JPH06181080A - 電気信号線路のための多極プラグコネクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 多極プラグコネクタの中に低域通過フィルタ
と、高周波の障害を確実に除去するπ形フィルタとを有
することを目的とする。 【構成】 多極プラグコネクタにおいて、信号線路のピ
ンの各々に対するプレーナフィルタがコンデンサを有
し、この場合、酸化アルミニウムセラミックからまたは
強磁性体のセラミックから形成される基板の上に被着さ
れた基本電極が信号線路のための貫通案内の領域におい
て、これらの貫通案内を囲んで設けられている別の切欠
を有しており、該切欠により誘電体層がブリッジを介し
て基板の材料と接続されて該材料に係合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも１つの導電
性のシェル体を有するケーシングを備え、このケーシン
グ中を例えばディジタル化された信号を導く線路が走行
し、さらに該ケーシング中に、基板の上に構成されたプ
レーナフィルタが設けられており、さらに前記信号のう
ちの少なくとも数本に対して設けられた複数個のコンデ
ンサを備え、該コンデンサは基板の上に被着された基本
電極と、該基本電極上へ被着された誘電体層と、該誘電
体層の上へ被着された対向電極とから構成されており、
この場合、前記の電極のうちの一方の電極が連続してア
ース電極として構成されてケーシングと導電接続されて
おり、さらに前記の電極のうちの他方の電極が個別の信
号電極に分割されて信号線路と導電接続されており、さ
らにこの場合、基板と誘電体層と少なくとも１つの電極
が信号線路を貫通案内するための切欠を有している形式
の多極プラグコネクタに関する。

【０００２】

【従来技術】多極プラグコネクタは電子機器において、
例えば電子ユニットから別の電子装置へ例えば第１の計
算器から第２の計算器へ、信号を伝送するデータ処理に
おいて用いられる。この信号伝送の場合、機器へ接続さ
れているケーブルを介して信号が（著しく）高いパルス
列を有するパルスとして伝送される。この場合、著しく
高いＭＨｚの範囲に存在する、計算器のパルス列のこの
伝送は、さらに高い周波数に相応するパルス側縁により
損傷され、その結果、伝送の到達距離が特に並列のイン
ターフェースを介して短くされている。発生する障害に
対して周囲の障害電界も関与する。この周囲の電磁気的
障害電界−多少はシールド部材により減衰されて−も障
害信号を発生させ、この障害信号は信号伝送においてエ
ラーを生ぜさせる。この障害を例えば機器から到来する
内部の障害作用を除去する目的で、例えば米国特許第２
８４１号、第３２００３５５号、第３４４７１０４号、
第３５３８４６４号公報およびフランス国特許出願公開
公報第７８１０２４２号に、既に多極プラグコネクタが
提案されている。これらの提案の場合、実質的に複数個
のコンデンサから構成されるプレーナフィルタが、多極
プラグコネクタの中に組み込まれており、この場合これ
らのコンデンサは信号線路からアース電極へ接続されて
いて低域通過フィルタを構成する。これらの提案されて
いるプレーナフィルタの場合、セラミック支持体に、ケ
ーシングと導電接続されている第１電極が設けられてお
り、この電極上へ絶縁層が被着されており、この絶縁層
がコンデンサの誘電体を形成し、さらにこの絶縁層の上
へ、信号線路と導電接続された対向電極が被着されてい
る。この場合、温度差が生ずると、異なる温度膨張係数
の結果支持体と特に誘電層との間の機械的張力において
求められるべき問題が生ずる。

【０００３】

【発明の解決すべき問題点】本発明の課題は、この種の
フィルタ挿入体を多極プラグコネクタの中に低域通過フ
ィルタとして、温度差を問題なく克服できるように組み
込めるように開発することである。さらにこの課題の具
体化として、多極プラグコネクタを、高周波の障害を確
実に除去するπ形フィルタとして構成することである。

【０００４】

【課題解決のための手段】この課題は本発明により、冒
頭に述べたプラグコネクタにおいて次のようにして解決
されている。即ち信号線路のピンの各々に対するプレー
ナフィルタがコンデンサを有し、この場合、酸化アルミ
ニウムセラミックからまたは強磁性体のセラミックから
形成される基板の上に被着された基本電極が信号線路の
ための貫通案内の領域において、これらの貫通案内を囲
んで設けられている別の切欠を有しており、該切欠によ
り誘電体層がブリッジを介して基板の材料と接続されて
該材料に係合されている構成により、解決されている。

【０００５】この構成により達せられることは、信号線
路の各々が、アース電極へ導く、それだけで既に低域通
過フィルタとして作用できるコンデンサを有することで
ある。誘電体層−通常はチタン酸塩例えばバリウムチタ
ン酸塩−の材料の、酸化アルミニウムのまたは強磁性体
のセラミック支持体上への固定は、ピン切欠の各々の領
域における切欠により可能にされる。これによりこれら
の両方の層の間の直接の材料の接触が形成される。酸化
アルミニウムセラミックの使用と並んで可能な強磁性体
のセラミックの使用が、セラミック支持体中を走行する
信号線路の長手方向インダクタンスを増加させ、そのた
め低域通過作用が向上される。

【０００６】本発明の構成によれば、基本電極の別の切
欠が格子状に貫通案内切欠を囲むようにし、該切欠が、
２つの隣合う信号線路貫通案内の例えば中心線上に設け
られている。信号線路貫通案内を中心とする固定個所の
この配置は、その対称性を向上させ、製造性を改善しそ
のため温度変動に対する安定性も改善する。この種の構
造体の製造は、厚膜技術における通常の製造法により行
なわれる、例えば網目印刷法を用いたまたはフォトリト
グラフを用いたコーティングを介して行なわれる。この
場合、フォトラッカー被着、この構造を有する原画によ
る露光、露光されなかった領域の除去および／またはエ
ッチングが行なわれ、この場合、別の切欠が貫通案内切
欠をないし貫通案内電極を囲み、さらにこれらの間にも
設けられている。有利には、共通の電極を構成する金属
化が、相応の接触条体を形成するために少なくとも、基
板の例えば金属化された縁まで導かれている。絶縁性の
支持体上での金属化のこの拡張により、コンデンサの信
号電極として作用する電極と、例えばろう浴法を用いて
接続されるべき信号線路との間の導電接続が簡単に形成
可能となる。

【０００７】本発明の構成によれば、信号線路と接続さ
れている個別電極を構成する金属化が、相応の接触条体
を形成する目的で、信号線路のための個々の貫通案内切
欠の中まで案内されている。この構成により、簡単に接
触接続可能な装置が提供される。この場合、縁条体の金
属化は通常のろうペーストのスクリーン印刷により実施
され、そのため縁は、個々の電極と信号線路とのろう付
けの際に共に溶融されそのため隙間のない被覆を形成す
る。この溶融された金属化が付加的にさらに導電性のラ
ッカーで覆われると有利である。この隙間のないラッカ
ー被覆により次のことが達せられる。即ちこのようにし
て前もって準備されたフィルタ挿入体は、寸法偏差がま
たは例えば温度変動に起因する多少の変形が存在する時
でも、良好な接触接続の付与をもって支持体中へ挿入可
能となる。

【０００８】接触接続−これがろう付けによるものであ
れクランプ接触接続によるものであれ−次の構成は有利
である。即ち接触片の設けられている、金属のフィルタ
支持体がプレーナフィルタを収容のために設けられてお
り、この場合、該接触片が、プレーナフィルタの基板の
例えば金属化された縁の上へ押圧されて共通の電極への
電気接触接続を形成している。この構成により、次のよ
うなフィルタ支持体が提供される。即ち一方ではプレー
ナフィルタを、フィルタ支持体が共通の電極と電気的に
接触接続されそのため貫通接触接続が簡単に可能とな
り、この場合、この接触接続は熱膨張の場合でも維持さ
れる。

【０００９】本発明の構成によれば、共通の電極は例え
ば、多極のプラグコネクタの２つの半分から成るケーシ
ングの少なくとも１つのシェル体へ、フィルタ支持体と
ケーシングシェル体とが導電接続されるように、挿入さ
れる。この構成は準備されるプレーナフィルタの簡単な
製造を可能にする。このフィルタは次に（または故障時
には交換の際に）金属支持体の中へ挿入され、この金属
支持体が次に金属ケーシング中へまたはそのシェル体半
部の中へ挿入され、さらにこのシェルの中の接触片およ
び／またはクランプ部材によりこのケーシングと即ち共
通のアース電極と、この目的のためにろう付けの必要な
く、導電接続される。この場合、接触片の弾性がおよび
／または金属シェル体の弾性が、例えば熱膨張に起因し
て発生する寸法偏差を橋絡する。

【００１０】本発明によれば、接触接続は、例えば導電
プラスチックまたはゴムから成る導電性の挿入体への当
接ないし押圧により形成される。この挿入体は金属のフ
ィルタ支持体とプレーナフィルタとの間に設けられる。
組み立ての際にこのプレーナフィルタはこの導電性の挿
入体上へ置かれ、フィルタ支持体の閉鎖の際にも押圧ま
たは当接される。そのため確実なかつフィルタの目的に
対して十分な接触接続が与えられる。この場合この挿入
体の導電度は有利に１０³Ｓの範囲にある。この場合、
挿入体が周回するフレームとして構成されれば十分であ
る。この場合も弾性挿入体における平らな当接により、
熱膨張に起因する寸法偏差の場合も維持される確実な接
触接続が得られる。

【００１１】本発明によれば、フィルタ支持体の中へ挿
入されたプレーナフィルタが、片側または両側に設けら
れる、プラスチックまたはゴムから成るカバーを有し、
該カバーがプラグコネクタのピンまたはソケットに対応
してせん孔されている。この配置の場合、接触接続は、
フィルタケーシングと直接接触する接触片を介して行な
われるか、または導電性の挿入体を介して行なわれる。
この場合、プレーナフィルタと例えばコンデンサは、支
持体を形成するこのカバーにより、例えば衝撃から保護
される。

【００１２】本発明によれば、基板の上へ被着された、
貫通案内切欠と別の切欠を有する基本電極が、基板の例
えば金属化された縁まで連続するように構成されていて
さらに縁の上で接触条体を構成し、該接触条体はアース
電極としてフィルタ支持体とないし導電性のプラスチッ
ク−またはゴム挿入体と接続されるようにし、他方、誘
電体層の上へ被着された対向電極が、各々の信号線路の
ためにその貫通案内の領域において実質的に容器状に基
板の表面の高さまでかつ貫通案内の中へ信号線路との接
続のための接触条体として導かれており、この場合、基
本電極において接続ブリッジのために設けられている切
欠が、貫通案内された信号線路を実質的に格子状に、間
隔をおいて囲むように構成されている。この構成に対し
て代替的に本発明によれば、基板の上へ被着された、貫
通案内切欠と別の切欠の設けられた基本電極が複数個の
個別電極へ分割されており、さらに貫通案内の領域にお
いてこの貫通案内の中へ導かれて、信号電極の、信号線
路との接続のための接触条体を構成し、他方、対向電極
が連続するアース電極として構成されて縁領域において
実質的に鉄板状に基板の高さまで引き伸ばされてその基
板の例えば金属化された縁の上へ導かれて接触条体を構
成しさらにフィルタ支持体とないし導電性のプラスチッ
ク−ないしゴム挿入体と接続されるようにし、この場
合、対向電極の中に設けられている切欠が信号線路を間
隔をおいて囲むように構成したのである。

【００１３】第１実施例の場合は支持体上に平面的に被
着されている電極がアース電極として形成されており、
この電極は基板の縁まで導かれているのに対し、信号電
極は、信号線路のピンを囲む個々の“島”を形成する。
このことは第２の実施例の場合はまさに逆になる：この
場合も信号線路のピンのまわりに“島”を形成する信号
電極が基板の上に置かれて実質的に格子状の構造を有す
る。個々の間隔は、電気的な接続が回避されるように、
配慮する。有利に、誘電体層の上に被着された対向電極
が絶縁性の被覆により覆われており、この場合例えば、
ろう付個所として設けられている、信号線路との接続部
が空けておかれている。このカバーにより湿気結露の影
響が低減され、この場合、カバーとして有利にシリコン
樹脂が用いられる。

【００１４】本発明によれば、信号線路の少なくとも一
部に対して電圧ピークを制限するスイッチングエレメン
トが例えばツエナーダイオードまたはアバランシュダイ
オードまたはバリスタが設けられており、該エレメント
が例えば、基板の、コンデンサとは反対側の側面へ、接
触条体の縁においてこの接触条体と信号線路の貫通案内
の接触条体との間にろう付けされている。この構成によ
り、挿入されたプレーナフィルタが電圧ピークを捕捉し
そのため後置接続されている電子機器を保護する。この
種の構成部材を用いて電圧ピークが、例えば相応の計算
器の入力側におけるまたは印刷器入力側における、単な
る障害を上回る損傷が回避されるように、制限する。

【００１５】本発明によれば、信号線路の少なくとも一
部が、フィルタ収容体の中に設けられているプレーナフ
ィルタの少なくとも一方の側面において例えば両側に、
長手方向インダクタンスを高める減衰素子をフェライト
片等の形式で、Ｌ形またはＴ形フィルタ装置を形成する
ために設けられている。この場合、有利に、長手方向イ
ンダクタンスを高める減衰素子として、強磁性体材料か
ら例えば強磁性体セラミックから成るピン収容体が設け
られている。強磁性体のセラミック支持体に対して場合
により付加的に、信号線路のうち少なくとも数本の信号
線路のピンの上へ置かれる、強磁性体のセラミックから
成る球体または中空体が、当該の信号線路の長手方向イ
ンダクタンスを高める。その結果、並列容量のフィルタ
作用が、相応のＬ形またはＴ形フィルタ装置の構成によ
り高められ、さらに１つまたは複数個の遮断周波数が所
望の領域においておよび場合により一層低い値の方向へ
移される。

【００１６】本発明の構成によれば、プラグコネクタの
ケーシングが第１のおよび第２のシェル体から構成され
ており、この場合、シェル体の中に設けられているプラ
グ接続部が信号線路に対してプラグピンとして、および
／またはプラグソケットとして構成されており、この場
合例えば信号線路が個々の信号線路の占有を変化させる
ために可変の端子と接続されるようにし、さらにプラグ
接続体が中間プラグとしてまたはアダプタとして用いら
れる。この種の二重シェル体ケーシングの使用により、
中間プラグがまたは結合部材が形成される。これは長い
線路中に挿入されて障害を抑圧することが可能であり、
さらに例えば接続されている計算器からの高周波の障害
の侵入を阻止できる。この場合、有利であるのは、ケー
シングシェルの中へ挿入された第１のプラグコネクタ部
分の信号線路のピンの、第２のプラグコネクタ部分の信
号線路のピンとの接続が、次のように行なわれることで
ある。即ち個々の信号線路の占有の変化が、プラグコネ
クタがアダプタとして用いられる様に行なわれる。アダ
プタとしての構成は本発明によれば、ケーシングの第１
のシェル体の信号線路の間の、ケーシングの第２のシェ
ル体の信号線路との数個の接続において少なくとも、電
子構成エレメントが整合素子として設けられている。こ
の種の構成により達せられることは、種々異なる線路構
成への適合化が行なわれ、さらに場合により個々の線路
の適合化も行なえることである。

【００１７】本発明によれば、ケーシングのシェル体の
両方の中に各１つのプレーナフィルタが設けられてお
り、さらにこれらのプレーナフィルタ間の信号線路の少
なくとも数本が、付加的な強磁性体の減衰素子を中空コ
アまたは中実体として設けられており、該減衰素子がプ
レーナフィルタの長手方向インダクタンスを高めるよう
にして並列コンデンサの間に設けられて、このように配
線された信号線路に対して作用するπ形フィルタを構成
する。この種のπ形フィルタにより高い周波数の効果的
な濾波が、十分に制限された周波数限界の場合も達せら
れる。さらに１つのフィルタの設けられた多極プラグコ
ネクタの低域通過特性を改善する利点が得られる。

【００１８】

【実施例】次に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

【００１９】図１は、チップジャック６．１を有する多
極プラグコネクタ１の構成のおよび、プラグピン７．１
を有する多極プラグコネクタ２の構成の分解図を示す。
両方のプラグコネクタ１と２は金属ケーシング４を有す
る。このケーシングは２つのシェルで構成されており、
両側からプラグコネクタの内部を収容し、さらにこのケ
ーシングを介して、アース接続を形成できる。この目的
でケーシング４は突出するカラー４．１を有する。この
カラーは、チップジャック６．１を有するコンセント配
線板６をないしプラグピン７．１を収容しさらにそのし
ゃへいを形成する。このしゃへいはそのアースとの接続
を、接続されるべきプラグコネクタを介して得る。チッ
プジャック６．１の後端は接続ピン６．２を有し、さら
にプラグピン７．１は接続ピン７．２を有する。これら
は組み立てられたプラグコネクタのケーシングから突出
し、さらに例えばろう付ピンとしてプラグカードの上へ
またはプレート上へろう付けできる。両方のケーシング
シェル４の間へ、フィルタ１０を収容するフィルタ支持
体９が挿入されている。この場合、フィルタ支持体９は
接触舌状片９．１を有している。この舌状片は、プレー
ト状のプレーナフィルタ１０のベース板１１の外側の金
属化された縁１１．１の少なくとも１つの上へ導かれ
る、共通の電極１４ないし１６（図８）の金属化１４．
１ないし１６．１に接する。その結果これが、フィルタ
支持体９との一方の接続を形成する。フィルタ支持体９
は、この金属ケーシング４の中へ収容されて、これと導
電接続される。この場合、ケーシング縁は相応の成形ま
たは相応の接触舌状体を有し、これがクランプにより確
実な接触形成を達成する。

【００２０】図２はチップジャック６．１を有するプラ
グコネクタ１を詳細に示す。展開図（図２のａ）におい
てケーシング４の両方のシェルを有する構造が示されて
いる。この場合、それらのカラー４．１は外側へ向いて
いる。これらの両方のシェルの間に、一方ではチップジ
ャック６．１を収容する、その形が、所属のケーシング
４の所属のシェルに適合されたコンセント盤６および、
接続ピン６．２を収容するピン収容体８．１が設けられ
ており、これらの間に（図示されていない）フィルタを
有するフィルタ収容体９が設けられている。この場合、
接続線がチップジャック６．１からその所属の接続ピン
６．２へフィルタを通って導かれている。この目的でプ
レーナフィルタ１０はこれらの線路１２．１の各々に対
して切欠（図７参照）を有する。この場合このピン収容
体８．１は同時に、フィルタホルダー９の中へ挿入され
るプレーナフィルタ１０を保護する支持体を構成する。
この支持体は非導性のプラスチックからまたはショア硬
度が約４０°〜６０°のゴムから製造される。プレーナ
フィルタは衝撃および振動から保護され、さらにこれ
に、ケーシング中で温度変化に起因する伸びの場合の
“動作”が許容される。図２のｃによる横断面がケーシ
ング４のシェルの間に挿入されるフィルタ収容体９を示
す。図２のｂ図は、このようにフィルタを有する多極の
プラグコネクタのコンパクト性が示されている。図３は
多極プラグコネクタ２に対する同様の状態を示し、この
場合、チップジャック６．１（図２）ではなくプラグピ
ン７．１がプラグエレメントとして設けられている。フ
ィルタの付加を軽減する目的で、コンセント盤６ではな
くプラグピン７が設けられている。図３のｃによる断面
図は接続ピンを板上へろう付する目的で９０°だけ回し
て示す。この場合も図３ｂの図は多極式プラグコネクタ
のコンパクト性を示す。

【００２１】図４は中間プラグ３．１としての多極プラ
グコネクタを示す。この２つのシェル式ケーシング４の
中に、ケーシング４の少なくとも１つのシェルと結合さ
れている、プレーナフィルタ１０を有するフィルタ支持
体９が設けられている。この場合、チップジャック６．
１ないしプラグピン７．１を上下に結合された信号線路
がピン収容体８．１を通って案内されている。このピン
収容体は、酸化アルミニウムセラミックから製造される
と、所定の誘導定数を有する有利な絶縁体を形成する。
別の構成として、このピン収容体８．１を、信号線路に
対して直列インダクタンスを形成する強磁性体材料から
形成できる。これにより信号線路の各々はコンデンサに
前置接続されたまたは後置接続されたインダクタンスが
設けられる。その結果このようにしてＬ形フィルタ装置
が形成される。この場合この種の強磁性体のピン収容体
８．１は、フィルタ収容体９の中に設けられるプレーナ
フィルタ１０の両側に設けられる場合は、Ｔ形フィルタ
装置が実現できる。この場合、明らかなように直列イン
ダクタンスは、個々の信号線路上に載置される強磁性の
球または小パイプと共に形成できる。この場合は必ずし
も信号線路の各々がインダクタンスを有する必要がな
い。この実施例は━図４のｂに示されている断面図に相
応して━“プラグコネクタ／プラグピン中間プラグ”と
してまた━図４のｃに示されている様に━“プラグピン
／プラグピンコネクタ”として構成できる。この場合、
自明のように、“チップジャック／チップジャック中間
プラグ”としての実施例も可能である。この場合この構
成は実質的に図１〜図３の多極プラグコネクタの構成に
相応する。

【００２２】図５はアダプタ３として構成された多極プ
ラグコネクタを示す。この場合━図４に示されている中
間プラグコネクタ３．１とは反対に━プラグコネクタの
両側で異なるプラグコネクタ構成もおよび／またはアダ
プタ３の内部で異なる線路接続が可能である。この構成
を図５のａの分解図が示す。この場合、アダプタ中間部
材５がケーシング４の両方のシェルを結合し、さらに金
属ケーシングシェルを介して導かれるアース接続の貫通
接触接続も形成する：この目的で少なくともその外面が
金属化される。この金属化により貫通接触接続のほか
に、障害信号の侵入を効果的に阻止するしゃへいも得ら
れる。この場合、内部の接続がこのアダプタ中間部材５
の中に存在し、さらにこの場合、要求に応じて導くこと
ができる；そのため例えば２列のプラグコネクタから３
列のプラグコネクタへの移行も、例えば非両立性のイン
ターフェースの接続のためのケーブル用の接続形式の変
更の場合のような移行も可能である。アダプタ中間ケー
シング５はさらに２つのフィルタ支持体９の、図５のａ
の展開図および図５のｃの断面図に示されている様に場
合によりそれらの異なるプレーナフィルタ１０との使用
を可能にする。図５のｂの図面はこの場合も、フィルタ
により多極プラグコネクタの著しくコンパクトな構造を
達成させる。

【００２３】図６は導電性のフレーム８．２と共に金属
ケーシング４．１の中へ挿入された、プレーナフィルタ
１０を有するフィルタ支持体９を示す。この場合この導
電性のフレーム８．２は、アース電位へ置かれるケーシ
ング４．１への接触接続を引き受けて、さらに良好なア
ース接続を配慮する。この良好なアース接続は、プラス
チックのないしゴムの弾性にもとづく寸法偏差または小
さい変化の場合も、フレーム８．２の約４０°〜６０°
のショア（Shore 硬度）で維持される。一方では図２に
示されている実施例（図６のａ）に相応するプラグソケ
ットを有するプラグコネクタ、図３に示されている実施
例（図６のｂ）に相応するプラグピンを有するプラグコ
ネクタである。組み立ての際にこのフレーム６．２は圧
縮の結果、圧さくされる。その結果、曲がりやすい弾性
的なプラスチックまたはゴムが周囲に平らに接して良好
なかつプラグコネクタとの接続の際の変化の場合も持続
的な接触形成を支持する。

【００２４】図７のａはプレーナフィルタの構造の展開
図を示す。例えば酸化アルミニウム上に形成されたセラ
ミックから成る基板１１の上に金属の電極層が基本電極
１４として被着されている。この基本電極は基板１１を
角付の条体で保持し、さらに有利には同じく、基板１１
の金属化外側面と電気的に場合によりろうにより接触す
る。次の層１５は、例えばチタン基体上に形成されてい
る誘電体により形成される。誘電体層１５の表面に、コ
ンデサの形成に必要な対向電極１６が設けられている。
この対向電極はこの選択された図面においては個別電極
として示されている。この実質的に平面の構成は、絶縁
性の保護被覆１７、プラスチックまたはラッカーにより
おおわれる。その結果このプレーナフィルタは外部の作
用から例えば湿気または腐食性の気体から保護されてい
る。全部の層は心合わせのされた孔状の切欠１２を、信
号線路１２．１（図８）の貫通案内用に有する：この
（図７のａに詳細には示されていない）貫通案内は４つ
の場合において省略されており、暗示番号１２で示され
ている。この場合、金属基本電極１４━これは図示され
ている実施例において共通の（アース）電極を形成して
いる━を通る全部の貫通案内は、プラス記号により示さ
れている。基本電極１４におけるこれらの貫通案内は別
の開口１４．２（必ずしも円形の断面を有する必要はな
い）により囲まれている。この開口により、この誘電体
層１５がブリッジ１５．１（図８のａ，ｂ）として、こ
の誘電体層１５を基板１１の上に固定させる目的で、係
合する。この場合、各々の信号線路貫通案内１２は多数
のこの種の開口１４．２を有する。これらの開口は有利
には貫通案内開口１２の間の中心線上にそれぞれ設けら
れており、これにより良好な対称性が形成される。図７
のｂは図７のａにおける図面に相応する、基本電極１４
の別の実施例を示す。この場合、別の開口１４．２の断
面の形は異なる。この場合も、誘電体層１５のセラミッ
クが、孔１４．２の設けられている切欠を貫通して、基
板１１のセラミックと固定されいわば係合される。この
場合は、例えば異なる熱膨張係数に起因する張力による
結合の負荷に対して、著しく重要である。

【００２５】図８の２列のプラグコネクタ用のフィルタ
の断面の実施例に示されている様に、個々の貫通孔１２
が信号線路１２．１に対して、基板１１が（著しく）狭
く信号線路１２．１に位置している。基本電極１４の金
属化は貫通案内１２の中へ通されている。その結果、基
本電極１４への電気接続は簡単なろう付により形成でき
る。このことは、基本電極１４が共通の（アース）電極
として構成されいる（図８のａに占め得ている様に）か
に関係ない、または基本電極１４━それらの各々は所属
の信号線路１２．１と接続されている（図８のｂに示さ
れている様に）━が個別電極へ分割されているかに関係
ない。基本電極１４を介して、コンデンサに対して重要
な誘電体層が設けられている。この誘電体層はブリッジ
１５．１と共に、切欠１２のまわりに信号線路貫通案内
用に設けられている別の凹欠または切欠１４．２を通っ
て貫通係合され、さらに基板１１の材料と直接結合され
ている。そのため基板１１のセラミックと誘電体層１５
との固定的な接続が形成される。この場合、誘電体層１
５は貫通案内１２の領域において容器状に凹欠化され
る。その結果、貫通案内１２を中心として凹欠が形成さ
れ、その底部にそれぞれろう付個所１２．２が設けられ
る。このろう付個所が相応の信号線路１２．１から個別
電極への接続が形成される。誘電体層１５の自由表面は
対向電極１６を支持し、この対向電極も保護被覆１７に
より被われている。このようにして構成されたプレーナ
フィルタ１０ないし１０′は金属のフィルタホルダー１
０．１の中へ挿入されている。このフィルタホルダーは
接触条体１４．１ないし１６．１により、有利に金属化
された、基板１１の縁に導電接続されている。さらにこ
のフィルタホルダーはフリタ支持体９（図１〜図５）の
中へ挿入されている。

【００２６】図８のａにおいて基体電極１４は、貫通す
る共通の電極として形成されている。この電極は両方の
長手側面において、両方の外側の、基板１１の例えば金
属被覆の設けられている縁１１．１の中へ侵入して接触
条体１４．１を形成する。この接触条体とアース接続が
フィルタ支持体９とプラグコネクタが図１〜図５に示さ
れた様に形成される。この場合、対向電極１６は個別電
極として構成されており、これは信号線路１２．１に対
する貫通案内１２の各々を島状に囲む。その結果、信号
線路１２．１の各々に対して電極が設けられて、これら
の信号線路が、貫通案内１２を囲む、誘電体層１５にお
ける容器状の凹欠の縁を介して走行する。そして各々の
貫通案内１２においてその底部に達し、さらにろう付個
所１２．２を用いて信号線路１２．１と接続できる。こ
の場合おのずから明らかであることは、基本電極におい
て貫通案内１２を囲む凹欠は、相応に大きい直径を有す
る必要があり、その結果、貫通案内領域において基板１
１の表面まで導かれている、接触条体１６．１として貫
通案内の中に進入されている対向電極の表面への十分な
間隔が維持される。図８ｂは裏返しを示す：この場合、
対向電極は、貫通する共通の電極━これは両方の長手側
面において基板１１の縁１１．１へ導かれている━が、
アース接触接続を形成する接触条体１６．１を形成す
る。基本電極１４は個別電極へ分割されており、さらに
基板の凹欠の各々の中に、所属の信号線路１２．１との
ろう付のための接触条体１４．１として進入する。この
場合、基本電極１４の個別電極は信号線路貫通案内を島
状に囲む。

【００２７】図９の示す実施例の場合は、貫通案内され
る信号線路１２．１━これらは中間プラグのプラグソケ
ット６．１とプラグピン（またはプラグソケット━プラ
グソケットまたはプラグピン━プラグピン）またはプラ
グピン７．１とろう付け可能なプラグコネクタの端子ピ
ン７．２（またはプラグソケット━端子ピン）を接続す
る━のいくつかがまたは全部が、例えばＳＭＤ技術でろ
う付けされた電圧ピーク抑圧器１９━例えばツエナ−ダ
イオードまたはアバランシュダイオードの形式の━を用
いて、電圧ピークから著しく良好に保護される。この構
成も共に、多極プラグコネクタのケーシング４の中に収
容できる。そのためいくつかのまたは全部の信号線路１
２．１の減衰が、例えば強磁性体のセラミックから成る
載置された減衰部材１８により次のように影響される。
即ち特にフィルタのコンデンサと共働してその遮断周波
数を所望のようにシフトさせることができる。この場
合、減衰部材は有利に次の様に構成される、即ちこれが
誘電体層１５における容器状の凹欠により収容されさら
に保護ラッカ１７の中に埋め込まれるように構成され
る。この装置は図９のａにおいて拡大されて示されてい
る。この場合、信号線路１２．１へ付加的な長手方向減
衰の目的で強磁性体の部材１８が置かれている。

【図面の簡単な説明】

【図１】フィルタ支持体の中に挿入されたプレーナフィ
ルタを有する多極プラグコネクタの構造の分解図であ
る。

【図２】金属のフィルタ支持体と共に挿入された、プラ
グ板上へろう付するためにプレーナフィルタとのプラグ
コネクタの構成図である。

【図３】金属製のフィルタ支持体により挿入されるプレ
ーナフィルタを有するプラグピンの設けられたプラグコ
ネクタの構成図である。

【図４】中間プラグとしてのプラグコネクタの実施例で
あり、ａ：中間プラグ、プラグソケット／フィルタを有
するプラグピンの側面図、ｃ：中間プラグ、プラグピン
／フィルタを有するプラグピンの側面図。

【図５】アダプタとして構成された、２重フィルタを有
するプラグコネクタの図である。ａ：分解図、ｂ：側面
図。

【図６】導電性のフレームを用いて挿入されたプレーナ
フィルタを有するプラグコネクタの分解図である。ａ：
図２に示されたようにろう付するためにプラグコネク
タ、ｂ：図３のｃに示されたように両側でプラグピンを
有するプラグコネクタ。

【図７】ａ：プレーナフィルタとして構成されたフィル
タの構成の分解図である。ｂ：基本電極のユニットであ
る。

【図８】２つのピン列を有するプレーナフィルタの断面
図である。ａ：セラミック支持体上のアース電極、ｂ：
セラミック支持体上の信号電極。

【図９】電圧ピーク制限器を有する多極プラグコネクタ
の図である。ａ：中央で分割されている。右半部：プラ
グピンを有する、プラート上へろう付されるプラグコネ
クタ；左半部：ソケットおよびプラグピンを有する中間
プラグ；ｂ：減衰器および電圧ピーク制限器を有するフ
ィルタの個別ユニットの断面図。

【符号の説明】

１，２ 多極プラグコネクタ、 ３．１ 中間プラグ、
４ ケーシング、４．１ ケーシング、 ６ ソケッ
ト条体、 ６．１ チップジャック、 ６．２ 端子ピ
ン、 ７．１ プラグピン、 ７．２ 端子ピン、
８．１ ピン収容体、 ９ フィルタ支持体、 １０，
１０′ プレーナフィルタ、 １１ 基板、 １１．１
外側面、 １２ 切欠、 １２．１ 線路、 １２．
２ ろう付個所、 １４ 基本電極、 １４．１ 条
体、 １４．２ 開口、 １５ 誘電体層、 １５．１
ブリッジ、 １６．１ 接触条体、 １７ 保護被
覆、１８ 減衰部材、 １９ 電圧ピーク抑圧器

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１つの導電性のシェル体
   （４．１）を有するケーシング（４）を備え、このケー
   シング中を信号を導く線路（２．１）が走行し、さらに
   該ケーシング中に、基板（１１）の上に構成されたプレ
   ーナフィルタ（１０）が設けられており、さらに前記信
   号（１２．１）のうちの少なくとも数本に対して設けら
   れた複数個のコンデンサを備え、該コンデンサは基板
   （１１）の上に被着された基本電極（１４）と、該基本
   電極上へ被着された誘電体層（１５）と、該誘電体層の
   上へ被着された対向電極（１６）とから構成されてお
   り、この場合、前記の電極（１４；１６）のうちの一方
   の電極が連続してアース電極として構成されてケーシン
   グ（４）と導電接続されており、さらに前記の電極（１
   ４；１６）のうちの他方の電極が個別の信号電極に分割
   されて信号線路（１２．１）と導電接続されており、さ
   らにこの場合、基板（１１）と誘電体層(１５)と少なく
   とも１つの電極（１４；１６）が信号線路(１２．１)を
   貫通案内するための切欠（１２）を有している形式の多
   極プラグコネクタ(１；２；３）において、信号線路(１
   ２．１)のピンの各々に対するプレーナフィルタ（１
   ０）がコンデンサを有し、この場合、酸化アルミニウム
   セラミックからまたは強磁性体のセラミックから形成さ
   れる基板（１１）の上に被着された基本電極（１４）が
   信号線路（１２．１）のための貫通案内（１２）の領域
   において、これらの貫通案内を囲んで設けられている別
   の切欠（１４．２）を有しており、該切欠により誘電体
   層（１５）がブリッジ（１５．１）を介して基板（１
   １）の材料と接続されて該材料に係合されていることを
   特徴とする多極プラグコネクタ。
2. 【請求項２】 基本電極（１４）の別の切欠（１４．
   ２）が格子状に貫通案内切欠（１２）を囲むようにし、
   該切欠が、２つの隣合う信号線路貫通案内（１２）の例
   えば中心線上に設けられている請求項１記載の多極プラ
   グコネクタ。
3. 【請求項３】 共通の電極（１４；１６）を構成する金
   属化が、相応の接触条体（１４．１；１６．１）を形成
   するために少なくとも、基板（１１）の例えば金属化さ
   れた縁（１１．１）まで導かれており、さらに信号線路
   （１２．１）と接続されている個別電極（１６；１４）
   を構成する金属化が、相応の接触条体を形成する目的
   で、信号線路（１２．１）のための個々の貫通案内切欠
   （１２）の中まで案内されている請求項１または２記載
   の多極プラグコネクタ。
4. 【請求項４】 接触状態の金属化が金属化される縁（１
   １．１ａ）を形成するために溶融されたろうにより行な
   われるようにし、この場合例えば金属化された縁領域が
   および／または金属化された縁が導電性のラッカの層で
   覆われている請求項３記載の多極プラグコネクタ。
5. 【請求項５】 接触片（９．１）の設けられている、金
   属のフィルタ支持体（９）がプレーナフィルタ（１０）
   を収容のために設けられており、この場合、該接触片
   （９．１）が、プレーナフィルタ（１０）の基板（１
   １）の例えば金属化された縁（１１．１）の上へ押圧さ
   れて共通の電極（１４；１６）への電気接触接続を形成
   し、該共通の電極は例えば、多極のプラグコネクタの２
   つの半分から成るケーシング（４）の少なくとも１つの
   シェル体へ、フィルタ支持体（９）とケーシングシェル
   体（４）とが導電接続されるように、挿入される請求項
   ３または４記載の多極プラグコネクタ。
6. 【請求項６】 導電性のプラスチックのまたはゴムの挿
   入体（８．２）が、挿入されたプレーナフィルタ（１
   ０）を有するフィルタ支持体（９）とケーシング（４．
   １）の外側電極との間に挿入されており、該挿入体が例
   えば、プレーナフィルタ（１０）の縁領域に設けられて
   いる囲むフレーム（８．２）を構成する請求項４記載の
   多極プラグコネクタ。
7. 【請求項７】 フィルタ支持体（９）の中へ挿入された
   プレーナフィルタ（１０）が、片側または両側に設けら
   れる、プラスチックまたはゴムから成るカバー（８．
   １）を有し、該カバーがプラグコネクタのピンまたはソ
   ケットに対応してせん孔されている請求項６記載の多極
   プラグコネクタ。
8. 【請求項８】 基板（１１）の上へ被着された、貫通案
   内切欠（１２）と別の切欠（１４．２）を有する基本電
   極（１４）が、基板（１１）の例えば金属化された縁
   （１１．１）まで連続するように構成されていてさらに
   縁の上で接触条体（１４．１）を構成し、該接触条体は
   アース電極としてフィルタ支持体（９）とないし導電性
   のプラスチック−またはゴム挿入体（８．２）と接続さ
   れるようにし、他方、誘電体層（１５）の上へ被着され
   た対向電極（１６）が、各々の信号線路（１２．１）の
   ためにその貫通案内（１２）の領域において実質的に容
   器状に基板（１１）の表面の高さまでかつ貫通案内（１
   ２）の中へ信号線路との接続のための接触条体(１６．
   １)として導かれており、この場合、基本電極(１４)に
   おいて接続ブリッジ(１５．１)のために設けられている
   切欠（１４．２）が、貫通案内された信号線路（１２．
   １）を実質的に格子状に、間隔をおいて囲むようにした
   請求項１から７までのいずれか１項記載の多極プラグコ
   ネクタ。
9. 【請求項９】 基板（１１）の上へ被着された、貫通案
   内切欠（１２）と別の切欠（１４．２）の設けられた基
   本電極（１４）が複数個の個別電極へ分割されており、
   さらに貫通案内（１２）の領域においてこの貫通案内の
   中へ導かれて、信号電極の、信号線路（１２．１）との
   接続のための接触条体（１４．１）を構成し、他方、対
   向電極が連続するアース電極として構成されて縁領域に
   おいて実質的に鉄板状に基板の高さまで引き伸ばされて
   その基板の例えば金属化された縁（１１．１）の上へ導
   かれて接触条体（１６．１）を構成しさらにフィルタ支
   持体（９）とないし導電性のプラスチック−ないしゴム
   挿入体（８．２）と接続されるようにし、この場合、対
   向電極（１６）の中に設けられている切欠が信号線路
   （１２．１）を間隔をおいて囲むようにした請求項１か
   ら７までのいずれか１項記載の多極プラグコネクタ。
10. 【請求項１０】 誘電体層（１５）の上に被着された対
    向電極（１６）が絶縁性の被覆（１７）により覆われて
    おり、この場合例えば、ろう付個所（１２．２）として
    設けられている、信号線路（１２．１）との接続部が空
    けておかれている請求項１から９までのいずれか１項記
    載の多極プラグコネクタ。
11. 【請求項１１】 信号線路（１２．１）の少なくとも一
    部に対して電圧ピークを制限するスイッチングエレメン
    ト（１９）が例えばツエナーダイオードまたはアバラン
    シュダイオードまたはバリスタが設けられており、該エ
    レメントが例えば、基板（１１）の、コンデンサとは反
    対側の側面へ、接触条体（１４．１；１６．１）の縁に
    おいてこの接触条体と信号線路（１２．１）の貫通案内
    （１２）の接触条体（１６：１；１６．１）との間にろ
    う付けされている請求項１から１０までのいずれか１項
    記載の多極プラグコネクタ。
12. 【請求項１２】 信号線路（１２．１）の少なくとも一
    部が、フィルタ収容体（９）の中に設けられているプレ
    ーナフィルタ（１０）の少なくとも一方の側面において
    例えば両側に、長手方向インダクタンスを高める減衰素
    子（１８）をフェライト片等の形式で、Ｌ形またはＴ形
    フィルタ装置を形成するために設けられている請求項１
    から１１までのいずれか１項記載の多極プラグコネク
    タ。
13. 【請求項１３】 長手方向インダクタンスを高める減衰
    素子として、強磁性体材料から例えば強磁性体セラミッ
    クから成るピン収容体（８．１）が設けられている請求
    項１２記載の多極プラグコネクタ。
14. 【請求項１４】 プラグコネクタのケーシング（４）が
    第１のおよび第２のシェル体から構成されており、この
    場合、シェル体の中に設けられているプラグ接続部が信
    号線路（１２．１）に対してプラグピン（７．１）とし
    て、および／またはプラグソケット（６．１）として構
    成されており、この場合例えば信号線路（１２．１）が
    個々の信号線路の占有を変化させるために可変の端子と
    接続されるようにし、さらにプラグ接続体が中間プラグ
    （３．１）としてまたはアダプタ（３）として用いられ
    る請求項１から１３までのいずれか１項記載の多極プラ
    グコネクタ。
15. 【請求項１５】 ケーシング（４）の第１のシェル体の
    信号線路（１２．１）の間の、ケーシングの第２のシェ
    ル体の信号線路（１２．１）との数個の接続において少
    なくとも、電子構成エレメントが整合素子として設けら
    れている請求項１４記載の多極プラグコネクタ。
16. 【請求項１６】 ケーシング（４）のシェル体の両方の
    中に各１つのプレーナフィルタ（１０）が設けられてお
    り、さらにこれらのプレーナフィルタ間の信号線路の少
    なくとも数本が、付加的な強磁性体の減衰素子（１８）
    を中空コアまたは中実体として設けられており、該減衰
    素子がプレーナフィルタの長手方向インダクタンスを高
    めるようにして並列コンデンサの間に設けられて、この
    ように配線された信号線路（１２．１）に対して作用す
    るπ形フィルタを構成するようにした請求項１４または
    １５記載の多極プラグコネクタ。