JPH0613173B2 - ウエハー製造装置 - Google Patents
ウエハー製造装置Info
- Publication number
- JPH0613173B2 JPH0613173B2 JP3018085A JP1808591A JPH0613173B2 JP H0613173 B2 JPH0613173 B2 JP H0613173B2 JP 3018085 A JP3018085 A JP 3018085A JP 1808591 A JP1808591 A JP 1808591A JP H0613173 B2 JPH0613173 B2 JP H0613173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor ingot
- wafer
- cutting
- grindstone
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体の製造工程にお
いて、半導体の材料を薄片状のウエハーに切断するウエ
ハーの製造装置に係るものである。
いて、半導体の材料を薄片状のウエハーに切断するウエ
ハーの製造装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン等の材料（半導体インゴ
ットという）をウエハーに切断するには、主として高速
回転する内周刃に、半導体インゴットを押し付ける方法
によっていたが、切断刃の保持方法、両刃面の切断性能
のアンバランス、クーラント、風圧の不均一等の原因に
より切断面の平面度、従って切断されたウエハーの面精
度を上げることが困難であった。特に近来、生産効率を
向上させるために半導体インゴットの径を大きくする、
いわゆる、大口径化の技術的要請が強いが、大口径化す
る程、これに伴ってウエハーの両面のそり（平面度誤
差）が大となる点が問題になってきている。また、ウエ
ハーのそりが大きく、面精度が悪いと、後工程の研削、
ラッピング加工における修正、仕上げに多大の工数と経
費と有し、必ずしも満足な面精度が得られなかった。
ットという）をウエハーに切断するには、主として高速
回転する内周刃に、半導体インゴットを押し付ける方法
によっていたが、切断刃の保持方法、両刃面の切断性能
のアンバランス、クーラント、風圧の不均一等の原因に
より切断面の平面度、従って切断されたウエハーの面精
度を上げることが困難であった。特に近来、生産効率を
向上させるために半導体インゴットの径を大きくする、
いわゆる、大口径化の技術的要請が強いが、大口径化す
る程、これに伴ってウエハーの両面のそり（平面度誤
差）が大となる点が問題になってきている。また、ウエ
ハーのそりが大きく、面精度が悪いと、後工程の研削、
ラッピング加工における修正、仕上げに多大の工数と経
費と有し、必ずしも満足な面精度が得られなかった。
【０００３】
【発明の概要】本発明は、少なくともウエハーの片面の
平面度を飛躍的に改善する方法並びに装置を提供するも
のである。本発明は、スピンドルに取り付けられた内周
刃で半導体インゴットからウエハーを切断するスライシ
ング機の切断機能に、前記内周刃による半導体インゴッ
トの切込み位置より先行させた状態で半導体インゴット
の端面を研削する砥石をスピンドルの内部に付加し、即
ち、１台の機械で切断加工と半導体インゴットの端面研
削加工を行い、切断されたウエハーの片面の平面度を高
精度に仕上げることを可能とするものである。また、半
導体インゴットの平面研削は切断と同時に進行するの
で、切断工程と研削工程とが夫々独立している場合と単
純に比較して約１／２に加工時間を短縮できる。
平面度を飛躍的に改善する方法並びに装置を提供するも
のである。本発明は、スピンドルに取り付けられた内周
刃で半導体インゴットからウエハーを切断するスライシ
ング機の切断機能に、前記内周刃による半導体インゴッ
トの切込み位置より先行させた状態で半導体インゴット
の端面を研削する砥石をスピンドルの内部に付加し、即
ち、１台の機械で切断加工と半導体インゴットの端面研
削加工を行い、切断されたウエハーの片面の平面度を高
精度に仕上げることを可能とするものである。また、半
導体インゴットの平面研削は切断と同時に進行するの
で、切断工程と研削工程とが夫々独立している場合と単
純に比較して約１／２に加工時間を短縮できる。
【０００４】
以下、本発明のウエハー製造装置の実施例を図面を参照
して説明する。図１に、内周刃のブレードを中空スピン
ドルに取付けた横型スライシング機に適用した第１実施
例を示す。図において、半導体インゴット１は、中空ス
ピンドル３に取付けられ、高速回転する内周刃のブレー
ド２に対して図示しない保持機構、送り機構により、矢
印Ａ方向に移動して薄片状のウエハーに切断される。図
に於いて、横型スライシング機に於いて、内周刃のブレ
ード２は高速回転する中空スピンドル３に張設され、高
速回転される。半導体インゴット１は図示しない保持機
構、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して薄片状のウ
エハーに切断される。一方、横型スライシング機の同一
機上の中空スピンドル３内に砥石軸５Ａが中空スピンド
ル３と同軸方向に配置され、砥石軸５Ａの先端に砥石５
が設けられる。ウエハー切断時半導体インゴット１の端
面４に対して、平面研削用の回転する砥石５を当て、半
導体インゴット１を矢印Ａ方向に移動させると、まず端
面４が砥石５によって研削され、次にブレード２が半導
体インゴット１に切り込んでウエハーに切断する。
して説明する。図１に、内周刃のブレードを中空スピン
ドルに取付けた横型スライシング機に適用した第１実施
例を示す。図において、半導体インゴット１は、中空ス
ピンドル３に取付けられ、高速回転する内周刃のブレー
ド２に対して図示しない保持機構、送り機構により、矢
印Ａ方向に移動して薄片状のウエハーに切断される。図
に於いて、横型スライシング機に於いて、内周刃のブレ
ード２は高速回転する中空スピンドル３に張設され、高
速回転される。半導体インゴット１は図示しない保持機
構、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して薄片状のウ
エハーに切断される。一方、横型スライシング機の同一
機上の中空スピンドル３内に砥石軸５Ａが中空スピンド
ル３と同軸方向に配置され、砥石軸５Ａの先端に砥石５
が設けられる。ウエハー切断時半導体インゴット１の端
面４に対して、平面研削用の回転する砥石５を当て、半
導体インゴット１を矢印Ａ方向に移動させると、まず端
面４が砥石５によって研削され、次にブレード２が半導
体インゴット１に切り込んでウエハーに切断する。
【０００５】その際、切断されるウエハーに欠けや割れ
やひびが生じないように、砥石５で研削されている部分
にはブレード２の切り込み先端が達しないようにブレー
ド２と砥石５を配設する。即ち、砥石５による半導体イ
ンゴット端面の研削位置は、ブレード２による半導体イ
ンゴットの切込み位置より先行させ、ブレード２による
半導体インゴットの切込み位置は半導体インゴット端面
の研削位置より常に遅れてなされる。端面研削が終了し
た所で砥石５は後退（図では右方向に移動）し、半導体
インゴット１も原位置に復帰して次の加工サイクルに入
る。この方式では、半導体インゴット１の端面研削と切
断が並行して、ほぼ同時に行えるので、ロス時間がな
く、極めて能率的である。
やひびが生じないように、砥石５で研削されている部分
にはブレード２の切り込み先端が達しないようにブレー
ド２と砥石５を配設する。即ち、砥石５による半導体イ
ンゴット端面の研削位置は、ブレード２による半導体イ
ンゴットの切込み位置より先行させ、ブレード２による
半導体インゴットの切込み位置は半導体インゴット端面
の研削位置より常に遅れてなされる。端面研削が終了し
た所で砥石５は後退（図では右方向に移動）し、半導体
インゴット１も原位置に復帰して次の加工サイクルに入
る。この方式では、半導体インゴット１の端面研削と切
断が並行して、ほぼ同時に行えるので、ロス時間がな
く、極めて能率的である。
【０００６】本発明の装置は、この実施例に限らず、縦
型形式のスライシング機にも適用することができる。
型形式のスライシング機にも適用することができる。
【０００７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明を採用する
ことにより、同一機上で、端面研削機構を付加する以外
は、すべてスライシング機の機構を利用して、半導体イ
ンゴットの取付け等の段取り替えを要せず、切断加工と
同時に半導体インゴットの端面を高精度に研削すること
が可能となるので、切断工程と研削工程とが夫々独立し
ている場合と単純に比較して約１／２に加工時間を短縮
できる。また、半導体インゴット端面の平面度の測定管
理が不要となり、切断されたウエハーの品質、即ち、片
面の平面度を飛躍的に向上させることができる。更に、
後工程の工数、経費等を著しく削減でき、生産性を高め
ることができる等多大の効果を得ることができる。ま
た、砥石の研削位置が内周刃の切断位置より先行してい
るので、切断中のウエハーに割れ、欠け等が生じない。
ことにより、同一機上で、端面研削機構を付加する以外
は、すべてスライシング機の機構を利用して、半導体イ
ンゴットの取付け等の段取り替えを要せず、切断加工と
同時に半導体インゴットの端面を高精度に研削すること
が可能となるので、切断工程と研削工程とが夫々独立し
ている場合と単純に比較して約１／２に加工時間を短縮
できる。また、半導体インゴット端面の平面度の測定管
理が不要となり、切断されたウエハーの品質、即ち、片
面の平面度を飛躍的に向上させることができる。更に、
後工程の工数、経費等を著しく削減でき、生産性を高め
ることができる等多大の効果を得ることができる。ま
た、砥石の研削位置が内周刃の切断位置より先行してい
るので、切断中のウエハーに割れ、欠け等が生じない。
【図１】図１は本発明の実施例の機構説明図
１…半導体インゴット ２…ブレード ４…端面 ５…端面研削砥石
Claims (1)
- 【請求項１】 回転するスピンドルに内周刃を取り付け
て半導体材料を薄片状に切断するウエハー切断装置に於
いて、 前記スピンドルは中空に形成されると共に、前記スピン
ドルの内部でスピンドルと同軸方向に砥石軸を配置し、
この砥石軸の先端に前記内周刃による半導体材料の切込
み位置より先行させた状態で半導体材料の端面を研削す
る砥石を取り付けたことを特徴とするウエハー製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018085A JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018085A JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22935684A Division JPS61106207A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | ウエハー製造方法並びに装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211907A JPH04211907A (ja) | 1992-08-03 |
| JPH0613173B2 true JPH0613173B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=11961812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018085A Expired - Lifetime JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613173B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3018085A patent/JPH0613173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04211907A (ja) | 1992-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4344260A (en) | Method for precision shaping of wafer materials | |
| US6672943B2 (en) | Eccentric abrasive wheel for wafer processing | |
| JP5238317B2 (ja) | シリコンブロックの研削研磨機及びシリコンウエハの加工方法 | |
| US4896459A (en) | Apparatus for manufacturing thin wafers of hard, non-metallic material such as for use as semiconductor substrates | |
| US4054010A (en) | Apparatus for grinding edges of planar workpieces | |
| JP3328193B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| US5289661A (en) | Notch beveling on semiconductor wafer edges | |
| JPH0212729B2 (ja) | ||
| US4881518A (en) | Apparatus for manufacturing and handling thin wafers | |
| JP2636383B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JPH0613173B2 (ja) | ウエハー製造装置 | |
| US6969302B1 (en) | Semiconductor wafer grinding method | |
| JPS61168462A (ja) | ウエハ研削装置 | |
| JPS61114813A (ja) | 切断方法 | |
| JP2537573B2 (ja) | 半導体ウエハ―製造方法 | |
| GB2149330A (en) | Machining of workpieces consisting of brittle/friable materials | |
| JPS62264858A (ja) | 平面研削方法 | |
| JPH0778793A (ja) | 半導体ウェーハの研削加工方法 | |
| JP2001138221A (ja) | 半導体ウエハラッピング用キャリア | |
| JPH06270041A (ja) | 半導体ウェーハの研削方法及び研削装置 | |
| JPS62224537A (ja) | 薄基板製造用の複合加工機 | |
| GB2116085A (en) | Grinding machine and method of grinding a workpiece | |
| JP2007044853A (ja) | ウェーハ面取り方法及びウェーハ面取り装置 | |
| JP2908915B2 (ja) | ウェハの切断方法および装置 | |
| JPH11347901A (ja) | ツルーイング工具及びツルーイング工具付きウェーハ面取り装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |