JPH06258820A - フォトマスク、レチクルケース、レチクルストッカー、投影露光装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク、レチクルケース、レチクルストッカー、投影露光装置および半導体装置の製造方法Info
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- JPH06258820A JPH06258820A JP4690693A JP4690693A JPH06258820A JP H06258820 A JPH06258820 A JP H06258820A JP 4690693 A JP4690693 A JP 4690693A JP 4690693 A JP4690693 A JP 4690693A JP H06258820 A JPH06258820 A JP H06258820A
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- pellicle
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
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- Library & Information Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ペリクルを装着したフォトマスクを用いた半導
体装置製造において、量産性の低下と、フォトマスクや
ペリクル面への異物の付着を招くことなく、ペリクル、
ペリクル枠および、フォトマスクで囲まれる領域と外気
との通気性を確保し、ペリクルの平坦性を維持する。 【構成】フォトマスクへペリクルを装着するためのペリ
クル枠側面の少なくとも一部に開孔部を設け、これを熱
により形状の変化する物質あるいは、表面張力により開
孔部内に留まる液体により蓋をする。また前記フォトマ
スクを使用してレチクルケース、投影露光装置に利用す
る。
体装置製造において、量産性の低下と、フォトマスクや
ペリクル面への異物の付着を招くことなく、ペリクル、
ペリクル枠および、フォトマスクで囲まれる領域と外気
との通気性を確保し、ペリクルの平坦性を維持する。 【構成】フォトマスクへペリクルを装着するためのペリ
クル枠側面の少なくとも一部に開孔部を設け、これを熱
により形状の変化する物質あるいは、表面張力により開
孔部内に留まる液体により蓋をする。また前記フォトマ
スクを使用してレチクルケース、投影露光装置に利用す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造のフォ
ト工程に関し、特にペリクルを装着したフォトマスク、
レチクルケース、投影露光装置に関する。
ト工程に関し、特にペリクルを装着したフォトマスク、
レチクルケース、投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造のフォト工程で、半導体
基板上に所望のレジストパターンを形成する方法として
縮小投影露光装置(以下、ステッパーと称す)を使用す
ることが一般的であるが、近年素子の微細化が進み集積
度が増すにつれてフォトマスク上の異物の転写が問題と
なってきている。ステッパーはこのフォトマスク上のパ
ターンを5分の1、あるいは10分の1に縮小して投影
する。しかし近年投影レンズやレジストの解像性能向上
により、フォトマスク上にミクロンオーダーの異物があ
っても十分に転写する可能性がある。そして転写された
異物はパターン欠陥になり、半導体素子の機能を劣化さ
せ、歩留りを低下させる。そこで最近、異物の転写を防
止する方法として、ペリクルが使用されている。図2は
ペリクルを装着した従来のフォトマスクを示す図である
が、ペリクル23はニトロセルロースに代表される透明
薄膜からなり、アルミ合金などの金属からなるペリクル
枠22を介してフォトマスク21上のパターン部を保護
するように覆って固定される。前記フォトマスク21上
には空気中の異物がペリクルの無いときと同様に付着す
るが、投影露光時の焦点位置は前記フォトマスク21面
上にあるため前記ペリクル23上の異物に対しては焦点
ずれとなり数十ミクロンまでの異物は転写しない仕組み
となっている。このようにペリクルを使用することによ
り、異物転写に起因するパターン欠陥は著しく減少し
た。しかしプロセスルールの微細化にともない、ペリク
ル上の異物が転写する可能性は否定できないため、依然
前記ペリクル23上およびレチクル21上の異物検査が
必要である。
基板上に所望のレジストパターンを形成する方法として
縮小投影露光装置(以下、ステッパーと称す)を使用す
ることが一般的であるが、近年素子の微細化が進み集積
度が増すにつれてフォトマスク上の異物の転写が問題と
なってきている。ステッパーはこのフォトマスク上のパ
ターンを5分の1、あるいは10分の1に縮小して投影
する。しかし近年投影レンズやレジストの解像性能向上
により、フォトマスク上にミクロンオーダーの異物があ
っても十分に転写する可能性がある。そして転写された
異物はパターン欠陥になり、半導体素子の機能を劣化さ
せ、歩留りを低下させる。そこで最近、異物の転写を防
止する方法として、ペリクルが使用されている。図2は
ペリクルを装着した従来のフォトマスクを示す図である
が、ペリクル23はニトロセルロースに代表される透明
薄膜からなり、アルミ合金などの金属からなるペリクル
枠22を介してフォトマスク21上のパターン部を保護
するように覆って固定される。前記フォトマスク21上
には空気中の異物がペリクルの無いときと同様に付着す
るが、投影露光時の焦点位置は前記フォトマスク21面
上にあるため前記ペリクル23上の異物に対しては焦点
ずれとなり数十ミクロンまでの異物は転写しない仕組み
となっている。このようにペリクルを使用することによ
り、異物転写に起因するパターン欠陥は著しく減少し
た。しかしプロセスルールの微細化にともない、ペリク
ル上の異物が転写する可能性は否定できないため、依然
前記ペリクル23上およびレチクル21上の異物検査が
必要である。
【0003】ところで前述のペリクル23上の異物検査
は前記ペリクル23面にレーザー光を走査し、異物があ
ればその散乱光を検出して、前記異物の位置、大きさを
判断する方式に基づく検査装置が一般的に使用されてお
り、高い検出精度を得るためには前記ペリクル23面の
平坦性が十分確保されている必要がある。しかしこの平
坦性を妨げる要因として前記ペリクル23、前記ペリク
ル枠22及び前記フォトマスク21で囲まれる領域の内
圧と外圧の差が挙げられる。前記ペリクル23が薄膜で
あるために内圧よりも外圧が高ければ前記ペリクル23
は内側にへこみ、逆に内圧よりも外圧が低ければ前記ペ
リクル23は外側に膨らむ。実際に低地から高地へ移動
させたときには前記ペリクルは膨らみ、台風などの低気
圧通過時にも変形が生じる。このように、前記ペリクル
の変形により平坦性が損なわれ、前記ペリクル面上の異
物検査を十分な検出精度を持って行なうことができず異
物転写に起因するパターン欠陥が増えるとともに歩留ま
りも低下した。
は前記ペリクル23面にレーザー光を走査し、異物があ
ればその散乱光を検出して、前記異物の位置、大きさを
判断する方式に基づく検査装置が一般的に使用されてお
り、高い検出精度を得るためには前記ペリクル23面の
平坦性が十分確保されている必要がある。しかしこの平
坦性を妨げる要因として前記ペリクル23、前記ペリク
ル枠22及び前記フォトマスク21で囲まれる領域の内
圧と外圧の差が挙げられる。前記ペリクル23が薄膜で
あるために内圧よりも外圧が高ければ前記ペリクル23
は内側にへこみ、逆に内圧よりも外圧が低ければ前記ペ
リクル23は外側に膨らむ。実際に低地から高地へ移動
させたときには前記ペリクルは膨らみ、台風などの低気
圧通過時にも変形が生じる。このように、前記ペリクル
の変形により平坦性が損なわれ、前記ペリクル面上の異
物検査を十分な検出精度を持って行なうことができず異
物転写に起因するパターン欠陥が増えるとともに歩留ま
りも低下した。
【0004】また、通常レチクルは投影露光装置あるい
はレチクルストッカーに入れられたままの状態にあるた
め、気圧変動等によりペリクルが変形した場合、搬送系
にひっかかりペリクルが傷つくまたは破れてしまう危険
があった。
はレチクルストッカーに入れられたままの状態にあるた
め、気圧変動等によりペリクルが変形した場合、搬送系
にひっかかりペリクルが傷つくまたは破れてしまう危険
があった。
【0005】そこで従来は以下の方法により対処してい
た。前記ペリクル23、前記ペリクル枠22、および前
記フォトマスク21で囲まれる領域と外気との通気性を
確保するために前記ペリクル枠22の一部に直径1mm
の開孔部24を設け、また開孔部から異物が進入するの
を防ぐために必要時以外は前記開孔部24をテープ25
でふさいだ構造をとっていた。
た。前記ペリクル23、前記ペリクル枠22、および前
記フォトマスク21で囲まれる領域と外気との通気性を
確保するために前記ペリクル枠22の一部に直径1mm
の開孔部24を設け、また開孔部から異物が進入するの
を防ぐために必要時以外は前記開孔部24をテープ25
でふさいだ構造をとっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、以下の問題点を有する。
では、以下の問題点を有する。
【0007】1)テープ25で開孔部24をふさいでい
ない状態では通気性は確保されても、前記開口部24か
ら異物が進入して異物転写を引き起こす。
ない状態では通気性は確保されても、前記開口部24か
ら異物が進入して異物転写を引き起こす。
【0008】2)テープ25で開孔部24をふさいだ状
態では異物の進入は防げるが、気圧変化時には一時的に
テープ25をはずして通気する必要がある。この場合量
産で使用されているフォトマスクをすべて通気する必要
があるため、非常に量産効率が悪くなる。
態では異物の進入は防げるが、気圧変化時には一時的に
テープ25をはずして通気する必要がある。この場合量
産で使用されているフォトマスクをすべて通気する必要
があるため、非常に量産効率が悪くなる。
【0009】3)フォトマスクは、通常所定のケースに
1枚ずつ入れられて保管されているが、テープ25をは
ずして通気する際には前記ケースからだして処理しなけ
ればならない。この時ペリクル23面上に異物が付着
し、異物転写を引き起こすことがある。
1枚ずつ入れられて保管されているが、テープ25をは
ずして通気する際には前記ケースからだして処理しなけ
ればならない。この時ペリクル23面上に異物が付着
し、異物転写を引き起こすことがある。
【0010】4)気圧変動などでペリクル23が膨らん
でしまった場合、この状態のまま露光装置に搬送したと
き、前記ペリクル23が搬送路に接触し破れてしまう。
でしまった場合、この状態のまま露光装置に搬送したと
き、前記ペリクル23が搬送路に接触し破れてしまう。
【0011】このように従来技術では量産効率の低下、
およびペリクル面上への異物付着という問題があった。
およびペリクル面上への異物付着という問題があった。
【0012】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るものであり、その目的とするところは量産性の低下、
フォトマスクやペリクル面への異物付着を招くことなく
ペリクル、ペリクル枠、及びフォトマスクで囲まれる領
域と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維
持するとともにペリクル面の変形による事故を未然に防
止することにある。
るものであり、その目的とするところは量産性の低下、
フォトマスクやペリクル面への異物付着を招くことなく
ペリクル、ペリクル枠、及びフォトマスクで囲まれる領
域と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維
持するとともにペリクル面の変形による事故を未然に防
止することにある。
【0013】
(1)本発明のフォトマスクは、半導体装置製造のフォ
トリソ工程で、透明薄膜からなるペリクルをペリクル枠
を介して装着したフォトマスクにおいて、前記ペリクル
枠に、外部と前記フォトマスクと前記ペリクル及び前記
ペリクル枠により密閉されている領域との通気を行なう
機能を有する開孔部を少なくとも1箇所有し、更に熱に
より形状の変化する材質で前記開孔部に蓋をする機能を
有することを特徴とする。
トリソ工程で、透明薄膜からなるペリクルをペリクル枠
を介して装着したフォトマスクにおいて、前記ペリクル
枠に、外部と前記フォトマスクと前記ペリクル及び前記
ペリクル枠により密閉されている領域との通気を行なう
機能を有する開孔部を少なくとも1箇所有し、更に熱に
より形状の変化する材質で前記開孔部に蓋をする機能を
有することを特徴とする。
【0014】(2)本発明のフォトマスクは課題を解決
するための手段1項記載のフォトマスクにおいて、前記
開孔部の蓋となる前記材質に接点を持ち前記開孔部の外
まで延在している電極を少なくとも2本有することを特
徴とする。
するための手段1項記載のフォトマスクにおいて、前記
開孔部の蓋となる前記材質に接点を持ち前記開孔部の外
まで延在している電極を少なくとも2本有することを特
徴とする。
【0015】(3)本発明のフォトマスクは、課題を解
決するための手段1項記載のフォトマスクにおいて表面
張力を利用して前記開孔口部内に留まる液体により前記
開孔部に蓋をする機能を有することを特徴とするフォト
マスク。
決するための手段1項記載のフォトマスクにおいて表面
張力を利用して前記開孔口部内に留まる液体により前記
開孔部に蓋をする機能を有することを特徴とするフォト
マスク。
【0016】(4)本発明のレチクルケースは、課題を
解決するための手段1項および課題を解決するための手
段2項記載のフォトマスクを装着した場合前記フォトマ
スクに設けられている電極とそれぞれ接触し、これがレ
チクルケース外まで出ている電極を少なくとも2本有す
ることを特徴とする。
解決するための手段1項および課題を解決するための手
段2項記載のフォトマスクを装着した場合前記フォトマ
スクに設けられている電極とそれぞれ接触し、これがレ
チクルケース外まで出ている電極を少なくとも2本有す
ることを特徴とする。
【0017】(5)本発明のレチクルストッカーは、レ
チクルケースとの接触部分にそれぞれ電極を有し、前記
レチクルケースに自由に電流を流すことができる機能を
有することを特徴とする。
チクルケースとの接触部分にそれぞれ電極を有し、前記
レチクルケースに自由に電流を流すことができる機能を
有することを特徴とする。
【0018】(6)本発明の投影露光装置は、投影露光
装置のレチクルストッカーユニットにおいて、レチクル
ケースとの接触部分に電極を有することを特徴とする。
装置のレチクルストッカーユニットにおいて、レチクル
ケースとの接触部分に電極を有することを特徴とする。
【0019】(7)本発明の投影露光装置は、課題を解
決するための手段6項記載の投影露光装置において、気
圧が設定した気圧値の範囲を外れた場合、レチクルスト
ッカーユニットに装着される電極に自動的に電圧をかけ
る機能を有することを特徴とする。
決するための手段6項記載の投影露光装置において、気
圧が設定した気圧値の範囲を外れた場合、レチクルスト
ッカーユニットに装着される電極に自動的に電圧をかけ
る機能を有することを特徴とする。
【0020】(8)本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体装置製造のフォト工程において課題を解決するた
めの手段2項記載のフォトマスクを用いることを特徴と
する。
半導体装置製造のフォト工程において課題を解決するた
めの手段2項記載のフォトマスクを用いることを特徴と
する。
【0021】
【実施例】図1に、本発明のフォトマスクを示す。図1
(a)は本発明のフォトマスクを斜め上方向からみた図
であり、図1(b)は、開孔部を上からみた図である。
(a)は本発明のフォトマスクを斜め上方向からみた図
であり、図1(b)は、開孔部を上からみた図である。
【0022】ペリクル13はニトロセルロースに代表さ
れる透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリク
ル枠12を介してフォトマスク11から一定の距離をお
いて前記フォトマスク11上のパターン部を保護するよ
うに覆って固定される。図1において、ペリクル枠12
の側面に1辺3mmの直方体の開孔部14を設ける。そ
して前記開孔部14を塞ぐ形で、バイメタル15が前記
ペリクル枠内面に装着されている。
れる透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリク
ル枠12を介してフォトマスク11から一定の距離をお
いて前記フォトマスク11上のパターン部を保護するよ
うに覆って固定される。図1において、ペリクル枠12
の側面に1辺3mmの直方体の開孔部14を設ける。そ
して前記開孔部14を塞ぐ形で、バイメタル15が前記
ペリクル枠内面に装着されている。
【0023】前記バイメタル15には、導線16、17
が接続されており前記導線16、17に電流を流すこと
で前記バイメタル15に電流が流れる構造になってい
る。
が接続されており前記導線16、17に電流を流すこと
で前記バイメタル15に電流が流れる構造になってい
る。
【0024】前記バイメタル15に微小電流が流れる
と、前記バイメタル15の温度が上昇する。前記バイメ
タル15は温度の上昇により前記開孔部14との接触端
の一端がはなれ、前記フォトマスク11、前記ペリクル
枠12及び前記ペリクル13とで囲まれる領域側に曲が
り、前記領域内と外気との通気を図ることができる。ま
た電流を断つと前記バイメタルの温度は室温の状態に下
がり、変形がもとに戻り再び前記開孔部14の蓋の役目
をする。図1(c)はバイメタル15が変形し、前記フ
ォトマスク11、前記ペリクル枠12及びペリクル13
により囲まれた領域と外気との通気を実施している状態
を示す図である。バイメタル15として、インバー(N
i−Fe合金)系低温膨張合金とNi−Cu−Mn合金
を中間層に導電性を向上させるためCu合金を使用し、
圧延法により接合したものを使用した。これに0.5A
の電流が流れることで、変形を生じ、外気と前記ペリク
ル枠12前記フォトマスク11及び前記ペリクル13と
で囲まれる領域内との通気を図ることが出来るが、ここ
では動作速度などのレスポンス向上を考慮して1.5A
の電流を流している。
と、前記バイメタル15の温度が上昇する。前記バイメ
タル15は温度の上昇により前記開孔部14との接触端
の一端がはなれ、前記フォトマスク11、前記ペリクル
枠12及び前記ペリクル13とで囲まれる領域側に曲が
り、前記領域内と外気との通気を図ることができる。ま
た電流を断つと前記バイメタルの温度は室温の状態に下
がり、変形がもとに戻り再び前記開孔部14の蓋の役目
をする。図1(c)はバイメタル15が変形し、前記フ
ォトマスク11、前記ペリクル枠12及びペリクル13
により囲まれた領域と外気との通気を実施している状態
を示す図である。バイメタル15として、インバー(N
i−Fe合金)系低温膨張合金とNi−Cu−Mn合金
を中間層に導電性を向上させるためCu合金を使用し、
圧延法により接合したものを使用した。これに0.5A
の電流が流れることで、変形を生じ、外気と前記ペリク
ル枠12前記フォトマスク11及び前記ペリクル13と
で囲まれる領域内との通気を図ることが出来るが、ここ
では動作速度などのレスポンス向上を考慮して1.5A
の電流を流している。
【0025】これによりペリクルの気圧変動などにとも
なう変形がなくなる。たとえば、低気圧が通過した場合
外気圧が前記領域内の気圧に比べて低くなりペリクル1
3が膨らんでしまう。
なう変形がなくなる。たとえば、低気圧が通過した場合
外気圧が前記領域内の気圧に比べて低くなりペリクル1
3が膨らんでしまう。
【0026】そこで前記開孔部14に設けられたバイメ
タル15に装着された電極16、17に電圧をかけて前
記バイメタル15を変形させ、前記フォトマスク11、
前記ペリクル枠12及び前記ペリクル13により囲まれ
た領域内の空気と外気との通気を行なわせる。これによ
り、前記領域内と外気との気圧が平衡状態になるまで、
前記領域内の空気が前記領域外に流れ出て、両者の気圧
の均衡が取れ、ペリクル13の平坦化が保てる。
タル15に装着された電極16、17に電圧をかけて前
記バイメタル15を変形させ、前記フォトマスク11、
前記ペリクル枠12及び前記ペリクル13により囲まれ
た領域内の空気と外気との通気を行なわせる。これによ
り、前記領域内と外気との気圧が平衡状態になるまで、
前記領域内の空気が前記領域外に流れ出て、両者の気圧
の均衡が取れ、ペリクル13の平坦化が保てる。
【0027】逆に高気圧が通過した場合、前記領域内の
気圧が外部に比べて低くなるためペリクル13はへこん
でしまうが、同様にして前記バイメタルを変形させ前記
領域内と外気との通気を行なえば、前記領域内の気圧が
外気に比べて低いため外気から前記領域内に空気が流入
し、両者の気圧の均衡がとれペリクル13の平坦化を保
つことができる。
気圧が外部に比べて低くなるためペリクル13はへこん
でしまうが、同様にして前記バイメタルを変形させ前記
領域内と外気との通気を行なえば、前記領域内の気圧が
外気に比べて低いため外気から前記領域内に空気が流入
し、両者の気圧の均衡がとれペリクル13の平坦化を保
つことができる。
【0028】図2に本発明のフォトマスクを示す。図2
(a)は本発明のフォトマスクを斜め上からみた図であ
り、図2(b)は開孔部を上からみた図である。
(a)は本発明のフォトマスクを斜め上からみた図であ
り、図2(b)は開孔部を上からみた図である。
【0029】ペリクル23はニトロセルロースに代表さ
れる透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリク
ル枠22を介してフォトマスク21から一定の距離をお
いて前記フォトマスク21上のパターン部を保護するよ
うに覆って固定される。図2において、ペリクル枠22
の側面に直径3mmの円柱の開孔部24を設ける。そし
て前記開孔部24内に表面張力により留まる液体25が
注入されており、これが前記開孔部の蓋の役目をする。
また前記液体表面で前記領域側の表面が26、外気と接
する面が27である。
れる透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリク
ル枠22を介してフォトマスク21から一定の距離をお
いて前記フォトマスク21上のパターン部を保護するよ
うに覆って固定される。図2において、ペリクル枠22
の側面に直径3mmの円柱の開孔部24を設ける。そし
て前記開孔部24内に表面張力により留まる液体25が
注入されており、これが前記開孔部の蓋の役目をする。
また前記液体表面で前記領域側の表面が26、外気と接
する面が27である。
【0030】前記フォトマスク21、前記ペリクル枠2
2および前記ペリクル23とにより囲まれた領域内の気
圧と外気の気圧とに差が生じると、前記開孔部24内に
おいて前記液体25が前記領域側あるいは外側に移動
し、前記領域内の体積を変化させることで前記領域内の
気圧の調整を行なう。たとえば、台風などの低気圧が通
過した場合外気圧が前記領域内の気圧に比べて低くなり
ペリクル23が膨らんでしまう。
2および前記ペリクル23とにより囲まれた領域内の気
圧と外気の気圧とに差が生じると、前記開孔部24内に
おいて前記液体25が前記領域側あるいは外側に移動
し、前記領域内の体積を変化させることで前記領域内の
気圧の調整を行なう。たとえば、台風などの低気圧が通
過した場合外気圧が前記領域内の気圧に比べて低くなり
ペリクル23が膨らんでしまう。
【0031】このとき、前記液体にかかる圧力を比べる
と前記領域側の前記表面26の方が前記領域外に向けて
強い圧力をうける。このため前記開孔部24内を前記液
体25が外側に移動し前記領域内の体積を増すことで圧
力を下げ前記領域内と外気との気圧差をなくし、ペリク
ルの平坦性が保たれる。逆に高気圧が通過した場合、前
記領域内の気圧が外部に比べて低くなるためペリクル2
3はへこんでしまうが、同様にして前記開孔部内を前記
液体が前記領域側へ移動し前記領域内の気圧を上げるこ
とで前記領域内と外気との気圧差をなくし、ペリクルの
平坦性を維持することができる。
と前記領域側の前記表面26の方が前記領域外に向けて
強い圧力をうける。このため前記開孔部24内を前記液
体25が外側に移動し前記領域内の体積を増すことで圧
力を下げ前記領域内と外気との気圧差をなくし、ペリク
ルの平坦性が保たれる。逆に高気圧が通過した場合、前
記領域内の気圧が外部に比べて低くなるためペリクル2
3はへこんでしまうが、同様にして前記開孔部内を前記
液体が前記領域側へ移動し前記領域内の気圧を上げるこ
とで前記領域内と外気との気圧差をなくし、ペリクルの
平坦性を維持することができる。
【0032】図3に本発明のレチクルケースを示す。図
3(a)は本発明のレチクルケースを斜め上からみた図
である。
3(a)は本発明のレチクルケースを斜め上からみた図
である。
【0033】レチクルケース301はプラスチックに代
表される材質でできており、ストッカーにセットするた
めの支持台302、303がそれぞれ前記レチクルケー
ス301の側面に装備されている。前記支持台302、
303に電極311、312が装着されておりそれぞれ
導線304、305が接続され前記導線304、305
は前記レチクルケース内部に伸びている。
表される材質でできており、ストッカーにセットするた
めの支持台302、303がそれぞれ前記レチクルケー
ス301の側面に装備されている。前記支持台302、
303に電極311、312が装着されておりそれぞれ
導線304、305が接続され前記導線304、305
は前記レチクルケース内部に伸びている。
【0034】図3(b)は本発明のレチクルケースに図
1に示した本発明のフォトマスク306をセットした状
態をレチクルケースの上面を透視してみた図である。前
記フォトマスク306は前記レチクルケース301内部
に装着されている支持台307、308の上にのった状
態でセットされている。前記フォトマスクから出ている
導線307、308が前記レチクルケース内壁に装着さ
れている電極313、314とそれぞれ接触しており、
これを介して前記導線304、305とそれぞれつなが
っている。
1に示した本発明のフォトマスク306をセットした状
態をレチクルケースの上面を透視してみた図である。前
記フォトマスク306は前記レチクルケース301内部
に装着されている支持台307、308の上にのった状
態でセットされている。前記フォトマスクから出ている
導線307、308が前記レチクルケース内壁に装着さ
れている電極313、314とそれぞれ接触しており、
これを介して前記導線304、305とそれぞれつなが
っている。
【0035】気圧等の変動によりペリクルに変形が生じ
た場合、前記電極311、312に電圧をかける。前記
導線304、305と前記電極を通じて、前記導線30
4、305に微少電流が流れる。これにより前記フォト
マスク306に設けられた前記開孔部14を蓋している
前記バイメタルが開き前記領域内と外気との通気が図れ
る。こうすることで、前記領域内と外気との気圧が等し
くなりペリクルの変形を防止でき、ペリクルの平坦性を
維持することが出来る。
た場合、前記電極311、312に電圧をかける。前記
導線304、305と前記電極を通じて、前記導線30
4、305に微少電流が流れる。これにより前記フォト
マスク306に設けられた前記開孔部14を蓋している
前記バイメタルが開き前記領域内と外気との通気が図れ
る。こうすることで、前記領域内と外気との気圧が等し
くなりペリクルの変形を防止でき、ペリクルの平坦性を
維持することが出来る。
【0036】図4に本発明のレチクルストッカーを示
す。図4(a)は本発明のレチクルストッカーを正面か
らみた図であり、図4(b)は本発明のレチクルストッ
カーの1段に注目して正面からみた図である。
す。図4(a)は本発明のレチクルストッカーを正面か
らみた図であり、図4(b)は本発明のレチクルストッ
カーの1段に注目して正面からみた図である。
【0037】レチクルストッカー401は鉄に代表され
る材質で出来ており図3に示した本発明のレチクルケー
ス403をセットする棚402が10段以上装備されて
いる。前記棚402には両側面からレチクルケースを保
持するためのチャッカーが設けられている。前記チャッ
カー部にはそれぞれ電極408、409が設けられてお
り前記レチクルケース403をセットすると前記レチク
ルケース403に設けられた前記電極312、313と
それぞれ接触する。前記電極408、409から導線4
10、411がそれぞれでておりスイッチ412につな
がれている。
る材質で出来ており図3に示した本発明のレチクルケー
ス403をセットする棚402が10段以上装備されて
いる。前記棚402には両側面からレチクルケースを保
持するためのチャッカーが設けられている。前記チャッ
カー部にはそれぞれ電極408、409が設けられてお
り前記レチクルケース403をセットすると前記レチク
ルケース403に設けられた前記電極312、313と
それぞれ接触する。前記電極408、409から導線4
10、411がそれぞれでておりスイッチ412につな
がれている。
【0038】前記スイッチにより前記電極408、40
9にかける電圧のオンオフを行なう。気圧変動などによ
りペリクルの変形が生じた場合前記スイッチをオンし前
記電極408、409に電圧をかけることにより前記ス
トッカー402にセットされている前記レチクルケース
403内の図1に示す本発明のフォトマスクに電圧がか
かり前記開孔部14に設けられた前記バイメタル15が
変形するため前記領域内と外気との通気が図れ両者の気
圧が等しくなる。このため前記ペリクルの変形が防止で
き前記ペリクルの平坦性を維持できる。
9にかける電圧のオンオフを行なう。気圧変動などによ
りペリクルの変形が生じた場合前記スイッチをオンし前
記電極408、409に電圧をかけることにより前記ス
トッカー402にセットされている前記レチクルケース
403内の図1に示す本発明のフォトマスクに電圧がか
かり前記開孔部14に設けられた前記バイメタル15が
変形するため前記領域内と外気との通気が図れ両者の気
圧が等しくなる。このため前記ペリクルの変形が防止で
き前記ペリクルの平坦性を維持できる。
【0039】図5に本発明の投影露光装置のレチクルス
トッカーユニットを示す。レチクルストッカーユニット
501はアルミに代表される材質からなり、各ストッカ
ー棚503は図4(b)に示した構造と同じ構造になっ
ている。各棚からのびた前記導線410、411はスイ
ッチ502につながっており、前記スイッチ502をオ
ンすることにより前記導線が通電され各ストッカー棚に
セットされた図3に示した本発明のレチクルケース50
4に電流が流れる。
トッカーユニットを示す。レチクルストッカーユニット
501はアルミに代表される材質からなり、各ストッカ
ー棚503は図4(b)に示した構造と同じ構造になっ
ている。各棚からのびた前記導線410、411はスイ
ッチ502につながっており、前記スイッチ502をオ
ンすることにより前記導線が通電され各ストッカー棚に
セットされた図3に示した本発明のレチクルケース50
4に電流が流れる。
【0040】この状態で、前記レチクルケースにいれら
ている図1に示した本発明のフォトマスクに装着された
前記導線16、17に電流が流れ、前記バイメタルが変
形し、前記領域内の空気と外気との通気が図れる。気圧
変動などにより前記フォトマスクに装着されている前記
ペリクル13に変形が生じた場合、前記スイッチ502
をオンすることにより前記領域内と外気との気圧を等し
くでき前記ペリクル13の平坦性を保持できる。このス
イッチ動作を投影露光装置に組み込まれている気圧計と
つなげ、前記気圧計の値が所定の範囲をはずれた場合ス
イッチがオンされる場合も同様である。
ている図1に示した本発明のフォトマスクに装着された
前記導線16、17に電流が流れ、前記バイメタルが変
形し、前記領域内の空気と外気との通気が図れる。気圧
変動などにより前記フォトマスクに装着されている前記
ペリクル13に変形が生じた場合、前記スイッチ502
をオンすることにより前記領域内と外気との気圧を等し
くでき前記ペリクル13の平坦性を保持できる。このス
イッチ動作を投影露光装置に組み込まれている気圧計と
つなげ、前記気圧計の値が所定の範囲をはずれた場合ス
イッチがオンされる場合も同様である。
【0041】そして本発明のフォトマスク、レチクルケ
ース、レチクルストッカー、投影露光装置を半導体装置
製造のフォト工程で用いる上で、以下の利点が得られ
る。
ース、レチクルストッカー、投影露光装置を半導体装置
製造のフォト工程で用いる上で、以下の利点が得られ
る。
【0042】1)開孔部14にバイメタル15が設けら
れているため、開孔部14を通ってフォトマスク11面
に異物が付着する確率はほとんど0に等しく、テープな
どにより前記開孔部14を塞ぐ必要がなくなる。
れているため、開孔部14を通ってフォトマスク11面
に異物が付着する確率はほとんど0に等しく、テープな
どにより前記開孔部14を塞ぐ必要がなくなる。
【0043】2)開孔部24に液体25が注入されてい
るため、開孔部24を通ってフォトマスク11面に異物
が付着する確率はほとんど0に等しく、テープなどによ
り前記開孔部24を塞ぐ必要がなくなる。
るため、開孔部24を通ってフォトマスク11面に異物
が付着する確率はほとんど0に等しく、テープなどによ
り前記開孔部24を塞ぐ必要がなくなる。
【0044】3)テープの開閉作業が不要になるため、
フォトマスクをケースの外に出す必要がなくなりペリク
ル面上への異物の付着を防止することができる。また量
産性も大幅に向上する。
フォトマスクをケースの外に出す必要がなくなりペリク
ル面上への異物の付着を防止することができる。また量
産性も大幅に向上する。
【0045】4)レチクルケースを各装置にセットした
状態に常にしておくことができ、また気圧変動の度に装
置から取り出してテープの開閉作業を行なう必要がなく
なり、作業効率が著しく向上する。
状態に常にしておくことができ、また気圧変動の度に装
置から取り出してテープの開閉作業を行なう必要がなく
なり、作業効率が著しく向上する。
【0046】5)ペリクル面の平坦性を常に維持できる
ため、マスク異物検査の精度が向上する。また装置内に
ペリクルが引っかかり破けてしまう可能性がなくなるた
め、量産効率が向上する。
ため、マスク異物検査の精度が向上する。また装置内に
ペリクルが引っかかり破けてしまう可能性がなくなるた
め、量産効率が向上する。
【0047】以上、本発明の一実施例を述べたが、これ
以外に 1)本発明を、縮小投影露光装置以外の露光装置、例え
ば1:1投影露光装置に用いられるフォトマスクに適用
する。
以外に 1)本発明を、縮小投影露光装置以外の露光装置、例え
ば1:1投影露光装置に用いられるフォトマスクに適用
する。
【0048】2)位相シフト法のフォトマスクに適用す
る。
る。
【0049】3)ペリクルをフォトマスクのクロム面の
みではなくガラス面にも装着したフォトマスク。
みではなくガラス面にも装着したフォトマスク。
【0050】4)開孔部をペリクル枠の側壁に限らず、
他の場所に設ける。また複数個設ける。
他の場所に設ける。また複数個設ける。
【0051】5)バイメタルに限らず、marmen合
金やニチノールなどの形状記憶合金、Ti−Cuなどの
熱膨張率の異なる材質を使用する。
金やニチノールなどの形状記憶合金、Ti−Cuなどの
熱膨張率の異なる材質を使用する。
【0052】6)開孔部の形状が直方体以外のもの、例
えば円形であるもの。
えば円形であるもの。
【0053】7)電極として、高周波電極を用いる。
【0054】等の場合についても、本実施例と同様な効
果が得られることは言うまでもない。
果が得られることは言うまでもない。
【0055】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば 1)半導体装置製造のフォトリソ工程で、透明薄膜から
なるペリクルをペリクル枠を介して装着したフォトマス
クにおいて、前記ペリクル枠に、外部と前記フォトマス
クと前記ペリクル及び前記ペリクル枠により密閉されて
いる領域との通気を行なう機能を有する開孔部を少なく
とも1箇所有し、更に熱により形状の変化する材質で前
記開孔部に蓋をする機能を有する。
なるペリクルをペリクル枠を介して装着したフォトマス
クにおいて、前記ペリクル枠に、外部と前記フォトマス
クと前記ペリクル及び前記ペリクル枠により密閉されて
いる領域との通気を行なう機能を有する開孔部を少なく
とも1箇所有し、更に熱により形状の変化する材質で前
記開孔部に蓋をする機能を有する。
【0056】2)発明の効果1項記載のフォトマスクに
おいて、前記開孔部の蓋となる前記材質に接点を持ち前
記開孔部の外まで延在している電極を少なくとも2本有
する。
おいて、前記開孔部の蓋となる前記材質に接点を持ち前
記開孔部の外まで延在している電極を少なくとも2本有
する。
【0057】3)発明の効果1項記載のフォトマスクに
おいて、表面張力を利用して前記開口部内に留まる液体
により前記開孔部に蓋をする機能を有する。
おいて、表面張力を利用して前記開口部内に留まる液体
により前記開孔部に蓋をする機能を有する。
【0058】4)レチクルケースにおいて、発明の効果
1項および発明の効果2項記載のフォトマスクを装着し
た場合前記フォトマスクに設けられている電極とそれぞ
れ接触し、これがレチクルケース外まで出ている電極を
少なくとも2本有する。
1項および発明の効果2項記載のフォトマスクを装着し
た場合前記フォトマスクに設けられている電極とそれぞ
れ接触し、これがレチクルケース外まで出ている電極を
少なくとも2本有する。
【0059】5)レチクルストッカーにおいて、レチク
ルケースとの接触部分にそれぞれ電極を有し、前記レチ
クルケースに自由に電流を流すことができる機能を有す
る。
ルケースとの接触部分にそれぞれ電極を有し、前記レチ
クルケースに自由に電流を流すことができる機能を有す
る。
【0060】6)投影露光装置のレチクルストッカーユ
ニットにおいて、レチクルケースとの接触部分に電極を
有する。
ニットにおいて、レチクルケースとの接触部分に電極を
有する。
【0061】7)発明の効果6項記載の投影露光装置に
おいて、気圧が設定した気圧値の範囲を外れた場合、レ
チクルストッカーユニットに装着される電極に自動的に
電圧をかける機能を有する。
おいて、気圧が設定した気圧値の範囲を外れた場合、レ
チクルストッカーユニットに装着される電極に自動的に
電圧をかける機能を有する。
【0062】8)半導体装置製造のフォト工程におい
て、発明の効果1項または発明の効果2項記載のフォト
マスクを用いる。
て、発明の効果1項または発明の効果2項記載のフォト
マスクを用いる。
【0063】ことにより、開口部をテープなどでふさぐ
必要がなくなるため気圧変動などが生じるたびに工場内
のフォトマスクに対して、ケースからフォトマスクを取
り出す、あるいは装置にセットされたフォトマスクを装
置から取り出しペリクルを平坦にするための処置をほど
こす必要がなくなり、また気圧変動に即座に対応しペリ
クルの平坦性を保つため、量産性の低下及びフォトマス
クやペリクル面への異物付着を招くことなく、ペリクル
とペリクル枠とフォトマスクとで囲まれる領域と外気と
の通気性を確保しペリクルの平坦性を維持できる、また
これによりフォトマスクに対する異物検査の精度が上が
り、またペリクルが露光装置内で破れることがなくなる
ため、量産性が向上するという効果を有する。
必要がなくなるため気圧変動などが生じるたびに工場内
のフォトマスクに対して、ケースからフォトマスクを取
り出す、あるいは装置にセットされたフォトマスクを装
置から取り出しペリクルを平坦にするための処置をほど
こす必要がなくなり、また気圧変動に即座に対応しペリ
クルの平坦性を保つため、量産性の低下及びフォトマス
クやペリクル面への異物付着を招くことなく、ペリクル
とペリクル枠とフォトマスクとで囲まれる領域と外気と
の通気性を確保しペリクルの平坦性を維持できる、また
これによりフォトマスクに対する異物検査の精度が上が
り、またペリクルが露光装置内で破れることがなくなる
ため、量産性が向上するという効果を有する。
【図1】本発明のペリクルを装着したフォトマスクを示
す図である。
す図である。
【図2】本発明のペリクルを装着したフォトマスクを示
す図である。
す図である。
【図3】本発明のレチクルケースを示す図である。
【図4】本発明のレチクルストッカーを示す図である。
【図5】本発明の投影露光装置のレチクルストッカーユ
ニットを示す図である。
ニットを示す図である。
【図6】ペリクルを装着した従来のフォトマスクを示す
図である。
図である。
11 フォトマスク 12 ペリクル枠 13 ペリクル 14 開孔部 15 バイメタル 16 導線 17 導線 21 フォトマスク 22 ペリクル枠 23 ペリクル 24 開孔部 25 油性液体 26 液体のペリクル枠内部の表面 27 液体のペリクル枠外壁側の表面 301 レチクルケース 302 支持台 303 支持台 304 導線 305 導線 306 レチクル 307 導線 308 導線 309 支持台 310 支持台 311 電極 312 電極 313 電極 314 電極 401 レチクルストッカー 402 ストッカー棚 403 レチクルケース 404 チャッカー 405 チャッカー 406 支持台 407 支持台 408 電極 409 電極 410 導線 411 導線 501 レチクルストッカーユニット 502 スイッチ 503 チャッカー 504 チャッカー 505 電極 506 電極 61 フォトマスク 62 レチクル枠 63 ペリクル 64 開孔部 65 テープ
Claims (8)
- 【請求項1】半導体装置製造のフォトリソ工程で、透明
薄膜からなるペリクルをペリクル枠を介して装着したフ
ォトマスクにおいて、前記ペリクル枠に、外部と前記フ
ォトマスクと前記ペリクル及び前記ペリクル枠により密
閉されている領域との通気を行なう機能を有する開孔部
を少なくとも1箇所有し、更に熱により形状の変化する
材質で前記開孔部に蓋をする機能を有することを特徴と
するフォトマスク。 - 【請求項2】請求項1記載のフォトマスクにおいて、前
記開孔部の蓋となる前記材質に接点を持ち前記開孔部の
外まで延在している電極を少なくとも2本有することを
特徴とするフォトマスク。 - 【請求項3】請求項1記載のフォトマスクにおいて、表
面張力を利用して前記開孔部内に留まる液体により前記
開孔部に蓋をする機能を有することを特徴とするフォト
マスク。 - 【請求項4】レチクルケースにおいて、請求項1および
請求項2記載のフォトマスクを装着した場合前記フォト
マスクに設けられている電極とそれぞれ接触し、これが
レチクルケース外まで出ている電極を少なくとも2本有
することを特徴とするレチクルケース。 - 【請求項5】レチクルストッカーにおいて、レチクルケ
ースとの接触部分にそれぞれ電極を有し、前記レチクル
ケースに自由に電流を流すことができる機能を有するこ
とを特徴とするレチクルストッカー。 - 【請求項6】投影露光装置のレチクルストッカーユニッ
トにおいて、レチクルケースとの接触部分に電極を有す
ることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項7】請求項6記載の投影露光装置において、気
圧が設定した気圧値の範囲を外れた場合、レチクルスト
ッカーユニットに装着される電極に自動的に電圧をかけ
る機能を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項8】半導体装置製造のフォト工程において、請
求項2記載のフォトマスクを用いることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4690693A JPH06258820A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | フォトマスク、レチクルケース、レチクルストッカー、投影露光装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4690693A JPH06258820A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | フォトマスク、レチクルケース、レチクルストッカー、投影露光装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06258820A true JPH06258820A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12760405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4690693A Pending JPH06258820A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | フォトマスク、レチクルケース、レチクルストッカー、投影露光装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06258820A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006284927A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nippon Light Metal Co Ltd | ペリクル、支持枠、枠体および枠体の製造方法 |
CN112838035A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 一种光罩盒及光罩储存柜 |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP4690693A patent/JPH06258820A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006284927A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nippon Light Metal Co Ltd | ペリクル、支持枠、枠体および枠体の製造方法 |
JP4577069B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-11-10 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠、ペリクル用枠体およびペリクル用枠体の製造方法 |
CN112838035A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 一种光罩盒及光罩储存柜 |
CN112838035B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-12-30 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 一种光罩盒及光罩储存柜 |
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