JPH06188229A - エッチングの後処理方法 - Google Patents
エッチングの後処理方法Info
- Publication number
- JPH06188229A JPH06188229A JP4354410A JP35441092A JPH06188229A JP H06188229 A JPH06188229 A JP H06188229A JP 4354410 A JP4354410 A JP 4354410A JP 35441092 A JP35441092 A JP 35441092A JP H06188229 A JPH06188229 A JP H06188229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- processing
- wafer
- gas
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 42
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/907—Continuous processing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体に付着する不純物を除去して、エッ
チングの再現性を良好にすると共に、処理時間の短縮
化、スループットの向上及び設備の小型化を図る。 【構成】 エッチング処理された半導体ウエハＷが搬入
された処理容器４０内を高温雰囲気にし、Ｏ2 を含む第
１の処理ガスガスを供給すると共に、プラズマにより半
導体ウエハＷの表面に形成されたポリマー３４とフォト
レジスト層３２を除去する。その後、同一雰囲気の下で
ＣＦ4 とＯ2 を混合した第２の処理ガスを使用して半導
体ウエハＷのエッチング孔３３に付着したダメージ層３
５を除去する。これにより、エッチングの再現性を良好
にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの向上
及び設備の小型化を図ることができる。
チングの再現性を良好にすると共に、処理時間の短縮
化、スループットの向上及び設備の小型化を図る。 【構成】 エッチング処理された半導体ウエハＷが搬入
された処理容器４０内を高温雰囲気にし、Ｏ2 を含む第
１の処理ガスガスを供給すると共に、プラズマにより半
導体ウエハＷの表面に形成されたポリマー３４とフォト
レジスト層３２を除去する。その後、同一雰囲気の下で
ＣＦ4 とＯ2 を混合した第２の処理ガスを使用して半導
体ウエハＷのエッチング孔３３に付着したダメージ層３
５を除去する。これにより、エッチングの再現性を良好
にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの向上
及び設備の小型化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はエッチングの後処理方
法に関するもので、更に詳細には、エッチングにより生
成された不純物層を除去するエッチングの後処理方法に
関するものである。
法に関するもので、更に詳細には、エッチングにより生
成された不純物層を除去するエッチングの後処理方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスの中核をなす
集積回路の集積度は年々増加しており、集積度の増加と
共に、パターン幅が次第に小さく、かつ深くなってい
る。これに対応することができる薄膜加工技術として、
低圧（高真空）でのドライエッチング方法が開発されて
いる。このドライエッチングは、真空中で反応ガスを用
いてプラズマを生成し、そのプラズマ中のイオン，中性
ラジカル，原子，分子を用いて、半導体基板上の種々の
材料をエッチングするものである。そのため、エッチン
グ材料により種々のガスが用いられており、エッチング
ガスの選択がドライエッチングにおける極めて重要な要
素となっている。
集積回路の集積度は年々増加しており、集積度の増加と
共に、パターン幅が次第に小さく、かつ深くなってい
る。これに対応することができる薄膜加工技術として、
低圧（高真空）でのドライエッチング方法が開発されて
いる。このドライエッチングは、真空中で反応ガスを用
いてプラズマを生成し、そのプラズマ中のイオン，中性
ラジカル，原子，分子を用いて、半導体基板上の種々の
材料をエッチングするものである。そのため、エッチン
グ材料により種々のガスが用いられており、エッチング
ガスの選択がドライエッチングにおける極めて重要な要
素となっている。
【０００３】そこで、加工材料（被処理体）がシリコン
（Ｓｉ），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等においてはフッ
素（Ｆ）系あるいはフッ素−水素（Ｆ−Ｈ）系のエッチ
ングガスが使用されており、一般に四フッ化炭素（ＣＦ
4 ）が広く用いられている。これは、シリコン酸化膜の
エッチングにおいて、炭素（Ｃ）の存在とフッ素イオン
を多量に生成することが重要であるためである。また、
シリコン酸化膜のエッチングで最大の問題は、下地シリ
コンとの選択比をいかにして確保するかということであ
る。そこで、エッチングガスに水素（Ｈ2 ）を添加する
ことが提案され、具体的にはトリフルオルメタン（ＣＨ
Ｆ3 ）が使用されている。このＣＨＦ3を使用すること
により、イオンが表面を叩いても除去できないほどの堆
積膜をシリコン表面上に形成するので、シリコン基板を
殆どエッチングしない一方、シリコン酸化膜は、加速さ
れたフッ素イオンでエッチングされるときに酸素が発生
するので、Ｃ−Ｈで形成されたポリマーを除去できるた
め、十分にエッチングできる。
（Ｓｉ），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等においてはフッ
素（Ｆ）系あるいはフッ素−水素（Ｆ−Ｈ）系のエッチ
ングガスが使用されており、一般に四フッ化炭素（ＣＦ
4 ）が広く用いられている。これは、シリコン酸化膜の
エッチングにおいて、炭素（Ｃ）の存在とフッ素イオン
を多量に生成することが重要であるためである。また、
シリコン酸化膜のエッチングで最大の問題は、下地シリ
コンとの選択比をいかにして確保するかということであ
る。そこで、エッチングガスに水素（Ｈ2 ）を添加する
ことが提案され、具体的にはトリフルオルメタン（ＣＨ
Ｆ3 ）が使用されている。このＣＨＦ3を使用すること
により、イオンが表面を叩いても除去できないほどの堆
積膜をシリコン表面上に形成するので、シリコン基板を
殆どエッチングしない一方、シリコン酸化膜は、加速さ
れたフッ素イオンでエッチングされるときに酸素が発生
するので、Ｃ−Ｈで形成されたポリマーを除去できるた
め、十分にエッチングできる。
【０００４】また、エッチング処理の際に、エッチング
孔の底部に不純物が混入したダメージ層を形成するた
め、エッチング処理後に、ダメージ層を除去している。
孔の底部に不純物が混入したダメージ層を形成するた
め、エッチング処理後に、ダメージ層を除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ングガスにＣＨＦ3 を使用すると、エッチングされた材
料の表面にポリマーが付着し易く、このポリマーの存在
によってエッチング処理を行った後、次工程例えばアッ
シング処理やライトエッチング処理に多くの時間を要す
ると共に、エッチングの再現性に困難が伴うという問題
があった。また、エッチング処理後のダメージ層除去に
おいては、ポリマー及びレジストの影響により、ダメー
ジ層除去用のフッ素ラジカルがレジストとケミカル反応
してダメージ層が除去できないという問題があった。こ
の問題を解決する手段として、エッチング処理後にポリ
マーとレジストを除去した後、大気雰囲気に戻し、再び
真空雰囲気の下でダメージ層を除去する方法が考えられ
るが、この方法においては処理に多くの時間を要すると
共に、多くの設備を要するという問題がある。これらの
問題は、特に被処理体である半導体ウエハが６インチか
ら８インチに移行している現在においては、処理時間の
遅延化をもたらしている。
ングガスにＣＨＦ3 を使用すると、エッチングされた材
料の表面にポリマーが付着し易く、このポリマーの存在
によってエッチング処理を行った後、次工程例えばアッ
シング処理やライトエッチング処理に多くの時間を要す
ると共に、エッチングの再現性に困難が伴うという問題
があった。また、エッチング処理後のダメージ層除去に
おいては、ポリマー及びレジストの影響により、ダメー
ジ層除去用のフッ素ラジカルがレジストとケミカル反応
してダメージ層が除去できないという問題があった。こ
の問題を解決する手段として、エッチング処理後にポリ
マーとレジストを除去した後、大気雰囲気に戻し、再び
真空雰囲気の下でダメージ層を除去する方法が考えられ
るが、この方法においては処理に多くの時間を要すると
共に、多くの設備を要するという問題がある。これらの
問題は、特に被処理体である半導体ウエハが６インチか
ら８インチに移行している現在においては、処理時間の
遅延化をもたらしている。
【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、エッチング処理により材料の表面に付着されたポリ
マー及びダメージ層を除去して、エッチングの再現性を
良好にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの
向上及び設備の小型化を図れるようにしたエッチングの
後処理方法を提供することを目的とするものである。
で、エッチング処理により材料の表面に付着されたポリ
マー及びダメージ層を除去して、エッチングの再現性を
良好にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの
向上及び設備の小型化を図れるようにしたエッチングの
後処理方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明のエッチングの後処理方法は、エッチング処
理された被処理体を高温に加熱して酸素（Ｏ2 ）を含む
第１の処理ガスのプラズマ雰囲気下で、レジスト膜と上
記被処理体の表面に付着するポリマーを除去する第１工
程と、ハロゲンガスと酸素（Ｏ2 ）を含む第２の処理ガ
スのプラズマ雰囲気の下で、エッチング処理の際にエッ
チングにより生成された不純物層を除去する第２工程と
からなることを特徴とするものである。
にこの発明のエッチングの後処理方法は、エッチング処
理された被処理体を高温に加熱して酸素（Ｏ2 ）を含む
第１の処理ガスのプラズマ雰囲気下で、レジスト膜と上
記被処理体の表面に付着するポリマーを除去する第１工
程と、ハロゲンガスと酸素（Ｏ2 ）を含む第２の処理ガ
スのプラズマ雰囲気の下で、エッチング処理の際にエッ
チングにより生成された不純物層を除去する第２工程と
からなることを特徴とするものである。
【０００８】この発明において、上記第１工程及び第２
工程を行う雰囲気の温度は約２５０℃で、その雰囲気気
圧は約１Torrとすることができる。
工程を行う雰囲気の温度は約２５０℃で、その雰囲気気
圧は約１Torrとすることができる。
【０００９】
【作用】エッチング処理された被処理体を高温に加熱し
て酸素（Ｏ2 ）を含む第１の処理ガスのプラズマ雰囲気
下とすることにより、レジスト膜と被処理体の表面に付
着するポリマーを除去する。次いで、ハロゲンガスとＯ
2 を含む第２の処理ガスのプラズマ雰囲気とすることに
より、エッチング処理の際にエッチング孔内に付着した
不純物層を除去する。したがって、同一の雰囲気の下で
アッシング処理とライトエッチング処理とを連続して行
うことができる。
て酸素（Ｏ2 ）を含む第１の処理ガスのプラズマ雰囲気
下とすることにより、レジスト膜と被処理体の表面に付
着するポリマーを除去する。次いで、ハロゲンガスとＯ
2 を含む第２の処理ガスのプラズマ雰囲気とすることに
より、エッチング処理の際にエッチング孔内に付着した
不純物層を除去する。したがって、同一の雰囲気の下で
アッシング処理とライトエッチング処理とを連続して行
うことができる。
【００１０】
【実施例】以下に、この発明のエッチングの後処理方法
の一実施例を添付図面に基いて詳細に説明する。
の一実施例を添付図面に基いて詳細に説明する。
【００１１】図１はこの発明の後処理を行うアッシング
・ライトエッチング装置（以下にプラズマ装置という）
の一例の概略断面図、図２は図１に示したプラズマ装置
を有する減圧処理装置の概略平面図が示されている。
・ライトエッチング装置（以下にプラズマ装置という）
の一例の概略断面図、図２は図１に示したプラズマ装置
を有する減圧処理装置の概略平面図が示されている。
【００１２】上記プラズマ装置は、反応ガス供給口１ａ
と排気口１ｂとを有する処理容器１と、この処理容器１
内に配置される一対の電極２，３と、高周波電源４とで
主要部が構成されている。
と排気口１ｂとを有する処理容器１と、この処理容器１
内に配置される一対の電極２，３と、高周波電源４とで
主要部が構成されている。
【００１３】処理容器１は、その内で被処理体例えば半
導体ウエハＷ（以下にウエハという）をアッシング処理
及びライトエッチング処理するためのもので、その側部
下方に設けられた排気口１ｂを介して図示しない排気手
段（真空ポンプ）により排気することによって、その内
が真空に保持されるようになっている。
導体ウエハＷ（以下にウエハという）をアッシング処理
及びライトエッチング処理するためのもので、その側部
下方に設けられた排気口１ｂを介して図示しない排気手
段（真空ポンプ）により排気することによって、その内
が真空に保持されるようになっている。
【００１４】上記処理容器１内に配置される一対の電極
２，３は、上下に対向配置されている。処理容器１の上
壁側に位置する上部電極２は処理容器１を介してアース
側に接地され、処理容器１の底壁側に位置する下部電極
３は、この下部電極３と処理容器１の側壁との間に介在
される絶縁部材５によって絶縁されると共に、上記高周
波電源４に接続されている。また、下部電極３はその上
部中央に円板状の凸部（サセプタ）６を有し、このサセ
プタ６上にウエハＷが支持されるようになっている。な
お、ウエハＷを確実にサセプタ６上に支持させるため
に、静電チャック（図示せず）をサセプタ６上に設け、
その上にウエハＷを吸着させている。
２，３は、上下に対向配置されている。処理容器１の上
壁側に位置する上部電極２は処理容器１を介してアース
側に接地され、処理容器１の底壁側に位置する下部電極
３は、この下部電極３と処理容器１の側壁との間に介在
される絶縁部材５によって絶縁されると共に、上記高周
波電源４に接続されている。また、下部電極３はその上
部中央に円板状の凸部（サセプタ）６を有し、このサセ
プタ６上にウエハＷが支持されるようになっている。な
お、ウエハＷを確実にサセプタ６上に支持させるため
に、静電チャック（図示せず）をサセプタ６上に設け、
その上にウエハＷを吸着させている。
【００１５】反応ガス供給口１ａには図示しない２種類
の反応ガス供給源が切換可能に接続されており、反応ガ
ス供給源から処理容器１内にエッチングガス（例えばＣ
Ｆ4＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ）が供給されるようになってい
る。
の反応ガス供給源が切換可能に接続されており、反応ガ
ス供給源から処理容器１内にエッチングガス（例えばＣ
Ｆ4＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ）が供給されるようになってい
る。
【００１６】上記のように構成されるプラズマ装置を具
備する減圧処理装置は、図２に示すように、ウエハＷを
収納するための収納部８と、収納部８からウエハＷを搬
出・搬入するための搬送部９と、搬送部９から送られて
きたウエハＷの位置合せを行うアライメント部１０と、
アライメント部１０で位置合せされたウエハＷに対して
減圧下で処理を行う処理部２０及び処理部２０にガス及
び電源を供給するガス・電源ユニット１１とで構成され
ている。
備する減圧処理装置は、図２に示すように、ウエハＷを
収納するための収納部８と、収納部８からウエハＷを搬
出・搬入するための搬送部９と、搬送部９から送られて
きたウエハＷの位置合せを行うアライメント部１０と、
アライメント部１０で位置合せされたウエハＷに対して
減圧下で処理を行う処理部２０及び処理部２０にガス及
び電源を供給するガス・電源ユニット１１とで構成され
ている。
【００１７】この場合、処理部２０は、減圧下でウエハ
Ｗのエッチング処理及び後処理を行う上記処理容器１と
同様の容器にて形成される第１の処理室２１と、アッシ
ング処理あるいはライトエッチング処理を行う第２の処
理室２２とを具備してなる。
Ｗのエッチング処理及び後処理を行う上記処理容器１と
同様の容器にて形成される第１の処理室２１と、アッシ
ング処理あるいはライトエッチング処理を行う第２の処
理室２２とを具備してなる。
【００１８】上記第２の処理室２２は、図３に示すよう
に、頂部にガス供給口４０ａを有し、底部にガス排気口
４０ｂを有する処理容器４０の下部にウエハＷを支持す
るウエハ載置台４１を配設し、処理容器４０の上部側に
はマッチング回路４２を介して高周波電源４３に接続す
る上部電極４４とアース側に接地される下部電極４５と
を対向配置してなる。上記ガス供給口４０ａにはガス流
量調整器４６を介してプロセスガスであるアッシングガ
ス（例えばＯ2 ）とライトエッチングガス（例えばＣＦ
4 ＋Ｏ2 ）の供給源４７が接続されている。また、上記
ガス排気口４０ｂには真空ポンプ４８が接続されて、処
理容器４０内が所定の圧力状態に設定されると共に、処
理後のガスが排気されるようになっている。また、ウエ
ハ載置台４１は昇降装置４９によって昇降可能となって
おり、その内部には加熱電源５０に接続するヒーター５
１が内蔵されている。
に、頂部にガス供給口４０ａを有し、底部にガス排気口
４０ｂを有する処理容器４０の下部にウエハＷを支持す
るウエハ載置台４１を配設し、処理容器４０の上部側に
はマッチング回路４２を介して高周波電源４３に接続す
る上部電極４４とアース側に接地される下部電極４５と
を対向配置してなる。上記ガス供給口４０ａにはガス流
量調整器４６を介してプロセスガスであるアッシングガ
ス（例えばＯ2 ）とライトエッチングガス（例えばＣＦ
4 ＋Ｏ2 ）の供給源４７が接続されている。また、上記
ガス排気口４０ｂには真空ポンプ４８が接続されて、処
理容器４０内が所定の圧力状態に設定されると共に、処
理後のガスが排気されるようになっている。また、ウエ
ハ載置台４１は昇降装置４９によって昇降可能となって
おり、その内部には加熱電源５０に接続するヒーター５
１が内蔵されている。
【００１９】上記第１の処理室２１及び第２の処理室２
２はそれぞれ大気との遮断を行うことを目的とする第１
及び第２のロードロック室２３，２４と連結され、ま
た、第１の処理室２１と第２の処理室２２との間にも第
３のロードロック室２５が連結されて、全体が平面コ字
状に連結されており、その中央部にウエハを一時的に載
置するための上下移動可能な載置台２６を有する受け渡
しステージ２７が配設されている。なお、これら各ロー
ドロック室２３〜２５の大気側及び処理室側にはそれぞ
れゲートバルブ２８が配設されている。
２はそれぞれ大気との遮断を行うことを目的とする第１
及び第２のロードロック室２３，２４と連結され、ま
た、第１の処理室２１と第２の処理室２２との間にも第
３のロードロック室２５が連結されて、全体が平面コ字
状に連結されており、その中央部にウエハを一時的に載
置するための上下移動可能な載置台２６を有する受け渡
しステージ２７が配設されている。なお、これら各ロー
ドロック室２３〜２５の大気側及び処理室側にはそれぞ
れゲートバルブ２８が配設されている。
【００２０】上記のように構成される減圧処理装置を用
いてウエハＷの処理を行うには、搬送部９によって収納
部８のウエハカセット８ａから取出したウエハＷをアラ
イメント部１０で位置合せ（オリエンテーションフラッ
トの位置合せ）を行った後、処理部２０の受け渡しステ
ージ２７に受け渡す。次に、第１のロードロック室２３
と第１の処理室２１をほぼ同じ気圧、例えば１×１０-3
Torr以下になるように真空引きしておき、第１のロード
ロック室２３のゲートバルブ２８を開いて第１のロード
ロック室２３から第１の処理室２１内にウエハＷを搬入
し、その後第１のロードロック室２３と第１の処理室２
１間のゲートバルブ２８を閉じる。
いてウエハＷの処理を行うには、搬送部９によって収納
部８のウエハカセット８ａから取出したウエハＷをアラ
イメント部１０で位置合せ（オリエンテーションフラッ
トの位置合せ）を行った後、処理部２０の受け渡しステ
ージ２７に受け渡す。次に、第１のロードロック室２３
と第１の処理室２１をほぼ同じ気圧、例えば１×１０-3
Torr以下になるように真空引きしておき、第１のロード
ロック室２３のゲートバルブ２８を開いて第１のロード
ロック室２３から第１の処理室２１内にウエハＷを搬入
し、その後第１のロードロック室２３と第１の処理室２
１間のゲートバルブ２８を閉じる。
【００２１】そして、第１の処理室２１内でエッチング
処理を行う場合には、第１の処理室２１内にエッチング
ガスＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒを供給すると共に、例えば
３００mTorr の低圧状態に真空引きする。電極２，３間
に高周波電力、例えば１３００Wattを印加すると、処理
容器１内にプラズマが生成されると共に、エッチングガ
スのイオンとラジカルにより、ウエハＷの表面の被レジ
スト膜がエッチング処理される。この場合のウエハＷの
エッチングパターンは、図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に形成される。ここで用いたウエハＷは、半導体基板例
えばＳｉ基板３０の表面に酸化膜例えばＳｉＯ2 膜３１
が形成され、このＳｉＯ2 膜３１上にフォトレジスト層
３２が形成されたものである。フォトレジスト層３２は
図４（ａ）に示すように、フォトエッチングされてマス
クが形成され、マスクされていない部分がエッチングさ
れてエッチング孔３３が形成される。
処理を行う場合には、第１の処理室２１内にエッチング
ガスＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒを供給すると共に、例えば
３００mTorr の低圧状態に真空引きする。電極２，３間
に高周波電力、例えば１３００Wattを印加すると、処理
容器１内にプラズマが生成されると共に、エッチングガ
スのイオンとラジカルにより、ウエハＷの表面の被レジ
スト膜がエッチング処理される。この場合のウエハＷの
エッチングパターンは、図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に形成される。ここで用いたウエハＷは、半導体基板例
えばＳｉ基板３０の表面に酸化膜例えばＳｉＯ2 膜３１
が形成され、このＳｉＯ2 膜３１上にフォトレジスト層
３２が形成されたものである。フォトレジスト層３２は
図４（ａ）に示すように、フォトエッチングされてマス
クが形成され、マスクされていない部分がエッチングさ
れてエッチング孔３３が形成される。
【００２２】上記のように、エッチングガスにＦ系及び
Ｆ−Ｈ系のガス、例えばＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒの混合
ガスを使用することにより、エッチング処理効率を高め
ることができると共に、微細加工が可能となるが、水素
（Ｈ）の存在によってウエハ表面にエッチング処理の際
にＣ−Ｈで生成されたポリマー３４が付着すると共に、
エッチング孔３３の底部すなわちＳｉ基板３０の表面層
に不純物が混入してダメージ層３５を形成する。このポ
リマー３４は、第２の処理室２２におけるアッシング処
理時間の遅延（ラグタイム）をもたらすばかりか、エッ
チングの再現性を低下させる虞れがある。
Ｆ−Ｈ系のガス、例えばＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒの混合
ガスを使用することにより、エッチング処理効率を高め
ることができると共に、微細加工が可能となるが、水素
（Ｈ）の存在によってウエハ表面にエッチング処理の際
にＣ−Ｈで生成されたポリマー３４が付着すると共に、
エッチング孔３３の底部すなわちＳｉ基板３０の表面層
に不純物が混入してダメージ層３５を形成する。このポ
リマー３４は、第２の処理室２２におけるアッシング処
理時間の遅延（ラグタイム）をもたらすばかりか、エッ
チングの再現性を低下させる虞れがある。
【００２３】そこで、この発明においては、上記エッチ
ング処理を行った後、第３のロードロック室２５を介し
てウエハＷを第２の処理室２２（処理容器１）内に搬入
し、そして、まず、処理容器１内を例えば１Torrの気圧
状態にすると共に、処理容器４０内のウエハ載置台４１
の温度を約２５０℃にし、そして、第１の処理ガスであ
る酸素（Ｏ2 ）を３０００SCCM供給すると共に、高周波
電力を７００Watt印加してプラズマ化することによっ
て、Ｃ−Ｈで形成されるポリマー３４とフォトレジスト
層３２を除去する（図４（ｂ）参照）。次に、同雰囲気
の下で、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスである第２の処理ガス
を供給すると共に、プラズマ化することによって、エッ
チング孔３３の底部に付着するダメージ層３５を除去し
ている（図４（ｃ）参照）。
ング処理を行った後、第３のロードロック室２５を介し
てウエハＷを第２の処理室２２（処理容器１）内に搬入
し、そして、まず、処理容器１内を例えば１Torrの気圧
状態にすると共に、処理容器４０内のウエハ載置台４１
の温度を約２５０℃にし、そして、第１の処理ガスであ
る酸素（Ｏ2 ）を３０００SCCM供給すると共に、高周波
電力を７００Watt印加してプラズマ化することによっ
て、Ｃ−Ｈで形成されるポリマー３４とフォトレジスト
層３２を除去する（図４（ｂ）参照）。次に、同雰囲気
の下で、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスである第２の処理ガス
を供給すると共に、プラズマ化することによって、エッ
チング孔３３の底部に付着するダメージ層３５を除去し
ている（図４（ｃ）参照）。
【００２４】上記のように、エッチング処理されたウエ
ハＷを２５０℃の高温のプラズマ雰囲気下におき、この
雰囲気下で酸素（Ｏ2 ）を含む第１の処理ガスを供給し
て、フォトレジスト層３２とポリマー３４を除去した
（第１工程）後、この第１工程と同じ高温プラズマ雰囲
気の下で四フッ化炭素（ＣＦ4 ）と酸素（Ｏ2 ）を含む
第２の処理ガスを供給して、エッチング孔３３の底部に
付着したダメージ層３５を除去（第２工程）することに
より、同一の第２処理室２２内でエッチング処理後のア
ッシング処理とライトエッチング処理を行うことができ
る。したがって、ポリマー３４とフォトレジスト層３２
を除去した後にダメージ層３５を除去するので、ダメー
ジ層３５を確実に除去することができる。また、同一処
理室２２内でアッシング処理及びライトエッチング処理
ができるので、処理時間の短縮化が図れる。
ハＷを２５０℃の高温のプラズマ雰囲気下におき、この
雰囲気下で酸素（Ｏ2 ）を含む第１の処理ガスを供給し
て、フォトレジスト層３２とポリマー３４を除去した
（第１工程）後、この第１工程と同じ高温プラズマ雰囲
気の下で四フッ化炭素（ＣＦ4 ）と酸素（Ｏ2 ）を含む
第２の処理ガスを供給して、エッチング孔３３の底部に
付着したダメージ層３５を除去（第２工程）することに
より、同一の第２処理室２２内でエッチング処理後のア
ッシング処理とライトエッチング処理を行うことができ
る。したがって、ポリマー３４とフォトレジスト層３２
を除去した後にダメージ層３５を除去するので、ダメー
ジ層３５を確実に除去することができる。また、同一処
理室２２内でアッシング処理及びライトエッチング処理
ができるので、処理時間の短縮化が図れる。
【００２５】この発明の後処理方法と従来のアッシング
処理方法におけるダメージ層除去でのＳｉＯ2 膜の横方
向への削れ量（最初のエッチング後のエッチング孔の孔
径−ライトエッチング後の孔径）をウエハＷの中心位
置、中間位置及びエッジ位置について測定したところ、
従来のアッシング処理においては、中心及び中間位置が
８００オングストローム以下であったが、エッジ位置で
は１２００オングストローム以上であった。これに対
し、この発明の後処理方法では、中心，中間及びエッジ
の各位置において１０００オングストローム以下でほぼ
同程であり、バラツキの少ない後処理を行うことができ
た。
処理方法におけるダメージ層除去でのＳｉＯ2 膜の横方
向への削れ量（最初のエッチング後のエッチング孔の孔
径−ライトエッチング後の孔径）をウエハＷの中心位
置、中間位置及びエッジ位置について測定したところ、
従来のアッシング処理においては、中心及び中間位置が
８００オングストローム以下であったが、エッジ位置で
は１２００オングストローム以上であった。これに対
し、この発明の後処理方法では、中心，中間及びエッジ
の各位置において１０００オングストローム以下でほぼ
同程であり、バラツキの少ない後処理を行うことができ
た。
【００２６】また、第１工程でフォトレジスト層３２と
ポリマー３４を除去した後、雰囲気気圧：１Torr，電極
間の高周波電力：８０Watt，ＣＦ4 の流量：４９０SCC
M，Ｏ2 の流量：２１０SCCM，雰囲気温度：２５０℃の
条件の下で第２工程のライトエッチング処理を行ったと
ころ、ウエハＷの全域においてダメージ層３５を確実に
除去することができた。
ポリマー３４を除去した後、雰囲気気圧：１Torr，電極
間の高周波電力：８０Watt，ＣＦ4 の流量：４９０SCC
M，Ｏ2 の流量：２１０SCCM，雰囲気温度：２５０℃の
条件の下で第２工程のライトエッチング処理を行ったと
ころ、ウエハＷの全域においてダメージ層３５を確実に
除去することができた。
【００２７】なお、上記実施例ではウエハＷの表面に付
着するポリマーを除去した後にＣＦ4 ＋Ｏ2 を含む第２
の処理ガスを供給する場合について説明したが、ＣＦ4
以外の塩素、臭素等のハロゲンガスを使用してもよい。
着するポリマーを除去した後にＣＦ4 ＋Ｏ2 を含む第２
の処理ガスを供給する場合について説明したが、ＣＦ4
以外の塩素、臭素等のハロゲンガスを使用してもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明のエッ
チングの後処理方法によれば、エッチング処理された被
処理体を高温に加熱して酸素（Ｏ2 ）を含む第１の処理
ガスのプラズマ雰囲気下で、レジスト膜と被処理体の表
面に付着するポリマーを除去した後、ハロゲンガスと酸
素（Ｏ2 ）を含む第２の処理ガスのプラズマ雰囲気の下
で、エッチングにより生成された不純物層を除去するの
で、不純物を確実に除去することができる。また、同一
の雰囲気の下でアッシング処理とライトエッチング処理
とを連続して行うことができるので、処理時間の短縮が
図れると共に、スループットの向上及び設備の小型化が
図れる。
チングの後処理方法によれば、エッチング処理された被
処理体を高温に加熱して酸素（Ｏ2 ）を含む第１の処理
ガスのプラズマ雰囲気下で、レジスト膜と被処理体の表
面に付着するポリマーを除去した後、ハロゲンガスと酸
素（Ｏ2 ）を含む第２の処理ガスのプラズマ雰囲気の下
で、エッチングにより生成された不純物層を除去するの
で、不純物を確実に除去することができる。また、同一
の雰囲気の下でアッシング処理とライトエッチング処理
とを連続して行うことができるので、処理時間の短縮が
図れると共に、スループットの向上及び設備の小型化が
図れる。
【図１】プラズマエッチング装置の一例を示す概略断面
図である。
図である。
【図２】プラズマ装置を有する減圧処理装置の概略平面
図である。
図である。
【図３】この発明に係るエッチングの後処理方法を実施
するために用いられるプラズマ装置の一例を示す概略断
面図である。
するために用いられるプラズマ装置の一例を示す概略断
面図である。
【図４】図３に示される装置で処理される半導体ウエハ
のエッチング処理及び後処理工程を示す説明図である。
のエッチング処理及び後処理工程を示す説明図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ３０ Ｓｉ基板 ３１ ＳｉＯ2 膜 ３２ フォトレジスト層 ３３ エッチング孔 ３４ ポリマー ３５ ダメージ層 ４０ 処理容器 ４３ 高周波電源 ４４ 上部電極 ４５ 下部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチング処理された被処理体を高温に
加熱して酸素（Ｏ2）を含む第１の処理ガスのプラズマ
雰囲気下で、レジスト膜と上記被処理体の表面に付着す
るポリマーを除去する第１工程と、ハロゲンガスと酸素
（Ｏ2 ）を含む第２の処理ガスのプラズマ雰囲気の下
で、エッチング処理の際にエッチングにより生成された
不純物層を除去する第２工程とからなることを特徴とす
るエッチングの後処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4354410A JPH06188229A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | エッチングの後処理方法 |
| KR1019930027725A KR100267698B1 (ko) | 1992-12-16 | 1993-12-15 | 에칭처리방법 및 에칭의 후처리방법 및 에칭설비 |
| US08/478,814 US6299722B1 (en) | 1992-12-16 | 1995-06-07 | Etching equipment including a post processing apparatus for removing a resist film, polymer, and impurity layer from an object |
| US08/777,907 US5858878A (en) | 1992-12-16 | 1996-12-20 | Semiconductor wafer etching method and post-etching process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4354410A JPH06188229A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | エッチングの後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188229A true JPH06188229A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18437373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4354410A Pending JPH06188229A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | エッチングの後処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6299722B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06188229A (ja) |
| KR (1) | KR100267698B1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW394989B (en) * | 1997-10-29 | 2000-06-21 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device manufacturing and reaction room environment control method for dry etching device |
| KR100265287B1 (ko) * | 1998-04-21 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템 |
| US6432830B1 (en) * | 1998-05-15 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor fabrication process |
| US6232219B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-05-15 | Micron Technology, Inc. | Self-limiting method of reducing contamination in a contact opening, method of making contacts and semiconductor devices therewith, and resulting structures |
| US6297163B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching dielectric materials |
| US6162733A (en) * | 1999-01-15 | 2000-12-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for removing contaminants from integrated circuits |
| US6130167A (en) * | 1999-03-18 | 2000-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of preventing corrosion of a metal structure exposed in a non-fully landed via |
| JP2001085392A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6406991B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-18 | Hoya Corporation | Method of manufacturing a contact element and a multi-layered wiring substrate, and wafer batch contact board |
| US6762129B2 (en) * | 2000-04-19 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus |
| US6440864B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Applied Materials Inc. | Substrate cleaning process |
| US6692903B2 (en) | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6524867B2 (en) * | 2000-12-28 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier |
| US6847531B2 (en) * | 2001-01-02 | 2005-01-25 | General Electric Company | System and method for regenerative PWM AC power conversion |
| US7563328B2 (en) * | 2001-01-19 | 2009-07-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination |
| US6479396B1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-11-12 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Dry polymer and oxide veil removal for post etch cleaning |
| JP3987312B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2007-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体製造装置のクリーニング方法 |
| US7083897B2 (en) * | 2003-05-15 | 2006-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of fabricating a poly fuse |
| KR100555505B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 실리사이드층의 증착 및 제거에 의해서 콘택홀 바닥에서확장된 오픈 선폭을 구현하는 연결 콘택 형성 방법 |
| JP2008060238A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7967996B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Process for wafer backside polymer removal and wafer front side photoresist removal |
| US20080179287A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Collins Kenneth S | Process for wafer backside polymer removal with wafer front side gas purge |
| US20080179288A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Collins Kenneth S | Process for wafer backside polymer removal and wafer front side scavenger plasma |
| US20080179289A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Collins Kenneth S | Process for wafer backside polymer removal with a plasma stream |
| FI123487B (fi) * | 2009-06-15 | 2013-05-31 | Beneq Oy | Laitteisto atomikerroskasvatuksen suorittamiseksi substraatin pinnalle |
| JP5698043B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2015-04-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置 |
| CN107803071B (zh) * | 2016-09-09 | 2020-01-17 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种排气系统及防止尘粒回流的装置及方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4345968A (en) * | 1981-08-27 | 1982-08-24 | Ncr Corporation | End point detection using gas flow |
| JPS59147433A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
| CA1331163C (en) * | 1986-04-18 | 1994-08-02 | Applied Materials, Inc. | Multiple-processing and contamination-free plasma etching system |
| JPS63129630A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ薄膜形成法 |
| DE3776325D1 (de) * | 1987-04-16 | 1992-03-05 | Ibm | Verfahren zur herstellung von kontaktoeffnungen in einer doppellagenisolation. |
| US4961820A (en) * | 1988-06-09 | 1990-10-09 | Fujitsu Limited | Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication |
| KR930004115B1 (ko) * | 1988-10-31 | 1993-05-20 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 애싱(ashing)처리방법 및 장치 |
| JP2654143B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | 選択気相成長方法 |
| US5014217A (en) * | 1989-02-09 | 1991-05-07 | S C Technology, Inc. | Apparatus and method for automatically identifying chemical species within a plasma reactor environment |
| US5186120A (en) * | 1989-03-22 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mixture thin film forming apparatus |
| US4923828A (en) * | 1989-07-07 | 1990-05-08 | Eastman Kodak Company | Gaseous cleaning method for silicon devices |
| DE69033452T2 (de) * | 1989-09-08 | 2000-06-29 | Tokyo Electron Ltd., Tokio/Tokyo | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| JPH03291929A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライエッチング方法 |
| US5198634A (en) * | 1990-05-21 | 1993-03-30 | Mattson Brad S | Plasma contamination removal process |
| JP2814021B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板表面の処理方法 |
| US5094712A (en) * | 1990-10-09 | 1992-03-10 | Micron Technology, Inc. | One chamber in-situ etch process for oxide and conductive material |
| JP2888258B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US5376212A (en) * | 1992-02-18 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Reduced-pressure processing apparatus |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP4354410A patent/JPH06188229A/ja active Pending
-
1993
- 1993-12-15 KR KR1019930027725A patent/KR100267698B1/ko active IP Right Grant
-
1995
- 1995-06-07 US US08/478,814 patent/US6299722B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-20 US US08/777,907 patent/US5858878A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100267698B1 (ko) | 2000-10-16 |
| US6299722B1 (en) | 2001-10-09 |
| KR940016553A (ko) | 1994-07-23 |
| US5858878A (en) | 1999-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06188229A (ja) | エッチングの後処理方法 | |
| US7432172B2 (en) | Plasma etching method | |
| US4613400A (en) | In-situ photoresist capping process for plasma etching | |
| JP3275043B2 (ja) | エッチングの後処理方法 | |
| US20060252265A1 (en) | Etching high-kappa dielectric materials with good high-kappa foot control and silicon recess control | |
| US20100178770A1 (en) | Method of etching a thin film using pressure modulation | |
| KR101688231B1 (ko) | Ｃｏ2/ｃｏ계 처리를 이용하여 기판을 애싱하기 위한 저손상 방법 | |
| CN100375247C (zh) | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | |
| KR101737021B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 | |
| JP2001168075A (ja) | 基板誘電層プレクリーニング方法 | |
| TWI756424B (zh) | 電漿處理裝置之洗淨方法 | |
| JP3808902B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| WO2002103773A1 (en) | Dry-etcching method | |
| WO2003056617A1 (fr) | Procede de gravure et dispositif de gravure au plasma | |
| WO2002086957A1 (fr) | Procede de gravure a sec | |
| CN112635317A (zh) | 蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质 | |
| JPH06236864A (ja) | エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備 | |
| KR0175073B1 (ko) | 실리콘 함유층의 에칭방법 | |
| JP3362093B2 (ja) | エッチングダメージの除去方法 | |
| JP2004259819A (ja) | 試料の表面処理装置及び表面処理方法 | |
| KR100271763B1 (ko) | 폴리실리콘식각방법및그식각장치 | |
| JP5089871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20070102399A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, control program and computer-readable storage medium | |
| JP2000012521A (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JPH0653191A (ja) | ドライエッチング方法 |