JP2003218023A - Ｘ線反射鏡、ｘ線露光転写装置及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線反射鏡に応力をかけて変形させることが
少なく、しかもＸ線反射鏡を効率的に冷却することがで
きる冷却構造を有するＸ線反射鏡を提供する。 【解決手段】 Ｘ線反射鏡は、Ｘ線反射領域１ａと、Ｘ
線反射領域外１ｂとを持つＸ線反射鏡基板１と、Ｘ線反
射鏡基板１に施されているＸ線反射膜２と、伝熱経路と
なる物体３から構成されている。伝熱経路となる物体３
は、Ｘ線反射鏡基盤１のＸ線反射領域１ａを遮らないよ
う、Ｘ線反射領域外１ｂに接合されており、この伝熱経
路となる物体３のＸ線反射鏡との接合部でない端部が、
冷却機構４に接合されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線反射光学系に
用いられるＸ線反射鏡、及びこのＸ線反射鏡を利用した
Ｘ線露光転写装置、さらには、このＸ線露光転写装置を
利用した半導体デバイスの製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を
向上させるために、従来の紫外線に代わってこれより波
長の短いＸ線を使用した投影リソグラフィー技術が開発
されている。この技術に使用されるＸ線投影露光装置
（Ｘ線露光転写装置）は、主としてＸ線源、照明光学
系、マスク（レチクル）、結像光学系、ウェハ・ステー
ジ等により構成される。

【０００３】Ｘ線源には、放射光光源またはレーザープ
ラズマＸ線源が使用される。照明光学系は、斜入射反射
鏡、反射鏡（多くは多層膜反射鏡）、および所定の波長
のＸ線のみを反射または透過させるフィルター等により
構成され、マスク上を所望の波長のＸ線で照明する。マ
スクには透過型マスクではなく、反射型マスクが使用さ
れる。

【０００４】透過型マスクは、Ｘ線を良く透過する物質
からなる薄いメンブレン（自立膜）の上にＸ線を吸収す
る物質を所定の形状に設けることによってパターンを形
成したものであるが、実用的な寸法のメンブレンを作製
することは困難である。

【０００５】一方、反射型マスクは、例えばＸ線を反射
する多層膜上に反射率の低い部分を所定の形状に設ける
ことによってパターンを形成したものである。このよう
なマスク上に形成されたパターンは、複数の多層膜反射
鏡で構成された投影結像光学系により、フォトレジスト
が塗布されたウェハ上に結像して当該レジストに転写さ
れる。なお、Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、そ
の光路は全て所定の真空度に維持されている。

【０００６】Ｘ線の波長域では、透明な物質は存在せ
ず、また物質表面での反射率も非常に低いため、レンズ
や反射鏡などの通常の光学素子が使用できない。そのた
め、Ｘ線用の光学系は、一般に、反射面に斜め方向から
入射したＸ線を、全反射を利用して反射させる斜入射反
射鏡や、多層膜の各界面での反射光の位相を一致させて
干渉効果によって高い反射率を得る多層膜反射鏡等によ
り構成されている。

【０００７】斜入射光学系は収差が大きいために広い視
野で回折限界の解像力を得ることはできない。一方、多
層膜反射鏡はＸ線を垂直に反射することが可能であり、
回折限界のＸ線光学系を構成することが可能である。従
って、軟Ｘ線投影露光装置の投影光学系（結像光学系）
は、現在においては、すべて多層膜反射鏡で構成され
る。

【０００８】このようなＸ線多層膜反射鏡は、現在のと
ころ、シリコンのＬ吸収端（12.3nm）の長波長側でモリ
ブデンとシリコンからなる多層膜を用いたときに最も高
い反射率が得られるが、波長13〜15nmでは入射角によら
ず70％程度である。シリコンのＬ吸収端よりも短波長側
では、垂直入射で30％以上の反射率が得られる多層膜は
殆ど開発されていない。多層膜反射鏡の基盤材料には、
形状精度が高く表面粗さの小さい加工が可能な、石英等
のガラス材料が用いられている。

【０００９】上述のように、多層膜反射鏡のＸ線反射率
が100％ではない。反射されないＸ線はＸ線反射鏡に吸
収されて熱となり、反射鏡を加熱する。従って、強いＸ
線を入射させると、Ｘ線反射鏡が加熱され、Ｘ線反射鏡
の形状が変形したり、Ｘ線反射鏡表面が熱によって変質
するという問題が発生する。特に熱によるＸ線反射鏡表
面形状の変化は、その光学系の性能に多大な影響を及ぼ
すため、一般にはＸ線照射によって発生する熱による変
形が十分小さくなるまで露光量を小さくする必要があっ
た。また、特開昭６３−３１２６３８号公報に記載され
るように、熱による加熱を防ぐために、Ｘ線反射鏡の裏
側に冷却流路を設けたりして、Ｘ線反射鏡を冷却するこ
とも行われていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、非常に
高精度で加工されることを要求されるＸ線反射鏡は、高
精度な加工が可能な石英等のガラス材料で製作されてお
り、その固定方法もＸ線反射鏡に応力が加わらないよう
板ばね等を用い位置決めがなされてきた。しかし、Ｘ線
照射による熱変形や光学系位置決めによって、従来のＸ
線反射鏡に剛的に結合された冷却では、冷却機構がＸ線
反射鏡へ応力をかけてしまい、冷却効果以上に反射鏡を
歪ませる原因の一つになり、光学性能を劣化させる一因
となっていた。

【００１１】そのため、Ｘ線反射鏡の変形の影響が特に
大きい高精度のＸ線投影露光装置においては、Ｘ線照射
により発生する熱の影響を避けるため、露光量を少なく
しなければならず、処理能力が小さくなってしまうとい
う問題があった。

【００１２】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、Ｘ線反射鏡に応力をかけて変形させることが少
なく、しかもＸ線反射鏡を効率的に冷却することができ
る冷却構造を有するＸ線反射鏡、それを利用したＸ線露
光転写装置、さらには半導体デバイスの製造方法を提供
することを課題とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、Ｘ線光学系を形成するためのＸ線反射
鏡であって、Ｘ線反射領域外に剛性の小さな伝熱体を接
合し、伝熱経路としたことを特徴とするＸ線反射鏡（請
求項１）である。

【００１４】Ｘ線反射鏡は、その面の一部がＸ線反射領
域と使用され、Ｘ線反射領域と同じ側の他の部分及びＸ
線反射領域と反対の面は、Ｘ線の反射には寄与しない。
本手段においては、このようなＸ線反射領域外に、剛性
の小さな伝熱体を接合し、それを伝熱経路として使用す
ることにより、Ｘ線反射鏡の冷却を行っている。よっ
て、Ｘ線反射鏡を効率的に冷却することができ、しか
も、従来のＸ線反射鏡に剛的に結合された冷却機構に比
して、冷却機構がＸ線反射鏡へ応力をかけてＸ線反射鏡
を歪ませる度合いが小さくなる。伝熱体としては、アウ
トガスがＸ線光学系に悪影響を与えないものを用いるこ
とが望ましいが、アルミニウムや銅を用いれば特に問題
はない。

【００１５】ここで「剛性の小さな伝熱体」というの
は、剛性の小さい物質、例えばアルミニウムでできた伝
熱体や、剛性の小さい構造とされた伝熱体を意味する。
剛性が小さいとは、伝熱体の変形に起因して発生する応
力がＸ線反射鏡に、その必要とされる精度上問題となる
ような変形を与えないような程度の剛性の小ささをい
う。剛性の小さい構造とするためには、伝熱体の形状自
体を剛性の小さいものとしたり、伝熱体の機械的な構造
を、例えば多関節構造や蛇腹構造等の剛性の低い構造と
するような、任意の方法を採用することができる。

【００１６】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、剛性の小さな伝熱体としてテ
ープ状又は線状の伝熱体が用いられていることを特徴と
するもの（請求項２）である。

【００１７】本手段においては、剛性の小さい構造の１
種として、テープ状又は線状の形状である伝熱体を用い
ているので、これらの剛性は極めて小さい。よって、Ｘ
線反射鏡にかかる応力を極めて少なくすることができ
る。一方、冷却効果は、これらテープ状又は線状の伝熱
体の数を増やして伝熱面積を大きくすることにより、大
きくすることができる。

【００１８】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第２の手段であって、Ｘ線反射鏡基盤としてガラス
材料が、テープ状又は線状の伝熱体として金属が用いら
れ、それらの接合が陽極接合で行われていることを特徴
とするもの（請求項３）である。

【００１９】前述のように、Ｘ線反射鏡は高精度な加工
が可能な石英等のガラス材料を基盤として形成されてい
ることが多いが、本手段においては、これら、従来のＸ
線反射鏡の特長をそのまま持つものとすることができ
る。さらに、ガラス材料と金属の接合が陽極接合で行わ
れているので、これらの間の密着性が高く、熱抵抗を小
さくすることができる。よって、この面でも高い伝熱効
率を有するものとすることができる。

【００２０】前記課題を解決するための第４の手段は、
前記第１の手段であって、Ｘ線反射領域外に金属が蒸着
され、この金属に剛性の小さな伝熱体が溶接接合されて
いることを特徴とするもの（請求項４）である。

【００２１】本手段においては、線反射領域外に蒸着さ
れた金属に剛性の小さな伝熱体が溶接接合されているの
で、接合部分における熱抵抗を小さくすることができ、
高い伝熱効率を有するものとすることができる。

【００２２】前記課題を解決するための第５の手段は、
Ｘ線を利用してレチクルに形成されたパターンをウェハ
に露光転写するＸ線露光転写装置であって、前記第１の
手段から第４の手段のいずれかのＸ線反射鏡を使用して
いることを特徴とするＸ線露光転写装置（請求項５）で
ある。

【００２３】本手段においては、冷却機構がＸ線反射鏡
へ応力をかけてＸ線反射鏡を歪ませる度合いが小さくな
るようなＸ線反射鏡を使用しているので、Ｘ線反射鏡を
効率的に冷却することができ、熱変形を小さくすること
ができる。よって、全体として露光転写精度の良いＸ線
露光転写装置とすることができる。従って、高い線幅精
度要求されるパターンを露光転写することができる。な
お、本手段（請求項５）において、レチクルとは、マス
クをも含む概念である。

【００２４】前記課題を解決するための第６の手段は、
前記第５の手段であるＸ線露光転写装置を使用して、レ
チクルに形成されたパターンをウェハに露光転写する工
程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法
（請求項６）である。

【００２５】本手段においては、高い線幅精度要求され
るパターンを露光転写することができるので、集積度の
高い半導体デバイスを製造することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】Ｘ線投影光学系における各反射鏡
の形状は、一般に、光軸を中心として回転対称の形状を
しているが、有効域はその表面の一部であり、しかも必
ずしも光軸を中心としていない。図７は、非球面のＸ線
反射鏡１１、１２、１３を用いたＸ線縮小投影光学系の
例である。図７に示されたそれぞれの反射鏡の太線部分
１１ａ、１２ａ、１３ａがＸ線反射領域である。このよ
うに、Ｘ線反射鏡においては、表面に有効域以外の部分
が十分あるので、有効領域以外の部分をも利用して冷却
手段を設置することができる。

【００２７】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
を説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１は、本発明の第１の実施の形
態を示す構成図であり、（ａ）はＸ線反射鏡の平面図、
（ｂ）は断面図である。本Ｘ線反射鏡は、Ｘ線反射領域
１ａと、Ｘ線反射領域外１ｂとを持つＸ線反射鏡基盤１
と、Ｘ線反射鏡基盤１に施されているＸ線反射膜２と、
伝熱経路となる物体３から構成されている。本Ｘ線反射
鏡は、従来方法と同じように、Ｘ線反射鏡に応力が加わ
らないよう板ばね等を用い、真空容器内に位置決めされ
ている。

【００２８】本Ｘ線反射鏡は、波長13nmのＸ線縮小露光
の投影光学系に用いるもので、Ｘ線反射鏡基盤１の材質
には石英を用いており、その反射面形状は高精度に加工
されている。また、Ｘ線反射膜２は、波長13nmのＸ線の
反射率が高いMo/Si多層膜を使用している。Ｘ線反射膜
は、Mo/Siに限らず、使用する波長に応じて、波長10-15
nmで高い反射率を示すMo,Ro, Rh等の物質と、Si, Be,
Ｂ_４Ｃ等の物質とを組み合わせた多層膜でもよい。図１
に示してあるように、伝熱経路となる物体３は、Ｘ線反
射鏡基盤１のＸ線反射領域１ａを遮らないよう、Ｘ線反
射領域外１ｂに接合されており、この伝熱経路となる物
体３のＸ線反射鏡との接合部でない端部が、冷却機構４
に接合されるようになっている。

【００２９】Ｘ線反射鏡は、Ｘ線反射領域１ａ上のＸ線
反射膜２でＸ線が反射されると同時に、反射されないＸ
線はＸ線反射膜２に吸収され熱に変化する。発生した熱
は、熱伝導率の高いＸ線反射膜２中を伝達し、Ｘ線反射
領域１ａから、Ｘ線反射鏡基盤１全体に伝搬して行き、
Ｘ線反射膜２全体の温度を上昇させる。よって、Ｘ線照
射領域外１ｂの内部であって、熱発生源となるＸ線照射
領域１aに近い部分に伝熱経路となる物体３を接合する
ことがより効率的である。Ｘ線照射領域１aの裏面に伝
熱経路となる物体３を接合するようにしてもよい。

【００３０】物体３の剛性を物性的、又は構造的手段に
より小さくすることで、熱変形や光学的位置決め等に際
してＸ線反射鏡に係る応力を最小限にすることができ
る。物体３の材料としては、効率的に冷却を行うという
観点から、熱伝導率の高い銅やアルミニウム等の金属を
用いることが好ましい。本実施の形態では、比較的剛性
の小さい材料であるアルミニウムを物体３の材料として
用い、また、その形状も剛性が小さくなるように、棒状
としている。冷却を効率的に行うためには、なるべく多
くの物体３を設けることが好ましい。

【００３１】接合は熱抵抗を小さくするため接着剤等を
はさまずに直接押し付けるのがよい。方法としては、ね
じ締結や接着剤で覆う接合等を用いることが好ましい。

【００３２】Ｘ線の照射により発生した熱はＸ線反射鏡
内にとどまらず、伝熱経路となる物体３を介して冷却機
構部４に吸収される。冷却機構部４は、冷却用媒体を循
環させた冷却機構部を用いている。冷却用媒体は水や油
などの液体や、フロンなどのガスでもよい。冷却機構部
４は冷却機能さえあれば、どのような方式のものでもよ
い。

【００３３】一般に、Ｘ線反射鏡は真空容器中に収納さ
れるが、冷却機構部４は真空容器外に設けることが好ま
しい。その場合には、伝熱経路となる物体３が真空容器
壁面を通過することになるので、適当なシールが必要で
あることはいうまでもない。

【００３４】＜第２の実施の形態＞図２は、本発明によ
る第２の実施の形態を示すもので、（ａ）はＸ線反射鏡
の平面図、（ｂ）は断面図である。以下の図において、
本欄における前出の図中に示された構成要素と同一また
は対応する構成要素には同一符号を付し、その説明を省
略する。

【００３５】本実施の形態が前記第１の実施の形態と異
なるところは、（１）伝熱経路となる物体をテープ状の
物体３ａと熱伝達体５の組み合わせにした点と、（２）
伝熱経路となる物体３ａとＸ線反射鏡基盤１との接合に
陽極接合を用いている点にある。

【００３６】伝熱経路となるテープ状の物体３ａの一端
はＸ線反射基盤１に接合され、他端は熱伝達体５に結合
されている。テープ状の物体３ａの長さは、Ｘ線反射基
盤１と熱伝達体５との間隔が変化しても、互いの間に問
題となるような応力が発生しないように、熱伝達体５と
Ｘ線反射基盤１との間隔に対して十分に余裕を持った長
さとする。このような構成にすることによって、たとえ
熱伝達体５が剛性の高いものであったとしても、冷却機
構がＸ線反射鏡に応力を与えることを防止しながら、熱
媒体（テープ状の物体３ａ及び熱伝達体５）を通してＸ
線反射鏡を効率的に冷却することができる。なお、熱伝
達体５としては、熱伝導率の高い金属が好ましく、ま
た、中を中空にして中空部に冷媒を流すようにして冷却
能率を高めてもよい。

【００３７】伝熱経路となるテープ状の物体３ａは、例
えば厚さ0.05mm、幅10mmのものを用い、Ｘ線反射基盤１
と熱伝達体５との間隔が150mmの場合、長さ300mmのもの
を使用する。テープ状の物体３ａの厚さを薄くすること
により、その剛性を著しく小さくすることができ、か
つ、その長さをＸ線反射基盤１と熱伝達体５との間隔に
対して十分くすることにより、前述のようにＸ線反射鏡
にほとんど応力をかけないようにすることができる。

【００３８】一方、このようにすると、伝熱経路となる
テープ状の物体３ａの断面積は小さくなるので、図３に
示すように、多数枚の伝熱経路となるテープ状の物体３
ａを接合部分６でのみ互いに接合する形で組み合わせる
ことで伝熱効率をあげることができる。一つの実施例で
は２０枚で十分な効果がでたが、幅、厚さの組合せによ
り最適な枚数を適宜用いるとよい。

【００３９】陽極接合の際は、例えば、Ｘ線反射鏡基盤
１にはガラス、伝熱経路となる物体３にはアルミを使用
し、圧着した状態で熱と電圧をかけて、Ｘ線反射鏡基盤
１と伝熱経路となる物体３を陽極接合する。陽極接合は
接着剤等の媒体をはさむことが無く、密着性が高いため
熱抵抗を最小限にすることができるため、より効率的な
冷却を行えるとともに、接着剤等媒体からのガスやゴミ
の発生を考慮しなくていいためＸ線縮小投影露光光学系
のような真空環境での使用にも適している。

【００４０】なお、陽極接合に際しては、陽極接合をす
る領域の多層膜を部分的に除去するか、多層膜上に陽極
接合可能な材料を形成しておくようにする。

【００４１】＜第３の実施の形態＞図４は、本発明の第
３の実施形態を示すもので、（ａ）はＸ線反射鏡の平面
図、（ｂ）は断面図である。本実施の形態が前記第２の
実施の形態と異なるところは、（１）伝熱経路となる線
状物体３ｂであり、（２）Ｘ線反射鏡基盤１のＸ線照射
領域１ａ外に金属７が蒸着され、（３）伝熱経路となる
物体３ｂがＸ線反射鏡基盤１に蒸着された金属７に溶接
接合されている点にある。

【００４２】Ｘ線反射鏡基盤１にはガラス、伝熱経路と
なる線状物体３ｂには銅線を使用し、Ｘ線反射鏡基盤１
のＸ線照射領域１ａ外には銅７を蒸着している。また溶
接接合は、電気回路等で用いる電気抵抗の少ないはんだ
を用いている。伝熱経路として線状物体である銅線を用
いることで、剛性を小さくすることができ、Ｘ線反射鏡
の熱変形や光学的位置調整によって応力がかかることな
く伝熱経路を得ることができる。また、蒸着を用いるこ
とでＸ線反射鏡基盤１の形状にかかわらず任意の位置に
伝熱経路を設けることができる上、より大きな伝達経路
を確保できるため、より効率的な冷却を行えるととも
に、最適な位置に伝熱経路を手軽に得ることができる。

【００４３】以上、Ｘ線反射鏡に関する実施の形態を示
したが、本発明の実施の形態であるＸ線露光転写装置
は、その基本構造は図７に示す従来のＸ線露光転写装置
と異なるところはなく、ただ、Ｘ線反射鏡として本発明
に係るＸ線反射鏡のみを使用しているところが異なるの
みであるので、その説明を省略する。

【００４４】以下、本発明に係る半導体デバイスの製造
方法の実施の形態の例を説明する。図５は、本発明の半
導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートであ
る。この例の製造工程は以下の各種工程を含む。 ウェハを製造するウェハ製造工程（又はウェハを準備
するウェハ準備工程） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又
はマスクを準備するマスク準備工程） ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング
工程 ウェハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動
作可能にならしめるチップ組立工程 できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程から
なっている。

【００４５】これらの主工程の中で、半導体のデバイス
の性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッ
シング工程である。この工程では、設計された回路パタ
ーンをウェハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動
作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシン
グ工程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程 薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマス
ク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成する
リソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエ
ッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 さらに加工されたウェハを検査する検査工程 なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。

【００４６】図６は、図５のウェハプロセッシング工程
の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含
む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウェハ上にレ
ジストをコートするレジスト塗布工程 レジストを露光する露光工程 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを
得る現像工程 現像されたレジストパターンを安定化させるためのア
ニール工程 以上の半導体デバイス製造工程、ウェハプロセッシング
工程、リソグラフィー工程については、周知のものであ
り、これ以上の説明を要しないであろう。

【００４７】本発明の実施の形態においては、のレジ
スト露光工程に、本発明に係るＸ線露光転写装置を使用
しているので、精度の良い露光転写を行うことができ、
精密なパターンの半導体デバイスを製造することができ
る。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ線反射鏡に応力をかけて変形させることが少なく、し
かもＸ線反射鏡を効率的に冷却することができる冷却構
造を有するＸ線反射鏡、それを利用したＸ線露光転写装
置、さらには半導体デバイスの製造方法を提供すること
ができる。

【００４９】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態であるＸ線反射鏡の
概略図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態であるＸ線反射鏡の
概略図である。

【図３】図２に使用されているテープ状物体の説明図で
ある。

【図４】本発明の第３の実施の形態であるＸ線反射鏡の
概要図である。

【図５】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示す
フローチャートである。

【図６】リソグラフィー工程の例を示す図である。

【図７】Ｘ線縮小投影露光光学系を示す概要図である。

【符号の説明】

１…Ｘ線反射鏡基盤 １ａ…Ｘ線反射領域 １ｂ…Ｘ線反射領域外 ２…Ｘ線反射膜 ３…伝熱経路となる物体 ３ａ…伝熱経路となるテープ状物体 ３ｂ…伝熱経路となる線状物体 ４…冷却機構 ５…熱伝達体 ６…接合部分 ７…金属（銅）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ Ｇ２１Ｋ 1/06 Ｇ０２Ｂ 7/18 Ｚ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線光学系を形成するためのＸ線反射鏡
   であって、Ｘ線反射領域外に剛性の小さな伝熱体を接合
   し、伝熱経路としたことを特徴とするＸ線反射鏡。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のＸ線反射鏡であって、
   剛性の小さな伝熱体としてテープ状又は線状の伝熱体が
   用いられていることを特徴とするＸ線反射鏡。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のＸ線反射鏡であって、
   Ｘ線反射鏡基盤としてガラス材料が、テープ状又は線状
   の伝熱体として金属が用いられ、それらの接合が陽極接
   合で行われていることを特徴とするＸ線反射鏡。
4. 【請求項４】 請求項１に記載のＸ線反射鏡であって、
   Ｘ線反射領域外に金属が蒸着され、この金属に剛性の小
   さな伝熱体が溶接接合されていることを特徴とするＸ線
   反射鏡。
5. 【請求項５】 Ｘ線を利用してレチクルに形成されたパ
   ターンをウェハに露光転写するＸ線露光転写装置であっ
   て、請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の
   Ｘ線反射鏡を使用していることを特徴とするＸ線露光転
   写装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のＸ線露光転写装置を使
   用して、レチクルに形成されたパターンをウェハに露光
   転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイス
   の製造方法。