JPH06283594A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH06283594A JPH06283594A JP8931193A JP8931193A JPH06283594A JP H06283594 A JPH06283594 A JP H06283594A JP 8931193 A JP8931193 A JP 8931193A JP 8931193 A JP8931193 A JP 8931193A JP H06283594 A JPH06283594 A JP H06283594A
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- Japan
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- mounting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サセプタと載置部材が熱により、それぞれ膨
張または収縮し、長さの差が生じても、サセプタと接合
部材との間及び載置部材と接合部材との間のそれぞれの
接合部が剥離するのを防止することができる静電チャッ
クを提供する。 【構成】 サセプタ１０の載置面に被吸着体２を静電気
力で吸着保持するための静電チャック９において、前記
被吸着体２を載置する前記サセプタ１０と熱膨張率の異
なる載置部材３１と、この載置部材３１と前記サセプタ
１０間を接着接合する接合部材２０とを備え、この接合
部材２０の厚みは前記サセプタ１０と前記載置部材３１
との熱膨張又は熱収縮長の差値と略同一又はその値以上
の伸びを有する弾性体で構成したものである。
張または収縮し、長さの差が生じても、サセプタと接合
部材との間及び載置部材と接合部材との間のそれぞれの
接合部が剥離するのを防止することができる静電チャッ
クを提供する。 【構成】 サセプタ１０の載置面に被吸着体２を静電気
力で吸着保持するための静電チャック９において、前記
被吸着体２を載置する前記サセプタ１０と熱膨張率の異
なる載置部材３１と、この載置部材３１と前記サセプタ
１０間を接着接合する接合部材２０とを備え、この接合
部材２０の厚みは前記サセプタ１０と前記載置部材３１
との熱膨張又は熱収縮長の差値と略同一又はその値以上
の伸びを有する弾性体で構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電チャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の被吸着体、例えば半導体ウエハを
吸着保持する静電チャックは、半導体ウエハを載置する
載置部材、例えば半導体ウエハを載置するサセプタと熱
膨張率の異なるＳｉＣが設けられ、この載置部材とサセ
プタとの間を接合する接合部材、例えば絶縁体としての
ポリィミドフィルムが接着されていた。このポリミドフ
ィルムをサセプタと載置部材に接着する方法としては、
あらかじめポリミドフィルムの表面および裏面に約１０
μｍ塗布されているポリィミド系の接着剤を熱で溶解
し、サセプタと載置部材に接着するものであった。ま
た、載置部材が絶縁体としてのセラミックス製で形成さ
れた場合も同様に、セラミックスとサセプタ間にポリィ
ミド系の接着剤のみを塗布し、熱で溶解し接着してい
た。
吸着保持する静電チャックは、半導体ウエハを載置する
載置部材、例えば半導体ウエハを載置するサセプタと熱
膨張率の異なるＳｉＣが設けられ、この載置部材とサセ
プタとの間を接合する接合部材、例えば絶縁体としての
ポリィミドフィルムが接着されていた。このポリミドフ
ィルムをサセプタと載置部材に接着する方法としては、
あらかじめポリミドフィルムの表面および裏面に約１０
μｍ塗布されているポリィミド系の接着剤を熱で溶解
し、サセプタと載置部材に接着するものであった。ま
た、載置部材が絶縁体としてのセラミックス製で形成さ
れた場合も同様に、セラミックスとサセプタ間にポリィ
ミド系の接着剤のみを塗布し、熱で溶解し接着してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サセプ
タ、例えば導電性の金属Ａｌで形成された下部電極と半
導体ウエハを載置する載置部材、例えば炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）またはセラミックス等で形成された部材との線膨
張率の違いにより、サセプタと載置部材間を接合する接
合部材としてのポリィミド系の接着剤では十分な厚みを
得ることができず、サセプタと載置部材の熱による線膨
張長の差を吸収することができなかった、そのために歪
みを生じ、サセプタと接合部材間の接着部及び載置部材
と接合部材間の接着部が剥離してしまうという問題があ
った。また、載置部材とサセプタ間の接合部材をポリィ
ミド系の接着剤のみを塗布し、熱、例えば１２０℃以上
の温度で溶解し接着後、常温に戻した場合、接合面に気
泡が存在してしまうという問題があった。また、サセプ
タと接合部材間の接着部及び載置部材と接合部材間の接
着部が剥がれてしまうと、載置部材の半導体ウエハを載
置する載置面の水平度を保つことができなくなるという
問題があった。さらに、載置部材の半導体ウエハを載置
する載置面の水平度を保つことができなくなると、半導
体ウエハを処理する際、均一に処理できなくなり、半導
体ウエハ上に形成されたデバイスの歩留りを低下させる
という問題があった。
タ、例えば導電性の金属Ａｌで形成された下部電極と半
導体ウエハを載置する載置部材、例えば炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）またはセラミックス等で形成された部材との線膨
張率の違いにより、サセプタと載置部材間を接合する接
合部材としてのポリィミド系の接着剤では十分な厚みを
得ることができず、サセプタと載置部材の熱による線膨
張長の差を吸収することができなかった、そのために歪
みを生じ、サセプタと接合部材間の接着部及び載置部材
と接合部材間の接着部が剥離してしまうという問題があ
った。また、載置部材とサセプタ間の接合部材をポリィ
ミド系の接着剤のみを塗布し、熱、例えば１２０℃以上
の温度で溶解し接着後、常温に戻した場合、接合面に気
泡が存在してしまうという問題があった。また、サセプ
タと接合部材間の接着部及び載置部材と接合部材間の接
着部が剥がれてしまうと、載置部材の半導体ウエハを載
置する載置面の水平度を保つことができなくなるという
問題があった。さらに、載置部材の半導体ウエハを載置
する載置面の水平度を保つことができなくなると、半導
体ウエハを処理する際、均一に処理できなくなり、半導
体ウエハ上に形成されたデバイスの歩留りを低下させる
という問題があった。
【０００４】本発明の目的は、サセプタと載置部材が熱
により、それぞれ膨張または収縮し、長さの差が生じて
も、サセプタと接合部材との間及び載置部材と接合部材
との間のそれぞれの接合部が剥離するのを防止すること
ができる静電チャックを提供することにある。
により、それぞれ膨張または収縮し、長さの差が生じて
も、サセプタと接合部材との間及び載置部材と接合部材
との間のそれぞれの接合部が剥離するのを防止すること
ができる静電チャックを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、サセ
プタの載置面に被吸着体を静電気力で吸着保持するため
の静電チャックにおいて、前記被吸着体を載置する前記
サセプタと熱膨張率の異なる載置部材と、この載置部材
と前記サセプタ間を接着接合する接合部材とを備え、こ
の接合部材の厚みは前記サセプタと前記載置部材との熱
膨張又は熱収縮長の差値と略同一又はその値以上の伸び
を有する弾性体で構成されたものである。請求項２の発
明は、前記弾性体の厚みは前記サセプタと前記載置部材
との熱膨張又は熱収縮長の差を｛（接合部材の伸び率）
2 −１｝１／２で割った値と略同一又はその値以上の厚
みに構成されたものである。請求項３の発明は、前記弾
性体は液性室温硬化型シリコーンゴムで構成されたもの
である。請求項４の発明は、前記弾性体は脱アセトン性
のシリコーンゴムで構成されたものである。
プタの載置面に被吸着体を静電気力で吸着保持するため
の静電チャックにおいて、前記被吸着体を載置する前記
サセプタと熱膨張率の異なる載置部材と、この載置部材
と前記サセプタ間を接着接合する接合部材とを備え、こ
の接合部材の厚みは前記サセプタと前記載置部材との熱
膨張又は熱収縮長の差値と略同一又はその値以上の伸び
を有する弾性体で構成されたものである。請求項２の発
明は、前記弾性体の厚みは前記サセプタと前記載置部材
との熱膨張又は熱収縮長の差を｛（接合部材の伸び率）
2 −１｝１／２で割った値と略同一又はその値以上の厚
みに構成されたものである。請求項３の発明は、前記弾
性体は液性室温硬化型シリコーンゴムで構成されたもの
である。請求項４の発明は、前記弾性体は脱アセトン性
のシリコーンゴムで構成されたものである。
【０００６】
【作用】本発明は、サセプタとサセプタと線膨張率の異
なる載置部材を接合する接合部材を弾性体としたので、
この弾性体はサセプタと載置部材が熱により、それぞれ
膨張または収縮し、長さの差が生じても、この長さの差
に応じて伸張するので、サセプタと接合部材との間及び
載置部材と接合部材との間のそれぞれの接合部が剥離す
るのを防止することができる。
なる載置部材を接合する接合部材を弾性体としたので、
この弾性体はサセプタと載置部材が熱により、それぞれ
膨張または収縮し、長さの差が生じても、この長さの差
に応じて伸張するので、サセプタと接合部材との間及び
載置部材と接合部材との間のそれぞれの接合部が剥離す
るのを防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
に係る静電チャックを適用した、プラズマエッチング装
置について説明する。
に係る静電チャックを適用した、プラズマエッチング装
置について説明する。
【０００８】図１〜図３に示すように、処理容器１、例
えば導電性のアルミニウムより形成された容器の外側壁
に吸着体、例えば半導体ウエハ２を前記処理容器１内に
搬入又は搬出するための開口部３が設けられ、この開口
部３の外側壁には、気密にシールする封止体、例えばＯ
リングを介して開閉可能なゲートバルブ４が設けられる
とともに、このゲートバルブ４を介して前記処理容器１
に、図示しないロードロック室が連設され、このロード
ロック室内には図示しない搬送装置が設けられ、この搬
送装置により前記半導体ウエハ２が前記処理容器１内に
搬入又は搬出されるよう構成され、以上ウエハ搬送系が
構成されている。
えば導電性のアルミニウムより形成された容器の外側壁
に吸着体、例えば半導体ウエハ２を前記処理容器１内に
搬入又は搬出するための開口部３が設けられ、この開口
部３の外側壁には、気密にシールする封止体、例えばＯ
リングを介して開閉可能なゲートバルブ４が設けられる
とともに、このゲートバルブ４を介して前記処理容器１
に、図示しないロードロック室が連設され、このロード
ロック室内には図示しない搬送装置が設けられ、この搬
送装置により前記半導体ウエハ２が前記処理容器１内に
搬入又は搬出されるよう構成され、以上ウエハ搬送系が
構成されている。
【０００９】また、前記処理容器１の内部の底面中央部
には導電性部材、例えばアルミニウム等の金属で形成さ
れた円柱形状のサセプタ支持台５が設けられている。こ
のサセプタ支持台５の内部には冷却媒体、例えば液体窒
素を溜める冷媒ジャケット６が形成され、この冷媒ジャ
ケット６には前記液体窒素を冷媒ジャケット６に導入す
るための導入管７と冷媒ジャケット６より前記液体窒素
の気化したＮ２ を排出するための排出管８がそれぞれ
前記処理容器１の底面に気密に貫通して設けられてい
る。また、前記サセプタ支持台５の上部には、下部電極
としての導電性部材、例えばアルミニウム等の金属（Ａ
ｌの線熱膨張率；略２３．５×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／
℃））よりなるサセプタ１０が設けられ、このサセプタ
１０は、図示しないボルトにより前記サセプタ支持台５
に取付けられている。また、前記サセプタ１０は前記冷
媒ジャケット６の冷熱が前記サセプタ支持台５を介して
伝導され、冷却されるよう構成されている。また、前記
サセプタ１０はブロッキング・コンデンサ１１を介して
高周波、例えば１３．５６ＭＨｚまたは４０ＭＨｚ等の
高周波電源１２と接続され、また、前記サセプタ１０及
び載置部材３１には、伝熱媒体、例えば不活性ガスとし
てのＨｅガスを前記半導体ウエハ２の裏面に均一に供給
するための貫通孔１３ａが複数設けられ、この貫通孔１
３ａは貫通孔１３ａにかかるＨｅガスの圧力を均一にす
るためのガス溜め室１３に接続され、さらに、このガス
溜め室１３はＨｅガスを処理容器１の外部より導入する
ための供給管１４に接続されている。
には導電性部材、例えばアルミニウム等の金属で形成さ
れた円柱形状のサセプタ支持台５が設けられている。こ
のサセプタ支持台５の内部には冷却媒体、例えば液体窒
素を溜める冷媒ジャケット６が形成され、この冷媒ジャ
ケット６には前記液体窒素を冷媒ジャケット６に導入す
るための導入管７と冷媒ジャケット６より前記液体窒素
の気化したＮ２ を排出するための排出管８がそれぞれ
前記処理容器１の底面に気密に貫通して設けられてい
る。また、前記サセプタ支持台５の上部には、下部電極
としての導電性部材、例えばアルミニウム等の金属（Ａ
ｌの線熱膨張率；略２３．５×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／
℃））よりなるサセプタ１０が設けられ、このサセプタ
１０は、図示しないボルトにより前記サセプタ支持台５
に取付けられている。また、前記サセプタ１０は前記冷
媒ジャケット６の冷熱が前記サセプタ支持台５を介して
伝導され、冷却されるよう構成されている。また、前記
サセプタ１０はブロッキング・コンデンサ１１を介して
高周波、例えば１３．５６ＭＨｚまたは４０ＭＨｚ等の
高周波電源１２と接続され、また、前記サセプタ１０及
び載置部材３１には、伝熱媒体、例えば不活性ガスとし
てのＨｅガスを前記半導体ウエハ２の裏面に均一に供給
するための貫通孔１３ａが複数設けられ、この貫通孔１
３ａは貫通孔１３ａにかかるＨｅガスの圧力を均一にす
るためのガス溜め室１３に接続され、さらに、このガス
溜め室１３はＨｅガスを処理容器１の外部より導入する
ための供給管１４に接続されている。
【００１０】また、図１および図２に示すように、前記
サセプタ１０の上部には接合部材２０、例えば弾性体と
しての液性で室温硬化性のシリコーンゴムのＲＴＶゴム
が着設されており、この接合部材２０の上部に前記サセ
プタ１０と熱膨張率の異なる載置部材３１が接着され、
この載置部材３１の上面に前記半導体ウエハ２が載置さ
れるよう構成されている。さらに、前記載置部材３１
は、図３に示すように、絶縁部材、例えばセラミックス
製（線熱膨張率；略７．１×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／
℃））で内部には電極板３１ｂとヒーター３１ａが設け
られており、このヒーター３１ａと前記冷媒ジャケット
６における熱冷却により、前記サセプタ１０を介して前
記半導体ウエハ２の温度を、例えば２００°Ｃ〜−１６
０°Ｃに図示しない温度調整装置により適宜設定可能に
制御するよう構成されている。また、前記サセプタ１０
と前記載置部材３１との間を接合する接合部材２０の接
合方法としては、略常温にて前記サセプタ１０と接合部
材２０の接合面６１または前記載置部材３１と接合部材
２０の接合面６２の少なくとも一方に前記接合部材２０
としての液性で室温硬化性のシリコーンゴムを均一に塗
布し、他方の接合面を接触させ、前記載置部材３１の水
平度を調節するとともに、前記接合部材２０の厚みを温
度変化に伴う、前記サセプタ１０と前記載置部材３１と
の熱膨張又は熱収縮長の最大差に応じる厚みに調整し接
合するものである。
サセプタ１０の上部には接合部材２０、例えば弾性体と
しての液性で室温硬化性のシリコーンゴムのＲＴＶゴム
が着設されており、この接合部材２０の上部に前記サセ
プタ１０と熱膨張率の異なる載置部材３１が接着され、
この載置部材３１の上面に前記半導体ウエハ２が載置さ
れるよう構成されている。さらに、前記載置部材３１
は、図３に示すように、絶縁部材、例えばセラミックス
製（線熱膨張率；略７．１×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／
℃））で内部には電極板３１ｂとヒーター３１ａが設け
られており、このヒーター３１ａと前記冷媒ジャケット
６における熱冷却により、前記サセプタ１０を介して前
記半導体ウエハ２の温度を、例えば２００°Ｃ〜−１６
０°Ｃに図示しない温度調整装置により適宜設定可能に
制御するよう構成されている。また、前記サセプタ１０
と前記載置部材３１との間を接合する接合部材２０の接
合方法としては、略常温にて前記サセプタ１０と接合部
材２０の接合面６１または前記載置部材３１と接合部材
２０の接合面６２の少なくとも一方に前記接合部材２０
としての液性で室温硬化性のシリコーンゴムを均一に塗
布し、他方の接合面を接触させ、前記載置部材３１の水
平度を調節するとともに、前記接合部材２０の厚みを温
度変化に伴う、前記サセプタ１０と前記載置部材３１と
の熱膨張又は熱収縮長の最大差に応じる厚みに調整し接
合するものである。
【００１１】さらに、図１に示すように前記電極３１ｂ
は、前記サセプタ１０に内蔵された絶縁部材、例えばテ
フロンで周囲を覆われた導電線２５の一端側が前記電極
３０に接続され、他端側は、前記電極３１に高電圧、例
えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電するための給電手
段、例えば材質が銅の給電棒２６に接続され、この給電
棒２６は、前記処理容器１の底面に気密かつ絶縁して貫
通され、高電圧電源２７に切替え手段、例えば電磁スイ
ッチ２８を介して接続されている。また、この電磁スイ
ッチ２８は図示しない装置を制御する制御信号によりＯ
ＮまたはＯＦＦされるよう構成され、以上静電チャック
９が構成されている。
は、前記サセプタ１０に内蔵された絶縁部材、例えばテ
フロンで周囲を覆われた導電線２５の一端側が前記電極
３０に接続され、他端側は、前記電極３１に高電圧、例
えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電するための給電手
段、例えば材質が銅の給電棒２６に接続され、この給電
棒２６は、前記処理容器１の底面に気密かつ絶縁して貫
通され、高電圧電源２７に切替え手段、例えば電磁スイ
ッチ２８を介して接続されている。また、この電磁スイ
ッチ２８は図示しない装置を制御する制御信号によりＯ
ＮまたはＯＦＦされるよう構成され、以上静電チャック
９が構成されている。
【００１２】また、前記サセプタ１０の上方かつ前記処
理容器１の上部には、上部電極５０が配設されており、
この上部電極５０にはガス供給管５１を介して処理ガ
ス、例えばＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等の処理ガス、または不活
性ガスが供給され、上部電極５０の底壁に複数個穿設さ
れた放射状の小孔５２より前記半導体ウエハ２方向に処
理ガスが放出し、前記高周波電源１２をＯＮすることに
より、前記上部電極５０と前記半導体ウエハ２間にプラ
ズマを生成するよう構成されており、また、前記上部電
極５０は配線５３を介して電気的に接地されている。
理容器１の上部には、上部電極５０が配設されており、
この上部電極５０にはガス供給管５１を介して処理ガ
ス、例えばＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等の処理ガス、または不活
性ガスが供給され、上部電極５０の底壁に複数個穿設さ
れた放射状の小孔５２より前記半導体ウエハ２方向に処
理ガスが放出し、前記高周波電源１２をＯＮすることに
より、前記上部電極５０と前記半導体ウエハ２間にプラ
ズマを生成するよう構成されており、また、前記上部電
極５０は配線５３を介して電気的に接地されている。
【００１３】また、前記サセプタ１０，サセプタ支持台
５，接合部材２０，電極３０及び載置部材３１には、こ
れらを貫通する貫通孔１６が設けられ、この貫通孔１６
内には電気的に抵抗又はインダクタンスを介して接地さ
れたピン１５が設けられ、このピン１５は、前記処理容
器１を気密にするとともに伸縮可能としたべローズ１７
を介して上下移動手段、例えばエアーシリンダ１８に接
続されている。さらに、このピン１５は前記ロードロッ
ク室の搬送装置より前記半導体ウエハ２の受渡しを行な
い、前記抵抗体層３１に前記半導体ウエハ２を接離する
際に、前記エアーシリンダ１８により上下移動するよう
構成されている。また、前記処理容器１の側壁底部には
開口して、この処理容器１内を減圧するための排出口１
９が設けられており、このガス排出口１９は、図示しな
い開閉弁、例えばバタフライ・バルブを介して図示しな
い真空排気装置、例えばロータリーポンプ又はターボ分
子ポンプ等に接続されている。
５，接合部材２０，電極３０及び載置部材３１には、こ
れらを貫通する貫通孔１６が設けられ、この貫通孔１６
内には電気的に抵抗又はインダクタンスを介して接地さ
れたピン１５が設けられ、このピン１５は、前記処理容
器１を気密にするとともに伸縮可能としたべローズ１７
を介して上下移動手段、例えばエアーシリンダ１８に接
続されている。さらに、このピン１５は前記ロードロッ
ク室の搬送装置より前記半導体ウエハ２の受渡しを行な
い、前記抵抗体層３１に前記半導体ウエハ２を接離する
際に、前記エアーシリンダ１８により上下移動するよう
構成されている。また、前記処理容器１の側壁底部には
開口して、この処理容器１内を減圧するための排出口１
９が設けられており、このガス排出口１９は、図示しな
い開閉弁、例えばバタフライ・バルブを介して図示しな
い真空排気装置、例えばロータリーポンプ又はターボ分
子ポンプ等に接続されている。
【００１４】次に、以上のように構成されたプラズマエ
ッチング裝置における作用について説明する。
ッチング裝置における作用について説明する。
【００１５】まず、前記ゲートバルブ４を開放し、図示
しないロードロック室に設けられた前記搬送装置により
前記半導体ウエハ２を前記処理容器１に搬入するととも
に前記ピンに引き渡され、この後、図示しない搬送装置
は前記ロードロック室内に移動するとともに、前記ゲー
トバルブ４を閉じ、その後前記ピン１５が下降し、前記
載置部材に前記半導体ウエハ２を載置し、前記載置部材
３１に内蔵された電極３１に高電圧、例えば５００Ｖを
給電するためにスイッチ２８を閉じることにより、静電
気力を発生させ、この静電気力により前記半導体ウエハ
２を前記載置部材３１の載置面に吸着させ保持する。
しないロードロック室に設けられた前記搬送装置により
前記半導体ウエハ２を前記処理容器１に搬入するととも
に前記ピンに引き渡され、この後、図示しない搬送装置
は前記ロードロック室内に移動するとともに、前記ゲー
トバルブ４を閉じ、その後前記ピン１５が下降し、前記
載置部材に前記半導体ウエハ２を載置し、前記載置部材
３１に内蔵された電極３１に高電圧、例えば５００Ｖを
給電するためにスイッチ２８を閉じることにより、静電
気力を発生させ、この静電気力により前記半導体ウエハ
２を前記載置部材３１の載置面に吸着させ保持する。
【００１６】次に、伝熱媒体、例えば不活性ガスとして
のＨｅガスを前記供給管１４より、供給圧力、例えば数
ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲で適宜に一旦前記ガ
ス溜め室１３に供給し、このガス溜め室１３に接続され
ている複数の前記貫通孔１３ａより半導体ウエハ２の裏
面に不活性ガスを供給し、前記ヒーター３１ａと前記冷
媒ジャケット６における熱冷却により、前記サセプタ１
０を介して前記半導体ウエハ２の温度を、例えば２００
°Ｃ〜−１６０°Ｃの範囲の所望の温度に図示しない温
度調整装置により適宜に制御する。
のＨｅガスを前記供給管１４より、供給圧力、例えば数
ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲で適宜に一旦前記ガ
ス溜め室１３に供給し、このガス溜め室１３に接続され
ている複数の前記貫通孔１３ａより半導体ウエハ２の裏
面に不活性ガスを供給し、前記ヒーター３１ａと前記冷
媒ジャケット６における熱冷却により、前記サセプタ１
０を介して前記半導体ウエハ２の温度を、例えば２００
°Ｃ〜−１６０°Ｃの範囲の所望の温度に図示しない温
度調整装置により適宜に制御する。
【００１７】次に、図１に示すように、前記上部電極５
０に接続されている前記ガス供給管５１から前記処理ガ
スを供給し、前記小孔５２より前記処理容器１内に処理
ガスを導入し、前記処理容器１内圧力を設定値、例えば
１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒに安定させ、前記サセプ
タ（下部電極）１０に接続された高周波電源１２をＯＮ
し、処理容器１内かつ前記上部電極５０と半導体ウエハ
２間にプラズマを発生させ、このプラズマにより前記半
導体ウエハ２をエッチング処理する。
０に接続されている前記ガス供給管５１から前記処理ガ
スを供給し、前記小孔５２より前記処理容器１内に処理
ガスを導入し、前記処理容器１内圧力を設定値、例えば
１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒに安定させ、前記サセプ
タ（下部電極）１０に接続された高周波電源１２をＯＮ
し、処理容器１内かつ前記上部電極５０と半導体ウエハ
２間にプラズマを発生させ、このプラズマにより前記半
導体ウエハ２をエッチング処理する。
【００１８】この際、前記半導体ウエハ２を、常温、例
えば２０°Ｃから処理温度、例えば１７０°Ｃに移行さ
せた際、図４に示すように、前記サセプタ１０（Ａｌの
線熱膨張率；略２３．５×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃））
は、図中７１の距離に膨張し、さらに、前記載置部材３
１、例えばセラミックス製（線熱膨張率；略７．１×１
０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃））は、図中７０の距離に膨張す
る。また、前記サセプタ１０の膨張距離７１と前記載置
部材３１の膨張距離７０の差を△Ｌ（７２）とすると、
前記サセプタ１０と前記載置部材３１間に着設された接
合部材２０の厚みＬ１（７３）はＬ２（７４）の長さに
引っ張られる。ここで、前述の前記サセプタ１０の膨張
距離７１と前記載置部材３１の膨張距離７０の差を△Ｌ
（７２）関係を（１）式に示すと、 ΔＬ＝（Ｌ／２）×（Ｔ１−Ｔ０）×（α１−α２）
−−−（１） ここで、 ΔＬ；熱膨張による距離の差，Ｌ；接着部の距離８イン
チウエハの場合２００ｍｍ，Ｔ１；１７０℃，Ｔ０；２
０℃（常温） α１；サセプタ１０（Ａｌの線熱膨張率；略２３．５×
１０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃） α２；載置部材３１（セラミックスの線熱膨張率；略
７．１×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃）） とすると、熱収縮による距離の差（ΔＬ）≒０．２４６
ｍｍにもなる。
えば２０°Ｃから処理温度、例えば１７０°Ｃに移行さ
せた際、図４に示すように、前記サセプタ１０（Ａｌの
線熱膨張率；略２３．５×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃））
は、図中７１の距離に膨張し、さらに、前記載置部材３
１、例えばセラミックス製（線熱膨張率；略７．１×１
０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃））は、図中７０の距離に膨張す
る。また、前記サセプタ１０の膨張距離７１と前記載置
部材３１の膨張距離７０の差を△Ｌ（７２）とすると、
前記サセプタ１０と前記載置部材３１間に着設された接
合部材２０の厚みＬ１（７３）はＬ２（７４）の長さに
引っ張られる。ここで、前述の前記サセプタ１０の膨張
距離７１と前記載置部材３１の膨張距離７０の差を△Ｌ
（７２）関係を（１）式に示すと、 ΔＬ＝（Ｌ／２）×（Ｔ１−Ｔ０）×（α１−α２）
−−−（１） ここで、 ΔＬ；熱膨張による距離の差，Ｌ；接着部の距離８イン
チウエハの場合２００ｍｍ，Ｔ１；１７０℃，Ｔ０；２
０℃（常温） α１；サセプタ１０（Ａｌの線熱膨張率；略２３．５×
１０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃） α２；載置部材３１（セラミックスの線熱膨張率；略
７．１×１０-6（ｃｍ／ｃｍ／℃）） とすると、熱収縮による距離の差（ΔＬ）≒０．２４６
ｍｍにもなる。
【００１９】さらに、前記△Ｌ（７２）と前記サセプタ
１０と前記載置部材３１間に着設された接合部材２０の
厚みＬ１（７３）とＬ２（７４）の関係を（２）式に示
すと 、 （Ｌ１）2 ＋（△Ｌ）2 ＝（Ｌ２）2 −−−
−−−−−−−−（２） ここで、 ΔＬ；熱膨張による距離の差，Ｌ１；常温での接合部材
２０の厚み Ｌ２；熱膨張による接合部材２０伸び長 さらに、前記Ｌ２は伸び率をηとすると、Ｌ２＝η（Ｌ
１）であるので、前記（２）式は、下記（３）式に示さ
れる （Ｌ１）2 ＋（△Ｌ）2 ＝η2 （Ｌ１）2 −−−−−
−−−−−−（３） よって、前記サセプタ１０と前記載置部材３１間に着設
された接合部材２０の常温での厚みＬ１（７３）は、
（３）式より、前記サセプタ１０と前記載置部材３１と
の熱膨張又は熱収縮長の差△Ｌ（７２）を｛（接合部材
の伸び率）2 −１｝１／２で割った値と略同一又はその
値以上の厚みに調整し接合すればよく、温度の経時変化
に伴って、前記絶縁膜２０が歪みを生じても、前記サセ
プタ１０と接合部材２０との間の接合面６２及び前記載
置部材３１と接合部材２０との間の接着面６１で剥離が
生じない。
１０と前記載置部材３１間に着設された接合部材２０の
厚みＬ１（７３）とＬ２（７４）の関係を（２）式に示
すと 、 （Ｌ１）2 ＋（△Ｌ）2 ＝（Ｌ２）2 −−−
−−−−−−−−（２） ここで、 ΔＬ；熱膨張による距離の差，Ｌ１；常温での接合部材
２０の厚み Ｌ２；熱膨張による接合部材２０伸び長 さらに、前記Ｌ２は伸び率をηとすると、Ｌ２＝η（Ｌ
１）であるので、前記（２）式は、下記（３）式に示さ
れる （Ｌ１）2 ＋（△Ｌ）2 ＝η2 （Ｌ１）2 −−−−−
−−−−−−（３） よって、前記サセプタ１０と前記載置部材３１間に着設
された接合部材２０の常温での厚みＬ１（７３）は、
（３）式より、前記サセプタ１０と前記載置部材３１と
の熱膨張又は熱収縮長の差△Ｌ（７２）を｛（接合部材
の伸び率）2 −１｝１／２で割った値と略同一又はその
値以上の厚みに調整し接合すればよく、温度の経時変化
に伴って、前記絶縁膜２０が歪みを生じても、前記サセ
プタ１０と接合部材２０との間の接合面６２及び前記載
置部材３１と接合部材２０との間の接着面６１で剥離が
生じない。
【００２０】また、前記接合部材２０の伸び率ηは
（３）式より、η＝｛（△Ｌ／Ｌ１）2＋１｝１／２と
なり、これより求められる値より大きい値になればなる
ほど、前記接合部材２０を薄くすることができ、よりサ
セプタ１０からの熱伝導効率を上げることができる。ま
た、前記伸び率ηが大きく、さらに常温下で接着する部
材としては、前述のように、液性で室温硬化性のシリコ
ーンゴムが最適であり、さらに、高温度下に耐えるもの
としては、耐熱性のシリコーンゴム、例えば脱アセトン
性のシリコーンゴム、例えばＫＥ３４１７（商品名）が
望ましい。
（３）式より、η＝｛（△Ｌ／Ｌ１）2＋１｝１／２と
なり、これより求められる値より大きい値になればなる
ほど、前記接合部材２０を薄くすることができ、よりサ
セプタ１０からの熱伝導効率を上げることができる。ま
た、前記伸び率ηが大きく、さらに常温下で接着する部
材としては、前述のように、液性で室温硬化性のシリコ
ーンゴムが最適であり、さらに、高温度下に耐えるもの
としては、耐熱性のシリコーンゴム、例えば脱アセトン
性のシリコーンゴム、例えばＫＥ３４１７（商品名）が
望ましい。
【００２１】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。サセプタ１０、例えば導電性の
金属としてのＡｌと載置部材３１、例えば炭化ケイ素
（ＳｉＣ）またはセラミックス等の線膨張率の違いによ
り、サセプタ１０と載置部材３１が熱膨張または熱収縮
しても、サセプタ１０と熱膨張率の異なる載置部材３１
間を接着する接合部材２０をサセプタ１０と載置部材３
１の線膨張または収縮長の差を吸収することができる厚
みまたは弾性体としたので、サセプタ１０と接合部材２
０間の接合面６２及び前記載置部材３１と接合部材２０
間の接着面６１の剥離を抑制することができる。また、
載置部材３１と接合部材２０間の接着部の剥離を抑制す
ることができるので、その剥がれ部分に温度の経時変化
にともない結露が生じ水分が溜まるのを抑制し、載置部
材３１に設けられた電極板を腐食させるのを抑制し、静
電チャック９の吸着力が低下するのを抑制することがで
き、さらに、半導体ウエハ２が半導体ウエハ２の裏面よ
り供給される不活性ガスに押され、載置部材３１上で跳
ねず、半導体ウエハ２自身の破損を回避することができ
る。また、サセプタ１０と接合部材２０間の接着部６２
及び載置部材３１と接合部材２０間の接着部６１の剥が
れを抑制するので、載置部材３１の半導体ウエハ２を載
置する載置面の水平度を保つことができる。さらに、載
置部材３１の半導体ウエハ２を載置する載置面の水平度
を保つことができるので、半導体ウエハ２を処理する
際、均一に処理でき、半導体ウエハ２上に形成されたデ
バイスの歩留りの低下を抑制することができる。
効果について説明する。サセプタ１０、例えば導電性の
金属としてのＡｌと載置部材３１、例えば炭化ケイ素
（ＳｉＣ）またはセラミックス等の線膨張率の違いによ
り、サセプタ１０と載置部材３１が熱膨張または熱収縮
しても、サセプタ１０と熱膨張率の異なる載置部材３１
間を接着する接合部材２０をサセプタ１０と載置部材３
１の線膨張または収縮長の差を吸収することができる厚
みまたは弾性体としたので、サセプタ１０と接合部材２
０間の接合面６２及び前記載置部材３１と接合部材２０
間の接着面６１の剥離を抑制することができる。また、
載置部材３１と接合部材２０間の接着部の剥離を抑制す
ることができるので、その剥がれ部分に温度の経時変化
にともない結露が生じ水分が溜まるのを抑制し、載置部
材３１に設けられた電極板を腐食させるのを抑制し、静
電チャック９の吸着力が低下するのを抑制することがで
き、さらに、半導体ウエハ２が半導体ウエハ２の裏面よ
り供給される不活性ガスに押され、載置部材３１上で跳
ねず、半導体ウエハ２自身の破損を回避することができ
る。また、サセプタ１０と接合部材２０間の接着部６２
及び載置部材３１と接合部材２０間の接着部６１の剥が
れを抑制するので、載置部材３１の半導体ウエハ２を載
置する載置面の水平度を保つことができる。さらに、載
置部材３１の半導体ウエハ２を載置する載置面の水平度
を保つことができるので、半導体ウエハ２を処理する
際、均一に処理でき、半導体ウエハ２上に形成されたデ
バイスの歩留りの低下を抑制することができる。
【００２２】尚、本実施例では、熱膨張に伴うサセプタ
と載置部材間に着設された接合部材の伸びを説明した
が、熱膨張に係らず、熱収縮においても同様な効果が得
られ、かかる実施例に限定されるものではなく、本発明
の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。また、
実施例ではプラズマエッチング装置について述べたが、
このようなプラズマエッチング装置の他に前記半導体ウ
エハやＬＣＤ基板のような被吸着体を静電的に吸着保持
する静電チャックは前記プラズマエッチング装置にとら
われず自然酸化膜除去装置、あるいは酸化膜等の膜付け
する枚葉酸化炉、ウエハプローバ等の検査装置、搬送装
置、ＣＶＤ等の熱処理装置に限らず、また常圧，減圧ま
たは陽圧とした装置に用いることができる。
と載置部材間に着設された接合部材の伸びを説明した
が、熱膨張に係らず、熱収縮においても同様な効果が得
られ、かかる実施例に限定されるものではなく、本発明
の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。また、
実施例ではプラズマエッチング装置について述べたが、
このようなプラズマエッチング装置の他に前記半導体ウ
エハやＬＣＤ基板のような被吸着体を静電的に吸着保持
する静電チャックは前記プラズマエッチング装置にとら
われず自然酸化膜除去装置、あるいは酸化膜等の膜付け
する枚葉酸化炉、ウエハプローバ等の検査装置、搬送装
置、ＣＶＤ等の熱処理装置に限らず、また常圧，減圧ま
たは陽圧とした装置に用いることができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、サセプタとサセプタと線膨張
率の異なる載置部材を接合する接合部材を弾性体とした
ので、この弾性体はサセプタと載置部材が熱により、そ
れぞれ膨張または収縮し、長さの差が生じても、この長
さの差に応じて伸張するので、サセプタと接合部材との
間及び載置部材と接合部材との間のそれぞれの接合部が
剥離するのを防止することができ、剥離に伴う凸凹が生
じないので、被吸着体を載置する載置部材の水平状態を
維持できるという顕著な効果がある。
率の異なる載置部材を接合する接合部材を弾性体とした
ので、この弾性体はサセプタと載置部材が熱により、そ
れぞれ膨張または収縮し、長さの差が生じても、この長
さの差に応じて伸張するので、サセプタと接合部材との
間及び載置部材と接合部材との間のそれぞれの接合部が
剥離するのを防止することができ、剥離に伴う凸凹が生
じないので、被吸着体を載置する載置部材の水平状態を
維持できるという顕著な効果がある。
【００２４】
【図１】本発明に係る第１の実施例を適用したプラズマ
エッチング裝置の概略断面図である。
エッチング裝置の概略断面図である。
【図２】図１の静電チャックの要部の構成を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図３】図１の静電チャックの接着部の構成を示す部分
断面図である。
断面図である。
【図４】図１の被吸着体を載置する静電チャックの作用
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
１ 処理容器 ２ 吸着体（半導体ウエハ） ９ 静電チャック １０ サセプタ（下部電極） ２０ 接合部材 ３０ 電極 ３１ 載置部材 ７２ ΔＬ（熱膨張又は熱収縮長の差）
Claims (2)
- 【請求項１】 サセプタの載置面に被吸着体を静電気力
で吸着保持するための静電チャックにおいて、 前記被吸着体を載置する前記サセプタと熱膨張率の異な
る載置部材と、 この載置部材と前記サセプタ間を接着接合する接合部材
とを備え、 この接合部材の厚みは前記サセプタと前記載置部材との
熱膨張又は熱収縮長の差値と略同一又はその値以上の伸
びを有する弾性体で構成したことを特徴とする静電チャ
ック。 - 【請求項２】 前記弾性体の厚みは前記サセプタと前記
載置部材との熱膨張又は熱収縮長の差を｛（接合部材の
伸び率）2 −１｝１／２で割った値と略同一又はその値
以上の厚みに構成したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8931193A JPH06283594A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8931193A JPH06283594A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 静電チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283594A true JPH06283594A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13967129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8931193A Pending JPH06283594A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283594A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970008470A (ko) * | 1995-07-18 | 1997-02-24 | 제임스 조셉 드롱 | 유체 흐름 조절기를 가지는 정전기 척 |
| JPH09260474A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sony Corp | 静電チャックおよびウエハステージ |
| JPH1064984A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-06 | Sony Corp | ウエハステージ |
| JP2001226656A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体製造装置またはエッチング装置用接着剤、該装置用接着シート及びそれらを用いた構造部品 |
| JP2005512310A (ja) * | 2001-11-16 | 2005-04-28 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 保持装置、特にプラズマエッチング装置内で半導体ウェーハを位置固定するための保持装置、および基板への熱供給または基板からの熱導出のための方法 |
| JP2008227489A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| JP2009124171A (ja) * | 2009-02-05 | 2009-06-04 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009200529A (ja) * | 2001-04-30 | 2009-09-03 | Lam Res Corp | ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する方法および装置 |
| WO2009113451A1 (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
| JP2010148177A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | 静電チャック及びそれを備えた基板合着装置 |
| JP2010187023A (ja) * | 2002-04-02 | 2010-08-26 | Lam Res Corp | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| CN103681182A (zh) * | 2012-09-05 | 2014-03-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及等离子体加工设备 |
| JP2014063972A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置及び制御方法 |
| US8809197B2 (en) | 2012-08-29 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and control method |
| US8963052B2 (en) | 2001-04-30 | 2015-02-24 | Lam Research Corporation | Method for controlling spatial temperature distribution across a semiconductor wafer |
| KR20160074409A (ko) * | 2014-12-18 | 2016-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 전열 시트 및 기판 처리 장치 |
| JP2017199851A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 株式会社ディスコ | 減圧処理装置 |
| US10153138B2 (en) | 2012-09-07 | 2018-12-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| US10879053B2 (en) | 2013-06-03 | 2020-12-29 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
| CN114400174A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP8931193A patent/JPH06283594A/ja active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970008470A (ko) * | 1995-07-18 | 1997-02-24 | 제임스 조셉 드롱 | 유체 흐름 조절기를 가지는 정전기 척 |
| JPH09260474A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sony Corp | 静電チャックおよびウエハステージ |
| JPH1064984A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-06 | Sony Corp | ウエハステージ |
| JP2001226656A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体製造装置またはエッチング装置用接着剤、該装置用接着シート及びそれらを用いた構造部品 |
| JP2009200529A (ja) * | 2001-04-30 | 2009-09-03 | Lam Res Corp | ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する方法および装置 |
| US9824904B2 (en) | 2001-04-30 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
| US8963052B2 (en) | 2001-04-30 | 2015-02-24 | Lam Research Corporation | Method for controlling spatial temperature distribution across a semiconductor wafer |
| JP2005512310A (ja) * | 2001-11-16 | 2005-04-28 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 保持装置、特にプラズマエッチング装置内で半導体ウェーハを位置固定するための保持装置、および基板への熱供給または基板からの熱導出のための方法 |
| JP2010187023A (ja) * | 2002-04-02 | 2010-08-26 | Lam Res Corp | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| JP2016096341A (ja) * | 2002-04-02 | 2016-05-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| JP4700076B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2011-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置および方法 |
| JP2008227489A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| WO2009113451A1 (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
| JP2010148177A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | 静電チャック及びそれを備えた基板合着装置 |
| JP2009124171A (ja) * | 2009-02-05 | 2009-06-04 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014063972A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置及び制御方法 |
| US8809197B2 (en) | 2012-08-29 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and control method |
| CN103681182A (zh) * | 2012-09-05 | 2014-03-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及等离子体加工设备 |
| CN103681182B (zh) * | 2012-09-05 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及等离子体加工设备 |
| US10153138B2 (en) | 2012-09-07 | 2018-12-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| US10879053B2 (en) | 2013-06-03 | 2020-12-29 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
| JP2016119334A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 伝熱シート及び基板処理装置 |
| KR20160074409A (ko) * | 2014-12-18 | 2016-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 전열 시트 및 기판 처리 장치 |
| JP2017199851A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 株式会社ディスコ | 減圧処理装置 |
| CN114400174A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
| CN114400174B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-10-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
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