し、f=td/τn td:発振遅れ時間 τn:注入キャリアのライフタイム α=IOP/Ith IOP=Ib +IP k=Ib /Ith(k<1) に基づき、fの設定範囲に入るようなレーザダイオード
を選別している。As described above, according to the laser diode test method of the present invention, a desired code error rate is obtained due to the correspondence between BER and f (= td / τn) obtained by actual measurement. By measuring I th for f set so as to be obtained, the following expression f = ln ((α−k) / (α−1)) where f = td / τn td: oscillation delay time τn: Life time of injected carrier α = I OP / I th I OP = I b + I p k = I b / I th (k <1) Based on the selection, a laser diode is selected so as to fall within the setting range of f. There is.
【0030】従って、実測によるBER良品となる可能
性の極めて高い試料を予め選別することができ、従来の
場合と比較して、BERを測定すべき試料を削減し、か
つ測定の効率化を図ることができる。Therefore, it is possible to preliminarily select a sample which is highly likely to be a good BER by actual measurement, reduce the number of samples for which the BER should be measured, and improve the efficiency of the measurement, as compared with the conventional case. be able to.
【0031】これにより、BERの測定のための工数の
削減,及び測定装置の有効利用を図ることができる。This makes it possible to reduce the number of steps for measuring the BER and effectively use the measuring device.
【図1】本発明の実施例に係るレーザダイオードの試験
方法について説明するフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart illustrating a laser diode testing method according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例に係るfとαとの関係について
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between f and α according to the embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施例に係るレーザダイオードの符号
誤り率の測定装置の構成図及び符号誤り率の実測結果に
ついて示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a code error rate measuring device for a laser diode according to an embodiment of the present invention and a diagram showing measurement results of the code error rate.
【図4】レーザダイオードの光出力電流及びパルス応答
について説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an optical output current and a pulse response of a laser diode.
【図5】従来例の光通信装置の構成図及び各部の信号波
形についての説明図である。FIG. 5 is a configuration diagram of an optical communication device of a conventional example and an explanatory diagram of signal waveforms of respective parts.
11 パルスパターンジェネレータ、 12 バイアス回路、 13 レーザダイオード(LD)、 14 バックリフレクタ、 15 光ファイバ、 16 オプティカルアッテネータ、 17 受光素子(APD)、 18 オプティカルレシーバ、 19 エラーディテクタ。 11 pulse pattern generator, 12 bias circuit, 13 laser diode (LD), 14 back reflector, 15 optical fiber, 16 optical attenuator, 17 light receiving element (APD), 18 optical receiver, 19 error detector.
Claims (1)
ダイオードの試験であって、レーザ発振の開始電流であ
る閾電流(Ith)の実測値と試験条件のバイアス電流
(Ib )及びパルス電流(IP )とを用いて、次式 f=ln((α−k)/(α−1)) 但し、f=td/τn td:発振遅れ時間 τn:注入キャリアのライフタイム α=IOP/Ith IOP=Ib +IP k=Ib /Ith(k<1) により取得されたfと、実測により別に取得された符号
誤り率(BER)との対応関係を予め求め、かつ所望の
符号誤り率が得られるように前記対応関係に基づいて前
記fの範囲を予め設定しておき、試験すべきレーザダイ
オードの閾電流(Ith)を測定して前記式によりfを取
得することにより、前記fの設定範囲に入るレーザダイ
オードを選別することを特徴とするレーザダイオードの
試験方法。1. A laser diode test carried out prior to measurement of a code error rate, comprising a measured value of a threshold current (I th ) which is a starting current of laser oscillation, a bias current (I b ) and a pulse of a test condition. Using the current (I P ), the following equation f = ln ((α−k) / (α−1)) where f = td / τn td: oscillation delay time τn: lifetime of injected carrier α = I OP / I th I OP = I b + I p k = I b / I th (k <1) and the correlation between the bit error rate (BER) separately obtained by actual measurement are obtained in advance, In addition, the range of f is preset based on the correspondence so that a desired code error rate is obtained, the threshold current (I th ) of the laser diode to be tested is measured, and f is obtained by the above formula. By selecting the laser diode within the setting range of f. The method of testing a laser diode, characterized by.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19391092A JPH0645700A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Testing method for laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
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JP19391092A JPH0645700A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Testing method for laser diode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0645700A true JPH0645700A (en) | 1994-02-18 |
Family
ID=16315780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19391092A Withdrawn JPH0645700A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Testing method for laser diode |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0645700A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6747611B1 (en) | 2000-07-27 | 2004-06-08 | International Business Machines Corporation | Compact optical system and packaging for head mounted display |
US7224094B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic bearing spindle |
KR102005711B1 (en) * | 2019-04-15 | 2019-07-31 | 심재영 | Device for testing optical modules |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP19391092A patent/JPH0645700A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6747611B1 (en) | 2000-07-27 | 2004-06-08 | International Business Machines Corporation | Compact optical system and packaging for head mounted display |
US8289231B2 (en) | 2000-07-27 | 2012-10-16 | International Business Machines Corporation | Compact optical system and packaging for head mounted display |
US7224094B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic bearing spindle |
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