JPH06151477A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06151477A JPH06151477A JP31933292A JP31933292A JPH06151477A JP H06151477 A JPH06151477 A JP H06151477A JP 31933292 A JP31933292 A JP 31933292A JP 31933292 A JP31933292 A JP 31933292A JP H06151477 A JPH06151477 A JP H06151477A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- substrate
- semiconductor chip
- conductive adhesive
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不良チップの除去及び良品チップの交換を行
う場合、これらの各チップを基体上から容易に取り外し
できるようにする。 【構成】 ハンダ粒子１３を含む導電性接着剤１４を用
い、半導体チップ３を接合するときは基体１をハンダ溶
融温度以下で加熱処理し、不良チップの除去及び良品チ
ップの交換を行うときは基体１をハンダ溶融温度以上で
加熱処理する。
う場合、これらの各チップを基体上から容易に取り外し
できるようにする。 【構成】 ハンダ粒子１３を含む導電性接着剤１４を用
い、半導体チップ３を接合するときは基体１をハンダ溶
融温度以下で加熱処理し、不良チップの除去及び良品チ
ップの交換を行うときは基体１をハンダ溶融温度以上で
加熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップが導電性
接着剤を介して基体上に接合されてなる半導体装置に関
する。
接着剤を介して基体上に接合されてなる半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】共通の基体上に少なくとも半導体チップ
が導電性接着剤によって接合された、図３に示すような
構造の半導体装置が知られている。同図において、１は
表面に複数の導体２が配置された基体、３は導電性接着
剤４によって導体２上に接合された半導体チップ、５は
同様に導電性接着剤４によって他の導体２上に接合され
た半導体チップ以外の他のチップ、６は半導体チップ３
あるいは他のチップ５と導体２との間に所望の回路を構
成するように接続されたボンディングワイヤである。
が導電性接着剤によって接合された、図３に示すような
構造の半導体装置が知られている。同図において、１は
表面に複数の導体２が配置された基体、３は導電性接着
剤４によって導体２上に接合された半導体チップ、５は
同様に導電性接着剤４によって他の導体２上に接合され
た半導体チップ以外の他のチップ、６は半導体チップ３
あるいは他のチップ５と導体２との間に所望の回路を構
成するように接続されたボンディングワイヤである。
【０００３】このように半導体チップ３あるいは他のチ
ップ５が共通の基体１上に実装された半導体装置におい
て、重要な課題の一つに不良チップの除去及び良品チッ
プの交換（リペアと称される）がある。このように一度
基体１上に実装された不良チップあるいは良品チップを
除去したり交換するためには、各チップを基体１上の導
体２上に接合している導電性接着剤４を分解させる必要
がある。このように導電性接着剤４を分解させるには、
基体１を高温（例えば３００℃）に熱することにより、
半導体チップ３あるいは他のチップ５に機械的な力を加
えて取り外すことが行われている。または、特殊な薬品
を用いて導電性接着剤４を溶解させることが行われてい
る。
ップ５が共通の基体１上に実装された半導体装置におい
て、重要な課題の一つに不良チップの除去及び良品チッ
プの交換（リペアと称される）がある。このように一度
基体１上に実装された不良チップあるいは良品チップを
除去したり交換するためには、各チップを基体１上の導
体２上に接合している導電性接着剤４を分解させる必要
がある。このように導電性接着剤４を分解させるには、
基体１を高温（例えば３００℃）に熱することにより、
半導体チップ３あるいは他のチップ５に機械的な力を加
えて取り外すことが行われている。または、特殊な薬品
を用いて導電性接着剤４を溶解させることが行われてい
る。
【０００４】このように基体１上から不良チップの除去
及び良品チップの交換を行うことは、特に半導体チップ
３のように高価なチップあるいは基体１を有効に活用し
てコストダウンを図る上で必要なことである。
及び良品チップの交換を行うことは、特に半導体チップ
３のように高価なチップあるいは基体１を有効に活用し
てコストダウンを図る上で必要なことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の半導体
装置では、不良チップの除去及び良品チップの交換を行
うために導電性接着剤を溶融して基体上から必要なチッ
プを取り外すのが、技術的に困難であるという問題があ
る。
装置では、不良チップの除去及び良品チップの交換を行
うために導電性接着剤を溶融して基体上から必要なチッ
プを取り外すのが、技術的に困難であるという問題があ
る。
【０００６】例えば前記のように基体を高温に熱して導
電性接着剤を分解させる場合は他のチップなどに対して
損傷を与えるおそれがあり、また特殊な薬品を用いる場
合は他のチップに対してのみならず基体を化学的に侵し
てしまうおそれがある。このためさらに他の方法とし
て、フリップチップを用いる方法やハンダを用いて接合
する方法も知られているが、コストアップが避けられな
い。
電性接着剤を分解させる場合は他のチップなどに対して
損傷を与えるおそれがあり、また特殊な薬品を用いる場
合は他のチップに対してのみならず基体を化学的に侵し
てしまうおそれがある。このためさらに他の方法とし
て、フリップチップを用いる方法やハンダを用いて接合
する方法も知られているが、コストアップが避けられな
い。
【０００７】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、不良チップの除去及び良品チップの交換の
ために導電性接着剤を溶融して基板上から必要なチップ
を取り外す場合に、このチップの取り出しが容易に行え
る構造の半導体装置を提供することを目的とするもので
ある。
れたもので、不良チップの除去及び良品チップの交換の
ために導電性接着剤を溶融して基板上から必要なチップ
を取り外す場合に、このチップの取り出しが容易に行え
る構造の半導体装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基体上に配置された導体と、前記導体上に
ハンダ粒子を含む導電性接着剤によって接合された半導
体チップと、前記半導体チップと導体との間に所望の回
路を構成するように接続されたボンディングワイヤとか
らなることを特徴とするものである。
に本発明は、基体上に配置された導体と、前記導体上に
ハンダ粒子を含む導電性接着剤によって接合された半導
体チップと、前記半導体チップと導体との間に所望の回
路を構成するように接続されたボンディングワイヤとか
らなることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】半導体チップを基体上の導体上に接合する場合
は、基体をハンダ溶融温度以下に加熱して導電性接着剤
を溶融して硬化する。不良チップの除去及び良品チップ
の交換を行う場合は、基体をハンダ溶融温度以上に加熱
して導電性接着剤を溶融して、チップを取り外すように
する。
は、基体をハンダ溶融温度以下に加熱して導電性接着剤
を溶融して硬化する。不良チップの除去及び良品チップ
の交換を行う場合は、基体をハンダ溶融温度以上に加熱
して導電性接着剤を溶融して、チップを取り外すように
する。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図
で、１は表面に複数の導体２が配置された導体、３はハ
ンダ粒子１３を含む導電性接着剤１４によって導体２上
に接合された半導体チップ、５は同様に導電性接着剤１
４によって他の導体２上に接合された半導体チップ以外
の他のチップ、６は半導体チップ３あるいは他のチップ
５と導体２との間に所望の回路を構成するように接続さ
れたボンディングワイヤである。
る。図１は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図
で、１は表面に複数の導体２が配置された導体、３はハ
ンダ粒子１３を含む導電性接着剤１４によって導体２上
に接合された半導体チップ、５は同様に導電性接着剤１
４によって他の導体２上に接合された半導体チップ以外
の他のチップ、６は半導体チップ３あるいは他のチップ
５と導体２との間に所望の回路を構成するように接続さ
れたボンディングワイヤである。
【００１１】ハンダ粒子１３を含む導電性接着剤１４の
硬化温度は、ハンダの溶融温度よりも低く設定されてい
るので、導電性接着剤１４の硬化温度ではハンダ粒子１
３は溶融せずに粒子の状態を保ったままになっている。
一方、ハンダの溶融温度以上に加熱したときはハンダ粒
子１３が溶融するので、導電性接着剤１４の全体は押し
広げられるように分解する。
硬化温度は、ハンダの溶融温度よりも低く設定されてい
るので、導電性接着剤１４の硬化温度ではハンダ粒子１
３は溶融せずに粒子の状態を保ったままになっている。
一方、ハンダの溶融温度以上に加熱したときはハンダ粒
子１３が溶融するので、導電性接着剤１４の全体は押し
広げられるように分解する。
【００１２】まず、半導体チップ３を基体１上の導体２
上に接合する場合は、基体１をハンダ溶融温度以下に加
熱することにより導電性接着剤１４を硬化させて半導体
チップ３を接合する。続いて、半導体チップ３と導体２
との間にボンディングワイヤ６をボンディングする。他
のチップ５に対しても同様な処理を行う。
上に接合する場合は、基体１をハンダ溶融温度以下に加
熱することにより導電性接着剤１４を硬化させて半導体
チップ３を接合する。続いて、半導体チップ３と導体２
との間にボンディングワイヤ６をボンディングする。他
のチップ５に対しても同様な処理を行う。
【００１３】次に、基体１上に接合された各チップの検
査を行い、不良チップ及び良品チップの選別を行う。こ
れら不良チップの除去及び良品チップの交換を行うため
に、基体１をハンダ溶融温度以上に加熱する。これによ
ってハンダ粒子１３が溶融するので、導電性接着剤１４
も分解すると共に、図２に示すように全体が押し広げら
れるようになる。
査を行い、不良チップ及び良品チップの選別を行う。こ
れら不良チップの除去及び良品チップの交換を行うため
に、基体１をハンダ溶融温度以上に加熱する。これによ
ってハンダ粒子１３が溶融するので、導電性接着剤１４
も分解すると共に、図２に示すように全体が押し広げら
れるようになる。
【００１４】この結果、導電性接着剤１４の厚さが薄く
なるため半導体チップ３の接着力が低下するので、半導
体チップ３はピンセットなどを用いることにより、導体
２上から容易に取り外すことができる。
なるため半導体チップ３の接着力が低下するので、半導
体チップ３はピンセットなどを用いることにより、導体
２上から容易に取り外すことができる。
【００１５】このように本実施例によれば、ハンダ粒子
１３を含む導電性接着剤１４を用い、半導体チップ３を
接合するときは基体１をハンダ溶融温度以下で加熱処理
し、半導体チップ３を取り外すときは基体１をハンダ溶
融温度以上で加熱処理するようにしたので、不良チップ
の除去及び良品チップの交換を行う場合はチップの取り
外しを容易に行うことができる。
１３を含む導電性接着剤１４を用い、半導体チップ３を
接合するときは基体１をハンダ溶融温度以下で加熱処理
し、半導体チップ３を取り外すときは基体１をハンダ溶
融温度以上で加熱処理するようにしたので、不良チップ
の除去及び良品チップの交換を行う場合はチップの取り
外しを容易に行うことができる。
【００１６】すなわち、従来のように高温加熱処理を行
って半導体チップに機械的な力を加えて取り外す方法に
比べて、チップに損傷を与えることなく取り外すことが
でき、また特殊な薬品を用いないので基体などを化学的
に侵してしまうこともなくなる。これによって、高価な
半導体チップあるいは基体を有効に活用することができ
るので、コストダウンを図ることができる。
って半導体チップに機械的な力を加えて取り外す方法に
比べて、チップに損傷を与えることなく取り外すことが
でき、また特殊な薬品を用いないので基体などを化学的
に侵してしまうこともなくなる。これによって、高価な
半導体チップあるいは基体を有効に活用することができ
るので、コストダウンを図ることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ハン
ダ粒子を含む導電性接着剤を用い半導体チップを接合す
るときは基体をハンダ溶融温度以下で加熱処理し、不良
チップの除去及び良品チップの交換を行うときは基体を
ハンダ溶融温度以上で加熱処理を行うようにしたので、
半導体チップの取り外しを容易に行うことができる。
ダ粒子を含む導電性接着剤を用い半導体チップを接合す
るときは基体をハンダ溶融温度以下で加熱処理し、不良
チップの除去及び良品チップの交換を行うときは基体を
ハンダ溶融温度以上で加熱処理を行うようにしたので、
半導体チップの取り外しを容易に行うことができる。
【図１】本発明の半導体装置の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本実施例における半導体チップの取り外し方法
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
１ 基体 ２ 導体 ３ 半導体チップ １３ ハンダ粒子 １４ 導電性接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 基体上に配置された導体と、前記導体上
にハンダ粒子を含む導電性接着剤によって接合された半
導体チップと、前記半導体チップと導体との間に所望の
回路を構成するように接続されたボンディングワイヤと
からなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31933292A JPH06151477A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31933292A JPH06151477A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151477A true JPH06151477A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18109002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31933292A Pending JPH06151477A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151477A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110721A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP31933292A patent/JPH06151477A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110721A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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