JPH0625005Y2 - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0625005Y2 JPH0625005Y2 JP1987007183U JP718387U JPH0625005Y2 JP H0625005 Y2 JPH0625005 Y2 JP H0625005Y2 JP 1987007183 U JP1987007183 U JP 1987007183U JP 718387 U JP718387 U JP 718387U JP H0625005 Y2 JPH0625005 Y2 JP H0625005Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- semiconductor substrate
- ring
- pressure contact
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、ＰＮ接合あるいはショットキバリアのような
整流接合を備えた半導体基板を半導体と近似した熱膨張
係数を有する支持板に固着しないで、絶縁環とその両端
面に可撓性部分を介して固着された電極体とからなる平
形容器中に収容して容器外からの圧力により半導体基板
と支持板とを接触せしめる圧接型半導体装置に関する。
整流接合を備えた半導体基板を半導体と近似した熱膨張
係数を有する支持板に固着しないで、絶縁環とその両端
面に可撓性部分を介して固着された電極体とからなる平
形容器中に収容して容器外からの圧力により半導体基板
と支持板とを接触せしめる圧接型半導体装置に関する。
半導体基板とモリブデン，タングステンのような半導体
と近似した熱膨張係数を有する支持板とを固着すると、
熱膨張係数が完全には一致していないために製造工程中
あるいは使用中の温度変化により半導体基板に歪が生
じ、特性に影響が及ぶことがある。そのため第２図に示
すように、絶縁環１とそれに変形可能な薄い金属環２で
結合される上，下電極体３とからなる平形容器内に半導
体基板４および上，下Mo支持板５を収容し、両電極体３
に加えられる加圧力により基板４と両支持板５ならびに
各支持板５と上下電極体３の間を加圧接触させたものが
知られている。この際、半導体基板４と両支持板５の板
面に平行方向の位置ずれを防ぐために、弗素樹脂などか
らなる絶縁環６によってその周囲を囲むことも知られて
いる。
と近似した熱膨張係数を有する支持板とを固着すると、
熱膨張係数が完全には一致していないために製造工程中
あるいは使用中の温度変化により半導体基板に歪が生
じ、特性に影響が及ぶことがある。そのため第２図に示
すように、絶縁環１とそれに変形可能な薄い金属環２で
結合される上，下電極体３とからなる平形容器内に半導
体基板４および上，下Mo支持板５を収容し、両電極体３
に加えられる加圧力により基板４と両支持板５ならびに
各支持板５と上下電極体３の間を加圧接触させたものが
知られている。この際、半導体基板４と両支持板５の板
面に平行方向の位置ずれを防ぐために、弗素樹脂などか
らなる絶縁環６によってその周囲を囲むことも知られて
いる。
しかし、このような半導体装置は、両電極体３間に圧力
が加わらないときには基板４および支持板５が容器内で
縦方向に移動するため、運搬中などの振動により半導体
基板４が支持板５と衝突して欠けるなどの破損が生じ、
特性が損なわれる欠点があった。
が加わらないときには基板４および支持板５が容器内で
縦方向に移動するため、運搬中などの振動により半導体
基板４が支持板５と衝突して欠けるなどの破損が生じ、
特性が損なわれる欠点があった。
本考案は、上述の欠点を除き、電極体間の圧力により各
部材間の加圧接触が行われていない状態で外部から機械
的な力が加わっても、半導体基板に破損の生ずることの
ない半導体装置を提供することを目的とする。
部材間の加圧接触が行われていない状態で外部から機械
的な力が加わっても、半導体基板に破損の生ずることの
ない半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本考案は、絶縁環とその
両端面に可撓性部分を介して各固着された第１，第２の
電極体とからなる容器内に第１，第２の支持板にて挟持
された半導体基板が収容され、容器外から両電極体間に
加えられる圧力により半導体基板と支持板，支持板と電
極体が相互に加圧接触するものにおいて、前記第１，第
２の支持板の絶縁環方向の外周端に少なくとも１つの切
り欠きが全周に形成され、半導体基板と支持板とが支持
板の板面に垂直方向の変位を制限する伸縮性，絶縁性を
持った環状樹脂体に囲まれ、前記環状樹脂体が前記支持
板の外周端及び切り欠きと半導体基板の外周端とに周接
するものとする。
両端面に可撓性部分を介して各固着された第１，第２の
電極体とからなる容器内に第１，第２の支持板にて挟持
された半導体基板が収容され、容器外から両電極体間に
加えられる圧力により半導体基板と支持板，支持板と電
極体が相互に加圧接触するものにおいて、前記第１，第
２の支持板の絶縁環方向の外周端に少なくとも１つの切
り欠きが全周に形成され、半導体基板と支持板とが支持
板の板面に垂直方向の変位を制限する伸縮性，絶縁性を
持った環状樹脂体に囲まれ、前記環状樹脂体が前記支持
板の外周端及び切り欠きと半導体基板の外周端とに周接
するものとする。
樹脂体が支持板の外周端と全周に形成された切り欠きに
周接し支持板の縦方向の移動を制限することにより、運
搬中などに機械的な力が加わっても半導体基板が支持板
と強く衝突することがなく、破損のおそれがない。ま
た、樹脂体が絶縁性をもつため支持板あるいは電極体間
の短絡のおそれがなく、伸縮性をもつため電極体間の圧
力による基板，支持板間の接触が妨げられることがな
い。
周接し支持板の縦方向の移動を制限することにより、運
搬中などに機械的な力が加わっても半導体基板が支持板
と強く衝突することがなく、破損のおそれがない。ま
た、樹脂体が絶縁性をもつため支持板あるいは電極体間
の短絡のおそれがなく、伸縮性をもつため電極体間の圧
力による基板，支持板間の接触が妨げられることがな
い。
第１図(a)，(b)は本考案の一実施例を示し、第１図(a)
に示すように60mmの直径を有するシリコン基板４は厚さ
300μｍで、図示しないが一面にMo層を被着してショッ
トキバリアが形成され、Al箔を介して２枚のMo支持板５
の間にはさまれている。Mo支持板５は反基板側の径が小
さくされて段差51を有する。両支持板５およびシリコン
基板４の外周には環状絶縁体７が密着している。環状絶
縁体７は、厚さ５mm程度でデュポン社商品名テフロンあ
るいは日東電化（株）商品名ニトフロンのような４弗化
エチレン樹脂のシールテープを支持板の周囲にまきつけ
るだけでもよく、あるいは熱収縮性のシリコーンゴムチ
ューブを嵌めるか、シリコーンゴム環を伸ばして嵌めて
もよい。支持板５には段差があるので、巻き付けた絶縁
テープあるいは嵌めた絶縁環が支持板の厚さ方向にずれ
ることがない。
に示すように60mmの直径を有するシリコン基板４は厚さ
300μｍで、図示しないが一面にMo層を被着してショッ
トキバリアが形成され、Al箔を介して２枚のMo支持板５
の間にはさまれている。Mo支持板５は反基板側の径が小
さくされて段差51を有する。両支持板５およびシリコン
基板４の外周には環状絶縁体７が密着している。環状絶
縁体７は、厚さ５mm程度でデュポン社商品名テフロンあ
るいは日東電化（株）商品名ニトフロンのような４弗化
エチレン樹脂のシールテープを支持板の周囲にまきつけ
るだけでもよく、あるいは熱収縮性のシリコーンゴムチ
ューブを嵌めるか、シリコーンゴム環を伸ばして嵌めて
もよい。支持板５には段差があるので、巻き付けた絶縁
テープあるいは嵌めた絶縁環が支持板の厚さ方向にずれ
ることがない。
第１図(b)は、このようにして一体にされたシリコン基
板４と支持板５を第２図の場合と同様な平形容器に収容
した状態を示す。
板４と支持板５を第２図の場合と同様な平形容器に収容
した状態を示す。
第３図(a),(b)は別の実施例を示し、この場合はシリコ
ン基板４とそれぞれ両面に段差51が形成されたMo支持板
５の周囲に、２分割されて半円状の４弗化エチレン樹脂
環７が嵌められている。これによりシリコン基板４，支
持板５は位置決め、固定される。この場合は、円形の環
状体を嵌めるより装着が容易であるという利点がある。
ン基板４とそれぞれ両面に段差51が形成されたMo支持板
５の周囲に、２分割されて半円状の４弗化エチレン樹脂
環７が嵌められている。これによりシリコン基板４，支
持板５は位置決め、固定される。この場合は、円形の環
状体を嵌めるより装着が容易であるという利点がある。
本考案によれば、平形容器内に収容される半導体基板と
両側の支持板とを外周を囲む伸縮性，絶縁性の環状樹脂
体で位置決め、固定するもので、両電極体間に圧力が加
わらない運搬中等容器の縦方向に振動があっても半導体
基板と支持板の相対的位置の変動による衝突が防止さ
れ、また基板が容器との衝突からも保護されるので、基
板の欠けの生ずることがなく、信頼性の高い半導体装置
が得られる。
両側の支持板とを外周を囲む伸縮性，絶縁性の環状樹脂
体で位置決め、固定するもので、両電極体間に圧力が加
わらない運搬中等容器の縦方向に振動があっても半導体
基板と支持板の相対的位置の変動による衝突が防止さ
れ、また基板が容器との衝突からも保護されるので、基
板の欠けの生ずることがなく、信頼性の高い半導体装置
が得られる。
第１図(a),(b)は本考案の一実施例を示し、(a)は半導体
基板と支持板の組立て後、(b)は容器に組込み後の断面
図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３図(a),
(b)は本考案の別の実施例の半導体基板と支持板の組立
て後を示し、(a)は断面図，(b)は平面図である。 １：絶縁環、３：電極体、４：シリコン基板、５：Mo支
持板、７：環状絶縁体。
基板と支持板の組立て後、(b)は容器に組込み後の断面
図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３図(a),
(b)は本考案の別の実施例の半導体基板と支持板の組立
て後を示し、(a)は断面図，(b)は平面図である。 １：絶縁環、３：電極体、４：シリコン基板、５：Mo支
持板、７：環状絶縁体。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁環とその両端面に可撓性部分を介して
各固着された第１，第２の電極体とからなる容器内に第
１，第２の支持板にて挟持された半導体基板が収容さ
れ、容器外から両電極体間に加えられる圧力により半導
体基板と支持板、支持板と電極体が相互に加圧接触する
ものにおいて、前記第１，第２の支持板の絶縁環方向の
外周端に少なくとも１つの切り欠きが全周に形成され、
半導体基板と支持板とが支持板の板面に垂直方向の変位
を制限する伸縮性，絶縁性を持った環状樹脂体に囲ま
れ、前記環状樹脂体が前記支持板の外周端及び切り欠き
と半導体基板の外周端とに周接することを特徴とする圧
接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987007183U JPH0625005Y2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987007183U JPH0625005Y2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115218U JPS63115218U (ja) | 1988-07-25 |
| JPH0625005Y2 true JPH0625005Y2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=30790404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987007183U Expired - Lifetime JPH0625005Y2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625005Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998043301A1 (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Hitachi, Ltd. | Flat semiconductor device and power converter employing the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152049U (ja) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | ||
| DE3308661A1 (de) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiterelement |
| JPH0216534Y2 (ja) * | 1985-09-17 | 1990-05-08 |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP1987007183U patent/JPH0625005Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63115218U (ja) | 1988-07-25 |
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