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JPH06177185A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

Info

Publication number
JPH06177185A
JPH06177185A JP5214449A JP21444993A JPH06177185A JP H06177185 A JPH06177185 A JP H06177185A JP 5214449 A JP5214449 A JP 5214449A JP 21444993 A JP21444993 A JP 21444993A JP H06177185 A JPH06177185 A JP H06177185A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
ceramic
layer
integrated circuit
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5214449A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert C Camilletti
チャールズ カミレッティ ロバート
Grish Chandra
チャンドラ グリッシュ
Mark J Loboda
ジョン ロボダ マーク
Keith W Michael
ウィントン マイケル キース
David A Sierawski
アラン シーラウィスキー デビッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of JPH06177185A publication Critical patent/JPH06177185A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ段階で簡単に封止でき、かつ高信頼
性のハーメチック封止せる集積回路を提供すること。 【構成】 １又は２以上の接続パッドを有する回路集合
体と、回路集合体上にありかつ１又は２以上の前記接続
パッドの位置で開口した主パッシベーション層と、接続
パッドを覆う任意の拡散バリヤ金属層と、拡散バリヤ金
属層を覆う１又は２以上の非腐食性導電性層と、主パッ
シベーション層を覆うセラミック層とを含み、セラミッ
ク層が、回路をプレセラミックケイ素含有材料を含む組
成物で被覆した後プレセラミックケイ素含有材料をセラ
ミックに変換して形成されたケイ素含有セラミック材料
からなり、かつセラミック層が非腐食性導電性層と密着
していることを特徴とするハーメチック封止集積回路。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は周囲環境から保護された
集積回路に係わる。このような回路は接続パッドに非腐
食性導電層を適用し主パッシベーション層に追加セラミ
ック層を適用してハーメチック封止される。これらの回
路は製造が安価でありかつ性能及び信頼性が高い。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近の
電子回路は水分、イオン、熱及び磨耗などの広範囲の環
境条件に耐久的である必要がある。このような回路の上
記のような環境条件へのに暴露を最小限にして回路の信
頼性と寿命を改良するための各種の保護手段に向けた努
力が鋭意行われている。
【０００３】電子回路を保護する従来技術の多くの方法
は回路配線を行った後に封止又はカプセル化するもので
ある。例えば、シリコーン、ポリイミド、エポキシ、そ
の他の有機物、プラスチックス、などの保護層を用いる
ことが公知である。しかし、このような材料は、殆どが
周囲水分及びイオンを透過するので有効性に制限があ
る。
【０００４】同様に、配線済の回路をセラミックパッケ
ージに封止することも行われている。この方法は装置の
信頼性を高める上で有効であることが証明されており、
特定の用途では既に使用されている。しかし、この方法
は、寸法、重量、コストが増加することが、電子産業で
広く使用されることを阻害している。米国特許第４７５
６９７７号及び同４７４９６３１号において、電子装置
に軽量のセラミック保護膜を用いることが提案されてい
る。これらの特許には、水素シルセスキオキサン及びシ
リケートから誘導されたセラミックケイ素膜の使用、並
びに追加セラミック層のハーメチックバリヤとしての使
用が記載されている。本発明者らは、このような保護膜
をウェーハ段階の集積回路に適用すると、その後から保
護膜の一部を除去して接続パッドを開口しても、得られ
る回路のハーメチック封止は維持されて信頼性及び寿命
の改良が示されることを見出した。
【０００５】ウェーハ段階で封止した回路は公知であ
る。例えば、製造した集積回路を化学気相堆積（ＣＶ
Ｄ）法でシリカ及び／又は窒化ケイ素のようなセラミッ
ク材料で被覆することは業界公知である。これらの被覆
膜はリード接合用パッドまでエッチバックする。このよ
うにして被覆したウェーハは、しかしながら、信頼性及
び寿命が充分ではない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の集
積回路のハーメチック保護に関する問題点を、接続パッ
ドを非腐食性導電層で封止し、慣用のパッシベーション
を別のセラミック層で封止することによって解決した。
本発明はハーメチック封止した集積回路に関する。これ
らの集積回路は主パッシベーションとパッシベーション
中に開口した１又は２以上の接続パッドを有する回路サ
ブ集合体を含む。この回路の開口した接続パッドに１又
は２以上の非腐食性導電性層を適用し、主パッシベーシ
ョンに１又は２以上のケイ素含有セラミック層を適用す
る。
【０００７】本発明は同様に上記の封止した集積回路を
製造する方法にも係わる。この方法は回路集合体の開口
した接続パッドに１又は２以上の非腐食性導電性層を適
用することを含む。次いで１又は２以上のセラミック層
を回路全体に適用した後、導電性層を覆うセラミック層
の少なくとも一部をエッチバックする。
【０００８】
【実施例】本発明は、接続パッド上に非腐食性導電性層
を適用し、回路の残りにセラミック封止を適用すること
によって、集積回路をハーメチック封止することが可能
であるとの発見に基づいている。これらの封止した回路
は信頼性と性能が向上する。さらに、この方法は予想に
反してウェーハ段階で遂行されるので、製造が簡単化さ
れてコストが低減される。
【０００９】本発明の方法で使用される集積回路集合体
は重要でなく、従来公知でありまた市販されている殆ど
全てのものが本発明では有用である。このような回路の
製造方法も公知であり、本発明にとっては重要ではな
い。このような回路の例としては、シリコンやガリウム
砒素のような半導体基板上にエピタキシャル層が成長さ
れる。このエピタキシャル層に適当にドーピングして装
置の活性領域となるＰＮ接合が形成される。これらの活
性領域はダイオードやトランジスタであり、これらの間
を金属層を適当にパターニングして配線すると集積回路
になる。この金属配線層は回路集合体の外部表面にある
接続パッドに終端する。この回路の外表面を保護するた
めに主パッシベーションを適用し、その主パッシベーシ
ョンをエッチバックして接続パッドを露出させて、その
後のダンシングと回路配線による活性装置の作成を行う
ことを可能にする。図１はこのような半導体基板の断面
図であり、図中１は半導体基板、２は接続パッド、３は
主パッシベーションである。これらの方法は一般的にウ
ェーハ段階で行われる。
【００１０】上記のパッシベーションは、慣用的には、
ＣＶＤ法で適用される１又は２以上のセラミック層を含
む。これらのセラミック層は、例えば、シランと酸素、
酸化窒素、窒素、アンモニアなどから誘導されるシリ
カ、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含む。これらの回路
はパッシベーション層を有しているにもかかわらず、環
境により損傷する傾向がある。例えば、パッシベーショ
ンのエッチバックにより露出した接続ハッドは腐食劣化
を被る。同様に、パッシベーションは欠陥や亀裂を介し
て水分及び／又は各種破壊性イオンを透過させる傾向が
ある。上記の如く、回路業界は、これらの問題を回路を
配線した後追加の保護手段を用いて解決しようとしてい
る。これに対して、本発明は回路の配線の前に行う追加
の手段を記載するものである。
【００１１】本発明の方法では、上記回路の封止を、
(１)接合パッドを１又は２以上の非腐食性導電性層で被
覆して回路配線用の領域となし、かつ(２)主パッシベー
ションを追加のセラミック層で被覆して行う。すなわ
ち、図１にこれが示され、４は非腐食性導電性層であ
り、５は追加セラミック層である。接続パッドに適用し
た非腐食性導電性層は、集積回路の多層回路を形成する
場合に使用するものとして公知である。この非腐食性導
電性層に使用される材料は重要ではなく、環境中で安定
で、導電性で、配線に有用であるどのような材料でもよ
い。このような材料の例は金、銅、銀、タングステン、
はんだ、銀充填エポキシ樹脂などがある。
【００１２】この層の適用方法も重要ではない。このよ
うな方法の例は各種の物理的気相堆積（ＰＶＤ）法、例
えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法や、単純に材料を
接続パッドに施すものがある。このような方法は多層回
路を形成する集積回路の製造において公知であり、本発
明では機能的なものである。接続パッドの材料（例，ア
ルミニウム）はしばしば非腐食性導電性層の材料（例，
金）と不適合性であるので、これらを相互に接触させた
場合、金属間化合物（パープルプレイグ）が回路を損傷
する。このような損傷を防止するために、最初に接続パ
ッドに拡散バリヤ金属層を適用した後に上記のような非
腐食性導電性層を適用することは本発明の範囲内のこと
である。ここで有用な拡散バリヤ金属層は多層回路の形
成のために集積回路の分野においいて公知である。一般
的に、このような層はタングステン、チタン─タングス
テン、窒化チタンなどのような金属及び合金等からな
る。
【００１３】図２は、接続パッド２、主パッシベーショ
ン３、バリヤ金属６、非腐食性導電性層４、及び追加セ
ラミック層５を有する基板１の断面図である。バリヤ金
属層を形成する方法は重要ではなく、多くの方法が公知
である。普通の方法は回路表面にバリヤ金属層をスパッ
タした後エッチングすることからなる。
【００１４】接続パッドを非腐食性導電性層又はバリヤ
金属／非腐食性導電性層で封止した後、回路上の主パッ
シベーションを１又は２以上の追加セラミック層で被覆
する。一般的に、第１の層はケイ素含有セラミック層で
あり、プレセラミックケイ素含有材料を含む組成物で被
覆した後プレセラミックケイ素含有材料をセラミックに
転換する方法で適用する。典型的には、プレセラミック
材料は充分に高い温度に加熱してセラミックに転換す
る。
【００１５】本発明では、用語「プレセラミックケイ素
含有材料」は、含浸できる程度に充分に流動性にして回
路の表面を被覆することができ、かつその後で当業者が
セラミックの特性であると認識する特性を示す固体層に
変換できる材料を指称する。このような材料は、例え
ば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケ
イ素、炭窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、炭化ケイ素など
のプリカーサを含む。
【００１６】本発明の方法で使用する好ましいプレセラ
ミック化合物は酸化ケイ素、特にシリカのプリカーサで
ある。本発明で使用できるシリカプリカーサは、水素シ
ルセスキオキサン樹脂（Ｈ樹脂）、全部又は部分的に加
水分解したR n Si(OR)4-n 、又はこれらの混合物を含
む。前記式中、R はそれぞれ独立に炭素原子数１〜２０
の脂肪族、脂環式又は芳香族置換基、例えば、アルキル
（例、メチル、エチル、プロピル）、アルケニル（例、
ビニル、アリル）、アクキニル（例、エチニル）、シク
ロペンチル、シクロヘキシル及びフェニルであり、ｎは
０〜３、好ましくは０〜１である。
【００１７】本発明において、Ｈ樹脂は、HSi(OH) X (O
R)Y O Z/2 （式中、各R は独立して酸素原子を介してケ
イ素原子と結合すると加水分解性置換基を生成する有機
基であり、ｘは０〜２、ｙは０〜２、ｚは１〜３、かつ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３である。）の構造の単位を有する各種の
ヒドリドシラン樹脂を指称する。これらの樹脂は完全に
縮合していてもよく(x=0,y=0,z=3) 、あるいは部分的に
加水分解し（ｙはポリマーの全ての単位で0 ではない)
及び／又は部分的に縮合してもｘはポリマーの全ての単
位で０ではない) 、どちらでもよい。この構造では表さ
れないが、これらの樹脂のいろいろな単位はその製造及
び取扱に伴いいろいろな因子によってＳｉ−Ｈ結合を有
さず又は１以上有してもよい。実質的に縮合したＨ樹脂
（約３００ｐｐｍ以下のシラノール）の例は米国特許第
３６１５２７２号の方法で製造した樹脂である。このポ
リマー材料は式(HSiO3/2) n （式中、ｎは一般に８〜１
０００である）の単位を有する。好ましい樹脂は数平均
分子量８００〜２９００及び重量平均分子量８０００〜
２８０００（ポリジメチルシロキサンを検量標準として
用いたゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で得て）
を有する。充分に加熱した場合、この材料は実質的にＳ
ｉＨ結合を有さないセラミック層を与える。
【００１８】完全に縮合してしいないＨ樹脂の例は米国
特許第５０１０１５９号及び同第４９９９３９７号に記
載されたものである。完全に加水分解又は凝縮していな
いＨ樹脂の例は、酸性化した酸素含有極性有機溶剤中の
水でヒドロカルボニルヒドリドシランを加水分解する方
法で生成される。水素シルセスキオキサン樹脂に白金、
ロジウム又は銅の触媒も添加してシリカへの添加の速度
と量を増大させることができる。触媒と可溶化できる白
金、ロジウム又は銅の化合物又は錯体はいずれも有用で
あろう。例えば、白金アセチルアセトンのような有機白
金触媒又はロジウム触媒RhCl3[S(CH2CH2CH2CH3)2]3─米
国ミシガン州ミッドランドのダウコーニング社より入手
可能─は本発明の範囲内である。上記の触媒は一般に樹
脂の重量基準に白金又はロジウム約５〜500ppmの量で溶
液に添加する。
【００１９】本発明で有用な第２のタイプのシリカプリ
カーサ材料には式R n Si(OR)4-n （式中、ｒ及びｎは上
記の通りである。）の全部又は部分的に加水分解した化
合物が含まれる。これらの材料のいくつかは、例えば、
商標ACCUKLASS として市販されている。このタイプの具
体的な化合物は、メチルトリエトキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラプロポキシシラン、テトラブトキシシランを含む。
これらの化合物の加水分解又は部分的な加水分解の後、
そのケイ素原子はC, OH,又はORと結合できるが、実質的
な部分は可溶性Si-O-Si 樹脂の形で縮合していると考え
られる。ｘが２又は３の化合物は熱分解の際に揮発性の
環状構造が生成するので単独では用いないが、少量の前
記化合物を他のシランと共に共加水分解して有用なプレ
セラミック材料を製造できある。
【００２０】上記のSiO2プリカーサの外に、その他のセ
ラミック酸化物プリカーサも単独で又は上記SiO2プリカ
ーサと組み合わせて有利に使用できる。本発明で特に意
図するセラミック酸化物プリカーサは、溶液に溶解し、
加水分解した後、比較的低温で熱分解してセラミック酸
化物を生成する、アルミニウム、チタン、ジルコニウ
ム、タンタル、ニオブ及び／又はバナジウムのような各
種金属の化合物、並びにホウ素又はリンの非金属化合物
のような各種非金属化合物を含む。
【００２１】上記セラミック酸化物プリカーサ化合物は
一般的に、金属の価数に応じて上記金属又は非金属に結
合した１又は２以上の加水分解性基を有する。これらの
化合物に含まれる加水分解性基の数は、化合物が溶剤に
可溶である限り重要ではない。同様に、加水分解性基は
加水分解又は熱分解して系から除去れるのでその細かい
選択は重要ではない。典型的な加水分解性基は、メトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ヘトキシなどのアルコキ
シ、アセトキシなどのアシロキシ、アセトアセトネート
又はアミノ基などの酸素原子を介して前記金属又は非金
属と結合した他の有機基を含む。従って、具体的な化合
物としては、ジルコニウムテトラセチルアセトネート、
チタンジブトキシジアセチルアセトネート、アルミニウ
ムトリアセチルアセトネート、テトライソブトキシチタ
ン、Ti(N(CH3)2)4を含む。
【００２２】SiO2を上記セラミック酸化物プリカーサの
１つと混合するとき、一般に、最終セラミックが70〜9
9.9重量％のSiO2を含むような量で用いる。適当な炭窒
化ケイ素プリカーサの例はヒトリドポリシラザン（ＨＰ
Ｚ）樹脂及びメチルポリジシリラザン（ＭＰＤＺ）樹脂
を含む。これらの材料の製造方法は米国特許第４５４０
８０３号及び同第４３４０６１９号に記載されている。
炭化ケイ素プリカーサの例はポリカルボシラザンを含
み、窒化ケイ素プリカーサの例はポリシラザンを含む。
上記プリカーサを酸素含有雰囲気中で熱分解することに
基づいてセラミック中に酸素が含まれることが可能であ
る。
【００２３】上記プレセラミック材料は、次いで、集積
回路を被覆するために使用する。この材料はいかなる形
態でも使用できるが、プレセラミック材料を適当な溶剤
に溶解した溶液として使用することが好ましい。この溶
液法を採用する場合、プレセラミック材料を溶剤又は溶
剤混合物に単純に溶解又は分散してプレセラミック溶液
を作成する。攪拌及び／又は加熱なとの各種促進手段を
用いて溶解を補助することができる。この方法に用いる
溶剤は、エチルやイソプロピルなどのアルコール、ベン
ゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素、ｎ−ヘプタンや
ドデカンなどのアルカン、ケトン、環状ジメチルポリシ
ロキサン、エステル、グリコールエーテルを含み、その
量は上記材料を溶解して低固形分とするのに充分な量で
用いる。例えば、０．１〜８５重量％の溶液を形成する
のに充分な溶剤を含むべきである。
【００２４】次いで、回路をスピンコート法、スプレー
法、浸漬法、フローコート法などの手段でこの溶液で被
覆し、溶剤を蒸発させる。単純に周囲環境に暴露して空
気乾燥したり、加熱したり、真空を適用するなど、いか
なる適当な蒸発手段を採用してもよい。上記方法は主と
して溶液法に焦点を当てたが、当業者はその他の同等な
方法（例えば、溶融含浸法）も本発明の方法において同
様に機能できることを理解するであろう。
【００２５】次いで、プレセラミック材料は充分に高い
温度に加熱してケイ素含有セラミックに変換する。一般
的に、熱分解雰囲気及びプレセラミック材料に依存する
が、温度は５０〜８００℃の範囲である。好ましい温度
は５０〜６００℃、より好ましくは５０〜４００℃であ
る。加熱は充分にセラミック化するまでの時間、一般的
には６時間以内、好ましくは２時間以内行う。
【００２６】上記加熱は、真空から超大気圧までいかな
る有効な雰囲気圧力でも、また空気、酸素、不活性ガス
（窒素など）、アンモニア、アミン、水分、N2O などの
いずれの有効な酸化性又は非酸化性気体雰囲気でも、実
施できる。対流炉、急速加熱プロセス、ホットプレー
ト、放射線又はマイクロ波エネルギーなどを用いるどの
加熱方法も一般的に有効である。また、加熱速度も重要
ではなく、できるだけ急速に加熱することが最も実際的
であり、また好ましい。
【００２７】必要に応じてこれらの層の上に追加のコー
テングを施すことができる。それには、例えば、SiO
2層、SiO2/ セラミック酸化物層、ケイ素含有層、ケイ
素─炭素含有層、ケイ素─窒素含有層、ケイ素─酸素─
炭素含有層、ケイ素─窒素─炭素含有層、及び／又はダ
イヤモンド様炭素層を含む。このような層の適用方法は
米国特許第4,756,977 号に記載されている。特に好まし
い層は米国特許第5,011,706 号に記載されているシラシ
クロブタンのCVD で適用した炭化ケイ素である。
【００２８】セラミック層を適用した後、非腐食性導電
性層を被覆している層をエッチング又は部分的にエッチ
ングしてリードを取り付けることができるようにする。
エッチッグ方法は重要ではなく、殆どすべての公知の方
法が有効である。例えば、ドライエッチング（例、プラ
ズマエッチング）、ウェットエッチング（例、水性フッ
素酸）及び／又はレーザーアブレージョン法がある。
【００２９】上記の封止方法はウェーハ段階で、あるい
はダイシング後に遂行することができる。しかしなが
ら、効率の観点からはウェーハ段階で行うのが好まし
い。このようにして作成した集積回路は、その信頼性が
向上するようにハッメチック封止する。また、回路は損
傷なしで取扱、操作することができる。さらに、この層
は紫外線及び可視光線に不透明であるという利点があ
る。
【００３０】このようなな回路は、次に、相互に、リー
ドフレームと、回路基板と、あるいはその他の外部部品
と配線接続する。このような配線接続は業界で公知の慣
用のリード法、ＴＡＢ法、フリップチップ法などで行う
ことができる。配線接続後、装置は業界公知の方法でパ
ッケージすることができる。例えば、装置をポリイミド
やエポキシ樹脂やPARYLENE（商標）などの有機封止材中
に埋設することができる。また、シリコーン封止材中に
埋設したり、追加の保護用のプラスチックパッケージに
含めるてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパッシベーション及び非腐食性導電性
層を有する半導体基板の断面図である。
【図２】本発明のパッシベーション、バリヤ金属層及び
非腐食性導電性層を有する半導体基板の断面図である。
【符号の説明】
１…半導体基板 ２…接続パッド ３…主パッシベーション ４…非腐食性導電性嘘 ５…追加セラミック層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 マーク ジョン ロボダ アメリカ合衆国，ミシガン，ミッドラン ド，バイン ストリート 1902 (72)発明者 キース ウィントン マイケル アメリカ合衆国，ミシガン，ミッドラン ド，シーバート 2715 (72)発明者 デビッド アラン シーラウィスキー アメリカ合衆国，ミシガン，ミッドラン ド，ブルームフィールド 5709

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １又は２以上の接続パッドを有する回路
    集合体と、前記回路集合体上にありかつ１又は２以上の
    前記接続パッドの位置で開口した主パッシベーション層
    と、該開口した接続パッドを覆う１又は２以上の非腐食
    性導電性層と、該主パッシベーション層を覆うセラミッ
    ク層とを含み、前記セラミック層が、前記回路をプレセ
    ラミックケイ素含有材料を含む組成物で被覆した後該プ
    レセラミックケイ素含有材料をセラミックに変換して形
    成されたケイ素含有セラミック材料からなり、かつ該セ
    ラミック層が前記非腐食性導電性層と密着していること
    を特徴とするハーメチック封止集積回路。
  2. 【請求項２】 前記非腐食性導電性層が金、銀、タング
    ステン、はんだ、銀充填エポキシ及び銅からなる群から
    選ばれる材料である請求項１記載の集積回路。
  3. 【請求項３】 前記セラミック層が酸化ケイ素、窒化ケ
    イ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素及
    び炭化ケイ素からなる群から選ばれる請求項１又は２記
    載の集積回路。
  4. 【請求項４】 前記プレセラミックケイ素含有材料が水
    素シルセスキオキサン樹脂である請求項１、２又は３記
    載の集積回路。
  5. 【請求項５】 前記プレセラミックケイ素含有材料が全
    部又は部分的に加水分解したR n Si(OR)4-n （式中、各
    Ｒはそれぞれ独立して炭素原子数１〜２０の脂肪族、脂
    環式芳香族の置換基であり、ｎは０〜３である。）であ
    る請求項１、２又は３記載の集積回路。
  6. 【請求項６】 前記セラミック層がSiO2膜、SiO2／セラ
    ミック酸化物膜、ケイ素膜、ケイ素炭素含有膜、ケイ素
    窒素含有膜、ケイ素酸素窒素含有膜、ケイ素炭素窒素含
    有膜及びダイヤモンド様炭素膜からなる群から選ばれる
    １又は２以上の追加のセラミック層で覆われている請求
    項１記載の集積回路。
  7. 【請求項７】 有機封止材及びシリコーン封止材からな
    る群から選ばれる材料内に埋設されかつ相互接続されて
    いる請求項１記載の集積回路。
  8. 【請求項８】 前記セラミック層が紫外線及び可視光線
    に不透明であるセラミック１記載の集積回路。
  9. 【請求項９】 １又は２以上の接続パッドを有する回路
    集合体と、前記回路集合体上にありかつ１又は２以上の
    前記接続パッドの位置で開口した主パッシベーション層
    と、該接続パッドを覆う拡散バリヤ金属層と、該拡散バ
    リヤ金属層を覆う１又は２以上の非腐食性導電性層と、
    該主パッシベーション層を覆うセラミック層とを含み、
    前記セラミック層が、前記回路をプレセラミックケイ素
    含有材料を含む組成物で被覆した後該プレセラミックケ
    イ素含有材料をセラミックに変換して形成されたケイ素
    含有セラミック材料からなり、かつ該セラミック層が前
    記非腐食性導電性層と密着していることを特徴とするハ
    ーメチック封止集積回路。
  10. 【請求項１０】 前記拡散バリヤ金属層がチタン、チタ
    ン／タングステン合金、及び窒化チタンからなる群から
    選ばれる請求項９記載の集積回路。
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